P H4 Les 9 4-Elektrotechniek

Faculteit Toegepaste Ingenieurswetenschappen
Vermogenelektronische componenten
I. Halfgeleiderstructuren
II. Diode
III. Overzicht vermogenelektronische componenten
1
I. Halfgeleiderstructuren
Kristalstructuur in halfgeleiders
3
Geleiding in zuivere halfgeleiders

Geen vrije elektronen in Si- of Ge-kristal
! perfecte isolatoren
Door energie (licht, warmte of andere straling)
! valentie-elektronen kunnen echter vrije elektronen worden
Voor elk vrij elektron ontstaat lege plaats
kan eventueel ander vrij elektron plaatsnemen
lege plaats noemen we gat.
4
Geleiding in zuivere halfgeleiders
Proces waarbij vrije elektronen en gaten ontstaan, noemen we

generatie.
Wanneer vrij elektron plaats in gat vult, verdwijnen beide.

Dit proces noemen we recombinatie.
Generatie en recombinatie balanceren zichzelf (thermisch

evenwicht)
5
Gatenstroom
Als elektron van gat naar gat springt
! lijkt alsof de gaten in andere richting opschuiven.
! we beschouwen gat als positieve ladingsdrager is.
De negatieve elektronen die van gat naar gat springen in de ene
richting, kunnen we vervangend indenken als een “gatenstroom” in
de andere richting.
Zowel elektronenstroom (negatief) als gatenstroom (positief)
verlopen volgens conventionele stroomzin in dezelfde zin.
6
Gatenstroom
Geleiding gebeurt wel degelijk door bewegende elektronen.
Het is in bepaalde gevallen gemakkelijker om de geleiding te
benaderen alsof ze deels gebeurt d.m.v. gaten.
7
P en N halfgeleiders
Zuivere halfgeleiders hebben beperkte geleidbaarheid
Elektrisch weinig interessant.
Geleidbaarheid vergroten door andere stoffen toe te

voegen: verontreinigen of doperen
2 soorten verontreinigingsmateriaal:
P-halfgeleidermateriaal of N-halfgeleidermateriaal.
8
P-halfgeleider
Verontreinigd met stof met 3 valentie-elektronen
Voorbeeld: Aluminium (Al) of Gallium (Ga).
!1 elektron te weinig voor edelgasstructuur
!eventueel vrij elektron zal niet lang vrij blijven en vult
gat, maar laat nieuw gat achter.
!vrij gat
!veel vrije gaten, nauwelijks vrije elektronen in de
structuur
Opmerking:
evenveel elektronen als protonen in structuur
! structuur globaal elektrisch neutraal.
9
P-halfgeleider
Zo’n P-kristal kan relatief veel vrije gaten genereren, dus

elektronen opnemen
Acceptormateriaal.
Geleiding gebeurt hoofdzakelijk door gatenstroom
10
N-halfgeleider
Verontreinigd met stof met 5 valentie-elektronen

Voorbeeld: Fosfor (P) of Arsenicum (As)
!1 elektron te veel voor edelgasstructuur
!vrij elektron
Eventueel vrij gat, vlug gevuld
!veel vrije elektronen, nauwelijks vrije gaten
in de structuur
Opmerking:
evenveel elektronen als protonen in structuur
! structuur globaal elektrisch neutraal.
11
N-halfgeleider
Zo’n N-kristal kan relatief veel vrije elektronen genereren

Donormateriaal.
Geleiding gebeurt hoofdzakelijk door elektronenstroom
12
PN-overgang zonder aangelegde

spanning
P-kristal in contact met N-kristal
!elektronen uit N-laag zullen recombineren met gaten uit P-laag.
! transport van elektronen van N naar P ! N-kristal blijft positief
achter
Recombinatie van deze elektronen met gaten in P-laag ! P-kristal
blijft negatief achter
!Transport stopt
13

spanning
" Hoe meer elektronen N-kristal afgeeft, hoe positiever het

wordt en hoe sterker het zijn elektronen zal aantrekken en
trachten bij te houden.
" Het P-kristal wordt tegelijkertijd steeds meer negatief geladen
en zal steeds sterker elektronen van het N-kristal afstoten.
14

spanning
! Er ontstaat zone waar geen vrije elektronen of gaten meer zijn
verarmingsgebied, diffusiegebied of grenslaag
!In dit gebied zitten veel vaste ionen ! kristallen krijgen daar
tegengestelde ladingen
P-blokje wordt negatief geladen en N-blokje wordt positief geladen.
!er ontstaat door deze ladingen een potentiaalverschil tussen de
kristallen.
diffusiespanning of sperspanning Ud
(afhankelijk van soort materiaal van de halfgeleider en van de
temperatuur)
Voor Si: 0,6 à 0,7 Volt
Voor Ge: 0,2 à 0,3 Volt.
15
PN-overgang aangesloten in doorlaat
Elektronen worden weggetrokken uit P-laag en aangeboden aan N-

laag
!Sperlaag versmalt
Als Ubron < Ud
! sperlaag dunner maar blijft aanwezig
! stroom door PN-overgang blijft klein
Als Ubron ≥ Ud
! sperlaag wordt door bronspanning volledig opgeheven.
! ladingsdragers ondervinden geen hinder meer in PN-overgang en kunnen
vrij door PN-overgang
! grote stroom door PN-overgang
16
PN-overgang aangesloten in sper
Door krachtwerking bron

!Extra elektronen worden weggetrokken uit N-laag
!Extra elektronen worden aangeboden aan P-laag ! lading
neemt toe
!Sperlaag neemt toe
17
Lekstroom of sperstroom
Thermische energie
!Generatie van elektron-gat paren in sperlaag
!Elektron wordt aangetrokken door N-laag en afgestoten door
P-laag
!Gat wordt opgevuld door elektron uit P-laag
!Bron zal onbalans herstellen
!Teveel elektronen in N-laag, te weinig elektronen in P-
laag
!Inverse stroom die ontstaat is lekstroom of sperstroom
!Zeer klein (pA of µA)
!Neemt sterk toe met stijgende temperatuur
18
Doorslag van de PN-junctie
• Als sperspanning te groot

- Grote inverse stroom
- PN-junctie slaagt door
- PN-overgang meestal vernietigd
19
Besluit PN-junctie
• Voorwaartse polarisatie (in doorlaat)
- PN-junctie laat grote stroom door op voorwaarde dat
bronspanning groter wordt dan de diffusiespanning.
- Bij lagere bronspanning ontstaat slechts kleine
stroom.
• Inverse polarisatie (in sper)

- PN-junctie laat zeer kleine sperstroom door.
- Bij te grote sperspanning slaagt junctie door
! zeer grote inverse stroom
! PN-junctie meestal vernietigd.
20
II. Diode
Inleiding
Diode = PN-junctie
Symbool
Eigenschap: diode laat stroom door in richting van pijl
Markering
22
Diode in doorlaat
RL = 100 Ω
Silicium ! Ud = 0,7 V
23
Diode in sper
24
Beperkingen
" In doorlaat
IF < IFmax ! Pd < Pdmax = UF.Ifmax
anders teveel warmte-ontwikkeling
(cfr grafisch: dissipatiehyperbool)
Voorbeeld
" In sper
anders doorslag
(uitz.: zener- en avalanchediodes)
25
Diodekarakteristiek
Analytische formule op basis van wetten uit vaste stoffysica.
Verband tussen stroom door en spanning over diode.
ID stroom door diode
VD spanning over diode
VD IS de inverse saturatiestroom, typisch 10-6 … 10-9 A
mm
I D = IS .(e
− 1) ηkT / e η
k
empirische constante = 1 … 2
constante van Boltzman = 1,38.10-23 J/K
T temperatuur in Kelvin
e lading van een elektron = 1,602.10-19 C
Bij kleine of negatieve spanningen over diode ! stroom klein (= IS), diode is in sper,
weerstand is dan ∞.
Bij kleine positieve spanning ! stroom klein en vanaf bepaalde spanning
(de kniespanning) neemt stroom toe.
Als spanning vergroot ! stroom stijgt en ook elektrisch vermogen.
Boven een toegelaten waarde ! diode brandt door ! weerstand opnemen in kring.
26
Diodekarakteristiek
doorlaat-
karakteristiek
Opgelet
verschillende schalen
voor doorlaat- en
sperkarakteristiek sper-
karakteristiek
27
Diodekarakteristiek: opmerkingen
Knikspanning tussen doorlaat en sper
doorlaatspanning Ud
break point-voltage (BPV)
treshold voltage
offset voltage
cut-in voltage
Voor Ge
0,2 V à 0,3 V
Voor Si
signaaldiodes: 0,6 V à 0,7 V
vermogendiodes: tussen 1 V en 2 V
28
Temperatuurafhankelijkheid
sperspanning stijgt
bij stijgende T°
Ud = -2mV/K
29
Doorslag
" Zener effect
Inverse spanning # ! elektronen uit vaste atoomstructuur
! vrije elektronen # ! inverse stroom #
! Diode stuk tenzij zener-diode
" Lawine effect

Inverse spanning # ! elektronen energie # ! bij botsing meer elektronen
vrij ! lawine effect.
! diode stuk tenzij avalanche-diode
" Thermische doorslag (opl.: goede keuze, goede koeling)

Sterke stroom in doorlaat ! warmte #
! elektron-gat paren # ! stroom # ! T° #
Daarna invers polariseren
! doorslag bij lagere spanning dan sperspanning
30
Diode doormeten
Met digitale multimeter op stand diodetest.
meter tracht constante stroom (bvb 5 mA) door diode te sturen
door klemspanning aan te passen.
In doorlaat: meter toont de doorlaatspanning
In sper: meter zet “buiten bereik” aanduiding op display
Meter geeft in beide richtingen doorlaatspanning aan

! diode is kortgesloten
Meter geeft in beide richtingen “buiten bereik” aan
! diode is onderbroken
Maar !!! Bij diodes met grotere Ud (bijv.: LEDs) tonen sommige
meters zowel in doorlaat als in sper foutief “buiten bereik” aan.
31
Diode modellen
VD
ηkT / e
I D = IS .(e − 1)
Echte wet moeilijk om mee te rekenen
! Eenvoudige karakteristieken nemen om berekeningen te

vereenvoudigen
! Perfect bruikbaar bij diode als schakelaar
32
Vervangingsschema in doorlaat
↳
meestgebtvihtinve.mg enlarges
V0 Of 0ns
33
Vervangingsschema in sper
34
" ""
Statische weerstand
"" "
°"
Ñ÷hÑ
Kenner
Wet van Ohm toegepast op diodekarakteristiek
35
L
Junctiecapaciteit
" Diode van sper naar doorlaat
" Sperlaag vullen met vrije ladingsdragers
" Zoals opladen van condensator
" Laadstroom door diode
" Diode van doorlaat naar sper

" Vrije ladingsdragers afvoeren
" Ontladen van capaciteit
" Ontlaadstroom door diode
" Capaciteit in equivalent schema

" Waarde zeer laag
" Van belang bij hoge frequenties
36
Soorten diodes
" Signaaldiode
" Vermogendiode Lin her heel stcbio
voltage
levees ,
onayhinlelijh
uld Strom
spell
"
in
Zenerdiode →
" LED effect

capacity
" Varicap acceneueerrt
→
" Fotodiode
" Zonnecel
" Schottkydiode
37
Aansluiting soorten diodes
38
Signaaldiodes
" ontworpen voor lage spanningen en stromen

! kunnen klein vermogen dissiperen
" kunnen snel reageren (snelle afbouw en opbouw van de
sperlaag), d.w.z. kleine parasitaire capaciteit (zie varicap)
!klein contactoppervlak aan PN-overgang
Toepassingen
" detectie van signalen
" schakelen van signalen
39
Vermogendiodes
" ontworpen voor grote spanningen en stromen

! kunnen groot vermogen dissiperen
! groot contactoppervlak aan PN-overgang
! grote parasitaire capaciteit (= nadeel)
Toepassing
gelijkrichting van wisselspanning
40
Zenerdiodes
Ontworpen om in het doorslaggebied te werken
Doorslagspanningen:
1 V tot 270 V
Max. dissipatievermogen:
0,4 W tot 75 W
Toepassing Eypisch weihgebied
spanningsstabilisatoren en clampers
41
LEDs
LED = Light Emitting Diode

geeft licht waarvan energie evenredig is met
stroom erdoor
kleur bepaald door halfgeleidermateriaal en
dopering
42
LEDs
Eigenschappen
lange levensduur (tot 50000 uren)
grote schokbestendigheid
schakelt snel
lage spanning (echter ook lage sperspanning)
hoog rendement (10 mA – 30 mA)
goedkoop
milieuvriendelijk
lange poot = anode
Toepassingen
remlichten
tuinverlichting met ingebouwde zonnecellen
laserdiode in CD, DVD
vervanging van gloeilampen en TL-lampen
43
Led op gelijkspanning
44
Led op wisselspanning
Maximale inverse spanning LED zeer laag (ca.: 4 V)

! diode in antiparallel ! inverse spanning led = 0,7 V
Stroom kan nu beperkt worden door impedantie van condensator
45
LEDs
TweekleurenLED (meestal rood - groen)
2 aansluitingen: 2 LEDs antiparallel
3 aansluitingen: 1 gemeenschappelijke aansluiting
RGB LED (multicolor, fullcolor)

4 aansluitingen: 1 gemeenschappelijke aansluiting
IR LED (infrarood)
onzichtbaar licht
voor afstandsbediening, optocoupler
HogehelderheidsLED
sinds 2000
vervangen gloeilampen
46
Capaciteitsdiode of varicap
Varicap: in sper gebruikt

Diode in sper = condensator
P- en N-blokje = geleider met sperlaag (isolator)
Sperspanning verhogen ! sperlaag dikker ! C kleiner
C regelbaar d.m.v. aangebrachte sperspanning
Eigenschappen
regelbaar, eventueel op afstand
ongevoelig voor mechanische trillingen
47
Fotodiode
in sper gebruikt
zet licht om in energie
licht ! meer ladingsdragers ! meer sperstroom
Eigenschappen
grote gevoeligheid
grote schakelsnelheid
klein volume
Toepassingen
signalen (via glasvezel)
ontvangen en gegevens
snel doorsturen
48
Zonnecel
zet licht om in energie

zoveel mogelijk energie halen uit invallend (zon)licht
Stroom en spanning (openklemspanning is 0,3 V tot 0,6 V) laag

! cellen in parallel en groepen in serie plaatsen
49
Schottkydiode
Speciale diode
Voordelen
lage voorwaartse spanning (0,15 V tot 0,45 V)
maar ook lage inverse spanning (80 V tot 100 V)
snel schakelgedrag (10 tot 1000 keer zo snel) wegens lage junctiecapaciteit
minder warmte-ontwikkeling
Nadelen
hoge kostprijs
max. inverse spanning beperkt (tot ca. 100 V)
hoge sperstroom
50
III. Overzicht
vermogenelektronische
componenten
Vermogenelektronische schakelaars
• Diode
• SCR (Silicon Controlled Rectifier)
eenrichtingsthyristor
• Triac (Triode for Alternating Current)
• GTO (Gate Turn Off) Thyristor
• BJT (Bipolaire Junctie Transistor)
• Vermogenmosfet
(fet = Field Effect Transistor)
(mos = Metal Oxide Semiconductor)
• IGBT (Insulated Gate Bipolaire Transistor)
52
Diode
• Geen actieve schakelaar
• Laat positieve stroomtransities door
• Blokkeert negatieve stroomtransities
53
SCR of eenrichtingsthyristor
54
" Zoals diode, maar inschakelbaar via
$ Positieve spanningspuls op gate
$ Lichtpuls op gatejunctie
" Ongewenste inschakelverschijnselen via

$ Te hoge spanning tussen anode en kathode
$ Te grote dV/dt
$ Te hoge temperatuur
55
SCR of eenrichtingsthyristor doven

" Stroom onder houdstroom brengen, door
spanning anode-kathode om te keren:
" Bij wisselstroom gebeurt dit vanzelf
" In andere gevallen via hulpcircuit
" Schakelt snel in

" Schakelt traag uit
56
57
Triac
58
Triac
• Triode for Alternating Current

• 2 anti-parallel geschakelde eenrichtingsthyristoren
met 1 gate-aansluiting.
• Inschakelen via positieve of negatieve
spanningspuls op gate.
59
Nadelen triac
• lagere gevoeligheid voor ontsteking aan de poort
• langere afschakeltijd
• verdragen geen inductieve last zoals een motor
• verdragen geen grote stromen (max. 100 A)
60
GTO thyristor
• Gate Turn-Off thyristor

• Inschakelen via positieve stroompuls op gate
• Afschakelen via negatieve stroompuls op
zelfde gate.
• Nadelen:
- lage afschakelversterking
(bijv.: voor GTO van 3000 A is afschakelstroom
van 750 A nodig is).
- schakelfrequentie beperkt tot 2 KHz.
61
BJT
• Bipolaire junctietransistor
• Lage stroomversterking ! darlington
(tot 1200 V bij 800 A)
62
Vermogenmosfet
• Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
63
IGBT
• Insulated Gate Bipolaire transistor
64

P H4 Les 9 4-Elektrotechniek

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

P H4 Les 9 4-Elektrotechniek

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Faculteit Toegepaste Ingenieurswetenschappen

III. Overzicht vermogenelektronische componenten

Geleiding in zuivere halfgeleiders

Geleiding in zuivere halfgeleiders

Proces waarbij vrije elektronen en gaten ontstaan, noemen we

Wanneer vrij elektron plaats in gat vult, verdwijnen beide.

Generatie en recombinatie balanceren zichzelf (thermisch

Geleidbaarheid vergroten door andere stoffen toe te

Zo’n P-kristal kan relatief veel vrije gaten genereren, dus

Verontreinigd met stof met 5 valentie-elektronen

Zo’n N-kristal kan relatief veel vrije elektronen genereren

PN-overgang zonder aangelegde

PN-overgang zonder aangelegde

" Hoe meer elektronen N-kristal afgeeft, hoe positiever het

PN-overgang zonder aangelegde

PN-overgang aangesloten in doorlaat

Elektronen worden weggetrokken uit P-laag en aangeboden aan N-

PN-overgang aangesloten in sper

Door krachtwerking bron

Doorslag van de PN-junctie

• Als sperspanning te groot

• Inverse polarisatie (in sper)

Eigenschap: diode laat stroom door in richting van pijl

" Lawine effect

" Thermische doorslag (opl.: goede keuze, goede koeling)

Meter geeft in beide richtingen doorlaatspanning aan

Echte wet moeilijk om mee te rekenen

! Eenvoudige karakteristieken nemen om berekeningen te

! Perfect bruikbaar bij diode als schakelaar

Wet van Ohm toegepast op diodekarakteristiek

" Diode van doorlaat naar sper

" Capaciteit in equivalent schema

" LED effect

Aansluiting soorten diodes

" ontworpen voor lage spanningen en stromen

" ontworpen voor grote spanningen en stromen

LED = Light Emitting Diode

Maximale inverse spanning LED zeer laag (ca.: 4 V)

RGB LED (multicolor, fullcolor)

Varicap: in sper gebruikt

zet licht om in energie

Stroom en spanning (openklemspanning is 0,3 V tot 0,6 V) laag

• Geen actieve schakelaar

• Laat positieve stroomtransities door

• Blokkeert negatieve stroomtransities

" Ongewenste inschakelverschijnselen via

SCR of eenrichtingsthyristor doven

" Schakelt snel in

• Triode for Alternating Current

• lagere gevoeligheid voor ontsteking aan de poort

• verdragen geen inductieve last zoals een motor

• verdragen geen grote stromen (max. 100 A)

• Gate Turn-Off thyristor

• Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

• Insulated Gate Bipolaire transistor

You might also like