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基于明暗场成像的多扫描方式图案化晶圆检测技术研究 陈世炜
基于明暗场成像的多扫描方式图案化晶圆检测技术研究 陈世炜
密 级 :
X
: 学 号 : 2 1 8 3 0 00 5
士 学 位 论 文l t .
_
:
寒蠢
?
中 文论文题 目 : e 描 方式 图 案化 晶 圆
基于 明 暗场 成像 的 多 f
检测技术研 究
英文论文题 目 : R e s e a r c h o n P a t t e r n e d W a fe r I n s p ect o n
i
Te c h n o l o n v w i t h Mu l t i
-
sc a nM o d eB a s e d o n
Br i gh t a n d D a r k F e l d I m a g i n g
i
申 请 人姓 名 :
陈世 讳
指导教师
■
:
.
合 v 杨 甬
:
英
专业 名 称 :
光 学 工 程 .
:
,
研 宄方 向 精 密 光 学 柃测 技 术
:
所在 学院 光 电 科 学 与:
工 程学院
论文提交 日 期 2 0 2 1 年 4 月
基于 明 暗场 成 像 的 多 扫描方式
图 案化 晶 圆 检测 技术研 究
论文作者签名 : ?¥、 说
崎
一
指 导教师签名 :
\
论文评 阅 人 1 :
| 1名
评阅人 2 :
评阅人 3 :
评阅人 4
:
评阅人 5 :
答辩委 员 会主席 :
^ 4
委员 1 :
t M % 系疫
-
'
1
哼祕 眷
、
'
委员 2 :
|
委员 3 :
委员 4
:
委员 5 :
答辩 日 期 叫午 ^ (
丨
I
B
浙江大学研 究 生 学位 论文独创 性声 明
本 人声 明 所呈 交 的 学位 论 文 是 本 人 在 导 师指 导 下 进 行 的 研 究 工 作 及 取 得 的
表或撰写 过 的研 究 成果 , 也 不 包 含 为 获 得 浙 江 大 学 或 其 他 教 育 机构 的 学 位 或
证 书 而 使用 过 的 材料 。 与我
一
同 工作 的 同 志 对 本研 究 所 做 的 任 何 贡 献 均 已 在论文
中 作 了 明 确 的说 明 并表示谢 意
。
学 位论文作者签名 签 字 : 日 期 年 月 /
r日
学 位 论 文 版 权 使 用 授权 书
学 位论文 的 全部 或部 分 内 容编 入有 关数据库 进行 检 索 和 传 播 , 可 以 采用 影 印 、
缩
印 或扫 描等 复制 手段保存 、 汇编 学位论 文
。
( 保 密 的 学 位 论 文 在 解 密 后 适用 本授 权 书
)
学 位论文作者签 名 导 师签名 :
:
签字 日 期 : 年 6月 以 日 签 字 日 期 年 月
日
(
致 谢
的玉泉校 区 , 度过 了 我 的研究 生 生涯 ,
心 中 剩 下 的 全是感 恩
。
。 , ,
。
由 衷感谢所有 帮 助 我 的 亲长 师友 , 谢谢你 们
。
陈世炜
202 1 年 4 月 于 求是 园
I
摘 要
, 1
从而 降低 生产 成 本
。
本文 针对 图 案 化 晶 圆 缺 陷 尺度 小 、 背 景 图 案 复杂 等 技 术难 点 , 搭建 了 多 扫 描 方式 明 暗
场 图 案 化 晶 圆 缺 陷 检 测 系 统 Mu (
l ti
-
s c an n i n
g
P at e r n e d Wa fe r d e fe c t D e t e c t i on s y s t e m
,
M P WD S )
, 并研 究 了 该系 统 中 使用 的 相 应 技术 , 其 中 包括
:
图 案化 晶 圆 表 面 蚀 刻 图 案抽 象成 不 同 细微线段 矢 量 的 叠 加 , 通过研 究单
一
细 微线 段矢量 简
化模型 , 进 行 表 面 散射场分析 。 基于 B RD F 和 R ay l e i gh -
R i ce 矢量 散射理论 , 通过离 散化
仿真 , 分析探讨 了 不 同 长度 、 宽度 、 角度 、 深度 的 细微线 段 矢量 存 在 情况 下 晶 圆 表 面 的 散
s c ann i n s t r at e
g gy) , ,
列 到 二 维 图像 的 重构策略 ; 分 析研 究 线 扫 、 面 阵成 像相机模型 , 基 于 系 统 设 计 对扫 描路 径
进行规划 , 计 算 推导 出 系 统 检 测 扫 描 效 率 与 系 统 参 量 之 间 的 制 约 关 系
。
提 出 基于重复子结构序列 的缺陷提取算法 (
R e p e at e d Sub s t r uc t u r e S e qu e n c e D e fe c t
i t hm R S S D E A ) 。
E x t r a c t i on A g o rl
,
通过频域 变 换进行 图 像 偏 转角 校正 , 利 用 基 于形状 的模板
匹 配 在 校正 后 的 图 像 中 分割 出 重 复 子 结 构 区 域 图 像序 列 , 并 通 过特殊数据 结 构 和 基 于 统 计
量的 自 适应 迭代算 法 , 对晶元 (
D i e) 标准 图 进行 高 效求解 , 从而 利 用 双 阈 值 分 割 最终得 到 缺
陷 位置 和 其特 征 信 息
。
通 过 具 体 实 验 验 证本 文 内 容 。 搭建 晶 圆 检测 装置 , 并 将文 中 所提算 法应 用 于 图像 中
,
m
度进行横 向 比较 , 并 对 本文提 出 算 法 与 传 统算 法 进行纵 向 比较 ; 分析解释并校正 了 点扫描
I
V
A b s t r a c t
Wafe r r e fe r s t o t h e s i l i c o n w a fe r u s e d i n t h e
p r o du ct i o n o f s e m i c o n du c t o r c i r c ui t s . Var i ous
e l e c t r o n i c d e v i c e c i rc u i t s c an b e e t c h e d c m t h e w a fe r I t i s a n i m .
por
t an t i n t e rm e d i at e p r
o duc tin
t i n g p r o c e s s o f s e m i c o n du c t o r c i r c u i t s Wi t h t h e g r a du a d e v e l o p m e n t o f th e
h e m an u fa c t u r
. l
M o o re
'
s emi c o n du c t o r i n du s try b a s e d o n
s L aw ,
t h e a dv a n c e d c h i p p r o c e s s
te c hn o l o gy h a s
r e ac h e d
t h e n a no m e t e r l e v e l . A t t h e s am e ti
,
n e d w a fe r e t c h i n g p at t e r n h a s b e c o m e m o r e
m e th e p a t t e r
c om
p l e x and f i n e r w i t h th e p r o g r e s s o f t h e p ro c e s s , w
hi c h i n c r e a s e s t h e di f
i cu l t
y o f d e t e c t i ng
d e fe c t s i n t h e p a t t e r
n e d w a fe r . T h e r e fo r e , ac c u
r at e d e t e c t i o n o f i n e d e fe c t s i s a n i mp o r t ant and
f
k e y t e chn o l o gy
i n th e i n t e g r at e d c i r c u i t i n du s t r y S e m i c o n du c t o r m anu fa c t u r e r s m a i n t a i n a n d
.
m p r o v e th e y i e l d o f I C c h i p m a nu fa c t u r
i n g t h r o u g h w a fe r i n s o n s y s t e m s t o r e du c e
p ec
i ti
pro du c ti o n c o s t s
.
I n t h i s p ap e r a i m i n g a t
,
te c h n i c a l di i cu
f l ti e s s u c h a s t h e s m a l l d e fe c t s i z e o f n e d w afe r s
p at t e r
an d c o m
p l e x b a c k g r o u nd p a
tt e ns
r , a
Mu lt i
-
s c an n i n t n e d Wa fe r D e fe c t D e t e c t i on S y s t e m
g P at er
(
MP WD S )
w a s bu i l t a n d s t ud i e d i n th i s s y s t e m . T h e c o r r e sp o n d n g i
te c h no l o g i e s i s fo l l o w i n g
:
R e s e a r c h o n p at t n e dw a fe r d e fe c t s a nd s u r fa c e s c a t t e r i n
er
g fi e l d T h e p a er
. tt n e d w a fe r
p r o du c t i on p r o c e s s i s i n t r o du c e d . F r o m th e p e r s p e c ti v e o f t h e p r o du c t o n p r o c e s s a n d
i
p h o t o l i th o g r ap h y p r o c e s s ,
t h e r e a s o n s fo r t h e i n t r o du c t i o n o f c om m o n d e fe c t s o n th e w afe r ar e
an a l
yz e d ,
an d t h e d e fe c t s a r e
c l as s i f
i e d ac c o r d i n g
t o d i f fe r e n t c l a s s i f
i c at i o n s t a nd a r d s
;
The et c hi n g
he d i n t o th e s up e r p o s i t i o n o f d i f fe r e n t f i n e l i n e
p at t e rn o f p a tt e r
n e d w a fe r s u r fa c e s a b s t ra c t e
t i
se
g m e nt v e c o r s
t
,
a n d t h e s u r fa c e s c at t e r i n
g f i e l d a n a l y s i s i s c ar r
i e d o ut b y s t u d y i n g
t h e s i mp l i f i e d
m o de l o f a s i ng l e f i n e
li ne se
g m e nt v e c t o r . B ase d on t he B RD F and R ay l e i gh
-
R i c e th e o ry ,
t hro u g h
d i s c r et i z a t i o n s i m u l a t i o n ,
t i n g fi e l d d i s tr
h e s c at te r i b ut i o n o n t h e w a fe r s u r fa c e i n th e p r e s e n c e o f
i ne
f en gth s w i d th s d
n e s e g m e n t v e c t o r s o f d i f fe r e n t an g l e s an d d ep t
ii s s an al
y z e d an d d i s c u s e
li l i s
, , ,
,
w hi c h p r ovi de s a
t h e o r e t i c a l b a s i s fo r s ub s e qu e n t s y s t e m d e s i g n
.
T h e de s g n s c h e m e o f M P W D S s y s t e m i s g i v e n n d e t a i
i i l . A Sp ir al s c a n n i n g s t r a t e g y i s
p r op o s e d fo r t h e p o i n t s c a n n i n g p a th
,
t h e c o o r d i n at e m app i n g r e l at i o n s h i p b e t w e e n t h e s c ann i n g
p ath a n d t h e i m ag e c o o r d i n at e s i s a n a lyz e d a
n d t h e r e c o n s t r u c t i o n s t r at e gy f r o m th e P M T o n e
-
v
d i m e n s i o n a l l i g h t nt e n s i t y s e q u e n c e t o t h e t wo d i m e n s on a
i
-
i l i ma n l s i s an d
g e i s g i v e n th e a a y ;
r e s e ar c h o f t h e l i n e s c an ,
Th e a r e a a r r ay
i m a g n g c a m e r a m o d e l p l an s
i
t h e s c ann i n g p ath b a s e d o n
t h e s y s t em d e s i gn ,
i v e s th e re s t r
a nd c a l c u l a t e s a nd d e r i c ti on re l a t
i o n s h i p b e t w e e n th e s y s t e m
d e t e c t i o n s c a nn i n g e f
i c i en c y an d t h e s y s t e m p a r am e t e r s
.
A d e fe c t e x t r a c t i o n a l g o r i th m b a s e d o n r e p e at e d s ub s t r u c t u r e s e qu e n c e ( R S S D E A ) i s
p rop o s e d The m a g e d e f l e c t i o n a n gl e i s c o r r e c t e d b y f
re r a n s fo r m a t i o n an d
he
qu e n c y d om a i n
. i t t
,
ma
g e s e qu e n c e o p e a t e d s ub s t r uc t ur e r e
g i o n s i s s e g m e n t e d i n t h e c o rr e c t e d i m a g e b y u s i n g
f re -
i
sha mp at e m a t c h i n g he
p e b as e d te an d s
p e c i a l d at a s tr u c t u r e a n d t h e a d a
p ti v e e r a t i v e al g o r i t h m
-
l t it
,
b a s e d o n s t at i s t
i c s ar e u s e d t o g e t c o r r e ct D i e i m ag e . T h e s t a n d ar d g r ap h i s e f
ic i e nt l y s o l v e d ,
so
t i s t i c i n fo r ma t i o n ar e f
h at th e d e fe c t l o c a ti on a nd i t s c h a r a c t e r i n a l l y o b t a i n e d b y u s i n g d o ub l e
t hre s h o l d s e gm entati o n
.
Ve r if
y
t h e c o n t e nt o f t h i s a rt i c l e
t hr o u gh s
p e c i f i c e xp e r i m e n t s
. A w a fe r
i n s p e c t i o n d e vi c e w a s
n d th e a l g o r
i t hm
bui l ta
p
ro
p o s e d i n th e ar t i c l e w a s ap p l i e d t o t h e i m a g e wh i c h p r o v e d t h e
,
e f fe c t i v e n e s s o f t h e s y s t e m
p r o p o s e d i n t h i s ar t i c l e fo r d e t e c t i n n e d w a fer d e fe c t s
g p at t e r ; th e
t h r o u g hp u t a n d i n s p e c t i o n a c c u r a c y o f d i f fe r e n t i m a g i n g m e t h o d s w e r e c o m p a r e d h o r
i z ont a l l y
,
a n d t h e ar t i c l e T h e al g o r
i t hm i n l on g i t u d i n a l
p r op o s e d a l g o r
i t h m i s c o m p a r e d w i th th e tra di t i o n a l
d i r e c t i on ;
t h e fan -
s h ap e d d a rk ar e a
p h e n o m e n o n i n h e p r o c e s s o f p o i n t s c a n n i n g d e fe c t d e t e c t i o n
t
e xp e r
i m e nt i s a n a l yz e d ,
ex
p l a i n e d an d c o rr e c t e d
.
F ina l l
y s umm a r
,
i z e t h e w o rk o f t h i s p ap e r g i v e s o u t i o n s t o t h e d ,
l i s a d v a n t a g e s a nd o o k
l
fo r w ar d t o f u t u r e fo l l o w u
p r e s e ar c h
-
.
K ey w o r d s :
p a
tt e n e d w afe r d e fe c t d e t e c t i o n m u l t i
r ; ;
-
s c ann i n
g b r i g h t a n d d a rk
fi e l d i m a gi n g
;
d e t e c t i o n ac c ur a c y ;
t hr o ughput ;
re
p e at e d s ub
-
s tr uc t u re c ut t n g
i
V I
目
次
m
i
m^ hi
Ab str a ct
V
g 次 VI I
1 ^
1
1 . 1课 题 背 景 与 研 究 意 义
1
1 . 2 晶 圆 缺 陷 检 测 发 展 与 研 究 现 状
4
1 . 2 缺 陷 检 测 技 术 分 类 和 发 展 路 线
. 1
4
1 . 2 2 .
国 内 外研 究 现状
6
1 . 3本 文 主 要 研 究 工 作
7
1 . 3 本 文 主 要 研 究 内 容
. 1
7
1 . 32 本 文 主 要 创 新 点
.
9
1 . 4 本 章 小 结
9
2 图 案 化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面 散 射场 分 析 1
0
2 . 1图 案 化 晶 圆 缺 陷 成 因 分 析 1
0
2 . 1 半 导 体 芯 片 制 作 流 程
. 1
1
0
2 . 12 光 刻 工 艺 流 程
.
1
1
2 . 1 . 3 晶 圆 缺陷成 因
1
2
2 . 1 . 4 晶 圆 缺 陷 分 类
1
3
2 2 .
晶 圆 表 面 成 像 分 析 与 散 射 场 仿 真 实 验 1
5
2 2 . . 1 基 于 B RD F 的 散射场 分析
1
6
2 2 2 . .
基 于 B RD F 的 晶 圆 图 案散射场 仿 真
1
8
2 3 .
本 章 小 结
23
3 基 于 明 暗 场 多 扫 描 方式 图 案化 晶 圆 成 像研 究 24
3 . 1 基 于 点 扫 描 的 暗 场 成 像 技 术 25
3 . 1
点 扫 描 暗 场 成 像 装 置 系 统 设 计
. 1 25
3 .
点 扫 描 路 径 规 划 与 图 像 构 成
1 . 2 27
3 .
点 扫 描 暗 场 装 置 时 间 效 率 分 析
1 . 3 30
3 . 2 基 于 线 扫 描 的 明 暗 场 成 像 技 术 3
1
3 . 2 线 扫 描 相 机 成 像 模 型
. 1 3
1
3 . 2 2 基 于 线 扫 描 的 明 暗 场 成 像 系 统 设 计
. 35
3 . 2 3 .
线 扫 描 明 暗 场 缺 陷 检 测 装 置 时 间 效 率 分 析 3 7
3 3 .
基 于 面 阵 的 明 暗 场 成 像 技 术
3 8
3 . 3 面 阵 相 机 成 像 模 型
. 1
38
3 . 3 2 .
基 于 面 阵 的 明 暗 场 成 像 系 统 设 计
40
3 . 3 3 .
面 阵 明 暗 场 缺 陷 检 测 装 置 时 间 效 率 分 析
43
3 . 4 本 U #
、
44
4 基 于重 复 子结 构 序 列 的 缺 陷 提取算 法 45
4 . 1 基 于 频 谱 的 图 像 角 度 矫 正
45
vn
4 . 1 . 1 基 于 频 谱 的 晶 圆偏转角 度求解 45
4 . 1 . 2 晶 圆 图 像 偏 移 角 度 矫 正 48
4 2 .
基 于 形 状 的 重 复 子 结 构 切 割 49
4 2 . . 1 坐 标 空 间 位姿转换 50
4 2 2
. .
基 于 模 板 相 似 度 衡 量 的 区 域 匹 配 5
1
4 2 3
.
重 复 子 结 构 晶 元 区 域 分 离 切 割
. 53
4 . 3 基 于 统 计 量 的 迭 代 标 准 图 求 解 53
4 3 . . 1 图 像 序 列 预 处 理 53
4 . 3 2横 向 统 计 量 计 算
. 56
4 . 3 3 基 于 统 计 量 的 自 适 应 迭 代 标 准 图 求 解
. 58
4 . 4 基 于 差 分 的 双 阚 值 分 割 与 特 征 提 取 60
4 4 . . 1差 分 双 阈 值 分 割 60
4 4 . . 2 缺 陷 连 通 域 特 征 提 取 6
1
4 5 .
本 章 小 结 64
5 基 于 明 暗场 的 多 扫 描 方式 图 案 化 晶 圆 检测 实验 65
5 . 1 实 验 系 统 硬 件 布 局 65
5 . 1 . 1 基 于 点 扫 描 暗 场 成 像 系 统 硬 件 布 局 65
5 . 1 . 2 基 于 线 扫 描 明 暗 场 成 像 系 统 硬 件 布 局 66
5 . 1 . 3 基 于 面 阵 的 明 暗 场 成 像 系 统 硬 件 布 局 67
5 2 .
图 案 化 晶 圆 多 扫 描 方 式 明 暗场 图 像缺 陷 提取 实验 69
5 2 . . 1 基 于 统 计 量 双 阈 值 缺 陷 定 位 算 法 验 证 实 验 69
5 2 2
. .
不 同 成像方式检测 系 统性 能研 究 73
5 3 .
点 扫 描 暗 场 成 像 扇 形 暗 区 图 像 分 析 74
5 4 .
本 章 小 结 76
6 总 结 与 展 望 78
6 . 1 本 文 工 作 总 结 78
6 2 .
未 来 工 作 展 望 79
参考文献 81
作者 筒 历及主要研 究成果 86
vm
1 绪论
1 绪论
1 . 1 课题 背景 与研 究 意义
“
”
高科技产业
”
对出 至 我 国 的 半导体零部件及技 术进行 严 格 审 查 瓦 森纳 协 定
对
“
,
口 , 例如
上 体现 为 巨 大 逆 差 。 20 1 9 年 , 我 国 半导体 出 口 数量 2 1 95 亿个 , 进 口 数量 4 44 3 亿个 ; 出
口
金额 1 0 1 5 亿元 进 ,
口 金额 3 04 0 亿元 。 由 数 据可知 我 国 消 费 市场对 半导体芯 片 需 求 巨 大
,
,
从美 国制 裁 中 兴 、 华 为 的事件可知 , 核 心 科 技 产 业必 须 牢 牢 掌 握在 自 己 手心 , 否则就
“ ”
会被 卡脖子 , 成 为 谈判 的筹 码 。 国 家对 这种 情形 早 有 预 判 , 《 关 于促进集成 电路产业和
尔 定律 也 已 渐 渐 接近 其 物 理 极 限 , 中 国 半 导 体行业若 稳 定 发 展 定 能 打 破 国 外 垄 断 并 逐 步 赶
超至先进队列
。
“
半导体工艺 复杂 , 芯 片 电路单 元尺寸 极小 , 若存在缺 陷 , 根据 电 子 系 统检测 中 十倍
”
法则 , 在 电路板层 面 发现 的 故 障 传导 至芯 片 级别 会造成 成本 十倍 的增 加 。 因 此缺 陷不仅
节至关重要
。
1
浙江大 学硕 士 学 位论文
中 国 测 试 市 场 前 景 测 试 设 备 产 业 链
g @5
誦年
厂亿、
霪 '
:
元 1 76
J
j
V f s〇 c 及 数字 芯 片 检测
|
M 前道检测设备 I
| 丨
存 储芯 片 检测
丨
丨
S 丨
后 道 检测设 幻 |
模拟及神 ¥ 片 检 测
|
亿元
■
398
丨
|
晶 圆厂
|
、 J
2 026 年 ■ |
封测 厂
|
,
。
赖于进 口 。 如图 1 . 2 所示 , 国 际 中 知 名 的 厂 商 例 如 K LA -
Te n c o r ,
ASML , To ky o
E l e c tr o n
等
2
1 绪论
EBO
I
(
a) K L A Vo y a g e r 晶 圆
缺 陷 检 测 装 置 (
b ) KL A 3 9 x x 晶 圆 缺 陷检测 装置
图 1 . 2 国 外先进 图 案化 晶 圆 缺 陷 检测装置
产化进行投 资
。
测试机 、 分选 台 、 探 针 台
■ H BS —
j ni R nv n
B SI^S I
_
N _ _  ̄
 ̄  ̄
^ S S
^[
探 针 台 测 试 机 探针 台
1
|
l |
|
—
NJ B ^| r T R ? E ? l — —
\E | P * ^P? 1 5 S
—
I HI
^
分 选 机 测 试 机 | | | |
分选机
图 1 . 3 集成 电路产业 链 与 检测流 程 关 系 图
, D
3
浙 江大 学硕 士 学 位论文
1 . 2 晶 圆 缺 陷 检测 发 展 与 研 究 现状
1 .
2 . 1
缺 陷 检测 技术分类和 发展路 线
: ,
, ,
高 精 移 动 控 制 装 置 控 制 探 针 接触 晶 圆 表 面 从 而 达 到 检测 效果 。 这种方式 由 于 需 要触针的 半
— 一
—
P e r fo r m a n c e b o a r d
Tes he ad
O
t
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. t ra ve l m echan i s
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p a rt par
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图 1 . 4 晶 圆 探针检测 台 结 构不 意 图
中 目 o m a t c nspection
]
自 cI
[
t i t i
(
,
AO I
) 及扫 描 电 子 显微镜 (
S c a nn i n g E l e ctr o n M i cr o s c o
pe ,
S EM ) 检 测 卩、 这 两 种 方 法 各 有 优 劣
。
自 动光 学检测 (
AO I
)
基于光学原理 , 主 要 方式就是通过设计照 明 系 统对被测 目 标进行照 明
,
4
1
绪论
电子 显微镜 (
S EM) 成像机理不 同 于 传 统 显微镜 观 察 方 式 介 于 光 学 显微镜和 透射 电 子 显微
,
。 SEM 品 ,
束 与 物 质 间 的 相 互 作 用 产 生 的 微粒 ,
从 中 获取各种 物理信息 。 最终通过将信息进行发大
、
1 . 5 自 (
I
) ,
: 1 . 。
, ,
次成 像 ;
2 .
灵活度 高 , 成本低 。 相机 、 镜头 、 光源 等可根据实 际 需 求进行 自 由 组合 , 可操
作空 间 大 , 设备 成本低 ;
3 .
视场大 。 成像范 围广 ,
选定合适 的镜头 最大成 像 范 围 可覆盖整
块晶 圆 , 可作为 全范 围 检测 (
Fu l l S c a e S c an ) 4
l
;
.
吞吐量大 。 由 于 成像速度快 , 视场范 围 大
,
能满足工业 生产 中 实 时性要求 [
5 ]
。 缺点是 :
成像分辨率较低 , 检 出 缺 陷特征不 明 显
。
ma
d
g e
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p t u r ec a r
I
C C D C MO S /
;
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7
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P l a t fo r m / g
i
,
一
Z M o ti o n c o n tr o
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图 1 . 5 典型 AO I 系 统结构示意 图
图 1 . 6 为扫 描 电 子显徵镜 (
S EM) 结构示意 图 , 其优 势是分辨率 高 , 精度 高 , 通常能达
。 ,
,
系 统进行粗定位 , 若有 进
一
5
浙江大 学硕 士 学位论文
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V
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I
〇 s t a
e
g
图 1 . 6 扫 描 电 子 显微镜结 构 示 意 图
1 . 2 2 .
国 内 外研 究现状
了 。 ,
, ,
。
成像模式 发展 : S t anS t o k o w s k i
利 用 斜入射激光 , 并改变其偏振态 , 搜集 不 同 方位角
的 散射光来扫 描 图 案化 晶 圆 表面 并得到 表 面 图 像 [
8
]
。 G ab r i e l P op e s c u 和 R e nj i e Zhou 通过衍
、 , ,
长量级 。 M on as t
yr s ky i A 提出 了 接触式 超声 锁相 检测 技术 , 其 中 光源采用 红外光源 , 并且
,
。 l
,
并取决于芯 片 的导 电率 这 种 方 法 具有 局 限性
2
DY 通过设计 套系 统 基于计算
1 一
Jan
[ ]
, 。
g ,
激光经过被测祥 品 的 透过 率 差值 以 及样 品 表面不 同 起 伏 造 成 的 强 度 偏 移 来 反推 形貌 信 息
,
了
[
。
点 电 位 差 成 像 CP D (
I
) 技 术对 整 块 晶 圆 进行 全领 域扫 描 能够检测 ,
出 非 视觉残 留 金属缺陷% ]
。
6
1 绪论
Kra i n R 等 人基 于 相 机特 性 , 基于 三种 不 同 的 发光机理设计 照 明 系 统 , 并测 量 光 谱 。 通过
Tu r e k
一
了
[
。 ,
合测 量 空 间 和 光 谱 分辨 的 反射特 征 , 并进 行 后 续数据 分析 来 快速 定 位 和 分类 晶 圆 上 的缺 陷
和污染 [
1 6
k Me li L 等 基 于 D 2 B RD 技 术 ,
一
测 晶 圆 图案场上的 继 器缺 陷 1 7]
中 [
。
, , 。 i ,
的 二 维周 期 性 重 复 子结 构 区域缺 陷 进行 检测 等提 出 种基于 空 间 相 关 图来
8]
Y
1 一
Je o n S
[
。
g
检测 空 间 自 相 关 性 以 及 晶 片 图 上缺 陷 图 案 的 分类 的 方 法 , 设计
一
种 动 态 时 间 规整算 法 ,
并
根据 空 间 相 关 图 对模式 进行 动分类
9]
L nH D 等提 出 种 动 检查表 面 势 垒 层 SB L )
1 一
[
自 。 i 了 自 (
芯 片 随机纹 理表 面 中 徽小 针孔 缺 陷 的 全局 方法 , 通 过 基 于 离 散 余 弦 变 换 DCT 的 图 像 恢 复
( )
种 对测 试 图 像和 模板 图 像之 间 的 未对准不 敏感 的 技术 将 多 个测 试 图 像 的 集 合用 作输入
一
S
f 』
。 i ,
个步 骤确 定 晶 圆 缺 陷所属 集群 [
23 ]
。 Ch i en J C 利 用 深度 学 习 卷积神经 网 络 来识别 和 分类
中
进行提取 [
2 6]
来获取 晶 圆 重复子结构标准 图 。 电子科技大学马 磊 f
2 7]
在 晶 圆 检测 缺 陷 图 中 ,
利
并基于 Y O L O v3 深度 学 习 网 絡 来检测 缺 陷 浙 江 大 学邡 鑫利 用 扫 描 电 子 显微 镜 (
S EM)
“
基于卷积神经 网 絡并 采用
”
图像 种新的 Z F N et 网 络进行分类 2 9]
南 京大学谢飞设计
一
[
, 。
1 . 3 本文 主要研 究 工 作
1 . 3 . 1
本文主 要研 究 内
容
7
浙江大 学硕 士 学位论文
中 存 在缺 陷 对 我 国 半 导体行 业 生 产有 着 十 分 重 要 的 意 义 。 本 文针 对 图 案化 晶 圆 , 在基于散
第 1
章介绍 了 图 案化 晶 圆 缺 陷 检测 课题 背景 , 对 缺 陷 检 测 技 术 和 发展路 线 进 行 分 类和
R i ce
矢 量 散射理论分析 图 案化 晶 圆 表 面 散射场并探讨 了 入射 角 和 细 微线 段 矢 量 不 同 宽度 、 长度
、
深度 、 方 位 角 对 散射场 的 影 响
。
( M P WD S ) 。 分别 介绍 了 基于 点 扫描 的 暗 场成像装置 , 对 点 扫 描路 径扫 描路 线 进 行规 划 并
的 速度 根据 图 像标准 图 , 并利 用 标准 图 通过 差 分双 阐 值 分 割 得 到 缺 陷 连 通域进 行 后 续特 征
提取
。
8
1 绪论
解释并校正
。
不足 , 对未来 后续 改进 方案提供设 想
。
1 . 3 2 .
本文主 要创 新 点
本文 主 要创新 点有
:
( 1 ) 创 新地将 图 案化 晶 圆 表 面 蚀刻 图 案抽 象成 不 同 细 微线 段 矢量 的 叠 加 , 通过研 究
单
一
分析探讨 了 不 同 长度 、
宽度 、 角度 、 深度 的 细 微线 段 矢 量 存 在 情况 下 晶 圆 表 面 的 散射场分
布 , 为 后续 系 统设计提供 了 理论基础
。
率
。
1 . 4 本章小 结
究 内 容 、 创 新 点 和 各章 节 安排 进行 了 简 要说 明
。
9
浙江大 学硕 士 学位论文
2 图案化 晶 圆 缺 陷成 因 与 表 面散射场 分析
2 . 1 图 案化 晶 圆 缺 陷 成 因 分析
晶 圆 Wafe (
r
) 的生产 由 二 氧化硅经提炼还原 成 冶炼 级 的 硅 通过化学 物理等反应 制 成棒
,
2 . 1 . 1 半导体芯 片制 作流程
2 . 1 了 ,
:
薄 膜处理 (
Th n f
i m pro ces s )
i l :
使用 物 理 或 化 学 手 段 进 行 气 相 沉 积 薄 膜 上 的 晶 体 ,
主要
。
( (
,
通过 化 学 反应 生 产 高 性 能 、 高 质量 固 体材料 , 如制备半导体薄膜 [
32
]
; 物理气相 沉积为 通过
物理变化 ( 蒸发 、 溅射 等 机 制 ) 的 各种 真 空 沉积 方法 , 可用 来制 造 薄膜或涂层 , 例 如 半导
化 学机械 研磨 (
C MP ) :
用 化 学 腐蚀和机械力 对加 工过程 中 的 硅 晶 圆 或 其 他 衬 底 材料 进
。 ,
级的表面粗糙度 [
34]
。
光刻 P h o t o l i t h o g r ap h y ) 光刻 又 称 光 学 光 刻 或 UV 光 刻 是 种用 于微细加 工 的 工
一
: ,
( ,
艺 , 在 薄膜或基 片 也称 为 晶 圆 片 上绘制 图 案 ( )
。 它 利 用 光将几何 图 案从光掩膜转移 到基片
上 的 光敏化学光刻肢上 。 然后 ,
一
以 所 需 图 案 沉积 在 光 阻剂 下 面 的 材料 上
35
[ ]
。
目
[
i :
(
前有 两 种 成 熟 蚀 刻 技术分别 为 干蚀 刻 (
dry e t c hing) 和湿蚀刻 (
w e t et chin g ) 。 干蚀 刻 将特 定 气
迗 到 去 除 膜层 的 效果 ; 湿蚀 刻 是 一
种 材料 去 除 工 艺 , 它 使用 液体 化 学 药 品 或蚀 刻 剂 从 晶 圆
上去 除 材料 , 即 不 受掩模保护 的 材 料 会被液 态 化 学 物 质 蚀 刻 掉
。
1
0
2 图案化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面散射场分析
离 子注入 :
在低温条件下 , 通过加速 一
个元 素 的 离 子进入 固 体 目 标 , 从而 改变 目 标性
质 , 离 子 注入 常 被用 于半导体器件制 造 和 金属 加 工 , 以 及材料科 学研 究
。
氧化 :
减少 离 子注入 阶段可 能 发 生 的损坏
。
金属 化 主 要执行金属 的连接
3 8 ]
[
:
。
洁净生产 空 间
'
<
晶 圆 i 薄 膜 加 工 化 学 机 械 研 磨
^
TFP
C MP ( )
\ ]
(
)
光 掩 膜
?
光 刻 蚀 刻
「
^
1
1
r I £ £
i又 计
L ( Me t
金 属 化 离 子 注 入 氧 化 与
a l l i zat i on )
热处理
t
J ( b o nd in
软  ̄
g
测
)
_ _
J _ _
J
一
、
& 测试 T 1
图 2 . 1
半导体芯 片制 作流程 图
率的线索
。
2 . 1 . 2 光刻 工艺 流程
在 2 . 1 . 】
节介绍 的半导体芯片工 艺流程 中 , 光 刻 是其 中 十分 重 要 的核心工 艺 。 如图 2 2
.
所示 , 光刻 流程可分为 以 下步 骤
:
1 .
增 强黏附性 释放光刻 胶膜 应 力 以 防 止 光 刻 胶 污 染设 备
39
内
[ ]
、
。
2 .
曝光 。 即对光刻 胶进行光照 [
3 9]
。 掩模版的 衍射光 通 过 透镜 投 射于 光 刻 胶上 , 由 于 照射
1
1
浙 江 大 学硕 士 学 位论 文
, , ,
着力
。
3 .
形完整的转移到衬底上
。
—
?
I
衬底清洗 ^  ̄
y
表面处 光刻胶旋涂 对准与
0
^ ==
¥r= 1^
先
去胶 ^
形检测 >
m\
"
^
离 子?主 入 命
|
—  ̄
1 f
—
金属
— ■
图
1 1 nr t
形
V V v v 转
去胶 ( 干法 、 湿法 )
f
r 栘
[
f
l
图 2 2 .
光刻流程示意 图
2 . 1 . 3 晶 圆 缺陷成
因
理过程 中 留 下预想外的结构 , 并 可 能 因 此导 致 晶 圆 上 芯 片 电路 工作 性 能 降 低甚 至 无 法工 作
,
这类预想外结构称为 晶 圆缺陷
。
由 2 . 1 . 1
、 2 . 1 . 2 节可知 , 半导体芯 片 制 作流程工艺 步 骤 多 , 每个工艺精准复杂 , 都有
也随之增加 , 其 中 主要原 因 有
:
1 .
光学邻近效应 (
OP E )
。 由 于 目 前芯 片制 程发达 芯 片 上 图 案线 宽远小 于 光源 , 中 心 波长
,
1
2
2 图 案化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面散射 场分析
掩 膜 t 刻 肢
拐 角 圆 滑化
^
"
"  ̄
…
厂 了
)
曝 光
^
?
 ̄
" " "
_ _ _
」 I
!
窄线段端点收缩
图 2 3
.
典型 光 学 临近效应 示 意 图
致 的 缺 陷 如 表 面冗余物 机械划 痕缺 陷 等
, ,
。 表 面 冗余物通 常 为 几十纳 米 的 细微颗粒
,
蚀刻 、 抛 光 等 工 序 引 入或 因 空 气 纯 净 度 未达标导致冗余物黏 附 于 晶 圆 上 , 通常 由 工序
问 题或环境未达标 等 因 素 带 来 。 如图 2 4
.
所示 , 冗余物 导 致 图 案 不 完 整 , 进而可 能影
磨 (
C MP ) 产 生 。 缺 陷 会导致 电路连 通 性 受 损 , 造成短路或开路
。
*
■
^
"
'
a :
图 2 4 .
高倍 显微镜 下 晶 圆 表 面 的 冗余物
2 . 1 . 4 晶 圆缺 陷分类
1
3
浙 江大 学 硕 士 学 位论 文
同 分类 方式
。
,
:
1 .
没有 具体 的 聚类现 象 , 如图 2 5 .
所示 。 这种 类 型缺 陷 的 原 因 是复杂 的 , 并不是 固 定在
以 减少 由 这种 异 常 缺 陷 导 致 的 未合格 产 品 数 目
。
2 .
这种 类 型 的缺 陷 具有 明 显 的 聚类现象 。 导致这类缺 陷 的 原 因 通 常 可 以 通过 晶 圆 上缺 陷
艺过程 中 蚀刻 过度 等
。
3 .
组 合缺 陷 。 这种 缺 陷 因 晶 圆 片而 异 , 也是半导体制 造 中 最 常见 的 企业 宣布 。 组 合缺 陷
是随机缺 陷和 系 统缺 陷 的组合 , 如图 2 5
.
中 (
d) 所示 。 在这种类型 的缺 陷 中 , 消除随机
____
(
a )
ra n d o m defe c t ( b ) r ep e a t a b l e defe c t ( c ) sy s t e m a t i c defe c t ( d
图 2 . 5 晶 圆 缺陷示意 图
)
c o m b i n a t i o n a l de fe c
t
如图 2 6 .
, 依据缺 陷 表征 与 特性作 为 分类标准 , 又可将 晶 圆 缺 陷 分类 为 以 下 三种
:
1 .
形貌 (
T o p o gr a p h y ) 缺 陷 。 常 见形貌缺 陷 有 微小 粗糙 面 、 凹 坑 。 通常是在抛光或光刻 工程
中 ,
工 人或机械操作不 当 带来的缺陷
。
2 .
污染物 (
C o n t am i n at o n )
i 。 常见 污 染物如 颗 粒 通 常 由 环 境 , 中 脏污如 灰尘污染晶 圆 所致
。
(
t a l
)
[
。 由 晶 , 中
1
4
2 图案 化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面 散 射场 分析
O rga n i
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M ic ro r o u
gh n es s P a rt i c l e
] aver
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t a m in a ti on
?
图 2 6 .
晶 圆 缺 陷特性示意 图
1 .
全局 缺陷 。 分布于 晶 圆 各处的缺陷 , 通常 由 随机因 素造成 , 例如无尘 室 中 的颗粒等随
程 中 要尽量避 免此类缺 陷
。
2 .
。 了
的 团 簇 可 能是划 痕造成 的
。
2 2 .
晶 圆 表 面 成 像分析 与 散射场仿 真 实验
如图 2 7 .
所示 , 图案化晶 圆表面蚀刻 电路图案 , 当 入射照射 时 , 存在 反射光 和 不 同 方
度等 因 素
。
通过反射光和散射光 得到 晶 圆 表面 的 形貌信息
。
1
5
浙江大 学硕 士 学位论文
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^
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P l a n e
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? 7
W a fe r
图 2 7
.
晶 圆 表 面 成 像分析 示 意 图
2 2 . . 1 基于 B RD F 的散射场分析
B RD F B d
(
i i r ec ti ona l r e l
f e c t a n c ed i s t r
i b ut i o n fu n c t o n i
) 也称双 向 反射 率 分 布 函 数 , 是 四
个
。 其 中
在图 2 8 .
中 ,
Z 轴为 X Y -
沒
,
入射至 晶 圆 样 品 表面 , 照射 面积大小 为 心 。 辐照度指单位面积接收的辐通量 , 常用 来表
征光照 , 据此 可求得入射光辐照度如 下式
:
<
D =
立 (
2 . 1
)
dA
1
,
面反射或散射的光的辐亮度 I
,
.
, 计算公式如 下
:
L
s
= — 色
—
dA -
d co -
cos 0
s s s
22
(
)
其 中 私 叫 , ,
( / <
^ ,
£
^ 均 为 徽小 量
。
1
6
2 图案化晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面 散射场分析
达式 为
:
4 (
〇
AA )
dP
J (
dA
s
?
d co s
?
cos 0 ) dP
B RDF
, _
S s
=
3
) P / dA
t f
?
cf
q
?
co s
0
算 B RD F 值来表征其强度
。
p
? 、
、
fZ
x
图 2 . 8B RD F 坐标示意 图
, ,
,
矢量散射理论使用 场景
4
满足
8
R ay l ei
gh
-
R i ce
[ ]
。
R ay l ei gh
-
据 R ay l e i
g
h -
R i ce 理论 ,
BRDF 函 数与 P S D( 功率谱密度函数 ) 相关 , 其 中 P SD 表征的是
达式如下
:
2
, 2 ,I
^ +)
fy
pSD { f
( )
=
z x y)e dx dy 2 4)
f)
 ̄
x , { , (
}
J|
1
7
浙江大 学硕 士学位论文
其 中 ,
又 和 / v
可 由 光栅方程推导 , 即
:
人
=
々(s n cos n
2 5
-
i
《 表 s i
g ) (
.
)
fy
=
A :
(
s in
^
-
s i n ^ s ) (
2 6)
.
结 合光栅衍射公式 与 B RD F 定义式 , 可得
:
B R DF
=
f
=
k co s O
l
C〇 s d^ Q PSD f
-
( x , fy ) (
2 7
.
)
其 中 ,
0 为 偏振分类散射 因 子 ,
/; 、
/y 表 示 x qy 平面上空 间 频 率 。 PSD 为 功率谱密度
函数
。
射光角 度 、 散射光 方位 角 ;
2 ) 光学 因 素 。 包括入射光 波长 、 偏 振 等特性 ;
3 ) 元件表面
。
2 2 2
.
.
基于 B RD F 的 晶 圆 图 案散射场仿 真
由 2 2 . . 1
节可知 , 图案化 晶 圆表面结构精密 , 图 案复杂 , 可将 图 案看作众 多 细 微线段
。 2 9
.
,
,
/ ^z j
儿 T
J
W i 1
(
a) 细 微 线 段 矢 量 示 意 图 (
b) 细微线段矢量俯视 图
图 2 9 . 细微线段矢量 表示示 意 图
P SD f
2n x
f ^ dxd
^ ff
[
f)
=
2 x y e y (
2 8
.
)
x ,
4 J { )
,
{ ,
并且 由 函数的定义可知 ,
P 5D 函 数是 中 心对称 的 , 即
:
1
8
2 图 案化 晶 圆 缺陷 成 因 与 表面 散射场分析
PSD ( f J ^
PSD f fy 2 9
-
-
) ( ) (
)
x y x
因 此在实验 中 只 需计算
一
[
0 ,
4] , 采样 间 隔为 0 02_
;
/ 范 围为
>
,
[
-
2 ,
2
]
, 采样 间 隔 为 0 02_
。
图 2 . 1 0 是对实验结 果 中 B RD F 展示 图
一
个表示示意 。 图 中 彩色 区 域对应 的 B RD F
指
, 中 ,
。 ,
的散射天顶角 必 标注 出
° °
的 距 离 0P 代 表 | |
了 点 P , 其 中 图 中 已 3
=
1 0 ,
0
=
3 0 ,
怂
=
60
,
0
=
90
。
的点 的集合 。 在该 图 中 , 点 尸 代表 了0 =
75 .
6
。
,
武
=
45
。
的散射方 向 的 B RD F 值
。
r
麵
I
—
\
 ̄
x :;r
-
y
-
-
i
| og (
BR D F
) ^ 3 2 ^〇t 2
图 2 . 1 0 B RDF 表示示意 图
】 . 细微线段矢 量方 向 与 B RD F 的关系
,
^/
=
1 5 0 狀2 ,
Z^ l O /^ w 。 如图 2 . 1 1
所示 , 线 段 与 水平线夹 角 为 a , 散射场 B RD F 值最为集 中 的地方为
1
9
浙 江大 学 硕 士 学 位 论 文
° 。 °
a
c
a
°
a= 0
=
3 0
=
45 a= 60
a=90
B RD F
,
,
?
, ,
,
1
l og <
>
3 h s S [D
一
;
0J 3 t
f
-
B KD F
)
^
^ ^ 0±
I
;
_
. …
n 臻 、
1
£
图 2 . 1 1 不 同 角 度细 微线 段矢量 与 B RD F 关系示意图
2 .
细微线段矢量宽度 w 与 B RD F 的关系
入射光天顶角 细 微线段矢 量 深度
°
本实验 中 ,
3
= 45 ,
3= 1 5 0 ^? , 长度 /^ 1 0 /^
,
°
如图 2 . 1 2 所示 ,
细微线段 矢量 与 水平方 向 夹 角 《=9 0 , 对于不 同 宽度 的细黴线段矢量
,
=
u
w
’
04
?
二
0 2 i W u =
/
/ w m 二
0 6 " w w 二 0 8//w
l / /
/
.
/
.
mmmmr
-
a i
i
B R DF ( 对数 表示 )
20
2 图 案化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面散射场 分析
3 .
入射 光 天 顶 角 0 与 B RD F 的关系
细微
°
本实验 中 ,
细微线 段 矢量 与 水平 线夹 角 a = 45 ,
细 微线段矢量 深度 d= 1 5 0 wn ,
线段 宽度 w
=
0 2 // m.
, 长度 如图 2 . 1 3 所示 , 散射场分布趋势大致相 同 ,
B RD F
高值点集 中 与 镜面 反射 点 ( 指 代反射光 方 向 ) ,
且伸 展方 向 与 细微线段矢量走 向 垂直 。
可
〇 。
。
6
?
:
=
3 0 6 ?
;
二
4 5 ( 9
,
=
60
z i L e
」
i o
g (
B RD F
)
g^
? Wf
I
;
I
BRDF ( 对数表示 ) 丨
I 1
f
, 蠓
图 2 .
1 3 不 同 入射光天顶角 B RD F 分布示 意 图
4 .
细 微线 段 矢 量 深度 d 与 B RD F 的关系
宽度 w
=
0 2 /^ w
.
, 长度 L
=
1 0 // w 。 如图 2 . 1 4 所不 , 散射场幅 度发 生 变 化 , 分布不变 , 并且
集 中 于 镜 面 反射 点 ( 指代反射光方 向 ) 。 由 式 (
2 4) .
和 式错误 未找到 引 用 源
! 。 可知 , 如果仅
度会发生变化 , 但分布不 变
。
2
1
浙江大 学 硕 士 学 位论文
d
—
3 0/7 w ; d
—
5 0 n rn d 3 0 0 w m d
= 5 0 0 nm
l o g ( B RD F
)
E3 B0 S
j
■ : :
r % , , : '
图 2 . 1 4 不 同 深度细微线段矢 量 B RD F 分布示意 图
5 .
散射 体 边长 Z 与 B RD F 的关系
。
细微
°
本实验 中 ,
细 徵线 段 矢 量 与 水 平 线 夹 角 《 = 4 5 ,
细微线段矢量深度 d= 1 5 0 wn ,
线段宽度 w =
0 2 // w. 。 如图 2 . 1 5 所示 , 随着 L 的增大 ,
B RD F 高 值 点 愈加 集 中 , 整体分布
不变
。
I 5 jj m I 1 0 / / m L 1 5 /
/ w
/2 0 / / w I .
^
3 0 /
/
w
oe B RDF
f
i
l
(
s s S S N
:
j
OB ^
-
HKDH
)
? 參
"
_ ^
/ r
:
T j
:
图 2 . 1 5 不 同 散 射体边长 B RD F 分布示 意 图
通过本节仿真过程可 以看 出 ,
细 微线 段 矢 量 的 宽 度 w , 深度 c / , 长度 i ,
入射天 顶 角
6 >
,
, 以及与 水平方 向 夹角 a 都 会影 响 散射 场分布 。 散射场集 中 于 镜 面反射 点 ( 指代反射光
即 为 明 场照 明成像原理
。
22
2 图 案化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面散射场分析
在不 同 的 搜集孔径 下响 应 差 别 很大 , 因 此在 晶 圆 检测 系 统 中 可 以 找 到 合适 的 散射角 , 增强
图 案化 晶 圆 上缺 陷 的 响 应 而 降低 图 案 ( 蚀 刻 电路 ) 的响应 , 从 而增 强 缺 陷 图 像 中 缺陷对 比
度 , 通过 这 种 方 式 搭建 的 光路 即 为 暗 场 照 明 成 像 光路
。
2 3
.
本章 小结
据不 同 的 标 准对 缺 陷 进 行分类 。 其次 通过 将 图 案化 晶 圆 表 面 抽 象 为 细 微线 段 矢 量 , 通过双
态 下 时对表面散射场 的 影响
。
23
浙江 大 学 硕 士 学 位论 文
3 基于 明 暗场 多 扫 描 方式 图案化 晶 圆 成像研 究
根据 第 2 章 对 图 案化 晶 圆 表面散射场分析 , 可 以依据散射场分布 , 通过 明 场和 暗场 两
De t ector D !
ete ctor
Co l l ec ti on
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/ / /
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為
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一 _ _
_ _
_
S a mp le S a mp le
(
a )B ri
g ht f e d
-
i l
(
b ) D a rk i
feld
-
图 3 .
1
方 向 性照明示意 图
明场照明如 图 3 . 1
(
a) 所示 , 通过提供均 句 明 亮 的 光场 , 使 图 像传 感 器 收集 反射光 ,
这
源 后 安装 漫反射板 以 提供 明 亮 均 匀 的照 明 。 暗场照 明 如 图 3 . 1
(
b) 所示 , 镜头主要搜集被测
定方 向 性 的划 痕缺 陷 位于特定角 度的散射光能得到缺陷对 比度 高 的 图 像
一
,
。
24
3 基于 明 暗场 多 扫 描方 式 图 案化 晶 圆 成 像研 究
—
D e te c to r
D e tec to r
小 小 小 小 a /n a /n
p
(
a
) 平 板 漫 射 (
b) 同 轴光漫射
D etec
D e te cto r t or
v
'
W
W ;\ W\ 7\ \ \ \ \ s\ n
l
'
、
;\ .
S a mp l e S a mp le
(
c
) 半 球 形 照 明 (
d) 漫反射半球
图 3 . 2 部分明场照 明形式示意 图
3 . 1 基于 点 扫 描 的 暗场成 像技术
3 . 1 . 1 点 扫 描 暗场成像装置 系 统设计
为 光 源 斜入射至 图 案 化 晶 圆 样 品 表 面 激光 发 出 的光 会在 晶 圆 表 面形成 个 明 亮 的光 斑
一
。
,
晶 圆 表面
。
25
浙江大学硕 士 学 位论文
^
?
7 L a s e r
PMT
—
Co l l i ma t i ng
A
‘
^l R o
"  ̄
一
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i
7 t at i
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「
g
-
t
v
-
J .
X st a ge
v
P
_
Y s ta
ge
f
图 3 . 3 点扫 描 暗场成像装置示 意 图
, ,
收集器采集点 共轭 。 由 2 2 2
. .
节可知 , 散射光在 空 间 中 均有 分布 , 因 此采用 收集器使得
一
散射光强度太低而漏检
。
( l t i
p l i er t ube s ) 。
(
v a c u um
。 ,
1 0 1 ( ,
26
3 基于 明 暗场 多 扫 描 方式 图案化 晶 圆 成 像研 究
F o c u s i ng
e l e c t ro d e F i na ld yno d e
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i
^ e l e c tr o n s
'
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,
、
'
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乂
An o d e
P hoto E l e c t r o nm u l t i
p l i er
c athod e ( d y no d o s
)
图 3 . 4 光 电倍增 管 (
PM T ) 结 构示意简 图
在点扫描暗场成像装置 中 选择光 电 倍增 管 作为 图 像传 感 器的 原 因 是
:
1 .
响应 时 间 短 。 为提高吞吐量 , 点 扫 描暗场装置 中 自 旋平 台角 速度大 , 这就 要求在检测
足装置实 时性要求
。
2 .
灵敏度 高 。 在 点 扫描 暗场装置 中 , 由 于探测器 收集 的是散射光 , 通 常光强极其微弱
,
陷散射光信号做 出 响 应 , 并 能 以 合适 的增 益 最终获得较好 的 缺 陷 图 像
。
3 . 1 . 2 点 扫 描路径 规 划 与 图 像构 成
路径使得扫描尽可 能 高效 。 如图 3 . 5 所示 点 扫 描 暗 场 成 像装 置 使用 螺 旋 线 扫 描轨迹 , 其 中 用
蓝色 圆 圈 代表光斑覆盖范 围 , 传动 装置 由 旋转工作 台 (
r o t at i o ns t a
ge) 和 水平安装在移动导轨上
由 于 在扫描过程 中 ,
P MT 在 每个扫 描 点 以 电压值 作 为 信 号 响 应 , 因 此扫描完成后探测器得到
, 。
27
浙江大 学硕士 学位论文
M ovem e n
t
^
d i rec ti on
.
/f r w ^ n
.
二
零
.
F
:
'
:
J .
: :
^
1 — —
图 3 . 5 扫 描轨迹示意 图
的坐标 O^ P OX
' '
CP )
:
^ ^
^ m ^i m
j
r co s r o l vr !
-
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)
1
31
(
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P s i n ? r c o s co t v t v t c o s (?r
)
卢'
:
、
— —
—
W
)
=
v
-
(f
/
7
图 3 . 6t 时刻 扫描轨迹坐 标示 意 图
,
。
但 一
个 能 描述缺 陷 形 态 特征和 位置 分布 的
暗场 图像 。 由 式 (3 . 1
) 可得到 时刻 图案化 晶 圆 表面扫描点 f ( 激光照 明 点 ) 在 以 晶 圆 圆心为
圆 上 实 际 扫 描 点 的 坐 标 映射 。 设采样序 列
一
共有 # 个 点 , 分别 为 及乂 . .
设 P MT 采样频
率为 / , 则 在 时刻 f , 有
:
,
= -
(
3 2 .
)
/
从而 建立光强序 列 忍 到 表面坐标系 (
;c
, >〇 再到 图像坐标系 (
r ,
c) 的转换 。 具体转换运算 如 下
:
 ̄  ̄
°
0
I ^ r c
y n = 0 2 V 3 3
- -
. l . . i l .
)
.
n ( n ,
n 3 , , 3 (
\
,
K
其 中 a c ,
。
表示 图像原 点 坐标 , 为 保 证 图 像 坐 标均 为 正 值 , 可将其设 为 零值 。 表示
, 了 ,
自 ,
:
K
= —
(
3 . 4)
CO
则 对应 重构 点 的 灰度值有
:
Gray ( r
^
c = -
-
I 3 5)
,
) M (
.
其 中 为 PMT 采样 电压值上限 ,
& 为 像 素 最大值 , 如 8 位 图 像 /M 的 值 为 255
。
3 . 5 , , ,
/ , 自 《 ,
?
29
浙江大 学 硕 士 学 位论 文
线的第 /
圈 , 有 /
=
设 % 为 校 正 后 第 圈 的 采 样 点 数 有 巧 丄 f
,
: = _
AT 其 中 尺 表示扫描
I n K
,
'
到 最外 圈 的扫描序号 ,
# 表示 能够均句 采样最外 圈 的采样点 数 ,
T V 计算公式如下
:
2 /r r co r
N
=
a
 ̄ —
=
a
(
3 . 6
)
K v
采样的 同 时 , 不会造成大量算力 浪费 。 当 图 像上
一
个像 素 点 对应 多 个采 样点时 , 采取平均
3 . 1 .
3 点扫 描暗场装置 时 间 效率分析
图 案化 晶 圆 是 由 重 复 子结构单元 晶元 ( D i e ) 所构 成 , 每块 晶 元 通 常 呈 矩形 , 因 此以矩
形 区 域为 例 分析 点 扫 描暗场技术扫 描 图 案化 晶 圆 时间 效率 。 如图 3 . 7 所示 , 矩形 区域长度
示 , 则 螺旋线极坐标表示方程为
:
(
3 _ 7)
如图 3 . 7
(
b) 表示 , 在极坐标 系 下 , 遍历所需 时间 4 即 为 沿极轴 方 向 平移到 边缘所需 花
费的时间
:
2
2
^a + b
3 _ 8
(
)
S L Z L
(
a)
a
笛 卡 尔 坐 标 系 下 轨 迹
I
(
b) 极坐标系 下轨迹
y
ja
2
+ b
"
图 3 .
7 点扫描轨迹示意 图
3 0
3 基于 明 暗场 多 扫 描方式 图案化 晶 圆 成像研 究
斑直径 为 ^/
, 传动 机构 水平移动 速度 为 v , 则 S 形扫描 晶 元矩形 区域所耗费 时 间 为
:
a b b
^
t
,
=
-
? -
+
-
(
3 . 9
)
v a v
b
a
图 3 . 8 直线 S 型扫 描 晶 元轨迹示 意 图
若 比较两种扫描方式 时 间 效率 , 只 需 将其做差 , 如式 (
3 . 1 0)
:
 ̄
2
編 綱
4 +
」
义
( ) (
叫 十 " 2
(
3 . 1 〇)
2 v ( a b + bd +
\l a + b
)
由 于光斑采样 区 域直径 d 远小 于 晶 元 宽 度 , 因 此有 A ( < 0 , 即 ^ < 6
。 也就 是说 ,
当
略所需 时 间 更短 , 效率更高 , 符合 3 . 1 . 1
所示装置设计
。
3 . 2 基于线扫描 的 明 暗场成像技术
3 . 2 . 1
线扫描相机成 像模 型
品 获得 图像 其 图像是 由 帧 帧的像素构成
一 一
,
。
3
1
浙江大 学硕 士 学位论文
L nei
-
sc an T li ei m a
g
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\ C a m e ra com
p o s e do f
S c an
l i n e fr a m e s
X
图 3 . 9 线扫描相机工作示意 图
响 应 以 及 数模信 号 转 换 等 功 能 ;
2 .
固 定用 机械机构 。 用 来 固 定线 扫描 相 机位姿 ;
3 .
视觉控
控制 样 品 及装置的运动
。
这种情况下 , 可 以通过运动矢量 〖
/=
( \ & 圪, , ) 来描述匀 速线 性运动 , 如图 3 . 1 0 所示 ,
向
F 可 以用 来描述运动矢量
。
3
2
3 基于 明 暗场 多 扫 描 方式 图 案 化 晶 圆 成 像研 究
L ne ar
i i m a g e s e ns o r /
寶
s
n
.
图 3 . 1 0 线 扫 描相 机模 型示 意 图
图 3 . 1 1
为 线扫描 相 机拍 摄模型 示 意 图 。 如 图所示 , 相 机坐标系 原 点 位于投影 中 心
,
轴与 由 1 轴 和 传 感 器构 成 的 平 面所 垂直 并设定方 向 使运动 矢 量 ,
F 为 正数 通过上述设定
。
,
当 被测物体静止 , 相机移动 时 ,
又 轴 指 向 运动方 向 ;
当 相机静止 , 被测 物体运动 时 ,
义
轴
响 后续分析
。
,
。
,
换关系
。
33
浙江大 学 硕 士 学 位论文
-
C a m e r ac o o r d i n a t es
ys t e m
, /K (
+
wv ,
:
r
)
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j
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c o o rd i n a t es
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I m a g ep l a n e \
c o ord i n a t esvs t e m
\
( '
-
,
,
〇
?
图 3 .
1 1
线扫描相 机拍摄 图 像示 意 图
确 定 相 机 坐 标 系 到 图 像 坐 标 系 的 参 数 称 为 线 扫 描 相 机 内 参 , 记 为
其 中 为 比例 因 子 , 描述 了 线扫描相机坐标系 到 图像坐标系
相机坐标系 的坐标为 (
W ,
l
〇 , 考虑镜头畸变后 的坐标为 (
W j ) , 并求 解 非 线性 方程组
:
Xdu x tv
—
c
x
ld v
=
v
-
yc t 3 . 1 1
(
)
y
Af
=
z
-
t v
c
:
通过式 (
3 . 1 1
)
得到 2 ,
w 和 / 。 并根据式 (
3 . 1 2
)
得到 图 像坐标系 坐标
:
(
t \
(
A
=
u (
3 . 1 2
)
—
+ c
x
U
J
34
3 基于 明 暗场多 扫 描方式 图案化 晶 圆 成像研究
映射 , 从而构建 出 线扫描 图像
。
3 . 2 2 .
图 3 .
1 2 展示 了 线扫描明 暗场成像装置 , 系 统 由 四 个部分构 成 , 分别 为 照 明 系 统 ,
运
缺 陷 的 定位和 特征提取
。
L ne S c an
i
-
CCD
 ̄
LED
n I
1
L ne S c an
i
-
Co l l i m a tin g
丨
^
L en s e s ,
^ I m a g i ng L e ns
c 〇 nvey 〇 r
二 丄二
'
 ̄
^
( V V V V ( ( ( V \ W (
a fe r
o n
S mp a
e
Mo v
l
< i ngd ir e c t i
1 .
线 扫 描传 感器 当 前水平分辨 率 最高 可达 1 6 3 84 像素 , 且垂直方 向 不受 限制 , 与 面 阵相
机 比 具有 更高 的横 向 分辨率
。
2 .
工 作环境 当 中 , 也 能进行动态测量
。
3 .
传输效率高 。 具备 高速 的 数据 传输 效率 和 速度 , 适用 于 高速检测 , 运用 在 晶 圆 检测 生
产线 中 能 提高晶 圆吞吐量
。
3 5
浙江大 学硕 士 学位论文
4 .
结构简单 , 成本较低 。 检测 同 等范 围 区域 内 样 品 所 需 相 机数远小 于 面 阵相 机 , 通常只
。
增 强微弱 缺 陷 的检测 能力
。
S a mp l em o v n
g
i
d i rec t i o n
024 6 3 84) x
p
-
1 l
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1
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Pixels
J
M M M M
I M
I I I I I I I I
I I I I I I I I I I I I I I 1 1 I 1 i 1 1 I I 1 1
I
1 I
I
图 3 . 1 3 线扫描芯片结构示意 图
3 .
1 3 了 。 目 1 63 84
。
, 。
器 以 及放大器放大读 出
。
线 阵 CC D
光电 二 极管
y
__ _ _ _ _ _ _
M 1 1 M M M
J ^
串 行 读 出 寄 存 器 电 荷 转 换 及 放 大
图 3 .
1 4 线阵 CCD 结构示意图
3 6
3 基于 明 暗场 多 扫描方式 图 案化 晶 圆 成 像研 究
如图 3 . 1 2 所示 , 本节 所研 究 装置将线扫描成像装 置 与 明 暗场 成 像结 合 , 空 间 上在机
晶 圆 缺 陷检测 提供 了 信息 数据来源
。
3 2 3
. .
线 扫 描 明 暗场 缺 陷 检测 装置 时 间 效 率 分析
成 像模糊 、 扭 曲 , 无法反映 出 被测 物体 。 线扫 描 相 机 的 行频 受 到 芯 片 所 能 承 受 最 高 时钟 数
的制约
。
设线 阵 相 机扫 描 线 上 的 像 素 数为 丑 £
( 单位 :
pixel ) , 待测样 品 宽幅为 总 ( 单位 : m )
,
样 品 匀 速传动速率为 , 线扫描采样频率 ,
f 表示 每秒扫 描 多 少 线
即 行 频 记 作 G 单 位 /e (
,
)
。
可得到 横 向 的 扫 描 精 度 Pi f 为
:
PH :
今 (
3 . 1 3
)
纵 向 扫描精度 PL 为
:
PL =
J
- ^ (
3 . 1 4)
K T
.
。
其 中 7
;
为扫描
一
帧 图像 目 标物运 行
的时间 , 因 此有 7
;
=
7
;
。
由 横 向 分辨率和纵 向 分辨率相 等 , 即P // = PZ :
, 可得
:
LV
^
V〇 =
3 5)
-
T
1
7
-
(
H
c
通过式 (
3 . 1 5
) , 建立 了 待测样 品 移动 速度 r。 与 行频 匕 之 间 的约束关系 , 设 图案化 晶
圆
,
?
:
t
= ^R JL (
3 . 1 6)
L0 V
C
3
7
浙 江大 学 硕 士 学 位论 文
由 式 (
3 . 1 6) 可知 , 扫描时 间 ? 与 行频 G 成 反 比 , 因 此在适 当 范围 内 提高范 围能 减少 晶 元
3 . 3 基于 面 阵 的 明 暗场成像技术
3 .
3 . 1
面 阵相机成像模型
面 阵相机是 以
一
过相 机拍 摄 最终获得描述 目 标物体信 息 的 二 维像 素 矩 阵 。 和 线扫 描相 机相 比 面 阵相 机拍 摄
如图 3 . 1 5 所示 , 采用 针孔相 机模 型 对 面 阵相 机成 像做 筒 要 说 明 。 图 中 展示 的 为 针孔
相 机成 像 的投影模型 ,
尺 为 待成像物 点
, , 位于世界坐标系 中 ( WC S )
。 通过投影 中 心进
Wo r d
l c o o r di n a t e s
ys t e m (
.
'
' i
.
,
只 v
,
么
、 v ) r
? ^ -
v
"
Ca m e r a c o o rdi na t e s
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(
A ,
, V ,
Z
)
c
f (
图 3 . 1 5 针孔相机成 像模 型
3 8
3 基 于明 暗场 多 扫描方式 图案化 晶 圆成 像 研究
V i r t u a l im a
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c o o r di n a t e s .
, 1 r
Zu
)
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Ca m e r a c o o r di n a t e s y s t e m
( Vc V 2
-
.
, .
r )
r j
图 3 . 1 6 面 阵相机坐标转换示意 图
, .
, ,
从 WC S 到 CCS 的 转 变 是
一
与 相机坐标系 中 点 的 坐标转换关系 如下
:
P C
=
R P, T (
3 . 1 7)
其 中 及 八/ 为 个旋转矩 阵 为 横 向 平移 向 量 旋转矩阵 r 中
一
,
=
/?
(
? , )
, 。
? ,
0 ,
, 分为 为 绕相机坐标轴 x 轴 ,
y 轴 ,
z 轴的角 度 。 具体表达式如下
:
’
、
0 0 0 s 0
cos ? n cos y n y
-
1 i ? s i
/ /
) 〔 〕 「
R (a ,
3 /)
j ,
=
0c o s a
-
s i n a ?
0 0 1
?
s n ^ c o s 尸
i
0 (
3 . 1 8
)
v
〇 s i n o co s a
r
八 —
s i n 00c o s f
八 0 0 \
y
( I ) 。
型 , 投影 为 透视投影 , 表示为
:
3 9
浙江大 学碩 士 学位论文
、
f( X
= 丄 c
(
3 . 1 9)
l
v
J zA y 〇
J
fu
\
( x \ c
=
(
3 20.
)
式 (
3 20.
若考虑畸变 , 导致坐标 (
m v),
发生偏移 , 记作 (
M , b , 对于 多 数镜头 , 该畸 变 可近似 看 作
径 向 畸 变 文献 ( ,
P2 5 9) , 偏移变化如式表示
:
M
'
2 fu
]
=
3 2
 ̄  ̄  ̄ - -
厂
-
-
(
)
2 2
+ 4 k(u + v v
J
-
V
\
^ 1
)
\
A
广
+
c
M
y
s
y
=
(
3 22)
.
c
v y u
+
心
—
s
\ x y
其 中 为 比例 缩放 因 子 。 对 于 针孔相 机模 型 , 缩放 比 例 因 子 表示 图 像传 感 器上水平
标系 ( WC S ) 的尺寸 。 c
x ,
c
y
表示 图 像主 点
。
参数 / ( , &\ \ 4 , , ,
£ :
>
) )
称 为 面 阵相机的 内 参 , 确定 了 相机从三维 空 间 到 二 维 空 间 的投
以 二 维空 间 的 图 像进行表示
。
3 3 2
. .
基 于 面 阵 的 明 暗 场 成像 系 统设计
图 3 . 1 7 展示 了 基 于 面 阵 的 图 案化 晶 圆 案场检测 装置 。 如图 , 该装置可 以 分为 照 明 系
40
3 基于 明 暗场多 扫描方式 图案化 晶 圆 成像研 究
|
C C D
丨
O ^
I
p t c a lz o o m
i
|
m i c r o s c op e
C i rcu l ar LE D )
L i
g h t s o ur c e
- …
暫 十
禮
, -
S c a tt e rin e 一
广
? W a fe r S a mp l e
/ -  ̄  ̄
—
Xs t age
Z
.
R Y
一
st a
ge
-
]
图 3 . 1 7 基于 面 阵 的 图 案化 晶 圆 暗场检测 装置
运动控制 系 统 为 一
。 , 了 ,
获取二维 图 像信 息 , 测 量 图 像直观 。 图 3 . 1 8 为 全 帧 转 移 型 C CD 面 阵 传 感 器 的 基 本 原 理
,
行转 出 图 像信号
。
4
1
浙江大 学硕 士 学 位论文
面 阵 C O)
Xy y y y y
:
p
x y y y y y
x
xy y y y y
X
串 行读 出 寄存器
= 5 { > 电 荷 转 换 及 放 大
位图案化晶 圆 表面 缺 陷 位置并提取其特征
。
C CD CM O S
/
Eyep i ec e
t
I n t e rme d i a t
e
j I ma g
eP l a ne
F i eld D i a
p
hr a
g
m
L i
g
h t
\
"一
+
鲁 4
本
— — — -
|
\ 卜 A pe rt u re S o l
p
L h t S o ur c e
1
g
i
con u a t
e
j g
Ob j
ec t i ve L e ns
Sam
p
l eL i
g
h t Pa t h _
_
_
I
I l l um na i
t i onL i
gh P
t ath
W a fe r S a mp l
e
T
一
-
X s , a
?
e
一
"
I b ]
?
Y st a
g
e
图 3 . 1 9 基于 面 阵的 图 案化晶 圆 明 场检测 系
统
42
3 基于 明 暗场 多 扫 描方式 图 案化 晶 圆 成 像研 究
系 统 被 配 置 为 使 得 光 源 的 图 像 完 全充 满 聚 光 孔 懒 。 通过调整装置位置 , 使得 目 镜 的视场光
阑 ,
CCD 中 的视场 光 阑 , 物平面和 中 间 图 像面位于 共轭平面 内 。 同 样 , 灯丝 , 聚光镜的前
完 成特征提取
。
3 .
3 . 3 面 阵 明 暗场缺 陷检测装 置 时 间 效率 分析
间 效率分析
。
y
f
A i A 2
# # # 4 , 7
^
a
?
y
^
*
D i etob e
d et ec t ed
卜
如图 3 . 20 所示 , 待检 晶 元呈 矩形 。 设面阵 C CD 成像面 大小 为 l x
f Z?
, 晶元 D (
i e
) 大小 为
F -  ̄
(
3 . 23
)
43
浙江 大学 硕 士 学位论 文
, , 。
平 竖直 两 个 方 向 物 防视场 重 叠量 大小 分别 为 ^ 和 /
^
可 计算 出 完 整 无遗 漏扫 描 晶 元所 需 要
的拍 摄成 像次数 # , 如下式所示
:
#
=
(
3 . 24)
a
-
l
j b -
l
y
p
?
^
, ,
。
描晶元所需的总 时 间
T
=
N -
t
0
+ (
N -
l
)
-
t
l
= ■
(
t
.
+ O
-
t
, (
3 . 25)
a
j b
P
-
-
l l
y
由 式 (
3 . 2 5) 可以看出 , 扫描时 间 与 放大倍数 以 及导轨传 动速度有 关 。 成 像系 统放大倍
数越大 , 扫 描 晶 元 所耗 费 总 时 间 越长
。
3 4 .
本章小结
44
4 基于 重 复 子结 构 序列 的缺陷 提取算法
4 基 于 重 复 子结构 序 列 的缺 陷 提取算 法
4 . 1 基于频谱 的 图 像角 度矫正
个
矩形 , 因 此应 保证 重 复 子单元矩形 为 竖直 方 向 , 即长 与 宽和 图 像 的横轴纵轴保持平行
。
。 , ,
子 结 构 边框 与 图 像横纵轴夹角 角 度相 同 。 其算法流程 图 为
:
, 输 入 /
^ j截取感兴 + 将
该 区域 U U 霍 夫 变iU 计 算 直 线 U 对 图 像 进 行
^ +
>
图像 趣 区 域 变 换到 频域 拟合直线 偏折角 度 仿 射 变 换
/
图 4 . 1 基于频谱 的几何基元矫正算法流程 图
4 .
1 . 1
基于频谱 的 晶 圆 偏 转角 度求解
1 .
因 存在 一
。 , ,
如图 4 2 所示 在晶圆原图 中 截取 块矩 形 图 中 使用 黄 色标注 矩形 区 域 的 大小
一
.
, ( ) ,
为
90 0 x 1 600
。
45
浙江大 学硕 士 学位论文
2 .
图 像频
■ ■
域分析
(
a)
。
截 取 感 兴 趣 区 域 示 意 图
如式 (
4 .
图
1
) 所示
4 2 .
,
截取矫正参考感 兴趣 区 域示 意 图
区 域 内 的 直 线 灰度 变换可看 作 是周 期 性的 纹理变 化 时
(
b) 左 图 黄框 区域放大 图
,
A/
n ux
-
1
^ (
\
"
=
) (
4 - 1
)
0 ? =
0
其 中 /(u )
表示截取感 兴趣 区 域 图 像位于 坐标 的 灰度 , F (
W ,
V) 表示截取的感 兴
趣 区域的频谱 。 如图 4 . 3
(
a) 所示 的 为 截 取 的 RO I 在频 谱 上 的 幅 值 图 。 由 图 可知 , 在频
晶 圆 子结 构 矩形 与 竖直 方 向 的夹 角 。 图 4 3
.
(
b
)
通过选取 合适 的 阈 值 , 能够 更加 明 显 的
看 出 幅值 高 的 点 所代表 的频 率具有 共线 性
。
46
4 基于 重 复 子结 构序列 的缺 陷 提 取 算法
(
a) 感 兴 趣 区 域 频 谱 幅 值 图 (
b
)
感 兴趣 区 域频 谱 二 值图
图 4 3 .
角 度矫正截取感 兴趣 区域频谱 图
3 .
复 子结构 区 域的旋转角
。
_ ■
k|H|
i s I R m i
(
a
)
幅 值 图 经 边 缘 提 取 拟 合 的 直 线 图 二 值 图 拟 合 的 直 线 图
图 4 4 .
幅值 图 经几何基元拟合得到 的 共 点 直 线示 意 图
分为 水平和 竖直 方 向 的 两个集 合 , 如式 (
4 2).
所示 , 每
一
个直线 对应
一
个角
度
。
6 =
a ta n( A b ^L
4 2)
-
:
l .
t /
,
, ) (
47
浙江大 学硕 士 学位论文
其 中 勻 和 h 是直 线 的 斜 率 和 截 距/ 。 由 此可 以得到变换的角 度为
:
0V=
Z 〇 0 ^0 4 3)
-
= -
H .
vi hi (
其 中 瓦 表示 ,
直线集合 中 , 直 线 与 水平轴 的 平均夹 角 , 这个角 度可表征重复 子结
构 区 域在 竖直 方 向 的 偏角 , & 表示 Z
A () rf
e ( M ,a ,
直线集合 中 , 直 线 与水平轴 的平均夹角 , 这个
角 度可 表征重 复 子 结 构 区 域在 水平 方 向 的偏角 , 同 时有 孓 + ^ = ¥
。
2
4 . 1 . 2 晶 圆 图 像偏移角 度矫正
图 由 上 步 通过 霍 夫变 换拟 合直 线 得到 两 个 角 度 可得 到 最终 的 变 换角 度
一
。
:
0
R 〇I
= — —
(
4 4)
.
偏转角 度相 同 , 即
:
0ma
ge
=
e
R Ol (
4 . 5)
中 。 ,
到 仿射变 换 旋转矩阵
5 <)
[ ]
:
'
"
c〇s 0 s in
^ 0
-
i ma
g e
M Ho =
cos 0
0 4 6).
m Ro t at e
—e (
0 0
1
I
〇m
_
^ Ho mR o ta te
^
i n (
4 . 7
)
如图 4 . 5 所示 ,
ROI 区 域通过仿射变换 , 图 中 的纹理信 息 已经呈 竖直和水平分布 ,
原
48
4 基于 重 复子结构 序 列 的缺 陷提取算 法
mmi H i
議
一
(
」
a
) 截取的
■
I
RO I 图 像 (
b)
_矫正后 的 ROI 图
像
图 4 5
.
角 度 矫 正 后 RO I 图 像变 化示 意 图
如图 4 6 .
所示 , 通 过矫正 ROI 区域 , 最终能将整幅 图片 的角 度进行矫正 。 由 于选取
RO I 只利用 图像
一
了 时 间 复杂度
。
I i
f i ;
:
I # 1 r
1
(
a
)
晶 圆 明 场 图 像 (
b) 角 度矫正后 图 像
图 4 6 .
角 度矫正 后 晶 圆 图 像示意 图
4 2
.
基于形状 的 重 复子结构 切割
图 中 划分除
一
结构 区 域大小 形状严格相 同 。 2 .
保证算法 的 高效 , 以 满足实 时性
。
中 [ ]
。 ,
过程 中 加入 了 图 像金字 塔进行优 化
。
具 体 的算 法流 程 图 为
:
49
浙江大 学硕 士学位论文
/ 获 取模
—
坐标空 间 L 位姿线性 引 入 图像 U 相 似度
4
记录 匹 配
区 域
|
/ 板 图像 ,
转换 变 换 金 字 塔 衡量
图 4 7
.
4 8
.
(
a) ,
中 ,
构 区域 , 结果如 图 4 8 (b
.
)
中 绿色部分所示
。
3 j
-
1
S 1 …
1
f ^
屬 ^
)
(
a) 待 模 板 匹 配 图 (
b) 匹 配结果
图 4 . 8 基于形状 的模板 匹 配示 意 图
个匹配区
匹 配区域的坐标可切割 出 重 复子结构 区域
。
4 2 . . 1 坐标 空 间 位姿转换
度用 两者的 空 间 向 量 来衡量 。 其 具 体步 骤 是
:
1 .
我们 要将 图 像转换到 向 量 空 间 , 需 计算 每个点对应 的 向 量 。 即
:
腦 (
4 _ 8
)
5
0
4 基于重复子结构序列 的缺陷提取算法
其 中 ,
x 7 ,
表示模板 的 坐标 ,
/〇 , >〇 表 示其 坐标值 。 在模板 图 像 中 求方 向 向 量可 以用
量 。 S obe l
算 子表迖式如 下
:
'
_
0
2
-
1 1 1 1
] 「
So b e l x =
2 0 2 So b e l ^=
00 0 4 9)
-
(
y
1 0 1
」 -
2 -
1
如式 (
4 9)
.
所示 , 分别用 横 向 和纵 向 的 S ob e l 算 子 与 模板 图 像进行卷积 , 即 可 得到 模板
图像的空 间 向 量 孓
。
2 .
将 目 标 图 像从坐标 空 间 转换到 向 量空 间 。 将 目 标对 象 的 每个点 (
r ,
c) 计算
一
个方 向
向
量 。 即
:
e
r
, Kd
(
,
)
=
g(r ,
c) ,
^ (
4 _ 1 〇)
同 样地 , 在图像 中 求方 向 向 量 可 以用 到 S ob e l
算子
。
3 .
分量分离 出 来可进行后续相似度衡量 。 因 此 ,
一
以 及相应 的 变 换后 方 向 向 量 4 来 给 求得 表达式如 下
I
出
'
c/
,
=
(
d )
,
d
:
( a a .
-
.
\
,
,
1 1 1
(
4 . 1 1
)
V
l2
f 1 a 22
J
4 2 2
.
.
基 于模板 相 似 度衡 量 的 区 域 匹 配
) 通过 向 量 空 间 转换衡量 相似度 。 当
该
, 。 ,
1 .
化后的 向 量 点积来表示其相似
度
。
5
1
浙江大 学硕 士 学 位论文
ep + p V
J
U
'
r
^ 1
V +c
'
.
'
+r +c
Y y
r
1
c
1
i
-
,
\ i ,
41 2 、
_ _
f
P,
2 2
” n
, ,
e +M + Wr
V
% %
=
V
= 1
r
.
i
P+ P
i 1
'
'
' '
A r c+c c +c
/
I | |
i i , ,
, ,
其 中 表 示变 换后 的模板 方 向 向量 表示 标 图像 点 的对应方 向 向 量
'
,
式 , e ,
目
。
p+/ )
2 .
引 入图 像金字塔 。 由 于 要 求检测缺 陷精度 高 , 晶 圆 图像通 常很大 。 遍历 完 整幅 图 像很
起 , 进行模板 匹 配 。 每
一
层都设置 一
个匹配阈值 , 当 在该 点 小 于 阈 值 时直接舍弃 , 在识
。 ,
。
可判 定不 匹配 , 跳到 下
一
证明 , 宽度优先搜 索 的 效率 高 于深度优先搜 索 。
(
3
) 对查找 到 的金字 塔高层 匹 配信息 进
。 ,
表 4 . 1 展示 了 图 4 8 .
中 , 匹 配结果的 重心亚像素级坐标 , 偏 转 角 度 以 及 匹 配分值
。
表 4 . 1 匹配区 域参数表
匹 配 编 号 横 坐 标 纵 坐 标 偏 移 角 度 (
ad)
r 匹 配分值
1 3 5 69 . 26 1 5 49 . 0 0 0 0 0 00 2 9 3 2 9 6 0 9 2 2 3 8 6
-
. .
2 3 5 69 . 4 5 7 7 3 7 94 .
-
0 0 0 0 2 3 02 9 3
. 0 . 9 1 1 2 64
3 2986 . 68 1 549 . 4 3 6 0 0 0 02 . 1 04 6 7 0 9 0 3 9 6 6
.
4 2 9 8 6 8 4 7 7 3 7 8 9 0 0 0 0 . . . 1 04 9 6 3 0 9 0 2 4 5 8
.
, ( ) ,
相 同 的缺陷提取策略
。
52
4 基于 重 复子 结构 序列 的缺 陷提取算法
4 2 .
. 3 重 复 子结 构 晶 元 区 域分 离 切 割
心 以 及 区 域 的 矩形 大小 来 进行 重 复 子 区 域切 割 得到 系 列 重 复子结构 图 像序 列 图 4 9
一
, 。 .
展示 了 切割 后的重 复子结构 区域 图像
。
bM p i lfM
-
U Un ,
多
I i
图 4 9 .
切割后晶 圆 重 复 子结 构 区域示意 图
4 3 .
基于统计量 的迭代标准 图 求解
系 列待测 1 C 电路 区域 图 像 , 这些
出 无缺 陷 的 标准 图 , 并将 每幅 图 与 标准 图 进行 比 对求 出 缺陷 区域 。 该步骤的要求是 : 1 .
保
证找 到 的 重 复子 结构 区域标准 图 无任何 随 机 噪声 , 且 与 重 复 子 结构 图 像序 列 大部 分严 格相
同 。 2 .
保证算 法 的 高效 , 以 满足实 时性
。
图 作 为 对 比模板 , 具体 的 算 法流程 图 如 下 图 所示
:
图像序列 预处 理
一
4 . 3 . 1
图 像序列 预处理
4 2 3
. .
,
。
53
浙江 大 学硕 士 学 位论文
同 态 滤 波 结 合频 域和 空 域过 滤 乘性 噪声 , 能 改善 光 照 不 均 的 情况 。 同 时拉伸 缺 陷 与 背
1 .
对数变 换 。 如式 (
4 . 1 3
) 所示 , 将 图 像看 作 是光 照 与 反射 率 的 乘积
。
mix y) ,
=
i
{
x y)?r(x
,
, y) (
4 . 1 3
)
其 中 , m 表示 图 像 ,
/ 表示照 明 ,
r 表 示反射 率 。 通 过 将 图 像从 空 域转 到 频 域应 用 高 通
因 此 可将其表示 成 对数相加 的 形 式 。 如式 (
4 . 1 4) 所示
:
l n ( m (x ^ ) )
,
=
l n( i ( x y ) ) + l n( r ( x j ) )
, , (
4 . 1 4)
2 .
由 空 域转 向 频域 。 对前面进行对数变 换后 的 图 像应用 傅里 叶变 换 , 将其从 空 域转到 频
域 。 如式 (
4 . 1 5
) 所示
:
M (u ,
v )= / (?
,
v
)
+ R ( u v)
,
/ (M ,
v)= ^ (
l n( / ( x ^ )) , (
4 . 1 5
)
其 中 表示傅里叶变 换
。
3 .
接下来 , 对 图 像 在 频 域 使用 高 通 滤 波 器滤 波 使 图 像 背 景 照 明 更加 均 句 , 如 下 式 所示
:
N( u ,
v)
=
H ( u v),
? M ( u v) ,
(
4 . 1 6)
其 中 , 代表高通滤 波器 , i V( ? v ) ,
代表频域滤 波后 的 图 像
。
4 .
将滤波后 的 图像 由 频域转为 空 域 , 如式 (
4 . 1 7) 所示
。
, 释
丨
? (M v) ,
=
(
111
( , 少)) (
4 . 1 7)
5 .
最后 , 利 用 指 数 函 数将 图 像从对数域 中 转 回 原域
。
new lm age ( x y ) ,
=
e xp ( n
(
u v) ) , (
4 . 1 8
)
影 响并拉伸缺 陷对 比度 , 有 利 于 后 续缺 陷 检 出
。
5
4
4 基于 重 复 子结构 序 列 的缺 陷 提取算 法
繼_
图 4 . 1 1
同
■_
态滤波前后 图像对 比
( c )
(
a)
i ll
晶元明
场成像图
感 ;
(
b
)
图
(
a
d
)
晶元 同 态 滤 波效果 图 ;
(
c )
晶
元光照条件不 同 明场成像 图 ;
(
d) 图 c 同 态 滤 波效果 图
态滤波后得到 的 图像 , 如图 4 . 1 2 所示
。
(
r
, . c
2 ) (
r
3
. C
j
) (
r
4
- r
j (
r
?
. c
;
)
N i ma
g
es
图 4 . 1 2 图 像 序 列 沿横 轴排 列 示 意 图
除 更新操作 。 考虑 到 算法高效实 时性 , 采 用 合适 的 数据 结 构 存 储 图 像 序 列 十 分 重 要
。
。 , ,
个链表 。 根据不 同 的 将 沿横 轴 排布 的 图 像序 列 对 应 点 的 像 素 值 用 链表 存 储 , 构成
某 单元进行删 除
一
。
55
浙江大学硕士 学位论文
^
—
1
—
Z (
r . c)
f 2
(
r . c )
f s
{
r _ c)
乂
(
r . c
) fjj ' c
)
1
T V
T
n
J
1
^ I 1
r
]
乂 厂 C)
/ f
' I
c r c)
f
V
'
d /
?
(
^r c)
■
( )
:
.
> . r
? (
)
.
图 4 . 1 3 链式存储 坐标删 除节 点 示 意 图
4 .
3 . 2 横 向 统计量计算
, , ,
。 ,
需将这些异常 点排除
。
0
1 1
0 0
-
-
1 ?
90
”
乜 80
5
70
60
50
,
奇异点
4 0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 1
0
图像卬号
图 4 . 1 4 图 像序 列 中 坐标对应 点 序 列 灰度示 意 图
记随机变 量 x , 有
:
4 . 1 9
(
)
由 式 (
4 . 1 9
)
可知 ,
义 表征标准 图 中 坐标为 (
r ,
c) 的像素 点 的灰度值 ,
/ ;
(
r ,
c
〇 为 第 /
张重
。 ,
/X r ,
c)
量 , 则 可计算 出 横 向 平均值和 方差
:
5 6
4 基于 重 复 子结 构序 列 的缺 陷 提取算法
7(r c )=
Xy r C)
4 2 0)
-
,
: ( 5 (
,
c) 〇 ,
。
i
2 2
cr r c)=
之 r c) 7 (r c 4 2
-
( ,
 ̄
( 乂
( , , )) (
. 1
)
n l
i
其 中 / (
r ,
c) 看作这 n 张 图 在位置 (
r ,
c) 的 方差
。
点 坐 标序 列 中 的 某 点 而言 当 它 从对应 点 链 表 中 剔除时 随 机 变 量 义m 的 标 准 值 和 方 差
一
, ,
也 随之改动
。
记删 除后 的 某
一
图片为 A , 其 中 e{
H U . .
, 记 删 除 A 后 的 样本平 均 值 为 .
,
有
:
万 =
你,
W
-
1
M
:
?
-
1
(
4 22)
-
记删 除 孕 后 的样本方差 为 ¥ (
r ,
c
〇 , 有
:
^
?
〇 〇 ir c ) ,
=
c
)
 ̄
f〇 (
r >
c) f (
4 23)
.
把式 (
4 2 2)
.
带入式 (
4 23 )
.
, 并进 行整理可 得
:
(
4 24)
.
j ^
n n
- -
\
1
\
在计算未删 除 的 方差 时 作 为 中 间 变 量 存储在 电脑 内 存
2
其 中 ,
' (
r ,
c
)
为 各项平 方和 , ,
中 。 换句 话说 , 删 除 图像序 列 中 的 某
一
次运
算操作就可更新 , 而 无 需 遍历 所有 图 像
。
在图像 中 , 也存在 一
, 。
变 , 即
:
5
7
浙江大 学硕 士 学位论文
? /T (
r c),
=
^ (r ,
c) + a f
l e ,
Z (
4 25)
.
正后 的均值为 / 方差为 则有
■
■
r c) 〇】 / c)
:
l (
,
f ,
,
( ,
/a ( ^ c)=
X/ ^ c) + a) =
/ r c) + 4 26)
- -
.
( ( ( , (
n tf n
2 2
2
Z f f r f) Hr + a j)
-
(
- - -
( ) ) (
2
cr
a
=
(
4 27)
.
n
将式 (
4 2
. 1
)
代 入式 (
4 27)
.
可得
:
2a( + a
\a
r, c))
f \ r c) f
-
, ( 2
=
r c) (
4 28)
.
(
n
变 量和修 改值 的大小有关
。
(
r ,
c) , ,
的 相对独立 , 因 此可 以 并行 地对所有 的 坐标 (
r, c
)
进行 统计 量 计 算 。 上述过程通过利 用
GPU 加 速可极大节省 时 间 开销
。
4 . 3 . 3 基 于 统计 量 的 自 适应 迭代 标准 图 求解
, 。 , 同
,
,
并最终获得标准 图 。 其算法流程 图如 下
:
58
4 基于重 复 子结构序 列 的缺陷提取算 法
—
输 入 图像 :
:
^ ^
疋 否 收 敛 ,
’
序 列
、
/
7 X
、
x
>
,
否
,
z
'
'
求 解 各 坐 标 建 立 坐 标 对 应 M — .
第 i个节点是 否
^
逛 坊 进 衣
"
 ̄ 一
横 向统计量 横 向存储链 表 '
声 足 筛 选 条件
是
|
更 新节点 、
更 新统计量
1 .
对于坐标点 (
r ,
C) , 若第 幅 图像 (
中 的 乂
(
r ,
c
) 满足如下条件
:
>3 〇
4 29)
-
f r c) f r c r c)
-
( {
.
i
,
,
) ( , (
|
可认为这幅 图像上的点 (
r ,
c) 位于缺陷 区域 内 或为噪点 , 即该点 为 奇异点 。 此时将该点
式 (
4 2 4)
.
所示
。
2 .
对于坐标点 (
/
% 〇
〇 , 若第 幅图像 z
中 的 / (
r ,
c) 满足如 下条件
:
<
2a r c r c) f r c < 3 a( r c) 4 3 0 )
-
( , ) / ; ( ,
{ , )
, (
.
|
|
可认为 这幅 图 像上 的 点 (
r5 c
)
可能 由 于光照 等 因 素 出 现灰度偏移 。 此 时在节 点链表
中
灰度偏移影响
:
'
f c )= J r + c) r 4 3
\r c)
/ r
7 c
-
. 1
,
, { ,
( ( , ( ,
) ) (
)
a
中 y ; (
r ,
c) f
(
r ^)
。
敛的灰度值 / (
/
% c) 即 为 标准 图 中 坐标为 (
r ,
c) 点 的灰度值 。 在实验 中 , 取 图 像序列 张数 《=7
,
记 为 坐标为 (
r ,
c) 的 点 求标准 图过程 中 的 迭 代 次数 , 有
:
59
浙江大 学 硕 士 学 位论 文
kr ,
c
= —
Y
^
k
r c
(
4 . 3 2
)
WH
'
其 中 妒 表示 图 像 的宽 ,
// 表示 图 像的高 ,
:
^< 为 图 像 的 平 均 迭 代 次数 。 该值越接近 I
,
说 明 迭代次数对时 间 复 杂度 的影响不大
。
H |
1
_
■ l l
_ i
图 像序列 中 帧 通过双 阈 值迭代求得的标准 图
一
(
a)
(
b)
图 4 . 1 6 重 复 子结 构 图 像序 列 中 图 像 与 标准 图 对 比示 意 图
的标准 其 ,
中 图 像序 列 中 图 像所存在 的 随机噪声 已 经去除
。
——4 — ——
—
— ■ ■ ■ ■ ■ ■
1 ■ ■
_
,
. , mm m m . m m m , " ■ ■ _
■
,
_
■ -
明 "
■ ■ ■ ■
■ . . ■ n . > n ? — — m .
^
_ … -
r = ==
_
r
< |
g r
- -
: :
T =
|
^^ ^ * *
" 1 "
T "
^
TT T 上
L
3 S
* 1 1
"* """" "
I
1 '
■ " _
SU S 二 :
1
t ■ * * * * * ' l
1
‘
a
: ? T ?
!
. ^ T i ^ r t j !
f
;
| !
^
j
g
_
i
" r * , * * "
r
*
j
, , *
7?
i ,
^
"
H Bf H 3
— -
cS
f
r 7
.
.
j
^
1
u 7 |
j
1
f i ,
^Tf #WW#
^
M ? *
l J J
HT H "
y
4 1 t
u ' 1
h
1 J 1
l
' U I 1
^
- -
? 3 L
: j j : ! ; I >
n f ■ ■ J n - ? —
■
i I
I
I I I I I i
1
■ , _ _ "
” ”
_ B _
”
1
.
I I
■
< 1
1 |
i
^
' * ^ *
'
83
??7r
1
T ^
^ ? _T
^
.
I n m ^ I
. ^ m i r r r i ! r
| g l i ?
7
* —
V "
3
l
C * l
l 1 1
— —? ? ? ? ? — m - — ■ m _
-
!
w ■
_
邏,
4
.
: 说
(
a) 重 复 子 结 构 图 像 部 分 区 域 放 大 图 (
b) 标准 图 对应 区 域放大 图
图 4 . 1 7 噪声 放大部 分 图 像与 标准对应 区 域 图 像对 比 示 意 图
4 4 .
基于 差分的双 阈 值分割 与 特征提取
4 4
. . 1 差分双 阈 值分割
区 域 的 几何特征和 灰度特征 。 如式 (
4 . 3 3
) 所示 , 通过做差 可 求得 晶 元差 分 图 像序 列
。
*
I =
I l 〇c + /3 4 3 3
「
.
一 i std ) (
)
60
4 基于 重 复子结构 序列 的缺陷 提取算法
其 中 ,
表示差分图 ,
心 表示第 ? / 个 晶 元检测 区域 , 《 ,
夕 为 线性灰度拉伸 系 数
。
域 。 具体步骤是
:
1 .
设定双阈值 7
; ,
和 7
;w , 对于差分图 中 的某个点 (
r ,
c) ,
记该 点 的灰度值 为 g (r ,
c) , 则有若
g(r ,
c) > 7
; ,
, 则 标记该 点 为 分割 出 的 区 域点 集 内 的点若 g ( /% c
)
< T ;
/ TV
O
, 贝 !
J 该点不为缺陷
区域 内 的 点
。
2 .
迟滞跟踪 。 对于 的点 , 若 该 点 与 之 前标记 的 点 相 邻 , 则 标记该点 ,
否
则舍弃
。
进行后续特征提取 与 筛选 。 如图 4 .
1 8 (
a
) 所示 , 黄色 圆 圈标注的为 原 图 中 缺陷区域 , 由 图
4 . 1 8
(
b) 和 图 4 . 1 8
(
c) 图 可知 , 通过差分 图 和双 阈 值分割 能够筛选 出 图 案化晶 圆 重 复子结构
( 晶 元 ) 中 的缺陷
。
| |b
■ ■ ■■ HHH 1
(
a
)
缺 陷 标 记 图 (
b) 对 应 区 域 差 分 图 (
C ) 对应 区域二值 图
图 4 . 1 8 复杂 图案 晶 圆 缺 陷 分割 示 意 图
4 4 2 . .
缺 陷连通域特征提取
,
。 目
有
:
面积 如式 4 3 4) 对于 个连通 区域 面积定义 为 区域 的像 素 数
一
1 .
。 .
:
( , ,
6
1
斯江大 学硕士 学位论文
a r ea —
[ 1
(
4 34)
.
(
x ,
y )
e
R
其 中 (
x ,
_ y) 表示连通域 内 的点 的坐标
。
2 .
重心 。 重心 常用 来描述连通域的位置 , 如式 (
4 35 .
) 可计算重心坐标
:
1
P =
r c =
2 r
2 c
4 3 5
-
.
( ,
) { 0 0 ) (
)
g g g
^ r c e R ^ r c e
R
( ,
) (
.
其 中 d 表示该 区域的面积 ,
(
r
s
,
q )
为 重心 的 横纵坐 标
。
3 .
矩 。 矩是表征
一
个 区 域几何特征 的 重 要 参数 , 用 来表征 , 其 中 + g
为 矩的
阶数 。 如式 (
4 3 6)
.
所示 , 通过坐标参数可 以计算矩
:
P
M
H
q
=
r
-
r) c
-
c) 4 3 6
.
( ( (
)
pa 〇 0
(
r
,
c )
^
R
其 中 ,
(
r
Q ,
c
。 )
表示连通域的重心坐标
。
4 .
宽度 与 高度 。 每个 区 域都有 个 最小 的 竖直外接矩形 , 该矩形 的长和 宽平行于 图像的横
5 .
断 连通 域 的 位 姿 十 分有 用 如式 所示 通过 使用 归 化的矩 可 以 计算该椭 圆 的
一
。
(
4 37 .
,
) ,
长短轴和偏移角
。
^
2 2
8( M 20
+ M 0 2
+ ,
y(
A/
2 0
-
M 02 )
+ 4M
)
D
, ,
K n
=
2
K
D ^ =
8 (
M 2 0
+ M Q2
+
y f{
M 2 0
-
M 0 2 f+ AM
^ )
… ,
4 」 。
、
a (
2
沒 二
一
0 5a . t a n2 (
2 A/
j 】
,
M 0 2
-
M 2 〇
)
如式 (
4 3 8)
.
所示 , 通过计算长短轴之 比可 以判 断 区 域的扁 平程度 , 可 用 来描述
一
个区
域的细长程度
。
=
4
 ̄
P . 3 8
)
(
K b
周 长 对于 个连通域 周 长即 为 外 围 轮廓 所构 成 的 点 集 的 个 数 如式 所示
一
6 . 。 , 。 4 3 9)
.
:
L =
X x £ c o n to u r
1
(
4 . 3 9
)
(
, v )
62
4 基 于 重 复 子 结 构 序 列 的 缺 陷 提 取算 法
7 .
最 小 外 接 矩 形 MB R ( )
。 找 到 能够包含 区 域 内 所有 点 的 最 小 外 接 矩 形 , 该矩形不 必 与 图
像 坐 标轴 严 格平行 可 能有 定的转角
一
,
。
缺 陷 的 明 显 程 度 往 往 与 缺 陷 的 灰度 特 征有 关 。 常 见 的 灰度特征有
:
1 .
灰度 最值 。 表示在
一
个 区域 中 灰度 的 最大值和 最小值
:
(
r '
e) e
(
4 4 0)
.
2 .
。 ,
:
ZS 4 4
=  ̄
g
r 〇 (
- 1
)
%
,
a r
R
(
3 .
区 域灰度 方差 。 通过计算 区 域灰度 方差 , 可 以表征
一
个 区域 内 灰度变化 的激烈程度和
个
区 域 内 的 灰度看作 变量 , 可 以计算 出 它 的 方差
:
」
ZU
2
玉 =
) (
4 42)
.
7
a
%
 ̄
^
(
r
R
其 中 , a 表示 区 域 内 点 的 个数 , 即 面积 。
i 表示 区域 内 平均 灰度
。
4 .
灰度重心 。 在重 心 时考虑 图 像 的 灰度值 , 能够得到 灰度 中 心 , 表征 图 像 中 高灰度 区域
位置 的 平均位置 。 如式 (
4 43 )
.
所示
:
^
P =
r c =
^ ^ r
g(r c)
^ cg r c))
4 43 )
 ̄
-
i
.
, ) , , ( , (
g g g
^ r c e R
^ r c eR
( , ) ( , )
其 中 ,
& 表示灰度 中 心 ,
&
在行方 向 上灰度重心坐标 , c
g
在列 方 向 上灰度 重 心坐标
,
J 表示 连 通域面 积 ,
〇% c〇 表 示 连 通域 内 点 的 坐 标
。
5 .
灰度矩 。 在 几何矩 的基础 上加 入灰度特 征 , 可方便地作 为 灰度特征 中 其他特征的 中 间
变量
:
U
Zf r c r r Y (c c r 4 44 )
- - -
)(
.
( ,
0 0 (
P 9 ,
(
r ,
c
)
^R
63
浙江大 学硕士 学位论文
其 中 (
r
。 ,
^ ) 表示连通域 的 重心 坐标 ,
/ (r ,
c) 表示位于坐标 (
r ,
c) 点 的 灰度值
。
, 了 ,
义如下式
:
fo r egr o un d ba c kgr o u n d ,
.
.
Co n tr as t
=
(
4 45 )
.
L e v el
程度 。 对 < 1 , 且该值越接近 1 , 代 表缺 陷 越 明 显
。
下表展示 了 识别 出 的 缺 陷 的 部 分特征参数
:
表 4 2
.
缺 陷特征参数表
缺 陷 序 号 重 心 坐 标 面 积 平 均 灰 度 长 宽 比 对 比 度
1
(
3 04 2 9 7 , ) 1 2 1 84 1 . 4 0 3 0 6 3 2
.
2
(
28 1 3 ,
6 9 8 7) 2 3 1 57 2 . 1 94 0 . 534
3
(
4 1 77 5 8 0,
1
) 9 2 2 6 1 . 05 1 0 . 70
1
4
(
37 9 1
,
6 64 8
) 4 1 20 5 1 . 3 84 0 . 8 1
9
4 5 .
本章小结
形状 的 模板 匹 配 , 获 取 毎个 重 复 子 结构 矩形 区 域 的 坐 标 等 信 息 , 将其切割 为 重 复 子结构 图
像序 列 ; 然 后 利 用 本 文创 新提 出 地基 于 统 计 量 的 迭 代 求 标 准 图 算 法 求得 重 复 子 结 构 区 域标
连 通 域 特 征信 息
。
64
5 基 于 明 暗场的 多扫 描方式 图 案化 晶 圆检测 实验
5 基于 明 暗场 的 多 扫 描方式 图案化 晶 圆 检测 实验
域的缺陷
。
L J
图
5 . 1 被测 图案化 晶 圆 样 品 实 物图
5 . 1
实验 系 统硬件布局
5 . 1 . 1
基于 点 扫 描 暗场成 像 系 统硬件布局
65
浙江大 学硕 士 学位论文
pmt
照明
H PV
精
图 5 . 2 点扫描暗场成像装置实物 图
1 .
照 明 与 探测 模块 。 光源采用 激光照 明 ,
配备准直 聚焦透镜组 , 使其在被测 晶 圆 样 品
表
面 上呈 明 亮 光斑 激光 为 光纤耦合激光光源 , , 中 心 波长 4 0 5? m , 光谱 范 围 3 95
?
4 1
,
° ° °
反射 光反射角 为
°
45 , 方位角 为 1 8 0 ,
45 , 方位角 为 0 。 散射光 收集器采用 精 密 加
°
透镜组 收集天顶角 为
°
工的 ,
0 到 25 之 间 的 散射光使激光照射表 面光斑与 PM T 共轭
。
率 峰值 为 ] 0 M/ /r , 实验 中 取 2 MH r
。
2 .
精准对焦
。
66
5 基于 明 暗场 的 多 扫 描 方式 图 案化 晶 圆 检测实验
本文 3 . 2 2 .
中 已 将线扫描 图案化 晶 圆 暗场成像结构示 意 图 给 出 。 根据 图 3 . 3 搭建 了
如
图 5 . 3 示点扫描暗场实验装置
。
m |
(
a)
(
b)
(
c)
图 5 . 3 线扫描配件实物演示 图
1 .
机镜头 , 分辨 率 为 1 6k ,
实验 中 镜头放大倍率为 0 73
.
倍 ; 光 源采用 定 制 线 性 光 源
^
2 .
5 . 1 . 3 基于 面 阵 的 明 暗场成 像 系 统硬件布 局
基于 面 阵 的 暗 场检测 装置 分 为 两 个模块
:
1 .
焦的 Z 向 导轨 , 定位精度 为 3 // W ; 调 平机构 用 作 测 量 初 始 阶段 待测 图 案 化 晶 圆 样 品 的
调平
。
67
浙 江大 学 硕 士 学 位论 文
MB
s ^ l l g
⑷ (
b)
图 5 4
.
面 阵暗场成像装置 图 (
a) 内 部结构实物 图 (
b) 整机实物 图
图 5 . 5 为 面 阵 明 场成像装置 图 。 图 中 所用 器材 为 O l
y mp u s 显微镜 DP27 , 该显微镜传
可选放大倍数为 l 〇〇 x
。
^
C C D
图 5 . 5 面阵明场成像装置 图
68
5 基于 明 暗场 的 多 扫描方式 图 案 化 晶 圆 检测实验
5 2 .
图 案 化 晶 圆 多 扫 描方式 明 暗场 图 像缺 陷 提取实 验
5 2
. .
1 基于统计量双 阈 值缺 陷 定位算 法验证 实验
缺陷的检 出 算法的核心思路为 :
首先 , 校正偏移角 度使重 复 子结 构 矩 阵 区域 与 图 像坐标 轴
, ; ,
C ++ 以 及 OpenCV 库 支 持 的 程 序 子 模 块 中 运 行 平 均 耗 时 为 0 0 . 1 46s
。
mm — mmm :wm
■■■ _ 幽
f
忠
^
^= 6 9 5
.
°
n m T i n n
U 9 \
=
9 68.
°
矫 正 3 r A M 。 卜 1 78
。
0
=
0 73
。
^
.
S
5 -4
角 度 图 示
:
|
(
a ) (
b ) (
c ) (
d) (
e)
图 5 . 6 角 度校正示意 图 (
a
) 点扫描暗场 (
b) 线扫描暗场 (
c) 面阵暗场 (
d) 线扫描明场 (
e) 面阵明
场
由 本文 4 2 .
节可知 , 通过 图 像校正 , 重 复 子 结 构 矩形 区 域 与 图 像 坐 标轴 平行 。 此 时选
取其 中
一
果 , 定义切 割 度量 0 来衡量切割 效果
:
69
浙江大学硕 士学位论文
a
上总 (
5 . 1
)
w h
其 中 a 表示横 . 向 矩形 匹配程度 ,
込 表示纵 向 矩形 匹配程度 , 为横 向切割 区域与模
板亚像 素 差 ,
灿 为 纵 向 切 割 区 域与 模板亚像 素 差 , W 为 模板宽度 ,
A 为 模板长度
。
实验 中 所 匹 配重 复子结构数量为 1 6 , 横 向 矩形 匹 配程度均值 & w
=
2 346 x
. I ( T , 纵 向 矩形
匹 配程度均值 色 =
1 . 989 x 1 0 ' 由 于 么 与 包 的值都极小 , 可 以判 断 匹 配算法效果 良好
,
能切割 出 相 同 大小 的 重 复 子结 构矩形 区 域
。
如图 5 . 7 、 图 5 . 8 所示 , 通过本文 4 3 .
i
H
U
重 复 子结触 场 酿賴
图 5 . 7 暗场图像标准 图求解示意 图
能 够从 图 像上很直 观 的 看 出 缺 陷 即 为 图 像序 列 中 某 帧 图 像 与 标准 图 的差异部 分
因
一
求解 还 具有 离 线 性 质 只 需 求解 次标准 图 对于 晶 圆 上 的 所有 重 复 子 结 构 区 域都可
一
同
一
, ,
用 此标准 图 作 为 对照
。
70
5 基于 明 暗场 的 多扫描方式 图 案化 晶 圆 检测实验
M HH j
I
^
Wm
重 复子 结构 明场 图像序列
图 5 . 8 明 场 图 像标准 图 求解示 意 图
像序 列 中 同 坐标对应奇异点差值有 关
一
。
表 5 . 1 不 同 扫描方式平均迭代次数
扫 描 方 式 点 扫 描 暗 场 线 扫 描 暗 场 线 扫 描 明 场 面 阵 暗 场 面 阵 明 场
准 图 所得 图 像 即 为 背景 图 像 通过计算机将缺 陷 图 像从 背景 图 像分离 , 出 来 。 如图 5 . 9 所示
,
, 。
H U _調
議
:
— —
_■■■■
(
a ) (
b ) (
c ) (
d ) (
e
)
图 5 . 9 对 比度拉伸示意 图 (
a
) 点 扫描暗场 (
b) 线扫描暗场
(
c
)
面 阵暗场 (
d) 线扫描明场 (
e
)
面阵明场
7
1
浙江大 学 硕 士 学 位论文
拉伸缺陷对 比度 。 本文 4 3 3
. .
中 介绍 了 图 像 分割 的 具体算 法 , 对于不 同 成像方式 , 需 要标
定不 同 的参数 , 具体 阈 值如 下表所示
:
表 5 . 2 不 同 扫描方式双 阈 值取值
扫 描 方 式 点 扫 描 暗 场 线 扫 描 暗 场 线 扫 描 明 场 面 阵 暗 场 面 阵 明 场
(
T
l ow ,
T
h i
) (
24 47)
, (
3 5 ,
7 1
) (
1 08 ,
1 57
) (
42 ,
82) (
1 1 4 ,
1 63
)
■■■■■
(
a ) (
b ) (
c) (
d ) (
e
)
图 5 .
1 0 图案化晶 圆 缺陷检 出 示意图 (
a) 点扫描暗场 (
b) 线扫描暗场
(
c
)
面 阵暗场 (
d) 线扫描明场 (
e
)
面阵明场
表 5 . 3 缺 陷特征提取参数表
缺 陷 序 号 面 积 像 素 数 ( ) 长 宽 比 对 比 度 所 属 晶 元 编 号
(
a) 2 0 6 5 4 6 0 . . 3 9 9
(
b) 1 7 1 .
1 6 0 . 89 5
(
c ) 3 5 1 . 76 0 . 44 4
(
d) 5 3 7 . 2 1 0 . 86 3
(
e) 1 24 1 . 27 0 . 6 1 1
2
72
5 基于 明 暗场 的 多 扫 描 方式 图 案化 晶 圆 检测 实验
5 2 2
. .
不 同 成 像方式检测 系 统性 能研 究
, 了
效率 , 本节 中 以 扫描
一
个重复子结构 ( 晶元 ) 区域所 需 时 间 ?
^ 来表征吞吐量 ; 检测精度指
陷 可 能 极其 细 微至 几 个纳 米 量 级 , 因 此 检测 精度 体现 了 图 案化 晶 圆 检测 系 统 的先进 程度
,
=
(
5 2)
.
t o ta l
上式 中 J cc 为 准确 率 , 表示漏检数 目 ,
o v e rf
c7/ 表 示过杀数 目 ,
ot
t o/ 表示缺 陷 总
数
。
表 5 4 .
比较 了 不 同 成像方式 图 案化 晶 圆 检测 系 统各项指标 。 其 中 由 于 点 扫 描 暗场检测
,
表示扫 描整个 晶 圆 所 需 时 间 ,
% 表示
一
个 晶 圆 所包含重 复子结构个
表 5 4
.
不 同 成 像 方式 晶 圆 缺 陷检测 系 统指标
成 像 方 式 点 扫 暗 场 线 扫 暗 场 线 扫 明 场 面 阵 暗 场 面 阵 明 场
t
D i e 1 7 1 . 4 s 8 9 s 8 9 s 2 4 8 3 s 4 3 2 . . . . 1
s
8d 4 6 .
// w 7 . 3 // m 5 3 7 nm 3 4 9 nm
A c c 6 7 % 7 4 % 8 2 % 8 6 % 9 1
%
若检测精度 高 , 意 味着 检测 视 场 范 围 缩小 , 导致扫 描 这个 区 域 的 时 间 增 加 。 因此 , 不 同
扫
方式
。
73
浙江大 学硕 士 学位论 文
电脑 C PU 为 I 7
-
9 700 K ,
G P U 为 RTX -
2060 , 比 较 结 果如 下表所示
:
表 5 . 5 算法 比对结果表
检 测 方 式 检 测 晶 元 数 目 检 出 缺 陷 个 数 漏 检 过 杀 算 法 耗 时
/
小 波 变 换 2 8 0 2 9 4 8 0 / 4 2 1 034 9s
.
本 文 算 法 2 8 0 3 03 7 1 / 26 7 1 2 4s
.
人 工 精 细 比 对 2 8 0 2 7 4
少 了 程序运行 时 间
。
5 . 3 点 扫 描 暗场 成 像 扇 形 暗 区 图 像 分析
如图 5 . 1 ]
所示 , 在第 3 . 1 节 中 介绍 的 点扫描 成像过程 中 , 会出现图 中 扇 形暗 区情况
,
■ P9
(
a) 点 扫 描 暗 场 图 像 (
b) 扇 形暗区示意 图
图 5 . 1 1
点扫描暗场成像扇 形暗 区示 意 图
74
5 基于 明 暗场的 多 扫 描方式 图 案化 晶 圆 检测实验
初始 时 如 =
0 , 在 t 时刻 , 有 如 =
A 点为 PMT 光轴 与 Z 时刻 晶 圆 表面交点 ,
B 点为
^ 时刻 激光光斑在 晶 圆 表面 的位置
dea u a t i o n
I l s i t
T i l t s i t u at on
i
田
。 MT 。 MT
—
中
Ax i s of r otat i on
A
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1
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,
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t
R e le c
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I nc d e ni t
L i
gh
t
I nc d
i en t /
图 5 . 1 2 点扫描装置扇 形暗 区情况示 意 图
通过 图 5 . 1 2 可 以 解释扇 形 暗 区 出 现的原 因
:
组共轭 , 由 于激光平行度很 高 ,
A 点 的 光强低 , 并且 由 于倾斜导致 A 点 关于透镜像 点 不在
有 =
仞 " =
2 灸 7T +
々 , 其 中 众 表示旋转轴旋转 圈 数 ,
々 为 倾斜轴线 方位角 。 记 ( 9
,
=
六 (
&〇
,
如图 5 . 1 3
(
a) 示 ,
必 是关于 而 的连续 函 数 。 在
一
定的角度范 围 内 , 当 不为 0 时 , 由 上文
分析可知 ,
PM T 采集光 强序列 中 该 点 信号很弱 , 在 同
一
个周 期 内 ,
0 * 0 的 点对应 为
一
定
75
浙江大 学硕 士 学位论文
区
e
,
e
出 现暗
j
£
\ \
S
—
-
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I
j 1
Sa 2牙 4 ;r
e
一
£
^  ̄
 ̄  ̄  ̄
'
 ̄
\ \ \
I
I
|
V ^
.
旋转周 期
(
a) 校正前 角 度 变 化 (
b) 校正后 角 度变化
图 5 . 1 3 扇 形状 暗 区 分析 图
通过实验得知 , 当 吟 |
< £ 时 , 不会出现暗区 , 其 中 e 为
一
极小量 。 如图 5 . 1 3
(
b) 所示
,
稳 , 实现无暗 区 成像
。
5 . 4 本章小结
■ ■
(
a
)
校 正 前 点 扫 描 图 像
图 5 . 1 4
校正前后 点扫 描 图 像对 比 图
(
b) 校正 后点 扫 描 图
像
区 , 从 光 学 机械 层 面 给 出 分析解 释并校正
。
77
浙江大 学硕 士 学位论文
6 总 结 与 展望
6 . 1 本文工作 总 结
。 , 了
商半导体芯片 的 良率 。 本文 以 此 为 背 景 提 出 了
一
圆 检测系 统 , 具体工作如下
:
R i ce
细 微线 段 矢量和 光 线 入射 角 对散射场 的 影 响
。
78
6 总 结 与展望
特征提取
。
方 式 明 暗 场 结 合缺 陷 装 置 , 利 用 本文 提 出 的 缺 陷 检 测 算 法对 图 案化 晶 圆 中 的 细 微缺 陷 进 行
统 计量 迭 代 求 标准 图 算 法 与 前 人 提 出 的 二 维 小 波 变 换求标 准 图 算 法 在 时 间 效 率 上进 行 纵
光 学 机械 多 角 度 入手 进行 研 究 , 并 最终给 出 解释 并校正
。
6 2 .
未来工作展望
本 文 通 过 对 图 案 化 晶 圆 表 面 蚀 刻 图 案 进 行 细 微线 段 矢 量 抽 象 , 探 讨 其表 面 散射场分 布
并 以 此 为 理论基础 提 出 , 了 基于 明 暗场 的 多 扫 描方 式 图 案化 晶 圆 检测 系 统 通 过 实 验证 明 。
,
的地方 , 主 要 包括 以 下几 点
:
1 .
特殊 区 域 内 缺陷 。 对于 复杂 图 案缺 陷检测 , 本身 所 成 像 中 图 案 就 有 灰 度 的 起 伏 变
。 ,
度拍 摄来 解 决这个 问 题
。
2 .
点 扫 描成像 背景 噪声 强 。 在基于 点扫 描 的 暗场成像实验 中 , 最终 所 成 图 像 背 景 嗓声
国强 。 这是 由 于 PM T 的 高 灵敏度对任何细 微 的光 强 变 化 都 十 分敏 感 。 由 于 点 扫 描装置检
像质量不高
。
3 . 。
, 。 目
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浙江 大 学硕 士 学 位论文
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: 1 43 -
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.
44 C h en F L L uS F A n eu r a l n e t w o rk ap p r o a c h t o r e c o g n i z e d e fe c t s p at i al p at e r n i n
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浙江 大 学硕 士 学位论文
作者 筒历及主要研究成 果
作者简历
一
陈世炜 , 男 ,
1 995 年 3 月 出 生于福 建省 龙岩 市 。 20 1 4 年 9 月 至 20 1 8 年 6 月 就读于 南
学精 密 检测 方 向 的 研究
二 、 攻读 硕 士期 间 主要研 究 成 果
C h e n S W Z h a n g P F G uo P e t
,
, 9
al . D e fe c t d e t e c t i o n al g o r i th m o f p l a s t i c 3 D p a i nt s u r fa c e
b a s e d on
i m age f u s i o n [ C ] // J o um a l o f Ph y s i c s
: C o n fe r e n c e S er
ies . I O P P ub
li s hi n
g ,
2 02 0 ,
1 67 6( 1
)
:
0 1 222 5 .
(
El收 录
)
86