Professional Documents
Culture Documents
Báo Cáo PBL2 - GG
Báo Cáo PBL2 - GG
Báo Cáo PBL2 - GG
* Tên đề tài: Mạch khuếch đại công suất OTL ngõ vào ĐƠN
+ Công suất: 45 [W] + Điện áp ngõ vào: 0.5 [V] + Trở kháng vào: 110 [KΩ]
+ Điện trở loa: 4 [Ω] + Băng thông: 40Hz-20kHz + Méo phi tuyến: 0.2 [%]
………………………………………………
………………………………………………
………………………………………………
MỤC LỤC
2.2. Sơ đồ khối....................................................................................................17
PAGE \* MERGEFORMAT 35
2.3 Phân loại hồi tiếp.........................................................................................17
2.4.2. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng vào......................................21
2.4.3. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra........................................22
2.4.6. Cải thiện băng thông mạch khuếch đại khi có hồi tiếp...................23
5.2.1. Kiểm tra mạch khuếch đại khi không có tín hiệu ngõ vào..............36
5.2.2. Kiểm tra mạch khuếch đại khi có tín hiệu ngõ vào.........................36
5.2.3. Kiểm tra mạch tổng thể khi có tín hiệu ngõ vào..............................39
5.3.1. Kiểm tra mạch khi không có tín hiệu ngõ vào..................................40
5.3.3. Kiểm tra mạch tổng thể khi có tín hiệu ngõ vào..............................41
6.2. Những thuận lợi và khó khăn khi thực hiện đề tài:.............................42
a. Thuận lợi:................................................................................................42
b. Khó khăn:................................................................................................42
PAGE \* MERGEFORMAT 35
LỜI NÓI ĐẦU
Kinh tế - xã hội càng ngày càng phát triển thì nhu cầu con người cũng như
việc hội nhập quốc tế là một vấn đề vô cùng cấp thiết. Vì thế ngày càng đòi hỏi các
ngành khoa học – kĩ thuật hiện nay phải tiên tiến hơn và đáp ứng các nhu cầu cao
trong thực tế của con người. Trong đó các ngành công nghệ kĩ thuật điện tử cũng
đóng một vai trò quan trọng không kém Là sinh viên còn ngồi trên ghế nhà trường,
chúng em đã được trau dồi những kiến thức chuyên môn về ngành học. Tuy đã được
học và thực hành trên lớp nhưng đó chỉ là một phần nhỏ bé so với kiến thức thực tế.
Chúng em được phần công đề tài “THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG
SUẤT OTL NGÕ VÀO ĐƠN”. Với mong muốn một lần nữa được vận dung kiến
thức đã học, sử dụng thành thạo các phần mềm công cụ, tổ chức thiết kế và thi công
có bài bản và kĩ năng hơn… để tạo nên sản phẩm có trong thực tế. Là một sinh viên
năm ba học tại trường Đại học Bách Khoa Đà Nẵng, đây là đồ án đầu tiên của chúng
em được nghiên cứu và thực hành về mạch điện tử. Dưới sự giúp đỡ và hướng
dẫn nhiệt tình của thầy Võ Tuấn Minh, cùng với tinh thần học hỏi, niềm đam mê với
đồ án, với sự trợ giúp của các bạn cùng khóa và tự tìm tòi trong các tài liệu tham
khảo. Nhóm chúng em đã hoàn thành đồ án một cách tốt nhất có thể. Mặc dù vậy,do
thiếu kinh nghiệm nên chúng em không thể tránh khỏi những sai sót không đáng có
trong cả tính toán và thi công mạch thực tế. Vì vậy chúng em rất mong nhận được sự
góp ý và giúp đỡ của các thầy cô để có thêm kinh nghiệm sau này. Cuối cùng chúng
em xin được gửi lời cảm ơn chân thành đến thầy Võ Tuấn Minh, người đã hướng dẫn
nhiệt tình để chúng em có thể hoàn thành được đồ án này.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
Chương 1: TỔNG QUAN VỀ MẠCH
I. Giới thiệu chung :
- Mạch khuếch đại âm thanh là một trong những sản phẩm tạo nền tảng phát
triển cho sự phát triển của những sản phẩm điện tử phục vụ cho nhu cầu của con
người. Sau hơn 3 năm học, với sự tích lũy kiến thức của các môn học: Cấu kiện
điện tử, kỹ thuật mạch điện tử và lý thuyết mạch điện tử đã đảm bảo cho chúng em
có thể phân tích và thiết kế một mạch khuếch đại công suất.
- Thực tế trong nước ta đã có rất nhiều mạch khuếch đại công suất trên thị
trường. Nhưng phổ biến nhất vẫn là mạch khuếch đại công suất OTL. Hiệu suất cao.
Mạch này loại bỏ biến áp đảo pha, biến áp xuất âm. Khắc phục được đáng kể hiện
tượng méo phi tuyến có các thành phần hài bậc cao gây ra. Tụ xuất âm ngăn dòng
điện một chiều, chỉ cho thành phần xoay chiều đi qua. Có thể làm việc ở chế độ AB
nên cho hiệu suất cao. Công suất gấp đôi loại mạch dùng 1 Transistor. Dùng nguồn
đơn. Mạch đơn giản, ổn định, chất lượng cao.
II. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ :
1.1. Mở đầu chương :
- Trong chương này, sẽ đề cập tới khuếch đại tín hiệu nhỏ với phần tử điều khiển là
BJT. Khi có một sự thay đổi tín hiệu điện áp ở Vin, làm thay đổi cường độ dòng
điện đi qua cực B. Với các đặc tính khuếch đại dòng điện của BJT, chỉ cần dao động
nhỏ ở Vin sẽ khuếch đại sự thay đổi đó và xuất tín hiệu ra ở cực C hay Vout. Và các
thông số chính của mạch khi khuếch đại:
Độ lợi điện áp.
- Mỗi BJT có thể có nhiều cách mắc khác nhau, tùy thuộc vào chức năng như dùng
để khuếch đại dòng, khuếch đại điện áp hay cả hai.
1.2. Khuếch đại tín hiệu nhỏ :
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Khuếch đại là quá trình biến đổi một đại lượng (dòng điện hoặc điện áp) từ biên độ
nhỏ ở ngõ vào thành biên độ lớn hơn nhiều ở ngõ ra mà không làm thay đổi tần số
của nó. Mạch khuếch đại được sử dụng trong hầu hết các thiết bị điện tử, như mạch
khuếch đại âm tần trong Amply, khuếch đại tín hiệu video,….
- Khi xét BJT hoạt động dưới điều kiện tín hiệu nhỏ thì có thể xem BJT như một bộ
khuếch đại xoay chiều.
- Khuếch đại có ba loại mạch chính là:
+ Khuếch đại về điện áp: là mạch khi ta đưa một tín hiệu có biện độ nhỏ vào,
đầu ra ta sẽ thu được một tín hiệu có biên độ lớn hơn nhiều lần.
+ Khuếch đại về dòng điện: là mạch khi ta đưa một tiến hiệu có cường độ yếu
vào, đầu ra ta sẽ thu được một tín hiệu cho cường độ dòng điện mạnh hơn nhiều lần.
+ Khuếch đại công suất: là mạch khi ta đưa một tín hiêu có công suất yếu vào,
đầu ra ta thu được tín hiệu có công suất mạnh hơn. Và mạch khuếch đại công suất là
kết hợp cả hai mạch mạch khuếch đại điện áp và khuếch đại dòng điện vào làm một.
1.3. Phân cực cho BJT :
- Ta biết BJT có thể hoạt động trong 3 vùng: vùng tác động, vùng bão hòa, vùng
ngưng. Tùy theo nhiệm vụ mà hoạt động của transistor sẽ được đặt trong vùng đấy.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Điện trở RB lấy điện áp từ nguồn V CC để phân cực thuận JE, điện trở RC lấy điện áp
từ nguồn VCC để phân cực nghịch JC, có nghĩa: VBE > 0, VCB >0.
- Theo sơ đồ mạch:
VCC
( V CC −V BE )
IB =
RB
RC
RB
IC = β .IB Ic
Ib
- Dòng IB có giá trị không đổi tùy thuộc vào V CC và RB nên mạch có tên là mạch phân
cực bằng dòng IB cố định .
- Xác định điểm làm việc tĩnh Q trên đặc tuyến ngõ rả của BJT bằng các giá trị của
VCE và IC .
- Hồi tiếp là sự đưa tín hiệu ngõ ra của bộ khuếch đại vào ngược lại đầu vào. Nếu tín
hiệu hồi tiếp đưa về làm giảm điện áp vào bộ khuếch đại thì gọi là hồi tiếp âm.
- Điện trở RB dẫn điện áp từ cực C đưa ngược về cực B, khi nhiệt độ tăng dòng I C, IE
tăng làm VC giảm, thông qua điện trở R B làm điện áp phân cực cho cực B là V BE
giảm làm BJT dấn yếu lại làm giảm dòng IC. Điện trở RB gọi là điện trở hồi tiếp âm.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
V CC−V BE VCC
IB =
R B + ( 1+ β ) RC
RC
IC = β I B RB
- Mạch dùng hai điện trở R B1, RB2 tạo thành cầu phân áp để phân cực thuận J E, RC lấy
điện áp từ nguồn VCC phân cực cho JC, RE là điện trở ổn định nhiệt, áp dụng định lý
Thevenin, ta có sơ đồ mạch tương đương:
a.) b.)
- Trong đó:
v CC R B
VBB = R + R 2
; RBB = RB1 // RB2
B B 1 2
vB B −v
BE
IB = ; IC = β I B
R BB + ( 1+ β ) P E
PAGE \* MERGEFORMAT 35
VCE = VCC – ICRC – IERE
* Nhận xét:
+ Ta biết khi nhiệt độ tăng, ba tham số của BJT sẽ thay đổi, đó là VBE, β , IC.
+ Trong ba kiểu phân cực trên, kiểu phân cực bằng cầu phân áp cho ta dòng I C hầu
v BB
như không phụ thuộc vào β vì IC ≈ R nếu chọn VBB >> VBE .
E
a. Sơ đồ :
C1, C2: tụ điện lọc, ngăn thành phần 1 chiều, cho tín hiệu xoay chiều đi qua
CE: tụ thoát xoay chiều, nâng cao hệ số khuếch đại toàn mạch
+ Điện áp vào VS đưa đến đầu vào của mạch làm thay đổi trạng thái hoạt động
của BJT, các dòng điện base ib, ic có thể tăng hay giảm theo điện áp xoay chiều trên
cực collector. Điện áp này qua tụ C2 được đưa đến điện trở Rt của mạch khuếch đại.
* Sơ đồ tương đương:
v be i b +i e r e
rb i b r b + (1+ β ) i e r e
rbe = i = ib
= = rb + (1+ β ) re
b ib
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Hệ số khuếch đại dòng điện k i là tỷ số của dòng điên ra và dòng điện vào của
mạch :
it ib ic it
ki = i = i ⋅ i ⋅ i
v v b c
ivRv = ibrv
ic = β ib
Rv RC ¿ /Rt
ki = β r ⋅ Rt
(1.3)
v
- Hệ số khuếch đại điện áp ku là tỷ số của điện áp trên tải và điện áp vào của mạch :
vt vt −i t R t kt R ν R c ¿ /R t
ku = v = v = i r + R = - ki r + Rv = - β r (1.4)
v s v( s v) S v rS v+R
* Nhận xét :
+ Trong sơ đồ, C1 và C3 là các tụ nối tầng, ngăn điện áp một chiều ảnh hưởng
lẫn nhau, R1, R2, RC để xác định chế đô tĩnh của tầng. R E là điện trở hồi tiếp âm dòng
điện một chiều có tác dụng ổn định nhiêt, C 2 là tụ thoát thành phần xoay chiều xuống
đất ngăn hồi tiếp âm xoay chiều.
+ Mạch khuếch đại EC thường có hệ số khuếch đại lớn nên thường được sử
dụng nhiều ở tầng tiền khuếch đại nhưng lại có trở kháng ra lớn, trở kháng vào nhỏ
nên khó phối hợp trở kháng. Mạch tạo tín hiêu ra ngược pha, có độ khuếch đại áp, độ
khuếch đại dòng và công suất tốt.
* Ưu nhược điểm và ứng dụng :
- Ưu điểm:
Mạch khuyếch đại E chung thường được định thiên sao cho điện áp
Vce khoảng 60% ÷ 70 % Vcc.
Có khả năng khuếch đại dòng và áp.
Dòng điện tín hiệu ra lớn hơn dòng tín hiệu vào nhưng không đáng
PAGE \* MERGEFORMAT 35
kể.
Mạch mắc theo kiểu E chung như trên được ứng dụng nhiều nhất
trong thiết bị điện tử.
- Nhược điểm:
Tín hiệu đầu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào .
- Ứng dụng:
Sử dụng trong khuếch đại tầng thúc ( chủ yếu khuếch đại dòng, việc
khuếch đại áp không quá chú trọng).
PAGE \* MERGEFORMAT 35
rS: điện trở trong nguồn tín hiệu
C1, C2: tụ điện lọc, ngăn thành phần 1 chiều, cho tín hiệu xoay chiều đi qua
- Sơ đồ tương đương:
Rv = (R1 // R2)// rv
vb i b r b + ( r e + R e ¿ /R t ) i e
rv = i = = rb (1+ β )(re + Re // Rt)
b ib
it i b ie i t
Ki = i = i ⋅ i ⋅ i
v v b e
ivRv = ibrv
PAGE \* MERGEFORMAT 35
ie = (1 + β ) ib
v R ℜ/¿ R t
vậy: ki = r ( 1+ β ) ⋅ Rt
v
tv t t iR t R v E R R ¿/ R
t
Ku = v = i r + R = ki r = ( 1+ β ) ⋅ r ⋅ r + R
v (
v s ν ) s +R vt s v
* Nhận xét:
* Ứng dụng:
+ Mạch khuếch đại EC có hệ số khuếch đại công suất là lớn nhất nên thường
hay được dùng, được sử dụng trong các mạch tần số vô tuyến, ví dụ như khuếch đại
tín hiệu qua ăng-ten.
+ Mạch khuếch đại CC thường được dùng để phối hợp trở kháng giữa nguồn
tín hiệu có trở kháng lớn và trở tải nhỏ, thường được dùng trong đoạn đầu ra của bộ
khuếch đại chế độ B và chế độ AB.
* Ưu nhược điểm:
- Ưu điểm:
Cường độ của tín hiệu ra mạnh hơn cường độ của tín hiệu vào nhiều
lần.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
Tín hiệu ra cùng pha với tín hiệu vào.
Tổng trở vào lớn ( vài trăm ohm), tổng trở ra nhỏ ( vài chục ohm ),
không khuếch đại áp ( Av ~1).
- Nhược điểm:
Mạch chỉ khuếch đại dòng, không khuếch đại áp.
a. Sơ đồ
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Nhược điểm:
Khuếch đại về điện áp và không khuếch đại về dòng điện.
* Ứng dụng:
Mạch mắc kiểu B chung rất ít khi được sử dụng trong thực tế do không đảm bảo
được yếu tố: Ki = 1, Ku không quá lớn.
==============================================
Chương 2: HỒI TIẾP
2.1. Giới thiệu chương :
- Về cơ bản, hồi tiếp là việc ghép một phần tín hiệu (áp hoặc dòng) từ ngõ ra của
một mạng tứ cực tích cực (thường là mạch khuếch đại Ao) về lại ngõ vào của mạch
chính mạng này thông qua một mạng tứ cực khác (gọi là mạch hồi tiếp β).
2.2. Sơ đồ khối :
- Xét cấu hình hồi tiếp ở Hình 1-1, cần nắm vững các kiến thức sau:
+ vs: tín hiệu vào, v0: tín hiệu ra, vi: tín hiệu ngõ vào mạch khuếch đại,
+ Ao: độ lợi vòng hở, Aof: độ lợi vòng kín, β: hệ số khuếch đại hồi tiếp.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
+ vi = vs - vf
+ vo= viAo
+ vf = βvo
Vo
+ vs = A o + βvo
Vo Ao
+ Aof = V s = 1+ β A o
2.3. Phân loại hồi tiếp: Bao gồm 2 loại hồi tiếp chính: Hồi tiếp âm và hồi tiếp
dương
a. Hồi tiếp điện áp – nối tiếp: lấy mẫu điện áp ở ngõ ra v o và đưa điện áp hồi tiếp v f
về ghép nối tiếp với điện áp ngõ vào vi của bản thân bộ khuếch đại.
* Sơ đồ khối:
b. Hồi tiếp điện áp – song song: lấy mẫu điện áp ở ngõ ra vo và đưa điện áp hồi tiếp
về vf về ghép song song với điện áp ngõ vào vi của bản thân bộ khuếch đại.
* Sơ đồ khối :
PAGE \* MERGEFORMAT 35
c. Hồi tiếp dòng điện – nối tiếp: lấy mẫu dòng điện ở ngõ ra i o và đưa dòng điện hồi
tiếp if về ghép nối tiếp với dòng điện ngõ vào vi của bản thân bộ khuếch đại.
* Sơ đồ khối :
d. Hồi tiếp dòng điện – song song: lấy mẫu dòng điện ở ngõ ra i o và đưa dòng điện
hồi tiếp if về ghép song song với dòng điện ngõ vào ii của bản thân bộ khuếch đại.
* Sơ đồ khối :
- Tính chất:
- Tác dụng:
+ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến hệ số khuếch đại và dải tần.
- Khi không có hổi tiếp: k là hệ số khuếch đại. Khi có hồi tiếp, β là hệ số hồi tiếp của
khâu hồi tiếp thì hệ số khuếch đại của mạch có hồi tiếp giảm đi (1+βk) lần so với khi
không có hồi tiếp.
Vr k
kf = Vs = 1+ βk
k
kf = 1+ β k (*)
* Nhận xét:
- Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp ổn định hơn khi không có hồi tiếp.
- Hồi tiếp âm tăng dải tần của bộ khuếch đại và tăng méo phi tuyến.
- Hồi tiếp âm tăng dải tần của bộ khuếch đại.
2.4.2. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng vào:
Vs−β kVv
Iv = Zv
Iv.Zv = Vs - β kV v
Vs = IvZv + β k IvZv
Vs
Zvf = Iv = Zv(1+ βk ) (**)
* Nhận xét:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Tổng trở của mạch hồi tiếp mắc theo kiểu này được tăng lên Z v(1+ βk ) lần so
với khi không có hồi tiếp.
Zv
Zvf = 1+ βk
* Nhận xét:
- Tổng trở của mạch hồi tiếp mắc theo kiểu này được giảm đi Z v(1+ βk ) lần so với khi
không có hồi tiếp.
- Tương tự như hồi tiếp điện áp nối tiếp tổng trở vào mạch hồi tiếp mắc theo kiểu này
được tăng lên Zv(1+ βk ) lần so với khi không có hồi tiếp.
- Tương tự như hồi tiếp điện áp song song tổng trở vào mạch hồi tiếp mắc theo kiểu
này được giảm đi Zv(1+ βk ) lần so với khi không có hồi tiếp.
2.4.3. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra:
- Trở kháng ra chỉ phụ thuộc vào hồi tiếp điện áp và hồi tiếp dòng điện mà không
phụ thuộc vào hồi tiếp nối tiếp hay song song.
- Trở kháng đầu ra được xác định bằng điện áp cung cấp V gây ra dòng điện I, Khi
ngắn mạch Vs (Vs=0).
+ V = I.Zr + kVv
V Zr
Zrf = I = 1+ β k
* Nhận xét:
- Tổng trở ngõ ra của mạch hồi tiếp mắc theo kiểu này được giảm đi Z v(1+ β k ) lần so
với khi không có hồi tiếp.
- Với Vs = 0 và Vv = Vf :
V
I = Zr - k β I
Zr(1+ k β )I = V
V
Zrf = I = Zr(1 + β k)
* Nhận xét:
- Tổng trở ngõ ra của mạch hồi tiếp mắc theo kiểu này được tăng lên Z v(1+ βk ) lần so
với khi không có hồi tiếp.
1
- Trong bộ khuếch đại hồi tiếp âm có β k>>1, thì hệ số khuếch đại sẽ là kf ≈ β . Khi
đó có thể xem như mạch chỉ đơn thuần là điện trở, nó không phụ thuộc vào tần số
cho du bộ khuếch đại có chứa phần tử phụ thuộc tần số. Thực tế thì méo tần số giảm
là do sự thay đổi của hệ số khuếch đại theo tần số trong mạch có hồi tiếp âm điện áp
được giảm đáng kể.
- Khi có hồi tiếp âm sẽ làm nhỏ tín hiệu nhiễu và giảm nhỏ méo phi tuyến.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Khi độ méo phi tuyến giảm đi (1+ βk ) lần thì hệ số khuếch đại cũng giảm đi. Để có
thể giảm được độ méo phi tuyến mà vẫn có hệ số khuếch đại lớn hoặc tăng số tầng
khuếch đại lên.
2.4.6. Tác dụng cải thiện băng thông mạch khuếch đại khi có hồi tiếp:
- Xét ở tần thấp: Độ lợi của mạch khi có hồi tiếp là:
A of
Af (if) = 1− j(fLF / f )
- Tương tự xét ở tần số cao, ta cũng có tần số cắt cao 3dB của mạch khuếch đại khi
có hồi tiếp là: fHF = fH (1+ β Ao)
- Rõ ràng, băng thông BWof của mạch khuếch đại khi có hồi tiếp đã được nới rộng so
với băng thông BWo của mạch khi chưa có hồi tiếp. Tất nhiên, điều này cũng trả giác
bằng việc suy giảm độ lợi (do tích số độ lợi - băng thông là một hằng số).
2.5. Các mạch hồi tiếp thực tế:
2.5.1. Mạch hồi tiếp điện áp - nối tiếp:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
Giải thích : Tín hiệu hồi tiếp là điện áp Vf ngang qua Re và tín hiệu lấy mẫu là Vo
ngang qua Re. Như vậy,đây là trường hợp của mạch hồi tiếp điện thế nối tiếp.
Vf
Ta có Vo=Vf Vo =1
Vì Rs được xem là một thành phần của mạch khuếch đại Vi=Vs và :
Vo Vo β . Ib . R β. R
Av= Vi = Vs = Vs
= Rs + β . R
β. R Rs + β .(R+ R)
F= 1 + 𝛽.Av=1+ Rs + β . R =
Rs+ β . R
R
Av
Suy ra Av= F = R + R+ Rs
β
Trong đó :
PAGE \* MERGEFORMAT 35
Kết luận : Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp điện áp cải thiện tổng trở vào và
ra ,giảm méo tín hiệu,mở rộng băng thông và ổn định hàm truyền.Nhưng lại làm
giảm biên độ tín hiệu và có thể kém ổn định ở tần số cao.
2.5.2. Mạch hồi tiếp điện áp - song song:
Giải thích:
Tín hiệu hồi tiếp Xf=Vf là điện thế ngang qua điện Re và là cách nối tiếp.
Nếu cho Io=0(R1=∞ nghĩa là dòng cực thu bằng 0 nên Vf ngang qua Re cũng bằng
0.
Vậy mạch lấy mẫu dòng điện ngõ ra,suy ra đây là mạch hồi tiếp dòng nối tiếp.
Vì điện thế hồi tiếp tỷ lệ với Io là dòng điện được lấy mẫu vào Vf xuất hiện ngang
qua Re trong mạch tại ngõ ra và không phải ngang qua Re trong mạch ngõ vào.
Vf −R
𝛽= Io = Io =−R
Io −β . Is −β
Vì Vs=Vi nên Gm= Vi = Vs = Rs + R+ R . β
β. R Rs + β . R+ R .(1+ β )
F=1+𝛽.Gm=1+ Rs + R . β + R =
R 6+ β . R + R
Gm β
Và Gmf= F = R 6+ β . R+(1+ β). R
Nếu Re là một điện trở cố định, được dẫn truyền của mạch hồi tiếp rất ổn
định,dòng qua tải được cho là :
−β .Vs Vs
Io=Gmf. Vs= R 6+ β . R+(1+ β). R = R
Dòng qua tải tỷ lệ trực tiếp với điện thế ngõ vào và dòng này chỉ cùng thuộc Re.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
Độ lợi điện thế cho tải :
Io . RI −β
Avf= Vs =Gm . RI = R 6+ β . R+(1+ β). R
Ri = Rs +ℜ+ℜ.𝛽
Vậy Rif=Rs+ Rs +ℜ.𝛽+ℜ.(𝛽+1)
Vì Ro≠∞ nên Rof=Ro.(1+𝛽.Gm)=∞vì vậy Rof=RI//Rof=RI
Kết luận : Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp điện áp cải thiện tổng trở vào và
ra,giảm méo tín hiệu ,mở rộng băng thông và ổn định hàm truyền.Nhưng lại làm
giảm biên độ tín hiệu và có thể kém ổn định ở tần số cao.
2.5.3. Mạch hồi tiếp dòng điện - song song
Mạch ở trên dùng 2 transistor liên lạc trực tiếp dùng hồi tiếp cực phát của Q2 về cực
vào của Q1 qua trở R’.Đầu tiên,ta đổi nguồn tín hiệu V6 thành nguồn gồm có dòng
Vs
điện Is= Rs chạy vào và mắc vào song song với Rs .
Để xác định hoặc lấy mẫu,ta cho Vo=0(Rc2=0) điều này không làm giảm Io và
không làm dòng chảy qua Re của Q2 xuống 0 và dòng If không giảm xuống 0 ,vậy
mạch này không phải lấy mẫu điện thế.
Bây giờ cho Io=0(Rc=∞),dòng If sẽ bằng 0,vậy mạch lấy mẫu bằng dòng được . Đó
là mạch hồi tiếp dòng điện song song.Điện thế VB2 rất lớn đối với Vi,do Q1 khuếch
đại.Vb2 ngược pha so với Vi.Vì tác động emitter follower,Ve2 thay đổi rất ít so với
Vb và điện thế này cùng pha.Vậy Vb2 có biên độ lớn hơn Vi là Vb và có pha ngược
với Vi.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
Nếu tín hiệu vào tăng làm cho Is tăng và If cũng tăng,Ii=Is-If sẽ nhỏ hơn trong
trường hợp không có hồi tiếp.Nên mạch này là mạch hồi tiếp âm.
Tín hiệu hồi tiếp là dòng If chạy qua điện trở R’ nằm trong mạch ngõ ra,ta có:
Ib2<Ic2=|Io|
If R
𝛽= Io = R+ β
Điện trở ngõ vào giảm,điện trở ngõ vào tăng và độ lớn dòng điện Aif ổn định,ta có :
Io 1 R + R '
Aif = Is = β = R
Nếu Re,R’,Rc2,Rs ổn định thì Avf ổn định( độc lập với thông số của BJT ,nhiệt độ
bằng sự giao động của nguồn điện thế V6).
Kết luận :
Hồi tiếp nối tiếp làm tăng trở kháng vào,hồi tiếp song song làm giảm trở
kháng vào.
Hồi tiếp điện áp làm giảm trở kháng ra,hồi tiếp dòng điện làm tăng trở kháng
ra.
Trở kháng vào lớn và trở kháng ra nhỏ là mong muốn của hầu hết các tầng
khuếch đại. Hồi tiếp điện áp nối tiếp đáp ứng của 2 yêu cầu trên.
Khi hệ số hồi tiếp thay đổi sẽ làm thay đổi hệ số khuếch đại trở kháng vào-ra
của mạch có hồi tiếp
Bộ khuếch đại hồi tiếp âm còn giúp giảm méo tần số đo làm thay đổi hệ số
khuếch đại theo tần số có trong mạch giảm một cách đáng kể.
Khi có hồi tiếp âm sẽ làm nhỏ tín hiệu nhiễu,giảm méo phi tuyến.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
Mạch ở trên là 1 tầng cực phát cung với tín hiệu điện trở R’ được nối tiếp từ ngõ ra
trở về ngõ vào.Mạch trộn song song và Xf là dòng điện If chạy qua R’.
Nếu Vo=0 ,dòng hồi tiếp If sẽ giảm tới 0 chỉ bằng kiểu lấy mẫu điện thế được sử
dụng.Vậy mạch là mạch khuếch đại hồi tiếp điện thế song song.Như vậy,độ lợi
truyền Af=Rmf được ổn định và cả 2 điện trở ngõ vào ra đều bị giảm.
Vì tín hiệu hồi tiếp là dòng điện,nguồn tín hiệu được biểu diễn bằng nguồn tương
Vs
đương Narton với Is= Rs .
Tín hiệu hồi tiếp là dòng điện If chạy qua điện trở R’ nằm trong mạch ngõ ra,ta có :
If −1
𝛽= Vo = R '
Vo 1 '
Rmf = Is = β =−R
Nếu R’ là một điện trở ổn định thì điện trở truyền sẽ ổn định,độ lợi điện thế với mạch
hồi tiếp :
Vo Vo 1 −R' Rmf
Avf= Vs = R 6. Is = Is , β = Rs = R 6
Kết luận :
Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp điện áp cải thiện tổng trở vào và ra,giảm méo tín
hiệu,mở rộng băng thông và ổn định hàm truyền.Nhưng lại làm giảm biên độ tín hiệu
và có thể kém ổn định ở tần số cao.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
Mạch khuếch đại hồi tiếp giúp cải thiện các tính chất của bộ khuếch đại,nâng cao
chất lượng của bộ khuếch đại,kết hợp với tầng thúc để đảm bảo tín hiệu ít bị méo phi
tuyến và cho ra chất lượng âm thanh tốt.
- Bộ khuếch đại công suất là bộ khuếch đại điện tử được thiết kế ở tầng cuối của
thiết bị khuếch đại. Nó có nhiệm vụ cung cấp cho mạch một tín hiệu trung thực đạt
công suất mong muốn và có hiệu suất hợp lý, tăng cường độ công suất của tín hiệu
đầu vào nhất định.
- Công suất của tín hiệu đầu vào được tăng lên mức đủ cao để điều khiển tải các
thiết bị đầu ra như loa, tai nghe, máy phát R, …
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Không giống như các bộ khuếch đại điện áp / dòng điện, bộ khuếch đại công
suất được thiết kế để truyền tải trực tiếp và được sử dụng như một khối cuối cùng
trong một chuỗi khuếch đại.
- Mạch khuếch đại công suất có nhiệm vụ tạo ra một công suất đủ lớn để kích thích
tải. Công suất ra có thể từ vài trăm MW đến vài trăm W. Như vậy mạch công suất
làm việc với biên độ tín hiệu lớn ở ngõ vào: do đó ta không thể dùng mạch tương
đương tín hiệu nhỏ để khảo sát như trong các chương trước mà thường dùng phương
pháp đồ thị.
Tùy theo chế độ làm việc của transistor, người ta thường phân mạch khuếch đại
công suất ra thành các loại chính như sau.
-Tầng ra được thiết kế để cung cấp một trở kháng ra nhỏ và dòng ra lớn.
- Mạch khuếch đại chế độ A – transistor dẫn cả chu kỳ trong một chu kỳ tín hiệu đầu
vào.
- Mạch khuếch đại đẩy kéo: sử dụng 2 transistor – một transistor sẽ hoạt động
trong nửa chu kỳ đầu và một transistor sẽ hoạt động trong nửa chu kỳ sau của tín
hiệu sóng vào. Mỗi transistor hoạt động ở chế độ B (bán dẫn kỳ trong một chu kỳ tín
hiệu vào).
-Mạch khuếch đại AB: kết hợp chế độ A và B, mục địch là tránh méo xuyên
tâm cho khuếch đại đẩy kéo.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Tính hiệu khuếch đại gần như tuyến tính, nghĩa là tín hiệu ngõ ra thay đổi tuyến
tính trong toàn bộ chu kì 360o của tín hiệu ngõ vào (transistor hoạt động ở cả hai bán
kì).
- Khi có tín hiệu vào, để dòng Ic có thể biến đổi tốt nhất, điểm tĩnh Q phải được phân
cực sao cho:
Icsat Vcc
Ic = 2 và Vce = 2
- Đặc điểm chính là tín hiệu ngõ ra của BJT luôn ở trong vùng tích cực có nghĩa là
BJTđược phân cực sao cho tín hiệu ngõ ra luôn biến thiên theo tín hiệu ngõ vào.
- Tín hiệu khuếch đại trong cả chu kì 2 π .
Vcc
- Điểm làm việc tĩnh Q(Vce, Ic) thõa mãn điều kiện Vce = 2
- Đây là điểm phân cực để cho mạch có hiệu suất lớn nhất.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Khi đưa tín hiệu Vi vào ngõ vào, dòng Ic và điện thế Vce sẽ thay đổi quanh điểm
làm việc tĩnh Q.
- Với tín hiệu ngõ vào nhỏ, nên dòng điện và điện áp ra cũng ít thay đổi.
- Với tín hiệu ngõ vào lớn, ngõ ra sẽ thay đổi rất nhiều quanh điểm Q, dòng Ic sẽ
thay đổi quanh giá trị (0, Icsat) mA. Còn Vce thay đổi giữa hai giới hạn ( 0, Vcc).
Ilp
𝑃𝐿 = 𝑅𝐿𝐼𝑅𝑀𝑆 = Rl . 2 .Ilp = Vcc.Ilp/2
Pcc = 2Vcc.𝐼lp
Ilp
vc ⋅
c
2 1
η= = =25 %
2 v cc ⋅ Ilp 4
- Kết luận:
Tầng ngõ ra thường yêu cầu trở kháng ngõ vào lớn, trở kháng ngõ ra nhỏ và hệ số
khuếch đại điện khá đều. Độ rộng của tín hiệu ra không bị hạn chế bở transistor bởi
PAGE \* MERGEFORMAT 35
vì nó luôn hoạt động.
Hiệu suất mạch khuếch đại thấp.
- Ưu điểm:
Tín hiệu ngõ ra khuếch đại trong cả chu kì theo tín hiệu vào
Ít biến dạng
- Nhược điểm:
Do được phân cực làm việc tối ưu, nên tiêu hao năng lượng lớn
Hiệu suất của mạch thấp thường là ƞ = 25%
- Ứng dụng:
Được sử dụng trong các mạch trung gian như khuếch đại cao tần, khuếch
đại trung tần, tiền khuếch đại, …
- Đặc điểm phân cực là điện áp Vbe = 0 v vì vậy khi đó tín hiệu ngõ vào phải vượt
qua điện áp ngưỡng Vy của BJT thì mới có tín hiệu ở ngõ ra.
- Tín hiệu chỉ khuếch đại ở 1 bán kì dương hoặc âm tùy thuộc loại BJT là npn hay
pnp
Mạch khuếch đại công suất thường được ghép dạng PUSH – PULL
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Công suất hữu ích trên tải trong 1 chu kì:
Ilp
𝑃𝐿 = 𝑅𝐿𝐼𝑅𝑀𝑆 = Rl . 2 .Ilp = Vcc.Ilp/2
p CC 1
π
v cc ⋅ I l
=V CC ⋅ I CC= ⋅ ∫ I lp ⋅sin wtd (wt )=2 p
2 2π 0 π
Ilp
Pcc = Vcc. π
- Hiệu suất của mạch khuếch đại công suất chế đọ B mắc đẩy kéo:
Ilp
vc ⋅
c
2 π
η= = =78 ,5 %
Ilp 4
2 v cc ⋅
π
- Kết luận:
* Mạch khuếch đại công suất chế độ B được cải thiện hơn so với mạch khuếch đại
chế độ A, nhưng méo phi tuyến lớn, độ méo tăng lên khi kích thước tín hiệu tăng.
- Ưu điểm:
- Nhược điểm:
- Thường được sử dụng trong các mạch khuếch đại công suất đẩy kéo như công suất
âm tần, công suất mành của tivi, ...
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Đặc điểm là sự cải tiến nhược điểm méo xuyên tâm cuẩ lớp B bằng cách nâng áp
phân cực điểm tĩnh Q sao cho nằm trong vùng giữa lớp A và lớp B, mạch được phân
cực có Vbe gần bằng Vy của BJT. Vì vậy tính hiệu ngõ ra hơn nữa chu kì.
- Mạch khuếch đại công suất thường được ghép dạng đối xứng bổ phụ, có nghĩa là
hai BJT có cùng thông số nhưng một là npn và một là pnp.
- Mạch thiết kế dung nguồn đôi là mạch khuếch đại công suất dạng OCL (Output
Capactor – Less).
* Kết luận:
Mạch khuếch đại chế độ AB chủ yếu dung để giảm bớt méo xuyên tâm cho
chế độ B lúc tín hiệu ở ngõ vào còn yếu. Nó được Dùng để làm tầng kích thích cho
tầng công suất cuối chế độ B.
- Ưu điểm:
- Nhược điểm:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
Sơ đồ mạch:
- Đặc điểm:
- Ưu điểm:
Hiệu suất cao, tín hiệu ra không bị méo xuyên tâm, tụ xuất âm ngăn dòng 1
chiều nhỏ cho thành phần xoay chiều đi qua, bảo vệ loa.
Mạch đơn giản, không cồng kềnh, chỉ sử dụng một nguồn đơn.
- Nhược điểm:
Q1 và Q2 không đối xứng, khó cân chỉnh điểm giữa do có tụ xuất âm nên gây
1
tổn hao tín hiệu ở tần số thấp, tần số cắt của mạch f C = 2 π
Sơ đồ mạch:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Đặc điểm:
Mạch OCL dung 2 Transistor Q1, Q2 hoàn toàn giống hau về đăch tính
Sử dụng nguồn đôi
Dùng mạch đảo pha trước
Tín hiệu đưa thẳng ra loa không cần qua tụ lọc
- Ưu điểm:
- Nhược điểm:
Mạch khó thiết kế, nếu có thay đổi dòng ra sẽ làm cho loa dễ cháy
Sử dụng nguồn đôi
Do tải ghép trực tiếp nên phải có mạch bảo vệ quá công suất, mạch đóng tải
chậm
Q1 và Q2 đòi hỏi sự giống nhau về đặc tín kỹ thuật
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Mạch Darlington là mạch gồm 2 Transistor cùng kiểu NPN hoặc PNP kết nối theo
cách thức để khuếch đại dòng của Transistor đầu được khuếch đại them bởi
Transistor thứ hai.
Sơ đồ mạch:
- Đặc điểm:
- Ở tầng thứ 2:
I0 Ie
Zi2 = hfe2.RE Ki2 = I = I = hfe2
2
i2 b 2
- Ở tầng thứ nhất, không thể dùng phương pháp tính gần đúng để tính. Bởi phương
1
pháp này, ta xem tải RL << h ⅇ trong mạch.
0
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Ở tầng này, tải RL1 ≈ Zie là điện trở vào tầng thứ 2, về độ lớn, không thể coi như nối
1 1
đât so với h ⅇ . Vì vậy, ở tầng thứ nhất cần phải tính tới hiệu ứng của h ⅇ 1 .
0 0
v0
I0 = hfeIB + I = hfeIB + 1 = hfeIi + h0 e V0
H0 ⅇ
- Ở khuếch đại chế độ A: khuếch đại được cả 2 bán chù kỳ của tín hiệu xoay chiều
hình sin, thường dùng cho các mạch khuếch đại tín hiệu có biên độ nhỏ.
- Ở khuếch đại chế độ B: Transistor chỉ khuếch đại được một bán kỳ nên muốn có
đủ cả 2 bán kỳ thì phải dùng 2 transistor để khuếch đại luân phiên cho 2 bán kỳ,
thường dùng cho các mạch khuếch đại có biên độ lớn, hiệu suất cao do công suất tiêu
tán nhỏ. Tín hiệu ra bị méo dạng xuyên tâm
- Ở khuếch đại chế độ AB: cũng giống như ở chế độ B, chế độ AB dùng 2 transistor
để khuếch đại luân cho 2 bán kỳ, dùng cho các mạch khuếch đại có biên độ lớn, hiệu
suất cao do công suất tiêu tán nhỏ, tín hiệu ra không bị méo dạng như chế độ B.
- Các loại mạch khuếch đại công suất được trình bày ở chương vẫn vẫn chưa thể đảm
bảo công suất vào ra nên phải có các biện pháp cải tạo, bảo vệ mạch như mắc
Darlington để tăng khả năng khuếch đại, phối hợp trở kháng dung mạch lọc Zobell
để hạn chế sự thay đổi trở kháng loa theo tần số của mạch.
4.1.1 Sơ đồ mạch:
- Q6, VR1, D4, D5, R7: Tạo thành nguồn dòng tầng thúc.
- D1, D2, D3, VR2: Định thiên áp để các BJT công suất Q1, Q2 làm việc ở chế độ
AB.
- R7, R8: Điện trở ổn định nhiệt, ổn định điểm làm việc cho Q5.
- R12, C2: Mạch lọc nguồn loại bỏ các thành phần tần số cao, chống hiện tượng dao
động tự kích trong mạch.
- R0, C4: Mạch Zobel cân bằng trở kháng loa ở tần số cao.
- Tín hiệu vào của mạch khuếch đại có dạng sin: v = vsinωt
VL = VL sinωt + VCEO
iL = ILsinωt + ICO
Do tầng công suất làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh và điện áp tĩnh rơi trên tải
không đáng kể, do vậy:
vL =VLsinωt
PAGE \* MERGEFORMAT 35
iL = ILsinωt
Gọi VLhd, ILhd là điện áp hiệu dụng và dòng điện hiệu dụng trên tải:
VL IL
VLhd = , ILhd =
√2 √2
PAGE \* MERGEFORMAT 35
V CC . I L 1 50.3 ,77 1
=> Pttmax/Q1 = - 4 (RL + R1). I 2L = 2 π - 4 (4 + 0,22).3 , 772= 15W
2π
- Công suất tiêu tán tĩnh trên Q1:
V CC 50
PDC/Q1 = IEQ = 2 0,05 = 1,25W
2
=> Công suất cực đại trên Q1:
Ptt∑ max/Q1 = Pttmax/Q1 + PDC/Q1 = 15 + 1,25 = 16,25W
Vì Q1, Q2 là cặp BJT bổ phụ nên ta chọn Q1, Q2 thỏa mãn điều kiện:
IC > IE1p = 4,79A
VCEO > VCC = 50V
PC > 2Pttmax = 2.16,25 = 32,5W
Tra cứu Datasheet, chọn:
Q1: 2SD718
Q2: 2SB688
Loại BJT Vceo(V) Ic(A) Pc(W) hfe f(MHz)
2SD718 120 10 80 55-160 12
2SB688 -120 -10 80 55-160 10
Với:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
RtQ3 = (R3//ZB1Mac) + (1 + β)RL = (220//15,4) + 56.4 = 238Ω
- Công suất tiêu tán AC của R3:
2
50
Pttac = 2 = 265,6mW
4 π 238
- Công suất tiêu tán DC của Q3:
V CC 50
Pttdc = VCE/Q3IE/Q3 = ( - IR3R3).IE/Q3 = ( 2 - 2,8.10−3 .220).3,7.10−3 = 90mW
2
- Ta có:
VB3B4 = VBE/Q3 + VBE/Q1 + VR1 + VR2 + VEB/Q2 + VEB/Q4
= 0,6 + 0,6 + 0,05.0,22 + 0,05.0,22 + 0,6 + 0,6
= 2,422V
- Để đạt được điện áp phân cực này ta dùng 3 diode D1, D2, D3 loại 1N4007.
- Từ đặc tuyến của Q3 ta có:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
IEp/Q3 = 94,2mA => βQ3 = 75
I Ep/ Q 3 94 ,2
=> IB3p = 1+ β = 1+ 75 = 1,24mA
Q3
=> Chọn VR2 là biến trở 100Ω sau đó hiệu chỉnh lại cho phù hợp.
4.4.2. Tính chọn Q5:
- BJT Q5 làm nhiệm vụ lái các BJT công suất tầng khuếch đại và đảo pha cho tầng
công suất. Q5 được chọn làm việc ở chế độ A.
- Do Q5 làm việc ở chế độ A nên công suất tiêu tán được tính ở chế độ tĩnh tức là
công suất 1 chiều.
- Do Q5 làm nhiệm vụ khuếch đại điện áp tín hiệu cho tầng công suất thì Z L/Q5 phải
lớn.
- Trở kháng tải của Q5:
ZL/Q5 = rbe3 + (1+βQ3)(R3//(rbe1+R1)) + (1+βQ1)RL
Với:
VT 25
rbe3 = β I = 75. 3 ,7 = 506,76Ω
E /Q 3
VT 25
rbe1 = β I = 55. 50 = 27,5Ω
E /Q 1
- Để tránh hồi tiếp quá nhiều làm giảm hệ số khuếch đại của Q5, ta chọn R8 > R7
R8 = 100Ω, R7 = 61Ω => VR7R8 = (61 + 100).12,4.10−3 = 1,9964V
- Điện áp trên tiếp giáp CE của Q5 là:
V CC
VCE/Q5 = - VR7R8 - VBE/Q3 - VBE/Q1 - VR1
2
= 25 – 1,9964 - 0,6 - 0,6 - 0,05.0,22 = 21,8V
- Công suất tiêu tán tĩnh của Q5:
Pttdc/Q5 = VCE/Q5.IC/Q5 = 21,8.12,4.10−3 = 0,27W
- Chọn Q5 thỏa mãn:
IC > IC/Q5 = 12,4mA
VCEO > 2VCE/Q5 = 2.21,8 = 43,6V
PC > 2Pttđ/Q5 = 2.0,27 = 0,54W
- Vậy chọn Q5 là BJT 2SC2383
Loại BJT Vceo(V) Ic(A) Pc(mW) hfe f(MHz)
2SC2383 160 1 900 60-320 20
25
= 150. 12, 4 + 151.61 = 9,5KΩ
PAGE \* MERGEFORMAT 35
chiều lớn nên tăng hệ số khuếch đại của tầng lái, phối hợp trở kháng với trở kháng
vào lớn của 2 cặp Darlington làm nâng cao hiệu suất của mạch.
- Chọn 2 diode D4, D5 là loại 1N4007.
- Chọn ID4 = ID5 = 12,4mA => VD = 0,68V
- Sụt áp trên R6 là:
VR6 = VCC - 2VD = 50 - 2.0,68 = 48,64V
V R6 48 ,64
=> R6 = I = −3 = 3,9KΩ
D5 12, 4.10
- Chọn R6 = 5,6KΩ
- Ta có: VVR1 = 2VD - VEB/Q6 = 2.0,68 - 0,6 = 0,76V
0 ,76
=> VR1= −3 = 61Ω
12, 4.10
- Chọn VR1 = 200Ω sau đó hiệu chỉnh cho phù hợp.
- Do Q6 làm việc ở chế độ A nên công suất tiêu tán chủ yếu là công suất 1 chiều.
- Điện áp DC trên tiếp giáp CE của Q6 là:
V CC
VCE/Q6 = - VVR2 - VBE/Q4 - VBE/Q2 - VR2 = 25 - 0,76 - 0,6 -0,6 - 0,05.0,22
2
= 23,03V
=> Pttdc/Q6 = VCE/Q6.IC/Q6 = 23,03.12,4.10-3 = 285,6mW
Vậy chọn Q6 thỏa mãn:
IC > IC/Q6 = 12,4mA
VCEO > 2VCE/Q6 = 2.23,03 = 46,06V
PC > 2Pttdc/Q6 = 2.285,6.10-3 = 571,2mW
=> Chọn Q6 là BJT 2SA1013
Loại BJT Vceo(V) Ic(A) Pc(mW) hfe f(MHz)
2SA1013 -160 -1 900 60-200 15
- Chọn IC/Q7 >> IB/Q5 để không ảnh hưởng đến VA và ổn định điểm làm việc cho Q5
PAGE \* MERGEFORMAT 35
=> Chọn IC/Q7 = 10.IB/Q5 = 10.0,08 = 0,8mA
4.5.1. Tính chọn R9, R10, R11:
- R9 càng lớn thì tác dụng hồi tiếp âm dòng một chiều càng lớn, điểm làm việc của
Q7 càng ổn định.
1 1
- Điện áp 1 chiều VR9 được chọn: VR9 = ( 10 ÷ 20 ¿VA
1 1 Vcc
=> Chọn VR9 = 10 . VA = 10 . 2 =2,5V
2,5
IR9 = IC/Q7 => R9 = 12, 4 = 3,1KΩ
Zin = 110 K Ω
Z ¿ .r
*Khi chưa có hồi tiếp: Zin/Q7 = Z
be7
¿+r be7
PAGE \* MERGEFORMAT 35
4.6. Hệ số khuếch đại của mạch:
*Hệ số khuếch đại điện áp của Q1,Q2,Q3,Q4:
Do 2 cặp Q1, Q2 và Q3, Q4 mắc theo kiểu C chung
AV/Q1-3 = 1; AV/Q2-4 = 1
*Hệ số khuếch đại vòng hở toàn mạch
AV = AV7 . AV5 . AV/Q1-3 . AV/Q2-4 = -400 . -305 = 122000
*Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp:
V R3
AVht = V + R
R3 9
=> Khi dòng tăng lên 7,9A thì mạch bảo vệ làm việc.
Do tần số âm thanh mà nó cho qua là 40 ÷ 20kHz nên tần số cắt của lọc phải nhỏ hơn
40Hz => Chọn tần số cắt của lọc là 40Hz
1 1
C 1= = =0 ,72 ( μF )
2 πf X C 2 ×3 , 14 × 40 ×5500
1
1 1
C 2= = =0,058( µF)
2 πf X C 2 ×3 , 14 × 40 ×68000
2
1 1
C L= = =3979 ( μF )
2 πf X C 2 ×3 , 14 × 40 ×1
L
PAGE \* MERGEFORMAT 35
4.8.4. Tính mạch lọc Zobel:
- Loa có cấu tạo là một cuộn dây đồng mảnh nên trở kháng loa là ZL = RL + jwL
- Trở kháng loa phụ thuộc tần số ở tần số cao, trở kháng loa lớn nên dễ phát sinh
dao động. Để khắc phục, ta mắc thêm mạch Zobel gồm R 0 và C64 song song với loa.
Thành phần tín hiệu có tần số cao sẽ thoát ra qua tụ C 4 xuống mass. Ở tần số cao, X L
tăng nhưng XC4 giảm nên RL không đổi.
1
ZL = ( R0 + j . w .C 4 ) // (RL + jwL)
1 RL L
(R 0+ )(RL+ jwL) R 0. RL+ jwLR 0+ +
jwC 4 jwC 4 C 4
= 1
= 1
R 0+ + RL+ jwL R 0+ RL+ + jwL
jwC 4 jwC 4
L L
RL2 = C 4 => C4 = 2
RL
jwL.R10 = jwL.RL => R0 = RL = 4 (Ω)
Do ở tần số cao, tụ ngắn mạch, nên người ta thường chọn R0 lớn hơn RL một ít:
Chọn R0 = 4,7 (Ω)
Vì L của loa thường rất nhỏ, cỡ ≈ 0,1µH
−6
0 ,1.10
C4 = = 6,25 (nF)
16
Chọn C4 = 10 nF
Trong mạch các BJT làm việc ở chế độ A, chỉ có Q 1, Q2 làm việc ở chế độ AB
nên độ méo phi tuyến toàn mạch phụ thuộc ở Q1, Q2.
Khi tín hiệu vào là hình sin và V in = 0,5 (V). Lúc này điện áp đặt trên tiếp giáp BE
của Q1: VBE1(t) = VBE1Q + VBEm.sin(wt) với:
VBE1Q = 0,6 (V)
VBEm = VBE1p – VBE1Q = 0,86 – 0,6 = 0,26 (V)
Gọi IC0 là dòng rò của Q1, Q2
PAGE \* MERGEFORMAT 35
IC = IC0.eVBE/VT = IC0.eVBE/VT.eVBEm.sinwt/VT
Khai triển y = eVBEm.sinwt/VT theo chuỗi Taylor:
VBEm 1 VBEm
y = 1 + VT .sinwt + 2 ( VT )2.sin2(wt) + ….
Méo phi tuyến chủ yếu do hài bậc cao gây ra. Loại bỏ hài bậc cao và biến đổi
1−cos2 wt
Sin2(wt) = 2
ta được:
2
1 VBE m VBEm 1 VBEm
y=1+ 4 2 + VT .sinwt - 4 ( VT )2.cos2(wt)
VT
√∑
n
2
Iℑ
Theo đinh nghĩa méo phi tuyến: γ = i =2
I 1m
trong đó:
βQ βQ IE Q
1
50
gm’ = r = β V = V = 25 = 2
1 1
T
be ∕ Q Q ⋅
1 T 1
I E1 Q
V 122000 A
K: độ sâu hồi tiếp: K = (1 + AV.Aht) = A ' = 26 , 8 =¿ 4552
V
2,6
γ ' = ( 1+ 2.4 ) .4552 ≈ 0,006% < 0,2%
PAGE \* MERGEFORMAT 35
C2 0,1µF
C3 220µF
CL 4700µF
C4 10nF
CP 470pF
CE 1000µF
PAGE \* MERGEFORMAT 35
5.4. Kết quả mô phỏng dòng điện:
5.5. Kết quả mô phỏng tín hiệu sine tại tần số 1kHz:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
Tín hiệu vào khoảng 0,5V và tín hiệu ra khoảng 19,5V đạt hệ số khuếch đại khoảng
39 lần.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
5.7. Kết quả mô phỏng băng thông của mạch:
Băng thông đề cho: 40 – 20kHz
Quan sát đồ thị ta thấy tần số cắt dưới ở mức khoảng 40hz, tần số cắt trên khoảng
20kHz. Nên băng thông của mạch là 40 – 20kHz.
=>Như vậy có thể thấy rằng mạch được thiết kế hoạt động tốt trong khoảng băng
thông đề yêu cầu.
5.8. Ảnh PCB 2D và 3D của mạch được thiết kế bằng Altium Designer:
2D:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
3D:
Mặt sau:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ ĐẠT ĐƯỢC VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN
PAGE \* MERGEFORMAT 35
PAGE \* MERGEFORMAT 35