PHẦN V: ẢNH HƯỞNG CỦA TẢI VÀ NGUỒN ............................................................

3
1. Ảnh hưởng của tải: ............................................................................................... 3
2. Ảnh hưởng của nguồn: ......................................................................................... 3
3. Ảnh hưởng của cả tải và nguồn: ........................................................................... 3
PHẦN VI: MÔ HÌNH ĐIỆN TRỞ TƯƠNG ĐƯƠNG ...................................................... 3
1. Common base (PNP): ........................................................................................... 3
2. Common Emitter (NPN):...................................................................................... 3
PHẦN VII: MÔ HÌNH THAM SỐ HỖN HỢP ................................................................. 4
PHẦN VIII: MÔ HÌNH 𝝅 .................................................................................................. 4
PHẦN IX: ĐÁP ỨNG TẦN SỐ ......................................................................................... 5
1. Vùng tần số thấp: .................................................................................................. 5
2. Vùng tần số cao: ................................................................................................... 6
PHẦN X: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT .......................................................................... 9
1. Class A: ................................................................................................................. 9
2. Máy biến áp: ......................................................................................................... 9
3. Class B: ................................................................................................................. 9
PHẦN XI: FEEDBACK ................................................................................................... 10
1. Votage-Series: ..................................................................................................... 11
2. Votage-Shunt:...................................................................................................... 12
3. Current-Series: .................................................................................................... 13
SUMMARY TABLE ........................................................................................................ 15
1. BJT: các công thức phần tử ................................................................................ 15
2. BJT: Trở kháng vào/ra và hệ số khuếch đại ....................................................... 16
3. BJT: Ảnh hưởng của tải và nguồn: ..................................................................... 17
4. FET: công thức phần tử cơ bản........................................................................... 19
5. FET: Trở kháng ra/vào và hệ số khuếch đại ....................................................... 20
6. FET: ảnh hưởng của tải và nguồn ....................................................................... 22
.......................................................................................................................................... 22

1
CMOS ............................................................................................................................... 23
1. Common Source: ................................................................................................ 23
2. Common Source with active load: ..................................................................... 25
3. CS with Source Degeneration: ........................................................................... 26
4. Source follower:.................................................................................................. 26
5. Common gate: ..................................................................................................... 26
6. Cascode: .............................................................................................................. 27
7. Cascode with nguồn dòng: ................................................................................. 27
8. Folded cascode: .................................................................................................. 28
9. Khuếch đại vi sai: ............................................................................................... 28
10. Common mode: .................................................................................................. 30
11. Gilbert Cell: ........................................................................................................ 32
12. Basic current Mirrors: ......................................................................................... 35
13. Cascode current mirrors: .................................................................................... 36
14. Đáp ứng tần số: ................................................................................................... 39
15. Nhiễu: ................................................................................................................. 39
16. Hồi tiếp: .............................................................................................................. 39
17. Khuếch đại thuật toán: ........................................................................................ 39
18. Ổn định và bù tần số: .......................................................................................... 39
19. Thiết kế nanomet: ............................................................................................... 39
20. Kỹ thuật Bandgap: .............................................................................................. 39

2
 PHẦN V: ẢNH HƯỞNG CỦA TẢI VÀ NGUỒN
1. Ảnh hưởng của tải:
𝑉𝑜 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = = 𝐴
𝑉𝑖 𝑅𝐿 + 𝑅𝑜 𝑉𝑁𝐿
𝐼𝑜 𝑍𝑖
𝐴𝑖 = = − 𝐴𝑣
𝐼𝑖 𝑅𝐿
2. Ảnh hưởng của nguồn:
𝑉𝑜 𝑅𝑖
𝐴𝑣 = = 𝐴
𝑉𝑖 𝑅𝑖 + 𝑅𝑆 𝑉𝑁𝐿
3. Ảnh hưởng của cả tải và nguồn:
𝑉𝑜 𝑅𝐿 𝑅𝑖
𝐴𝑣𝑠 = = 𝐴
𝑉𝑠 𝑅𝐿 + 𝑅𝑜 𝑅𝑖 + 𝑅𝑆 𝑉𝑁𝐿
𝐼𝑜 𝑅𝑆 + 𝑅𝑖
𝐴𝑖𝑠 = =− 𝐴𝑣𝑠
𝐼𝑠 𝑅𝐿

PHẦN VI: MÔ HÌNH ĐIỆN TRỞ TƯƠNG ĐƯƠNG

26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸
1. Common base (PNP):
𝑍𝑖𝑛 = 𝑟𝑒
𝑍𝑜𝑢𝑡 = ∞
𝛼𝑅𝐿
𝐴𝑣 =
𝑟𝑒
{ 𝐴𝑖 = −𝛼

2. Common Emitter (NPN):

𝑉𝐵𝐸
𝑍𝑖𝑛 = ≈ 𝛽𝑟𝑒
𝐼𝐵
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑟𝑜
−𝑅𝐿
𝐴𝑣 = |
𝑟𝑒 𝑟 =∞
𝑜

{ 𝐴𝑖 = 𝛽|𝑟𝑜=∞

3
 PHẦN VII: MÔ HÌNH THAM SỐ HỖN HỢP
𝑉 = ℎ11 𝐼𝑖𝑛 + ℎ12 𝑉𝑜𝑢𝑡
{ 𝑖𝑛
𝐼𝑜𝑢𝑡 = ℎ21 𝐼𝑖𝑛 + ℎ22 𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑉𝑖𝑛 𝑉𝑖𝑛 𝐼𝑜𝑢𝑡 𝐼𝑜𝑢𝑡
ℎ11 = | ℎ12 = | ℎ21 = | ℎ22 = |
𝐼𝑖𝑛 𝑉 =0 𝑉𝑜𝑢𝑡 𝐼 =0 𝐼𝑖𝑛 𝑉 =0 𝑉𝑜𝑢𝑡 𝐼 =0
𝑜𝑢𝑡 𝑖𝑛 𝑜𝑢𝑡 𝑖𝑛

ℎ𝑖𝑒 = 𝛽𝑟𝑒 ℎ𝑓𝑒 = 𝛽𝑎𝑐 ℎ𝑖𝑏 = 𝑟𝑒 ℎ𝑓𝑏 = −𝛼

ℎ𝑓
𝐴𝑖 =
1 + ℎ𝑜 𝑅𝐿
−ℎ𝑓 𝑅𝐿
𝐴𝑖 =
ℎ𝑖 + (ℎ𝑖 ℎ𝑜 − ℎ𝑓 ℎ𝑟 )𝑅𝐿
ℎ𝑓 ℎ𝑟 𝑅𝐿
𝑍𝑖𝑛 = ℎ𝑖 −
1 + ℎ𝑜 𝑅𝐿
1
𝑍𝑜𝑢𝑡 =
{ ℎ𝑜 − [ℎ𝑓 ℎ𝑟 /(ℎ𝑖 + 𝑅𝑆 )]

PHẦN VIII: MÔ HÌNH 𝝅

𝑟𝜋 = 𝛽𝑟𝑒
1
𝑔𝑚 =
𝑟𝑒
1
𝑟𝑜 =
ℎ𝑜𝑒
𝑟𝜋
≈ ℎ𝑟𝑒
𝑟𝜋 + 𝑟𝑢

4
 PHẦN IX: ĐÁP ỨNG TẦN SỐ
𝐵𝑊 = 𝑓𝐻 − 𝑓𝐿
1. Vùng tần số thấp:
- Lọc thông cao:
𝑅𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑜𝑢𝑡 =
𝑅 + 𝑍𝐶
1
Khi 𝑍𝐶 = 𝑅: 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉
√2 𝑖𝑛
1
→ |𝐴𝑉 | =
√2
1 1
Tần số chặn dưới: 𝑓𝐿 = → 𝐴𝑉 [𝑑𝐵] = 20 log
2𝜋𝑅𝐶 √1+(𝑓𝐿 ⁄𝑓 )2

- Mạch Voltage Divider BJT:

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅1 ||𝑅2 ||𝛽𝑟𝑒 + 𝑅𝑆
𝑍𝑖𝑛 𝑉𝑖
𝑉𝑏 =
𝑍𝑖𝑛 −𝑗𝑍𝐶𝑠
Tụ 𝐶𝑆 : 1
𝑓𝐿𝑠 =
2𝜋𝑍𝑖𝑛 𝐶𝑆
1
{ 𝐴𝑣 =
1−𝑗(𝑓𝐿𝑠 /𝑓)
1
𝑓𝐿𝑐 =
Tụ 𝐶𝐶 : { 2𝜋(𝑍𝑜𝑢𝑡 +𝑅𝐿 )𝐶𝐶
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 ||𝑟𝑜
1
𝑓𝐿𝐸 =
2𝜋𝑅𝑒 𝐶𝐸
Tụ 𝐶𝐸 : { 𝑅1 ||𝑅2
𝑅𝑒 = 𝑅𝐸 || ( + 𝑟𝑒 )
𝛽
−𝑅𝐶
→ 𝐴𝑉 =
𝑟𝑒 +𝑅𝐸

5
- Mạch Self Bias FET:
1
𝑓𝐿𝐺 =
Tụ 𝐶𝐺 : { 2𝜋(𝑅𝑠𝑖𝑔 +𝑍𝑖𝑛 )𝐶𝐺
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐺
1
𝑓𝐿𝑐 =
Tụ 𝐶𝐶 : { 2𝜋(𝑍𝑜𝑢𝑡 +𝑅𝐿 )𝐶𝐶
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐷 ||𝑟𝑑
1
𝑓𝐿𝑠 =
2𝜋𝑅𝑒 𝐶𝑆
Tụ 𝐶𝑆 : { 𝑅𝑆
𝑅𝑒 =
1+𝑅𝑆 (1+𝑔𝑚 𝑟𝑑 )/(𝑟𝑑 +𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
1
Nếu 𝑟𝑑 = ∞ thì có: 𝑅𝑒 = 𝑅𝑆 ||
𝑔𝑚

- Tụ feedback:

𝐶𝑀𝑖 = (1 − 𝐴𝑣 )𝐶𝑓
𝐶𝑀𝑜 = (1 − 1/𝐴𝑣 )𝐶𝑓

2. Vùng tần số cao:

1
𝐴𝑣 =
1 + 𝑗(𝑓/𝑓𝐻 )

6
- Mạch Votage divider BJT:

1
𝑓𝐻𝑖 =
2𝜋𝑅𝑇𝐻𝑖 𝐶𝑖
𝑅𝑇𝐻𝑖 = 𝑅𝑆 ||𝑅1 ||𝑅2 ||𝛽𝑟𝑒
𝐶𝑖 = 𝐶𝑊𝑖 + 𝐶𝑏𝑒 + 𝐶𝑀𝑖 = 𝐶𝑊𝑖 + 𝐶𝑏𝑒 + (1 − 𝐴𝑣 )𝐶𝑏𝑐
1
𝑓𝐻𝑜 =
2𝜋𝑅𝑇𝐻𝑜 𝐶𝑜
𝑅𝑇𝐻𝑜 = 𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 ||𝑟𝑜
𝐶𝑜 = 𝐶𝑊𝑜 + 𝐶𝑐𝑒 + 𝐶𝑀𝑜 = 𝐶𝑊𝑜 + 𝐶𝑐𝑒 + (1 − 1/𝐴𝑣 )𝐶𝑏𝑐
7
- Mạch Self bias FET:

1
𝑓𝐻𝑖 =
2𝜋𝑅𝑇𝐻𝑖 𝐶𝑖
𝑅𝑇𝐻𝑖 = 𝑅𝑆𝑖𝑔 ||𝑅𝐺
𝐶𝑖 = 𝐶𝑊𝑖 + 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑀𝑖 = 𝐶𝑊𝑖 + 𝐶𝑔𝑠 + (1 − 𝐴𝑣 )𝐶𝑔𝑑
1
𝑓𝐻𝑜 =
2𝜋𝑅𝑇𝐻𝑜 𝐶𝑜
𝑅𝑇𝐻𝑜 = 𝑅𝐿 ||𝑅𝐷 ||𝑟𝑑
𝐶𝑜 = 𝐶𝑊𝑜 + 𝐶𝑑𝑠 + 𝐶𝑀𝑜 = 𝐶𝑊𝑜 + 𝐶𝑑𝑠 + (1 − 1/𝐴𝑣 )𝐶𝑔𝑑

8
 PHẦN X: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
1. Class A:
- Chế độ DC: 𝑃𝑖 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶𝑄
2
- Chế độ AC: 𝑃𝑜 = 𝑉𝐶𝐸(𝑟𝑚𝑠) 𝐼𝐶(𝑟𝑚𝑠) = 𝐼𝐶(𝑟𝑚𝑠) 𝑅𝐶
𝑃𝑜
- Hiệu suất: %ƞ = × 100%
𝑃𝑖

- Hiệu suất cực đại:

2
𝑀𝑎𝑥{𝑃𝑜 } 𝑉𝐶𝐶 /8𝑅𝐶
𝑀𝑎𝑥{%ƞ} = × 100% = 2 × 100% = 25%
𝑀𝑎𝑥{𝑃𝑖 } 𝑉𝐶𝐶 /2𝑅𝐶
2. Máy biến áp:
𝑉2 𝑁2
=
𝑉 𝑁1 𝑁1 2
{ 𝐼21 𝑁1 → 𝑅′𝐿 = ( ) 𝑅𝐿
𝑁
= 2
𝐼1 𝑁2

(𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑖𝑛 )(𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐶𝑚𝑖𝑛 )

𝑃𝑜 =
8
2
𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑖𝑛
%ƞ = 50 ( 𝑚𝑎𝑥 ) %
𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 + 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑖𝑛
3. Class B:
2
- Chế độ DC: 𝑃𝑖 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝑑𝑐 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼(𝑝)
𝜋
2 2
𝑉𝐿(𝑟𝑚𝑠) 𝑉𝐿(𝑝)
- Chế độ AC: 𝑃𝑜 = =
𝑅𝐿 2𝑅𝐿
𝑃𝑜 𝜋 𝑉𝐿(𝑝) 𝜋
- Hiệu suất: %ƞ = × 100% = × 100% = × 100% = 78.5%
𝑃𝑖 4 𝑉𝐶𝐶 4

9
 PHẦN XI: FEEDBACK

a) Votage-series (Điện áp – nối tiếp) b) Votage-shunt (Điện áp – song song)

c) Current-series (Dòng điện – nối tiếp) d) Current-shunt (Dòng điện – song song)

10
 1. Votage-Series:
𝑉𝑜 𝐴
𝐴𝑓 = =
𝑉𝑠 1 + 𝛽𝐴
𝑉𝑠
𝑍𝑖𝑓 = = 𝑍𝑖 (1 + 𝛽𝐴)
𝐼𝑖
𝑉 𝑍𝑜
𝑍𝑜𝑓 = =
𝐼 1+𝛽𝐴

- Ví dụ:
𝑉𝑜
𝐴= = −𝑔𝑚 𝑅𝐿
𝑉𝑖
𝑅𝐿 = 𝑅𝐷 𝑅𝑜 (𝑅1 + 𝑅2 )
𝑉𝑓 −𝑅2
𝛽= =
𝑉𝑜 𝑅1 + 𝑅2
−𝑔𝑚 𝑅𝐿
𝐴𝑓 =
𝑅 𝑅 𝑔
1+ 2 𝐿 𝑚
𝑅1 + 𝑅2

11
 2. Votage-Shunt:
𝑉𝑜 𝐴
𝐴𝑓 = =
𝐼𝑠 1 + 𝛽𝐴
𝑉𝑖 𝑍𝑖
𝑍𝑖𝑓 = =
𝐼𝑠 1+𝛽𝐴
𝑉
𝑍𝑖𝑓 = = 𝑍𝑜 (1 + 𝛽𝐴)
𝐼

- Ví dụ:

12
 3. Current-Series:

-Ví dụ:

13
- Ví dụ:

14
 SUMMARY TABLE
1. BJT: các công thức phần tử

15
2. BJT: Trở kháng vào/ra và hệ số khuếch đại

16
3. BJT: Ảnh hưởng của tải và nguồn:

17
18
4. FET: công thức phần tử cơ bản

19
5. FET: Trở kháng ra/vào và hệ số khuếch đại

20
21
6. FET: ảnh hưởng của tải và nguồn

22
 CMOS

- Large signal (DC):

𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝐻
Triode region: { 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻
𝑊 21
𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 [(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )𝑉𝐷𝑆 − 2 𝑉𝐷𝑆 ]
𝐿

𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝐻

Saturation region: { 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻
1 𝑊
𝐼𝐷 = 2 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2
𝐿

- Small signal (AC): 𝐼𝐷 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆

1. Common Source:
- DC: 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷
𝑉 𝑅 𝑉𝐷𝐷
- AC: 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐷𝐷+𝑅𝑜𝑛 = 𝑊
𝑜𝑛 𝐷 1+𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝑖𝑛 −𝑉𝑇𝐻 )𝑅𝐷
𝐿

Khi không có Channel-length modulation  = 0:

𝑊
𝐴𝑣 = −𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉 − 𝑉𝑇𝐻 )𝑅𝐷 = −𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝐿 𝑖𝑛
𝑊
𝑔𝑚 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )
𝐿
Khi có Channel-length modulation ≠0:
If have 𝑟𝑜 : 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 (𝑟𝑜 ||𝑅𝐷 )
𝑍𝑖𝑛 ≈ ∞
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑟𝑜 ||𝑅𝐷

23
 𝑊 𝑉𝑅𝐷
𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 𝑅𝐷 = −√2𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝐼
𝐿 𝐷 𝐼𝐷

- Ưu điểm: Dễ dàng thiết kế

- Khuyết điểm: 𝐴𝑣 thấp và phi tuyến khi tín hiệu vào tần số lớn, 𝑍𝑜𝑢𝑡 thấp.
- Cách tăng 𝐴𝑣 :
𝑊
• Tăng : tuy nhiên làm tăng điện dung ký sinh
𝐿

• Tăng 𝑉𝑅𝐷 : giới hạn điện áp Đỉnh – Đỉnh

• Giảm ID, giữ nguyên 𝑉𝑅𝐷 : Tăng 𝑅𝐷 Hằng số thời gian chậm hơn ở đầu ra.

𝑉𝑋 1
- Bỏ qua Body effect: = 𝑔 ||𝑟𝑜
𝐼𝑋 𝑚

𝑉𝑋 1
- Có Body effect: = ||𝑟𝑜
𝐼𝑋 𝑔𝑚 +𝑔𝑚𝑏

- Small signal:
1 (𝑊/𝐿)
• Nếu  = 0, 𝑔𝑚𝑏2 = 0: 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚1 𝑔 = −√(𝑊/𝐿)1
𝑚2 2

1 (𝑊/𝐿) 1
• Nếu  = 0, 𝑔𝑚𝑏2 = 0: 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚1 𝑔 = −√(𝑊/𝐿)1 1+ƞ
𝑚2 +𝑔𝑚𝑏2 2

- Thuận lợi: 𝐴𝑣 độc lập với điều kiện phân cực

- Khó khăn: 𝐴𝑣 thấp, điện áp Đỉnh – đỉnh bị giới hạn, Zout thấp
- Tại vùng bão hòa:
• Nếu =0:
1 𝑊
𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝑏 − 𝑉𝑇𝐻 )2
2 𝐿
𝑅𝑜𝑢𝑡 = ∞
• Nếu ≠0:
1 𝑊
𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝑏 − 𝑉𝑇𝐻 )2
2 𝐿
𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑟𝑜

24
- Small signal:
• Nếu 2 = 0: 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚1 𝑟𝑜1
• Nếu 2 ≠ 0: 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚1 (𝑟𝑜1 ||𝑟𝑜2 )
• 𝑍𝑖𝑛 ≈ ∞
• 𝑍𝑜𝑢𝑡 = (𝑟𝑜1 ||𝑟𝑜2 )
- Thuận lợi: 𝐴𝑣 lớn, điện áp đỉnh đỉnh lớn hơn mô hình diode conected
- Khó khăn: Cần phân cực phân áp

- Thuận lợi: 𝐴𝑣 tuyến tính, ít bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ, trở kháng ra cao
- Khó khăn: 𝐴𝑣 thấp
2. Common Source with active load:

𝐴𝑣 = −(𝑔𝑚1 + 𝑔𝑚2 )(𝑟𝑜1 ||𝑟𝑜2 )

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐺𝑆1 + |𝑉𝐺𝑆2 |
𝑉𝑜𝑢𝑡 1
= (𝑔𝑚2 + ) (𝑟𝑜1 ||𝑟𝑜2 )
𝑉𝐷𝐷 𝑟𝑜2

25
 3. CS with Source Degeneration:
𝐼𝑜𝑢𝑡 𝑔𝑚 𝑟𝑜
𝐺𝑚 = =
𝑉𝑖𝑛 𝑅𝑆 + [1 + (𝑔𝑚 + 𝑔𝑚𝑏 )𝑅𝑆 ]𝑟𝑜
𝑔𝑚
≈
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆
𝐴𝑣 = −𝐺𝑚 𝑅𝐷
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑆 + [1 + (𝑔𝑚 + 𝑔𝑚𝑏 )𝑅𝑆 ]𝑟𝑜

4. Source follower:
- Larger signal: Vout = IDRS
- Small signal:
𝑊
𝑔𝑚 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝑜𝑢𝑡 )
𝐿
𝑔𝑚 𝑅𝑆
𝐴𝑣 =
1 + (𝑔𝑚 + 𝑔𝑚𝑏 )𝑅𝑆
1
𝑍𝑜𝑢𝑡 =
1 1
𝑔𝑚 + 𝑔𝑚𝑏 + +
𝑟𝑜 𝑅𝑆
- Thuận lợi: 𝑍𝑜𝑢𝑡 nhỏ, 𝐴𝑣 ít phụ thuộc vào tải
- Khó khăn: 𝑔𝑚 ≫ 𝑔𝑚𝑏 → 𝐴𝑣 ≤ 1, 𝑉𝑇𝐻 chịu ảnh hưởng của body effect
5. Common gate:
- Large signal: Vout = VDD - IDRS
- Small signal:
𝐴𝑣 = 𝑔𝑚 (1 + ƞ)𝑅𝐷
𝑅𝐷 + 𝑟𝑜
𝑍𝑖𝑛 =
1 + (𝑔𝑚 + 𝑔𝑚𝑏 )𝑟𝑜
𝑍𝑜𝑢𝑡 = {[1 + (𝑔𝑚 + 𝑔𝑚𝑏 )𝑟𝑜 ]𝑅𝑆 + 𝑟𝑜 }||𝑅𝐷

26
 6. Cascode:

7. Cascode with nguồn dòng:

- Small signal: - DC:

M1 saturation: Vb ≥ Vin + VGS2 – VTH1
M2 saturation:
Vout ≥ Vin + VGS2 – VTH1 – VTH2
- Thuận lợi:
Tăng 𝑍𝑜𝑢𝑡 → 𝐴𝑣 tăng
- Khó khăn:
Điện áp đầu ra bị giới hạn
Cần điện áp phân cực Vb

27
 8. Folded cascode:

9. Khuếch đại vi sai:

Single-ended Differential
Differential là hiệu tín hiệu điện
Single-ended là tín hiệu điện áp tại 1
áp ở 2 nút có cùng biên độ
Khái niệm điểm so với 1 điện áp tham chiếu,
nhưng ngược pha, cùng mức
thông thường là GND
điện áp DC (Common Mode)
Triệt tiêu được nhiễu.
Kích thước mạch bằng một nửa so
Ưu điểm Gấp đôi điện áp Đỉnh – Đỉnh ở
với mạch Differential
đầu ra
Khi có nhiễu thì đồng thời sẽ khuếch
Nhược điểm Kích thước mạch lớn hơn
đại nhiễu ở đầu ra
- Nếu một mạch khuếch đại vi sai có nguồn nuôi là V thì có thể tạo ra dao động chênh
lệch từ đinh tới đỉnh lên tới 2V.
- Mạch khuếch đại vi sai có khả năng chống nhiễu môi trường tốt hơn.
- Differential Pair triệt tiêu được nhiễu từ VDD và coupled-noise.
• Larger signal:

28
 𝑊
𝐺𝑚 = √𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝐼
𝐿 𝑆𝑆
2𝐼𝑆𝑆
→ Ngoài khoảng ∆𝑉𝑖𝑛 = ±√ 𝑊 thì 𝐺𝑚 = 0
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥
𝐿
→ 𝐺𝑚 lớn nhất khi 𝑉𝑖𝑛1 = 𝑉𝑖𝑛2
• Small signal:

−2𝑅𝐷
→ (𝑉𝑋 − 𝑉𝑌 )1 = 𝑉
1 1 𝑖𝑛1
+
𝑔𝑚1 𝑔𝑚2
2𝑅𝐷
→ (𝑉𝑋 − 𝑉𝑌 )2 = 𝑉𝑖𝑛2
1 1
+
𝑔𝑚1 𝑔𝑚2

29
 2𝑅𝐷
→ |𝐴𝑣 | =
1 1
+
𝑔𝑚1 𝑔𝑚2

• Ảnh hưởng của Rs:

- Ưu điểm: Tăng sự tuyến tính cho cặp vi sai, giảm ảnh hưởng của nhiệt độ.
- Trade off: Giảm Av, giảm điện áp Đỉnh – Đỉnh ở đầu ra.
10.Common mode:

30
• Mạch bất đối xứng tại RD:
𝑅𝐷1 = 𝑅𝐷
𝑅𝐷2 = 𝑅𝐷 + ∆𝑅𝐷
𝑔𝑚
∆𝑉𝑋 = −∆𝑉𝑖𝑛,𝐶𝑀 𝑅
1 + 2𝑔𝑚 𝑅𝑆𝑆 𝐷
𝑔𝑚
∆𝑉𝑌 = −∆𝑉𝑖𝑛,𝐶𝑀 (𝑅 − ∆𝑅𝐷 )
1 + 2𝑔𝑚 𝑅𝑆𝑆 𝐷
→ 𝑉𝑜𝑢𝑡1 , 𝑉𝑜𝑢𝑡2 thay đổi một lượng khác nhau khi ∆𝑉𝑖𝑛,𝐶𝑀 thay đổi
• Mạch bất đối xứng tại M1 và M2:

𝑉𝑋 − 𝑉𝑌 𝑔𝑚1 − 𝑔𝑚2
𝐴𝐶𝑀−𝐷𝑀 = − = 𝑅
𝑉𝑖𝑛,𝐶𝑀 (𝑔𝑚1 +𝑔𝑚2 )𝑅𝑆𝑆 + 1 𝐷
𝐴𝐷𝑀
Tỷ số nén đồng pha 𝐶𝑀𝑅𝑅 = | |
𝐴𝐶𝑀−𝐷𝑀

→ Khi mạch đối xứng hoàn toàn ta có 𝐶𝑀𝑅𝑅 → ∞

→ Vậy Common Mode phụ thuộc vào RSS và tính đối xứng của mạch
• Differential Pair with diode-connected load:
𝑊
𝜇𝑛 ( )
𝐿 𝑁
𝐴𝑣 = −√
𝑊
𝜇𝑝 ( )
𝐿 𝑃
Điện áp Đỉnh – Đỉnh tại đầu ra thấp
𝑉𝑃−𝑃 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑇𝐻𝑃 − 2𝑉𝑜𝑣

31
 • Differential Pair with current source load:
𝐴𝑣 = −𝑔𝑚𝑁 (𝑟𝑜𝑁 ||𝑟𝑜𝑃 )
𝐴𝑣 lớn, cần thêm 𝑉𝑏𝑖𝑎𝑠
𝑉𝑃−𝑃 = 𝑉𝐷𝐷 − 3𝑉𝑜𝑣

• Cascode Differential Pair:

𝐴𝑣 = −𝑔𝑚1 [(𝑔𝑚3 𝑟𝑜3 𝑟𝑜1 )||(𝑔𝑚5 𝑟𝑜5 𝑟𝑜7 )]
𝐴𝑣 lớn hơn nhưng điện áp đầu ra bị giới hạn
𝑉𝑃−𝑃 = 𝑉𝐷𝐷 − 5𝑉𝑜𝑣

• Common mode với nguồn dòng:

11.Gilbert Cell:
- Bộ khuếch đại có thể thay đổi độ khuếch đại điện áp Variable-gain amplifier (VGA)

- Giới hạn của VinCM mà M3 bão hòa:

32
 𝐼𝑆𝑆
𝑉𝐺𝑆1 + (𝑉𝐺𝑆3 − 𝑉𝑇𝐻3 ) ≤ 𝑉𝑖𝑛𝐶𝑀 ≤ 𝑚𝑖𝑛 {𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 + 𝑉𝑇𝐻 ; 𝑉𝐷𝐷 }
2

𝑉𝑜𝑢𝑡1
= −𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑉𝑖𝑛
{𝑉𝑜𝑢𝑡2 → 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑜𝑢𝑡1 + 𝑉𝑜𝑢𝑡2 = 𝐴1 𝑉𝑖𝑛 + 𝐴2 𝑉𝑖𝑛
= +𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑉𝑖𝑛

mà 𝐴1 𝑎𝑛𝑑 𝐴2 được điều khiển bởi 𝑉𝑐𝑜𝑛𝑡1 𝑎𝑛𝑑 𝑉𝑐𝑜𝑛𝑡2 tương ứng
nên 𝑉𝑜𝑢𝑡1 + 𝑉𝑜𝑢𝑡2 = 𝑅𝐷 (𝐼𝐷1 + 𝐼𝐷4 ) + 𝑅𝐷 (𝐼𝐷2 + 𝐼𝐷3 )
Thay vì thêm 𝑉𝑜𝑢𝑡1 𝑎𝑛𝑑 𝑉𝑜𝑢𝑡2 ta có thể thực hiện như hình 4.42(b)
Lưu ý:
• Nếu 𝐼1 = 0 thì 𝑉𝑜𝑢𝑡 = +𝑔𝑚 𝑅𝐷
• Nếu 𝐼2 = 0 thì 𝑉𝑜𝑢𝑡 = −𝑔𝑚 𝑅𝐷
• Với 𝐼1 = 𝐼2 , độ khuếch đại về 0

33
• Hình 4.42(c) mạch điện có thể biến đổi hai dòng điện ngược chiều nhau
• Hình 4.42(d) 𝑀1 , 𝑀2 , 𝑀3 , 𝑀4 là giống hệt nhau; 𝑀5 , 𝑀6 cũng vậy.
• Gilbert cell có thể hoạt động như một bộ Analog Voltage Multiplier.
• Giống như Cascode, Gilbert cell tiêu tốn Voltage headroom hơn so với cấu trúc vi sai đơn
giản nào.
• Hình 4.43(a) chuyển đổi điện áp đầu vào thành dòng điện 𝑀5 , 𝑀6 và định tuyến
𝑀1 , 𝑀2 , 𝑀3 , 𝑀4 đến đầu ra
• Đối với 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 0, cặp vi sai đầu vào có thể kết hợp sự thoái hóa để cung cấp sự chuyển
đổi tuyến tính từ điện áp sang dòng điện

34
 12.Basic current Mirrors:
- Channel length muodulation:
1 𝑊
𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2 (1 + 𝑉𝐷𝑆 )
2 𝐿
- Bỏ qua Channel-length muodulation, M1 và M2 ở vùng bão hòa:

- Cấu trúc này cho phép sao chép chính xác dòng điện IREF sang Iout mà không phụ thuộc
vào quá trình và nhiệt độ, chỉ liên quan đến kích thước của linh kiện.
- Thông thường ta thay đổi kích thước W, giữ nguyên tỉ lệ chiều dài L.
- Các thông số cần quan tâm:
𝐼𝑜𝑢𝑡
• Độ chính xác của tỷ lệ
𝐼𝑅𝐸𝐹

• Trở kháng ra
• Mismatch
• Voltage headroom

35
 13.Cascode current mirrors:

Nếu 𝑉𝐷𝑆2 ≠ 𝑉𝐷𝑆1 thì tỷ lệ 𝐼𝐷2 ⁄𝐼𝐷1 khó được điều chỉnh chính xác
- Để giảm ảnh hưởng của channel-length modulation, ta sử dụng cascode current source
như hình 5.12.(a):

36
Ta cần bias cho M3 để VX = VY
Ta có Vb = VGS3 + VY
→ Cần thêm một con MOS trên M1 để bias cho M3 như hình 5.12.(c)
Khi đó ta có: VGS3 + VY = VGS0 + VX
(𝑊⁄𝐿 )3 (𝑊⁄𝐿 )2
Nếu: (𝑊⁄ = (𝑊⁄
𝐿 )0 𝐿 )1

- Trở kháng vào ra:

1 1
𝑍𝑖𝑛 = +
𝑔𝑚0 𝑔𝑚1
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑟𝑜3 + 𝑟𝑜2 (1 + 𝑔𝑚3 𝑟𝑜3 )
- Voltage headroom:
𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑜𝑣
𝑉𝑖𝑛,𝑚𝑖𝑛 = 2𝑉𝐺𝑆
- Ưu điểm:
• Mạch sẽ không bị sai lệch dòng khi có Channel-length modulation
• Trở kháng ra cao
- Nhược điểm: Điện áp Đỉnh – Đỉnh giảm đi 𝑉𝑜𝑣

37
- Để cải thiện điện áp Đỉnh – Đỉnh ta sử dụng mạch High Swing Cascode:

- Trở kháng vào ra:

1
𝑍𝑖𝑛 =
𝑔𝑚1
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑟𝑜3 + 𝑟𝑜2 (1 + 𝑔𝑚3 𝑟𝑜3 )
- Voltage headroom:
𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑚𝑖𝑛 = 2𝑉𝑜𝑣
𝑉𝑖𝑛,𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝐺𝑆
- Ưu điểm:
• Giảm Voltage headroom, tăng điện áp Đỉnh – Đỉnh đầu ra
• Trở kháng ra cao
- Nhược điểm:
• Phải sử dụng 2 dòng IREF nên tốn năng lượng cung cấp
• Hiệu ứng Channel- length modulation vẫn chưa được cải thiện
- Có thể sử dụng cấu trúc mạch Improve high swing cascode:

38
- Self-bias Cascode current mirror:

14.Đáp ứng tần số:

15.Nhiễu:
16.Hồi tiếp:
17.Khuếch đại thuật toán:
18.Ổn định và bù tần số:
19.Thiết kế nanomet:
20.Kỹ thuật Bandgap:

39