Engineering Materials (2023)

ผูชวยศาสตราจารย ดร. วรดา หลอยืนยง

ใชประกอบการเรียนการสอนในรายวิชาวัสดุวิศวกรรม มหาวิทยาลัยศิลปากรเทานั้น
Course Description
620101 Engineering Materials

การศึกษาความสัมพันธระหวางโครงสราง สมบัติ กระบวนการผลิต และ

การประยุกตใช งานของวัสดุวิศวกรรมหลัก โลหะ พอลิเมอร เซรามิกส
และวั ส ดุเ สริม องค ประกอบ แผนภูมิ วัฏภาคและการแปลความหมาย
ของวัฏภาคตางๆ สมบัติเชิงกล และการเสื่อมสภาพของวัสดุ

Study of the relationship between structures, properties, production processes

and applications of the main groups of engineering materials: metals,
polymers, ceramics and composites. Phase equilibrium diagrams and their
interpretation. Mechanical properties and materials degradation.

2
 Midterm Final
อาจารยผูสอน ผศ. ดร. วรดา หลอยืนยง (20%) ผศ. ดร. นิติ ยงวณิชย (20%)
(ผูประสานงาน) ผศ. ดร. นฤทธิ์ ตรีอํานรรค (20%)
ผศ. ดร. ภัทร สุขแสน (20%) และ อาจารย ดร. ณัฐนนท พลชัย (20%)

Materials Science and Engineering : An Introduction by

W.D. Callister, Jr. (ฉบับแปล: วัสดุศาสตร์และวิศวกรรมวัสดุพื้นฐาน)
หนังสืออางอิง

Materials Science and Engineering by W.F. Smith (ฉบับแปล:

วัสดุวิศวกรรม)
Materials Science and Engineering by W.F. Smith and Javad
Hashemi (ฉบับแปล: วัสดุวิศวกรรม)
Science and Engineering of Materials by D.R. Askeland and
P.P. Phule (ฉบับแปล:วัสดุวิศวกรรม)
3
4
5
 วัสดุ
ไมบรรทัด กรรไกร

วัสดุ 1 ชนิด เชน ไม วัสดุ 2 ชนิด ไดแก โลหะ

โลหะ หรือพลาสติก และพลาสติก
6
วิวัฒนาการของวัสดุ

Aluminum Glass Plastic

7
ความเสียหายของวัสดุ
FB: Metallurgical
Failure Analysis

8
วัสดุที่ยั่งยืน (Sustainable Materials)

9
 ชนิดของวัสดุ - วัสดุพื้นฐาน
Metals Ceramics & Glasses Polymers

เป น สารประกอบโลหะและ
เ ป น ธ า ตุ เ ดี ย ว ห รื อ
อโลหะ สมบัติคือมีความแข็ง ส า ร ป ร ะ ก อ บ อิ น ท รี ย มี
สารประกอบที่ เปน ธาตุโลหะ
สู ง เปราะ เป น ฉนวนไฟฟ า องคประกอบ C, H, และธาตุ
มีสมบัติคือนําไฟฟาและความ
ทนทานต อ การกัด กร อ นและ อโลหะ ส ว นใหญ ป ระกอบด ว ย
รอนได ดี ผิวเปน มัน วาว ทึ บ
อุณหภูมิสูง โมเลกุลที่ตอกันเปนโซยาว สมบัติ
แสงและเปลี่ยนรูปไดงาย
คือมีความหนาแน นต่ํา มีสมบัติที่
10 หลากหลายและมีความยืดหยุนสูง
 ชนิดของวัสดุ - วัสดุขั้นสูง
Composites ประกอบดวยวัสดุมากกวาสองประเภท

Metal Ceramic
Carbon-fiber bike Fiberglass
surfboards
Composite

Polymer

Polymer-based composite

11
ชนิดของวัสดุ - วัสดุขั้นสูง
Biomaterials Semiconductors
วัสดุทางการแพทย มีสมบัติทางไฟฟาอยูระหวางตัวนําและฉนวน
สามารถควบคุมสมบัติการนําไฟฟาได

Hip replacement

Solar cells
Integrated circuits

Dental biomaterials LASERs LEDs

12
ชนิดของวัสดุ - วัสดุขั้นสูง
Nanomaterials

Thermochromic Smart Windows

https://chembam.files.wordpress.com/2017/01/nanoscale.png
TiO2
13 Prakash, Jai & Cho, Junghyun & Mishra, Yogendra.
(2021). Micro and Nano Engineering. 14. 100100.
จตุรมุขของวิทยาการและวิศวกรรมวัสดุ
(Tetrahedron of Materials Science and Engineering)

PERFORMANCE
สมรรถนะ
สมรรถนะ

PROCESSING
PROPERTIES กระบวนการผลิต
สมบัติ กระบวนการผลิ
composition,
ต
crystal growth,
สมบั ติ
electronic
mechanical
composition,
thermal
crystal growth,
treatment, etc.
electronic
optical, etc. thermal
mechanical
optical, etc. โครงสร้ าง
STRUCTURE treatment, etc.
โครงสร้ าง
micro-, nano-,
molecular, crystal
micro-, nano-,
molecular, crystal

14
วิทยาการและวิศวกรรมวัสดุ
วิทยาการวัสดุ (materials science)
คือศาสตรที่ศึกษาถึงความสัมพันธระหวางองคประกอบ
พื้นฐานของวัสดุและสมบัติของวัสดุ
STRUCTURE PROPERTIES
วิศวกรรมวัสดุ (materials engineering)
คือศาสตรที่ศึกษาและพัฒนาคุณลักษณะตางๆ ของ
วัสดุเพื่อนําไปใชงานไดอยางเหมาะสมและกอใหเกิด
ผลิตภัณฑที่มีสมรรถนะอยางสูงสุดยิ่งขึ้น
PROCESSING PERFORMANCE

การศึกษาและเขาใจสาขาวิชานี้จึงมีความจําเปน เพื่อจะไดเลือกใชวัสดุใหเหมาะสมและ
สามารถวิเคราะหไดวามีความผิดปกติเพราะเหตุใด
15
 พันธะทางเคมี (Electronic & Atomic Structure)
 พันธะ หรือ Bonds เปรียบเสมือนกาวที่ยึดของแข็งไว้ด้วยกัน

 พันธะทางเคมีสามารถแบ่งออกได้เป็น 2 ประเภทตามความแข็งแรง
 พันธะปฐมภูมิ (primary bonds) คือพันธะที่สัมพันธ์กับการถ่ายโอนอิเล็กตรอนหรือ
การใช้อิเล็กตรอนร่วม ได้แก่ พันธะไอออนิก พันธะโคเวเลนต์และพันธะโลหะ
 พันธะทุติยภูมิ (secondary bonds) ได้แก่ พันธะไฮโดรเจนและพันธะแวนเดอร์วาล

16
 พันธะไอออนิก (Ionic Bonding)

1s22s22p63s1
Example:
Sodium (Na)
ผลึกเกลือ
Atomic number 11
11 electrons

Example:
Chlorine (Cl)
Atomic number 17
17 electrons
1s22s22p63s23p5
17 https://biologydictionary.net/ionic-bond-examples/
กระบวนการเกิดพันธะไอออนิก

 อะตอมของธาตุโลหะสูญเสียวาเลนต์อิเล็กตรอนให้แก่ธาตุอโลหะ โดยพันธะไอ
ออนิกจะเกิดขึ้นจากแรงดึงดูดระหว่างไอออนบวกและไอออนลบจากการถ่าย
โอนอิเล็กตรอนระหว่างธาตุโลหะและอโลหะ
Strong, poor electrical and
 ตัวอย่าง : NaCl, Al2O3, MgO, CaO thermal conductors

18 https://tylerandaidanscience2ndperiod.weebly.com/ionic-bonding.html
ของแข็งไอออนิกมักจะเกิดจาก
LEFT - RIGHT -
Cations Anions

19
ของแข็งไอออนิกมักจะเกิดจาก
LEFT - RIGHT -
Cations Anions

20
 พันธะโควาเลนต (Covalent Bonding)

 เกิดจากการใชอิเล็กตรอนรวมกันระหวางอะตอมที่อยูขางเคียง อะตอมสองตัวที่เกิดพันธะโควา
เลนตระหวางกันจะใชอิเล็กตรอนรวมกันอยางนอย 1 คู พันธะโควาเลนตเปนพันธะที่มีทิศทาง
 ธาตุที่เกิดพันธะโคเวเลนตไดเปนอโลหะ เพราะอโลหะมีพลังงานไอออรไนเซชั่นคอนขางสูง จึงเสีย
อิเล็กตรอนไดยาก จึงไมมีฝายใดเสียอิเล็กตรอน แตจะใชอิเล็กตรอนรวมกัน

21
Si: 1s22s22p63s23p2

Silicon wafer
© 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning™

 แทนที่ซิลิกอนจะเกิดพันธะโคเวเลนต์ 2 พันธะ อิเล็กตรอน 1 ตัวของ 3s จะถูกกระตุ้นไปอยู่ในชั้น

3p เกิดเป็นออร์บิทัลใหม่และเรียกกระบวนการนี้ว่า hybridization
 ในกระบวนการ hybridization ระดับพลังงานของทั้ง 4 ออร์บิทัลจะเท่ากัน และมีรูปร่างเดียวกัน
เรียกออร์บิทัลใหม่นี้ว่า sp3-orbital
 ออร์บิทัลทั้ง 4 จัดตัวอยู่ในรูปทรงเหลี่ยม 4 หน้า สามารถรับอิเล็กตรอนได้อีก 4 อิเล็กตรอน
22
 Directional, poor electrical
and thermal conductors

Tetrahedral

© 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning™

geometry

 Covalent bonds are directional because electrons at

one bond repel electrons at other bonds.
 In silicon, a tetrahedral structure is formed, with angles
of 109.5° required between each covalent bond

23
 Electronegativity and Polarity

24
Electrons can be shared unequally.

25
พันธะโลหะ
(Metallic Bonding)

http://www.webelem
ents.com/_media/ele
ments/crystal_struct
ure_image/Cu-sf.jpg

 พันธะโลหะคือแรงที่ยึดอะตอมโลหะไว้ในผลึก โดยวาเลนต์
อิเล็กตรอนสามารถเคลื่อนที่ได้อย่างอิสระ
 วาเลนต์อิเล็กตรอนจะทำหน้าที่ดึงดูด ion cores เข้าด้วยกัน
เวเลนตอิเล็กตรอนมาก ความแข็งแรงของพันธะ??
26
สมบัติไฟฟ้ า – good conductor
ระนาบอะตอมโลหะที่อยูอยางหนาแนนสามารถเลือ่ นไหลระหวาง
ชั้นได ทําใหวัสดุสามารถเกิดการเปลี่ยนแปลงรูปรางโดยถาวร

https://www.tec-science.com/material-science/ductility-of-
metals/fundamentals-of-deformation/

Drawing Forging

27
พันธะไฮโดรเจน (Hydrogen bond)
 เป็นแรงยึดเหนี่ยวระหว่างโมเลกุลโควาเลนต์ที่มีขั้วรุนแรง มีความแข็งแรงมากกกว่าพันธะ
แวนเดอร์วาลหรือแรงระหว่างโมเลกุลอื่นๆ
 เกิดในโมเลกุลที่มีธาตุไฮโดรเจนสร้างพันธะโควาเลนต์กับธาตุที่มีค่า EN สูง ได้แก่ ไนโตรเจน
(N) ออกซิเจน (O) และ ฟลูออรีน (F)

น้ําแข็งจะมีความหนาแนน
นอยกวาน้ํา

28 https://chemistry.stackexchange.com/questions/96452/which-has-stronger-hydrogen-bonds-water-or-ice
พันธะแวนเดอรวาล (Van der Waals Bonding)

 แรงดึงดูดแบบอ่อนๆ ที่ช่วยยึดโมเลกุลเข้าด้วยกัน มี 3 ชนิด คือ 1. แรง dipole-dipole 2.

แรง dipole-induced dipole และ 3. แรงลอนดอน
 แรงลอนดอน: เนื่องจากอะตอมจะมีการสั่นตัวอยู่ตลอดเวลา ทำให้ความไม่สม่ำเสมอหรือ
ความไม่สมมาตรของการกระจายตัวของอิเล็กตรอนสามารถเกิดขึ้นได้ในช่วงระยะเวลาสั้นๆ
เกิดเป็นขั้วไฟฟ้าสองขั้ว ซึ่งการเกิดสองขั้วไฟฟ้าในลักษณะนี้จะเหนี่ยวนำให้เกิดการบิดเบี้ยว
ของการกระจายตัวของอิเล็กตรอนในอะตอมข้างเคียง ทำให้เกิดแรงดึงดูดอย่างอ่อนๆ
ระหว่างอะตอมที่เกิด 2 ขั้วนี้
วัสดุที่มีพันธะชนิดนี้จะมีจุดหลอมเหลวและจุด
อะตอม AA
อะตอม อะตอมBB
อะตอม เหยือกแข็งที่ต่ํา อย่างไรก็ตาม การเกิดขั้วไฟฟ้า
และการยึดเหนี่ยวในลักษณะนี้ สามารถเกิดขึ้นได้
+ + ในวัสดุทุกชนิด
แรงดึงดูด ความแข็งแรงกับขนาดโมเลกุล?
แรงดึงดูดแวนเดอร์วาล
วาลเดอร์วาล
29
 กราไฟต
โคเวเลนซ์

แวนเดอร์วาล

สมบัติขึ้นอยูกับทิศทางของผลึก
30
พันธะในพอลิเมอร
Covalent bonds Hydrogen bonds

พันธะปฐมภูมิ (primary bonds) – พันธะโควาเลนต์

พันธะทุติยภูมิ (secondary bonds) – พันธะแวนเดอร์วาล พันธะไฮโดรเจน

31
ตัวอยางพลังงานพันธะของสารประกอบหรือธาตุชนิดตางๆ

https://msestudent.com/wp-content/uploads//2020/07/bond-energy_melting-point.svg

32
การจัดเรียงตัวของอะตอม (Atomic arrangement)
 Crystalline คือของแข็งที่มีการจัดเรียงตัวของอะตอม / โมเลกุลอย่าง
เป็นระเบียบในระยะไกลหรือมีอันดับพิสัยยาว (long range order)
 Amorphous (โครงสร้างอสัณฐาน) คือของแข็งที่ไม่มีลักษณะของความ
เป็นผลึกอยู่เลย หรืออีกนัยหนึ่งคือมีการจัดเรียงตัวของอะตอม / โมเลกุลอย่าง
ไม่เป็นระเบียบและไม่มีตำแหน่งที่แน่นอน

SiO2

Taisiya Skorina, Sr. Materials Chemist at 3M Corporation, MIT

33
Crystalline materials:
Regular & Repetitive packing of atoms

 Monocrystalline (โครงสร้างผลึกเดี่ยว) – คือของแข็งที่ประกอบไปด้วยผลึกเดี่ยว โดยเกิด

จากการจัดเรียงที่เป็นระเบียบไปในทิศทางเดียว
 Polycrystalline (โครงสร้างหลายผลึก) - คือของแข็งที่ประกอบไปด้วยผลึกเล็กๆ หรือเกรน
จำนวนมากที่ถูกแบ่งแยกด้วยขอบเกรนวของกลุ่มของอะตอม ไอออนหรือโมเลกุล
เกรน (Grain)

34 Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 International

https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/e/eb/Schematic_of_allotropic_forms_of_silcon_horizontal_plain.svg
เซลลแสงอาทิตยจากซิลิกอน (Si)

https://cheminerals.wordpress.com/2015/05/17/obsidian/

35
การตรวจสอบทางโลหวิทยา
(Metallographic Examination)
Grinding /
Cutting Mounting Polishing

Etching
Microscopy

36
โครงสรางจุลภาค (Microstructure)
โดยทั่วไป โครงสร้างจุลภาคของโลหะจะมีขนาดใหญ่เพียงพอที่จะตรวจสอบ
ด้วยกล้องจุลทรรศน์ ในกรณีที่รายละเอียดมีขนาดเล็กมาก อาจจำเป็นต้อง
ใช้กล้องที่มีกำลังขยายสูงกว่านั้น

Polished and etched

polycrystalline iron-
chromium alloy

37
Macrostructure (โครงสรางแมคโคร)
ลวดทองแดง แท่งทองแดง
มองเห็นไดดวยตาเปลา

38
โครงสรางผลึกของวัสดุ
 การอัดแน่นของอะตอมชนิดเดียวกันหรือที่มี
ขนาดใกล้เคียงกัน เช่น วัสดุโลหะ (Fe, Cu
เป็นต้น)
Packing of Atoms of the Same Size

 การอัดแน่นของอะตอม (ไอออน) ต่างชนิด

กันหรือที่มีขนาดแตกต่างกัน เช่น วัสดุเซรา
มิก (NaCl, ZnS เป็นต้น)
Packing of Atoms/Ions having
Different Size

39
โครงสรางผลึก
แตละอะตอมหรือไอออนมีการจัดตัวเปนแบบที่ซ้ําๆ กันเปนของแข็งที่มี
อันดับพิสัยยาว (long-range order) สามารถอธิบายใหเขาใจงายๆ โดย
ใชจุดตัดของเสนโครงขาย เรียกวาโครงผลึกหรือแลททิซ (lattice) และจะ
เรียกวาสเปซแลททิซ (space lattice) ในโครงผลึก 3 มิติ
Crystal Structure = Motif (Basis) + Lattice/space lattice

groups of atoms or ions เสนโครงขาย 2/3 มิติ โดยแตละจุดจะถูกหอม

ลอมดวยจุดอื่นๆ ในลักษณะเดียวกัน
หน่ วยเซลล ์ (unit cell)

= +
40
หนวยเซลล (unit cell)
หน่วยพื้นฐานที่ซ้ำๆ
กันของผลึก

จุดแลททิซ (lattice point)

จุดที่เป็นตัวแทนของโครงสร้างผลึก โดยอาจเป็นอะตอม โมเลกุล
ไอออน หรือกลุ่มของอะตอม โมเลกุลหรือไอออน
41
 = +

Lattice  How to repeat

Motif/Basis  What to repeat

= +

42
Packing of Atoms of the Same Size

2D-Lattice
Square array, Oblique array, Hexagonal array
y
เลขโคออร์ดเิ นชัน
(coordination
y number, CN)
x y

x x

Square Oblique Hexagonal

array array array
การจัดเรียงแบบทรง การจัดเรียงแบบทรง การจัดเรียงแบบทรงหก
สี่เหลี่ยมจตุรัส สี่เหลี่ยมรูปทรงเฉียง เหลี่ยม
เราจะจัดเรียงอะตอมอย่างไรให ้มีโครงสร ้างทีอัดแน่ นมากทีสุดหรือมีชอ่ งว่างน้อยทีสุด
43
3D-Lattice
2D array 3D array – Space lattice
stacking
Closed-Packed Structures
The centers of spheres at A, B, and C positions

https://chem.libretexts.org/Bookshelves/General_Chemistry/Book%3A_General_Chemistry_Supplement_(Eames)/S
44 olids/Metal_Crystal_Structures
 Closed-Packed Structures

1. Hexagonal close packing (HCP) ซึงมีการจัดเรียงตัวแบบ ABAB… (หรือจะเป็ น

ACAC… ก็ได้ เพราะว่าทังสองช่องว่างนีถือว่าสมมาตรกัน)
https://chem.libretexts.org/Bookshelves/General_Chemistry/Book%3A_General_Chemistry_Supplement_(Eames)/S
45 olids/Metal_Crystal_Structures
HCP
A A
B
A
B
B
A
B
A
A

http://chemwiki.ucdavis.edu/Textbook_Maps/General_Chemistry_Textbook_Maps/Map%3A_Lower's_Chem1/07%3A_Solids_and_Liquids/7.8%3A
_Cubic_Lattices_and_Close_Packing

46
Closed-Packed Structures

2. Cubic close packing (CCP) หรือ face centered cubic (FCC) ซึงมีการ
จัดเรียงตัวแบบ ABCABC… กล่าวคืออะตอมจะเรียงตัวซํากันทุกๆ 3 ระนาบ
https://chem.libretexts.org/Bookshelves/General_Chemistry/Book%3A_General_Chemistry_Supplement_(Eames)/S
47 olids/Metal_Crystal_Structures
https://opentextbc.ca/chemistry/ch
apter/10-6-lattice-structures-in-
crystalline-solids/ A

FCC C
A

48 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
 ระบบผลึก (Crystal system)
 โครงสร้างผลึกสามารถแบ่งออกเป็นกลุ่มตามรูปร่างของหน่วยเซลล์และการจัดเรียง
ของอะตอม
ขนาดและรูปรางของหนวยเซลลกําหนดโดย
 แบงตามรูปราง – ระบบผลึกมี 7 ชนิด มุม , ,  และ จุดตัดแกน a, b และ c

49 Basics of Crystal Structures by Ethelbert Armstrong

 ตามการจัดเรียงของอะตอม:
Primitive (P), Base-Centered (C),
Body-Centered (I), Face-Centered (F)
Cubic แลททิซบราเวส
(Bravais Lattice)

Tetragonal Monoclic

Orthorhombic
In the classification into 6 crystal system, the trigonal crystal system is combined with
the hexagonal crystal system and grouped into a larger hexagonal family.

Rhombohedral/ Hexagonal Triclinic

Trigonal
50
โครงสรางผลึกของโลหะ
 อะตอมโลหะจะยึดเหนี่ยวดวยพันธะโลหะ
 ประมาณ 90% ของโลหะจะมีโครงสรางแบบ

FCC, BCC, HCP

51 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
คุณลักษณะที่สําคัญของโครงสรางผลึก

 เลขโคออรดิเนชัน (coordination number, CN) คือจํานวนอะตอมขางเคียง

ที่เรียงชิดติดกัน
 จํานวนอะตอมในหนึ่งหนวยเซลล
 รัศมีอะตอมและแลททิซพารามิเตอร (atomic radius and lattice
parameter)
 คาความอัดแนนของอะตอม (atomic packing factor, APF) ซึ่งก็คือ
อัตราสวนระหวางปริมาตรของอะตอมทั้งหมดตอปริมาตรของหนวยเซลลที่
สัมพันธกับโครงสรางนั้นๆ
 จุด ทิศทางและระนาบในหนวยเซลล

52
Simple Cubic (SC)
 เลขโคออรดิเนชัน (coordination number, CN)
 จํานวนอะตอมในหนึ่งหนวยเซลล
 รัศมีอะตอมกับแลททิซพารามิเตอร (atomic radius
and lattice parameter)

a
a
a = 2R

53
Atomic Packing Factor, APF
คาความอัดแนนของอะตอม (atomic packing factor, APF) คืออัตราสวน
ระหว า งปริ ม าตรของอะตอมทั้ง หมดตอ ปริ ม าตรของหน ว ยเซลล ที่ สัม พั น ธ กั บ
โครงสรางนั้นๆ
SC

a
54 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
BCC
 เลขโคออรดิเนชัน
(coordination
number, CN)

a a

จํานวนอะตอมในหนึ่งหนวยเซลล

55
 APF = Vatoms/unit cell
Vunit cell

ความสัมพันธระหวาง R และ a ??

56
BCC

a = 4R/3

แสดงวาในเนื้อที่ 1 หนวยของ BCC จะมีสวนที่เปนเนื้อของ

อะตอมอยู 0.68 หนวยและสวนที่เหลือ 0.32 หนวยเปนที่วาง
57
Atomic Packing Factor – FCC??

 เลขโคออรดิเนชัน
(coordination
number, CN)

a a

APF = Vatoms/unit cell

Vunit cell
a
58
58 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
Atomic Packing Factor - FCC
1 หน่วยเซลล์ของโครงสร้างผลึก FCC
การหาจํานวนอะตอมต่อหนึงหน่วย
เซลล์ของ FCC สามารถหาได้ดงั นี
อะตอมทีกึงกลางด้านทัง 6 ด้าน =

อะตอมทีมุม 8 มุม =

ดังนัน
อะตอมรวม =

59 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
 ความยาวแต่ละด้านของหน่วยเซลล์ = a
เส้นทแยงมุมของลูกบาศก์ = 4R
เมือ R คือรัศมีของอะตอม
จากความสัมพันธ์ทางเรขาคณิต จะได้วา่

60
61
พิกัดจุด (point coordinates)
การกําหนดตําแหนงของอะตอมในหนวยเซลล จะใชแกนผลึก x, y, และ z เปนแกน
อางอิง โดยจะบอกเปนสัดสวนของความยาวขอบของหนวยเซลลในแตละแกน อางอิง
จากจุดเริ่มตน (0,0,0) การเขียนแบบสามมิติจะใชเครื่องหมายจุลภาคคั้นระหวางเลข
ในวงเล็บ
z z
(1/2,1/2,1/2)
(1,1,1)

c
(0,0,0) (0,0,0)
y a/2 c/2 y
a
b/2
b
x x

62
ตําแหนงของอะตอมในโครงสราง BCC

x (0,0,0)

63
ทิศทางของผลึก (Crystallographic directions)
 เปนเวคเตอรที่บงบอกทิศทางในผลึก
 การหาดัชนีทิศทาง (Indices of Direction) สามารถทําไดดังนี้
• ใช้ระบบพิกัดตามแนวแกนผลึกทั้งสาม หาจุดพิกัดของ 2 จุดที่อยู่ใน
ทิศทางที่กำหนด
• ใช้จุดพิกัดของหัวลูกศร (จุดพิกัดปลายทาง) ลบด้วยจุดพิกัดของหาง
ลูกศร (จุดพิกัดต้นทาง)
• ทำตัวเลขให้เป็นจำนวนเต็มที่น้อยที่สุด
• เขียนเซทของตัวเลขใน brackets, [hkl] โดยไม่มีเครื่องหมายแยก ถ้า
ตัวเลขดัชนีที่ได้ติดลบ ให้ขีดเส้นไว้เหนือตัวเลขนั้น
64
ดัชนีทิศทาง (Indices of Direction)
z z

c c
(0,0,0)
y y
a a (0,0,0)

b b
x x
x y z x y z
พิกัดปลายทาง
พิกัดตนทาง

65
 B
ตัวอยาง
1. เลือก origin (o)
2. จุดพิกัดตั้งตน
(0,0,0) 3. จุดพิกัดปลาย

x y z

พิกัดปลายทาง
พิกัดตั้งทาง

66
 ดัชนีระนาบแลททิซ (Indices of Lattice Plane)

ขั้นตอนการหาดัชนีมิลเลอร์ของระนาบสามารถทำได้ดังต่อไปนี้
1. หาจุดกำเนิดโดยไม่ให้ตัดกับระนาบที่สนใจ
2. หาระยะห่างระหว่างจุดตัดของระนาบบนแกนผลึก x, y และ z กับจุดกำเนิดในรูปของตัวแปรแลททิซ
(lattice parameters)
3. ทำให้เป็นเศษส่วนกลับของค่าในข้อ 1
4. คูณค่าทั้งสามด้วยตัวคูณร่วมน้อย (ค.ร.น.)
5. ดัชนีมิลเลอร์ของระนาบหรือดัชนีระนาบแลททิซสามารถเขียนได้โดยนำจำนวนเต็มในข้อ 4 ไว้ในวงเล็บ
(hkl)

ในทางกลับกัน ถ้าทราบดัชนีมิลเลอร์ของระนาบ ก็สามารถหาระนาบดังกล่าวได้ตามขั้นตอนต่อไปนี้

1. หาส่วนกลับของดัชนีมิลเลอร์ซึ่งก็คือจุดตัดของแกนผลึกทั้ง 3 แกน
2. หาตำแหน่งจุดตัดบนแกนผลึกทั้ง 3 ลากเส้นเชื่อมจุดทั้ง 3 รูปที่ได้คือระนาบผลึกที่ต้องการ

67
 x y z
z
จุดตัดแกน
กลับเศษสวน

x
68
 z
x y z

x ไม่เหมือนกับในกรณีของ
z
ทิศทาง
x y z

x
69
ตัวอยาง

Plane 1 Plane 2
x y z x y z x y z

70 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
 Exercise
Miller Indices
เฉลย

71
72
73
74
75
Packing of Atoms having Different Size

76 https://opentextbc.ca/chemistry/chapter/10-6-lattice-structures-in-crystalline-solids/
 ชองวางในโครงสรางผลึกแบบอัดแนน

http://image.slidesharecdn.com/mt-201bmaterialsciencenew-120528122516-
phpapp02/95/mt-201-b-material-science-new-74-728.jpg?cb=1338208028

77
 ชองวางในโครงสรางผลึกแบบอัดแนน

http://chemwiki.ucdavis.edu/Textbook_Maps/General_Chemistry_Textbook_Maps/Map%3A_Lower's_Chem1/07%3A_Solids_and_Liquids/7.8%3A
_Cubic_Lattices_and_Close_Packing

78
ตัวอยาง NaCl

Octahedral voids

CNNa+ = 6

CNCl- = 6

79 https://www.chemguide.co.uk/atoms/structures/ionicstruct.html
ตัวอยาง CaF2

Tetrahedral voids

CNCa2+ = 8

CNF- = 4

80 https://cdn.britannica.com/33/2633-050-25209825/NaCl-structure-CaF-2-fluorite.jpg
ตัวอยาง ZnS

Tetrahedral voids

CNZn2+ = 4

CNS2- = 4

S2- Zn2+

81
82 https://chemed.chem.purdue.edu/genchem/topicreview/bp/materials/graphics/13_19.gif
Defects in Solids (ความบกพรองในผลึกของแข็ง)
 คือการจัดวางตัวของแลททิซที่ผิดเพีย้ นไปจากรูปแบบเดิมทั้งใน 0, 1, 2, 3 มิติในระดับ
อะตอม
 แบงออกเปน 4 ชนิดตามขนาด
 0-dimensional defects (point defects, ตําหนิแบบจุด): เชน solutes หรือ impurity
atoms, vacancy
 1-dimensional defects (line defects, ตําหนิแบบเสน): เชน dislocations
 2-dimensional defects (interfacial/planar defects, ตําหนิแบบรอยตอหรือแบบระนาบ)
เชน surfaces, grain boundaries
 3-dimensional defects (volume defects, ตําหนิแบบกอน): เชน precipitates, voids
หรือ porosities
 ความไมสมบูรณประเภทนี้ทําให ceramics/glasses เปราะ
 ตัวอยาง แกวที่มีรอยแตกบนพื้นผิว จะมีสมบัติเชิงกลที่แยลงมาก
 ขนาดรอยแตก10-4 cm ลึก ทําใหแกวมี fracture strength ลดลงจาก 106 psi เปน
104 psi
83 ผลึกของแข็งที่สมบูรณแบบไมมีอยูจริง
Vacancies (ชองวาง) and Interstitials (การแทรกที่)

• การเกิดชองวาง (Vacancies) เกิดจากมีอะตอมหรือไอออนบางตัวที่อยูในโครงสรางไดหายไป

• การแทรกที่ (Interstitials) เกิดจากอะตอมหรือไอออนเขาไปแทรกตัวอยูในชองวางระหวาง
อะตอม ซึ่งอาจเปนอะตอมหรือไอออนในโครงสรางหรือที่แปลกปลอมเขามา
• การแทนที่ (Substitutional) ของอะตอมหรือไอออนแปลกปลอม (Impurity atoms/ions) ก็
ถือไดวาเปนความบกพรองแบบจุดไดเชนกัน
84 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
 Solid Solution (สารละลายของแข็ง)
Pure Material Interstitial solid solution

Substitutional solid solution

85
 ความบกพรองในสารประกอบไอออนิก

Schottky
defect
Why not an
anionic
Frenkel Frenkel?.
defect

• Frenkel Defect
- ไอออนบวกที่มีขนาดเล็กเขาไปแทรกที่อยูในซอกระหวางไอออนลบกับไอออน
บวกอีกตัวหนึ่ง ทําใหเกิดชองวางของประจุบวก
• Schottky Defect
- เกิดจากทั้งไอออนบวกและไอออนลบหลุดจากโครงสรางไป
86
 ความบกพรองในสารประกอบไอออนิก
ประจุของโครงสรางจะตองเปนกลางเสมอ
(Charge neutrality)

ถาไอออนแทนที่มีประจุที่แตกตางจากไอออน
เดิม ความบกพรองหรือตําหนิอีกชนิดจะถูก
สรางขึ้นมาเพื่อสมดุลของประจุ

Substitutional cation impurity: Ca2+ in NaCl

87
ตัวอยางของ point defects

88
 Line Defects (Dislocations)
ตัวอยาง
ช้อนที่งอเกิดจากการเคลื่อนที่ของ
dislocations จำนวนมาก ทำให้เกิดการ
เสียรูปแบบถาวร

 มักจะเกิดในโลหะหลอมเหลวแข็งตัว โดยในระหวางการเย็นตัว บางระนาบของอะตอมอาจเขามา

แทรกระหวางระนาบอะตอม ทําใหผลึกเกิดการบิดเบี้ยงในระยะรัศมีสั้นๆ หรืออาจเกิดจากการที่
วัสดุผิดรูปแบบพลาสติก plastic deformation
 แบงออกเปน 2 ชนิดที่สําคัญ ไดแก Edge dislocation และ Screw dislocation
 ทั้งการเคลื่อนที่แบบ Edge dislocation และ Screw dislocation จะใหผลการเปลี่ยนรูป
สุทธิเหมือนกัน

89
 Edge Dislocation

Edge dislocations in
dicalcium silicates
R. Shahsavari et al., Cement and Concrete
Research, 90, 80-88 (2016).

เปนจุดบกพรองแบบเสนเกิดจากการแทรกของระนาบครึ่งระนาบ
พิเศษ (Extra-half plane)

90 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
การเคลื่อนที่ของ dislocation เปรียบเทียบกับการเคลื่อนที่
ของปลองหนอน

Callister Jr, 2000

-- ถาผลึกที่มี edge dislocation ไดรับความเคนเฉือน จะเกิดการเลื่อนของ
อะตอมและจัดเรียงใหม
-- ระนาบที่เลื่อนไถล จะเรียกวา “Slip plane”
-- ทิศทางและขนาดที่ระนาบอะตอมเคลื่อนที่จะเรียกวา Burgers vector ซึ่งจะ
ตั้งฉากกับ dislocation line
91
 Screw Dislocation

screw dislocations in GaN

H. Yang et al., Nature Communications, 6, Article

number 7266 (2015).

-- เปนลักษณะที่แถวหรือระนาบของอะตอมที่อยูผิดสภาพ โดยมีรูปรางเปนเกลียวหรือ
เปนชั้นวน
-- Burgers vector จะขนานกับ dislocation line
92 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
-- ความบกพรองแบบนี้เกิดขึ้นจากสวน
ในสวนหนึ่งมีลักษณะเหมือนถูกเฉือน
แลวดันสวนหนึ่งใหเลื่อนขึ้นขางบน จาก
รูป แทนดวยเสน AD และกดสวนหนึ่ง
ใหต่ําลงแทนดวยเสน BC ซึ่งจะทําให
ขอบของผลึกมีแนวไมตรงกัน ดังนั้นเสน
AB ก็คือ Screw Dislocation นั่นเอง

93 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
 Edge Dislocation

Screw Dislocation

94
Interfacial/Planar defects
ขอบเกรน (Grain boundary)
 ขอบเขตของเกรนในโครงสรางที่มี
หลายผลึก เมื่อเกรนแตละเกรนสัมผัส
กันจะทําใหเกิดขอบเขตของเกรน ซึ่งมี
atomic packing ที่ต่ํากวาภายใน
ตัวเกรน เนื่องจากการจัดเรียงตัวที่ไม
เปนระเบียบของอะตอม
 สะสมสิ่งเจือปนหรือ impurity
 อะตอมบางอะตอมอยูในตําแหนงที่
มีความเคนสูง ขอบเกรนมุมต่ําและ
ของเกรนมุมสูง

95
 Interfacial/Planar defects
ขอบเกรนแบบเอียง (Tilt boundary)
เกิดจากการเรียงตัวของดิสโลเคชัน

https://www.jeol.co.jp/
96
Interfacial/Planar defects
Free surface
อะตอมบนพื้น ผิว จะเกิดพัน ธะกับอะตอมอื่ น
เพี ย งด า นเดี ย ว ดั ง นั้ น จะอยู ใ นสภาวะของ
พลังงานที่สูงกวา ทําใหพื้นผิวของวัสดุมักจะ
เกิดปฏิกิริ ยากับธาตุบางชนิ ดในสิ่ ง แวดล อ ม
หรือ adsorp อะตอมชนิดอื่นในบรรยากาศ

Twin คือบริเวณที่ภาพสะทอนของโครงสราง
ปรากฏผานระนาบหรือขอบเขต จะเกิดขึ้นเมื่อ
วัสดุเกิดการเสียสภาพแบบพลาสติกหรือเสีย
สภาพอยางถาวร เชน จากการเลื่อนของ
อะตอมจากแรงเฉือน หรือจากการอบคืนตัว
Twin boundary ตามดวยการแปรรูป
97
ตัวอย่ าง

98 http://www.doitpoms.ac.uk/tlplib/dislocations/images/raft3.jpg
Volume defects
ตัวอยางเชน voids (กลุมของ vacancies), precipitates (การ
ตกตะกอนหรือกลุมของ impurities) หรือ cracks (รอยแตก)

99
การแพร
(Diffusion)

100 https://www.sciencefacts.net/diffusion.html
 ปรากฏการณการแพร

101
การแพร (Diffusion)
Interdiffusion:
(การแพรของอะตอมตางชนิด)
คือกระบวนการที่อะตอมชนิดหนึ่ง
แพร่เข้าไปในโครงสร้างของอะตอมอีก
ชนิดหนึ่งหรือการแพร่ของอะตอม
แปลกปลอม

ในชวงแรก

102 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
ในการแพร่ของอะตอมแปลกปลอม จะเกิด
การเปลี่ยนแปลงของความเข้มข้นของ
อะตอมแต่ละชนิดไปตามเวลา จากบริเวณที่
มีความเข้มข้นสูงกว่าไปยังบริเวณที่ความ
เข้มข้นต่ำกว่า

หลังเวลาผานไป

103 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
 การแพร (Diffusion)
Self-diffusion:
(การแพรของอะตอมชนิดเดียวกัน)
คือกระบวนการแพร่ที่เกิดจากการเคลื่อนย้ายตำแหน่งของอะตอมชนิดเดียวกัน
หลังเวลาผานไป

104
 Diffusion Mechanisms
การแพรโดยอาศัยชองวาง
อะตอมในวัสดุของแข็งต่างก็มีการ
เคลื่อนที่อยู่ตลอดและเปลี่ยนตำแหน่ง
อย่างฉับพลัน โดยมีเงื่อนไข
 ต้องมีช่องว่างอยู่ข้างๆ
 อะตอมต้องมีพลังงานสูงพอที่จะ การแพรแบบแทรกที่
ทำลายพันธะที่มีต่ออะตอมข้างเคียง
ของมัน (เช่น พลังงานจากการสั่น
ตามธรรมชาติของอะตอม – lattice
vibration

105
พลังงานกระตุน (Activation Energy)

106
 Diffusion: a Thermally Activated Process
สัมประสิทธิ์การแพร (D) บอกถึงระดับความเร็วที่อะตอมนั้นๆ จะแพรไปได
 ขึ้นอยูกับชนิดอะตอมที่แพรและตัวกลางที่แพร
 ขึ้นอยูกับอุณหภูมิ
Activation energy
Pre-exponential (J/mol, eV/mol)
(m2/s)
 Qd 
D  D0 exp   Absolute temperature (K)

Diffusion
 RT 
Gas constant (8.31 J/mol-K,
coefficient (m2/s) 8.62  10-5 /atom-K)

107
Diffusion: a Thermally Activated Process

 Qd 
D  D0 exp   
 RT 
C in -Fe

Diffusion coefficient
Qd 1
ln D  ln D0    C in -Fe

intercept
R T 
slope
Al in Al
on a plot of ln D vs. 1/T Zn in Cu

Fe in -Fe
Dinterstitial > Dsubstitutional Fe in -Fe Cu in Cu

Reciprocal temperature, 1/T

108 W. D. Callister, Jr., “Materials Science and Engineering: an Introduction,” John Wiley & Sons, Inc.
STRUCTURE & DIFFUSION

Diffusion FASTER for... Diffusion SLOWER for...

• open crystal structure • close-packed structures
• lower melting point • higher melting point
• materials w/ secondary • materials w/ covalent
bonding bonding
• smaller diffusing atoms • larger diffusing atoms
• cations • anions
• lower density materials • higher density materials

109