第七章 多級放大與頻率響應

※7-1 一般串接系統概說
1.電晶體以串接或複接方式，可提高放大器的增益
(1).若相互連接的各級都是相同組態，謂之串接(cascaded)。
(2).若各級間組態及連接方式不盡相同，謂之複接(compound)。
2.N 級放大電路之後級輸入阻抗即為前一極的負載阻抗：其結構如圖(7-1-1)所示：
(1).總電壓增益＝各級電壓增益之連乘積即：AvT＝Av1×Av2×Av3×Av4..........×Avn
(2).總電流增益＝各級電流增益之連乘積即：AiT＝Ai1×Ai2×Ai3×Ai4..........×Ain
(3).總功率增益＝各級功率增益之連乘積即：
ZL Z
ApT＝Ap1×Ap2×Ap3×Ap4..........×Apn 或 ApT＝AvT×AiT＝AiT2× ＝AvT2× i1
Zi ZL
(4).串級放大電路一般級間耦合方式有四種(耦合即交連)
A.電阻電容(RC)交連。 i i 第1級 i i 第2級i i i1 i o1 i2 o2 in 第n級 ion io = −ion
B.電感(LC)交連。 + A +
A
+ +
Avn
+
C.變壓器交連。
v1 v2
R S
v v =v v =v v =v von ZL
D.直接交連。
i1 o1 i2 o2 i3 on −1 in
v S
A A Ain
− − − − −
(5).良好的交連電路應具備如下耦合特性 ：
i1 i2

A.失真要小。 Z Z Z Z i1 Z o1 i2 o2 in Z on

B.可將前後級之輸出訊號低損失的傳送至次級。 圖(7-1-1)
C.只負責將上一級的輸出訊號送至下一級的電路，而不影響前後級放大電路的工作點。
3.放大器分貝增益：
(1).揚聲器之音量大小與輸出功率成正比，但人耳對於音量的感覺度是呈對數形式的反應。
(2).為了方便兩訊號大小的比較，常取其對數形態，其定義首先由貝爾導出即 ：
P (輸出功率)
貝爾(B)＝log 2
P1 (輸入功率)
(3).實際測量貝爾單位太大，所以改用分貝(dB)即 ：
P (輸出功率)
1 貝爾(B)＝ 10(dB)分貝⇒ dB＝10×log 2 ＝10×logAP
P1 (輸入功率)
(4).如果以 1mW 的功率，消耗在 600Ω 的電阻上( 音頻輸送線的特性阻抗值 )為參考值，則其功率增益分貝數通
常用 dBm 表示 ：
P (輸出功率)
dBm＝10log 2 600Ω
1mW
(5).一般所謂 0dB 即以 600Ω 的負載電阻上消耗 1mW 的功率為標準，此時負載電阻兩端的電壓為 0.775V。
(6).dB 數以電壓，電流關係表示：
V22
P (輸出功率) R V R R
dB＝10×log 2 ＝10×log 22 ＝20×log 2 ＋10×log 1 ＝20×logAv＋10×log 1
P1 (輸入功率) V1 V1 R2 R2
R1
I 22 R2 I R R
＝10×log 2
＝20×log 2 ＋10×log 2 ＝20×logAi＋10×log 2
I1 R1 I1 R1 R1
VI V I
＝10×log( 2 2 )＝10×log 2 ＋10×log 2 ＝10×logAv＋10×logAi
V1I1 V1 I1
V I
(7).若負載相同時則： dB＝20×log 2 ＝20×log 2 dB＝20×logAv＝20×logAi
V1 I1
(8).分貝增益： A.電壓分貝增益：Av(dB)＝ 20×logAv
B.電流分貝增益：Ai(dB)＝ 20×logAi
1
C.功率分貝增益：AP(dB)＝ 10×logAP＝ (Av(dB)＋Ai(dB))
2
多級放大 1
(9).串級放大器之總分貝增益＝各級分貝增益之和即：A.AvT(dB)＝Av1(dB)＋Av2(dB)＋Av3(dB) ＋Avn(dB)
B.AiT(dB)＝Ai1(dB)＋Ai2(dB)＋Ai3(dB) ＋Ain(dB)
C.ApT(dB)＝Ap1(dB)＋Ap2(dB)＋Ap3(dB) ＋Apn(dB)
※7-2 電阻電容交連放大電路(RC 耦合)
1.如圖(7-2-1)所示為一 RC 交連二級放大電路，電路之前後以電容做連接，使前級放大器之間對交流電壓形成短路，
但對直流形成開路，故直流分析時此電容稱為阻隔電容。
2.優點 第一級 第二級

(1).結構簡單，成本低。 V CC

(2).頻率響應良好。 R 1
R C1 C R′
R
C C 1
C2
o

(3).雜音低，受磁感應所產生交流聲最小。 i C

3.缺點 R
v o

(1).電阻性負載功率損失較大，僅適用於低功率放大
v 2 R′ 2
i R E1C R
E1 C R E2 E2 L

或電壓放大。
(2).前後級阻抗不易匹配，效率低。 圖(7-2-1)
(3).受交連電容影響，低頻響應差。
4.電路分析：
(1).直流分析：各級直流因耦合電容對直流形成斷路效應，因此互不影響，直流分析依單極放大直流分析技巧。
(2).交流分析：等效電路如圖(7-2-2)
(A).輸入阻抗：
Zi＝R1//R2//rπ1
(B).輸出阻抗：
Zo＝RC2//RL
RBB1＝R1//R2
R`C1＝RC1//R`1//R`2 圖(7-4-2)
i i i i i i RBB1 R`C1 RC 2
(C).電流增益：AiT＝ o ＝ b1 × c1 × b 2 × c 2 × o ＝ ×β1×(- )×β2×-( )
ii ii ib1 ic1 ib 2 ic 2 RBB1 + rπ 1 R`C1 + rπ 2 RC 2 + RL
v i × RL i R R
(D).電壓增益：AvT＝ o ＝ o ＝ o × L ＝AiT× L
vi ii × Z i ii Z i Zi
(E).功率增益：ApT＝AvT×AiT
※7-3 變壓器耦合
1.變壓器交連放大器係以變壓器來取代 RC 交連之方式如圖(7-3-1)所示：
2.各級之間所用的是降壓變壓器，而與訊號源相連接時則採用升壓變壓器。
3.變壓器之初級，次級圈關係 ： 第一級 +VCC 第二級

N1 V I Z Z1
n＝ ＝ 1＝ 2＝ 1 ＝n2
R1 R′1
n1 n2 n3
+
N2 V2 I1 Z2 Z2 vi
+
vo
RL
−
4.優點 − T1
R2 C1 RE1 CE1
T2
C2 RE2 CE2
T3
R′2
(1).具有較高的功率及效率。(2).阻抗匹配良好。
(3).直流隔離效果較好。 (4).輸出電壓可作升降壓。
圖(7-3-1)
5.缺點
(1).易受附近交流磁場之干擾。 (3).體積大。
(2).易受變壓器的電感抗 XL 及線圈之雜散電容影響，頻率響應不佳。 (4).成本高。
6.理想變壓器 P1＝P2
(1).無功率損失：藉變壓器可提升電壓，亦可提升電流，但因變壓器為一被動元件故其功率不可能大於 1。
(2).耦和係數等於 1 本身無銅損失及鐵損失，也沒有漏磁及分佈電容。
(3).具有 100%轉換效率。

多級放大 2
※7-4 直接交連放大
※7-4-1 電阻交連式
1.直接交連其級與級間之交連不藉任何元件而採直接連接方式，又稱為直流放大器。如圖(7-4-1)所示。
2.優點 第一級 第二級

(1).減少交連電路的能量損失。
VCC

I +I
(2).減少交連電路的移相。
R R I C1 C1 B2 C2 C2
R C B o

C I I vo

(3).放大頻率甚寬可達低頻 0Hz。
i B1 B2

(4).降低成本。
+ RL
v i
− R I C R I C E1 E2

3.缺點
E1 E1 E2 E2

Z Z o

(1).阻抗匹配不容易。 (2).穩定性較差。 (3).放大級數不能太多。

i

圖(7-4-1)
4.為使電源較穩定，宜選用 ICO 較低矽質電晶體，或採用互補型電晶體之連接。
5.電路分析：
(1).直流分析
A.第一級：電路如圖(7-4-2)
輸入電路：VCC＝IB1×RB＋VBE1＋IE1×RE1
VCC − VBE1
IB1＝
RB + (1 + β1 ) RE1
IC1＝β1IB1
IE1＝(1＋β1)IB1
∵IB2<< IC1 ∴VCE1＝VCC－IC1×RC1－IE1×RE1 圖(7-4-2)
B.第二級：電路如圖(7-4-3)
輸入電路：VCC＝(IC1＋IB2)×RC1＋VBE2＋IE2×RE2
V − I C1 RC1 − VBE 2
IB2＝ CC
RC1 + (1 + β 2 ) RE 2
IC2＝β2IB2
IE2＝(1＋β2)IB2
∴VCE2＝VCC－IC2×RC2－IE2×RE2
圖(7-4-3)
(2).交流分析：等效電路如圖(7-4-4)
A.輸入阻抗：Zi＝RB//rπ1
B.輸出阻抗：Zo＝RC2
i i i i i i
C.電流增益：AiT＝ o ＝ b1 × c1 × b 2 × c 2 × o
ii ii ib1 ic1 ib 2 ic 2
＝ RB ×β1×(- RC 1 )×β2×(-1)＝ β1 β 2 RB RC1
RB + rπ 1 RC1 + rπ 2 ( RB + rπ 1 )( RC1 + rπ 2 ) 圖(7-4-4)
vo i × Z o io Z o Z
D.電壓增益：AvT＝ ＝o ＝ × ＝AiT× o
vi ii × Z i ii Z i Zi
E.功率增益：ApT＝AvT×AiT
6.互補式電晶體特性相同，故其溫度效應相同，但由於 PNP 與 NPN 的差別，故能互相抵消，而達到穩定的效果。
※7-4-2 達靈頓交連
1.達靈頓交連方式 ：係由一射極隨耦器驅動另一射極隨耦器的複合電路組態。
2.如圖(7-4-5)所示為達靈頓交連的各種形態。
(1).同型連接 ： (2).異型連接 ：
I C1 + I C 2 IB2
IE2
I B2
IE 2 I E1 + IC 2
I C1 I E1
IC I E1 Q2 IE IC1 Q2 IC IE
I B1 IB I B1 IB I B1 IB I B1 IB
IC 2 IC 2
Q1 Q1 IC 2 Q1 Q1
IC 2
I E1 IE IC IE I C1 IC
Q2 Q2
I B2 I C1 I C1 + I C 2 I E1 IB2
I E2 I E1 + IC2 I E2

圖(7-4-5) 達靈頓交連
多級放大 3
2.達靈頓連接的特性：
(1).高輸入阻抗。 (2).低輸出阻抗。 (3).高電流增益。
(4).電壓增益近似於 1 但略小於 1，而且比單級射極隨耦器小。
(5).漏電流甚大：前級的漏電流 ICO 直接由後級加以放大，所以整體的漏電流甚大，易受溫度變化影響其穩定性，
為減少此項缺點，宜採用互補式連接以抵消其漏電流及溫度效應。
3.達靈頓連接的電流關係：如圖(7-4-6)
IBD＝IB1 IED＝IE2＝IB2×(1＋β2)
IB2＝IE1＝IB1×(1＋β1) ＝IB1×(1＋β1)×(1＋β2)
ICD＝IC1＋IC2 ＝IBD×(1＋β1)×(1＋β2)
＝β1IB1＋β2IB2 ＝IBD×(1＋β1＋β2＋β1β2)
＝β1IB1＋IB1×(1＋β1)β2 ＝IBD×(1＋β1＋β2＋β1β2)
＝IB1×(β1＋(1＋β1)β2) ＝IBD×(1＋βD)
＝IB1×(β1＋β2＋β1β2) βD＝β1＋β2＋β1β2
＝βDIBD ＝(1＋β1)×(1＋β2)-1 圖(7-4-6)
4.電路分析：
(1).直流分析：電路如圖(7-4-7) 第一級 第二級

V CC

VBED＝VBE1＋VBE2＝1.4V RB

βD＝β1＋β2＋β1β2＝(1＋β1)×(1＋β2)-1 Ci I B1
IC2
I E1 = I B 2
(1).輸入電路：VCC＝IBD×RB＋VBED＋IED×RE +
IE2 Co
vo
(2).輸出電路：VCC＝ICD×RC＋VCED vi
−
RE

Zi Zo

圖(7-4-7)
(2).交流分析：等效電路如圖(7-4-8)
(A).輸入阻抗：Zi＝RB//Zi1＝RB//(rπ1＋[(1＋β1)(rπ2＋(1＋β2)RE)]
＝RB//(rπ1＋[(1＋β1)rπ2＋(1＋β1)(1＋β2)RE]
rπ 1
rπ 2 +
(B).輸出阻抗：Zo＝RE//( 1 + β1 )＝RE//( rπ 2 + re1 )＝RE//(re2＋ re1 )≒re2
1+ β2 1 + β2 1+ β2

i i i i i i
(C).電流增益：AiT＝ o ＝ b1 × e1 × b2 × e 2 × o
ii ii ib1 ie1 ib 2 ie2
RB
＝ ×(1＋β1)×(1)×(1＋β2)×(1)
RB + Z i1
R (1 + β1 )(1 + β 2 )
＝ B
RB + Z i1
v i × RE i R R
(D).電壓增益：AvT＝ o ＝ o ＝ o × E ＝AiT× E ≦1
vi ii × Z i ii Z i Zi
(E).功率增益：ApT＝AvT×AiT 圖(7-4-8)
(三). 疊接放大器 ：係由一 CE 組態驅動一 CB 組態的複合電路組態。

※7-5 多級放大器的頻率響應
1.頻率響應曲線 ：放大器之增益隨頻率之變化而變化，兩者間之關係即稱為頻率響應曲線。
2.通常放大器的增益都以中頻段為基準，如圖(7-5-1) 圖(7-5-2)所示為三種耦合方式的頻率響應曲線 ：
3.影響放大器低頻響應的因素 ：(1).交連電容。 (2).射極旁路電容。
多級放大 4
4.影響放大器高頻響應的因素 ：
(1).極際電容。 A v
Avo
中頻段
(2).雜散(分佈)電容。 0.707Avo

(3).輸入電容。
(4).米勒電容。 fL fH
f (Hz)
(5).電晶體之 hfe。
(6).電晶體的接合電容。 圖(7-5-1) 圖(7-5-2)
( 順向偏壓時為擴散電容，逆向偏壓時為過渡電容 )
5.RC 耦合放大電路：圖(7-5-1)
(1).對高頻而言：因受電晶體之輸入電容，分佈電容，雜散電容及 hfe 的影響，使增益降低。
(2).對低頻而言：因受交連電容及旁路電容的影響，比中頻段差，且隨頻率的降低而降低。
6.變壓器耦合放大：電路圖(7-5-1)
(1).變壓器交連放大之頻率響應比 RC 交連要差很多。
(2).對高頻而言：由於分佈電容及輸入電容，雜散電容影響，使增益下降。
(3).對低頻而言：由於線圈阻抗的影響(XL＝2πfL，f↓XL↓)增益隨頻率的下降而下降。
7.直接耦合放大電路：圖(7-5-2)
(1).對高頻而言：因次級輸入電容之 XC 很小，且受電晶體之輸入電容，分佈電容，雜散電容及 hfe 的影響， 而使
增益較小。
(2).對低中頻而言：增益不受衰減。
(3).三種耦合放大器以直接交連頻率響應最好，RC 次之，變壓器耦合最差。
8.頻帶寬度：BW＝f2－f1 (f2 ：高頻截止頻率 f1 ：低頻截止頻率)
中頻段功率 Po(mid)＝ [Av( mid ) × V1 ]
2

Ro

截止頻率點功率 Po＝ [0.707 Av ( mid ) × V1 ] ＝0.5× [Av( mid ) × V1 ] ＝0.5×Po(mid)

2 2

Ro Ro
9.若以中頻段之增益分貝數為 0dB，則在截止頻率點為：
1
截止頻率點功率 dB＝20×log Av ＝20×log0.707＝20×log ＝20×log( 2 )-1＝20×log2)-0.5＝-3dB
Av(mid ) 2
該點稱為半功率點或下降 3dB 點
10. 串級系統之頻帶寬度 ：對一 N 級串級系統若級與級間不相互作用且截止頻率點相同則 ：
1
1
(1).高頻截止點：fH*(n)＝fH 2n −1 (2).低頻截止點：fL*(n)＝fL×
1
−1
n
2
(3).多級串接系統的低頻截止頻率較單級高，而高頻截止頻率則比單級低，而使頻寬變小，此乃因多級系統中提高
了增益卻降低了頻寬。
1

(4).不同的 n 值時，則 2 − 1 的值如下： n

n 1 2 3 4 5
1

2 −1
n 1 0.64 0.51 0.43 0.39

◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎

挫折來自你的放棄，不想放棄就要面對挫折
◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎
多級放大 5