150062 BTN 3 21 Vũ Tiến Long

*********************
BÀI TẬP NHÓM 1: VẼ VÀ MÔ PHỎNG CÁC MẠCH SỬ DỤNG DIODE,

TRANSISTOR BJT
Giảng viên hướng dẫn : ThS.Hoàng Quang Huy
Sinh viên thực hiện
Mã lớp 150062
Sinh viên Vũ Tiến Long 20224046-21
Hà Nội , 2024
PAGE \* MERGEFORMAT2
Phụ lục
CHƯƠNG 1. DIODE..........................................................................................................
1.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kì:......................................................................................
1.1.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ không có tụ lọc:....................................................
1.2.2. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc:...............................................................
1.2.Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kì:.................................................................................
1.2.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.........................................................................
1.2.2Tính toán lý thuyết và đo lường mô phỏng.........................................................
1.3. Mạch chỉnh lưu cầu:.................................................................................................
1.3.1Cấu tạo và nguyên lý hoạt động..........................................................................
1.3.2 Tính toán lý thuyết và đo lường mô phỏng........................................................
1.4.Mạch ổn áp dùng diode Zener...................................................................................
1.5.Mạch hạn chế: Mạch hạn chế mức dưới dương........................................................
2.1 Đặc tuyến vào EC................................................................................................
2.2 Đặc tuyến ra EC...................................................................................................
HÌNH ẢNH MẠCH
Hình 1- 1 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ.............................................................4
Hình 1- 2 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ không có tụ lọc...................................4
Hình 1- 3 Kết quả đo mạch chỉnh lưu nửa chu ký không có tụ lọc...........................6
Hình 1- 4 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc..............................................7
Hình 1- 5 Kết quả đo mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc......................................8
Hình 1- 6 Sơ đồ mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, 2 nguồn................................................9
Hình 1- 7 Kết quả đo mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, hai nguồn.....................................9
Hình 1- 8 Sơ đồ mạch chỉnh lưu cầu.........................................................................9
Hình 1- 9 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu không tụ lọc.........................12
Hình 1- 10 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu có tụ lọc.............................12
Hình 1- 11 Sơ đồ mạch ổn áp bằng diode zener..........................................................
Hình 1- 12 Sơ đồ mạch hạn chế mức dưới dương...................................................15
Hình 1- 13 Kết quả đo mô phỏng mạch hạn chế mức dưới dương.........................16
BẢNG KẾT QUẢ

Bảng 1- 1 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ không có tụ lọc........5
Bảng 1- 2 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc...................7
Bảng 1- 3 Kết quả đo mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, hai nguồn....................................8
Bảng 1- 4 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu có tụ lọc................................
Bảng 1- 5 Kết quả lý thuyết và mô phỏng mạch ổn áp dùng diode zener..................
Bảng 1- 6 Kết quả đo mô phỏng mạch hạn chế mức dưới dương..............................
CHƯƠNG 2: BIJ.......................................................................................................17
2.1 Đặc tuyến vào EC..........................................................................................17
2.1.1 Sơ đồ mạch đo đặc tuyến vào.................................................................17
2.1.2 Đường đặc tuyến vào..............................................................................18
2.2 Đặc tuyến ra EC.............................................................................................19
2.2.1 Sơ đồ đo mạch đặc tuyến ra....................................................................19
2.2.2 Đường đặc tuyến ra................................................................................19
2.3 Mạch phân cực Bazơ ( Phân cực bằng dòng cố định )..................................19
2.3.1 Nguyên lý và cấu tao hoạt động.............................................................20
2.3.2 Sự phụ thuộc của hệ số khuếch đại dòng điên vào dòng 𝐼𝐶...................20
2.3.3 Tính toán lý thuyết..................................................................................21
2.3.4 Phương trình đường tải...........................................................................21
2.4 Mạch phân cực Emitơ....................................................................................22
2.4.1 Cấu tạo và nguyên lý của mạch phân cực Emitơ....................................22
2.4.2 Thông số đo đạt......................................................................................23
2.4.3 Tính toán theo lý thuyết..........................................................................24
2.4.4 Phương trình đường tải...........................................................................24
2.5 Mạch phân cực phân áp.................................................................................25
2.5.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.............................................................25
2.5.2 Thông số đo đạt......................................................................................26
2.5.4 Phương trình đường tải:..........................................................................27
2.6 Mạch phân cực hồi tiếp Collector.................................................................29
2.6.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.............................................................30
2.6.2 Thông số đo đạt......................................................................................31
2.6.4.Phương trình đường tải............................................................................33
CHƯƠNG 1. DIODE
Ứng dụng phổ biến của diode: Chỉnh lưu, Ổn áp và Hạn chế
1.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kì:
* Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
Mạch chỉnh lưu nửa chu kì gồm một diode chỉnh lưu, một điện trở hạn chế dòng, một tụ
lọc (nếu cần) và nguồn xoay chiều được ghép nối như hình vẽ.
Hình 1- 1 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ

Ở nửa chu kì dương, diode phân cực thuận, cho dòng đi qua (Uv>UD)
Ở nửa chu kì âm, diode phân cực ngược, ngăn cản dòng điện (Uv<UD)
1.1.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ không có tụ lọc:
a. Sơ đồ mạch:
Hình 1- 2 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ không có tụ lọc
Cho số liệu UV=5cos(100πt) V; UD = 0,68 V; rD = 0 Ω

Rt=5,4kΩ; D1: 1N4004– MSSV:20224054
Điện áp chỉnh lưu : U0= 0,318 (Um -UD0)=1.374 V
b. Đồ thị Uv(t) và Ur(t):
Hình 1- 3 Kết quả đo mạch chỉnh lưu nửa chu ký không có tụ lọc
c. Một số giá trị Uv và Ur tại các mốc thời gian:
STT t(ms) Uv(V) Ur(V)
1 0 0 0
2 T
=5 5.223 4.420
4
3 T
=10 0.505 0.116938
2
4 3Τ
=15 -4.723 -0.02552
4
5 T =20 0.000803718 -0.025099

Bảng 1- 1 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ không có tụ lọc
Nhận xét: Kết quả đo mô phỏng và kết quả tính toán lý thuyết tương đối bằng nhau. Ở
thời điểm 3T/4, Ura có giá trị âm do qua diode thực tế không chặn hoàn toàn dòng điện
mà luôn có một dòng điện ngược rất rất nhỏ chạy qua khi diode phân cực ngược
1.2.2. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc:
a, Sơ đồ mạch
Cho số liệu UV=5cos(100πt) V; UD0 = 0,68V; rD = 0
Rt=5.4kΩ ; rD = 0Ω
D1: 1N4004 ; C1=50µF
Điện áp chỉnh lưu : U0~Um=5V
Hình 1- 4 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc

b, Đồ thị Uv(t) và Ur(t) Hình 1- 5 Kết quả đo mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc
c, Một số giá trị Uv và Ur tại các mốc thời gian

1 0 0 0
2 T
=5 4.981 4.354
4
3 T
=10 0.000020175 4.334
2
4 3Τ
=15 -5.000 4.255
4
5 Τ =20 -
4.177
0.000283602
Bảng 1- 2 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc
Nhận xét: Ura được san phẳng nhờ tụ lọc phóng điện bổ xung
1.2. Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kì:
1.2.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, hai nguồn gồm: hai nguồn vào, 2 Diode bán dẫn và 1 điện
trở được mô tả như hình vẽ
Hình 1- 6 Sơ đồ mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, 2 nguồn
1.2.2 Tính toán lý thuyết và đo lường mô phỏng

a, sơ đồ mạch cho như hình trên
Cho số liệu UV1=-UV2=5cos(100πt) V ; UD0 = 0,68V; rD = 0
R=5.4kΩ ; rD = 0Ω; D1,D2 : 1N4004 (MSSV 20224054)
b, Đồ thị Uv(t) và Ur(t)
Hình 1- 7 Kết quả đo mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, hai nguồn
BẢNG SỐ LIỆU
STT t(ms) Uv1(V) Uv2(V) Ur(V)

1 0 0 0 0
2 T
=5 1.248 -1.248 0.008102
4
3 T
=10 -0.008855 0.008855 -0.0000145
2
4 3Τ
=15 -1.244 1.244 0.807152
4
5 Τ =20 -0.004292 0.004292 0.001528

Bảng 1- 3 Kết quả đo mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, hai nguồn
1.3. Mạch chỉnh lưu cầu:
Mạch chỉnh lưu cầu gồm 4 diode chỉnh lưu, một điện trở hạn chế dòng, một tụ lọc (nếu
cần) và một nguồn xoay chiều được ghép nối như hình vẽ.
Hình 1- 8 Sơ đồ mạch chỉnh lưu cầu

Ở nửa chu kỳ dương, D2 và D4 mở, còn D1, D3 khóa, dòng điện đi từ dương
nguồn qua D2, R, D4 về âm nguồn.
Ở nửa chu kỳ âm, D2 và D4 khóa, còn D1, D3 mở, dòng điện đi từ âm nguồn qua
D3, R, D1 về dương nguồn.
Cho: Uv = 50cos(100πt) V; UD = 0,68V
rD = 0; R = 5,7kΩ; 4 Diode 1N4007
● Khi không có tụ lọc:
Điện áp chỉnh lưu: U0 = 0,636(Um − 2UD) = 30.935V
Dòng chỉnh lưu: I0 = U0 /R = 5.427mA
Dưới đây là kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu không tụ lọc:
Hình 1- 9 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu không tụ lọc
● Khi có tụ lọc (nối song song tụ với điện trở R):
Điện áp chỉnh lưu: U0 = Um − 2UD = 48.64V
Hình 1- 10 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu có tụ lọc
Bảng số liệu:

1 0 0 0
2 T
=5 49.993 48.697
4
3 T
=10 -0.00167 32.909
2
4 3Τ
=15 -49.761 48.470
4
5 Τ =20 -0.0027 32.858

Ura biến đổi tuần hoàn theo hàm cos, Uvào ban đầu tăng dần, khi đạt đỉnh thì dữ ổn định
ở giá trị khoảng 48.6V(theo mạch) tùy vào điện dung tụ lọc.
1.4. Mạch ổn áp dùng diode Zener
Mạch ổn áp bằng diode zener gồm 1 điện trở hạn chế dòng, 1 diode zener, và 1 nguồn
một chiều được mắc như hình
Hình 1- 11 Sơ đồ mạch ổn áp bằng diode zener

Diode zener hoạt động chủ yếu ở chế độ phân cực ngược, lợi dụng tính chất đánh
thủng do điện của diode. Khi điện áp đầu vào nhỏ hơn điện áp đánh thủng của zener, nó
sẽ chặn không cho dòng đi qua. Khi điện áp đầu ra lớn hơn điện áp đánh thủng thủng
trên diode zener, nó sẽ ổn áp sao cho hai đầu diode.

Cho E = 12V, R = 1.2kΩ, Rt = 5.7kΩ
Do trong mạch trên diode zener phân cực ngược => dòng không qua diode, coi mạch
gồm hai điện trở mắc nối tiếp nhau:
E 12
Uz = R + Rt Rt = 3 3 5700 = 9.913V
1.2∗10 +5.7∗10
E 12
I = IR = IRt = R + Rt = 3 3 = 1.739mA
1.2∗10 +5.7∗10
Đại lượng Kết quả lý thuyết Kết quả mô phỏng

UZ 9.913 V 9,912 V
I 1.739 mA 1.74 mA
IR 1.739 mA 1.739 mA
Bảng 1- 5 Kết quả lý thuyết và mô phỏng mạch ổn áp dùng diode zener
1.5. Mạch hạn chế: Mạch hạn chế mức dưới dương ( Không có tải )
1.5.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
- Mạch hạn chế mức dưới gồm 1 diode chỉnh lưu ,1 điện trở hạn chế, 1 nguồn 1 chiều, 1
nguồn xoay chiều được ghép nối như hình:
Mạch hạn chế dưới dương

nối tiếp
Hình 1.12: Sơ đồ mạch hạn chế dưới mức dương

1.5.2. Tính toán lý thuyết:
Cho: Uv = 10cos(100πt) V; UD = 0,68V; E=6V
rD = 0; R = 4.0kΩ; Diode 1N4150 (MSSV:20224040)
Ở nửa chu kỳ dương:
Khi Uvào > E=>diode phân cực thuận=> Ura ≈ Uvào.
Khi Uvào < E=> diode phân cực ngược=>Ura = E = 6V.
Ở nửa chu kỳ âm: diode luôn phân cực ngược=> Ura=E=6V.
Hình 1.13: Kết quả đo trên mô phỏng mạch hạn chế mức dưới dương nối tiếp
Bảng số liệu:

1 0 0 0
2 T
=5 9.959 9.959
4
3 T
=10 -1.017 5.337
2
4 3Τ
=15 -9.963 5.306
4
5 Τ =20 1.160 5.336
CHƯƠNG 2: BIJ
2.1 Đặc tuyến vào EC
2.1.1 Sơ đồ mạch đo đặc tuyến vào
2.1.2 Đường đặc tuyến vào
2.2. Đặc tuyến ra EC
2.2.1. Sơ đồ đo mạch đặc tuyến ra
2.2.1Đường đặc tuyến ra
Hình 2.1: Mạch phân cực Bazơ
18
2.3 Mạch phân cực Bazơ ( Phân cực bằng dòng cố định )
2.3.1 Nguyên lý và cấu tao hoạt động
- Mạch gồm có hai điện trở được mắc ở cực Bazơ và cực Collecter, 1 transistor hai
tụ điện và một nguồn nuôi Ec mắc ở cực Collecter.
- Điện trở RB có giá trị lớn hơn RC để tạo ra điện thế của cực C cao hơn cực B, lớp
tiếp giáp Collecter – Bazơ phân cực ngược. Cực Emiter nối với đất lớp tiếp giáp
Emiter – Bazơ phân cực thuận. Cách mắc đảm bảo cho BIJ làm việc trong vùng
khuếch đại.
19
Transistor 2N2214 (MSSV: 20224054) dựa theo Datasheet là transistor Si loại
NPN U CB = 0.7V, có hệ số khuếch đại từ 35 - 300
Chọn RC = 5.4 kΩ
Cách chọn R B: Để đảm bảo cho BIJ 2N2214 làm việc trong vùng tích cực ( vùng
khuếch đại ) thì điều kiện là U E <U B <U C nên ta có:
EC −I B∗R B < EC −I C ∗RC ⇔ I B∗R B > I C∗RC ⇔ R B > β R C
Mà hệ số khuếch đại dòng điện phụ thuộc vào dòng I C nên chọn
R B=β max RC =2700 kΩđể đảm bảo lớp tiếp giáp Emitơ – Bazơ phân cực ngược.
2.3.2 Sự phụ thuộc của hệ số khuếch đại dòng điện vào dòng I C
EC (V ) I C (mA ) I B (µA) β
2 0.013 0.222 59
4 0.045 0.888 51
6 0.088 0.888 99
8 0.14 1.776 79
10 0.203 1.776 114
12 0.272 1.776 153
14 0.35 3.553 98
Bảng 2.1: Khảo sát hệ số β theo mạch phân cực base
2.3.3 Tính toán lý thuyết:

Dựa theo thông số đo ở bảng 1 chọn EC =12V , hệ số khuếch đại dòng điện là β=153 ,
U CB =0.7
Xét mạch vào: EC → R B → U B → U E → GND

EC −I B∗R B−U CB=0
20
I C =β I B
Xét mạch ra: EC → RC → U C → U E → GND

U CE =E C −I C∗RC
Theo như đo đạt thực nghiệm tính toán hệ số khuếch đại dòng điện là β=234
Thay số tính toán ta có
EC −U CB
I B= =0.001776 mA
RB
I C =β∗I B =0.272 mA
U CE =E C −I C∗RC =10.5312 V
Theo thông số đo được trên NI và thông số tính toán theo lý thuyết tao có làm việc tĩnh Q:
Đại lượng Lý thuyết Đo đạt
I B(mA) 0.007780 0.007874
I C (mA) 1.1597 1.245
U CE (V) 5.3895 4.905
Bảng 2.2: kết quả đo và lý thuyết mạch phân cực base
Bảng 2.2: kết quả đo và lý thuyết mạch phân cực base
2.3.4 Phương trình đường tải

EC
I C max ¿ =0.35 (mA )
RC
U CE max ¿ 14(V )
Phương trình đường tải:U CE =E C −I C∗RC
21
IC PHƯƠNG TRÌNH ĐƯỜNG TẢI
0.35
0.3
I C(A) 0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0 2 4 6 8 10 12 14
2.4 Mạch phân cực Emitơ U CE (V )
Hình 2.3: M ạch phân cực Emitơ
U CE (V)
Hình 2.2: Phương trình đường tải
22
2.4.1 Cấu tạo và nguyên lý của mạch phân cực Emitơ
Cấu tạo: Mạch gầm một nguồn nuôi Ec một transistor 2N3707, 3 điện trở Rc , R B , RE
lắp ở ba cực của transistor.
Nguyên lý: Mạch được mắc như hình vẽ trong đó điện trở được mắc với cực B lớn
hơn rất nhiều so với điện trở lắp với cực C để lớp tiếp giáp Collector và Bazơ phân
cực ngược. Lớp tiếp giáp Emitơ và Bazơ luôn phân cực thuận. BIJ 2N3707 làm
việc trong vùng khuếch đại.
2.4.2 Thông số đo đạt
Hình 2.3: Mạch phân cực Emitơ
23
Theo mô phỏng tính toán điểm làm việc tĩnh của transistor là Q (0.000005329,
0.00111, 4.56)
Khi đó hệ số khuếch đại dòng điện là: β=208
2.4.3 Tính toán theo lý thuyết
Cho Ec =12 V , β=208, transistor Si, R E=1 kΩ , R B=2280 kΩ , RC =5.7 kΩ.
Xét mạch vào: EC → R B → U B → U E → R E → GND
EC −I B∗R B−U CB−I E∗R E =0
I C =β I B
I E =I C + I B = ( β +1 )∗I B
Xét mạch ra: EC → RC → U C → U E → R E → GND

U CE =E C −I C∗RC −I E∗R E
Theo như đo đạt thực nghiệm tính toán hệ số khuếch đại dòng điện là β=208
EC −U CB
I B= =0.00454 mA
(RB + ( β +1 )∗R E )
I C =β∗I B =0.944 mA
U CE =E C −I C∗RC −I E∗R E =5.67034 V
Q Lý thuyết Đo đạt
I B (mA) 0.00454 0.005329
I C (mA ) 0.944 1.11
U CE (V ) 5.67034 4.56
Bảng 2.3: Kết quả đo và lý thuyết mạch phân cực emito
2.4.4 Phương trình đường tải
24
EC
I C max ¿ =1.791 (mA )
RE∗β +1
RC +
β
U CE max ¿ 12(V )
25
26
2.5. Mạch phân cực hòi tiếp Collector:
2.5.1 Cấu tạo, Nguyên lý hoạt động
- Cấu tạo: Mạch gồm ba điện trở 1 transistor được bố trí như hình vẽ:
- Nguyên lý hoạt động: Phân cực hồi tiếp Collector không yêu cầu R B cần lớn hơn
nhiều lần so với RC như phân cực Base hay phân cực Emitơ để đảm bảo phân cực
ngược của lớp tiếp giáp Collector và Base. Với cách mắc như hình vẽ thì phân cực
hồi tiếp Collector luôn đảm bảo transistor làm việc trong vùng tích cực với mọi giá
trị điện trở của R B và RC .
27
2.5.2. Thông số đo được
- Với các thông số đầu vào là EC =12V , RC =4.0 kΩ , R B=1 kΩ , R E=1 kΩ Transistor
2N3020
- Thông số đo đạt được của điểm làm việc tĩnh Q là:
IC
I C =2.197 ( mA ) , I B=0.063 ( mA ) ,U CE =0.702(V ), β ¿ =35
IB
2.5.3. Tính toán theo lý thuyết:

Với thông số đầu vào là EC =12V , RC =4.0 k Ω , RB =1 k Ω , R E=1 k Ω transistor 2N3020
và β=35
Xét mạch vào: EC → R C → R B → U B → U E → R E → GND
EC −I C ∗RC −I B∗RB −U CB −I E∗R E=0
I C =β I B
I C =I E
Xét mạch ra: EC → RC → U C → U E → R E →GND


EC −U CB
I B= =0.064 mA
R B + β∗(RC + RB )
I C =β∗I B =2.24 mA
U CE =E C −I C∗RC −I E∗R E =0 , 8V
I B(mA) 0.064 0.063
I C (mA) 2.24 2.197
U CE (V) 0.8 0.702
Bảng 2.4: Kết quả đo và lý thuyết mạch phân cực hồi tiếp collector
2.5.3. Phương trình đường tải:
28
EC
I C max ¿ =2 .386(mA )
RC + R E
U CE max ¿ 12(V )

3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 2 4 6 8 10 12 14
UCE
Hình 2.6.3: Phương trình đường tải
29
2.6. Mạch phân cực phân áp:
2.6.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động:
Cấu tạo: Mạch có cấu tạo như hình vẽ gồm 4 điện trở một transistor 2N, một nguồn
nuôi EC được mắc như hình.
Nguyên lý hoạt động: Mắc mạch với điện trở R1, R2 lớn hơn nhiều so với điện trở
RC để đảm bảo lớp Je phân cực ngược và BIJ làm việc tròn vùng tích cực.
2.6.2 Thông số đo đạt.
Với các thông số đầu vào EC =12V , RC =1kΩ , R 1=100 kΩ , R2=100 kΩ , R E=1 kΩ
transistor 2N3020
Thông số đo đạt được của điểm làm việc tĩnh Q là:
I C =2.798 ( mA ) , I B=0.05 ( mA ) , U CE =6.356 (V )
β=55
30
Biến đổi tương đương mạch phân cực phân áp theo định lý Thevenin ta có:
Hình 2.7. Sơ đồ chuyển mạch Thevenin
Cho U BE=0.7 V , β=5 5

R1∗R 2
Rth = =50 kΩ
R1 + R2
E c∗R 2
Eth = =6 V
R1 + R2
Xét mạch vào: Eth → Rth → U B → U E → R E →GND
Ta có: Eth = Rth∗I B +U BE + I E∗R E
I E =( β+ 1 )∗I C
Xét mạch ra: EC → R C → U C → U E → R E →GND .
Ta có: EC =I C ∗RC + I E∗R E +U CE
31
I C =β∗I B
Thay số tính toán ta có :

I B=( Eth−UBE)/(Rth + ( β+1 ) ℜ)=0.036(mA )
I C =β I B =55∗0. 036=2.75 (mA )
U CE =E C −I C∗RC −I E∗R E =V
Điểm làm việc tĩnh Q theo lý thuyết tính toán và đo đạt

I B(mA) 0.05 0.05
I C (mA) 2.75 2.798
U CE (V) 6.5 6.356
Bảng 2.5: Kết quả đo và lý thuyết mạch phân cực phân áp
2.6.4 Phương trình đường tải:

U CE =E C −¿ I C∗RC −I E∗R E
EC
I C max ¿ =6(mA )
RE∗β +1
RC +
β
U CE max ¿ 12(V )

6
0
0 2 4 6 8 10 12 14
UCE
Hình 2.6.3: Phương

32 trình đường tải

150062 BTN 3 21 Vũ Tiến Long

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

You might also like

150062 BTN 3 21 Vũ Tiến Long

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

150062 BTN 3 21 Vũ Tiến Long

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

*********************

BÀI TẬP NHÓM 1: VẼ VÀ MÔ PHỎNG CÁC MẠCH SỬ DỤNG DIODE,

Giảng viên hướng dẫn : ThS.Hoàng Quang Huy

Sinh viên thực hiện

BẢNG KẾT QUẢ

Hình 1- 1 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ

Cho số liệu UV=5cos(100πt) V; UD = 0,68 V; rD = 0 Ω

5 T =20 0.000803718 -0.025099

Hình 1- 4 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc

STT t(ms) Uv(V) Ur(V)

Hình 1- 6 Sơ đồ mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, 2 nguồn

1.2.2 Tính toán lý thuyết và đo lường mô phỏng

STT t(ms) Uv1(V) Uv2(V) Ur(V)

5 Τ =20 -0.004292 0.004292 0.001528

Hình 1- 8 Sơ đồ mạch chỉnh lưu cầu

Hình 1- 10 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu có tụ lọc

STT t(ms) Uv(V) Ur(V)

5 Τ =20 -0.0027 32.858

Hình 1- 11 Sơ đồ mạch ổn áp bằng diode zener

1.4.2 Tính toán lý thuyết và đo lường mô phỏng

Đại lượng Kết quả lý thuyết Kết quả mô phỏng

Mạch hạn chế dưới dương

Hình 1.12: Sơ đồ mạch hạn chế dưới mức dương

STT t(ms) Uv(V) Ur(V)

5 Τ =20 1.160 5.336

2.1.2 Đường đặc tuyến vào

2.2.1Đường đặc tuyến ra

Hình 2.1: Mạch phân cực Bazơ

Bảng 2.1: Khảo sát hệ số β theo mạch phân cực base

2.3.3 Tính toán lý thuyết:

Xét mạch vào: EC → R B → U B → U E → GND

Xét mạch ra: EC → RC → U C → U E → GND

I C (mA) 1.1597 1.245

U CE (V) 5.3895 4.905

Bảng 2.2: kết quả đo và lý thuyết mạch phân cực base

Bảng 2.2: kết quả đo và lý thuyết mạch phân cực base

2.3.4 Phương trình đường tải

Phương trình đường tải:U CE =E C −I C∗RC

2.4 Mạch phân cực Emitơ U CE (V )

Hình 2.3: M ạch phân cực Emitơ

2.4.2 Thông số đo đạt

Hình 2.3: Mạch phân cực Emitơ

Hình 2.4: Mạch phân cực Emitơ

Hình 2.4: Mạch phân cực Emitơ

Xét mạch ra: EC → RC → U C → U E → R E → GND

U CE =E C −I C∗RC −I E∗R E =5.67034 V

Bảng 2.3: Kết quả đo và lý thuyết mạch phân cực emito

2.4.4 Phương trình đường tải

2.5.3. Tính toán theo lý thuyết:

Xét mạch ra: EC → RC → U C → U E → R E →GND

Thay số tính toán ta có

IC PHƯƠNG TRÌNH ĐƯỜNG TẢI

Hình 2.6.3: Phương trình đường tải

Hình 2.7. Sơ đồ chuyển mạch Thevenin

Cho U BE=0.7 V , β=5 5

Thay số tính toán ta có :

I C =β I B =55∗0. 036=2.75 (mA )

Điểm làm việc tĩnh Q theo lý thuyết tính toán và đo đạt