河 南 科 技 大 学

第四章 半导体的导电性
(4学时)

1 科研导论-河南科技大学物理工程学院
 之前我们讲了单个电子的运动（第一章）
和载流子（大量电子）的统计分布（第三章）
之后，第四章开始讲大量电子的运动规律，而
大量电子的有序运动必然形成电流。
导体中形成电流具备的两个条件：
1. 可移动的带电粒子；2. 电势差

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4.1 载流子的漂移运动和迁移率

3 科研导论-河南科技大学物理工程学院
1. 欧姆定律（金属导体）

U l
I R 
R s
以上各参数都是宏观量，无法反映导体内部
各处电流分布，尤其是对于半导体而言，内部电流

I dl
分布不均匀无法体现。

因此，引入参量： J  dR  
S ds

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欧姆定律微分形式：

dI dU dU
J   E

dS dRdS dl

通过导体中某一点的电流密度等于该点
电导率乘以该点处的场强。

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2. 漂移速度和迁移率（运动）

v d 表示电子平均漂移速度（各电子漂移速度不同，后面会讲到）
漂移运动：电子在电场力作用下的定向运动

那么漂移速度与电流之间有什么关系？
A O

I：单位时间内通过导体某一横截面(A)的电荷量
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dI  n(  q)dV  n(  q)(v d  1)dS   nqv d dS
dI
J   nqv d
dS
体现了电与运动的关系

JE ，所以，  nqv d   E

 
又因为

vd

E
定义 可以看出迁移率表征的是单位
场强下电子运动的快慢的物理量。

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 
可推得  
nq
习惯写成   nq
反映了电参数与运动参数的关系。

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3.半导体中的迁移率和电导率

1） E 不大的情况下（ <103V/cm ），J   E


2）两种载流子：电子和空穴

电子和空穴的平均漂移速度不同：
1）电子脱离共价键，无束缚自由电子，导带中

vd
2）空穴是从一个价键到另一个价键，价带中
所以根据  
E
可知，电子的迁移率大于空
穴的。
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 J  J n  J p  (nq n  pq p ) E


所以半导体的   nq n  pq p

具体到n型半导体：   nq n
P型半导体：   pq p

本征半导体：   n i q( n   p )

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 4.2 载流子的散射

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1. 载流子的热运动和电场运动

对电子而言，受到恒力  q E ，匀加速运动，
电子在电场作用下定向运动形成电流。

v d不断增大，超导了？J无限增大？？

实际上， J   E ，E不变，J 不变


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原因：
1） 无电场时，无规则热运动，各方向运动概率均等，
无电流产生，称为自由电子（载流子）；
实际上，晶体内有本体原子和杂质原子，运动过
程中发生碰撞，因此自由仅在两次碰撞之间存在，称
为平均自由程（平均自由时间）；
其实在碰撞作用下，某些电子各方向的运动概率
也不同，比如边界处、表面、界面处等。

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2）加外电场，载流子定向运动，同时仍不断地发
生碰撞。
一方面，在定向前进的同时附加着有各个碰撞
后的方向，但定向的概率更大；
另一方面，加速仅在两次碰撞间产生，速度随
着一次碰撞就损失而无法积累，整体而言是恒速
曲折地前进。
这种碰撞称为散射。
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n 载流子在外电场作用下的实际运动轨迹应该是热

n 在恒定电场作用下，电流密度是恒定的。
运动和漂移运动的叠加。

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2. 半导体主要散射机构


附加势场  U 使得 k变为 k，由于 k 发生了变化，
 
散射实质：晶格局部，周期性势场的破坏，


导致载流子的整个运动方式都发生了改变（ k 决
定了电子的运动状态）。因此，散射不单指碰撞或


致 k 发生变化的都可称为散射。
者是力的作用，只要是会产生附加势场（扰动）导

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1）电离杂质散射

施主杂质----电离为正电离子
库仑势场
（有俘获的可能）
受主杂质----电离为负电离子

Ø 散射概率：单位时间内一个

Pi  NT
载流子受到的散射次数
 23

电离杂质浓度越高，越容易被散射

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温度越高，速度越快，越不容易散射
17
2）晶格振动散射
原子振动由若干不同的基本波动按波的叠加
原理组合而成。

① 格波

 1
矢用 q 表示， q  ，具有同样 q的格波不止一
 
最基本的波动方式称为格波，原子的格波波


个，对于只含一个原子的原胞，每一个 q 具有三

个格波；

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 对于硅、锗和III-V族半导体来说，1个原胞
都包含2个原子，因此是6个格波；2N个原子是6N
个格波，分成6支格波。

按照频率和振动方式来分：频率较低的3支
为声学波，频率较高的3支为光学波。

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n 从振动频率来看
声学波：频率正比于波数，如同连续介质的弹性波，
类似于声波；
光学波：频率为常数，与波数无关。

n 从振动方式来看
(长)声学波---原胞质心的振动，两原子同方向振动；
(长)光学波---两个原子相对振动
无论是声学波还是光学波都是一个纵波，两个横波。
20 科研导论-河南科技大学物理工程学院
 格波的变化：一份份的，看作是 n  ha，其中
一个 ha看作一个粒子，称为声子。

因此有：声学波声子和光学波声子。

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 Ps  T
② 声学波散射
3/2

③ 光学波散射
离子性晶体（IV-VI族）、共价键晶体(含离子成

1
分,Ⅲ-Ⅴ族)、原子晶体（Si、Ge温度不太低时）
P0 
 h  
exp   1
 k 0T 
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3）其他因素引起的散射（自学）
① 等同能谷间散射；② 中性杂质散射；
③ 位错散射；④ 合金散射；⑤ 载流子散射

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4.3 迁移率与杂质浓度、温度的关系

24 科研导论-河南科技大学物理工程学院
1. 平均自由时间和散射概率的关系

平均自由时间：各个载流子的自由时间取平均。
载流子的速度各不相同，有一个统计分布，忽略。

以电子为例，设N个电子以速度v运动

N(t)：t时刻未被散射电子数
t～t+△t时间内被散射电子数为：N(t)•P•△t
N(t+△t)：t+△t时刻未被散射电子数

25 科研导论-河南科技大学物理工程学院
 N(t)- N(t+△t)= N(t)•P•△t

当△t→0

dN  t 
   Pdt
Nt
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 dN  t 
    P  dt
N t 

N t
t

N0 0

N t 

 ln N0
  Pt

 N  t   N0e  pt

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 N
t～t+dt被散射电子数： 0 e  pt
• P • dt

这些电子的自由时间是t

因此总自由时间是：t•( N 0 e
 pt
• P • dt)

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 取平均，平均自由时间为：

 N 0 Pe tdt  P  e tdt  P  td(e

1 1
 )(  )
  
 pt  pt  pt

N0 0 0 0 P

)   e dt]  
1
 [(te e dt 
 
 pt   pt  pt

P
0
0 0

29 科研导论-河南科技大学物理工程学院
2. 迁移率、电导率与平均自由时间的关系

  nq n  pq p
vd

E
各向同性、单极值，先求 vd
X方向加外场，单电子
t=0时，被散射，散射后x方向分速度Vx0
t=t时，又被散射，此期间作匀加速运动 
qE
第二次散射前单个电子速度 v  v  t
mn
x x0 *

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 N0个电子 v x  v x0  v  v为平均获得速度
由于电子数目众多，碰撞后各方向几率相等，

v x0 =0
t～t+dt被散射电子数：N 0 e • P • dt
 pt


每个电子获得的速度为：  qE
t
m *
n
31 科研导论-河南科技大学物理工程学院
 

qE
平均漂移速度：



t N 0 Pe dt
 pt  
m*n qE 1 qE
v x  v    *   * n
0

N0 mn P mn
v d q n
迁移率：    *
E mn
nq 2  n
 n  nq n 
m*n
电导率：n型

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椭球面、多极值（自学）
32
 
3. 迁移率与杂质浓度和温度的关系

   N 1T 3/2
v d q n 
1       T 3/2
i i

  *  
E mn P 
s

h 
 o  exp( )
 k0T

1 1 1
多种散射机构： P=P1+P2+…

1 1 1
     
 1 2  1  2
33 科研导论-河南科技大学物理工程学院
 Si、Ge：主要依靠电离杂质散射和声学波散射
定性分析：

q q 1
s  *  *
m m AT
声学波：
3/2

q q T 3/2
i  *  *
电离杂质：

m m BN i
其中A、B都是大于0的常数。
34 科研导论-河南科技大学物理工程学院
 Si、Ge：

1 1 q 1
   *
1

s  i m AT  BNi / T
3/2 3/2

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 Si、Ge：

1）同一温度T，Ni↗，μn↘；
2）同一杂质浓度Ni，
1013～1018 ，T↗，μn↘
1019，T↗，μn↗↘

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 AT 3/2
 BNi / T 3/2

3 3
一阶导数： AT  BNi / T 5/2  0
有最值，
1/2

2 2
BNi
T 
3
有最值，且与Ni有关。
A
3 15
二阶导数： AT
1/2
 BNi / T 7/2
 0 最小值
4 4
因此，μ有最大值。
当为纯半导体时，Ni→0，无电离杂质散射，
无最值，或者说T3→0；此时μ→∞
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 左图中可以看出，
不仅横坐标温度T的最大
值随着Ni上升而右移，
而且整体曲线趋缓。

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4.4 电阻率与杂质浓度、温度的关系

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1. 电阻率与杂质浓度的关系

n型：ρ仅与n、μn有关，n和μn分别与ND、T有关；
补偿型： ρ与n、p、μn、μp有关，
n、p与 N D  N A 、T有关，
μn、μp与（N D +N A）、T有关。

轻掺杂 ND↗ ρ↘
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2.电阻率与温度的变化

1

① 纯半导体（本征半导体）

n i q( n   p ) 仅有晶格振动

Eg Eg
n i  (N c N v ) exp( 
1/2
)T 3/2
exp(  )
2k 0T 2k 0 T

q 1
T↗ ni↗ ρ↘

= * T 3/2

m AT 3/2
T↗ μn↘ ρ↗
总体的变化：ρ↘
41 科研导论-河南科技大学物理工程学院
② 杂质半导体
n：与杂质电离或本征激发，

μn：与晶格振动散射或杂质
谁占主导有关；

电离散射，谁占主导有关。
AB段：T很低，n本征激发可忽略，杂质电离占

μn散射主要以电离杂质散射为主，
主导，T↗ n↗ ρ↘；

T↗ μn↗ ρ↘
42 科研导论-河南科技大学物理工程学院
BC段：室温范围
n：杂质电离主导，杂质全部电离，n0=ND，T↗

μn ：散射以晶格振动为主，  T ，T↗μn↘ρ↗
3/2
n0不变；

总体变化：ρ↗

所以实际应用的阶段，居然是ρ随着温度T上
升的，这是由晶格振动散射引起的。

43 科研导论-河南科技大学物理工程学院
 Eg
n 本征激发为主， n i  T exp( 
C段：高温阶段
3/2
)
2k 0 T

T 3/2
T↗ n i↗ ρ↘
μn 晶格振动为主，

T↗ μn↘ ρ↗

总体的变化：ρ↘

44 科研导论-河南科技大学物理工程学院
 思考一下对于金属导体、纯绝缘体，随着温
度上升，电阻率如何变化？

1）金属导体：价电子处于半满带，因此全部电离
为自由电子，随温度上升电子浓度不变；而金属导
体中仅有晶格振动散射，随T上升，晶格振动加强，
迁移率μ下降，电阻率上升。所以两者综合，最终
电阻率上升。

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 2）纯绝缘体：是禁带宽
度很宽的半导体，与纯半
导体趋势一样，但更趋缓。

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单选题 1分

1. 若某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，
该材料是（）

A 金属

B 掺杂半导体

C 本征半导体

D 高纯化合物半导体

提交
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单选题 1分

2. 如图所示，对于掺杂的硅材料，AB段电阻率
随温度升高而下降的原因是（）

A 杂质电离和电离杂质散射

B 本征激发和晶格散射

C 晶格散射

D 本征激发

提交
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单选题 1分

3. 对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：

A 声学波散射和光学波散射

B 光学波散射和电离杂质散射

C 声学波散射和电离杂质散射

D 光学波散射

提交
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多选题 1分

4. . 对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，其主要的散射机构
有（）

A 电离杂质散射

B 载流子间散射

C 声学波散射

D 光学波散射

提交
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