EE 2003: Trường điện từ

Lecture 5
Chương 2: Trường điện tĩnh (cont…)

Electromagnetics Field  Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT

Chương 2: Trường điện tĩnh

2.4.4. Vật liệu trong trường điện tĩnh

a) Vật dẫn cô lập trong trường điện tĩnh

b) Điện môi trong trường điện tĩnh

Electromagnetics Field  Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT

1
 a) Vật dẫn cô lập trong trường điện tĩnh

a-1) Điện tích cảm ứng

a-2) Tính chất của vật dẫn trong trường điện tĩnh
a-3) Màn chắn điện tĩnh

Electromagnetics Field  Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT

a-1) Điện tích cảm ứng trên vật dẫn

Vật dẫn mang cô lập đặt trong trường điện tĩnh nhanh chóng
xuất hiện điện tích tự do trên bề mặt  Điện tích cảm ứng

Điện tích cảm ứng


V   t
 V  0 V  0e ε
t 
Thời hằng =/ ~ ns  xác lập rất nhanh (tức thì)
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

2
 a-2) Tính chất của vật dẫn trong trường điện tĩnh

 Tính chất 1: Trường điện trong vật dẫn bằng 0

 Tính chất 2: Điện tích khối trong vật dẫn bằng 0

 Tính chất 3: Vật dẫn là đẳng thế

 Tính chất 4: Trường điện bên ngoài phải vuông góc với vd

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

a-2) Tính chất của vật dẫn trong trường điện tĩnh

Nhận xét: Điện tích cảm ứng tạo ra trường điện làm thay đổi
trường điện ban đầu bên trong & xung quanh vật dẫn
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

3
 a-3) Màn chắn điện

Trường hợp 1: Có điện tích (nguồn) bên ngoài vật dẫn, bên
trong hốc rỗng không có điện tích

Hốc rỗng


E tr ?? 
E tr  0

E ng  0

Màn điện
Kết luận: vật dẫn đóng vai trò là màn chắn trường bên ngoài
vào bên trong hốc rỗng
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

a-3) Màn chắn điện

Trường hợp 2: Không có điện tích (nguồn) bên ngoài vật dẫn,
bên trong hốc rỗng có điện tích

Hốc rỗng


E tr  0 
E ng  0

E ng ??

Kết luận: vật dẫn không chắn được trường bên trong hốc
rỗng ra bên ngoài
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

4
 a-3) Màn chắn điện

Trường hợp 3: Không có điện tích (nguồn) bên ngoài vật dẫn,
bên trong hốc rỗng có điện tích, vật dẫn nối đất

Hốc rỗng


E tr  0 
E ng  0

E ng ??

Kết luận: vật dẫn đóng vai trò chắn trường bên trong hốc
rỗng ra bên ngoài
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

a-3) Màn chắn điện

Thực tế: Màn chắn điện là lưới kim loại nối đất

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

5
 a-3) Màn chắn điện

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

b) Điện môi trong trường điện tĩnh

b-1) Điện tích phân cực

b-2) Chọc thủng điện môi

Electromagnetics Field  Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT

6
 b-1) Điện tích phân cực

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

b-1) Điện tích phân cực

Điện tích phân cực khối:

Chân không Điện môi
    
D  0 E0 D  0 E  P
    
V  divD   0 divE 0 V  divD   0 divE  divP
 
V  divP   0 divE
  
V  E 0 V  divP  E


 PV  divP (C/ m 3 )

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

7
 b-1) Điện tích phân cực

Điện tích phân cực mặt:

   
 PV   divP  PS   a n ( P1  P 2 ) (C/ m 2 )

(--Tương tự mô hình điện tích tự do--)

   
V  divD  S  a n ( D1  D 2 )

Kết luận: cùng một nguồn là điện tích tự do nhưng trường

điện sinh ra trong chân không sẽ khác trong điện môi. Do
trong điện môi các điện tích phân cực cũng sinh ra trường
điện và làm thay đổi trường điện ban đầu

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

b-2) Chọc thủng điện môi

Khi trường điện ngoài E ≥ Ect: điện môi trở nên dẫn điện
 Chọc thủng điện môi

Ect: cường độ trường điện chọc thủng, đặc trưng cho độ bền
điện của điện môi, mỗi loại điện môi có 1 Ect xác định

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

8
 b-2) Chọc thủng điện môi

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

Chương 2: Trường điện tĩnh

2.4.5. Phương pháp ảnh điện

Electromagnetics Field  Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT

9
 2.4.5. Phương pháp ảnh điện

 Vật mang điện gần mặt phân cách giữa 2 môi trường thì
trường điện trong không gian được tạo bởi 2 nguồn:

 Nguồn 1: vật mang điện

 Nguồn 2: điện tích cảm ứng hoặc phân cực trên biên
 Nhận xét: nguồn 1 là biết trước nhưng nguồn 2 là không
biết trước dẫn tới các phương pháp tính trường: xếp
chồng, Gauss, pt Poisson – Laplace không thể áp dụng
trực tiếp được (do không đối xứng/chưa xác định đầy đủ
nguồn)
 Phương pháp ảnh điện là phương pháp hữu dụng dùng để
xác định mô hình tương đương có thể giải được bằng các
phương pháp trên.

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

2.4.5. Phương pháp ảnh điện

 Nguyên tắc của PP ảnh điện:

 Đồng nhất không gian bằng môi trường cần tính trường
 Thêm vào điện tích ảnh phù hợp

 Duy trì điều kiện biên

nguồn 2 (đt ảnh) ĐKB

nguồn 1 nguồn 1

nguồn 2

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

10
 a) Bài toán phân cách phẳng điện môi – vật dẫn

 Bài toán: Điện tích q gần mặt dẫn rộng vô hạn nối đất.

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

a) Bài toán phân cách phẳng điện môi – vật dẫn

Thay thế môi trường dẫn bằng điện môi & duy trì ĐKB

rq M
rq '

q q'
q'=  q
φ(M)= + =0
4πεrq 4πεrq'
d'=d
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

11
 a) Bài toán phân cách phẳng điện môi – vật dẫn

Mô hình tương đương tính trường trong điện môi

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

a) Bài toán phân cách phẳng điện môi – vật dẫn

Bức tranh trường

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

12
 b) Bài toán phân cách cầu điện môi – vật dẫn

Điện tích Q đặt gần quả cầu dẫn (bkính a) nối đất

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

b) Bài toán phân cách cầu điện môi – vật dẫn

Thay thế môi trường dẫn bằng điện môi & duy trì ĐKB
Q -Q'
φ(P3 )=0  + =0
4πεr1 4πεr2

Q r1 d 2 +a 2  2dacosθ
= = 2 2 θ
Q' r2 b +a  2bacosθ

d 2 +a 2 b 2 +a 2
 =
da ba

b=a 2 / d
Q'=Qa/d

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

13
 b) Bài toán phân cách cầu điện môi – vật dẫn

Bức tranh trường

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

c) Bài toán phân cách phẳng điện môi – điện môi

Bài toán: Điện tích q đặt gần mặt phân cách phẳng giữa
2 điện môi

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

14
 c) Bài toán phân cách phẳng điện môi – điện môi

Tính trường trong môi trường 1: thay thế toàn bộ bằng

môi trường 1

q q
D1n =  2
sinα+ 1 2 sinα
4πr 4πr
q q1
E1t =  2
cosα  cosα
4πε1r 4πε1r 2

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

c) Bài toán phân cách phẳng điện môi – điện môi

Tính trường trong môi trường 2: thay thế toàn bộ bằng

môi trường 2

q2
D 2n =  sinα
4πr 2
q2
E 2t =  cosα
4πε 2 r 2

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

15
 c) Bài toán phân cách phẳng điện môi – điện môi

Duy trì điều kiện biên:

q+q1  q 2
D1n =D 2n q1  11 22 q
q q1 q 2
E 2t  E 2t  =
ε1 ε1 ε 2 q 2  122 2 q
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

c) Bài toán phân cách phẳng điện môi – điện môi

Bức tranh trường:

EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems 
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT

16