1.

Wielkości fizyczne

2. Zasada zachowania pędu i siły

3. Zasady dynamiki

4.
Zasady zachowania pracy i energii
W- praca, F-siła, s-przemieszczenie
 Fr-siła, dr- wektor przesunięcia.
5. Wahadło proste i wahadło fizyczne
6. Oscylator harmoniczny tłumiony
7. Prawo Pascala i Prawo Archimedesa
p-cisnienie, h- głębokość zatopienia ciała, g- grawitacja, ρ - gęstość

8. Gaz doskonały
9. Przemiany termodynamiczne
10. Zasady termodynamiki
11. Anizotropia właściwości fizycznych

12. Sieć krystaliczna

13. Fala elektromagnetyczna
14. Odbicie i załamanie fali

15. Soczewki, wady soczewek

16. Polaryzacja swiatła, zjawisko dwójłomności, dichroizm
17. Promieniowanie termiczne

18. Efekt Comptona

19. Zjawisko fotoelektryczne

20. Model Bohra, fale materii

h-stała Plancka, p- pęd cząstki

E- energie elektronów

21. Prawo Coulomba

22. Pole elektryczne

 Źródłem pola elektrycznego są ładunki elektryczne (linie pola elektrycznego mogą
rozpoczynać się i kończyć na ładunkach).
23. Pole magnetyczne
24. Siła Lorentza

25. Działanie pola magnetycznego na przewodnik z pradem

26. Reguła Lenza, indukcja

27. Swiatło i materia(chuj wie o co tu chodzi)

28. Diagram Jabłonskiego

Sekwencja zdarzeń opisana diagramem Jabłońskiego jest następująca: Absorpcja fotonu (A)
powoduje wzbudzenie elektronowe cząsteczki z singletowego stanu podstawowego S0 (GS –
ang. ground state)[b] do jednego z singletowych stanów wzbudzonych (tutaj S2). Absorpcja
fotonu prowadzi zazwyczaj również do wzbudzenia wibracyjnego danego wzbudzonego stanu
elektronowego. Następnym procesem jest bardzo szybka, pikosekundowa relaksacja
wibracyjna (VR – ang. vibrational relaxation) do podstawowego stanu wibracyjnego
wzbudzonego stanu elektronowego. W procesie tym nadmiar energii przekazywany jest do
otoczenia pod postacią ciepła (np. zwiększając energię kinetyczną cząsteczek
rozpuszczalnika).

Kolejnym procesem, również bardzo szybkim, jest bezpromienista konwersja wewnętrzna (IC
– ang. internal conversion), podczas której brak jest absorpcji lub emisji fotonu. Ten
izoenergetyczny[c] (nie zmieniający energii) proces powoduje przejście cząsteczki z
podstawowego stanu wibracyjnego wzbudzonego elektronowego stanu singletowego S2 do
wzbudzonego wibracyjnie wzbudzonego elektronowego stanu S1. Relaksacja wibracyjna
pozwala cząsteczce na pozbycie się nadmiaru energii wibracyjnej, co sprowadza ją do
podstawowego poziomu wibracyjnego wzbudzonego elektronowo stanu S1.

Cząsteczka wzbudzona elektronowo może przejść bezpośrednio ze stanu S1 do

elektronowego stanu podstawowego S0 z jednoczesną emisją fotonu o energii będącej
różnicą energii pomiędzy obu stanami – jest to proces fluorescencji „F”. Fluorescencja jest
zjawiskiem stosunkowo szybkim (nanosekundowym) gdyż jest dozwolona przez kwantową
regułę wyboru stanowiącą, że procesy zachowujące całkowity spin cząsteczki (np. przejście
pomiędzy dwoma elektronowymi stanami singletowymi) są procesami zachodzącymi z dużym
prawdopodobieństwem (dużymi stałymi szybkości), podczas gdy procesy zachodzące ze
zmianą tego momentu (czyli multipletowości) są wzbronione (prawdopodobieństwo ich
zajścia jest bardzo małe). W pewnych sytuacjach (np. efekt ciężkiego atomu) może nastąpić
zwiększenie prawdopodobieństwa zajścia procesu zwanego przejściem międzysystemowym
lub interkombinacyjnym (ISC – ang. intersystem crossing), który jest zabroniony przez
powyższą regułę wyboru. ISC jest izoenergetycznym przejściem ze stanu singletowego S1 do
stanu trypletowego T1[d].

Po przejściu międzysystemowym do stanu T1, podobnie jak w poprzednich sytuacjach,

cząsteczka szybko traci nadmiar energii wibracyjnej (VR) w ramach stanu trypletowego T1
osiągając podstawowy poziom wibracyjny. Powrót cząsteczki do elektronowego stanu
podstawowego S0 następuje w procesie fosforescencji (P – ang. phosphorescence), w którym
emitowany jest foton o energii mniejszej (większa długość fali) od fotonu emitowanego w
procesie fluorescencji. Ponieważ fosforescencja zachodzi pomiędzy stanami o różnej
multipletowości, jest ona procesem wolniejszym (mikrosekundy) od fluorescencji, co w
praktyce oznacza dłuższą poświatę. Może nastąpić również bezpromienista dezaktywacja –
poprzez przejście międzysystemowe ze stanu T1 do elektronowego stanu podstawowego S0 i
szybkiej bezpromienistej utracie nadmiaru energii poprzez relaksację wibracyjną VR.
29. Inwersja obsadzen poziomów energetycznych

30. Połprzewodniki- rodzaje

31. Dioda półprzewodnikowa
32. Akcja laserowa

33. Właściwości wiazki lasera

34. Podział
laserów
35. Laser półprzewodnikowy, dioda laserowa

Laser ten jest wielowarstwową strukturą półprzewodników typu n (nadmiar elektronów w

paśmie przewodnictwa) i p (więcej dziur w paśmie walencyjnym). Przejście elektronu do
pasma przewodzenia na skutek zasilania prądem (pompowanie) połączone jest z odwrotnym
procesem spontanicznym, zwanym rekombinacją promienistą. Proces ten prowadzi do
uwolnienia fotonu. Przy dostatecznie dużym prądzie może zajść inwersja obsadzeń,
pozwalająca wywołać akcję laserową. Zewnętrzne ścianki falowodu tworzą rezonatory
Fabry’ego-Perota.

Warstwa falowodowa ma grubość rzędu 2 μm, co ułatwia uzyskanie inwersji obsadzeń przy
małym prądzie, a jej szerokość wynosi 10 μm. W związku z dyfrakcją, rezultatem takiej
budowy warstwy czynnej są duże kąty rozbieżności wiązki, różne w obydwu przekrojach
(rzędu 30° odpowiadający grubości 2 μm i ponad 5° dla szerokości 10 μm). W celu
zmniejszenia asymetrii wiązki stosuje się dodatkowe układy optyczne (pryzmatyczne lub
cylindryczne) mające różne powiększenia w tych przekrojach. Do wad tych laserów należy
zaliczyć szersze widmo promieniowania w porównaniu np. z laserem He-Ne i silny wpływ
zmiany temperatury na moc wiązki i długość generowanej fali. Wady te można wyeliminować
(a co najmniej, istotnie ograniczyć) stosując odpowiednio rozbudowany układ zasilający z
ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Obecnie większość produkowanych diod laserowych
powszechnego zastosowania posiada wbudowaną fotodiodę, która pozwala na pomiar
natężenia emitowanego światła. Układ zasilający ma postać sterowanego źródła prądowego,
które dostarcza diodzie laserowej prąd o wielkości zależnej od prądu płynącego przez
fotodiodę. Ujemne sprzężenie zwrotne sprawia, że im więcej światła emituje laser, tym
słabszym prądem jest on zasilany.

W fotonice do budowy struktur informatycznych wykorzystuje się również macierze laserów

umieszczonych na wspólnym podłożu. Średnice pojedynczych laserów mogą być rzędu kilku
mikrometrów. Każdy z laserów może być niezależnie sterowany elektronicznie, stąd macierz
laserów tworzy razem powierzchniową strukturę niemal punktowych źródeł promieniowania.

Zjawisko elektroluminescencji w złączu półprzewodnikowym p-n zostało po raz pierwszy

zaobserwowane w 1952 roku przez naukowców Haynesa i Briggsa. Prace które prowadzili
miały na celu zbadanie właściwości luminescencyjne złącza, przez które płynie bardzo duży
prąd w kierunku przewodzenia. W roku 1958 Aigrain zauważył, że świecenie rekombinacyjne
elektronów i dziur wstrzykiwanych poprzez pasmo zabronione może służyć do otrzymania
inwersji obsadzeń. W latach 1960-62 rozgorzała dyskusja nad wykorzystaniem tego świecenia
do budowy lasera półprzewodnikowego, która zakończyła się w niedługim czasie
zbudowaniem złącza półprzewodnikowego typu p-n z arsenku galu (GaAs) o bardzo dużej
wydajności elektroluminescencyjnej.

Lasery półprzewodnikowe są źródłami promieniowania spójnego, w których funkcję ośrodka

czynnego pełni półprzewodnik. Można je podzielić na dwie grupy:

półprzewodnikowe lasery złączowe (diodowe)

półprzewodnikowe lasery bezzłączowe- wykonane z jednorodnego materiału.
W półprzewodnikowym laserze złączowym proces emisji promieniowania jest zlokalizowany
w obszarze przylegającym do złącza diody półprzewodnikowej. Aby nastąpiła akcja laserowa,
podobnie jak w innych laserach muszą nastąpić odpowiednie warunki, wynikające przede
wszystkim ze struktury poziomów energetycznych. W półprzewodnikach rozpatruje się stany
energetyczne półprzewodnika jako całości, a nie poziomy poszczególnych atomów. Inwersja
obsadzeń odbywa się nie w całej objętości ośrodka czynnego, ale w ścisłym otoczeniu złącza.

Dioda elektroluminescencyjna daje szerokie widmo emisji, głównie zależne od intensywności

z jaką są wstrzykiwane nośniki, czyli inaczej mówiąc od natężenia prądu jaki przez nią płynie.
 Rekombinacji elektronów i dziur towarzyszy emisja fotonów, jak już wcześniej było
powiedziane, ale ta emisja jest emisją spontaniczną, wielokierunkową, przez co większość
fotonów szybko opuszcza obszar czynny, lecz niektóre z nich zderzają się ze wzbudzonymi
elektronami powodując przejście emisyjne wymuszone. W pewnych warunkach może
nastąpić sytuacja kiedy wytwarzane fotony wymuszą emisję fotonów liczniejszych niż te,
które będą pochłaniane, w takiej sytuacji nastąpi wzmocnienie promieniowania. Aby akcja
laserowa nastąpiła, musi występować jeszcze urządzenie, które będzie wypromieniowane
fotony scalało w jedną spójną wiązkę zwaną promieniem laserowym, to urządzenie nosi
nazwę rezonatora optycznego. W celu stworzenia rezonatora optycznego należy
ukształtować złącze diody możliwie płaskie, a z obu jego przeciwległych stron umieścić
prostopadłe do płaszczyzny złącza i równoległe do siebie powierzchnie odbijające. Jedno ze
zwierciadeł musi być częściowo przepuszczalne, zwierciadło takie nazywane jest
promiennikiem światła laserowego. Aby zapobiec możliwości wzbudzenia się akcji laserowej
w kierunku poprzecznym, boczne powierzchnie rezonatora powinny być matowe i
nieznacznie odchylone od wzajemnej równoległości. W celu osiągnięcia akcji laserowej przez
diodę luminescencyjną musi płynąć odpowiednio duży prąd, prąd progowy. Jeśli natężenie
prądu jest mniejsze, rekombinacja elektronów i dziur nie powoduje akcji laserowej, a dioda
emituje światło niespójne.

36. Fala poprzeczna i podłużna

37. Podział dźwięków, prędkość dźwięku
38. Natężenie dźwięku