Cơ bản về BJT

Transistor
Là một thiết bị bán dẫn 3 cực có dòng/áp/công suất ra được điều
khiển bằng dòng/áp vào
– Chúng ta có thể coi trasistor là nguồn áp/dòng được điều
khiển bằng dòng

Trong các HTTT, transistor dùng làm phần tử chính

trong bộ KĐ (amplifier).
Although in modern electronics, amplifiers are more conveniently
implemented using integrated circuits (IC) like operational amplifiers,
understanding of transistor amplifiers is useful as
 they serve as the building blocks of integrated-circuit amplifiers.
 they are used in high frequency applications e.g. in radio communications
circuits, where discrete transistor amplifiers are still popularly in use.
The analysis of BJT as amplifier is studied. They are divided into
 dc biasing in amplifier circuits,
 ac small-signal analysis by modeling the ac amplifier as a two-port network
 ac large-signal analysis which uses ac load line to determine the maximum
unclipped
Trong các thiết bị điện tử máy tính số, transistor thường dùng
làm các khóa điện tử tốc độ cao (high-speed electronic switch).
 Các loại Transistors
Theo tính chất vật lý của transistor, phân làm 2 loại
chính sau:
Transistor lưỡng cực - Bipolar Junction Transistor (BJT)
Transistor trường - Field-Effect Transistor (FET)
The single term transistor is generally used to identify as the
BJT, the field-effect transistor is simply referred to as a FET.

3
 BJT (cont’d): Gồm 3 cực

B
Cực B (Base).

 Cực C (Collector).

 Cực E (Emitter). E C

0.001 inches

Cấu tạo của BJT: 0.150 inches

Cực E Cực B

Vùng cực (E)

Vùng cực (B)

Lớp cách ly Metal
Oxide
Vùng cực (C)

Collector
Cực C
Terminal
 Ký hiệu mạch BJT
• Loại npn • Loại pnp

Ký hiệu mạch Ký hiệu mạch

Collector Collector

C
C
n p

Base p Base n
B B

n p

E E
Emitter Emitter
The arrow is always drawn on the emitter terminal.
The arrow always points toward the n-type material.
The arrow indicates the direction of flow for emitter current.
 Các lớp tiếp giáp BJT
 Transistor cấu tạo bởi 3 vật liệu bán dẫn.
 Các vật liệu bán dẫn này được ghép với nhau để tạo thành 2 tiếp giáp pn.
 2 tiếp giáp này là tiếp gíap base-emitter junction (B-E) và base-collector junction (B-C).

C
E n p n

Diode tiếp giáp E-B Diode tiếp giáp C-B

E C

B
 Hoạt động của BJT
 Để BJT hoạt động như là một bộ KĐ (amplifier), hai tiếp giáp pn phải được phân cực
đúng bằng nguồn DC ngoài.

 Để các BJT loại npn và pnp hoạt động như là một bộ KĐ amplifier, tiếp giáp B-E phải
phân cực thuận (PCT) còn tiếp giáp B-C phân cực ngược (PCN).

npn transistor pnp transistor

Collector Collector
V B>VC
V B<V C
Or V BC>0
Or V BC<0 –
Phân cực
+
Phân cực
ngược
ngược + p
– n

Base p Base n
+
V B<V Eand –
V B>V Eand p
V BE=0.7V n V EB=0.7V
– +
Or V BE>0 Or V EB>0
Phân cực Phân cực
thuận thuận Emitter
Emitter
 Dòng điện của npn BJT
 Dòng IE luôn chạy theo chiều mủi tên ra khỏi cực C
E.
IC
 Dòng IB chạy vào cực B.
IB
 Dòng IC chạy vào cực C. B

 VBE ≈ 0.6 V Khi BJT thông (ON). IE

 Hệ số KĐ β là một thông số không chính xác E

(“bad” parameter) => giá trị của nó có thể thay đổi
> ±50% so với trong databook (datasheet). IE = I B + I C
 Công thức IC = β.IB chỉ đúng trong một số điều kiện
nhất định (We’ll look at it later).
 pnp transistor
 In a pnp transistor, holes in C
the emitter region swamp
across the junction when the IC
emitter-base junction is IB
forward biased. B
 Dòng IE luôn chạy theo mủi
tên vào cực E. IE
 IB chạy ra khỏi cực B.
E
 IC chạy ra khỏi cực C.

IE = I B + I C
 Hệ số KĐ dòng của BJT
 Tỷ số giữu IC và IE gọi là hệ số KĐ dòng cực B chung 1 chiều (the DC common-
base current gain DC , DC alpha hay hFB trong sơ đồ hình h).
DC có giá trị 0.97 -> 0.998.

IC hay
 DC  I C   DC I E
IE

 Tỷ số IC và IB gọi là hệ số KĐ dòng 1 chiều cực E chung (DC common-emitter

current gain βDC , DC beta hay hFE trong sơ đồ thông số h).

 Giá trị của βDC từ dưới 10 đến vài trăm.

IC
 DC  hay I C   DC I B
IB

 Both αDC and βDC have no dimension.

 Hệ số KĐ dòng BJT (cont’d)
Quan hệ giữa βDC và DC :

 DC  DC
 DC   DC 
1   DC 1   DC
 Thường thì, βDC (DC beta) >100. VD: 2N3904 npn transistor có giá trị nhỏ nhất của βDC là
200.

 αDC  1 khi βDC lớn

 Nếu αDC  1, IC  IE, VD:

e.g. Nếu αDC = 0.995, Cho a βDC = 200

 IC = αDCIE = 0.995 IE  DC
 DC 
1   DC
Nếu IE = 1mA, IC = 0.995mA
200
 DC 
 Khi βDC 50, IC  IE. 1  200
 0.995
 Hệ số KĐ dòng BJT (cont’d)
• βDC (DC beta) từ 50 đến 300. Do đó IC thường lớn gấp 50 ->
300 dòng IB.

• IC tỷ lệ với IB.

• Lượng dòng IC có thể được điều khiển bằng dòng IB. Do đó

BJT còn gọi là thiết bị điều khiển bằng dòng.
 Hệ số KĐ dòng BJT (cont’d)
 Cả IB và IC đều phụ thuộc vào VBE , điện áp này cần phải phân cực
thuận.

 Để thay đổi IB, trước tiên phải thay đổi thiên áp VBE . Nhưng sự thay
đổi về VBE chỉ gây ra thay đổi nhỏ đối với IB. (Refer to diode I-V curve)

 Trong ứng dụng thực tế, VBE được coi là hằng số.
VBE =0.7 V nếu BJT làm bằng Si,
VBE =0.3 V nếu BJT làm bằng Ge

 Áp VCB cũng ảnh hưởng đến IC, nhưng ảnh hưởng này là không đáng
kể và thường được bỏ qua.
 VBE (V) VCE=0.5V VCE=1V VCE=5V VCE=10V
Plot IB~VBE
IB=2A 0.659 0.659 0.659 0.659

IB=10A 0.704 0.706 0.708 0.708

IB=20A 0.729 0.733 0.735 0.738

IB=30A 0.746 0.753 0.756 0.757

IB (A)
VCE = 0.5 V
VCE = 1 V

30 VCE = 5 V
VCE =10 V

20

10

VBE (V)

0.6 0.65 0.7 0.75 0.8

 Đặc tính đầu vào của BJT (IB~VBE) (cont’d)
 Đặc tính này tương tự đặc tính diode tiếp giáp pn (I~V).

 Dòng IB gần như bằng 0 khi VBE < 0.55V.

 IB bắt đầu tăng khi VBE > 0.6V.

 IB tăng nhanh (tuyến tính) khi VBE > 0.65V.

 Đặc tính này cũng phụ thuộc một chút vào VCE.
 Detailed BJT characteristics IB(VBE)
• Đặc tuyến Vào (IB versus VBE)
– Tất nhiên , VBE và IB liên hệ với nhau bởi đặc
tính diode.

16
 VCE=0.5V VCE=1V VCE=5V VCE=10V
Plot IC~VCE IC (mA)

IB=2A 0.291 0.299 0.306 0.307

IB=10A 1.316 1.328 1.339 1.352

IB=20A 2.51 2.52 2.59 2.65

IB=30A 3.71 3.74 3.85 3.95

IC (mA)
IB = 30A
4

3
IB = 20A

2
IB = 10A

1
IB = 2A
VCE (V)

1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
Đặc tính BJT IC(VCE) – Đặc tuyến ra

18
 Đặc tính đầu ra của BJT (IC~VCE) (cont’d)
 Khi IB nhỏ, ví dụ < 40µA, IC gần
Saturation
như không đổi trong toàn dải của IC (mA) region
VCE. Vùng này gọi là vùng tích cực IB = 30A
hay khuếch đại (active region).
4

 Khi IB lớn hơn giá trị này, IC tăng

tuyến tính theo VCE. Khi VCE <
0.5/0.3 volt (VCE(sat)), IC tăng rất 3 Active region
IB = 20A
nhanh theo IB. Vùng này gọi là
vùng bão hòa saturation region.

2
 Vùng nằm dưới đường IB = 0, gọi
IB = 10A
là vùng cắt (cut-off region).
Dòng Ic tương ứng khi IB = 0, is
gọi là dòng dò, có giá trị rất nhỏ. 1

IB = 2A

IB=0A

6 7 8 9 10 VCE (V)
1 2 3 4 5
Cut-off region
 Vùng bão hòa (Saturation region)
 Khi tiếp giáp (B-E) và tiếp giáp (B-C) đều phân cực thuận, BJT bão
hòa (ON).

 Trong vùng BH, VCE(sat) < 0.5/0.3 volts.

 Tiếp giáp (B-C) phân cực thuận (forward biased).

Đối với npn transistor;

VBE = 0.7 V, còn VCE(sat) = 0.2 V
Do đó, VBC = VBE –VCE(sat) = 0.7 V – 0. 2V = 0.5V
Hay VCB = VCE(sat) – VBE = 0.2 V – 0. 7V = –0.5V
 Vùng tích cực/KĐ (Active region)
Khi tiếp giáp (B-E) PCT, còn (B-C) PCN. Transistor ở vùng Active.
Trong vùng này, IC không phụ thuộc VCE.
IC hoàn toàn do IB điều khiển và IC hoàn toàn phụ thuộc IB.
Vùng Active là vùng hày được sử dụng nhất trong viễn thông với mục
đích KĐ (amplification).
Vùng này cũng còn gọi là vùng tuyến tính (TT - linear region) vì dòng IC
phụ thuộc tuyến tinh vào IB.

IC = βDC IB tại một giá trị hằng của VCE.

Công thức này chỉ áp dụng nếu BJT ở vùng Active.

 Vùng cắt (Cut-off region)
Khi(B-C) PCN và (B-E) PCN, tức là VBE < 0.7 V, transistor ở vùng cắt cut-off.

Trong vùng này, IB = 0, IC  0 (except for the collector to emitter leakage current).

Breakdown region
The transistor will breakdown if the collector-emitter voltage V CE or its collector current IC
surpasses its maximum allowed value.

These maximum allowed values are usually specified in the transistor’s data book by the
manufacturer of the transistor.

When the VCE surpasses its maximum value, both IC and VBC increase drastically until the
transistor burns itself up due to the excessive heat generated.

The Breakdown Region is not shown in the plot as it is beyond the various I B marking on the
output characteristic curves.
 Đặc tuyến truyền đạt tĩnh (cont’d)
Đặc tuyến truyền đạt tĩnh có thể được vè dựa trên đặc tuyến ra:
1. Draw a vertical line corresponds to the selected collector-emitter voltage V CE.
2. This vertical line cuts the output characteristic line corresponding to a base current I B. The
collector current IC is read from the vertical axis at the intersecting point.
3. The transfer characteristic is then plotted with the values of I C and IB.
4. DC can be obtained from the transfer characteristic.

IC (mA) VCE=6V IC (mA)

IB = 30A VCE=6V
4 4

3 3
IB = 20A

2 2
IC
IB = 10A

IB
1 1
IB = 2A DC= IC/IB IB(A)
VCE (V)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 10 20 30
 Đặc tuyến truyền đạt tĩnh (cont’d)
Static Transfer Characteristic

VCE=6V

VCE=2V
 Điều kiện định vùng hoạt động cho npn transistor
(Saturation, Active and Cut-off)
Vùng bào hòa - Saturation operation (hoạt động chuyển mạch)
Tieeso giáp (B-E) PCT có VBE = 0.7 V,
Tiếp giáp (B-C) PCT, VBC > 0 V.

E C Ví dụ:
n p n
Cho npn transistor, VB=1.2V, VE=0.5V,
– –
VC=0.6V, xác định vùng hoạt động.
Đáp án:
VBE = 0.7V + + VBC > 0 V
VBE=VB–VE=1.2–0.5=0.7V >0
B --- BE PCT
Chú ý: VBC=VB–VC=1.2–0.6=0.6V >0
VBC = VB –VC = – VCB --- BC PCT
VBE = VB –VE = –VEB
∴ Transistor ở vùng bão hòa (saturation
region).
 Điều kiện định vùng hoạt động cho npn transistor
(Saturation, Active and Cut-off) (cont’d)
Vùng KĐ - Active operation (Chế độ KĐ)
(B-E) PCT, VBE = 0.7 V,
(B-C) PCN, VBC < 0 V.

VD:
E C
n p n Cho npn transistor, VB=1.2V, VE=0.5V,
VC=2.6V, xác định vùng hoạt động.
– +
Đáp án:

VBE = 0.7V + VBC <0 V VBE=VB–VE=1.2–0.5=0.7V >0

–
--- BE PCT
B
Note: VBC=VB–VC=1.2–2.6=–1.4V <0
VBC = VB –VC = – VCB --- BC PCN
VBE = VB –VE = –VEB
∴ Transistor ở vùng KĐ (active region).
 Điều kiện định vùng hoạt động cho npn transistor
(Saturation, Active and Cut-off) (cont’d)
Vùng khóa - Cut-off operation (dùng trong hoạt động chuyển mạch)
Tiếp giáp(B-E)
không được định thiên phân cực VBE = 0 V, hoặc PCN VBE < 0 V, hay
PCN với VBE < 0.7 V.
Tiếp giáp (B-C) PCN
VD:
E C
n p n Cho npn transistor, VB=0.7V, VE=0.3V,
VC=2.6V, xác định vùng làm việc.
+/– +
Đáp án:
VBE<0
Or VBE <0.7V VBC <0 V VBE=VB–VE=0.7–0.3=0.4V <0.7V
–/+ –
--- BE không PCT hoàn toàn
B
Note: VBC=VB–VC=0.7–2.6=–1.9V <0
VBC = VB – VC = – VCB --- BC PCN
VBE = VB –VE = –VEB
∴ Transistor ở vùng cut-off region.
 Bảng tóm tắt các vùng của npn BJT

Tiếp giáp B-E Tiếp giáp B-C Vùng làm việc

VBE VBC

VBE>0 và VBC>0
VBE=0.7V PCT
BH (Saturation)
PCT
VBE>0 và VBC<0
VBE=0.7V PCN
KĐ (Active)
PCT
VBE<0 và VBC<0
hay VBE<0.7V PCN Khóa (Cut-off)
PCN/PCT không hoàn
toàn
 Summary of npn BJT operating region
• Typical operations
– 1. Cut-off
– 2. Active operation
– 3. Saturation

• Determining factors:
– How large is IB or VBE
– How large is RL

29
 Summary of npn BJT operating region
• Cut-off
– When the B-E junction is not forward-biased,
the transistor is basically not doing anything.
– This is called CUT-OFF.

30
 Summary of npn BJT operating region
• Active operation
– When the following holds:
IC = βIB
the BJT is said to be in active operation.
– This is the case of current amplification.
– But we need ICRL < 10V

IB=10uA; beta = 100

Tính IC, VCE
RL=1K, 5K, 10K, 15K
VCEBH=0V

31
 Summary of npn BJT operating region
• Condition for active operation: ICRL<VCC

32
 Summary of npn BJT operating region
• Saturation
– When VCE is reduced to 0, the BJT is saturated

33
 Summary of npn BJT operating region
• What makes it saturated?

34
 Summary of npn BJT operating region
• Application: BJT as a switch

35
 Ứng dụng của BJT
Hai ứng dụng chính BJT.
(1) Khóa điện tử chuyển mạch và (2) KĐ amplifiers.
(1) BJT làm khóa điện tử
Closed switch (ON) Open switch
( OFF )

VCC
VCC VCC
VCC

RC
RC RC
RC
IC(sat) IC = 0 A
RB
IB RB
C Q VCE(off) C
Q VCE(sat) 0V
VBB
VBE E E

IC (mA)
Point A
IC(sat) (ON)

Các điểm làm

việc của BJT
Point B
(OFF)

VCE(off) VCE (V)

 BJT để bật a LED VCC = 24 V

Thông số BJT: VBE = 0.7 V,

RC VRC = IF RC
VCE(sat) = 0.2 V,
IC(sat) = IF
βDC (min) = 50 VF
LED: VF = 2.5 V, vin(on) = 5V
RB
Q
vin VCE
I = 30 mA vin(off) = 0V VBE
Xác định RC và RB để đèn sáng.
Figure 1

Đáp án
KVL for the output circuit,
VCC = IF RC + VF + V CE(sat)
Current limiting resistor RC:
RC = (VCC – VF – VCE(sat) ) / IF
= (24 – 2.5 – 0.2) / (30m)
= 21.3 / 30m = 710 
Select higher value of RC = 750 
to protect the LED.
The operating collector current:
IC = VRC / RC
= 21.3 / 750 = 28.4 mA
Power rating of RC :
PRC = ICVRC
= 28.4m x 21.3 = 0.605 W.
Select RC = 750 , 1 Watt.
Base current: IB = I C(sat) / βDC(min)
= IF / βDC
= (30m) / 50 = 0.6 mA
Base resistance:
RB = (v in(on) – VBE ) / IB
= (5 – 0.7) / (0.6m) = 7.166 k
Select lower value of RB = 6.8 k, 1/4 watt to
ensure that IC is operating in saturation region.
BJT để điều khiển Rơle (Relay)
Thông số BJT : V BE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.1 V, βDC (min) = 70 VCC = 12 V

Rơ le loại NO: VR = 12 V, RR = 730 Ω IC Relay

Diode: Chọn diode có PIV định mức > 100V.
Tính chọn RB. D1

RB
Đáp án: vin(on) = 5V Q VCE
vin
vin(off) = 0V VBE
Khi BJT bão hòa ‘ON’,
Figure 2
Dòng bão hòa: IC(sat) = (VCC – VCE(sat) )/ RR
= (VCC – VCE(sat) )/RR
= (12 V – 0.1 V)/730
= 16,3 mA
Dòng IB(LT): IB(LT) = IC(sat) / βDC (min) = 16,3 / 70 = 0,23 mA
Điện trở RB: RB = (vin(on) – VBE ) / IB(LT) (KVL: vin(on) = IB RB + VBE )
= (5 V – 0.7 V) / IB(LT)
= 18,69 k
Để transistor bão hòa chắc chắn thường chọn IB(thực tế ) = (3-7) IB(LT)
Vậy ta có thể chọn RB(thực tê) = RB /3 = 6,23 k
 Bài tập Đáp án:
Transistor Q1:
Xác định vùng làm việc của npn transistor (Si) khi
thế của các cực như bảng dưới: VBE =VB–VE=7.3V–7.1V=0.2V< 0.7V
-- BE Not fully forward biased, IB0.
VBC =VB–VC =7.3V–9.4V = –2.1V<0
-- BC Reverse Biased
∴Transistor Q1 operates in the
cut-off region.
7.1 V 7.3 V 9.4 V
Transistor Q2:
4.2 V 4.9 V 4.3 V VBE =VB–VE =4.9V – 4.2V = 0.7 V>0
-- BE Fully Forward Biased
4.6 V 5.3 V 7.9 V VBC =VB–VC =4.9V–4.3V = 0.6V > 0V
-- BC Forward Biased
E C ∴Transistor Q2 operates in
n p n the saturation region.

VE VBE VBC
Transistor Q3:
VC
B VBE =VB–VE =5.3V – 4.6V = 0.7 V >0
VB -- BE Fully Forward Biased
0V VBC =VB–VC =5.3V–7.9V =–2.6V <0V
Ground
Potential
---\ BC Reverse Biased ∴Transistor Q3
operates in
the active region.
 Solution:
Bài tập Transistor Q1:
VBE =0.7 V>0
Xác định vùng làm việc của ---BE forward biased,
các BJT theo bảng dưới: VBC =VBE–VCE=VB–VE–(VC–VE)=VB–VE–VC+VE
=0.7 V – 1.2 V = – 0.5 V<0
-- BC Reverse Biased
 Transistor Q1 operates in active region.

Q1 VBE=0.7V VCE=1.2V Transistor Q2:

VBE = – VEB =–(–0.7)=0.7 V>0
Q2 VEB=–0.7V VCE=0.3V -- BE Forward Biased
VBC =VBE – VCE =0.7 V – 0.3 V=0.4V>0
-- BC Forward Biased
Q3 VBE=0.3V VEC=–2.5V Transistor Q2 operates in saturation region.

Transistor Q3:
VBE =0.3 V<0.7V
---BE not Fully Forward Biased
∵VCE=–VEC=–(–2.5)=2.5V
VBC =VBE –VCE =0.3–2.5=–2.2 V < 0 V
-- BC Reverse Biased
 Transistor Q3 operates in cut-off region.
 Bài tập Đáp án:
Step 1:Tìm IB :
Cho mạch dưới với Vin=2V,
V =I R +V
DC=150, tính IB, IC, VCE và VBC, xác in B B BE
IB=(Vin–VBE)/RB=(2–0.7)/10KΩ=0.13mA
định vùng làm việc của BJT.

Step 2: Tìm IC
IC=DCIB=1500.13mA=19.5mA

Step 3: Tìm VCE :

VCC= ICRC+VCE
12 =19.5mA520+VCE
RC 520Ω VCE=12–10.14=1.86V >= 0.2

RB IC + Step 4: Tìm VBC

10kΩ C VCC
B – 12V VBC=VBE–VCE=0.7–1.86=–1.16V
VCE
+ IB
Vin E Step 5: Xác định vùng làm việc:
IE
– ∵VBE=0.7V>0
-- tiếp giáp BE PCT
∵VBC=–1.16V<0
-- BC PCN
∴Transistor ở vùng KĐ/active.
 Operating Limits of a BJT
 Each transistor is designed for
some specific applications and
has a set of maximum ratings
such as:
the maximum collector current
rating IC(max),
the maximum collector-emitter
voltage rating VCE(max) , and
the maximum dissipated power
rating PD(max).

 Transistors should operate

within its maximum ratings to
avoid being damaged. This
means that:
the operating collector current
IC  IC(max) ,
VCE  VCE(max) ,
PD  PD(max). The dissipated power of a transistor is given by
the following equation.
PD = VCE IC
 Example
Plot the operating limits of the
transistor having a maximum collector VCE(V) 10 20 30 40 50 60
current IC(max) = 50mA, a maximum
collector-emitter voltage VCE(max) = 60V, IC(mA) 50 25 16.7 12.5 10 8.33
and a maximum power dissipation
PD(max) = 500mW.

IC(mA)
Solution 60 IC(max) =50mA
Step 1: First draw the horizontal line I
C(max) = 50mA at IC axis.
50
Step 2: Next draw the vertical line VCE(max)
40
= 60V at VCE axis.
Step 3: 30
∵PD(max) = 500mW = IC x VCE
∴ IC = 500mW / VCE 20
Select some convenient values of VCE
10 Safe operating
and calculate the corresponding IC as VCE(max) =60V
region
shown in table. 0
Step 4: Plot IC verse VCE curve. 10 20 30 40 50 60VCE(V)
 Exercise VCE(V) 10 20 30 40 50
Plot the operating limits of the transistor
having a maximum collector current
IC(max) = 40mA, a maximum collector- IC(mA) 40 20 13.3 10 8
emitter voltage VCE(max) = 50V, and a
maximum power dissipation PD(max) =
400mW.

IC(mA)
Solution
Step 1: First draw the horizontal line 60
IC(max)=40mA at IC axis.
50 IC(max) =40mA
Step 2: Next draw the vertical line VCE(max)
=50V at VCE axis. 40
Step 3:
∵PD(max) = 400mW = IC x VCE 30
∴ IC = 400mW / VCE
Select some convenient values of VCE 20

and calculate the corresponding IC as 10 Safe operating region VCE(max) =50V

shown in table.
Step 4: Plot IC verse VCE curve. 0
10 20 30 40 50 60VCE(V)
 BJT Summary
1. The bipolar junction transistor, BJT, is a three terminal device; terminals are the
Emitter (E), the Collector (C) and the Base (B).
2. There are two types of BJTs: the npn and pnp.
3. The arrow in the circuit symbol of a BJT transistor is on the emitter (E) and points
to the n-type material.
4. The input characteristic is a plot of IB versus VBE curves while keeping VCE
constant.
5. The output characteristic curves of a bipolar transistor are plotted with the collector
current IC against the collector-emitter voltage VCE while keeping IB constant.
6. The gradient (or slope) of the transfer characteristic line gives the value of βDC for
the particular VCE value.
7. The transistor is a current controlled device where by the base current, IB (A),
controls the amount of emitter current, IE (mA), and collector current, IC (mA).
8. The d.c. common-emitter current gain (βDC) is:
IC
 DC 
IB
 BJT Summary
9. The junction between the base and the emitter is called the base-emitter junction (B-E) and
the junction between the base and the collector is called the base-collector (B-C) junction.
10. Regions of operation for BJT:
 When both the B-E and B-C junctions are in forward biased, the transistor is said to be in
the saturation region.
 When the B-E is not fully forward biased and B-C junctions are in reverse biased, the
transistor is said to be in the cutoff region.
 When the B-E junction is in forward biased and the B-C junction is reverse biased, the
transistor is said to be in the active or linear region.
11. Properties of BJT operating in the active region (applied in amplifier circuits):
• βDC = IC / IB.
• IE = I C + I B
• VBE = 0.7 V.
12. Operating limits of BJT is limited by: I C(max) , VCE(max) , and
PD(max) = IC x VCE
13. Bipolar transistors suffer from an effect known as thermal runaway; heat sink is normally
required to provide heat dissipation.
 Transistor Summary
 Although in modern electronics, amplifiers are more
conveniently implemented using integrated circuits (IC) like
operational amplifiers, understanding of transistor amplifiers is
useful as
 they serve as the building blocks of integrated-circuit amplifiers.
 they are used in high frequency applications e.g. in radio
communications circuits, where discrete transistor amplifiers are
still popularly in use.

 The analysis of BJT as amplifier is studied. They are divided

into
 dc biasing in amplifier circuits,
 ac small-signal analysis by modeling the ac amplifier as a two-port
network
 ac large-signal analysis which uses ac load line to determine the
maximum unclipped
Định thiên cho BJT

1. BJT biasing circuits

2. Fixed bias circuit
3. Emitter bias circuit
4. Voltage divider bias circuit
5. Feedback bias circuit
 KĐ dùng BJT (Amplifier)
• Transistors được dùng làm bộ KĐ như thê nào

49
 Một số sơ đồ mạch dùng BJT
 3 sơ đồ thường dùng:
Common-Emitter (CE) circuit:
 CE—Common-Emitter (E chung)
V
CC
 CC—Common-Collector (C chung)
 CB—Common-Base ( B chung)
R
C

 Trong đó phổ biến nhất là sơ đồ CE.

+

+ v
o
R
v B
i
R
- V E -
BB
 DC Biasing Circuits
• The ac operation of an +VCC
amplifier depends on the
initial dc values of IB, IC,
and VCE.
RC
• By varying IB around an RB
initial dc value, IC and VCE v out

are made to vary around

their initial dc values.
• DC biasing is a static v in vce
operation since it deals ib
with setting a fixed
(steady) level of current ic
(through the device) with a
desired fixed voltage drop
across the device.
 Tại sao phải định thiên DC (DC biasing)

• Bật thiết bị (BJT) “ON”

• Đưa BJT vào vùng tuyến tính (Active), tức là thiết lập
các giá trị một chiều ban đầu DC cho IB, IC, và VCE
 DC bias provides for proper operation of an amplifier. If
DC bias an amplifier is not biased correctly, it can go into
saturation or cutoff when an input signal is applied.

Linear operation:
vin (v) vout (v)
Output signal is an amplified
replica of the input signal
t(s)
t(s) with 180o out of phase.
A

Output voltage limited by cutoff: vout (v)

vin (v)
The positive portion of
output signal has been
t(s) t(s) clipped due to transistor’s
A
cutoff.

Output voltage limited by saturation:

vin (v) vout (v)
The negative portion of
output signal has been
t(s) t(s)
clipped due to transistor’s
A saturation.
 Phân tích DC cho mạch DC (DC analysis)
 Để chuyển đổi một mạch KĐ sang mạch DC thì:.
1. Cho các nguồn AC bằng ZERO.
2. Loại bỏ các tụ.
3. Ngắn mạch cuộn dây.
4. Vẽ lại mạch.
 Dùng mạch biến đổi này (DC equivalent circuit) để tính các giá trị định thiên 1 chiều
IB & IC và VCE.

KĐ CE amplifier Mạch tương đương DC:

VCC VCC

RC RC

C C
Vout
B B

E RB E
RB Equivalent to
Vin RL
RE RE
VBB VBB
 Mạch tương đương DC (cont’d)

KĐ CE Mạch tương đương DC:

(voltage divider bias)

VCC
VCC
R1 RC R1 RC
C
B Equivalent to
E
Vin R2 RE R2 RE
 BT 1
Vẽ mạch tương đương DC.

VCC VCC

RC RC
RS C Vout C
B B

RB E Equivalent to E
Vin RL RB
RE
RE
VBB VBB
 BT 2
Draw dc equivalent circuit of the following
amplifier.

VCC
VCC
R1 RC R1 RC
C
B
Equivalent to
E
Vin R2 RE RL R2 RE
 Phân tích 1 chiều của mạch KĐ CE
The purpose of the dc biasing circuit is to set up  Có 2 vòng mạch:
the initial dc values of IB, IC, and VCE
--- mạch đầu vào
--- mạch đầu ra

IC  Mạch đầu vào gồm VBB, RB, VBE

và RE
RC VRC  KVL
VBB = VRB + VBE + VRE
RB VBB= RBIB + VBE + REIE
IB VCC
VCE
+  Mạch ra gồm VCC, RC, VCE và RE
VRB VBE IE
 KVL (phương trình tải DC)
VBB RE VRE
VCC = VRC + VCE + VRE
VCC = RCIC + VCE + REIE

DC bias circuit of CE amplifier

 DC biasing circuit
 There are three important observations to be made from the dc bias
circuit:
a) When conducting, the base-emitter junction acts as a forward
biased diode with forward current IB.
Therefore, VBE = 0.7 V
b) By applying KCL at the emitter terminal (E),
IE = I B + I C
c) The collector current is represented by a dependent current
source. Because the amount of collector current, I C depends on
the base current, IB. This relationship is: IC = βDC IB

It is the current gain feature that enables BJTs to be used for

amplifying signals.

 Applying KVL around the input circuit, we obtain the Biasing

Equation:
VBB = RBIB + VBE + REIE
 DC biasing circuit (cont’d)
 Since the transistor is operating in the active region, the emitter current can be
expressed by:
IE = IC + IB= βDC IB + IB = (βDC + 1) IB  βDC IB
For βDC is larger than ( )50, we usually assume that:
IE = IC = βDC IB
Substitute IE into the biasing equation, we have:
VBB = RB IB + VBE + RE (βDC IB)
VBB –VBE = (RB + βDC RE) IB

Or IB = (VBB –VBE) / (RB + βDC RE) This is the biasing base current.

 IC = βDC IB --- Transistor operates in the active region

 Applying KVL around the output circuit we obtain the dc load line equation:
VCC = RC IC + VCE + RE IE For βDC  50, assume IE = IC,

VCE = VCC – (RC + RE) IC This is the transistor collector-emitter voltage.

 The operating point (Q point) of the transistor is at (VCE, IC).

 Điểm Q (Q-point)
 IC và VCE xác định điểm làm việc Q (VCEQ, ICQ ).
 Các tên gọi khác:
• Biasing point
• Quiescent point
Q-Point
• Operating point (OP)
• DC point

 Điểm Q chỉ ra dòng ra 1 chiều IC(DC) và áp ra 1 chiều VCE(DC) khi chưa

đặt áp xoay chiều AC vào đầu vào.
 VD
Transistor loại Si (βDC = 200) hình dưới
được dùng làm mạch KĐ có RB = 10kΩ,
VBB = 10V, RC = 100Ω, RE = 680Ω và VCC =
20V. Xác định Q (VCEQ, ICQ )
Đáp án
Step 1: Xác định IB.
Áp dụng KVL cho mạch đầu vào:
VBB = RBIB + VBE + βDC IB RE
10V= 10kΩ IB +0.7V + 200 x 680 IB
IB = (10V – 0.7V) / (10kΩ + 200
x 680)= 63.7A

Step 2: TìmIC.
IC= βDC IB= 200 x 63.7  A= 12.74 mA
IC
Step 3: Tìm VCE.
RC Áp dụng KVL cho mạch đầu ra
VRC
VCC = RCIC + VCE + REIE
RB + 20V = 100ΩIC + VCE + 680ΩIE
IB
VCE VCC Vì βDC lớn, IE = IC
+ VCE= 20V – 100xIC – 680IE
VRB IE
VBE VCE= 20V –100x12.74mA – 680
VBB x 12.74mA = 10.06V
RE VRE
Vậy điểm làm việc Q (VCEQ = 10.06V, ICQ =
12.74mA).
 Thê tại các cực B, C, R
IC

RC VRC

IB RB VC
VB
VCE VCC
VRB VBE VE
VBB VRE
RE
IE

 V B:
VB = VBB – VRB = VBB – IBRB
Or VB = VRE + VBE = IERE + VBE
 VE:
VE = IERE
Or VE = VCC – VRC– VCE= VCC–ICRC–VCE
Or VE = VBB – VRB– VBE= VBB–IBRB–VBE
 V C: VC = VCC – VRC = VCC – ICRC
Or VC = VRE + VCE = IERE + VCE
 Solution
BT 1 Step 1: Determine IB.
Tìm IB, IC, VCE và xác định vùng làm Apply KVL around the input circuit:
việc và điểm Q của transistor. VBB = RBIB + VBE + βDC IB RE
5V = 52kΩIB+0.7V+100 x 2.2KΩ IB
DC=100 IB=(5V–0.7V)/(52kΩ+100 x 2.2KΩ)
= 15.8A
IC
Step 2: Determine the collector current IC.
IC= βDC IB= 100 x 15.8A= 1.58 mA
RC
4.7KΩ VRC
RB Step 3: Determine VCE.
+
IB 52KΩ VCC Applying KVL around the output circuit
VCE VCC = RCIC + VCE + REIE
20V
+
IE 20V = 4.7KΩIC + VCE + 2.2KΩIE
VRB VBE
VBB Since βDC is large, IE = IC
5V RE VRE VCE=20V – 4.7KΩIC – 2.2KΩIC
2.2KΩ
VCE=20V–4.7KΩ x 1.58mA–2.2KΩ
x1.58mA = 9.098V

The Q-point of the transistor

Because VBE=0.7V>0 --BE forward biased
is at:
∴VBC=VBE–VCE=0.7–9.098=–8.398V<0
(VCEQ = 9.098V, ICQ = 1.58mA).
---BC reverse biased
∴this transistor is in active region
 BT 2 Solution:

Timf VB, VC, VE. Step 1: find IB

IB = (VBB – VBE) / (RB + βDC RE)
= (4–0.7)/(47KΩ+1001.8KΩ)
=14.54A
IC
Step 2: find VB
RC VB = VBB – IBRB=4–14.5 A 47KΩ=3.32V
2.2KΩ

RB
Step 3: find IC
IB 47KΩ C VCC
B IC=DCIB=100 14.5 A=1.45mA
DC=100 15V
E
VBB
4V RE Step 4: find VC
1.8KΩ
VC=VCC-ICRC=15-1.45mA 2.2KΩ=11.81V

Step 5: find VE
Because DC>50, IE=IC
∴VE=IERE=ICRE=1.45mA 1.8KΩ=2.61V
 Các mạch định thiên cho BJT

1. Mạch định thiên/phân cực BJT

+ +
+ +
VCB + RC ICRC
VCB VCB IC RC RB -
IC + IB - + IBRB +
-
IB- VCC IB VCE _ VCE - V
CB
- +
+ - RB - VCC
VBE + + VCE
IE + VCC + IB -
IE - VBE
VBE VBB VBE IE
-
- -
VCE= VCB +VBE = VCC Development of Biasing circuit for BJT by one battery

Forward bias VBE= VCC -IB RB

Reverse bias VCB= VCC -IC RC - VBE

66
 2. Phân cực cố định cho BJT (Fixed bias circuit)
2.1. Cho npn-BJT
• Loại (CE)
• Nhược điểm
Không ổn định – because it is too
dependent on β and produce width
change of Q-point
Để tăng tính ổn định, thêm RE.

• Solve the circuit using HVK +

+ RC I CR C
• 1st step: Locate capacitors and RB -
I BR B
replace them with an open circuit -
• 2nd step: Locate 2 main loops which; +
VCC
VCE
BE loop + IB -
VBE IE
CE loop
-

Fixed Bias Method

67
Fixed bias npn-BJT has IB obtained by RB connected to VCC
2.2 Loại pnp-BJT

-
- RC ICRC
IBRB RB +
V -
+ CB
+
- VCC
IB VCE
-
+
VBE IE
+

Fixed Bias Method

So với npn-BJT chỉ có VCC đảo chiều

68
2.3 Phân tích mạch phân cực cố định cho BJT
VD:
Mạch BJT có VCC=9V, =50 , RB=100kRC=1k. Khi PCT VBE=0.7V, tìm
IB, IC, IE,VCE, và áp PCN VCB.

100k RC 1k
RB
IC 9V
+
VCC
VCE
+ IB -
VBE IE
-

9  0.7
9  IB  100k  0.7  IB   0.083mA  83A
100k
IC   IB  50  0.083mA  4.15mA
IE  IC  IB  4.15  0.083  4.233mA
VCE  9  IC  1k   9  4.15  4.85V
VCE  VCB  0.7  VCB  4.85  0.7  4.15V
69
 3. Mạch phân cực E cho BJT (Emitter bias circuit)
3.1 npn-BJT

+
+ RC I CR C
IBRB RB -
- +
IB VCE VCC
-
+
RE IERE
-

Thêm RE Emitter Bias Method

Thêm RE để cải thiện tính ổn định

Emitter bias npn-BJT has IB obtained by RB connected to VCC and RE

connected to Emitter for better stabilization of I C
70
3.2 pnp-BJT

-
- RC ICRC
IBRB RB +
+
-
VCC
IB VCE
+
-
RE IERE
+

pnp Emitter Bias Method

So với npn-BJT chỉ có VCC đảo chiều

71
3.3 Phân tích mạch định thiên E cho BJT
VD:
Mạch KĐ BJT có VCC=9V, =50 , RB=100kRC=1k. RE=0.2k Khi PCT
VBE=0.7V, tìm IB, IC, IE,VCE, và áp PCN VCB.

RB=100kW RC=1kW

+
IB VCE
- VCC=9V

RE=0.2kW

9  IB  100k  0.7  50  1IB   0.2k  taking 1   

9  0.7
IB   0.0754mA  75.4 A
110k
IC   IB  50  0.0754mA  3.77 mA
IE  IC  IB  3.77  0.0754  3.84mA
VCE  9  IC   1k  0.2k   4.476V
VCE  VCB  0.7  VCB  4.476  0.7  3.776V 72
4. Mạch định thiên kiểu phân áp BJT
(Voltage divider bias circuit)
4.1 npn-BJT
+
RC ICRC
R1 -

IB +
VB VCE VCC
-

R2 +
RE IERE
-

• Khi phân tích DC, hở mạch tụ

• Với mạch npn-BJT này, IB có được qua phân áp dùng R1 và R2 còn

RE để cải thiện sự ổn định của I C 73
Mạch định thiên kiểu phân áp cho npn-BJT có tụ nhánh CE
(With Bypass Capacitor CE)

74
 Đặc tính mạch định thiện kiểu phân áp
 Phổ biến hay dùng nhất vì có hskđ áp, dòng hay công suất
It is the most commonly used biasing circuit because it can have voltage gain,
current gain or power gain.
 Ưu điểm
 Điểm Q ổn định.
 1 nguồn cấp VCC.
 Nhược điểm
 Khá phức tạp
4.2 Phân tích một chiều cho mạch kiểu phân áp
(by Thevenin’s theorem)
+VCC
RTH
A
R1
A VTH
Thevenin’s equivalent

R2 B
B
Mạch định thiên DC RR R2
Rth  RB  R1 // R2  1 2 and Vth  VBB  Vcc
R1  R2 R1  R2

I V  0.7
VBB  IBRB  0.7  IC RE  C RB  0.7  IC RE  IC  BB
VCC   RB   R
  E
 
R1
IC IC
RB VB
VB  
IB IB
R2 VBB
RE RE

76
4.3 Phân tích mạch định thiên kiểu phân áp
VD:
Cho mạch BJT có VCC=9V, =50 , R1=100k, R2=22kRC=1k. RE=0.2k,
VBE=0.7V, tìm IB, IC, IE,VCE, và áp PCN VCB.

R1=100kW RC=1kW
IC
+
IB VCE
- VCC=9V
RR 100k  22k
Rth  RB  1 2   18k and IE
R1  R2 122k
RE=0.2kW
R2 9  22k R2=22kW
Vth  VBB  Vcc   1.623V
R1  R2 100k  22k
I  I 
VBB  IBRB  0.7  IC  IB RE  C RB  0.7   IC  C RE
   

IC 
VBB  0.7
R

1.623  0.7
0.2k  18k

 1.648mA  taking 1   1 
(1  1  )RE  B  50
I 1.648
IB  C   32.96A  IE  1.648  0.03296mA  1.68mA
 50
VCE  9  IC   1k  0.2k   9  1.648mA  1.2k   7.022V
VCE  VCB  0.7  VCB  7.022  0.7  6.322V 77
4.4 Phân tích gần đúng mạch định thiên
kiểu phân áp (approximate analysis)

Nếu chọn R2 nhỏ so với RE và nếu cho phép sai số

10% , nghĩa là RE ≥ 10R2
Khi đó IR2 ≥ 10IB hay IB=nhỏ có thể bỏ qua so với
VCC IR2 (approximate)

R1
IC
IB+IR2 IB
VB  Then we can take VR2  VB  VCC
R2
R1  R2
+
R2  VBE  IE RE
IR2 RE IERE
-  VBE  IC RE Approximat e again that IE  IC if   1

78
VD:
Sử dụng PP tính toán gần đúng, phân tích mạch BJT d ưới v ới V CC=9V, =200
, R1=47k, R2=10kRC=1k. RE=1k , cho VBE=0.7V, tìm IB, IC, IE,VCE,
và VCB.

R1=47kW RC=1kW
IC
+
IB VCE
- VCC=9V
IE
RE=1kW
R2=10kW

Check 10R2   RE  100k  200  1k  200k OK for approximat e method

R2 10k
VCC  VBE  IC RE  9  0.7  IC  1k
R1  R2 57k
0.879 0.879
IC   0.879mA  IB   4.39A  IE  0.879  0.004  0.883mA
1k 200
Aproximati ng   1, IC  IE
VCE  9  IC  2k  7.242V  VCB  VCE  VBE  7.242  0.7  6.542V

79
 5. BJT Feedback bias circuit

+
RC ICRC
RB -
I +I
C B
IC
IB +
VCC
VB VCE
-
+
RE IERE
-

Feedback bias has IB obtained by RB from collector voltage for better control on
IC and RE connected to Emitter for very much better stabilization of I C

80
Example:
Following BJT Feedback bias circuit has V CC=9V, =50 ,
RB=500k,RC=1k. RE=0.2k If VBE=0.7V, find Base current IB, Collector
current IC, Emitter current IE,VCE, and reverse bias voltage VCB.

+ VCC  IBRB  0.7  IC  IB RE  RC 

RC=1kW (I +I )R I
9  C 500k  0.7  IC 1  0.020.2k  1k 
B C C
RB=500kW - 50
IC+IB
IC 9  0.7
IC   0.739mA
IB + 1.224k  500k 50
VB VCE
VCC=9V I 739A
- IB  C   14.78A  IE  739  14.78  753.78A
+  50
RE=0.2kW IERE VCE  9  IC  IB   1k  0.2k   9  753.78  1.2k   8.095V
-
VCE  VCB  0.7  VCB  8.096  0.7  7.395V

81
 Phân tích tín hiệu nhỏ cho BJT
(Small Signal Analysis)

• Drawing Equivalent circuit

• Analysis of Fixed bias amplifier
• Analysis of Emitter bias amplifier
• Analysis of Voltage divider bias amplifier
• Analysis of Feedback bias amplifier
• Analysis of Emitter Follower amplifier
• Analysis of Common Base amplifier

82
 Mô hình BJT re/r

BJT dc Bias current Ib will produce Ic and BE junction behave as a diode

Điện trở động cực B: re= 26mV/IC

(IC=IB)
re là điện trở tiếp giáp pn tại cực B,
tạo ra điện áp: Vbe=(Ib+Ib)re Ibre
Do đó trở kháng đầu vào: Vbe/ Ib = re

83
 • Trở kháng vào của BJT Ri = re

Mô hình BJT re

• Trở kháng ra của BJT: Rout =  // ro = ro

(điện trở nguồn dòng Ib là vô cùng) 84
Đưa tín hiệu (AC nhỏ) vào mạch bằng cách nào?

85
Ký hiệu về tín hiệu

86
 Mạch AC tương đương
 Để chuyển mạch KĐ sang mạch xoay chiều AC tương đương thì
cần:
To transform the amplifier circuit to its ac equivalent circuit, the
following procedures should be followed.
1. Ngắn mạch nguồn DC (ZERO).
2. Ngắn mạch tụ.
3. Hỏ mạch cuộn dây.
4. Vẽ lại mạch.
VCC
R1 RC C

C Vout B Vout
B
E
E Equivalent to Vin
RC

Vin R2 RE R1 R2
 Mạch AC tương đương
 In order to better visualise the operation of a transistor in an amplifier
circuit, it is often useful to represent the BJT by an equivalent circuit.
 An equivalent circuit uses various internal transistor parameters (usually
specified by the manufacturer of the BJT) to represent the BJT’s operation.
 We would limit ourselves to one type of BJT’s model:
- The Norton Equivalent of Eber Moll’s model

C
C
vo
B
vin Ib
B bre bIb RC
RB

E
E
 Mạch AC và DC tương đương
+VCC
+VCC

RC IC RC
R1 R1

RL rC
vin vce
vin

R2 R1//R2
R2
IE
RE
RE

rC = RC//RL

Mạch định thiên Mạch DC Mạch AC

tương tương
đương đương
 Phân tích AC của mạch KĐ tín hiệu lớn?
AC Analysis of a Large-Signal Transistor Amplifier
 Khi điện áp đỉnh-đỉnh của tín hiệu xoay chiều của dòng IE < 10% dòng điện tĩnh DC cực
E thì sử dùng được sơ đồ tương đương AC tín hiệu nhỏ
When the small-signal peak-peak ac emitter current is less than 10% of the dc quiescent emitter current, the Eber
Moll’s equivalent circuit can be used.
 Khi t/h nhỏ > 10%, sử dụng sơ đồ t/h lớn để phân tích BJT. T/h ra có thể bị méo
When the small-signal does not satisfy the above 10% condition, large-signal analyzes will be used to
VCC performance. The out-put signal could be distorted.
determine the BJT amplifier
C
R1 RC B Vout

C Vout
B Equivalent to E
RC
Vin
R1 R2
E
R2 RE

Sơ đồ tương đương AC t/h lớn

C
vo
B
vin Ib
bre bIb RC
RB

Sơ đồ tương đương t/hE nhỏ Eber Moll’s

 1. Vẽ mạch AC tương đương
1.Cho mạch BJT

100k RC 1k
RB
IC 9V
2.KĐ BJT (amplifier)
+
VC -

+
B

VCC
VCE
+ IB
VBE IE
-
VCC Vin và Vo được nối với KĐ và nguồn pin
-
RB
RC (battery) được thay bằng VCC
IC
IB vo
vin 3.Sơ đồ xoay chiều BJT tương đương
C
vo
Ib B
vin
RC
Trong sơ đồ AC tương đương, ngắn mạch tụ nối tầng RB

Nối đất nguồn VCC E

4.Mạch tương đương của bộ KĐ

C
vo
B
vin Ib
Dùng sơ đồ re của BJT RB
bre bIb RC

91
Tìm AV , Rin , Ro , AI từ sơ đồ tương đương này của bộ KĐ
VD:
Vẽ mạch tương đương của bộ KĐ dưới

1.Cho mạch BJT dưới

+
+ RC IC R C
IBRB RB -
- +
IB VCE VCC 2.KĐ BJT
-
+
RE IERE VCC
- RC
RB
IC
vo
vin
IB
3.Mạch xoay chiều BJT tương đương
vo
RE Ib
vin
RC
RB
RE

4.Mạch tương đương của bộ KĐ

vo
vin Ib
bre bIb RC
RB
RE

92
Tìm AV , Rin , Ro , AI
 VD:
Vẽ mạch tương đương của bộ KĐ dưới.

VCC
RC
RB
IC
IB vo
vin
RE1

RE2 CE
vo
Ib
vin
RE1 RC
RB

vo
vin Ib
bre bIb RC
RB
RE1

93
 VD:
Vẽ mạch tương đương của bộ KĐ dưới.

+ VCC
RC ICRC
R1 - RC
R1
IB + IC
VB VCE VCC IB vo
-
vin
R2 +
RE I E RE R2
- RE

vo
vo
Ib vin Ib
bre RC
vin RB
bIb
RC
RB RE
RE

R1//R2 = RB

94
 VD:
Vẽ mạch tương đương của bộ KĐ dưới.

+
RC ICRC
RB -
I +I
C B
IC
IB +
VCC
VB VCE
-
+
VCC
RE I ER E
- RC
RB
IB vo
vin

RE
RB
vo
vin Ib
bre bIb RC
RE

95
 2.Phân tích bộ KĐ định thiên cố định (Fixed Bias Amplifier)

Dùng phân tích t/h nhỏ để tìm A V , Rin , Ro , AI từ mạch tương đương của bộ KĐ

VD:
Tìm AV , Rin , Ro , AI sơ đồ KĐ định thiên cố định hình dưới
VCC
RC vo
RB
IC
C
vo
Iin
vo Ib B Io
IB vin vin Ib
vin RB
RC bre bIb RC
RB
E

Note that IB in dc circuit is

Rin Ro
changed to ac Ib in ac equivalent
circuit. IB is the dc current due to Rin  RB //  re Ro  RC //   RC
BJT biasing and Ib is the ac V  Ib RC R
current when Vin is present. AV  o   C
Vin Ib  re re
I V /R R  RC  RB // re R // re
AI  o  o C  AV in      B
Iin Vin / Rin RC  re  RC re
96
 VD:
Tìm AV , Rin , Ro , AI sơ đồ dưới (có tính đến ro)

vo
Iin bIb ro Io
VCC vin Ib
RC
bre RC
RB
IC vo RB
vo Ib
IB vin
vin RC
RB

Rin Ro

Rin  RB //  re Ro  RC // ro

V  Ib RC // ro  RC // ro
AV  o  
Vin Ib  re re

I V /R R  R // ro  RB // re  R // ro  RB // re
AI  o  o C  AV in    C    C 

Iin Vin / Rin RC  re  RC  RC  re

97
 VD:
Tìm AV , Rin , Ro , AI biết ro=50k

12V
Io
12  0.7
3kW 12  IB  470k  0.7  IB   0.024 mA
470kW 470k
IC
vo IC   IB  100  0.024 mA  2.4mA
IB
vin 26mV
Iin ro=50kW re   10.8   re  100  10.8  1080   1.08k
b=100 2.4mA
Rin Ro
Rin  RB // re  470k // 1.08k  1.078k
vo Ro  RC // ro  3k // 50k  2.83k
Iin 100Ib
vin Ib
Io  100Ib   3k // 50k  283k
bre AV     262
3kW Ib  1.08k 1.08k
470kW I V /R R 1.08k
AI  o  o C  AV in  262
1.08kW 50kW
  94.33
Iin Vin / Rin RC 3k
Rin Ro

98
 3. Phân tích bộ KĐ định thiên cực E (Emitter Bias Amplifier)

Connecting RE at the Emitter of the BJT will have different dc conditions

and also different ac parameters compared to Fixed bias amplifier. R E is
very important to stabilize dc currents in BJT and will also stabilize ac
parameter AV (voltage gain of the amplifier).

Xem xét 3 sơ đồ dưới đây

VCC
VCC VCC
RC
RC RC RB
RB RB IC
IC IC vo
vo vo IB
IB IB
vin
vin vin
RE1
RE RE CE
RE2 CE

Mộ t điệ n trở RE được sử
dụng cho cả tính toán DC
và AC
RE được sử dụng để phân Cả RE1 và RE2 được sử dụng
tích DC vì CE bị ngắn trong phân tích DC, nhưng chỉ
mạch trong mạch tương RE1 được sử dụng cho phân
đương AC. tích AC (CE bị ngắn mạch99khi
đó).
VD:
Tìm AV , Rin , Ro , AI (bỏ qua ro)

20V
20  IB  470k  0.7  IB  0.22k  0.33k 
470k 2.2kW
W IC 12  0.7
IB   0.035mA
IB vo 470k  140  0.55k 
vin b=140 IC  IB  140  0.035mA  4.94mA
ro=40kW
0.22kW 26mV
re   5.26  re  140  5.26  1080   0.737k
4.94mA
0.33kW CE

Vin
Vin  Ib  0.737k  140Ib  0.22k  Ib 
51.537k
Iin vo Rin  470k // Vin / Ib   470k // 51.537k  48.3k
Io Ro  RC // ro  RC  2.2k  (ro neglected)
vin Ib
bre 140Ib 2.2kW
V  140Ib   2.2k 283k
AV  o 
470kW 0.737kW
   5.98
0.22kW Vin Ib  51.537k 1.08k
I V /R R 48.3k
AI  o  o C  AV in  5.98   131.29
Iin Vin / Rin RC 2.2k

100
VD:
Tìm AV , Rin , Ro , AI (bỏ qua ro)

20V
20  IB  470k  0.7  IB  0.22k  0.33k 
470k 2.2kW
W IC 12  0.7
IB   0.035mA
IB vo 470k  140  0.55k 
vin b=140 IC  IB  140  0.035mA  4.94mA
ro=40kW
0.22kW 26mV
re   5.26  re  140  5.26  1080   0.737k
4.94mA
0.33kW CE

Vin
Vin  Ib  0.737k  140Ib  0.22k  Ib 
51.537k
Iin vo Rin  470k // Vin / Ib   470k // 51.537k  48.3k
Io Ro  RC // ro  RC  2.2k  (ro neglected)
vin Ib
bre 140Ib 2.2kW
V  140Ib   2.2k 283k
AV  o 
470kW 0.737kW
   5.98
0.22kW Vin Ib  51.537k 1.08k
I V /R R 48.3k
AI  o  o C  AV in  5.98   131.29
Iin Vin / Rin RC 2.2k

101
4. Mạch định thiên chia áp
(Voltage divider Bias Amplifier)

Connecting R1 and R2 at the Base of the BJT will have more stabilized
dc conditions than a single R B. The input resistance Rin becomes lower
but voltage gain of the amplifier is not affected.

Xem xét 4 sơ đồ
VCC
RC
VCC VCC R1
VCC IC
IB vo
RC RC RC
R1 R1 R1
IC IC IC vin
vo IB vo IB vo
IB
RE1
vin vin vin R2
R2 R2 R2
RE CE RE RE2 CE

No RE used for both Single RE used for Single RE used for Both RE1 and RE2 are used
dc and ac only dc calculations both dc and ac for dc calculations and
calculations. as CE is short in ac calculations only RE1 for ac calculation
equivalent circuit. as CE is short in ac102
equivalent circuit.
 VD:
Tìm AV , Rin , Ro , AI (bỏ qua ro)
Io 22V

6.8kW
56kW

Iin vo
b=90
vin ro=40kW

8.2kW
1.5kW
Rin Ro
Iin Ib vo
Io
vin I  I 
6.8kW VBB  IBRB  0.7  IC  IB RE  C RB  0.7   IC  C RE
56kW 8.2kW    
1.5kW
IC 
VBB  0.7
R

2.8  0.7
7 . 15k
 1.33mA  taking 1   1  
56k  8.2k (1  1 )RE  B  1.5k  90
Rth  RB   7.15k and
64.2k 26mV 26mV
22  8.2k re    19.55  re  90  19.55  1.759k
Vth  VBB   2.8V IC 1.33mA
56k  8.2k
Vin
Vin  Ib  1.759k  90Ib  1.5k  Ib 
136 .76k
vo
Iin Ib Io Rin  7.15k // Vin / Ib   7.15k // 136 .76k  6.79k
vin
90Ib 6.8kW Ro  RC // ro  RC  6.8k  (ro neglected)
bre
7.15kW
V  90Ib   6.8k
AV  o 
1.759kW
1.5kW   4.475
Vin Ib  136 .76k

R1//R2 = RB I V /R R 6.79k
AI  o  o C  AV in  4.475 4.47
 103
Iin Vin / Rin RC 6.8k
 5. Phân tích phân áp phản hồi
(Feedback Bias Amplifier)

Feedback from Collector to Base by RB creates a low input resistance Rin but a
very good dc and ac stabilization is an important part of this amplifier.

+
RC ICRC Io VCC
RB -
I +I
RB
C B RC vo
IB
IC RB
+ vo
VCC
vin Iin Ib Io
VB VCE Iin IB
- bre bIb RC
+ vin
RE I ER E Ro
- Rin RE Rin RE
Ro

We can apply Miller’s theorem to RB to find Rin and also Ro amplifier.

V  Ib  RC RC RC
vo AV  o   
bIb Vin Ib  re   Ib  RE  re  RE  re  RE 
vin Iin Ib Io
bre RC RB RB RB RB
RM1   RM2  
RC R 1 R
RM1 RM2 1 1 C 1 1 C
RE re  RE RE AV RE
Rin
Ro
104
 Io VCC
RC vo
RB bIb
vo Io
Iin IB vin Iin Ib
bre RC
vin
RM1 RM2
RE Ro Rin RE
Rin Ro

I  re   Ib  RE  RB RB
Rin  RM1 // b  // re  RE   // RE 
I b
RC RC
1 1
RE RE

RB RB
Ro  RC // RM2  RC //  RC //
1 R
1 1 C
AV RE

V  Ib  RC RC RC
AV  o   
Vin Ib  re   Ib  RE  re  RE  re  RE 
RB
// RE 
RC
1
Io Vo / RC Rin  RC  RE
AI    AV   
Iin Vin / Rin RC  re  RE  RC

105
 Example:
Find the AV , Rin , Ro , AI of the given Feedback Bias amplifier. Take
IB<<IC and neglect the BJT output resistance r o
9V
Io
2.7kW
180kW
vo
Iin IB
IC
9 180k  0.7  IC 2.7k  (IB  IC ) vin b=200
200 ro=¥
9  0 .7 26mV Rin
IC   2.3mA  re   11.3 Ro
3.6k 2.3mA
V   Ib  RC R 2.7k RB
AV  o   C    238.9
Vin Ib  re  re  11.3 vo
RB 180k vin Iin Ib Io
Rin  RM1 //  re   // 200  11.3  0.563k bre
1  Av 1   238.9  bIb RC
RB 180k
Ro  RM2 // RC  // 2.7k  // 2.7k  2.66k Rin
1 1 1  1 Ro
Av  238.9 
I R 0.56k
AI  o  AV in  238.9   49.55
Iin RC 2.7k vo
bIb
vin Iin Ib Io
bre RC
RM1 RM2
Rin
Ro
106
 6. Phân tích KĐ bám cực E
(Emitter Follower Amplifier)

Áp ra lấy tại cực E của BJT

(Taking the output voltage at the Emitter instead of Collector of the BJT will create different ac
parameters compared to Fixed bias and Emitter bias amplifier especially in voltage gain which will now
unity. The output resistance will become very small. Input resistance is the same as Emitter bias
amplifier).

VCC
Iin IB
bIB
RB

Iin IB vin bre

vo
vin RB Io
Io vo
Rin RE
Rin RE
Ro
Ro

Vin  Ib   re    Ib  RE  To find Ro  short Vin and find Ro  Vo / Io // RE

V Vo I  re
Rin  RB // in  RB // re  RE   b  re  Ro  Vo / Io // RE  re // RE
Ib Io Ib  Ib
V  Ib  RE RE Rin R // re  RE 
AV  o    1  re  RE  AI  AV  1 B
Vin Ib   re    Ib  RE  re  RE RE RE

107
 VD:
Tìm AV , Rin , Ro , AI. Lấy IB<<IC và bỏ qua trở kháng ra ro

16V

270kW
b=110
Iin IB ro=50k
dc analysis
vin
IC vo
16  270k  0.7  IC 2.7k  (IB  IC ) Io
110
Rin 2.7kW
16  0.7 26mV Ro
IC   2.97mA  re   8.75
5.15k 2.97mA
ac analysis
V
Iin Vin  Ib   re   Ib  RE   in  re  RE 
IB
bIB
Ib
vin bre
vo V
RB Io Rin  RB // in  270k // 1108.75  2700   270k // 298k  141.65k
Ib
Rin RE
Ro V  Ib  RE RE 2700
AV  o    1
Vin Ib  re   Ib  RE  re  RE 8.75  2700

To find Ro  short Vin and find Ro  Vo / Io // RE

Vo I  re
 b  re  Ro  Vo / Io // RE  re // RE  8.75 // 2700  8.75
Io Ib   Ib
R R // re  RE  141.65k
AI  AV in  1  B  1  52.46
RE RE 2.7k
108
 7. Phân tích KĐ B-C
(Common Base Amplifier)

Áp vào đưa vào cực E còn áp ra lấy tại cực C

Connecting the input voltage at the Emitter and taking the output voltage at the Collector of the BJT
is called Common Base amplifier. It will create the input resistance to become very small The Output
resistance is the same as Emitter bias amplifier.

PNP NPN
vin vo vin vo
Iin Iin
RE RC RE RC

VEE VCC VEE VCC

Vin nối với cực E còn Vo nối với cực C

Cực B trở thành cực chung cho cả V in và Vo
VCC
Io
RB RC
Vin is at the Emitter and Vo is at the Collector vo
in NPN BJT biased by a single battery Common Base amplifier IB
Iin Ro
vin
CB
RE
Rin109
 VCC
Io
RB RC
vo vo Ib vo
IB Ib
Io bIb Io
Ro Iin bre
Iin Iin
vin vin RC vin RC
CB Ro Ro
RE RE RE
Rin Rin Rin
KĐ B-C Mạch tương đương AC Mạch tương đương AC của BJT

Ib vo
Ro  RC bIb
bre Io
V  Ib  re RC
Rin  RE // in  RE //  RE // re -bIb Iin vin
 I  I Ro
b b RE
Vin  Ib  re  Rin
V  Ib  RC R
AV  o   C
Vin  Ib  re  re
I R R R // re RE // re
AI  o  AV in  C  E 
Iin RC re RC re

110
 VD:
Tìm AV , Rin , Ro , AI. Lấy IB<<IC và bỏ qua ro

14V
Io
2.2kW
470kW vo
IB
b=140 Ro
IC Iin
14  470k  0.7  IC 1.2k  (IB  IC ) vin
140 10mF
14  0.7 26mV 1.2kW
IC   2.92mA  re   8.9 Rin
4.56k 2.92mA

Ro  RC  2.2k

V  Ib  re
Rin  RE // in  RE //  RE // re  1.2k // 8.9  8.9
 I b  I b

Vin  Ib  re 

V  Ib  RC RC 2.2k
AV  o     247.2
Vin  Ib  re  re 8.9
I R R R // re RE // re re
AI  o  AV in  C  E    1  RE  re 
Iin RC re RC re re

111