u DHQG TpHCM-DHBK Khoa Dign-DT-B6 mén Dign Ti : Q 4 ‘De thi ric nghiém Mén VATLY BANDAN-HKI72. EE 0 [3 ‘Neay thi: 08/06/2018 - Thai gian lam bai: 80 phist. Sinh vién khéng duge sir dung tai ligu va bit bude phai np lai dé sau khi Ho va tén SV: Mssv: Ma-s6 mén thi: EE1013 Ma sé dé thi: 0001 Cake hing 86 doe sit dung trong cde edu hoi q=1.6x 10" C (dign tich dign tit) 11.9 x 8.85 x 10" F/em (hing sé dign mdi ban dan Si) & Vy = kT/q = 0.026 V 6 T=300°K «DS a viét tit cia “ap 56”. Chi ¥: © Dé thi c6 50 cau. (Tra lai 1 cfu: ding due 0.2 d, sai bitri0.1 d, va khéng tra loi: 0 d) Néu khdng c6 ghi nhigt dé dang xét thi T= 300°K. ‘Transistor (BJT hoe MOSFET) néu khéng cho V, thi hiéu V4~= = V (hay 4=0) Véi BIT 6 tich cye thug ta 66 Va,(NPN) = Ves(PNP) = 0.7V (Si) va ta sé tinh gan ding Jc = Je BIT 6 mién bao hda:Vat-sa NPN)=ViivaPNP)=O.8V va Vci:sa(NPN)=V i :sadPNP) =0.2V. 1. Bude thir ba trong 4 bude chinh ciia cng nghé planar li a)quang khic —_b) kim loai héa ‘dy ion hodc khuéch tind) oxyhéa——_e) Luyn kim 2. Chuyén tiép bude p’n 6 diéu kign can Bang co . a)We>> Wx @)We< Wye) c 4 BS trén ddu sai Khi phan cye thudn, dign dung chuyén tiép PN xem nh do dign dung i Gum tin b)mign nghéo) tich dy 18d) Zener ek 4 DS tren du sai Xét mét chuyén tiép PN (Si) durge phan cyc thun bang nguén dong hing, khi nhigt 46 tang thi sut dp thudn trén chuyén tiép PN a) khdng déi b) ting c) Bing it iam ¢) ca 4 DS trén déu sai 5. Dong dign nguge ciia chuyén tiép pn sé hi 6 tang, i" a) khéng 461 @eing ) tang it d) gia €) ca 4 DS trén déu sai 6. Khi ké dén Rs, dic uyén thuan cia chuyén tfép PN sé so véi chuyén tiép PN ly tuéng a) dich lén b)dich xuéng _ c) dich sang trai @dich sang phai_e) ca 4 DS trén déu sai 7. Xét dac tuyén that cia chuyén tiép PN, dong dién thing thé @ phan cye thuan quanh Vow. a) dich @udi hop ©) khugch tan d) rd e) ca 4 DS trén déu sai ‘& Chuyén tiép PN - Thing tin cho 10 clu tiép theo (dugc ding dé dénh gid ABET): Xét chuyén tiép pm (ding Si) khi chura c6 phan cue ¢8 céc ndng dé tap chit Na= 3x10"° em” vi Np = 5x10" em’. Biét ban dn Si c6 ni = 1x 10" cm”, chuyén tiép pn nay c6. 8. Ti sé cia We/Wy li a) 3/5 5/3, 3 as €) ca 4 DS trén déu sai 9. Dign dp ngi tgi Vola : a) 0.768 V b) 0.775 V c) 0.782 V @o.789v e) ca 4 DS trén déu sai 10, Be rong mién nghéo W a)3.31x10 cm —b) 2.68x10em @)2.35x10%em d)2-41x10em —e) ca 4 DS tren dau sai UL, Trong_mién nghéo, 46 Ion cia dign trubng ewe dai En 1B a) 4.92x10" Viem b)5.47x10* V/cm —_c) 6.12x10* Vien @)¥.71x10" V/cm _e) ca 4 BS trén déu sai 12, Néu phn cyc nguge voi Vg = 4.36 V.thi bé rong mién nghéo W mdi la a) 4x 10°om b)S xto%em 6 L10%m — dy 7x 10cm ) € 4 DS tren du sai 13. Neu phan cye nguge voi Vp = 4.36 V thi chuyén tiép pn nay c6 dign dung mién nghéo Cyep (F/cm?) a) 1.82x 10 COPI7Sx10% —c) 1.63x 10% dy 148 x 10* ©) ca 4 DS tren déu sai 14. Xét phan cye thugn sao cho déng thugn Ip = 5 mA, néu thai gian di qua chuyén tiép pn nay ty = 14 ns, Khi 6 né e6 dign dung khuéch tan Co la, a) 2.13 nF 6) 2.35 nF @ 209 nF 4) 2.92 nF €) ca 4 DS trén déu sai 18. Néu phan cyc thugn sao cho ding thudn Ip = 5 mA, thi chuyén tigp pn nay cé dign tres AC (#4) la a)282 b)3.72 ) 452 y2a €) c4 4 DS trén déu sai Bé thi VLBD-172_Dé | ~ Trang 1/416, Cho mgch & hinh 1 véi V; = 5.7 V va V2" 4.7 V, hay diing m6 hinh diode syt 4p hing (Von = 0.7 V) dé xde dinh Zr va Ve trong mach 7 a) [y= SmA va Vy=7V b) f= SmAvaFy=47V y= 4mAva le =5.7V Ie ©) cd 4 DS trén déu sai 17. Cho mach bn 4p 6 hin 2 véi Vs= 8 V, R= 100 @ va Zener €6 Vz~ 5 Vs lomn™ 5 mA V8 Lemar 20 mA. Bé cho mach vn con én dp thi dign tré tai Ry, phai thue dai gid tri (xap xi): a) 1202 > Vis. Khi 46 N-EMOS c6 ign tré ra r, la a) 175 kQ 150 kQ ¢) 125 kQ d) 100 kS ¢) 4 DS trén déu sai 50. Hinh 11 1a mach glrdng dong dign véi MI va M2 c6 cdc tham s8: 2(H4Cox)wt = 3(HaCexv2 + Viwaar=Vrnaeds Asa=Aya@0. Mudn 06 fz ché tao (W/L)ya2/(W/L)wu bing ays b)2.5, 3.5 os ¢) 4 DS trén déu sai e)4 DS trén déu sai 1k, Khi 46 66 Zp va Pos 18 : ‘wo Voo te In Rp |. mt M2 Hink 1 OM OT GV rad eects 18 any Quang Vink H6 Trung My Dé thi VLBD-172_Bé | — Trang 4/4DHQG TpHCM-DHBK . Khoa Dign-DT-B6 mén Dign Ti Hf sett Dé thi trie nghiém Mon VAT LY BAN DAN - HK172 ‘Negay thi: 08/06/2018 - This gian 1am bai: 80 phi. -vién khéng dugc sir dung tai ligu va bat budc phai ndp lai dé sau khi thi. Ho va tén SV: Mssy: | Ma sé mon thi: EE1013 Ma s6 dé thi: 0002 Cie hing 56 duege sit dung trong cde cdi hoi By hig: q= 1.6.x 10" C (dign tich dign tit) * N-EMOS: MOSFET logi gidu kénh N &= 11.9 x 8.85 x 10 F/em (hing sé dign m6i bén din Si) | © P-EMOS : MOSFET loai gidu kénh P Vy ="kT¥q = 0.026 Vs T=300°K «DS la vide tit cia “dap 86". Chay: © Dé thi c6 50 cau. (Tra lai 1 cu: diing duge 0.2 d, sai bj trix 0.1 d, va kh6ng tra Idi: 0 4) ‘Néu khéng 6 ghi nhiét d dang xét thi T= 300 K. ‘Transistor (BJT hoge MOSFET) néu khong cho V thi hiéu V4= 0 V (hay 4 = 0) Véi BUT 6 tich eye thudn ta 66 Vax(NPN) = VisAPNP) = 0.7V (Si) va ta s@ tinh gan diing f= Ie. BIT 6 mign bao hia: Vat suNPN)=Vi uel PNP)=O.8V v8 VeisedNPN)=Vir:sadPNP) =0.2V. 1. Bude thir wr trong 4 bude chinh cia céng nghé planar 1a a)quang khéc kim logihéa_¢).cay ion hoe khuéch tind) oxy hoa) Iuyn kim 2. Khi phin cue thuan, dign dung chuyén tigp PN xem nh do dign dung e a) khuéch ta bymiénngheo ©) tich hiy 18d) Zener €) ca 4 DS trén du sai 3. Chuyén tiép bude p'n ¢ diéu kign cén bang c6 a)We>> Wu b)We< Wx e) ca 4 DS tren du sai 4. Xét mét chuyén tiép PN (Si) durge phan eye thudn bing nguén ding hing, khi nhigt d6 tang thi sut ép thugn trén chuyén tiép PN a) khong 464 b).tang, cc) tang it d) giam ¢) cd 4 DS trén déu sai 5. Khiké dén Rs, dc tuyén thudn ca chuyén tiép PN sé so vi chuyén tiép PN ly tong a) dich lén by dich xuéng _¢) dich sang tréi d) dich sang phai_e) ca 4 DS tren du sai 6. Xét dc tuyén tht cia chuyén tigp PN, dng dién théing thé 6 phn cyc thudn quanh Von. a)dich b)tdihgp sc) khuéch tin ard ¢) ca 4 DS trén déu sai 7, Dang dign nguge ciia chuyén tiép pn sé. hi nhiét 46 tang. b) tang c) ting d) giam ¢) ca 4 DS trén déu sai “ Chuyén tiép PN - Thong tin cho 10 cit tép theo (dheye diing dé dénh gid ABET): Xét ghuyén tép pn (ding chua 06 phén eye 06 cdc néng 46 tap chat Na= 6x10" cm °. Biét ban din Si c6 ni = 1 x 10'° cm”, chuyén tiép pn nay 06 8. Ti sd ctia Wo/Wy ld a) khong, em’ va Np = 3x10'° a)6 b)3 2 a2 €) ¢4 4 DS trén du sai 9, Bin dp ndi tai Vis lb 2)0.782 V b)0.794V ——-c) 0.782.V 4)0.78V ©) c4 4 DS trén déu sai 10. Bé rng mién nghéo W a)3.31x107cem —b) 2.68x10cm c) 2.45x10%em d)2.29x10“em _e) ca 4 DS trén dau sai 11, Trong mién nghéo, dé lin cia dign trutmg exc dai Em bi 2) 6.52x10 V/em 6) 6.71x10" Vem) 6.93x10" V/cm 4) 7.14x10" Vem) ca 4 BS trén déu sai 12. Néu phn cue ngurge véi Va.= 3 V thi bé rng mién nghéo W mdi la a)4x 10%cm b)S x10%em —c) 6 x10%em —d) 7x 10%em €) 84 BS trén déu sai . Néu phan cue nguge véi Va = 3 V thi chuyén tiép pn ndy od dign dung mién nghdo Cap (Fem) a) 1.82 x 10% B)LISK1O® —c) 2.10 10 4) 2.42 x 10% ©) ca 4 DS trén déu sai 14. Xét phn cue thug sao cho déng thuéin lp = 4 mA, néu thai gian di qua chuyén tiép pn nay r= 15 ns, khi 46 n6 c6 dign dung khuéch tan Cp 1a a)2.93 nF b)2.73 nF ©) 2.52nF 4)231 nF €) c8 4 DS trén déu sai 15, Néu phan cye thuéin sao cho dang thuén In = 4 mA, thi chuyén tiép pn nay c6 dign tré AC (r,) 1A a) 8.22. b)732 c) 652 45.20 e) ca 4 DS trén déu sai ‘Bé thi VLBD-172_Dé 2 - Trang 1/4‘BO, Cho macn o hin f vor Fy xe dinh Jj-va Victrong mach mA va Fy =7V b)fy=S.5mAva y= c) ly= 5.5 mAva¥y=1L7V ly e)ca.4 DS wen déu sai 17, Cho mgch 6n &p & hinh 2 véi Vs= 8 V, R= 100 Q va Zener 6 Vs ea Se Sa Ree ee ee Le ae Vi Lenin = 7 MA Va Lema ™ 20 MA. ‘BE cho mach van con én dp thi dign tro tai R, phai thuge dai gid tri (xdp xi a) 125 2 18 MA va Vigo = 2 V khi Vq = 6V. Bé LED sing véi BIT 6 ché d6 bao hda thi gid tri cla Ry a) <25KQ. b) <28KQ ©) <31KQ 4)<34KQ e) 4 DS trén déu sai 38, Mach guong dong dign 6 hinh 8 véi Ve = 4 V, Viz:=2 V va cée BIT 06 cing Vary =0.7V, a=, B= 100. Gia st ca 2 BUT c6 cing dic tinh. Mach c6 /a= 2.5 mA thi phai ding tai Ry (Rz 2 0) c6 gid trj 1A a)R<1732 —b) R<195BQ—c) R,<2163Q_—d) R,<2366Q 6) 4 DS trén de sai ién bling 4p, khi ting Vas thi Ro 39. Xét N-EMOS dang hoat dng nhu dign tré (Ron) duge digu i €) ca 4 DS tren déu sai a) khong xéc dinh—b)khOng déi_—_c) tang a 40. Muon cho ty MOS cia N-EMOS 6 ché 4 tich lily 1, nguai ta phan eye a) Vos < Vew b)Vas< Vimy ¢) Kus > Vin 4) View < Vis < Vow ¢)4 DS trén déu sai 41. XétN-EMOS 6 mién (hode ché d6) bao hoa, néu ting Vos thi dong Ip sé tang do higu img a) diéu ché mién nén b) diéu ché kénh din) digu ché mién méng d) d4nh thing e) cd 4 DS trén déu sai 42, Xét N-EMOS 6 mign (hoc ché 46) bao hia, néu nhigt d6 gidm thi dong /y 4) gidm phén ira. b) gidm ©) ting ) ting gp a €)4 DS trén déu sai MOSFET (8 ciiu ké duege ding dé déinh gid ABET) 43. N-EMOS ¢6 Vry = 1V, ngudi ta do duge céc dign thé tai G, S va D so véi dat la: ¥=2V, Ve=-1V. va Vp=0.5V trong mach'thi MOSFET host d6ng ¢ mien . a) tit b) triode ¢)baohea =) anh thing €) 4 DS trén déu sai é thi VLBD-172_Dé 2 - Trang 3/4