Professional Documents
Culture Documents
150062 BTN 3 21 Vũ Tiến Long
150062 BTN 3 21 Vũ Tiến Long
Mã lớp 150062
Sinh viên Vũ Tiến Long 20224046-21
Hà Nội , 2024
PAGE \* MERGEFORMAT2
Phụ lục
CHƯƠNG 1. DIODE..........................................................................................................
1.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kì:......................................................................................
1.1.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ không có tụ lọc:....................................................
1.2.2. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc:...............................................................
1.2.Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kì:.................................................................................
1.2.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.........................................................................
1.2.2Tính toán lý thuyết và đo lường mô phỏng.........................................................
1.3. Mạch chỉnh lưu cầu:.................................................................................................
1.3.1Cấu tạo và nguyên lý hoạt động..........................................................................
1.3.2 Tính toán lý thuyết và đo lường mô phỏng........................................................
1.4.Mạch ổn áp dùng diode Zener...................................................................................
1.4.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.........................................................................
1.4.2 Tính toán lý thuyết và đo lường mô phỏng........................................................
1.5.Mạch hạn chế: Mạch hạn chế mức dưới dương........................................................
1.5.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.........................................................................
1.5.2 Tính toán lý thuyết và đo lường mô phỏng........................................................
2.1 Đặc tuyến vào EC................................................................................................
2.2 Đặc tuyến ra EC...................................................................................................
PAGE \* MERGEFORMAT2
HÌNH ẢNH MẠCH
Hình 1- 1 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ.............................................................4
Hình 1- 2 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ không có tụ lọc...................................4
Hình 1- 3 Kết quả đo mạch chỉnh lưu nửa chu ký không có tụ lọc...........................6
Hình 1- 4 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc..............................................7
Hình 1- 5 Kết quả đo mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc......................................8
Hình 1- 6 Sơ đồ mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, 2 nguồn................................................9
Hình 1- 7 Kết quả đo mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, hai nguồn.....................................9
Hình 1- 8 Sơ đồ mạch chỉnh lưu cầu.........................................................................9
Hình 1- 9 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu không tụ lọc.........................12
Hình 1- 10 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu có tụ lọc.............................12
Hình 1- 11 Sơ đồ mạch ổn áp bằng diode zener..........................................................
Hình 1- 12 Sơ đồ mạch hạn chế mức dưới dương...................................................15
Hình 1- 13 Kết quả đo mô phỏng mạch hạn chế mức dưới dương.........................16
CHƯƠNG 2: BIJ.......................................................................................................17
2.1 Đặc tuyến vào EC..........................................................................................17
2.1.1 Sơ đồ mạch đo đặc tuyến vào.................................................................17
2.1.2 Đường đặc tuyến vào..............................................................................18
2.2 Đặc tuyến ra EC.............................................................................................19
2.2.1 Sơ đồ đo mạch đặc tuyến ra....................................................................19
2.2.2 Đường đặc tuyến ra................................................................................19
2.3 Mạch phân cực Bazơ ( Phân cực bằng dòng cố định )..................................19
2.3.1 Nguyên lý và cấu tao hoạt động.............................................................20
PAGE \* MERGEFORMAT2
2.3.2 Sự phụ thuộc của hệ số khuếch đại dòng điên vào dòng 𝐼𝐶...................20
2.3.3 Tính toán lý thuyết..................................................................................21
2.3.4 Phương trình đường tải...........................................................................21
2.4 Mạch phân cực Emitơ....................................................................................22
2.4.1 Cấu tạo và nguyên lý của mạch phân cực Emitơ....................................22
2.4.2 Thông số đo đạt......................................................................................23
2.4.3 Tính toán theo lý thuyết..........................................................................24
2.4.4 Phương trình đường tải...........................................................................24
2.5 Mạch phân cực phân áp.................................................................................25
2.5.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.............................................................25
2.5.2 Thông số đo đạt......................................................................................26
2.5.3 Tính toán lý thuyết..................................................................................26
2.5.4 Phương trình đường tải:..........................................................................27
2.6 Mạch phân cực hồi tiếp Collector.................................................................29
2.6.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.............................................................30
2.6.2 Thông số đo đạt......................................................................................31
2.6.3 Tính toán lý thuyết..................................................................................32
2.6.4.Phương trình đường tải............................................................................33
PAGE \* MERGEFORMAT2
CHƯƠNG 1. DIODE
Ứng dụng phổ biến của diode: Chỉnh lưu, Ổn áp và Hạn chế
1.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kì:
* Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
Mạch chỉnh lưu nửa chu kì gồm một diode chỉnh lưu, một điện trở hạn chế dòng, một tụ
lọc (nếu cần) và nguồn xoay chiều được ghép nối như hình vẽ.
PAGE \* MERGEFORMAT2
Hình 1- 2 Sơ đồ mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ không có tụ lọc
PAGE \* MERGEFORMAT2
Hình 1- 3 Kết quả đo mạch chỉnh lưu nửa chu ký không có tụ lọc
c. Một số giá trị Uv và Ur tại các mốc thời gian:
STT t(ms) Uv(V) Ur(V)
1 0 0 0
2 T
=5 5.223 4.420
4
3 T
=10 0.505 0.116938
2
4 3Τ
=15 -4.723 -0.02552
4
Nhận xét: Kết quả đo mô phỏng và kết quả tính toán lý thuyết tương đối bằng nhau. Ở
thời điểm 3T/4, Ura có giá trị âm do qua diode thực tế không chặn hoàn toàn dòng điện
mà luôn có một dòng điện ngược rất rất nhỏ chạy qua khi diode phân cực ngược
PAGE \* MERGEFORMAT2
1.2.2. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc:
a, Sơ đồ mạch
Cho số liệu UV=5cos(100πt) V; UD0 = 0,68V; rD = 0
Rt=5.4kΩ ; rD = 0Ω
D1: 1N4004 ; C1=50µF
Điện áp chỉnh lưu : U0~Um=5V
PAGE \* MERGEFORMAT2
c, Một số giá trị Uv và Ur tại các mốc thời gian
3 T
=10 0.000020175 4.334
2
4 3Τ
=15 -5.000 4.255
4
5 Τ =20 -
4.177
0.000283602
Bảng 1- 2 Kết quả đo mô phỏng mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ có tụ lọc
Nhận xét: Ura được san phẳng nhờ tụ lọc phóng điện bổ xung
PAGE \* MERGEFORMAT2
1.2. Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kì:
1.2.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, hai nguồn gồm: hai nguồn vào, 2 Diode bán dẫn và 1 điện
trở được mô tả như hình vẽ
PAGE \* MERGEFORMAT2
Hình 1- 7 Kết quả đo mạch chỉnh lưu cả chu kỳ, hai nguồn
BẢNG SỐ LIỆU
3 T
=10 -0.008855 0.008855 -0.0000145
2
4 3Τ
=15 -1.244 1.244 0.807152
4
PAGE \* MERGEFORMAT2
1.3. Mạch chỉnh lưu cầu:
1.3.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
Mạch chỉnh lưu cầu gồm 4 diode chỉnh lưu, một điện trở hạn chế dòng, một tụ lọc (nếu
cần) và một nguồn xoay chiều được ghép nối như hình vẽ.
Bảng số liệu:
3 T
=10 -0.00167 32.909
2
PAGE \* MERGEFORMAT2
4 3Τ
=15 -49.761 48.470
4
PAGE \* MERGEFORMAT2
E 12
Uz = R + Rt Rt = 3 3 5700 = 9.913V
1.2∗10 +5.7∗10
E 12
I = IR = IRt = R + Rt = 3 3 = 1.739mA
1.2∗10 +5.7∗10
PAGE \* MERGEFORMAT2
1.5. Mạch hạn chế: Mạch hạn chế mức dưới dương ( Không có tải )
1.5.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
- Mạch hạn chế mức dưới gồm 1 diode chỉnh lưu ,1 điện trở hạn chế, 1 nguồn 1 chiều, 1
nguồn xoay chiều được ghép nối như hình:
PAGE \* MERGEFORMAT2
Hình 1.13: Kết quả đo trên mô phỏng mạch hạn chế mức dưới dương nối tiếp
Bảng số liệu:
3 T
=10 -1.017 5.337
2
4 3Τ
=15 -9.963 5.306
4
PAGE \* MERGEFORMAT2
CHƯƠNG 2: BIJ
2.1 Đặc tuyến vào EC
2.1.1 Sơ đồ mạch đo đặc tuyến vào
PAGE \* MERGEFORMAT2
2.2. Đặc tuyến ra EC
2.2.1. Sơ đồ đo mạch đặc tuyến ra
18
2.3 Mạch phân cực Bazơ ( Phân cực bằng dòng cố định )
2.3.1 Nguyên lý và cấu tao hoạt động
- Mạch gồm có hai điện trở được mắc ở cực Bazơ và cực Collecter, 1 transistor hai
tụ điện và một nguồn nuôi Ec mắc ở cực Collecter.
- Điện trở RB có giá trị lớn hơn RC để tạo ra điện thế của cực C cao hơn cực B, lớp
tiếp giáp Collecter – Bazơ phân cực ngược. Cực Emiter nối với đất lớp tiếp giáp
Emiter – Bazơ phân cực thuận. Cách mắc đảm bảo cho BIJ làm việc trong vùng
khuếch đại.
19
Transistor 2N2214 (MSSV: 20224054) dựa theo Datasheet là transistor Si loại
NPN U CB = 0.7V, có hệ số khuếch đại từ 35 - 300
Chọn RC = 5.4 kΩ
Cách chọn R B: Để đảm bảo cho BIJ 2N2214 làm việc trong vùng tích cực ( vùng
khuếch đại ) thì điều kiện là U E <U B <U C nên ta có:
EC −I B∗R B < EC −I C ∗RC ⇔ I B∗R B > I C∗RC ⇔ R B > β R C
Mà hệ số khuếch đại dòng điện phụ thuộc vào dòng I C nên chọn
R B=β max RC =2700 kΩđể đảm bảo lớp tiếp giáp Emitơ – Bazơ phân cực ngược.
2.3.2 Sự phụ thuộc của hệ số khuếch đại dòng điện vào dòng I C
EC (V ) I C (mA ) I B (µA) β
2 0.013 0.222 59
4 0.045 0.888 51
6 0.088 0.888 99
8 0.14 1.776 79
10 0.203 1.776 114
12 0.272 1.776 153
14 0.35 3.553 98
20
I C =β I B
Theo như đo đạt thực nghiệm tính toán hệ số khuếch đại dòng điện là β=234
Thay số tính toán ta có
EC −U CB
I B= =0.001776 mA
RB
I C =β∗I B =0.272 mA
U CE =E C −I C∗RC =10.5312 V
Theo thông số đo được trên NI và thông số tính toán theo lý thuyết tao có làm việc tĩnh Q:
Đại lượng Lý thuyết Đo đạt
I B(mA) 0.007780 0.007874
U CE max ¿ 14(V )
21
IC PHƯƠNG TRÌNH ĐƯỜNG TẢI
0.35
0.3
I C(A) 0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0 2 4 6 8 10 12 14
U CE (V)
Hình 2.2: Phương trình đường tải
22
2.4.1 Cấu tạo và nguyên lý của mạch phân cực Emitơ
Cấu tạo: Mạch gầm một nguồn nuôi Ec một transistor 2N3707, 3 điện trở Rc , R B , RE
lắp ở ba cực của transistor.
Nguyên lý: Mạch được mắc như hình vẽ trong đó điện trở được mắc với cực B lớn
hơn rất nhiều so với điện trở lắp với cực C để lớp tiếp giáp Collector và Bazơ phân
cực ngược. Lớp tiếp giáp Emitơ và Bazơ luôn phân cực thuận. BIJ 2N3707 làm
việc trong vùng khuếch đại.
23
Theo mô phỏng tính toán điểm làm việc tĩnh của transistor là Q (0.000005329,
0.00111, 4.56)
Khi đó hệ số khuếch đại dòng điện là: β=208
2.4.3 Tính toán theo lý thuyết
Cho Ec =12 V , β=208, transistor Si, R E=1 kΩ , R B=2280 kΩ , RC =5.7 kΩ.
Xét mạch vào: EC → R B → U B → U E → R E → GND
EC −I B∗R B−U CB−I E∗R E =0
I C =β I B
I E =I C + I B = ( β +1 )∗I B
Theo như đo đạt thực nghiệm tính toán hệ số khuếch đại dòng điện là β=208
Thay số tính toán ta có
EC −U CB
I B= =0.00454 mA
(RB + ( β +1 )∗R E )
I C =β∗I B =0.944 mA
Q Lý thuyết Đo đạt
I B (mA) 0.00454 0.005329
I C (mA ) 0.944 1.11
U CE (V ) 5.67034 4.56
24
EC
I C max ¿ =1.791 (mA )
RE∗β +1
RC +
β
U CE max ¿ 12(V )
25
26
2.5. Mạch phân cực hòi tiếp Collector:
2.5.1 Cấu tạo, Nguyên lý hoạt động
- Cấu tạo: Mạch gồm ba điện trở 1 transistor được bố trí như hình vẽ:
- Nguyên lý hoạt động: Phân cực hồi tiếp Collector không yêu cầu R B cần lớn hơn
nhiều lần so với RC như phân cực Base hay phân cực Emitơ để đảm bảo phân cực
ngược của lớp tiếp giáp Collector và Base. Với cách mắc như hình vẽ thì phân cực
hồi tiếp Collector luôn đảm bảo transistor làm việc trong vùng tích cực với mọi giá
trị điện trở của R B và RC .
27
2.5.2. Thông số đo được
- Với các thông số đầu vào là EC =12V , RC =4.0 kΩ , R B=1 kΩ , R E=1 kΩ Transistor
2N3020
- Thông số đo đạt được của điểm làm việc tĩnh Q là:
IC
I C =2.197 ( mA ) , I B=0.063 ( mA ) ,U CE =0.702(V ), β ¿ =35
IB
I C =β I B
I C =I E
I C =β∗I B =2.24 mA
U CE =E C −I C∗RC −I E∗R E =0 , 8V
Q Lý thuyết Đo đạt
I B(mA) 0.064 0.063
I C (mA) 2.24 2.197
U CE (V) 0.8 0.702
Bảng 2.4: Kết quả đo và lý thuyết mạch phân cực hồi tiếp collector
2.5.3. Phương trình đường tải:
28
U CE =E C −I C∗RC −I E∗R E
EC
I C max ¿ =2 .386(mA )
RC + R E
U CE max ¿ 12(V )
29
2.6. Mạch phân cực phân áp:
2.6.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động:
Cấu tạo: Mạch có cấu tạo như hình vẽ gồm 4 điện trở một transistor 2N, một nguồn
nuôi EC được mắc như hình.
Nguyên lý hoạt động: Mắc mạch với điện trở R1, R2 lớn hơn nhiều so với điện trở
RC để đảm bảo lớp Je phân cực ngược và BIJ làm việc tròn vùng tích cực.
2.6.2 Thông số đo đạt.
Với các thông số đầu vào EC =12V , RC =1kΩ , R 1=100 kΩ , R2=100 kΩ , R E=1 kΩ
transistor 2N3020
Thông số đo đạt được của điểm làm việc tĩnh Q là:
I C =2.798 ( mA ) , I B=0.05 ( mA ) , U CE =6.356 (V )
β=55
30
Biến đổi tương đương mạch phân cực phân áp theo định lý Thevenin ta có:
31
I C =β∗I B
U CE =E C −I C∗RC −I E∗R E =V
EC
I C max ¿ =6(mA )
RE∗β +1
RC +
β
U CE max ¿ 12(V )
0
0 2 4 6 8 10 12 14
UCE