Zespół Szkół Elektroniczny Pracownia elektroniki i elektrotechniki

im. Bohaterów
Westerplatte w Radomiu

Imię i nazwisko: Klasa: Grupa Zespół

Antoni Ciupiński 2A GR1 1

Ćwiczenie: Data wykonania: Data oddania: Ocena:

Badanie tranzystorów 10.03.2024 17.03.2024
bipolarnych

Wykaz przyrządów:
-Zasilacz stabilizowany DF1730SB5A x2 (nr inw. 004283 i 004286),
-Miernik analogowy UM-112B x2 (nr inw. 211132 i 0428394),
-Multimetr cyfrowy M-3800 x2 (nr inw. 000391 i 000330),
-Dekada rezystancji BXR-07 x2 (nr inw. 003706 i 005899),
-Rezystor 2,2kΩ i 680Ω,
-Tranzystor OE.

1.Badanie tranzystora bipolarnego pnp w układzie OE.

a)Schemat układu pomiarowego:
b)Tabela pomiarowa:

c)Charakterystyki:

Charakterystyki Wejściowe

IB=f(UBE)
70

60

50

40
IB[μA]

30

20

10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

UBE[V]
 Charakterystyki Zwrotne

UBE=f(UCE)
0.8

0.7

0.6

0.5
UBE[V]

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 2 4 6 8 10
UCE[V]

Charakterystyki Przejściowe

12 IC=f(IB)

10

8
IC[mA]

0
10 20 30 40 50 60 70
IB[μA]

Charakterystyki Wyjściowe
 12 IC=f(UCE)

10

P
8
O G
IC[mA]

6 F

4
B
C
2

0
0 2 4 6 8 10
UCE[V]

d)Wzory i obliczenia:

Dla UCE=1V:
0,675 V −0,612 V
h11 E = =1260 Ω
( 65∗10−6−15∗10−6 ) A
Dla IB=35μA:
0,641V −0,646 V
h12 E = =−0,00052
10 V −0 , 4 V

Dla UCE=1V:
( 10 ,5∗10−3−2∗10−3 ) A
h21 E= =170
( 65∗10−6−15∗10−6 ) A

Dla IB=35μA:
 ( 5 ,5∗10−3−5 , 4∗10−3 ) A
h22 E= =0,0104 mS
10V −0 , 4 V

βdc dla punktu pracy F:

−3
7∗10 A
βdc= 45∗10−6 A =155 , 56

βdc dla punktu pracy G:

−3
6 , 9∗10 A
βdc= 45∗10−6 A =153 ,33

βac między punktami B i C:

−3
(3 , 9∗10 ¿ ¿−3−2, 05 ¿ 10 ) A
βac= (65∗10−6−55 ¿ 10−6) A =185 ¿

βac między punktami O i P:

−3
(8 , 4∗10 ¿ ¿−3−6 ,8 ¿ 10 ) A
βac= (65∗10−6−55 ¿ 10−6 ) A =160 ¿

Wnioski:
βdc nie znacznie się różnią w zależności od punktu pracy tranzystora.
βac jest większy dla punktów pracy B i C, które znajdują się bliżej
obszaru zatkania tranzystora. βac odczytane z wykresu są bliskie
parametrowi h21E.