Trường Đại Học Bách Khoa

Khoa Điện Tử - Viễn Thông

PHIẾU ĐÁNH GIÁ QUÁ TRÌNH THỰC HIỆN ĐỒ ÁN MÔN HỌC

Tên đồ án: Kỹ thuật mạch điện tử

STT Họ và tên Lớp Mã số sinh viên

1 Nguyễn Ngọc Lễ 21DT1 106210074

2 Võ Văn Thành 21DT1 106210019

* Nhóm HP: 21.38

* Người hướng dẫn: Võ Tuấn Minh

* Tên đề tài: Mạch khuếch đại công suất OTL ngõ vào ĐƠN

* Thông số thiết kế:

+ Loại mạch: OTL + Ngõ vào: ĐƠN + Linh kiện sử dụng: BJT

+ Công suất: 45 [W] + Điện áp ngõ vào: 0.5 [V] + Trở kháng vào: 110 [KΩ]

+ Điện trở loa: 4 [Ω] + Băng thông: 40Hz-20kHz + Méo phi tuyến: 0.2 [%]

Quá trình thực hiện đồ án:

*Ý kiến của NHD

Đà Nẵng, ngày 4 tháng 1 năm 2023
……………………………………………… Người hướng dẫn
PAGE \* MERGEFORMAT 35
………………………………………………

………………………………………………

……………………………………………… Võ Tuấn Minh

………………………………………………

………………………………………………

MỤC LỤC

LỜI NÓI ĐẦU.......................................................................................................5

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ MẠCH............................................................6

I./ Giới thiệu chung..............................................................................................6

II./ Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ......................................................................6

1.1. Mở đầu chương........................................................................................6

1.2. Khuếch đại tín hiệu nhỏ..........................................................................6

1.3. Phân cực cho BJT....................................................................................7

1.4. Phân cực bằng dòng Ib cố định..............................................................7

1.5. Phân cực bằng hồi tiếp từ Collector......................................................8

1.6. Phân cực bằng cầu phân áp....................................................................9

1.7. Mạch khuếch đại dùng BJT.................................................................10

1.8. Mạch khuếch đại Base chung...............................................................15

CHƯƠNG 2: HỒI TIẾP.....................................................................................17

2.1. Giới thiệu chương.......................................................................................17

2.2. Sơ đồ khối....................................................................................................17

PAGE \* MERGEFORMAT 35
2.3 Phân loại hồi tiếp.........................................................................................17

2.3.1 Hồi tiếp dương......................................................................................17

2.3.2. Hồi tiếp âm...........................................................................................18

2.3.3. Tính chất-tác dụng..............................................................................18

2.4. Tác dụng của hồi tiếp.................................................................................20

2.4.1. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến hệ số khuếch đại..................................20

2.4.2. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng vào......................................21

2.4.3. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra........................................22

2.4.4. Giảm méo tần số..................................................................................22

2.4.5. Giảm tạp âm và méo phi tuyến..........................................................22

2.4.6. Cải thiện băng thông mạch khuếch đại khi có hồi tiếp...................23

2.5. Các mạch hồi tiếp thực tế..........................................................................23

2.5.1 Mạch hồi tiếp điện áp-nối tiếp............................................................23

2.5.2. Mạch hồi tiếp điện áp-song song........................................................24

2.5.3. Mạch hồi tiếp dòng điện-song song...................................................25

2.5.4. Hồi tiếp dòng điện-song song.............................................................26

2.6. Kết luận chương.........................................................................................27

CHƯƠNG 3: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT....................................................29

3.1. Giới Thiệu Chương.................................................................................29

3.2. Phân loại khuếch đại công suất..............................................................29

3.3 Các chế độ khuếch đại công suất...........................................................29

3.3.1 Khuếch đại công suất chế độ A.....................................................30

3.3.2 Khuếch đại công suất chế độ B......................................................32

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 3.3.3 Khuếch đại công suất chế độ AB...................................................33

3.4 Mạch khuếch đại công suất ...................................................................34

3.4.1 Mạch khuếch đại công suất OTL..................................................34

3.4.2 Mạch khuếch đại công suất OCL..................................................35

3.4.3 Mạch khuếch đại Darlington.........................................................36

3.5 Kết luận Chương.....................................................................................37

CHƯƠNG 4: TÍNH TOÁN THÔNG SỐ..........................................................25

4.1. Tính toán phần nguồn............................................................................25

4.1.1. Tính chọn R 1 , R 2...................................................................................25

4.1.2. Chọn cặp QB 1 , QB 2................................................................................26

4.1.3. Tính chọn R 3 , R 4...................................................................................27

4.1.4. Tính chọn cặp Q 1 ,Q 2............................................................................27

4.1.5. Tính tầng lái..........................................................................................28

4.1.7. Tính toán transistor Q 5 làm nguồn dòng............................................29

4.1.8. Tính chọn BJT thúc Q 6........................................................................30

4.1.9. Tính toán tán nhận tín hiệu vào..........................................................31

4.1.10. Tính mạch bảo vệ...............................................................................33

4.1.11. Tính R 5 , R 6 , R 7 , R 8.............................................................................33

4.1.12. Tính các tụ..........................................................................................33

4.1.13. Tính mạch lọc Zobel C 1, R 22............................................................34

4.1.14. Kiểm tra độ méo phi tuyến...............................................................35

CHƯƠNG 5: KIỂM TRA MẠCH KHUẾCH ĐẠI..........................................36

5.1. Mở đầu chương...........................................................................................36

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 5.2. Kiểm tra mạch khuếch đại mô phỏng.......................................................36

5.2.1. Kiểm tra mạch khuếch đại khi không có tín hiệu ngõ vào..............36

5.2.2. Kiểm tra mạch khuếch đại khi có tín hiệu ngõ vào.........................36

5.2.3. Kiểm tra mạch tổng thể khi có tín hiệu ngõ vào..............................39

5.3. Kiểm tra mạch khuếch đại.........................................................................40

5.3.1. Kiểm tra mạch khi không có tín hiệu ngõ vào..................................40

5.3.2. Kiểm tra mạch khi có tín hiệu ngõ vào.............................................40

5.3.3. Kiểm tra mạch tổng thể khi có tín hiệu ngõ vào..............................41

5.4. Nhận xét mạch khuếch đại khi đã thi công..........................................41

5.5. Kết luận chương.....................................................................................41

CHƯƠNG 6: KẾT LUẬN..................................................................................42

6.1. Những kết quả đạt được:........................................................................42

6.2. Những thuận lợi và khó khăn khi thực hiện đề tài:.............................42

a. Thuận lợi:................................................................................................42

b. Khó khăn:................................................................................................42

TÀI LIỆU THAM KHẢO.................................................................................43

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 LỜI NÓI ĐẦU

Kinh tế - xã hội càng ngày càng phát triển thì nhu cầu con người cũng như
việc hội nhập quốc tế là một vấn đề vô cùng cấp thiết. Vì thế ngày càng đòi hỏi các
ngành khoa học – kĩ thuật hiện nay phải tiên tiến hơn và đáp ứng các nhu cầu cao
trong thực tế của con người. Trong đó các ngành công nghệ kĩ thuật điện tử cũng
đóng một vai trò quan trọng không kém Là sinh viên còn ngồi trên ghế nhà trường,
chúng em đã được trau dồi những kiến thức chuyên môn về ngành học. Tuy đã được
học và thực hành trên lớp nhưng đó chỉ là một phần nhỏ bé so với kiến thức thực tế.

Chúng em được phần công đề tài “THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG
SUẤT OTL NGÕ VÀO ĐƠN”. Với mong muốn một lần nữa được vận dung kiến
thức đã học, sử dụng thành thạo các phần mềm công cụ, tổ chức thiết kế và thi công
có bài bản và kĩ năng hơn… để tạo nên sản phẩm có trong thực tế. Là một sinh viên
năm ba học tại trường Đại học Bách Khoa Đà Nẵng, đây là đồ án đầu tiên của chúng
em được nghiên cứu và thực hành về mạch điện tử. Dưới sự giúp đỡ và hướng
dẫn nhiệt tình của thầy Võ Tuấn Minh, cùng với tinh thần học hỏi, niềm đam mê với
đồ án, với sự trợ giúp của các bạn cùng khóa và tự tìm tòi trong các tài liệu tham
khảo. Nhóm chúng em đã hoàn thành đồ án một cách tốt nhất có thể. Mặc dù vậy,do
thiếu kinh nghiệm nên chúng em không thể tránh khỏi những sai sót không đáng có
trong cả tính toán và thi công mạch thực tế. Vì vậy chúng em rất mong nhận được sự
góp ý và giúp đỡ của các thầy cô để có thêm kinh nghiệm sau này. Cuối cùng chúng
em xin được gửi lời cảm ơn chân thành đến thầy Võ Tuấn Minh, người đã hướng dẫn
nhiệt tình để chúng em có thể hoàn thành được đồ án này.

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 Chương 1: TỔNG QUAN VỀ MẠCH
I. Giới thiệu chung

Mạch khuếch đại âm thanh là một trong những sản phẩm tạo nền tảng phát
triển cho sự phát triển của những sản phẩm điện tử phục vụ cho nhu cầu của con
người. Sau hơn 3 năm học, với sự tích lũy kiến thức của các môn học: Cấu kiện
điện tử, kỹ thuật mạch điện tử và lý thuyết mạch điện tử đã đảm bảo cho chúng em
có thể phân tích và thiết kế một mạch khuếch đại công suất.
Thực tế trong nước ta đã có rất nhiều mạch khuếch đại công suất trên thị
trường. Nhưng phổ biến nhất vẫn là mạch khuếch đại công suất OTL. Hiệu suất cao.
Mạch này loại bỏ biến áp đảo pha, biến áp xuất âm. Khắc phục được đáng kể hiện
tượng méo phi tuyến có các thành phần hài bậc cao gây ra. Tụ xuất âm ngăn dòng
điện một chiều, chỉ cho thành phần xoay chiều đi qua. Có thể làm việc ở chế độ AB
nên cho hiệu suất cao. Công suất gấp đôi loại mạch dùng 1 Transistor. Dùng nguồn
đơn. Mạch đơn giản, ổn định, chất lượng cao.
II. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ
1.1. Mở đầu chương
Trong chương này, sẽ đề cập tới khuếch đại tín hiệu nhỏ với phần tử điều
khiển là BJT. Khi có một sự thay đổi tín hiệu điện áp ở Vin, làm thay đổi cường độ
dòng điện đi qua cực B. Với các đặc tính khuếch đại dòng điện của BJT, chỉ cần dao
động nhỏ ở Vin sẽ khuếch đại sự thay đổi đó và xuất tín hiệu ra ở cực C hay Vout.
Và các thông số chính của mạch khi khuếch đại:
 Độ lợi điện áp.

 Độ lợi dòng điện.

 Tổng trở kháng vào.

 Tổng trở kháng ra.

Mỗi BJT có thể có nhiều cách mắc khác nhau, tùy thuộc vào chức năng như
dùng để khuếch đại dòng, khuếch đại điện áp hay cả hai.
1.2. Khuếch đại tín hiệu nhỏ

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Khuếch đại là quá trình biến đổi một đại lượng (dòng điện hoặc điện áp) từ biên độ
nhỏ ở ngõ vào thành biên độ lớn hơn nhiều ở ngõ ra mà không làm thay đổi tần số
của nó. Mạch khuếch đại được sử dụng trong hầu hết các thiết bị điện tử, như mạch
khuếch đại âm tần trong Amply, khuếch đại tín hiệu video,….
- Khi xét BJT hoạt động dưới điều kiện tín hiệu nhỏ thì có thể xem BJT như một bộ
khuếch đại xoay chiều.
- Khuếch đại có ba loại mạch chính là:
+ Khuếch đại về điện áp: là mạch khi ta đưa một tín hiệu có biện độ nhỏ vào,
đầu ra ta sẽ thu được một tín hiệu có biên độ lớn hơn nhiều lần.
+ Khuếch đại về dòng điện: là mạch khi ta đưa một tiến hiệu có cường độ yếu
vào, đầu ra ta sẽ thu được một tín hiệu cho cường độ dòng điện mạnh hơn nhiều lần.
+ Khuếch đại công suất: là mạch khi ta đưa một tín hiêu có công suất yếu vào,
đầu ra ta thu được tín hiệu có công suất mạnh hơn. Và mạch khuếch đại công suất là
kết hợp cả hai mạch mạch khuếch đại điện áp và khuếch đại dòng điện vào làm một.
1.3. Phân cực cho BJT
Ta biết BJT có thể hoạt động trong 3 vùng: vùng tác động, vùng bão hòa, vùng
ngưng. Tùy theo nhiệm vụ mà hoạt động của transistor sẽ được đặt trong vùng đấy.

- Vùng tác động: (cùng khuếch đại hay tuyến tính)

+ Nối phát – nền (E-B) phân cực thuận
+ Nối thu – nền (C-B) phân cực nghịch
- Vùng bão hòa:
+ Nối phát – nền (E-B) phân cực thuận
+ Nối thu – nền (C-B) phân cực thuận
- Vùng Ngưng: Nối phát – nền (E-B) phân cực nghịch
Như vậy, phân cực transistor là đưa các điện áp một chiều vào các cực của
transistor như thế nào để transistor hoạt động trong vùng mong muốn. Ở đây chúng
ta khảo sát mạch khuếch đại dùng transistor BJT, do đó cần phải phân cực cho
transistor hoạt động trong cùng tác động (vùng khuếch đại).
1.4. Phân cực bằng dòng IB cố định

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 Điện trở RB lấy điện áp từ nguồn VCC để phân cực thuận JE, điện trở RC lấy điện áp
từ nguồn VCC để phân cực nghịch JC, có nghĩa: VBE > 0, VCB >0.

Theo sơ đồ mạch:

VCC

( V CC −V BE )
IB =
RB
RC
RB
IC = β .IB Ic
Ib

VCE = VCC – IC.RC

Hình 1.1. Mạch phân cực

bằng dòng cố định.

Dòng IB có giá trị không đổi tùy thuộc vào VCC và RB nên mạch có tên là mạch
phân cực bằng dòng IB cố đinh.

Xác định điểm làm việc tĩnh Q trên đặc tuyến ngõ rả của BJT bằng các giá trị của
VCE và IC.

1.5. Phân cực bằng hồi tiếp từ Collector

Hồi tiếp là sự đưa tín hiệu ngõ ra của bộ khuếch đại vào ngược lại đầu vào. Nếu
tín hiệu hồi tiếp đưa về làm giảm điện áp vào bộ khuếch đại thì gọi là hồi tiếp âm.

Điện trở RB dẫn điện áp từ cực C đưa ngược về cực B, khi nhiệt độ tăng dòng I C, I-
E tăng làm VC giảm, thông qua điện trở RB làm điện áp phân cực cho cực B là V BE
giảm làm BJT dấn yếu lại làm giảm dòng IC. Điện trở RB gọi là điện trở hồi tiếp âm.

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 V CC−V BE VCC

IB =
R B + ( 1+ β ) RC
RC

IC = β I B RB

VCE = VCC – ICRC

Hình 1.2. Mạch phân cực bằng hồi tiếp từ collector.

1.6. Phân cực bằng cầu phân áp

Mạch dùng hai điện trở R B1, RB2 tạo thành cầu phân áp để phân cực thuận J E, RC lấy
điện áp từ nguồn VCC phân cực cho JC, RE là điện trở ổn định nhiệt, áp dụng định lý

Thevenin, ta có sơ đồ mạch tương đương:

Hình 1.3 a) Mạch phân cực bằng cầu phân áp

b) Mạch tương đương theo định lý Thevenin

Trong đó:

v CC R B
VBB = R + R ; RBB = RB1 // RB2
2

B B
1 2

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 vB B −v
BE
IB = ; IC = β I B
R BB + ( 1+ β ) P E

VCE = VCC – ICRC – IERE

Nhận xét:

Ta biết khi nhiệt độ tăng, ba tham số của BJT sẽ thay đổi, đó là VBE, β , IC

Trong ba kiểu phân cực trên, kiểu phân cực bằng cầu phân áp cho ta dòng I C hầu
v BB
như không phụ thuộc vào β vì IC ≈ R nếu chọn VBB >> VBE
E

1.7. Mạch khuếch đại dùng BJT

1.7.1. Mạch khuếch đại Emitter chung (EC)

a. Sơ đồ:

Hình 1.4. Sơ đồ mạch khuếch đại EC

Tác dụng linh kiện:

R1, R2: điện trở phân cực

RC: điện trở tải cực C

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 RE: điện trở ổn định nhiệt

VCC: nguồn một chiều

VS: nguồn tín hiệu

rS: điện trở trong nguồn tín hiệu

C1, C2: tụ điện lọc, ngăn thành phần 1 chiều, cho tín hiệu xoay chiều đi qua

CE: tụ thoát xoay chiều, nâng cao hệ số khuếch đại toàn mạch

Nguyên lý hoạt động:

Điện áp vào VS đưa đến đầu vào của mạch làm thay đổi trạng thái hoạt động của
BJT, các dòng điện base i b, ic có thể tăng hay giảm theo điện áp xoay chiều trên cực
collector. Điện áp này qua tụ C2 được đưa đến điện trở Rt của mạch khuếch đại

Sơ đồ tương đương:

Hình 1.5. Sơ đồ tương đương của mạch EC

b. Công thức các tham số của mạch:

Điện trở vào của mạch:

RV = (R1 // R2) // rbe

v be i b +i e r e
rb i b r b + (1+ β ) i e r e
rbe = i = ib
= = rb + (1+ β ) re
b ib

PAGE \* MERGEFORMAT 35
Nếu R1 // R2 >> rbe thì RV = rbe

Điện trở ra: Rr = Rc

Hệ số khuếch đại dòng điện ki là tỷ số của dòng điên ra và dòng điện vào của mạch

it ib ic it
ki = i = i ⋅ i ⋅ i
v v b c

itRt = iC (RC // Rt)

ivRv = ibrv

ic = β ib

Rv RC ¿ /Rt
ki = β r ⋅ Rt
(1.3)
v

Hệ số khuếch đại điện áp ku là tỷ số của điện áp trên tải và điện áp vào của mạch

vt vt −i t R t kt R ν R c ¿ /R t
ku = v = v = i r + R = - ki r + Rv = - β r (1.4)
v s v( s v) S v rS v+R

Nhận xét:

Trong sơ đồ, C1 và C3 là các tụ nối tầng, ngăn điện áp một chiều ảnh hưởng lẫn
nhau, R1, R2, RC để xác định chế đô tĩnh của tầng. R E là điện trở hồi tiếp âm dòng
điện một chiều có tác dụng ổn định nhiêt, C 2 là tụ thoát thành phần xoay chiều xuống
đất ngăn hồi tiếp âm xoay chiều.
Mạch khuếch đại EC thường có hệ số khuếch đại lớn nên thường được sử
dụng nhiều ở tầng tiền khuếch đại nhưng lại có trở kháng ra lớn, trở kháng vào nhỏ
nên khó phối hợp trở kháng. Mạch tạo tín hiêu ra ngược pha, có độ khuếch đại áp, độ
khuếch đại dòng và công suất tốt.
Ưu nhược điểm và ứng dụng:
Ưu điểm:
 Mạch khuyếch đại E chung thường được định thiên sao cho điện áp
Vce khoảng 60% ÷ 70 % Vcc.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
  Có khả năng khuếch đại dòng và áp.

 Dòng điện tín hiệu ra lớn hơn dòng tín hiệu vào nhưng không đáng
kể.
 Mạch mắc theo kiểu E chung như trên được ứng dụng nhiều nhất
trong thiết bị điện tử.
Nhược điểm:
 Tín hiệu đầu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào .
Ứng dụng:
 Sử dụng trong khuếch đại tầng thúc ( chủ yếu khuếch đại dòng, việc
khuếch đại áp không quá chú trọng).

1.7.2. Mạch khuếch đại Collector chung (CC)

a. Sơ đồ:

Hình 1.6. Sơ đồ mạch khuếch đại CC

Tác dụng linh kiện

RB1, RB2: điện trở phân cực

RE: điện trở ổn định nhiệt

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 VCC: nguồn một chiều

VS: nguồn tín hiệu

rS: điện trở trong nguồn tín hiệu

C1, C2: tụ điện lọc, ngăn thành phần 1 chiều, cho tín hiệu xoay chiều đi qua

Rt: điện trở tải

Sơ đồ tương đương:

Hình 1.7. Sơ đồ tương đường mạch CC

b. Công thức các tham số của mạch

Điện trở vào của mạch:

Rv = (R1 // R2)// rv

vb i b r b + ( r e + R e ¿ /R t ) i e
rv = i = = rb (1+ β )(re + Re // Rt)
b ib

nếu chọn R1 // R2 >> rv thì Rv lớn

- Điện trở ra của mạch: Rr = R E

- Hệ số khuếch đại dòng điện ki:

it i b ie i t
Ki = i = i ⋅ i ⋅ i
v v b e

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 Ta có: itRt = ie (RE // Rt)

ivRv = ibrv

ie = (1 + β ) ib

R
v ℜ/¿ R t
vậy: ki = r ( 1+ β ) ⋅ Rt
v

=>hệ số khuếch đại dòng điện ki lớn

- Hệ số khuếch đại điện áp ku

v
t
iR
t t t R v E R R ¿/ R
t
Ku = v = i r + R = ki r = ( 1+ β ) ⋅ r ⋅ r + R
v (
v s ν ) s +R vt s v

Nhận xét:

+ Mạch khuếch đại C chung tạo tín hiệu ra cùng pha.

+ Trở kháng vào lớn và trở kháng ra nhỏ nên được dùng để phối hợp trở
kháng, phân cách giữa nguồn dòng tín hiệu và tải ở ngõ ra.
+ Hệ số khuếch đại điện áp gần bằng 1 nên không có khả năng khuếch đại áp,
tín hiệu ngõ ra luôn nhỏ hơn tín hiệu ngõ vào.
+ Hệ số khuếch đại dòng rất cao (Ai ≈ 1 + β )
+ Hệ số khuếch đại công suất đáng kể.

Ứng dụng:

+ Mạch khuếch đại EC có hệ số khuếch đại công suất là lớn nhất nên thường
hay được dùng, được sử dụng trong các mạch tần số vô tuyến, ví dụ như khuếch đại
tín hiệu qua ăng-ten.

+ Mạch khuếch đại CC thường được dùng để phối hợp trở kháng giữa nguồn
tín hiệu có trở kháng lớn và trở tải nhỏ, thường được dùng trong đoạn đầu ra của bộ
khuếch đại chế độ B và chế độ AB.

Ưu nhược điểm:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 Ưu điểm:
 Cường độ của tín hiệu ra mạnh hơn cường độ của tín hiệu vào nhiều
lần.
 Tín hiệu ra cùng pha với tín hiệu vào.
 Tổng trở vào lớn ( vài trăm ohm), tổng trở ra nhỏ ( vài chục ohm ),
không khuếch đại áp ( Av ~1).
Nhược điểm:
 Mạch chỉ khuếch đại dòng, không khuếch đại áp.

1.8. Mạch khuếch đại Base chung (BC)

a. Sơ đồ

Hình 1.8. Sơ đồ mạch khuếch đại BC

Hình 1.7. Sơ đồ tương đường mạch BC

Ưu nhược điểm và ứng dụng:

Ưu điểm:
 Mạch khuếch đại điện áp khá lớn.
 Tổng trở vào nhỏ (vài chục ohm), tổng trở ra lớn (vài trăm
PAGE \* MERGEFORMAT 35
 ohm), mạch không khuếch đại dòng (Ai ~ 1)
 Có tính ổn định nhiệt độ.
Nhược điểm:
 Khuếch đại về điện áp và không khuếch đại về dòng điện.
Ứng dụng:
Mạch mắc kiểu B chung rất ít khi được sử dụng trong thực tế do không đảm
bảo được yếu tố: Ki = 1, Ku không quá lớn.

Chương 2: HỒI TIẾP

2.1. Giới thiệu chương:

Về cơ bản, hồi tiếp là việc ghép một phần tín hiệu (áp hoặc dòng) từ ngõ ra của
một mạng tứ cực tích cực (thường là mạch khuếch đại Ao) về lại ngõ vào của mạch
chính mạng này thông qua một mạng tứ cực khác (gọi là mạch hồi tiếp β).

2.2. Sơ đồ khối:

Hình 1-1: Sơ đồ khối mạch hồi tiếp.

Xét cấu hình hồi tiếp ở Hình 1-1, cần nắm vững các kiến thức sau:

vs: tín hiệu vào, v0: tín hiệu ra, vi: tín hiệu ngõ vào mạch khuếch đại, v f: tín hiệu hồi
tiếp trở về, β: hệ số hồi tiếp của bản thân mạch hồi tiếp.

Ao: độ lợi vòng hở, Aof: độ lợi vòng kín, β: hệ số khuếch đại hồi tiếp.

Các biểu thức liên hệ:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
vi = vs - vf

vo= viAo

vf = βvo

Vo
vs = A o + βvo

Vo Ao
Aof = V s = 1+ β A o

2.3. Phân loại hồi tiếp: Bao gồm 2 loại hồi tiếp chính: Hồi tiếp âm và hồi tiếp
dương

Trong chương này sẽ trình bày về hồi tiếp âm.

2.3.1. Hồi tiếp dương :

2.3.2 Hồi tiếp âm : Bao gồm 4 loại:

a. Hồi tiếp điện áp – nối tiếp: lấy mẫu điện áp ở ngõ ra v o và đưa điện áp hồi
tiếp vf về ghép nối tiếp với điện áp ngõ vào vi của bản thân bộ khuếch đại.

Sơ đồ khối:

b. Hồi tiếp điện áp – song song: lấy mẫu điện áp ở ngõ ra vo và đưa điện áp
hồi tiếp về vf về ghép song song với điện áp ngõ vào vi của bản thân bộ khuếch đại.

Sơ đồ khối:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 c. Hồi tiếp dòng điện – nối tiếp: lấy mẫu dòng điện ở ngõ ra i o và đưa dòng
điện hồi tiếp if về ghép nối tiếp với dòng điện ngõ vào vi của bản thân bộ khuếch đại.
Sơ đồ khối:

d. Hồi tiếp dòng điện – song song: lấy mẫu dòng điện ở ngõ ra io và đưa dòng
điện hồi tiếp if về ghép song song với dòng điện ngõ vào i i của bản thân bộ khuếch
đại.

Sơ đồ khối:

2.3.3. Tính chất, tác dụng:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 a. Hồi tiếp dương:

- Hồi tiếp dương thường tăng cường tính mất ổn định của bộ khuếch đại và do đó nó
được sử dụng để tạo dao động.

b. Hồi tiếp âm:

- Tính chất:

+ Trở kháng vào lớn.

+ Thu được điện áp ổn định hơn.

+ Cải thiện đáp ứng tần số.

+ Trở kháng ra nhỏ.

+ Mở rộng vùng hoạt động tuyến tính.

+ Giảm được nhiễu.

- Tác dụng:

+ Ảnh hưởng của hồi tiếp đến hệ số khuếch đại.

+ Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng vào.

+ Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra.

+ Giảm méo tần số.

+ Giảm tạp âm và méo phi tuyến.

+ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến hệ số khuếch đại và dải tần.

2.4. Tác dụng của hồi tiếp:

2.4.1. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến hệ số khuếch đại:

- Khi không có hổi tiếp: k là hệ số khuếch đại. Khi có hồi tiếp, β là hệ số hồi tiếp của
khâu hồi tiếp thì hệ số khuếch đại của mạch có hồi tiếp giảm đi (1+βk) lần so với khi
không có hồi tiếp.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Hồi tiếp điện áp nối tiếp:

Trong hình 2.2: chỉ ra hồi tiếp điện áp nối tiếp. Tín hiệu hồi tiếp nối tiếp với tín hiệu
vào, kết quả làm giảm toàn bộ tín hiệu vào.

=> Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp:

Vr k
kf = Vs = 1+ βk

- Hồi tiếp điện áp song song:

Trong hình 2.3:

=> Hệ số khuếch đại:

k
kf = 1+ β k (*)

* Nhận xét:

- Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp ổn định hơn khi không có hồi tiếp.
- Hồi tiếp âm tăng dải tần của bộ khuếch đại và tăng méo phi tuyến.
- Hồi tiếp âm tăng dải tần của bộ khuếch đại.

2.4.2. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng vào:

a. Hồi tiếp điện áp - nối tiếp:

- Hồi tiếp điện áp - nối tiếp trong hình 2.2:

- Tính trở kháng vào:

Vs−β kVv
Iv = Zv

Iv.Zv = Vs - β kV v

Vs = IvZv + β k IvZv

Vs
Zvf = Iv = Zv(1+ βk ) (**)

* Nhận xét:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Tổng trở của mạch hồi tiếp mắc theo kiểu này được tăng lên Z v(1+ βk ) lần so với khi
không có hồi tiếp.

b. Hồi tiếp điện áp - song song:

- Hồi tiếp điện áp - song song trong hình 2.3:

- Tính trở kháng vào:

Zv
Zvf = 1+ βk

* Nhận xét:

- Tổng trở của mạch hồi tiếp mắc theo kiểu này được giảm đi Z v(1+ βk ) lần so với khi
không có hồi tiếp.

c. Hồi tiếp dòng điện - nối tiếp:

- Tương tự như hồi tiếp điện áp nối tiếp tổng trở vào mạch hồi tiếp mắc theo kiểu này
được tăng lên Zv(1+ βk ) lần so với khi không có hồi tiếp.

d. Hồi tiếp dòng điện - song song:

- Tương tự như hồi tiếp điện áp song song tổng trở vào mạch hồi tiếp mắc theo kiểu
này được giảm đi Zv(1+ βk ) lần so với khi không có hồi tiếp.

2.4.3. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra:

- Trở kháng ra chỉ phụ thuộc vào hồi tiếp điện áp và hồi tiếp dòng điện mà không
phụ thuộc vào hồi tiếp nối tiếp hay song song.

a. Hồi tiếp điện áp:

- Trở kháng đầu ra được xác định bằng điện áp cung cấp V gây ra dòng điện I, Khi
ngắn mạch Vs (Vs=0).

V = I.Zr + kVv

Với Vs = 0 thì Vv = -Vf :

=> V = IZr - kVf = IZr - k( β V)

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Trở kháng đầu ra khi có hồi tiếp:

V Zr
Zrf = I = 1+ β k

* Nhận xét:

- Tổng trở ngõ ra của mạch hồi tiếp mắc theo kiểu này được giảm đi Z v(1+ β k ) lần so
với khi không có hồi tiếp.

b. Hồi tiếp dòng điện:

- Với Vs = 0 và Vv = Vf :

V
I = Zr - k β I

Zr(1+ k β )I = V

V
Zrf = I = Zr(1 + β k)

* Nhận xét:

- Tổng trở ngõ ra của mạch hồi tiếp mắc theo kiểu này được tăng lên Z v(1+ βk ) lần so
với khi không có hồi tiếp.

2.4.4. Giảm méo tần số:

1
- Trong bộ khuếch đại hồi tiếp âm có β k>>1, thì hệ số khuếch đại sẽ là kf ≈ β . Khi

đó có thể xem như mạch chỉ đơn thuần là điện trở, nó không phụ thuộc vào tần số
cho du bộ khuếch đại có chứa phần tử phụ thuộc tần số. Thực tế thì méo tần số giảm
là do sự thay đổi của hệ số khuếch đại theo tần số trong mạch có hồi tiếp âm điện áp
được giảm đáng kể.

2.4.5. Giảm tạp âm và méo phi tuyến:

- Khi có hồi tiếp âm sẽ làm nhỏ tín hiệu nhiễu và giảm nhỏ méo phi tuyến.

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Khi độ méo phi tuyến giảm đi (1+ βk ) lần thì hệ số khuếch đại cũng giảm đi. Để có
thể giảm được độ méo phi tuyến mà vẫn có hệ số khuếch đại lớn hoặc tăng số tầng
khuếch đại lên.

2.4.6. Tác dụng cải thiện băng thông mạch khuếch đại khi có hồi tiếp:

- Xét ở tần thấp: Độ lợi của mạch khi có hồi tiếp là:
A of
Af (if) = 1− j(fLF / f )

-Trong đó Aof là độ lợi dãy tần giữa:

Ao
Aof = 1+ βAo

Và tần số cắt thấp 3dB là:

fL
fLF = 1+ βAo

- Tương tự xét ở tần số cao, ta cũng có tần số cắt cao 3dB của mạch khuếch đại khi
có hồi tiếp là: fHF = fH (1+ β Ao)
- Rõ ràng, băng thông BWof của mạch khuếch đại khi có hồi tiếp đã được nới rộng so
với băng thông BWo của mạch khi chưa có hồi tiếp. Tất nhiên, điều này cũng trả giác
bằng việc suy giảm độ lợi (do tích số độ lợi - băng thông là một hằng số).
2.5. Các mạch hồi tiếp thực tế:
2.5.1. Mạch hồi tiếp điện áp - nối tiếp:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
PAGE \* MERGEFORMAT 35
2.5.2. Mạch hồi tiếp điện áp - song song:

2.5.3. Mạch hồi tiếp dòng điện - song song

PAGE \* MERGEFORMAT 35
PAGE \* MERGEFORMAT 35
2.5.4. Hồi tiếp dòng điện - song song

PAGE \* MERGEFORMAT 35
2.6. Kết luận chương:
- Hồi tiếp âm làm tăng độ ổn định của mạch khuếch đại.
- Hồi tiếp âm ảnh hưởng đến trở kháng vào.
- Hồi tiếp âm không làm nhỏ được tạp âm của mạch khuếch đại nhưng nó làm tăng
được tỷ số tín hiệu trên tạp âm, làm tăng hiệu quả của mạch khuếch đại.
- Hồi tiếp âm làm mở rộng dải thông của mạch khuếch đại.
=> Từ đó ta có thể rút ra được:
- Ưu điểm:
+ Ổn định hàm truyền.
+ Mở rộng băng thông.
PAGE \* MERGEFORMAT 35
 + Giảm nhiễu, giảm méo.
+ Cải thiện tổng trở ra, tổng trở vào.
- Nhược điểm:
+ Giảm độ lợi.
+ Mạch có thể không ổn định (sinh ra dao động) tại tần số cao.

Chương 3: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT

3.1. Giới thiệu chương

- Bộ khuếch đại công suất là bộ khuếch đại điện tử được thiết kế ở tầng cuối của
thiết bị khuếch đại. Nó có nhiệm vụ cung cấp cho mạch một tín hiệu trung thực đạt
công suất mong muốn và có hiệu suất hợp lý, tăng cường độ công suất của tín hiệu
đầu vào nhất định.

- Công suất của tín hiệu đầu vào được tăng lên mức đủ cao để điều khiển tải các
thiết bị đầu ra như loa, tai nghe, máy phát R, …

- Không giống như các bộ khuếch đại điện áp / dòng điện, bộ khuếch đại công
suất được thiết kế để truyền tải trực tiếp và được sử dụng như một khối cuối cùng
trong một chuỗi khuếch đại.

- Mạch khuếch đại công suất có nhiệm vụ tạo ra một công suất đủ lớn để kích thích
tải. Công suất ra có thể từ vài trăm MW đến vài trăm W. Như vậy mạch công suất
làm việc với biên độ tín hiệu lớn ở ngõ vào: do đó ta không thể dùng mạch tương
đương tín hiệu nhỏ để khảo sát như trong các chương trước mà thường dùng phương
pháp đồ thị.

3.2. Phân loại khuếch đại công suất

Tùy theo chế độ làm việc của transistor, người ta thường phân mạch khuếch đại
công suất ra thành các loại chính như sau.

-Tầng ra được thiết kế để cung cấp một trở kháng ra nhỏ và dòng ra lớn.

-Thường sử dụng mạch khuếch đại C chung hoặc D chung.

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Mạch khuếch đại chế độ A – transistor dẫn cả chu kỳ trong một chu kỳ tín hiệu đầu
vào.

- Mạch khuếch đại đẩy kéo: sử dụng 2 transistor – một transistor sẽ hoạt động
trong nửa chu kỳ đầu và một transistor sẽ hoạt động trong nửa chu kỳ sau của tín
hiệu sóng vào. Mỗi transistor hoạt động ở chế độ B (bán dẫn kỳ trong một chu kỳ tín
hiệu vào).

-Mạch khuếch đại AB: kết hợp chế độ A và B, mục địch là tránh méo xuyên
tâm cho khuếch đại đẩy kéo.

3.3. Các chế độ khuếch đại công suất

-Khuếch đại công suất chế độ A

-Khuếch đại công suất chế độ B

-Khuếch đại công suất chế đô AB

3.3.1. Khuếch đại công suất chế độ A

- Tính hiệu khuếch đại gần như tuyến tính, nghĩa là tín hiệu ngõ ra thay đổi tuyến
tính trong toàn bộ chu kì 360o của tín hiệu ngõ vào (transistor hoạt động ở cả hai bán
kì).

- Khảo sát phân cực:

- Khi có tín hiệu vào, để dòng Ic có thể biến đổi tốt nhất, điểm tĩnh Q phải được phân
cực sao cho:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 Icsat Vcc
Ic = 2 và Vce = 2

- Đặc điểm chính là tín hiệu ngõ ra của BJT luôn ở trong vùng tích cực có nghĩa là
BJTđược phân cực sao cho tín hiệu ngõ ra luôn biến thiên theo tín hiệu ngõ vào.
- Tín hiệu khuếch đại trong cả chu kì 2 π .

Vcc
- Điểm làm việc tĩnh Q(Vce, Ic) thõa mãn điều kiện Vce = 2
- Đây là điểm phân cực để cho mạch có hiệu suất lớn nhất.

- Khảo sát xoay chiều:

- Khi đưa tín hiệu Vi vào ngõ vào, dòng Ic và điện thế Vce sẽ thay đổi quanh điểm
làm việc tĩnh Q.
- Với tín hiệu ngõ vào nhỏ, nên dòng điện và điện áp ra cũng ít thay đổi.
- Với tín hiệu ngõ vào lớn, ngõ ra sẽ thay đổi rất nhiều quanh điểm Q, dòng Ic sẽ
thay đổi quanh giá trị (0, Icsat) mA. Còn Vce thay đổi giữa hai giới hạn ( 0, Vcc).

-Khảo sát công suất:

Công suất hữu ích trên tải:

Ilp
𝑃𝐿 = 𝑅𝐿𝐼𝑅𝑀𝑆 = Rl . 2 .Ilp = Vcc.Ilp/2

Công suất nguồn cung cấp:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
Pcc = 2Vcc.𝐼lp

Hiệu suất của chế độ A:

Ilp
vc ⋅
c
2 1
η= = =25 %
2 v cc ⋅ Ilp 4

- Kết luận:

Tầng ngõ ra thường yêu cầu trở kháng ngõ vào lớn, trở kháng ngõ ra nhỏ và hệ số
khuếch đại điện khá đều. Độ rộng của tín hiệu ra không bị hạn chế bở transistor bởi
vì nó luôn hoạt động.
Hiệu suất mạch khuếch đại thấp.

- Ưu điểm:

 Tín hiệu ngõ ra khuếch đại trong cả chu kì theo tín hiệu vào
 Ít biến dạng

- Nhược điểm:

 Do được phân cực làm việc tối ưu, nên tiêu hao năng lượng lớn
 Hiệu suất của mạch thấp thường là ƞ = 25%

- Ứng dụng:

 Được sử dụng trong các mạch trung gian như khuếch đại cao tần, khuếch
đại trung tần, tiền khuếch đại, …

3.3.2. Khuếch đại công suất chế độ B

- Đặc điểm phân cực là điện áp Vbe = 0 v vì vậy khi đó tín hiệu ngõ vào phải vượt
qua điện áp ngưỡng Vy của BJT thì mới có tín hiệu ở ngõ ra.
- Tín hiệu chỉ khuếch đại ở 1 bán kì dương hoặc âm tùy thuộc loại BJT là npn hay
pnp
Mạch khuếch đại công suất thường được ghép dạng PUSH – PULL

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Khảo sát công suất:

- Công suất hữu ích trên tải trong 1 chu kì:

Ilp
𝑃𝐿 = 𝑅𝐿𝐼𝑅𝑀𝑆 = Rl . 2 .Ilp = Vcc.Ilp/2

- Công suất nguồn cung cấp trong 1 chu kì:

p CC 1
π
v cc ⋅ I l
=V CC ⋅ I CC= ⋅ ∫ I lp ⋅sin wtd (wt )=2 p

2 2π 0 π

- Công suất nguồn cung cấp trong 1 chu kì:

Ilp
Pcc = Vcc. π

- Hiệu suất của mạch khuếch đại công suất chế đọ B mắc đẩy kéo:

Ilp
vc ⋅
c
2 π
η= = =78 ,5 %
Ilp 4
2 v cc ⋅
π

- Kết luận:

* Mạch khuếch đại công suất chế độ B được cải thiện hơn so với mạch khuếch đại
chế độ A, nhưng méo phi tuyến lớn, độ méo tăng lên khi kích thước tín hiệu tăng.

- Ưu điểm:

 Mạch không hoạt động khi không có tín hiệu vào

PAGE \* MERGEFORMAT 35
  Năng lượng tiêu hao ít
 Hiệu suất cao từ 50-75%

- Nhược điểm:

 Tín hiêu ra bị méo xuyên tâm

 Yêu cầu cần phải có nguồn đôi

- Thường được sử dụng trong các mạch khuếch đại công suất đẩy kéo như công suất
âm tần, công suất mành của tivi, ...

3.3.3. Khuếch đại công suất chế độ AB

- Đặc điểm là sự cải tiến nhược điểm méo xuyên tâm cuẩ lớp B bằng cách nâng áp
phân cực điểm tĩnh Q sao cho nằm trong vùng giữa lớp A và lớp B, mạch được phân
cực có Vbe gần bằng Vy của BJT. Vì vậy tính hiệu ngõ ra hơn nữa chu kì.

- Mạch khuếch đại công suất thường được ghép dạng đối xứng bổ phụ, có nghĩa là
hai BJT có cùng thông số nhưng một là npn và một là pnp.

- Mạch thiết kế dung nguồn đôi là mạch khuếch đại công suất dạng OCL (Output
Capactor – Less).

* Kết luận:

Mạch khuếch đại chế độ AB chủ yếu dung để giảm bớt méo xuyên tâm cho
chế độ B lúc tín hiệu ở ngõ vào còn yếu. Nó được Dùng để làm tầng kích thích cho
tầng công suất cuối chế độ B.

- Ưu điểm:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
  Hiệu suất cao
 Tiêu hao năng lượng khi không có tín hiệu ngõ vào ít hơn lớp A
 Tín hiệu ngõ ra ít bị méo

- Nhược điểm:

- Ứng dụng: sử dụng trong mạch công suất đẩy kéo.

3.4. Mạch khuếch đại công suất

3.4.1. Mạch khuếch đại công suất OTL

Sơ đồ mạch:

- Đặc điểm:

 Mạch sử dụng nguồn đơn, mạc đơn giản

 Q1 và Q2 không đối xứng
 Có sử dụng tụ xuất âm

- Ưu điểm:

 Hiệu suất cao, tín hiệu ra không bị méo xuyên tâm, tụ xuất âm ngăn dòng 1
chiều nhỏ cho thành phần xoay chiều đi qua, bảo vệ loa.
 Mạch đơn giản, không cồng kềnh, chỉ sử dụng một nguồn đơn.

- Nhược điểm:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
  Q1 và Q2 không đối xứng, khó cân chỉnh điểm giữa do có tụ xuất âm nên gây
1
tổn hao tín hiệu ở tần số thấp, tần số cắt của mạch f C = 2 π

 Méo phi tuyến lớn, do 2 Transistor không đối xứng.

 Băng thông bị co hẹp (ảnh hưởng từ tụ Ct).
 Có thể khiến âm thanh ra loa bớt chân thực, bị hao tổn.

3.4.2. Mạch khuếch đại công suất OCL

Sơ đồ mạch:

- Đặc điểm:

 Mạch OCL dung 2 Transistor Q1, Q2 hoàn toàn giống hau về đăch tính
 Sử dụng nguồn đôi
 Dùng mạch đảo pha trước
 Tín hiệu đưa thẳng ra loa không cần qua tụ lọc

- Ưu điểm:

 Không bị méo ở tần số thấp

 Băng thông được mở rộng
 Hiệu suấ cao (làm việc ở chế độ AB)
 Tín hiệu ra chân thực

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Nhược điểm:

 Mạch khó thiết kế, nếu có thay đổi dòng ra sẽ làm cho loa dễ cháy
 Sử dụng nguồn đôi
 Do tải ghép trực tiếp nên phải có mạch bảo vệ quá công suất, mạch đóng tải
chậm
 Q1 và Q2 đòi hỏi sự giống nhau về đặc tín kỹ thuật

3.4.3. Mạch khuếch đại Darlington

- Mạch Darlington là mạch gồm 2 Transistor cùng kiểu NPN hoặc PNP kết nối theo
cách thức để khuếch đại dòng của Transistor đầu được khuếch đại them bởi
Transistor thứ hai.
Sơ đồ mạch:

- Mạch Darlington cơ bản:

- Đặc điểm:

 Điện trở vào lớn (vài MΩ).

 Điện trở ra nhỏ (vài kΩ).
 Độ khuếch đại dòng lớn.
 Độ Ku ≈ 1 trên tải Emitter.
 Cách phân cực giống tầng Emitter có hồi
tiếp cực E.
 Dòng IEQ1 là IEQ2.

- Mạch Darlington tương đương

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Ở tầng thứ 2:

I0 Ie
Zi2 = hfe2.RE Ki2 = I = I = hfe2
2

i2 b 2

- Ở tầng thứ nhất, không thể dùng phương pháp tính gần đúng để tính. Bởi phương
1
pháp này, ta xem tải RL << h ⅇ trong mạch.
0

- Ở tầng này, tải RL1 ≈ Zie là điện trở vào tầng thứ 2, về độ lớn, không thể coi như nối
1 1
đât so với h ⅇ . Vì vậy, ở tầng thứ nhất cần phải tính tới hiệu ứng của h ⅇ 1 .
0 0

Phương trình Kỉchhoff

v0
I0 = hfeIB + I = hfeIB + 1 = hfeIi + h0 e V0
H0 ⅇ

3.5. Kết luận chương

- Ở khuếch đại chế độ A: khuếch đại được cả 2 bán chù kỳ của tín hiệu xoay chiều
hình sin, thường dùng cho các mạch khuếch đại tín hiệu có biên độ nhỏ.

- Ở khuếch đại chế độ B: Transistor chỉ khuếch đại được một bán kỳ nên muốn có
đủ cả 2 bán kỳ thì phải dùng 2 transistor để khuếch đại luân phiên cho 2 bán kỳ,
thường dùng cho các mạch khuếch đại có biên độ lớn, hiệu suất cao do công suất tiêu
tán nhỏ. Tín hiệu ra bị méo dạng xuyên tâm

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Ở khuếch đại chế độ AB: cũng giống như ở chế độ B, chế độ AB dùng 2 transistor
để khuếch đại luân cho 2 bán kỳ, dùng cho các mạch khuếch đại có biên độ lớn, hiệu
suất cao do công suất tiêu tán nhỏ, tín hiệu ra không bị méo dạng như chế độ B.

- Các loại mạch khuếch đại công suất được trình bày ở chương vẫn vẫn chưa thể đảm
bảo công suất vào ra nên phải có các biện pháp cải tạo, bảo vệ mạch như mắc
Darlington để tăng khả năng khuếch đại, phối hợp trở kháng dung mạch lọc Zobell
để hạn chế sự thay đổi trở kháng loa theo tần số của mạch.

Chương 4: TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH OTL NGÕ VÀO ĐƠN

4.1.Thông số yêu cầu:

Công suất: 45W

Điện áp vào: vi=0,5V

Trở kháng loa: RL = 4Ω

Trở kháng vào: Zi = 110Ω

Băng thông: 40 ~ 20kHz

Méo phi tuyến < 0,2%

4.1.1 Sơ đồ mạch:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
4.1.2 Tác dụng của các linh kiện:
- Q1, Q3 và Q2, Q4: Các cặp BJT ghép Darlington khuếch đại công suất.

- Q5: BJT khuếch đại tầng thúc.

- Q6, VR1, D4, D5, R7: Tạo thành nguồn dòng tầng thúc.

- Q7: BJT khuếch đại đầu vào.

- Q8, Q9: Các BJT bảo vệ quá tải, ngắn mạch.

- R1,R2: Điện trở ổn định nhiệt và cân bằng dòng ra.

- R3,R4: Điện trở rẽ dòng nhiệt.

- R14, R15, R16, R17: Điện trở phân cực cho Q8, Q9.

- D1, D2, D3, VR2: Định thiên áp để các BJT công suất Q1, Q2 làm việc ở chế độ
AB.

- R7, R8: Điện trở ổn định nhiệt, ổn định điểm làm việc cho Q5.

- R13, R14: Cầu phân áp cho Q7.

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- R10, R11: Cầu phân áp cho Q5.

- R9, VR3, C3: Thành phần hồi tiếp âm để mạch ổn định.

- C1 : Tụ liên lạc ngõ vào.

- CL: Tụ liên lạc ngõ ra.

- R12, C2: Mạch lọc nguồn loại bỏ các thành phần tần số cao, chống hiện tượng dao
động tự kích trong mạch.

- R0, C4: Mạch Zobel cân bằng trở kháng loa ở tần số cao.

4.2. Tính toán tầng nguồn:

4.2.1. Biên độ tín hiệu ra loa:

- Tín hiệu vào của mạch khuếch đại có dạng sin: v = vsinωt

- Xem hệ thống là tuyến tính thì tín hiệu ra trên tải:

VL = VL sinωt + VCEO

iL = ILsinωt + ICO

với VL, IL là biên độ điện áp và dòng ra trên tải.

VCEO, ICO là điện áp và dòng điện trên tải.

Do tầng công suất làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh và điện áp tĩnh rơi trên tải
không đáng kể, do vậy:

vL =VLsinωt

iL = ILsinωt

Gọi VLhd, ILhd là điện áp hiệu dụng và dòng điện hiệu dụng trên tải:

VL IL
VLhd = , ILhd =
√2 √2

Khi đó công suất trên tải:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 2 2
V Lhd V
PL = RL I 2Lhd = = L
RL 2 RL

=> VL = √ 2 P L R L ¿ √ 2.50 .4 = 18,97V

VL 18 , 97
=> IL = R = 4
= 4,74A
L

4.2.2. Điện áp nguồn cung cấp:

- Để đảm bảo năng lượng cung cấp cho mạch hoạt động ổn định và tránh nhiễu phi
tuyến thì điện áp nguồn bằng 2 lần điện áp trên loa. Mặt khác, vì Q 1, Q2 làm việc ở
chế độ AB nên chọn hệ số sử dụng nguồn là 0.8.
2V L 2.18 , 97
=> Vcc = = 0 , 8 = 47,425V.
0 ,8
- Chọn nguồn cung cấp là: VCC = 50V
4.2.3. Công suất nguồn cung cấp:
- Dòng cung cấp trung bình:
π
1 IL
ICCTB = 2 π ∫ I L sin ω . d ω t = π
0

- Công suất nguồn cung cấp:

IL 4 ,74
PCC = VCC = 50 π = 75,43W
π
4.2.4. Hiệu suất của mạch:
PL 50
ɳ = P . 100% = 75 , 43 .100% = 66,29%
CC

4.3. Tầng khuếch đại công suất:

4.3.1. Tính chọn R1, R2:
- Mạch làm việc ở chế độ AB nên dòn tĩnh collector nằm trong khoảng 20~50mA.
- Ta chọn:
IEQ = IEQ1 = IEQ2 = 50mA
- Dòng đỉnh qua Q1 và Q2 là:
IE1p = IE2p = 0,05 + 4,74 = 4,79A
- R1, R2 có tác dụng ổn định nhiệt và cân bằng dòng cho Q 1, Q2 và tín hiệu trên R1,
R2 cũng là tín hiệu qua loa : ie1 = ie2 = ILsinωt.

PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Nếu chọn R1, R2 lớn thì tổn hao trên loa nhiều, do đó phải chọn sao cho tín hiệu ra
loa lớn nhất, ta chọn:
V R1 1 V 18 , 97
≥ => VR1 ≥ L = = 0,95V
VL 20 20 20
VR1 0 , 95
=> R1 = R2 = I = 4 ,79 = 0,198Ω
E1 p

- Công suất tiêu tán trên R1, R2 là:

2
1 1 I 1
PR1 = PR2 = 2 R1 I 2Lhd = 2 R1 L = 4 .0,198.4 , 742 = 1,11W
2
=> Chọn R1 = R2 = 0,22Ω/5W
4.3.2. Tính chọn Q1, Q2:
- Công suất nguồn cung cấp:
IL
PCC = VCC ITB = VCC
π
- Công suất loa:
1
PL = RL I 2Lhd = 2 R L I 2 L

- Công suất tiêu tán của R1, R2:

V CC . I L 1 2 1
Ptt = PCC - PL - PR = - 2 R L I L- 2 R1 I 2L
π
- Công suất tiêu tán của một BJT:
P tt V CC . I L 1
Ptt/Q1 = Ptt/Q2 = = - 4 (RL + R1). I 2L
2 π
- Lấy đạo hàm của Ptt/Q1 theo IL và cho bằng 0:
d Ptt /Q 1 V CC 1
= - (RL + R1). I 2L = 0
dIL
2π 2
V CC 50
=> IL = π (R + R ) = π (4 +0 , 22) = 3,77A
L 1

V CC . I L 1 50.3 ,77 1
=> Pttmax/Q1 = - 4 (RL + R1). I 2L = 2 π - 4 (4 + 0,22).3 , 772= 15W
2π
- Công suất tiêu tán tĩnh trên Q1:
V CC 50
PDC/Q1 = IEQ = 2 0,05 = 1,25W
2
=> Công suất cực đại trên Q1:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
Ptt∑ max/Q1 = Pttmax/Q1 + PDC/Q1 = 15 + 1,25 = 16,25W
Vì Q1, Q2 là cặp BJT bổ phụ nên ta chọn Q1, Q2 thỏa mãn điều kiện:
IC > IE1p = 4,79A
VCEO > VCC = 50V
PC > 2Pttmax = 2.16,25 = 32,5W
Tra cứu Datasheet, chọn:
Q1: 2SD718
Q2: 2SB688
Loại BJT Vceo(V) Ic(A) Pc(W) hfe f(MHz)
2SD718 120 10 80 55-160 12
2SB688 -120 -10 80 55-160 10

4.3.3. Tính chọn R3, R4:

- Chọn βQ1 = βQ2 = βmin = 55
- Dòng base tĩnh của Q1:
I E /Q 1 0 , 05
IB/Q1 = 1+ β = 1+ 55 = 0,89mA
Q1

- Dòng base cực đại của Q1:

I Ep/ Q 1 4 ,79
IBp/Q1 = = 1+ 55 =85,5mA
1+ β Q 1
- Ta có R3, R4 là điện trở rẽ dòng nhiệt: Vừa ổn định điểm làm việc tĩnh cho Q3, Q4
vừa làm tăng tốc độ chuyển mạch cho Q1, Q2 trong miền tần số thấp.
- Đối với tín hiệu 1 chiều: R3, R4 cho đi qua dễ dàng, còn đối với tín hiệu xoay chiều
thì R3, R4 cho đi qua rất ít để không bị tổn hao tín hiệu xoay chiều trên R3, R4.
- Do đó để R3, R4 không ảnh hưởng đến dòng ra ở chế độ xoay chiều thì R 3, R4 phải
thỏa mãn điều kiện:
ZB1Mac << R3, R4 << ZB1Mdc
R3, R4 << ZB1Mdc: để rẽ dòng nhiệt.
R3, R4 >> ZB1Mac: để giảm tổn thất tín hiệu.
Với ZB1Mac, ZB1Mdc: là điện trở xoay chiều và một chiều từ cực base Q1 đến M.

PAGE \* MERGEFORMAT 35
Từ đặc tuyến vào của 2SD718, ta có:
IC1 = 50mA => VBE = 0,6V
IC1p = 3,79 => VBEp = 0,86V
- Vậy:
V BE /Q 1 +V R 1 0 , 6+0 , 05.0 , 22
ZB1Mdc = I B/ Q 1
= −3 = 685,4Ω
0 , 89. 10
V
B 1 Mp B1M+V (V ¿ ¿ BE /Q1+V R 1)
ZB1Mac = I = (V ¿ ¿ BEp/Q1+V R 1 p)− I Bp /Q 1−I B / Q 1
¿¿
Bp/ Q 1−I B /Q 1

(0 , 86+ 0 ,22.4 ,79)−(0 , 6+ 0 ,05.0 .22)

= = 15,4Ω
(85 , 5−0 ,89).10−3

=> 15,4Ω << R3, R4 << 685,4Ω

Chọn R3 = R4 = 220Ω
4.3.4. Tính chọn Q3, Q4:
- Dòng tĩnh qua R3:
V BE /Q 1 +V R 1 0 , 6+0 , 05.0 , 22
IR3 = R3
= 220
= 2,8mA

- Dòng cực đại qua R3:

V BEp/ Q 1 +V R 1 p 0 , 86+4 ,79.0 ,22
IR3p = R3
= 220
= 8,7mA

- Dòng emitter qua Q3:

IE/Q3 = IR3 + IB/Q1 = 2,8 + 0,89 = 3,7mA
IEp/Q3 = IR3p + IBp/Q1 = 8,7 + 85,5 = 94,2mA
- Công suất tiêu tán của Q3 do tín hiệu xoay chiều tạo ra:
2
V CC
Pttac = 2
4 π R tQ 3

Với:
RtQ3 = (R3//ZB1Mac) + (1 + β)RL = (220//15,4) + 56.4 = 238Ω
- Công suất tiêu tán AC của R3:
2
50
Pttac = 2 = 265,6mW
4 π 238
- Công suất tiêu tán DC của Q3:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 V CC 50
Pttdc = VCE/Q3IE/Q3 = ( - IR3R3).IE/Q3 = ( 2 - 2,8.10−3 .220).3,7.10−3 = 90mW
2

=> Ptt∑ = Pttac + Pttdc = 265,6 + 90 = 355,6mW

Chọn Q3, Q4 thỏa mãn:
IC > IEp/Q3 =94,2mA
VCEO > VCC = 50V
PC > 2Ptt∑ = 2.355,6 = 711,2mW
Vậy chọn Q3, Q4:
Q3: TIP41C
Q4: TIP42C
Loại BJT Vceo(V) Ic(A) Pc(W) hfe f(MHz)
TIP41C 100 6 65 15-75 3
TIP42C -100 -6 65 15-75 3

4.4. Tầng lái và mạch phân cực nguồn dòng

4.4.1. Tính chọn các diode D1, D2, D3 và VR2
- Vì các BJT khuếch đại công suất làm việc ở chế độ AB nên ta dùng các diode để
phân cực cho các BJT.
- Để Q1 ,Q2 làm việc ở chế độ dòng tĩnh 50mA thì điện áp VBE của các tổ hợp BJT ở
chế độ tĩnh là 0,6V.

- Ta có:
VB3B4 = VBE/Q3 + VBE/Q1 + VR1 + VR2 + VEB/Q2 + VEB/Q4
= 0,6 + 0,6 + 0,05.0,22 + 0,05.0,22 + 0,6 + 0,6
= 2,422V
- Để đạt được điện áp phân cực này ta dùng 3 diode D1, D2, D3 loại 1N4007.
- Từ đặc tuyến của Q3 ta có:
IEp/Q3 = 94,2mA => βQ3 = 75
I Ep/ Q 3 94 ,2
=> IB3p = 1+ β = 1+ 75 = 1,24mA
Q3

- Để Q5 làm việc ổn định và ít bị gây méo, ta chọn:

IC/Q5 = 10IB3p = 10.1,24 = 12,4mA
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Từ đặc tuyến của 1N4007 với:
ID = IC/Q5 = 12,4mA => VD = 0,67V
Lúc này:
V B 3 B 4−3 V D 2,422−3.0 , 67
VR2 = I C /Q 5
= −3 = 33,23Ω
12 , 4. 10

=> Chọn VR2 là biến trở 100Ω sau đó hiệu chỉnh lại cho phù hợp.
4.4.2. Tính chọn Q5:
- BJT Q5 làm nhiệm vụ lái các BJT công suất tầng khuếch đại và đảo pha cho tầng
công suất. Q5 được chọn làm việc ở chế độ A.
- Do Q5 làm việc ở chế độ A nên công suất tiêu tán được tính ở chế độ tĩnh tức là
công suất 1 chiều.
- Do Q5 làm nhiệm vụ khuếch đại điện áp tín hiệu cho tầng công suất thì Z L/Q5 phải
lớn.
- Trở kháng tải của Q5:
ZL/Q5 = rbe3 + (1+βQ3)(R3//(rbe1+R1)) + (1+βQ1)RL
Với:
VT 25
rbe3 = β I = 75. 3 ,7 = 506,76Ω
E /Q 3

VT 25
rbe1 = β I = 55. 50 = 27,5Ω
E /Q 1

=> ZL/Q5 = 506,76 + (1+75)(220//(27,5+0,22)) + (1+75)(1+55).4 = 19,4KΩ

- Vì Q5 có điện trở tải lớn nên dễ dàng rơi vào bùng bão hòa gây méo tín hiệu, do đó
cần phải mắc hổi tiếp âm một chiều lẫn xoay chiểu để ổn đinh điểm làm việc.
- Điện trở R5, R6 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm DC, riêng R6 còn làm nhiệm vụ hồi tiếp
âm AC cho Q5.
- Do Q5 làm việc chế độ A, ta có thể chon trước điện áp tĩnh trên điện trở hồi tiếp
một chiều R7, R8 là 2V.
- Ta có:
2
R7 + R8 = 12, 4 = 161

- Để tránh hồi tiếp quá nhiều làm giảm hệ số khuếch đại của Q5, ta chọn R8 > R7
R8 = 100Ω, R7 = 61Ω => VR7R8 = (61 + 100).12,4.10−3 = 1,9964V
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Điện áp trên tiếp giáp CE của Q5 là:
V CC
VCE/Q5 = - VR7R8 - VBE/Q3 - VBE/Q1 - VR1
2
= 25 – 1,9964 - 0,6 - 0,6 - 0,05.0,22 = 21,8V
- Công suất tiêu tán tĩnh của Q5:
Pttdc/Q5 = VCE/Q5.IC/Q5 = 21,8.12,4.10−3 = 0,27W
- Chọn Q5 thỏa mãn:
IC > IC/Q5 = 12,4mA
VCEO > 2VCE/Q5 = 2.21,8 = 43,6V
PC > 2Pttđ/Q5 = 2.0,27 = 0,54W
- Vậy chọn Q5 là BJT 2SC2383
Loại BJT Vceo(V) Ic(A) Pc(mW) hfe f(MHz)
2SC2383 160 1 900 60-320 20

- Từ đặc tuyến của Q5 ta có:

IC/Q5 = 12,4mA => βQ5 = 150
- Trở kháng vào của Q5:
VT
Zin/Q5 = rbe/Q5 + (1+ βQ5)R7 = βQ5. I + (1+ βQ5)R7
E /Q 5

25
= 150. 12, 4 + 151.61 = 9,5KΩ

- Hệ số khuếch đại tầng thúc:

Z L/Q 5 19400
AV5 = -βQ5. r = -150. = -305 lần
be /Q 5+(1+ β Q 5 )R7 302, 4+151.61

4.4.3. Tính chọn Q6 làm nguồn dòng:

- BJT Q6 tạo dòng điện ổn định phân cực cho Q 5 và ổn định điểm làm việc cho hai
cặp Darlington ở tầng khuếch đại công suất. Chính nội trở nguồn dòng ở chế độ xoay
chiều lớn nên tăng hệ số khuếch đại của tầng lái, phối hợp trở kháng với trở kháng
vào lớn của 2 cặp Darlington làm nâng cao hiệu suất của mạch.
- Chọn 2 diode D4, D5 là loại 1N4007.
- Chọn ID4 = ID5 = 12,4mA => VD = 0,68V
- Sụt áp trên R6 là:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
VR6 = VCC - 2VD = 50 - 2.0,68 = 48,64V
V R6 48 ,64
=> R6 = I = −3 = 3,9KΩ
D5 12, 4.10

- Chọn R6 = 5,6KΩ
- Ta có: VVR1 = 2VD - VEB/Q6 = 2.0,68 - 0,6 = 0,76V
0 ,76
=> VR1= −3 = 61Ω
12, 4.10
- Chọn VR1 = 200Ω sau đó hiệu chỉnh cho phù hợp.
- Do Q6 làm việc ở chế độ A nên công suất tiêu tán chủ yếu là công suất 1 chiều.
- Điện áp DC trên tiếp giáp CE của Q6 là:
V CC
VCE/Q6 = - VVR2 - VBE/Q4 - VBE/Q2 - VR2 = 25 - 0,76 - 0,6 -0,6 - 0,05.0,22
2
= 23,03V
=> Pttdc/Q6 = VCE/Q6.IC/Q6 = 23,03.12,4.10-3 = 285,6mW
Vậy chọn Q6 thỏa mãn:
IC > IC/Q6 = 12,4mA
VCEO > 2VCE/Q6 = 2.23,03 = 46,06V
PC > 2Pttdc/Q6 = 2.285,6.10-3 = 571,2mW
=> Chọn Q6 là BJT 2SA1013
Loại BJT Vceo(V) Ic(A) Pc(mW) hfe f(MHz)
2SA1013 -160 -1 900 60-200 15

4.5. Tính toán tầng vào:

- IC/Q5 = 12,4mA chọn hfe5 = 150
Ic /Q 5 12, 4
=> IB/Q5 = β
= 150 = 0,08mA

- Chọn IC/Q7 >> IB/Q5 để không ảnh hưởng đến VA và ổn định điểm làm việc cho Q5
=> Chọn IC/Q7 = 10.IB/Q5 = 10.0,08 = 0,8mA
4.5.1. Tính chọn R9, R10, R11:
- R9 càng lớn thì tác dụng hồi tiếp âm dòng một chiều càng lớn, điểm làm việc của
Q7 càng ổn định.

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 1 1
- Điện áp 1 chiều VR9 được chọn: VR9 = ( 10 ÷ 20 ¿VA
1 1 Vcc
=> Chọn VR9 = 10 . VA = 10 . 2 =2,5V
2,5
IR9 = IC/Q7 => R9 = 12, 4 = 3,1KΩ

Chọn R9 = 3,3KΩ => VR9 = 2,5V

VR11 = VBE/Q5 + VR8 = 0,6 + 2= 2,6V
IR11 ~ 0,8mA
2 ,6
 R11 = 0 , 8 = 3,25KΩ

Chọn R11 = 3,3KΩ => VR11 = 2,6V

-Để Q7 khuếch đại không bị méo và biên độ điện áp ra đủ lớn => Chọn Q7 hoạt động
ở chế độ A, điểm tĩnh nằm giữa đường tải động:
Vcc 50
=> VCE/Q7 = 4 = 4 = 12,5V
Vcc
VR10 = 2 – VR9 – VCE/Q7 – VR11 = 25 – 2,5 – 12,5 – 2,6 = 7,4V
7,4
R10 = 0 , 8 = 9,3KΩ

Chọn R10 = 10KΩ => VR10 = 7,4V

4.5.2. Tính chọn Q7:
- Do Q7, Q8 làm việc ở chế độ A, nên công suất tiêu tán là công suất 1 chiều ta có:
Pttdc/Q7 = VCE/Q7.IC/Q7 = 12,5.0,8 = 10mW
- Chọn Q7 thỏa mãn:
IC > IC/Q7 = 0,8mA
VCE > 2VCE/Q7 = 2.12,5 = 25V
PC > 2Pttdc/Q7 = 2.10 = 20mW
- Vậy chọn Q7 là 2SA1015
Loại BJT Vceo(V) Ic(mA) Pc(mW) hfe f(MHz)
2SA1015 -50 -150 400 70-400 80

4.5.3. Tính R12, R13, R14:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 Vcc
- VE/Q7 = 2 – VR9 = 25 – 2,5 = 22,5V

VR14 = VB/Q7 = VE/Q7 – VEB = 22,5 – 0,7 = 21,8V

IC/Q7 = 0,8mA => β7 = 240
0,8
 IB/Q7 = 240 = 3,3.10-3mA

*Chọn IR14 = 10.IB/Q7 = 33.10-3mA

=> R14 = 660KΩ
=> Chọn R14 = 680KΩ
Ta có:
R 13. R 14
Zin = R 13+ R 14 =110KΩ

 R13 = 131KΩ => Chọn R13 = 130KΩ

*VR12 = Vcc – VR13 – VR14 = 50 – 33.10-6.130000 – 21,8 = 23.91V
23 , 91
=> R12 = −6 = 725KΩ
33.10
=> Chọn R12 = 680KΩ
4.5.4. Tính hệ số khuếch đại điện áp của Q7:
VT 25
rbe7 = β7 I =240. 0 , 8 = 7,5KΩ
C /Q 7

Zin = 110 K Ω
Z ¿ .r
*Khi chưa có hồi tiếp: Zin/Q7 = Z
be7

¿+r be7

Vì Zin >> rbe7 => Zin/Q7 ~ rbe7 = 7,5KΩ

R 11 . Z ¿/Q 5 3300 . 9500
Zr/Q7 = R + Z + R10 = 3300+9500 + 10000 = 12,5KΩ
11 ¿/Q 5

*Hệ số khuếch đại của Q7 khi chưa có hồi tiếp:

Zr/Q7
Av7 = -β7. Z = -400
¿/ Q 7

4.6. Hệ số khuếch đại của mạch:

*Hệ số khuếch đại điện áp của Q1,Q2,Q3,Q4:
Do 2 cặp Q1, Q2 và Q3, Q4 mắc theo kiểu C chung

PAGE \* MERGEFORMAT 35
  AV/Q1-3 = 1; AV/Q2-4 = 1
*Hệ số khuếch đại vòng hở toàn mạch
AV = AV7 . AV5 . AV/Q1-3 . AV/Q2-4 = -400 . -305 = 122000
*Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp:
V R3
AVht = V + R
R3 9

*Hệ số khuếch đại của mạch:

AV V VL 18 , 97
A’V = 1+ A . A = L h d = = = 26,8
V V ht V¿ √2 . V ¿ √2 .0 , 5
 AVht = 0,037 => VR3 = 127,7Ω
Chọn VR3 là biến trở 500Ω rồi hiệu chỉnh lại cho phù hợp.
*Trở kháng vào của mạch:
Khi chưa có hồi tiếp, trở kháng vào của mạch chính là trở kháng vào của Q7:
 ZV ~ rbe7 = 7,5KΩ
Khi có hồi tiếp, trở kháng vào tăng (1 + K.Kht) lần:
 Z’V = rbe7 . (1 + K.Kht) với Kht = AVht = 0,037
 Z’V = 7500 . (1 + 122000.0,037) ~ 34MΩ >> rbe7

4.7. Tính toán mạch bảo vệ

4.7.1. Tính chọn Q8, Q9 :
-Dòng đỉnh qua R1, R2 là 4,79 (A) chọn dòng để mạch bảo vệ hoạt động là I’ E1p = 5,3
(A)
Sụt áp trên R1:
V’R1 = R1 . I’E1p = 0,22.5,3 = 1,16 (V)
Chọn dòng tĩnh: IC/Q8 = IC/Q9 = 1mA
Ta có:
VCE/Q8 = VBE/Q3 + VBE/Q1 + V’R1 = 0,6 + 0,6 + 1,16 = 2,36 (V)
Công suất tiêu tán trên Q8, Q9 là:

Ptt/Q8 = Ptt/Q9 = VCE/Q8.IC/Q8 = 2,36.1.10-3 = 2,36 (mW)

Chọn Q8, Q9 thỏa mãn:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
IC > IC/Q8 = 1 (mA)
VCEO > 2VCE/Q8 = 2.2,36 = 4,72 (V)
PC > 2Ptt/Q8 = 2.2,36 = 4,72 (mW)
Vậy chọn Q8 là 2SC1815, Q9 là 2SA1015
Loại BJT Vceo(V) Ic(mA) Pc(mW) hfe f(MHz)
2SC1815 50 150 400 70-700 80
2SA1015 -50 -150 400 70-400 80

4.7.2. Tính chọn R15, R156, R17, R18

Dòng tĩnh cực B của Q8:
I C /Q 8 1. 10−3
IB/Q8 = β = = 4,5 μA
Q8 220

Dòng qua R15, R17 : IR15 >> IB/Q8

Chọn IR15 = 15IB/Q8 = 15.4,5 = 6,8 μA
Khi mạch hoạt động bình thường thì Q8, Q19 tắt nên VBE/Q8 =VBE/Q9 = 0,4 (V) và VR1p
= 0,95 (A)
V R1 p
R15 + R17 = I R 15 = 13,9 (kΩ)
V BE/Q 8
R17 = I R 15
= 5,9 (kΩ)

Chọn R17 = R18 = 5,6 (kΩ)

 R15 = 13,9 – 5,6 = 8,3 (kΩ)
Chọn R15 = R16 = 8,3(kΩ)
Q8, Q9 dẫn bảo hòa khi VBE/Q8 = VBE/Q9 = 0,7(V)
V BE/Q 8 .(R 15+ R 17)
VR1p = = 1,74(V)
R 17
V R1 p 1, 74
IR1 = R1
= 0 , 22
= 7,9(A)

=> Khi dòng tăng lên 7,9A thì mạch bảo vệ làm việc.

4.8. Tính chọn các tụ:

4.8.1. Tính chọn tụ C1:
Tụ C 1 là tụ liên lạc ngõ vào. Để tín hiệu không bị giữ lại trên tụ:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
 1 1
Chọn X C = 20 Z ¿ = 20 110000=5 ,5 ( kΩ )
1

Do tần số âm thanh mà nó cho qua là 40 ÷ 20kHz nên tần số cắt của lọc phải nhỏ hơn
40Hz => Chọn tần số cắt của lọc là 40Hz
1 1
C 1= = =0 ,72 ( μF )
2 πf X C 2 ×3 , 14 × 40 ×5500
1

=> Chọn C 1=1 ( μF )

4.8.2. Tính chọn tụ C2:

Tụ C2 cùng với R12 tạo thành mạch lọc thông thấp lọc nhiễu từ nguồn để tránh hồi
tiếp về tạo thành dao động tự kích:
1 1
=> Chọn X C = 10 . R 12= 10 680000=68 ( kΩ )
2

1 1
C 2= = =0,058( µ F )
2 πf X C 2 ×3 , 14 × 40 ×680 00
2

=> Chọn C 2= 0,1(µF)

4.8.3. Tính chọn tụ C3:

Tụ C3 kết hợp với R9 và VR3 tạo thành mạch hồi tiếp âm để ổn định thông số của
mạch. Chọn tụ C3 sao cho tỉ số hồi tiếp tín hiệu chỉ phụ thuộc vào R 9, VR3 và sụt áp
xoay chiều trên C3 nhỏ hơn VR3 rất nhiều:
1 1
Chọn XC3 = 10 .VR3 = 10 .127,7 = 12,77 (Ω)
1
 C3 = 2.3 ,14. 40 . 12 ,77 = 311 (µF)

=> Chọn C3 = 220 (µF)

4.8.4. Tính chọn tụ CL:
Tụ C L là tụ đưa tín hiệu ra loa, để tín hiệu không bị giữ lại trên tụ
1 4
Chọn X C = 4 R L = 4 =1(Ω)
L

1 1
C L= = =3979 ( μF )
2 πf X C 2 ×3 , 14 × 40 ×1
L

=> Chọn C L =4700 ( μF )

4.8.4. Tính mạch lọc Zobel:

- Loa có cấu tạo là một cuộn dây đồng mảnh nên trở kháng loa là ZL = RL + jwL
PAGE \* MERGEFORMAT 35
 - Trở kháng loa phụ thuộc tần số ở tần số cao, trở kháng loa lớn nên dễ phát sinh
dao động. Để khắc phục, ta mắc thêm mạch Zobel gồm R 0 và C64 song song với loa.
Thành phần tín hiệu có tần số cao sẽ thoát ra qua tụ C 4 xuống mass. Ở tần số cao, X L
tăng nhưng XC4 giảm nên RL không đổi.
1
ZL = ( R0 + j . w .C 4 ) // (RL + jwL)
1 RL L
(R 0+ )(RL+ jwL) R 0. RL+ jwLR 0+ +
jwC 4 jwC 4 C 4
= 1
= 1
R 0+ + RL+ jwL R 0+ RL+ + jwL
jwC 4 jwC 4

Để ZL không phụ thuộc tần số -> ZL = RL

R L RL
 R0RL + jwR0 + jwC 4 + C 4 = R0RL + RL2 + jwC 4 + jwRL

L L
 RL2 = C 4 => C4 = 2
RL
jwL.R10 = jwL.RL => R0 = RL = 4 (Ω)
Do ở tần số cao, tụ ngắn mạch, nên người ta thường chọn R0 lớn hơn RL một ít:
Chọn R0 = 4,7 (Ω)
Vì L của loa thường rất nhỏ, cỡ ≈ 0,1µH
−6
0 ,1.10
 C4 = = 6,25 (nF)
16
Chọn C4 = 10 nF

4.9. Kiểm tra độ méo phi tuyến

Trong mạch các BJT làm việc ở chế độ A, chỉ có Q 1, Q2 làm việc ở chế độ AB
nên độ méo phi tuyến toàn mạch phụ thuộc ở Q1, Q2.
Khi tín hiệu vào là hình sin và V in = 0,5 (V). Lúc này điện áp đặt trên tiếp giáp BE
của Q1: VBE1(t) = VBE1Q + VBEm.sin(wt) với:
VBE1Q = 0,6 (V)
VBEm = VBE1p – VBE1Q = 0,86 – 0,6 = 0,26 (V)
Gọi IC0 là dòng rò của Q1, Q2
IC = IC0.eVBE/VT = IC0.eVBE/VT.eVBEm.sinwt/VT
Khai triển y = eVBEm.sinwt/VT theo chuỗi Taylor:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
 VBEm 1 VBEm
y = 1 + VT .sinwt + 2 ( VT )2.sin2(wt) + ….

Méo phi tuyến chủ yếu do hài bậc cao gây ra. Loại bỏ hài bậc cao và biến đổi
1−cos2 wt
Sin2(wt) = 2
ta được:
2
1 VBE m VBEm 1 VBEm
y=1+ 4 2 + VT .sinwt - 4 ( VT )2.cos2(wt)
VT

√∑
n
2
Iℑ
Theo đinh nghĩa méo phi tuyến: γ = i =2
I 1m

Trong đó: I1m: thành phần dòng cơ bản

Iim: biên độ dài
Loại bỏ các hài bậc cao ta được:
2
VBE m
I 2m VT
2
VBEm
γ = = =
I 1m VBEm 4 VT
VT
VBEm 0 , 26
Khi chưa có hồi tiếp: γ = 4 VT = −3 = 2,6
4.25 .10
Khi có hồi tiếp:
γ
γ' =
( 1+ g m . RL ) . K
'

trong đó:
βQ βQ IE Q
1
50
gm’ = r = β V = V = 25 = 2
1 1

T
be ∕ Q Q ⋅
1 T 1
I E1 Q

V 122000 A
K: độ sâu hồi tiếp: K = (1 + AV.Aht) = A ' = 26 , 8 =¿ 4552
V

2,6
 γ ' = ( 1+ 2.4 ) .4552 ≈ 0,006% < 0,2%

 Thỏa mãn yêu cầu thiết kế.

Chương 5: KẾT QUẢ MÔ PHỎNG

5.1. Giá trị linh kiện sau khi tính toán:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 Q1 2SD718
Q2 2SB688
Q3 TIP41C
Q4 TIP42C
Q5 2SC2383
Q6 2SA1013
Q7 2SA1015
Q8 2SC1815
Q9 2SA1015
R1,R2 0,22Ω / 5W
R3,R4 220Ω / 2W
R15,R16 8,3kΩ
R17,R18 5,6kΩ
VR1 200Ω
VR2 100Ω
VR3 500Ω
R6 5,6kΩ
R7 61Ω
R8 100Ω
R9 3,3kΩ
R10 10kΩ
R11 3,3kΩ
R12 680kΩ
R13 130kΩ
R14 680kΩ
R0 4,7Ω
D1,D2,D3,D4,D5 1N4007
C1 1µF
C2 0,1µF

PAGE \* MERGEFORMAT 35
 C3 220µF
CL 4700µF
C4 10nF
CP 470pF
CE 1000µF

5.2. Sơ đồ sau khi tính toán hoàn chỉnh:

5.3. Kết quả mô phỏng điện áp:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
5.4. Kết quả mô phỏng dòng điện:

5.5. Kết quả mô phỏng tín hiệu sine tại tần số 1kHz:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
Tín hiệu vào khoảng 0,5V và tín hiệu ra khoảng 19,5V đạt hệ số khuếch đại khoảng
39 lần.

 Hệ số khuếch đại toàn mạch khoảng 39 lần.

5.6. Kết quả mô phỏng Fourier:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
5.7. Kết quả mô phỏng băng thông của mạch:
Băng thông đề cho: 40 – 20kHz

Quan sát đồ thị ta thấy tần số cắt dưới ở mức khoảng 40hz, tần số cắt trên khoảng
20kHz. Nên băng thông của mạch là 40 – 20kHz.

=>Như vậy có thể thấy rằng mạch được thiết kế hoạt động tốt trong khoảng băng
thông đề yêu cầu.

5.8. Ảnh PCB 2D và 3D của mạch được thiết kế bằng Altium Designer:
2D:

PAGE \* MERGEFORMAT 35
3D:

5.9. Ảnh thực tế của mạch:

Mặt trước:

Mặt sau:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
 ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ ĐẠT ĐƯỢC VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN

1. Kết quả đạt được:

Qua hơn hai tháng miệt mài làm việc, với sự hướng dẫn tận tình của Thầy Nguyễn Tuấn
Minh, anh chị khoa Điện Tử-Viễn Thông, nhóm chúng em đã đạt được những kết quả sau:
- Thiết kế và chế tạo được mạch khuếch đại công suất âm tần OTL-45W có khả năng
sử dụng rộng rãi.
- Đạt được những mục tiêu và yêu cầu ban đầu.
-Vận dụng được nhiều kiến thức về khuếch đại công suất trong quá trình thi công.
- Tìm hiểu được nhiều mẫu có thể sử dụng sau này.
- Khả năng tìm tài liệu trên mạng.
- Khả năng làm việc theo nhóm.
Thuận lợi & khó khăn
Thuận lợi:
- Nhờ những trang thiết bị của nhà trường, đã tạo điều kiện thuận lợi cho nhóm trong
quá trình tìm kiếm tài liệu trên mạng, cũng như trong quá trình thiết kế và thi công.
- Được sự hướng dẫn tận tình của Thầy Nguyễn Tuấn Minh trong suốt thời gian qua.
Khó khăn:
PAGE \* MERGEFORMAT 35
- Thời gian thực hiện đề tài có giới hạn.
- Nhóm gặp nhiều khó khăn trong việc tìm tài liệu.
- Mất nhiều thời gian trong quá trình thiết kế do phải lựa chọn nhiều phương án nhằm đáp
ứng yêu cầu đề ra ban đầu. Tuy nhiên vẫn còn nhiều chỗ chưa được như ý muốn.
2.Hướng phát triển:
Chúng em sẽ cố gắng chỉnh sửa những sai sót còn tồn đọng để sau này thực hiện những đồ
án khác tốt hơn.

PAGE \* MERGEFORMAT 35
PAGE \* MERGEFORMAT 35