43 17 kwietnia 2003

WYKŁAD 5
TRANZYSTORY BIPOLARNE
Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwu złącz pn :

p n p n p n
p n p

kolektor baza emiter baza

kolektor baza emiter kolektor emiter

W rzeczywistości budowa tranzystora znacznie różni się od schematu pokazanego powyżej :

emiter

baza

kolektor

(PRZYKŁAD TRANZYSTORA PLANARNEGO )

 44 17 kwietnia 2003

Działanie tranzystora (na przykładzie tranzystora pnp):

W stanie bez polaryzacji zewnętrznej dziury z
emitera nie przenikają do kolektora, gdyż są blokowane kolektor baza emiter
p n p
przez barierę potencjału emiter-baza. Podobna bariera
potencjał
potencjału istnieje na złączu baza-kolektor. Φ Φ
Po przyłożeniu zewnętrznej różnicy potencjałów
między kolektor i emiter (baza pozostaje z niczym
niepołączona) również nie obserwuje się przepływu prądu. Napięcie UCE odkłada się na zaporowo
spolaryzowanym złączu baza-kolektor.

UCE

Jeżeli między bazę i emiter zostanie przyłożone B

C E
napięcie UBE zmniejszające tę barierę potencjału, dziury z
emitera dostana się do bazy, a następnie, o ile nie
zrekombinują w niej, przedyfundują do kolektora,
tworząc prąd IC. Regulując napięcie UBE regulujemy potencjał
Φ
wysokość bariery potencjału za tym złączu, kontrolując Φ+UCE
jednocześnie ilość dziur dostających się do bazy. Dzięki
temu za pomocą sygnału elektrycznego dostarczanego do
bazy kontrolujemy oporność między emiterem i
kolektorem. Tak działa UCE

TRANSfereable rezISTOR. IC UBE

Aby wystąpił efekt tranzystorowy (by IB

C B E
dziury nie zrekombinowały w bazie),
potencjał
Φ-UBE
baza musi być odpowiednio cienka. Czas
Φ+UCE
rekombinacji dziur w bazie musi być
znacznie dłuższy niż czas ich dyfuzji
przez bazę !!!

Działanie tranzystora npn jest analogiczne, jednak kierunki napięć i prądów są

odwrotne niż w przypadku pnp, a nośnikami prądu kolektora są elektrony
 45 17 kwietnia 2003

kolektor baza emiter

złącze B-C złącze B-E

IE=IC+IB
prąd emitera
IC
prąd
kolektora

prąd rekombinacji
elektronów w emiterze
IB
prąd rekombinacji
prąd bazy dziur w bazie

Rozkład prądów w tranzystorze bipolarnym

Obniżenie bariery potencjału na złączu baza-emiter umożliwia dyfuzję dziur do bazy. W ten
sposób powstaje prąd emitera IE. Niewielka część dziur rekombinuje w bazie. Przez obniżoną
barierę potencjału z bazy do emitera dostają się elektrony, gdzie także rekombinują. Dlatego, by
utrzymać barierę potencjału baza - emiter na odpowiednim poziomie, z bazy do zewnętrznego
źródła musi wypływać prąd IB, równoważący powyższe procesy rekombinacyjne. Jednak większość
dziur, zanim zdąży zrekombinować w bazie, dociera do złącza baza-kolektor. Bariera potencjału
na tym złączu nie stanowi dla dziur przeszkody, dzięki czemu dziury dostają się do kolektora,
tworząc prąd IC.

Zachodzi relacja : I E = I C + I B .
O ile zewnętrzne źródła zezwalają, prąd IC jest proporcjonalny do prądu IB.
IC
Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora : β = h21E = ma wartość od kilku do
IB
kilkuset (zwykle β≈100).

IC
IC
0.5 A 5
4
3
2
1
IB=0 mA

Up UEB UCE
 46 17 kwietnia 2003

Prąd kolektora IC narasta wraz z napięciem baza-emiter β-razy szybciej niż prąd tego złącza
IB. Prąd kolektora zależy od prądu bazy, lecz słabo zależy od napięcia kolektor-emiter (UCE).
Należy pamiętać, że wprowadzenie prądu do bazy (a tym samym wywołanie przepływu prądu
kolektora) jest możliwe, gdy napięcie UBE przekroczy napięcie przewodzenia złącza danego
typu (0.65 V dla krzemu, 0.35 V dla germanu)

WZMACNIACZE TRANZYSTOROWE
Wzmacniacz jest to układ, w którym energia
ZASILANIE
z zasilacza jest zamieniana na energię sygnału
wyjściowego. Sygnał wyjściowy jest funkcją
sygnału wejściowego.
WEJŚCIE WYJŚCIE
Wzmacniacz tranzystorowy jest specjalnym,
sterowanym dzielnikiem napięcia zasilającego.
Jednym z rezystorów w tym dzielniku jest
tranzystor. Dla tranzystora bipolarnego mamy trzy WYPROWADZENIE WSPÓLNE

podstawowe układy wzmacniające :

zasilanie E E E

WE
RL RL

WE WY WY WY
RL

WE

o wspólnym emiterze o wspólnym kolektorze o wsp. bazie

Założymy, że napięcie wejściowe wzmacniacza składa się z podkładu stałego UWE0 i

składowej zmiennego amplitudzie UWE : uWE(t) = UWEcos(ωt) +UWE0,, przy czym podkład stały
pełni tylko rolę pomocniczą, natomiast sygnałem użytecznym jest składowa zmienna. Podobną
postać ma napięcie wyjściowe. Zakładamy tę samą postać również dla prądów wejściowych i
wyjściowych. Wszystkie parametry wzmacniacza określamy tylko dla składowej zmiennej. Z
zasady działania dzielnika napięcia wynikają następujące własności powyższych wzmacniaczy :
 47 17 kwietnia 2003

Nr Wzmacniacz o : WSPÓLNYM WSPÓLNYM WSPÓLNEJ

EMITERZE KOLEKTORZE BAZIE
1 Wzmocnienie napięciowe duże <1 duże
2 Wzmocnienie prądowe duże duże <1
3 Przesunięcie fazowe między
sygnałem wejściowym i 1800 00 00
wyjściowym
4 Pasmo przenoszenia małe średnie duże
1. Wzmacniacz o wspólnym emiterze :
• Prąd wyjściowy (prąd płynący przez rezystor RL) jest prądem kolektora, jest więc duży, bo β-
krotnie większy od prądu wejściowego - prądu bazy. Dlatego wzmocnienie prądowe tego
układu jest duże.
• Stosując odpowiednio duży rezystor pracy RL można uzyskać na nim duży spadek napięcia, a
więc i duże wzmocnienie napięciowe.
• Wzmacniacz ten charakteryzuje się więc dużym wzmocnieniem mocy.
• Wzrost napięcia wejściowego powoduje zwiększenie prądu bazy tranzystora, a więc
zmniejszenie jego rezystancji między emiterem i kolektorem, czyli (z zasady dzielnika napięcia )
spadek napięcia wyjściowego. Analogicznie, przy zmniejszającym się napięciu wejściowym
nastąpi wzrost napięcia wyjściowego. Zachodzi więc odwrócenie fazy napięcia wyjściowego
względem wejściowego.
2. Wzmacniacz o wspólnym kolektorze :
• ma wzmocnienie napięciowe UWY/UWE<1 bo : UWE = UBE + UWY. Ponieważ nie ma odwrócenia
UWY UWY
fazy sygnału uzyskujemy, że wzmocnienie napięciowe : = < 1.
UWE UWY + U BE

• prąd wyjściowy jest prądem emitera, jest więc β+1 razy większy od prądu wejściowego - prądu
bazy. Wzmocnienie prądowe jest więc duże.
3. Wzmacniacz o wspólnej bazie :
• prąd wejściowy jest prądem emitera : IWe = I B (β + 1) , a prąd wyjściowy jest prądem kolektora :

IWY β
IWY = I B β . Wzmocnienie prądowe : = < 1.
IWE β + 1

• Mimo to stosując odpowiednio duży rezystor RL można uzyskać duże zmiany napięcia na
wyjściu i tym samym duże wzmocnienie napięciowe.
 48 17 kwietnia 2003

PASMO WZMOCNIENIA.
Pasmo wzmocnienia jest określone przez własności tranzystora (jego wielkości
pasożytnicze) oraz sposób jego współdziałania z obwodem wzmacniacza.
1. Pasożytnicze pojemności tranzystora :
Każdy rzeczywisty tranzystor charakteryzuje się różnymi wielkościami pasożytniczymi, z
których najważniejsze to: rozproszona rezystancja bazy rbb oraz pojemności baza-emiter Cbe i baza-
kolektor Cbk

K K

Ckb
B B

<≡> rbb

Ceb
E E
.
Pasożytnicza pojemność między
β
bazą a emiterem (Cbe) tworzy wraz z 1001
rozproszoną rezystancją bazy (rbb) filtr
dolnoprzepustowy, który przy wysokich
częstotliwościach bocznikuje złącze baza- 100,1
częstotliwość
emiter, zmniejszając przepływający graniczna
tranzystora :
przezeń prąd sterujący tranzystor. W β(fT)=1
rezultacie współczynnik wzmocnienia 1
0,01
10 100 1000 10000
prądowego tranzystora maleje wraz ze czestotliwość fT
wzrostem częstotliwości.
Pasmo wzmocnienia tranzystora jest ograniczone przez jego częstotliwość graniczną fT ;
powyżej tej częstotliwości współczynnik wzmocnienia prądowego β jest mniejszy od jedności.

2. Efekt Millera.
W pewnych układach - np. we wzmacniaczu o wspólnym emiterze - pasmo przenoszenia
jest znacznie mniejsze niż fT na skutek oddziaływania pasożytniczej pojemności kolektor - baza
Ckb. rezystancją źródła sygnału RWYG i rozproszoną rezystancją bazy rbb. W układzie tym napięcie
wyjściowe - będące napięciem kolektora - ma fazę przeciwną niż napięcie wejściowe, czyli
napięcie bazy. Przy wysokich częstotliwościach prąd z kolektora przenika do bazy przez układ
 49 17 kwietnia 2003

górno przepustowy Cbk(RWYG+rbb), osłabiając sygnał sterujący tranzystor. Jest to tzw. efekt
Millera.
Oddziaływanie sygnału wyjściowego na sygnał E

wejściowy nazywamy
Cbk
sprzężeniem zwrotnym RWYG WY
Pasmo przenoszenia wzmacniacza
rbb
określa się podobnie jak pasmo przenoszenia
filtru : dla częstości granicznych wzmacniacza
wzmocnienie jest mniejsze o 1 2 w stosunku źródło sygnału wzmacniacz

do wzmocnienia maksymalnego.
Uwy/Uwe
Nie należy mylić częstotliwości granicznej
U WY
wzmacniacza z częstotliwością graniczną 2U WE MAX

tranzystora.
Efekt Millera praktycznie nie występuje w
układzie o wspólnym kolektorze, gdyż kolektor
pasmo przenoszenia
tranzystora jest połączony z niskorezystywnym
źródłem zasilania, czyli źródłem napięcia stałego.
νg Częstotliwość
Również w układzie o wspólnej bazie nie ma
oddziaływania wyjścia wzmacniacza na wejście przez pojemność CBC, gdyż napięcie wejściowe
wzmacniacza jest napięciem emitera, a baza ma ustalony potencjał.

WYZNACZANIE PUNKTU PRACY (ustalanie wejściowego prądu składowej stałej).

Ponieważ tranzystor npn może pracować

UWE
liniowo tylko wtedy, gdy napięcie UBE
przekroczy napięcie przewodzenia danego typu
złącza (0.65 V), gdyby na wejście wzmacniacza
skierować sygnał sinusoidalny, powstałby na UWY czas

wyjściu wzmocniony sygnał o kształcie podobnym

do przebiegu „wyprostowanego jednopołówkowo”.
 50 17 kwietnia 2003

Dlatego, aby otrzymać wzmacnianie pełno UWE

okresowe należy do wzmacnianego sygnału zmiennego
(zmiennego prądu bazy) dodać podkład stały (stały prąd czas
bazy).
UW
Układy automatycznego dodawania podkładu
stałego nazywają się układami polaryzacji lub układami
określającymi punkt pracy tranzystora. Przykład takiego
układu podano obok. Prąd polaryzacji jest kierowany
do bazy tranzystora za źródła zasilania za pomocą
opornika Rb. Kondensatory C1 i C2 służą do
odseparowania podkładu stałego od wejścia i wyjścia
wzmacniacza (sprzężenie AC).
Aby znaleźć optymalny punkt pracy
tranzystora posługujemy się najczęściej graficzną
analizą jego charakterystyk. Postępuje się
wówczas według następującego schematu:
1. Przestrzeń punktów pracy, czyli punktów o
współrzędnych (UCE, IC), w jakich może
znajdować się tranzystor (bez dodatkowych
elementów) jest ograniczona przez hiperbolę
IC hiperbola mocy
maksymalnej dopuszczalnej cieplnej mocy PMAX=IC·UCE
strat tranzystora, określonej w katalogu PUNKT PRACY
przez producenta : PMAX=IC·UCE.
E/RL
Przekroczenie jej grozi spaleniem
IB0
tranzystora.
2. Jeżeli tranzystor współpracuje w układzie
dzielnika napięcia z rezystorem RL,
przestrzeń punktów pracy ogranicza się do
E UCE
prostej opisanej równaniem : UCE=E-RL·IC
Prosta obciążenia
(tzw. prosta obciążenia). W praktyce należy E-RL·IC

tak dobrać napięcie zasilania wzmacniacza E

oraz opór pracy RL , by prosta ta była styczna do hiperboli obciążenia (lub przebiegała nieco
poniżej).
 51 17 kwietnia 2003

3. Prosta obciążenia przecina oś napięć kolektor-emiter w punkcie E, a oś prądów kolektora w

punkcie E/RL. Żaden z tych parametrów nie może przekraczać maksymalnych wielkości
tranzystora (ICmax, UCEmax) dopuszczonych przez producenta.
4.Środkowy punkt odcinka prostej obciążenia leżący w powyżej przedstawionej ćwiartce układu
współrzędnych odpowiada optymalnemu punktowi pracy wzmacniacza. Z odpowiadającej mu
gałęzi charakterystyki tranzystora można odczytać optymalny prąd polaryzacji IB0 (czyli prąd
stałego podkładu), jaki należy wprowadzić do
bazy. Pozwala to wyznaczyć wartość opornika Rb wzmocnienie k

z równania : E-0.65V=IB0·Rb. wpływ

sprzężenia
5. Dobór pojemności sprzęgającej C1 powinien wpływ
uwzględniać pasmo przenoszenia wzmacniacza, 2-1/2
kmax tranzystora

gdyż C1 wraz z rezystancją wejściową układu

tworzą filtr górno przepustowy. Dla wysokich
częstotliwości pasmo przenoszenia wzmacniacza
pasmo
częstotliwość
jest ograniczone przez własności tranzystora. Jeżeli 4.
budowany jest wzmacniacz o wspólnym emiterze, ze względu na efekt Millera katalogowa
częstotliwość graniczna tranzystora fT powinna być przeszło 100 razy większa niż
przewidywana górna granica pasma przenoszenia wzmacniacza.

Znanych jest wiele schematów polaryzacji

tranzystorów. Powyżej opisano najprostszy z nich,
obok przedstawiono jeden z najczęściej stosowanych

Opisane powyżej wzmacniacze o wspólnej

bazie, wspólnym emiterze i wspólnym kolektorze są
układami podstawowymi. Inne wyspecjalizowane
wzmacniacze (np. wzm. mocy, wzm. rezonansowe,
wzm. wielkiej częstotliwości, wzm. różnicowe itd)
są ich modyfikacjami , ewentualnie kombinacjami.
 52 17 kwietnia 2003

PRACOWNIA WSTĘPNA
Instrukcja do ćwiczenia pt.
„Tranzystor bipolarny; wzmacniacz tranzystorowy”

1. Cel ćwiczenia.
Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z tranzystorem bipolarnym, wyznaczenie jego
charakterystyk: IC(UCE) dla różnych prądów bazy, a następnie zbudowanie i przebadanie
wzmacniacza o wspólnym emiterze.
2. Wymagania.
• Znajomość całego materiału przedstawionego do tej pory na wykładach i podczas ćwiczeń.
• Umiejętność posługiwania się generatorem, oscyloskopem, zasilaczem i woltomierzem.
• Znajomość fizycznych podstaw działania diod, tranzystorów.
• Znajomość podstaw budowy wzmacniaczy tranzystorowych
3. Wykonanie ćwiczenia.
Część pierwsza
• Zlutować obwód pomiarowy z tranzystorem
bipolarnym. Jako napięcie E zasilające układ
wykorzystać należy sygnał z generatora podawany
przez jedno z gniazd BNC. Drugie gniazdo
koncentryczne będzie połączone z wyjściem
wzmacniacza. Jako napięcie wejściowe UWE należy
zastosować stałe napięcie z zasilacza podawane na

gniazda radiowe.
zasilacz woltomierz
UWE
• Zmontować układ pomiarowy.
Napięcie E z generatora powinno być
sygnałem liniowo narastającym, o
obwód
napięciach zmieniających się od 0 do 5
WY
V i częstotliwości około 1000 Hz. oscyloskop
Napięcie to należy jednocześnie generator
normal
skierować do pomiaru w kanale A E ext.
oscyloskopu. Napięcie wyjściowe
(napięcie na tranzystorze) trig.
przedstawiamy w
 53 17 kwietnia 2003

kanale B.

• Zmierzyć zależności UWY(E) dla kilku napięć UWE w zakresie od 0 do 10 V dostarczanych do

układu z zasilacza. Napięcie UWE mierzymy za pomocą woltomierza. Na podstawie otrzymanych
U WE − 0.65V E − U WY
wyników posługując się związkami : I B = , IC = , UCE=UWY wyznaczyć
RB RC
charakterystyki IC(UCE) dla różnych prądów bazy IB.

• Wykreślić rodzinę charakterystyk tranzystora.. Począwszy od „kolana” obserwowanego dla

niskich napięć charakterystyki należy przybliżać za pomocą prostych. Przedłużyć
charakterystyki do napięć około kilkunastu woltów.

• Znaleźć optymalny punkt pracy dla wzmacniacza o wspólnym emiterze, który zostanie
wykonany w II części niniejszego doświadczenia. W tym celu na rodzinie charakterystyk
wykreślić prostą obciążenia dla napięcia zasilania E=12 V i rezystancji obciążenia RL = 1.5 kΩ.
Oznaczyć punkt pracy o współrzędnej UCE = 6 V. Z charakterystyki tranzystora przecinającej
prostą obciążenia w punkcie pracy odczytać optymalny prąd polaryzacji bazy IB0. Wykorzystując
zależność opisującą prąd w obwodzie polaryzacji bazy : E = 0.65 V + IB0RB, wyznaczyć wartość
rezystora RB.

Część druga

• „Przerobić” obwód na wzmacniacz o

wspólnym emiterze. Zasilanie wzmacniacza
powinno odbywać się napięciem
podawanym z zasilacza za pośrednictwem
gniazd radiowych. Wejście i wyjście układu
łączymy z gniazdami BNC.

• Po zasileniu układu napięciem stałym

E=12 V zmierzyć za pomocą woltomierza
napięcie kolektora tranzystora. Dobrać tak
wartość opornika regulowanego RB1, by
wynosiło ono 6 V. W ten sposób, zgodnie z regułą opisaną w materiałach z wykładu, osiąga się
optymalny punkt pracy tranzystora w tym wzmacniaczu.
• Podać na wejście układu sygnał sinusoidalny o częstotliwości około 1000 Hz. Wyznaczyć
charakterystykę amplitudową wzmacniacza [UWY(UWE)] w całym zakresie amplitud
wejściowych mierzalnych za pomocą oscyloskopu. (UWE oraz UWY oznaczają tutaj odpowiednio
amplitudy zmiennego sygnału wejściowego wyjściowego). Określić obszar amplitud UWE, dla
 54 17 kwietnia 2003

których wzmacniacz pracuje liniowo. Dla tego zakresu wyznaczyć wzmocnienie wzmacniacza k,
dopasowując do danych doświadczalnych prostą typu UWY=k· UWE.
• Wyznaczyć charakterystykę częstotliwościową wzmacniacza, czyli jego wzmocnienie w funkcji
częstotliwości [UWY/Uwe(f)]. Wyniki przygotować do przedstawienia na skali logarytmicznej.
Określić pasmo przenoszenia wzmacniacza. Amplitudę sygnału wejściowego należy dobierać
tak, by w całym zakresie badanych częstotliwości (10 Hz - 1 MHz) sygnał był liniowo
przetwarzany - czyli by nie następowało „obcinanie” sygnału sinusoidalnego. Uwaga na pułapkę
sprzężenia AC w oscyloskopie przy pomiarach z małą częstotliwością !!!
• Wylutować z obwodu wzmacniacza jedną końcówkę pary rezystorów RB1 i RB2 i zmierzyć ich

wypadkową rezystancję. Czy jej wartość zgadza się z rezystancją RB wyznaczoną z

charakterystyk tranzystora ?

• Wykreślić i przedyskutować wyniki. Znaleźć częstotliwości graniczne ωg1 i ωg2. Czy narastanie

charakterystyki częstotliwościowej da się wyjaśnić oddziaływaniem pewnego wejściowego filtru

jω
U WY ω g1
górno przepustowego, czyli opisać funkcją = ? Jeżeli założyć, że filtr ten jest
U WE 1+ j ω
ω g1

utworzony z rezystancji wejściowej i pojemności sprzęgającej C1, jaka jest wartość rezystancji
wejściowej wzmacniacza? Czy do zbocza opadającego tej charakterystyki można dopasować

U WY 1
charakterystykę pewnego układu całkującego = ?
U WE 1 + jω
ω g2