BÀI THÍ NGHIỆM 4

KHẢO SÁT BJT

MỤC TIÊU:
⮚ Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.

⮚ Nắm được đặc tính các linh kiện BJT loại npn, pnp

⮚ Khảo sát mạch khuếch đại, mạch đóng/ngắt dùng BJT

CHUẨN BỊ:

⮚ Chuẩn bị bài prelab

⮚ Xem lại cách sử dụng các công cụ đo VOM, DVM và Oscilloscope (dao động ký - dđk)

Department of Electronics Page | 1

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Department of Electronics Page | 2

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 1

Mục tiêu

 Đo và kiểm tra BJT.

Yêu cầu

 Dùng VOM đo và kiểm tra BJT ở module 1 và 2, phần BJT

 Kiểm tra Đưa VOM về chế độ đo diode. Đo điện áp giữa các chân của BJT trong khối I và II
và ghi nhận vào bảng sau

Transistor Q1

Điểm đo P1-P2 P2-P1 P1-P3 P3-P1 P2-P3 P3-P1

Giá trị 0.668 0 0.671 0 0 0

Transistor Q2:

Điểm đo P1-P2 P2-P1 P1-P3 P3-P1 P2-P3 P3-P2

Giá trị 0.662 0 0 0 0 0.672

Xác định xem transistor loại gì và các chân P1-P2-P3 là chân gì, BJT còn tốt hay không. Giải
thích.

Department of Electronics Page | 3

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

P1 P2 P3 Loại BJT Chất lượng

Q1 Base N-P-N Tốt

Q2 Base P-N-P Tốt

-Khi kiểm tra Q1 thì khi để dây đỏ đặt ở P1, dây đen đặt ở P2 và P3 tức 2 cặp là P1-P2 và P1-P3 ta
đều đo được 2 giá trị dương khoảng 0,6 điều này chứng tỏ P1 là cực Base cực C, E là 2 chân còn lại,
đồng thời dây đỏ của loại NPN được đặt vào Base do đó ta xác định Q1 thuộc loại NPN

-Tương tự như Q1, nhưng Q2 có khác biệt đó là khi đặt dây đen vào P2, dây đỏ vào P1 và P3 thì đc 2
cặp P1-P2 và P3-P2 đều có giá trị dương ~0.6 điều này chứng tỏ P2 là Base và dây đen đặt ở Base
thuộc loại PNP, xác định đc Q2 thuộc loại PNP

Department of Electronics Page | 4

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

 Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT npn

Chuẩn bị

 Đọc xem điện trở R1 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM.

R1=1000 Ω (giá trị đọc)

R1= 991 Ω (giá trị đo)

 Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 2. Một VOM đo dòng điện Ib ở tầm uA,
một VOM đo dòng Ic ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce.

 Vặn biến trở VR3 về mức nhỏ nhất.

Hình 1: Sơ đồ phần III

Department of Electronics Page | 5

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Hình 2: Layout thực tế trên module thí nghiệm

Tiến hành

 Bật nguồn. Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện Ib, quan sát giá trị Ic và Vce và điền vào
bảng:

Ib 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

Ic 3.28 4.8 6.3 7.83 8.96 9.08 9.11 9.115 9.12

mA

Vce 6 4.48 2.97 1.44 0.315 0.2 0.1724 0.1575 0.1465

 Với Ib trong khoảng nào thì transistor dẫn khuếch đại? Khi đó hfe là bao nhiêu?

10uA-> 25uA

1 Ic
hfe= × ∑ = 272
9 Ib

Department of Electronics Page | 6

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

 Khi dùng transistor làm nhiệm vụ đóng/ngắt, ta đưa transistor vào chế độ nào? Vì sao?

Chúng ta vận hành Transistor BJT trong chế độ bão hoà để nó làm nhiệm vụ đóng mạch

Và vận hành trong chế độ cắt để làm nhiệm vụ ngắt mạch

Do ở chế độ cắt, cả hai lớp tiếp giáp của transistor BJT (cực phát với cực gốc và cực góp với
cực gốc) đều được phân cực nghịch. Nói cách khác, nếu chúng ta giả sử hai lớp tiếp giáp p-n
là hai diode tiếp giáp p-n, thì cả hai diode đều được phân cực nghịch ở chế độ cắt. Chúng ta
biết rằng trong điều kiện phân cực nghịch, không có dòng điện nào chạy qua thiết bị. Do đó,
không có dòng điện nào chạy qua transistor. Do đó, transistor lưỡng cực ở trạng thái tắt và
làm việc giống như một công tắc mở.

Ở chế độ bão hòa, cả hai lớp tiếp giáp của transistor BJT (cực phát với cực gốc và cực góp với cực gốc)
đều được phân cực thuận. Nói cách khác, nếu chúng ta giả sử hai lớp tiếp giáp p-n là hai diode tiếp giáp p-
n, thì cả hai diode đều được phân cực thuận ở chế độ bão hòa. Chúng ta biết rằng trong điều kiện phân cực
thuận, dòng điện chạy qua thiết bị. Do đó, dòng điện chạy qua transistor lưỡng cực.

Department of Electronics Page | 7

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

 Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT pnp

Chuẩn bị

 Đọc xem điện trở R6 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM..

 Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 4. Một VOM đo dòng điện Ib ở tầm uA,
một VOM đo dòng Ic ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce.

Hình 3: Sơ đồ khối BJT pnp

Department of Electronics Page | 8

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Hình 4: Sơ đồ kết nối trên module thí nghiệm phần BJT pnp

 Vặn biến trở VR3 về mức lớn nhất.

Tiến hành

 Bật nguồn. Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện Ib, quan sát giá trị Ic và Vce và điền vào
bảng:

Ib 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

Ic 2.33 3.33 4.37 5.29 6.14 6.99 7.71 8.9 8.98

mA

Vce 7.23 6.2 5.126 4.197 3.35 2.509 1.788 1.103 0.537

 Với Ib trong khoảng nào thì transistor dẫn khuếch đại? Khi đó hfe là bao nhiêu?

10uA->45uA

Department of Electronics Page | 9

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

 Nếu thay vì đặt tải (điện trở+led) ở cực C, ta đặt ờ cực E như hình sau. Khi đó BJT có bão
hòa được không? Vì sao? (Câu hỏi này trả lời khi nộp báo cáo, không cần trả lời lúc tiến
hành thí nghiệm.

Phần trả lời:

BJT sẽ không hoặc rất khó bão hoà vì theo sơ đồ nối như trên. Vì để transitor
PNP có bão hoà thì điện áp tại cục B phải đủ thấp hơn cực E, theo sơ đồ như
hình ta có điện áp tại B tương đương hoặc lớn hơn điện áp t ại c ực C, mà đi ện áp
chênh lệch giữa cực E và cực C lại thấp hơn điện áp chênh l ệch gi ữa c ực B và E
trong chế độ bão hoà.

Department of Electronics Page | 10

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

 Khảo sát đặc tuyến vào của BJT npn.

Chuẩn bị

 Chỉnh nguồn biến đổi 0-5V về nhỏ nhất (0V).

 Chuyển board BJT part 2

 Chỉnh biến trở VR2 về vị trí nhỏ nhất.

 Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-5V vào hai cực C-E
của Q2. Các VOM kết nối như hình vẽ.

Hình 5: Kết nối mạch đo đặc tuyến vào của BJT

Tiến hành

 Bật nguồn. Chỉnh điện áp VCE cố định là 2V, chỉnh biến trở R2 để thay đổi dòng I B và ghi vào
bảng sau. Trong quá trình thí nghiệm lưu ý giữ VCE cố định là 2V.

IB 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

VBE 0.633 0.646 0.653 0.660 0.665 0.669 0.672 0.676 0.679

 Chỉnh điện áp VCE cố định là 4V, chỉnh biến trở R2 để thay đổi dòng I B và ghi vào bảng sau.
Trong quá trình thí nghiệm lưu ý giữ VCE cố định là 4V.

Department of Electronics Page | 11

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
IB 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

VBE 0.631 0.642 0.649 0.654 0.659 0.663 0.667 0.67 0.676

 Vẽ đặc tuyến vào IB-VBE ứng với hai trường hợp VCE=2V và VCE=4V.

 Nhận xét đặc tuyến đã vẽ.

-> V-CE = 2V thì IB tăng nhanh hơn IB (Vce= 4V) ở khoảng V-BE từ 0-> 0.6 V

Department of Electronics Page | 12

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 5

Mục tiêu

 Khảo sát đặc tuyến ngõ ra của BJT npn.

Chuẩn bị

 Chỉnh nguồn biến đổi 0-20V về nhỏ nhất (0V).

 Chỉnh biến trở VR2 về vị trí nhỏ nhất.

 Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-20V vào mạch. Các
VOM kết nối như hình vẽ.

Tiến hành

 Bật nguồn. Chỉnh dòng điện IB cố định là 20uA, thay đổi Vin để có được các giá trị VCE theo
bảng sau. Điền các giá trị tương ứng của dòng IC.

VCE 0.15V 0.2044 0.3055 0.518 0.671 1.03V 1.48V 2.05V 2.511
V V V V V

Ic 1.92 5.49 5.92 6.08 6.13 6.17 6.2 6.23 6.26

mA

 Lặp lại thí nghiệm với IB= 25uA.

VCE 0.1V 0.2014 0.296 0.525 0.668 0.998 1.54V 1.987 2.538
V V V V V V V

Department of Electronics Page | 13

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
Ic 2.34 6.72 7.34 7.61 7.67 7.73 7.79 7.82 7.87

mA

 Lặp lại thí nghiệm với IB=30uA

VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

Ic 2.67 7.9 9.14 10.05 10.32 10.42 10.5 10.6 10.69

 Vẽ đặc tuyến ngõ ra IC-VCE ứng với 3 trường hợp

Ic mA IB= 20 uA
IB= 25 uA Ic mA
9 7
8
6
7
5
6
5 4
4 3
3 2
2 Vce (V) Vce (V)
1
1
0
0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

Ic mA IB= 30 uA
12

10

4
Vce (V)
2

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

Department of Electronics Page | 14

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
Nhận xét tương quan giữa 3 đặc tuyến. Ước tính điện áp Early.Ba đặc tuyến: Ic (Ib= 30uA ) > Ic
(Ib=25uA) > Ic (Ib=20uA)

Dựa vào đồ thị V-CE ∈ [ 0 ; 0 , 3 ] là miền bão hòa , chọn đường Ib = 20 μ A lấy gần đúng
d I C 6.08 −5 , 92 I CQ
= = =0 , 8
d V CE 0,2 VA

Department of Electronics Page | 15

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
THÍ NGHIỆM 6 ( tạm thời không làm )
Mục tiêu

 Khảo sát mạch khuếch đại ghép E chung.

Chuẩn bị

 Đọc và dùng VOM xác định lại giá trị các điện trở

Điện trở R9 R10 R11 R12 R13

Giá trị (kΩ) 9.77 9.91 9.94 9.91 9.89

 Kết nối mạch như Hình 7. Nguồn cấp Vin là 12V

 Chỉnh nguồn tín hiệu Vs có biên độ 1V, tần số 1Khz. Sau đó giảm biên độ Vs về 0V.

 Dùng 1 VOM đo điện áp giữa cực C và E của Q3.

 Dùng kênh 1 dao động ký đo dạng sóng Vs, kênh 2 đo dạng sóng tại cực C của Q3.

Hình 6: Sơ đồ mạch khuếch đại E chung

Department of Electronics Page | 16

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT

Hình 7: Sơ đồ kết nối mạch khuếch đại E chung

Tiến hành

 Bật nguồn. Chỉnh biến trở VR8 để VCE = 6V.

 Tăng dần biên độ Vs. Xác định biên độ tối đa của Vs để ngõ ra không bị méo dạng (max
swing). Nếu dạng sóng ngõ ra bị méo dạng ở 1 đầu hình sine, chỉnh biến trở R8 để thay đổi
phân cực sao cho đạt max swing. Vẽ dạng sóng vs và vce trên cùng hệ tọa độ.

Department of Electronics Page | 17

Semiconductor Physic Laboratory
 BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
Xác định độ lợi của mạch khuếch đại ở max-swing. Kiểm chứng lại so với lý thuyết.

 Tắt nguồn, đo giá trị VR8 tại max swing và kiểm chứng lại so với lý thuyết

 Kết nối tải R13 vào mạch. Chuyển kênh 2 của dao động ký sang đo dạng sóng ngõ ra trên
R3. Nhận xét.

 Chỉnh lại Vs sao cho đạt max swing trong trường hợp có tải R13. Xác định độ lợi và Vs tại
Max Swing. Kiểm chứng lại so với lý thuyết

Department of Electronics Page | 18

Semiconductor Physic Laboratory