—_— tal Hee ue fie Physique as oy sane anuverstaie 2003/208 err Mins? Module #1uu2 Utes Cape | at i aun cia Conserver dans tes catculs lmpédance complexe des condensateurs sous la forme 2c le Plus longtemps possible. al Questions de cours : (A A 1. Reprasenter le schéma equivalent d'un quauripole donné par les paramétres impedances. 2 Rappeler les divers modeles de ta diode avec des schemas. Ewercice 1: Quadrindle et filtre ® A. 1=Donner la matsce représentatives de transfer: du quadripdle sulvant eri +28 2.1-Caleuler les éléments du générateur de Thévenin vu par le condensateur Centre Act 8, 2.2 Etablir ‘expression de la fonction de transfert du montage sous forme : A Hje)=—* rr lege @,5.46,( endonnant les expressions de Ket a, ‘Scan avec Camscanneray 2.3 ~ Etablir expression de galn Glo) 2.4 - Etablir fexpression de gain Gaol 2.5 ~ Etablir fexpression de la phase (0)- 2.6 — Compléter Ir tableau suivant : a ) exprimée en dB. zi 5 i 5 si@ << Me HO >> We 2.7 — Déterminer expression de l'asymptote de Gala) et de ¢(o) si 2.8 ~ Quel est le type de filtrage obtenu ? Exercice 2: Cirevitadiode ff eo ca utilisant les divers modétes dela diode, caleuler te courant débité par le générateur. E=12V;R,=6kO;R,=3KN:R=LkO; Pour le modéle « avec seuil et résistance » prendre Ry = 1001 et Vy= 0.6 V. wie es A wl ‘Scan avec CamseannerDepartement de Physique Année universitaire. 2015/2016 poll Ata MIP R : Module P123/01002 Examen de circults électriques et électronmaue/Electronique : 2h 4 TY atlas tas UNMET nit Questions de cours: (445) ® 1- Représenter le schéma équivalent d'un quadripéle donné par les paramétres de la matrice admittance. (toh — Rappeler les divers modales de la diode avec leurs schémas de 1 caractéristiques, Exercice 1: (2) Calculer la résistance équivalente vu entre A et B des circuits suivants. On donne : R= 1kOQ, E=10Vet!=6mA. A 0 @D A sy = (4 Ct Rs e Ke At Exercice 2: (4) En utilisant le modéle idéal de la diode, calculer 'expression du courant | dans le circuit ci-contre pour les cas suivants : O 1—Diode D1 : Bloquée, i) Diode 02 : Bloquée. wa D: -. 2-Diode D1 : Passante, Vr A) Diode 02 : Bloquée | 3- Diode D1 : Bloquée, Cet | Diode D2 : Passante. 7 : 5 p2\7 4- Diode D1 : Passante, v (4) Diode D2 : Passante. fasrdee: (A) — Onconsidérele circuit ci-dessous: (Wey) (mA) (xy) (cy 25, (A) 1- Combien ce circuit comporte-t-il de: dipdles, branches, mailies et naeuds ? Page | 1 ‘Scan avec Camseanner(q) (A n {En et Rin) vu parla @ 2 Determiner les éléments de genérateurs gerncvariy « branche A et 6, ésistance Ro. 3 — Er dduire Fintensité du courant circulant dans lar a, On donne: Ry = R= 1KQ, tases, AD @ 1 ~ Sans faire du calcul et en justifiant votre réponse quelle relation fant fy et Lz 2~ Parla méthode de vatre choix donner tes parametres de la matrice @ impédance du quadripale Q, 3-Deduire la ress d'entede ainsi que le 0) en tension du circuit. 1, tneeee © Exercice 5: On considére le montage c-contre nour lequel :€ = 4 V, Vee = 10y, aaa Vor = 0,6 V, Re = 1.01 kO et Re = 3.4 KO. i 7 En Posant comme hypothése : Transistor Vee fonctionne en made Normal ]i) 1.7 Rappelier es trots modes de fonctionnement & YOY dun transistor A) 2~Quel est le type de transistor dans le circuit > fv “Yi yy 3 - éterminer les courants I, Inet Ie a 4 Déterminer Viv é (Bp 57 Dans quel regime se trouve le transistor 2 Re 6 Si Rr = 6565 0 déterminer le régime de as fanctionnement du transistor. IM Page | 2 ‘Sean avec CamSeanner2 Détermin branche A et 3~ En déduire rinte On dons nsité du courant circulant dans ta résistance Ro, 2 Ro= R= 1KQ, Cy=3V, €. Exercice 4: Soit le circuit ci-dessous dont les éléments sont : E=4V,R=20k0. 1- Donner I'équation dela droite de charge In = (Vo) (In= lout loa). 2-Donner les valeurs de deux points particuliers de cette dioite, y les éléments de générateurs de Thévenin (Ewet Ri) vu parla 3- En utilisant le modéle Idéal de la diode, caleuler lexpression du courant | pour les cas suivants : R a~ Diode D1: Bloquée, Diode D2 ; Bloquée b— Diode D1 : Passante, Diode D2 : Bloquée, fe bt €— Diode D1 ; Blaquée, Diade 02: Passante. d— Diode D1 : Passante, Diade D Exercice 5 ; On considare le montage ci-contre pour lequel : 1 = 175 tA, 1s = 5.05 mA, f= 200, Vee =0,3 V, Ri=2kO et Ry = 100 ko. 1- Quel est le type du transistor? 2- Reproduire sur la copie le symbole du transistor, en y fléchant les tensions Ver, Vee et en schématisant les 1 Jonctions BE et BC, 3- Quand I; = 0A, quelest l'état de Transistor ? En déduire les valeurs de ly et Ic. En Posant comme hypothése : Transistor fonctionne en mode Normal. 4-Calculer Ip, Ic. 5 - Verifier le mode de fonctionnement du transistor chois|. Sice nest pas le cas recatculer Ic. (Pensez a utiliser I’équivalence Thévenin - Norton). ‘Scan avec CamSeanner Page | 2ie Fi nominees Département de Physique Année universitaire: 2015/2016 MiP: Madule #223 Cramenue circuits dectriques et électronique : 2h Conserver dans les calculs t'impédance complexe des condensateurs sous la forme Ze le plus longtemps possible, Exercice 1; n 1+ Que signifie passiver un circult ? Ly. [Je B 2- Calculer la résistance équivalente vu = R yf entre A et B ducircuit cl-contre, 5 f On donne : E=10 V, L= 1 mA eR = 1k, r[] uv Exercice 2: a On suppose que le circuit est utilisé en circuit ouvert (is= 0). 2~ Etablir ’expression de la fonction de transfert i, > H(je:) du circuit sous forme ; won|; a | i , avec. la pulsation réduite. ec On déterminera l'expression de.x en fonction deR,Letw. 3—Etablir l'expression de gain G{v) et Gun) exprimée en dB. 4—Etablir expression de Ia phase (x) sous la forme : ${.x) =x/2- arctan{x} 5 -Soit h(t) le courant parcourant "inductance L, Sachant que le clrcult est alimenté par une tension sinuscidale v.{t) = Ve sin{ust) a~ Déterminer i en fonction de ve(t), L ws, et R. b- Déterminer alors expression analytique de l'amplitude ly du courant i en fonction de Vr, L, w, et R. Exercice 3: On considére le circuit ¢l-dessous : 1—Combien ce circuit comporte-t-il de : dipdles, branches, mailles et neouds ? Page | 1 ‘Scan avec CamseannerSoit le circuit ci-dessous dont les éléments sont : E= 4 V, R= 20 kQ. 1 En utilisant le théor8me de Thévenin, montrer que I'équation de la droite EW, de charge s’écrit sous la forme : /p = avec Io= Init Ina. ROR 2- Donner les valeurs de deux points particuliers de cette droite. Exercice 5: On considére le montage ci-contre pour lequel : 1, = 175 pA, 12 = 5.05 mA, B = 200, Ver = 0,3 V, Ri = 2 kM et Ro = 100 kA, 1- Quel est le type du transistor ? 2- Repraduire sur ta copie le symbole du transistor, en y fléchant les tensions Vse, Vee eten schématisantles Jonctions BE et BC. 3- Quand |, = 0A, quelest l'état de Transistor ? En déduire les valeurs de In et Ic. Page |2 ‘Scan avec CamSeannermy | 4a Département de Physique ! a Année universitaire | 2016/2017 Sethe spe dala WP: Module P123 libre NAMM! nCounr nay | eazy te | weve Examen de circuls électriques et électronique : 1h30mIn Questions de cours: 1- Que signifi un circuit actif ? 2- Représenter le schéma équivalent d’un quadripéle donné par les paramétres impédances. 3 - Ecrire la loi d’Ohm généralisée pour une résistance, une self et une capacité dans le cas du courant alternatif. Exercice 1: Calculer la résistance équivalente vu entre A et B du circuit ci-contre: Exerclee 2: Par la méthode de votre choix donner les paramétres de la matrice impedance du quadripdle a — Exercice 3: 1-Donner la définition de : a} un dipéle b) une branche c) une maille d} un noeud On considére le circuit ci-dessous : 1—Combien ce circuit comporte-t-il de : dipdles, branches, mailles et noeuds ? 2 - Déterminer les éléments de générateur de Thévenin (Emet Rin) vu parla branche Aet B. Page |1 ‘Scan avec Camseanner2—Déterminer les éléments de générateurs de Thévenin (Em et Rin) vu parla branche A et B. 3—En déduire l'intensité du courant circulant dans la résistance Ro, Exercice 4: Soit le circuit ci-dessous dont les éléments sont : £ = 4 V, R= 20kO. 1- Donner I’équation de la droite de charge Ip = (Va) (lo= lor tor). 2- Donner les valeurs de deux points particuliers de cette droite 3- En utilisant te modéle idéal de la diode, calculer expression du courant | pour les cas suivants : a—Diode D1 : Bloquée, Diode D2 : Bloquée. b— Diode D1 : Passante, Diode D2: Bloquée, €—Diode D1 : Bloquée, Diode 02 : Passante, fe di\/ fl d— Diode D1 : Passante, Diode D2 : Passante. Exercice 5: On considére le montage ci-contre pour lequel : 1, = 175 }1A, 1: = 5.05 mA, B = 200, Vee = 0,3 V, Ri = 2 kO et Ri = 100kQ. 1- Quel est le type du transistor? 2 - Reproduire sur la copie le symbole du transistor, en y fléchant fes tensions Ver, Vce et en schématisant les jonctions BE et BC. 3-Quand I, = 0A, quelest état de Transistor ? En déduire les valeurs de Is et Ic. En Posant comme hypothése : Transistor fonctlonne en mode Normal. 4- Calculer Ip, Ic. 5 - Verifier le made de fonctionnement du transistor chols!, $1 cen’est pas le cas recalculer Ic. (Pensez & utiliser !€quivatence Thévenin - Norton). Page [2 ‘Scan avec CamseannerSE ee 3-Etabtir expression de gain G(a) et Galas) exprimée en dB. 4-Etablir expression de ta phase 6(a). Fa =, t\, Exercice 5: 1~Montrer que I'équation de la droite de charge du circuit cl-contre s'écrit sous la forme : ood aa 3k OR 2- Donner les valeurs des deux points § Particuliers de cette droite. 3- En utilisant le modiéle avec seull de la diode, Sachant que la tension de seuil est Vp, établir expression du courant I dans le Circuit pour les cas suivants: @~ Diode Bloquée b-Diode Passante. Exercice 6: On considere le montage ci-dessous pour lequel : Viz 4V, Va = BM, E= 14 V, B = 200, Vir = 0,6 V, Ra: = 100 KO, Re Pe=1kO. On suppose que les deux transistors T1 et 12 sont fonctionnent en mode normal. 1- Quel est le type des transistors T1 et 12? 2—Caleuler lis, tea, tua et bea. 3 — Vérifier le type de fonctionnement des Transistors T1 et T2. 00 kN et identiques et qu‘ils Page 12 ‘Scan avec CamSeannerDépartement de Physlauin Année universitaire : 2017/2018 (ip Module P12 Fuamensattropage de circuits dlectriques ef ¢lectronique 1430 Sn en aaa ARTIMOSTT Ou Ag Exercice 1; Calculer |a résistance équivalente vu entre Aet B du circuit cl-contre : Exercice 2: On cansidére fe circuit ci-scontre, Calculer la tension U; et Uy. co _ eh 5 Ee Le circuit ci-contre est alimenté par une tension sinuscidale u(t) = U. sinot On cherehe la valeur de i(t) = In sin(ut +). L 4, 1—Calcuter |'impédance complexe équivalente du i circuit sous forme Zea= X(o) + j Yio). pon 2—Calculer le déphasage 9. t H 3—Déterminer Ia valeur dew» pour laquelle 2» Soit : équivalente 3 une résistance pure. iH uly) 4-Pour une valeur quelconque de w déterminer le courant I... 5 = Que peut-on dire des courants i:{t} et io(t) ? Justifier ? 6—Caleuler I,(t} et ja(t) en fonction de i(t). . ‘ \ Exercice 4: ‘ 1- Etablir l'expression de la fonction de transfert //(ja) du circuit ci-contre sous forme : R K i. Hey 2 gs endonnant VexpressiondeK = —?—7 “ve, “ 3 c c et de te. ‘Scan avec CamseannerMIP: Module P123, Laamen de rattrapage de cireulls ¢lectriques et électronique : 1h30 Année universitaire ; 2016/2017 Exercice 1: Calculer la résistance équivalente vu entre A et B du circuit ci-contre: Exercice 2 Le circuit ci-contre est alimenté par une tension sinusoidale u(t) = U sinut et une intensité de la forme i(t) =I sinfot + 9), 1-Caleuler 'impédance complexe équivatente 4 du circuit, 2 Calculer le déphasage entre uft) et I(t. u(t) in 3 - Déterminer la valeur de «s pour laquelle 2eq Sait équivalente a une résistance pure. Dans ce cas quelle est la nature de déphasage? 4— Pour cette valeur wo, déterminer le courant i, dans la bobine. Exercice 3: 1 = Donner Ia matrice représentative de transfert du quadripdle cl-contre. 2 =-Déterminer la fonction de transfert H(ja) du circuit torsqu’il est utilisé en circuit ouvert (ise 0), sous forme : wna ram }: I+ jr avec x la pulsation rédulte. En donnant I'expression dexen fonction de Ri, Rr, Let w. ET 3- Etablir expression de gain G(x) et Gas(t) exprimé en dB. 4—Démontrer que l'expression de la phase $( x) s’écrit sous la forme: fe) = 2/2 - arctan(x) Page| ‘Scan avec CamseannerDépartement de Physique Année universitaire 2014/2015 MIP S1) Module P2123 lectriques et électronique ! 2h30min yen de circ Conserver dans les calculs I"impédance complexe des condensateurs sous la forme 2¢ le plus longtemps possible. —_ be —" ye U ° Exercice 1: Ls e 1. Caleuler la résistance équivalente vu i o entre Cet D du circuit ci-contre, 7 On donne : R= 1k02, B= 10Vetl=6 mA. 1 s Exercice 2: $<: Le circuit ci-contre est alimenté par une tension sinuscidale u(t) = U sinwt. On cherche la valeur de ift) = I sin(wt - gy} c 1. Calculer son impedance complexe équivalente sous forme 2,. = Xu) +) Yl). Cc 2- Calculer le déphasage entre u(t) et ith. =) I 3- Déterminer Zs pour que Ze, soit a Equivalente 3 une résistance pure. Dans ce cas quelle est la nature de déphasage. ~}-——— + B Exerciee 3: 1- Donner la matrice représentatives de transfert du quadripéle ci-contre. 2 —Déterminer fa fonction de transfert Hijo) du circuit lorsqu’il est utilisé en circuit ouvert (is= 0), sous forme ; Hla) auf teat + jar vavec.xla pulsation réduite et aun réel On déterminera les expressions de a et.x en fonction de: R, Cetw. 3~ Etablir expression de gain G[x) et Gao(x) exprimée en dB, 4—Démonter que I'expression de la phase d[x) s’écrit sous la forme : $(o) = arctan(x) ~ arctan(ay) Page | ‘Scan avec Camseannerny Hothead teeta test Aum vA () Département de Physique . Anne universitaire: 2016/2017 SARs MIP: Module P123 Examen de circults #lectriques et dectronique : 2h E ! Exercice 1: \ Calculer la résistance équivalente vu entre Act B du circuit chcontre : Exercice 2: Le circuit ci-contre est alimenté Par une tension sinusoidale u(t) = U sinct et Une intensité de la forme i{t) = | sinft + 9). iy 1~ Calculer |impédance complexe équivalente du F 4 Circuit sous forme Zeq = X(co) + j Ya). 2-Calculer le déphasage entre u(t) et i(t) wo fy ‘ 3 - Déterminer la valeur de cau pour laquelle Zey tet s L solt €quivalente a une résistance pure sachant que ROOT . Dans ce cas quelle est la nature de déphasage ? 4—Pour une valeur quelconque de «, déterminer le courant ig dans la résistance en appliquant le Théoréme de Thévenin. @ 5- Pour quelle valeur de «, ir est indépendant de Ret dec) 6 — Déduire que l’expression de ip s'écrit sous forme : i Exercice 3: 1-Donner la matrice représentative de transfert du quadripéle ci-contre. 2-Pour Ri = Rz=R, déterminer la fonction de transfert = ¢~~ H(j@) du circuit lorsqu’ll est utilisé en circuit ouvert ig t I+ (is= 0), sous forme: H(jx)=|—* ],, avec x la 1+ jax pulsation réduite et a un réel. En donnant la valeur de a et I'expressiondexen =———t—__________l fonction de R, Let w. 3—Etablir expression de gain G(x) et Gea(x) exprimé en dB. 4—Démontrer que l'expression de la phase $( x) s‘écrit sous la forme : ${o) = arctan{x) - arctan(ax) Page | ‘Scan avec Camseanner5 — Determiner expression de "asymptote de Gaolx) et de dfx) six —O et xa, Exercice a: On considitre te circuit ciccontra : J Nek BP 1. Combien ce circuit comporte-t-ide: // Ho Sdipdtes, bratiches et neBuds ? | R | ‘ 2~ Determiner les giéments de BEnérateurs de Thévenin (Em et Rin) vu Par la branche Aet a, 3 En déduite le courant délivré parle BénératourEs) On donne !821KQ, E,=6V, E:=2V et Ex=3V Exercice 5: En utilisant le modale idéal de la diode, calculer Vexpression du courant Is dans le circuit ci-contre pour les cas sulvants ; 1-Diode 01: Bloquée, ; D1 D2 Diode D2 : Bloquée. 2-Diode D1: Passante,~ Diode D2 : Bloquée. | 13 3-Diode D1: Bloquée, af R fe Diode D2 : Passante. 4 - Diode D1: Passante, - | oR _ ] Diode D2: Passantel 7 = Exercice On considere le montage ci-contre pour lequel : E=20V, f= 200, Ver = 0,7 V,Rco=1kMet R= 100k0. En Posant comme hypothése : Transistor fonctionne en mode Normal. E 1 - Calculer Is, Ic - 2 - Verifier le mode de fonctionnement du transistor choisi. Si ce n’est pas le cas recalculer Ic. | (Pensez a utliser le Théoréme de Thévenin). Page | 2 ‘Scan avec Camseanner[Département de Physique Annie universitaire : 2025/2016 MIP S1: Module P123 samen de circuits électriques et électronique : 2h ‘Conserver dans les calculs l'impédance complexe des condensateurs sous la forme Zc le plus longtemps possible. Exercice 1: 1- Que signifie passiver um circuit ? 2- Calculer la résistance équivalente vu entre A et B du circuit ci-contre. On donne : E=10V, 1 = 1 mAet R=1kQ. Exercice 2: On suppose que le circuit est utilisé en circuit ouvert (is= 0). 7 x é 1 Calculer fa matrice représentatives de transfert du quadripéle ci-conire. a \Al ¢ 2—Etablir 'expression de la fonction de transfert i, 1~ ~~ * 1 it | TT 1+ jx] ' y, Hijo) du circuit sous forme: H(jo) -| avec x la pulsation réduite. ty} ' 1 L On déterminera l’expression de x en fonction deR, Let w. 3~Etablir l'expression de gain G(r) et Gas(x) exprimée en dB. 4 Etablir l'expression de la phase 6(x) sous la forme : 6{.x) = 2/2 - arctan(x) 5 -Soit ii(t) le courant parcourant I'inductance L. Sachant que le circuit est alimenté par une tension sinusoidale v(t) = Ve sin(wt) a- Déterminer i, en fonction de v(t), L, w, et R. b - Déterminer alors l'expression analytique de l'amplitude I, du courant i, en fonction de Ve, L, w, etR. Exercice 3: i 1h On considere le circuit ci-dessous : ant 1-Combien ce circuit comporte-t-il de : dipdles, branches, mailles et noeuds ? J Page | 1 ‘Scan avec CamSeannerq notuds ') | Exercice 4: On considére le circuit cl-contre 1—Combien ce circuit comporte-t-ll de : dipdles, branches, mailles et noeuds ? 2-Calculer le courant I; en utilisant Véquivalence Norton-Thévenin, Exercice Soit le circuit ci-dessous : 1=Montrer que I’équation de la droite de charge s’écrit sous la forme: iat te avec la= lait leet Va = Vai + Ver. 2 - Donner les valeurs des deux points particullers de cette droite. 3-En utilisant le modéle idéal de la diode, calculer I'expresston du courant Ii délivré par le générateur £3 pour les cas suivants : a - Diode D1 : Bloquée, Diode 02: Bloquée. b~ Diode D1 : Passante, Diode D2 : Bloquée. c- Diode D1 : Bloquée, Diode D2: Passante. d= Diode D1 ; Passante, Diode D2 : Passante, , Var Page |2 ‘San avec CamSeannerdipdies, branches, mailles et novus 2 (n) fe 2 Calculer fe courant ly en utilisant fe théordme de Thévenin et de Millman, Exerelee 4; On considére le circult cl-contee : 1 4=Combien ce ‘ "Yas ( ‘ombien ce circult compor : | | Exerclee S; Soit le circuit cl-contre ; 1- Montrer que I'équation de la drolte de charge siderit sous la forme : EOS, wp avec Tye tan + tay et Iy Va = Var + Vea 2- Donner les valeurs des deux points particullers de cette droite. 3- En utilisant le modéle Idéal de la diode, af caleuler ‘expression du courant I) dilivré par le générateur Ey pour les cas suivants : a- Diode D1: Bloquée, Diode D2 ; Bloquée. b- Diode D1 : Passante, Diode D2 ¢- Diode D1 : Bloquée, Diode D: d= Dlode D1 : Passante, Diode D2 : Passante. Exerclee 6: On considdre le montage d'un transistor NPN ci-dessous pour lequel : E210 V, B = 200, Vor = 0,6 V, Rn = 100 k et Re = 100 0. En Posant comme hypothése : Le Transistor fonctlonne en mode Normal, 1- Calculer Is, Ic et Vee? On change le transistor NPN par un transistor PNP qui a les mémes caractéristeques. 2 = Faire le schéma du montage avec les Jonctions BE et BC. 3- Quelle est la tension Var? 4-En déduire Ia, Ic et Ver. Re Page |2 ‘Scan avec Camseanner§ ~ Deter mince Foxprewsion do Maynor the Geols}et des bf) sa 0 et ¥ eon, Exertlee 4; On considttre fe clreuit clcontre ; A u a u 1+ Comblen ce clrcult comportestell de: —| crc dipdtes, branches et nceutls ? ~] 2=Determifier les Hdments de , a gdndrateurs de Thdvenii (Em ot Rie) wu iq ( parla branche A et B 3= En didulre te courant délives par ke géndrateur Ey. y On donne : R=1KQ, Cy=6¥, E5*2V et E1s3V Exereice § En utilisant te modtle idéatde la diode, calculer Vexprossion du courant ly dans le circuit ¢i-cantee pour les cas suivants ; 1-Dlode D1: Bionuée, o1 be Diade D2 : Rloquite. 2 = Diode 01: Passante, Diode D2: Dloquite. Ty 3-Diode D1: Bloquée, —* af nl |e: Diode D2 : Passante, 5 4—Diode D1: Passante, Diode D2: Passante. R Exercice 6; On considére le montage ¢i-contre pour lequel : E=20V, B= 200, Vr =0,7V,Re=1kO et R= 100k. En Posant comme hypathdse : Transistor i fonctionne en mode Normal. t i tl A 1- Calculer Io, fe. 2- Verifier le mode de fonctiannement IR] du transistor chalsi. Sice n'est pas te cas Va I! reeateuler Ip. (Penscz a ulliser te Théaréme de Thévenin}, tage |? ‘Scan avec CamseannerGépartement de Preece Année uneven de: 2OLM7015 BAIS: Modake PADS Coamenste tires Mectaes ebtlecunnzes *Intants Limi 1A Seatlee| pies daoke | xaneit ! Conserver dans les calculs Fimpddance complexo des condensateurs sous la forme Zc fe plus langtomps passible. Exersien 1: . f E 1- Calculer Ia résistance équivalente vu c I entre Cet D du circuit cl-eontre. as Ondonne :R=1hO, B= 10Vetl=6 mA. \ “y ol Exercice 2 be clicult ci-cantre est alimenté par une tension sinusoidate ult) = U sinat. On cherche la valeur de i{t) = I sintust = ip} c . 1- Calculer son impédance complexe équivalonte sous forme Z-; = Xu) +] Yule 2- Calculer le déphasage entre ult} et Itt). 3- Déterminer Z; pour que Ze; soit équivalente 3 une résistance pure. Dans ce cas quelle est la nature de déphasage. Exerclkeo3: . 1 = Donner fa matrice représentatives de transfert du quadripdle ci-cantre. t TT 2~ Déterminer fa fonction de transfert hot | —, 4] ' #i(j) du clecult lorsqu'|l est utilisé en circuit ouvert (i= 0), sous forme : Ht fa)= { tei | avec. la 1 jen pulsation réduite et a un péel. On déterminara les expressions dec et.x en fonction da R, C ot w. a 3 Etablir 'expression do gain G(x) et Geo(x) exprimée en dB. 4—Démonter que l'expression de la phase ${t) s’écrit sous la forme: (a) = arctan(r) — arctanfax) page | ‘Scan avec CamseannerDépartement de Physique Année universitaire : 2017/2018 MIP ; Module P123/P1002 libre irc r Hs ronique | 2h Exercice 1; Exprimer la tension 12 en fonction de LW RI,R2,RB. ep ~~ ” Exprimer la tension Vs en fonction de vt Ifa 6. Ve, R1, R2, R3. os " ¢ Calculer le courant I. R2| IR Fy cea “ Exerclce 2: © itt el Le circuit ci-contre est alimenté par une tension sinusoidale e(t) = E sinot. * On cherche la valeur de i(t) = I cos(at +p) i(t) ox 1- Calculer impédance complexe équivalente du . circuit sous forme Zea = X(o) + j¥(a). + 3 2=Calculer le déphasage entre e(t) et i(t) e(th(4) v(t) -! 3—Ecrire la lai ‘Ohm généralisée pour une a résistance, une self et une capacité dans le cas du " courant alternatif. 1 t 4~ Etablir 'expression de la fonction de transfert Hijo) du circuit sous forme: a Mie - oe Ho) = . avec al et w? des pulsations rédultes. Mya cl Hf I4j> — yo v e, MY Hy t y / On déterminera l’expression de K en fonction de Rretl' expression de an et an Dy en fonction de R, , et L, OF 5~ Etablir expression de gain G(a) et Gea() exprimée en dB, Page |1 ‘Scan avec CamseannerExercice 3; On considére le circuit cl-dessous ; 1-Combien ce clreult comporte-til d 2-Simplitier le ciccult 4 deux m; 3-En utilisant "équivalence No Ae, I= a le mailles Indépendantes ? W ailles indépendantes, rton~ Thévenin, mantrer que le courant Tégal; Ex Exercice 4; En utilisant le modte Idéal de la diode pour D1 et D2, établir expression du Courant I dans le circuit clcontre pour les cas suivants : 1~ Diode D1: Bloquée, [=> Diode D2 : Bloquée, 2—Diode D1: Passante, - Diode D2: Bloquée. - 3-Diode D1: Bloquée, _ Diode 02 : Passante. — 4-Diode D1: Passante, Diode D2 : Passante, Exercice 5: On considére le montage ci-dessous pour lequel : E=20V, B= 200, Var = 0,6 V, Ver = 10Vetlc=1mA. 1- Quel est le type du transistor ? 2-Vérifier le type de fonctionnement du Transistor. 3~ Etablir la relation entre les courants Ir et In. 4—Calculer les valeurs des résistances. Page (2 ‘Scan avec Camseannerns de cours: 1 Rappeler les lols de Kirchhoff. Departement de Prysmue Anne universitaire 2012/2019 MIF Module F133, Eaamen de clreyits Hectriques et électroniques ; 2h 2+ Rappeler es divers modéles de la diode avec des schémas. Exercice Soit |e circuit ci-contre : a- Calculer la résistance équivalente vu entre Act B. b— Examiner le cas of | RyeR)=RyeR Exercice 2; 1- Solt le circult ci-contre : a> Exprimer Vy en fonction de Ri, Ra, Ay, Aa et E b- Exprimer Vv, en fonction de Ry, Ry et V3 + Déduire V; en fonction de Ri, Ra, Rs, Raet E. Exercice 3: 1+ Montrer que le quadripéle Q ci-contre est équivalent 4 deux quadripdles assaciés en paralléle Q1 et Q2 en précisant la nature de chacun. 2+ Determiner la matrice admittance des deux quadripdles, 3- Déduire la matrice admittance du quadripole Q. Exercice En utilisant le modéle ideal de la diode, établir Pexpression du courant I dans le Circuit ci-cantre pour les cas suivants a Diode bloquée. b- Diode passante. fe no" Page| ‘Scan avec CamseannerExercice S Le circuit ¢|-contre est allmenté par une tension sinusoidate' ult) = Usinlote) 1 etung intensité de ta forme ift)= 1 sinteot), 4 1-Caleuler Fimpédance complexe équivalente du circult sous forme Zeqta) = Xe} +) Yo) On poten tugs ae, . Wie 2= Donner la nouvelle expression de Zeq en fonction de L, Ret C. 3=Montrer que le déphasage entre u(t) et I(t} pour w = Gi s‘écrit sous la forme : 4—Déterminer le courant i: en fonction de i et déterminer le déphasage de iz Donner la nature de déphasage pour le cas ait ca = tn. par rapport 1, 9, §- Déterminer le courant iz en fonction de i et déterminer le déphasage de iz z+ Donner la nature de déphasage. par rapport ai, Exercice 6: On considére le montage ci-contre : 1- Etablir l'expression de la fonction de transfert Ho) du circult sous forme : | I+ A(joy= a, | en donnantl'expression de x + fhe etles vateus deaeta. Goal & “uz for) 2~Etablir expression de gain G{a) et Geala) exprimée en dB. 3 ~Etablir expression de la phase $(a). ea) Page (2 A = = ‘Scan avec Camseanner