Resistència i resistivitat Resistivitat en funció de la temperatura

Si a un cable conductor de longitud L i secció d'àrea S Resistència R = ρL/S on ρ ≡ resistivitat ; L ≡ longitud ; S ≡ àre
li apliquem una ddp V = VA - VB = EL Resistivitat ρ = 1/(neμ) on n ≡ densitat de portadors de càrreg
I v Δt
els e- es mouen amb velocitat mitjana constant v e = 1.602 ×10-19 C
i circula I = ΔQ/Δt  Conductivitat σ = 1/ρ = neμ μ ≡ mobilitat
E  ΔQ S
v
Volum del cable (cilíndric) = SL Conductors metàl·lics Semiconductors Aïllants o dielèctric
VB VA > VB
N ≡ nombre de portadors de càrrega (e-) L ρ∼ 10-8 Ωcm 10-5 ∼ρ∼ 103 Ωcm 108 ∼ ρ ∼ 1016 Ωcm
n = N/Volum ≡ densitat de portadors (propietat de cada material) perquè n ∼ 1022 cm-3 perquè n ∼ 1014 cm-3 perquè n molt petita

μ ≡ mobilitat = propietat de cada material tal que v = μE Alguns dielèctrics

a T altes
ΔQ
ΔQ = (nSv Δt )e → I= = nevS = ne μ ES poden arribar a cond
Δt
abans de fondre
V EL 1 L L 1
R= = = =ρ ρ= ≡ resistivitat del material
I ne μ ES ne μ S S ne μ Si apliquem E>EMa
ρ augmenta amb T ρ disminueix amb T
(ruptura del dielèctri
σ = neμ ≡ conductivitat perquè μ disminueix perquè n augmenta
poden conduir
1

No es pot explicar el comportament de ρ(T) amb la física clàssica.

Cal fer-ho amb la física quàntica, com farem a les properes transparències.
Estructura electrònica de la matèria
Model atòmic de Bohr:
Superconductors
- Els e- descriuen òrbites amb energia E constant.
Per T < Tc , la resistivitat ρ és nul·la T(K) = 273.15 K + T(oC)
Material Type Tc(K) Tc(oC) any - L'energia E és quantitzada:
Zinc metall 0.88 -272.3 només són possibles òrbites amb uns certs valors d'
Alumini metall 1.19 -272.0
Plom metall 3.72 -269.4 Física quàntica (Heisenberg i Schrödinger):
Mercuri (Hg) metall 4.15 -269.0 1911
Niobi (Nb) metall 9.2 -264.0
Només sabem la probabilitat de trobar e- més o menys a prop del nucli.
NbGe aleació 23.2 -250.0 1978
77 K (N2 líquid)
YBa2Cu3O7 ceramic 90 -183.1 1986 Orbitals o estats: - Els e- ocupen un orbital o estat electrònic.
TlBaCaCuO ceramic 125 -148.1 1993
- Cada estat electrònic té un cert valor de E.
- En un àtom són possibles tota una sèrie d'estats
electrònics amb valors discrets (quantitzats) de E
que poden estar ocupats o no.

3
En un àtom són possibles tota una sèrie d'estats electrònics amb valors Estat atòmic fonamental
discrets (quantitzats) de E que poden estar ocupats o no.
E
Capa de valència: última capa ocupada amb e−
Nivells d'energia degenerats: possibles estats amb la mateixa E

E estat electrònic ocupat Capa electrònica: nivells amb E semblant

estat no ocupat

Capa electrònica: nivells amb E semblant

Estat excitat (no fonemental) → Desexcitació: emissió d'un fotó

de freqüència f
E E
Principi d'exclusió de Pauli: un estat només pot estar ocupat per un e- Relació d'Einstei
ΔE = hf
Estat atòmic fonamental: els e- ocupen els nivells de menor energia
h constant Plank
Capa de valència: última capa ocupada amb e− (a l'estat fonamental) h = 6.626×10−34 Js

Desdoblament de nivells
Model de conducció en cristalls
BV ≡ banda de valència: última banda amb electrons
BC ≡ banda de conducció: banda on els electrons poden desplaçar-s
molècula diatòmica ← dos àtoms aïllats
Conductors Aïllants
Aparició de bandes d'energia en un cristall
E
BC (buida a 0 K)
Banda mig plena
BV i BC = 5.33 eV (diamant)
(enllaç metàl·lic) Eg = 3.20 eV (AgCl)
= 2.42 eV (CdS)
BV (plena a 0 K)
Banda plena (enllaços covalents)
(amb e- lligats )

Cristall de Silici Molècula de Silici 1 eV = (1.6×10-19 C)(1 V) = 1.6×10-19

7
 Semiconductors Cristalls semiconductors
T=0K T>0K
són aïllants poden conduir àtom neutre
amb 4 e- de valència
+4 com el silici (Si) o
BC BC el germani (Ge)

Eg Eg T = 0 K (són aïllants)
e- valència
BV BV
+4 +4 +4 +4 +4
enllaç
B

Silici: Eg = 1.14 eV
Formació de parells electró-forat +4 +4 +4 Eg
Germani: Eg = 0.67 eV electrons (lliures) forats
Teluri: Eg = 0.33 eV Quan més petit és Eg, B
més fàcil és que puguin conduir. +4 +4 +4

T>0K → Es formen parells electró-forat (que augmenten amb T) Contribució dels forats al corrent

Hi ha un procés dinàmic de formació i recombinació de parells

+4 +4
on els electrons lligats (no els lliures) salten a un forat,
+4

electró lliure
BC
(e- a la BC) 1) +4 +4 +4
+4 +4 +4 Eg
2) Formació Recombinació +4 +4 +4
forat BV
(estat desocupat a la BV)
+4 +4 +4 +4 +4 +4

3) +4 +4 +4 +4 +4 +4
electrons de conducció o lliures : poden desplaçar-se pel cristall i
i els forats canvien de lloc.
en presència d'un camp E produeixen un corrent

Els forats també contribueixen al corrent !!! En presència d'un camp E els forats produeixen un corrent.

11
En presència d'un camp E Semiconductors intrínsecs ≡ purs, amb un sol tipus d'àtom (nn = np
a) Semiconductors extrínsecs ≡ dopats amb impureses
+4 +4 +4 +4 +4 poden ser de tipus n o tipus p
• Semiconductors tipus n: dopats amb àtoms donadors
b) +4 +4 +4 amb 5 e- de valència
+4 +4 +4 +4 +4 com el fòsfor (P) o l'arsènic (As)
forats → portadors minoritaris
+4 +5 +4
e- conducció → portadors majoritaris
c)
+4 +4 +4 +4 +4 + + + +
+4 +4 +4 + + + +

els forats es comporten com una càrrega positiva. BC + + + +

EC
En els semiconductors hi ha dos tipus de portadors de càrrega: Pràcticament tots els àtoms donadors
Ed
• nn ≡ densitat d'electrons lliures → In = nnevdnA aporten un electró a BC.
• np ≡ densitat de forats → Ip = npevdpA → I = In + Ip
EV
13 BV

• Semiconductors tipus p: dopats amb àtoms acceptadors

amb 3 e- de valència
+4 +4 +4
com el gali (Ga), l'indi (In) o l'alumini (Al)
e- conducció → portadors minoritaris
+4 +3 +4 forats → portadors majoritaris

- - - -

+4 +4 +4 - - - -

- - - -

EC BC

Pràcticament tots els àtoms acceptadors

aporten un forat.
Ea
EV
BV

15