‫جامعة البعث‪ -‬كلية الهندسة الميكانيكية والكهربائية‬

‫السنة الثالثة طاقة ‪ -‬مقرر هندسة الكترونية‬

‫المحاضرة السادسة ‪ -‬مدرس المقرر‪ :‬د‪ .‬م‪ .‬عمر الزعبي‬

‫دارات مضخمات الجهد واالستطاعة‬

‫ستخدم كمضخم عندما يعمل في المنطقة الفعالة‪ُ .‬يبيِّن الشكل (‪ )1‬النموذج المكافئ‬ ‫وجدنا سابقاً َّ‬
‫أن الترانزستور ُي َ‬
‫للترانزستور ‪ BJT‬في حال العمل ضمن المنطقة الفعالة‪ ،‬حيث ُيالحظ وجود حالتين للترانزستور هما‪:‬‬
‫‪ -1‬الترانزستور بحالة توصيل عندما تكون الوصلة ‪ B-E‬منحازة أمامياً ويمر تيار‪.‬‬
‫‪ -2‬الترانزستور بحالة قطع عندما تكون الوصلة ‪ B-E‬منحازة عكسياً و ال يمر تيار‪.‬‬

‫الشكل (‪ :)1‬النموذج المكافئ للترانزستور ‪ BJT‬في حال العمل ضمن المنطقة الفعالة‬
‫يبين الشكل (‪ )2‬منحني خصائص الدخل‪/‬الخرج للترانزستور ‪ ،BJT‬حيث تتحرك نقطة عمل الترانزستور داخل وخارج‬
‫المنطقة الفعالة الخطية‪.‬‬

‫الشكل (‪ :)2‬منحني خصائص الدخل‪/‬الخرج للترانزستور ‪BJT‬‬

‫المبيَّنة في الشكل (‪ .)3‬يبين الشكلين (‪-4‬أ) و (‪-4‬ب) منحنيات خصائص‬

‫لتكن دارة مضخم الباعث المشترك ُ‬
‫الدخل‪/‬الخرج لهذه الدارة من أجل حالتين إلشارة الدخل ‪. V I‬‬

‫‪1‬‬
 ‫جامعة البعث‪ -‬كلية الهندسة الميكانيكية والكهربائية‬
‫السنة الثالثة طاقة ‪ -‬مقرر هندسة الكترونية‬
‫المحاضرة السادسة ‪ -‬مدرس المقرر‪ :‬د‪ .‬م‪ .‬عمر الزعبي‬

‫الشكل (‪ :)3‬دارة مضخم الباعث المشترك‬

‫(ب)‬ ‫(أ)‬
‫الشكل (‪ :)4‬منحنيات خصائص الدخل‪/‬الخرج لدارة مضخم الباعث المشترك‬

‫َّ‬
‫إن تغيرات إشارة الدخل الجيبية في الشكل (‪-4‬أ) تؤدي إلى انحراف إشارة الخرج خارج المنطقة الفعالة‪ ،‬حيث ال تظهر‬
‫تم إزاحة إشارة الدخل إلى منتصف المنطقة الفعالة في الشكل (‪-4‬ب)‪ .‬نتيجة‬
‫إشارة الخرج كاملة في هذه الحالة‪ ،‬بينما َّ‬
‫َّ‬
‫المضخمة كاملة في الخرج‪ ،‬لذلك يتم ضبط جهد‬ ‫فإن تقلبات إشارة الدخل تقع في مجال التشغيل وتظهر اإلشارة‬‫لذلك َّ‬
‫دخل المضخم بحيث يكون في منتصف المنطقة الفعالة‪ ،‬عندها يقبل النظام تغيرات جهد الدخل ويبقى ضمن منطقة‬
‫سمى عملية ضبط جهد القاعدة بالتحييز‪.‬‬
‫التشغيل الفعالة‪ .‬تُ َّ‬

‫مضخم الباعث المشترك )‪:(Common Emitter Amplifier‬‬

‫يبين الشكل (‪ )5‬دارة مضخم الباعث المشترك األكثر شيوعاً‪.‬‬
‫إلجراء تحليل دارة أي مضخم نتبع الخطوات التالية‪:‬‬
‫‪ -1‬تحليل الدارة في حالة االنحياز المستمر وتحديد الشروط لنقطة العمل المطلوبة‪.‬‬
‫‪ -2‬تحليل الدارة في حالة االنحياز المتناوب والحصول على ربح الجهد‪.‬‬

‫‪2‬‬
 ‫جامعة البعث‪ -‬كلية الهندسة الميكانيكية والكهربائية‬
‫السنة الثالثة طاقة ‪ -‬مقرر هندسة الكترونية‬
‫المحاضرة السادسة ‪ -‬مدرس المقرر‪ :‬د‪ .‬م‪ .‬عمر الزعبي‬

‫الشكل (‪ :)5‬دارة المضخم ‪CE‬‬

‫تحليل الدارة في حالة االنحياز المستمر‪:‬‬
‫المكون من المقاومتين ‪ R1‬و ‪ . R2‬يبين الشكل (‪ )6‬الدارة المكافئة‬
‫َّ‬ ‫نحصل على نقطة العمل بواسطة مقسم الجهد‬
‫لمضخم الباعث المشترك في حالة االنحياز المستمر‪.‬‬

‫الشكل (‪ :)6‬الدارة المكافئة للمضخم ‪ CE‬في حالة االنحياز المستمر‬

‫يمكن تبسيط الدارة باستخدام النموذج المكافئ للترانزستور ‪ BJT‬في حالة االنحياز المستمر كما هو ُمبيَّن في الشكل (‪،)7‬‬
‫أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة و ]‪. VBE ( on)  0.7[v‬‬
‫حيث افترضنا َّ‬

‫‪3‬‬
 ‫جامعة البعث‪ -‬كلية الهندسة الميكانيكية والكهربائية‬
‫السنة الثالثة طاقة ‪ -‬مقرر هندسة الكترونية‬
‫المحاضرة السادسة ‪ -‬مدرس المقرر‪ :‬د‪ .‬م‪ .‬عمر الزعبي‬

‫الشكل (‪ :)7‬النموذج المكافئ للترانزستور ‪ BJT‬في حالة االنحياز المستمر‬

‫باستخدام النموذج المكافئ للترانزستور ‪ BJT‬والدارة المكافئة لمضخم الباعث المشترك في حالة االنحياز المستمر نحصل‬
‫المبيَّنة في الشكل (‪.)8‬‬
‫على الدارة ُ‬

‫الشكل (‪ :)8‬الدارة المكافئة للمضخم ‪ CE‬باستخدام النموذج المكافئ للترانزستور ‪ BJT‬بحالة االنحياز المستمر‬

‫‪4‬‬
 ‫جامعة البعث‪ -‬كلية الهندسة الميكانيكية والكهربائية‬
‫السنة الثالثة طاقة ‪ -‬مقرر هندسة الكترونية‬
‫المحاضرة السادسة ‪ -‬مدرس المقرر‪ :‬د‪ .‬م‪ .‬عمر الزعبي‬

‫بما َّ‬
‫أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة (الخطية)‪ ،‬بالتالي يتم إيجاد نقطة العمل بتطبيق قانون كيرشوف للجهد على‬
‫دارتي الدخل والخرج كما يلي‪:‬‬
‫‪VTH  I B RTH  VBE ( on)  I E RE‬‬
‫‪VCE  VCC  I C RC  I E RE‬‬

‫تحليل الدارة في حالة االنحياز المتناوب‪:‬‬

‫المبيَّنة في الشكل (‪َّ ،)8‬‬
‫فإن إشارة الخرج تنتج من تراكم نقطة العمل واشارة‬ ‫تم تطبيق إشارة الدخل ‪ vi‬إلى دخل الدارة ُ‬‫إذا َّ‬
‫الدخل ‪ vi‬كما هو ُمبيَّن في الشكل (‪.)9‬‬

‫الشكل (‪ :)9‬دارة المضخم ‪ CE‬بحالة االنحياز المتناوب‬

‫يمكن إيجاد جهد القاعدة ‪ V B‬باستخدام مبدأ التراكم كما يلي‪:‬‬

‫‪ -1‬نجعل ‪ VTH  0‬ونحسب جهد القاعدة ‪ V B1‬الناتج عن إشارة الدخل الجيبية ‪ ، vi‬عندئذ ِّ‬
‫يشكل المكثف ‪ C1‬مع‬
‫المقاومة ‪ RTH‬مرشح تمرير عالي‪ ،‬حيث يقوم المرشح بتمرير جميع قيم ‪ vi‬من أجل القيم العالية للمكثف ‪، C1‬‬
‫بالتالي يكون ‪. VB1  vi‬‬
‫‪ -2‬نجعل ‪ vi  0‬ونحسب جهد القاعدة ‪ VB 2‬الناتج عن ‪ VTH‬ويكون ‪. VB 2  VTH‬‬
‫حسب مبدأ التراكم ينتج‪:‬‬
‫‪VB  vi  VTH‬‬
‫يمكن الحصول على الدارة المكافئة في حالة االنحياز المتناوب بجعل جميع منابع الجهد المستمر مساوية للصفر كما هو‬
‫المبيَّن‬
‫ُمبيَّن في الشكلين (‪-11‬أ) و (‪-11‬ب)‪ .‬باستخدام النموذج المكافئ للترانزستور ‪ BJT‬في حالة االنحياز المتناوب ُ‬
‫في الشكل (‪ )11‬نحصل على الدارة المكافئة لمضخم الباعث المشترك في الشكل (‪.)12‬‬

‫‪5‬‬
 ‫جامعة البعث‪ -‬كلية الهندسة الميكانيكية والكهربائية‬
‫السنة الثالثة طاقة ‪ -‬مقرر هندسة الكترونية‬
‫المحاضرة السادسة ‪ -‬مدرس المقرر‪ :‬د‪ .‬م‪ .‬عمر الزعبي‬

‫(ب)‬ ‫(أ)‬
‫الشكل (‪ :)11‬الدارة المكافئة لمضخم الباعث المشترك في حالة االنحياز المتناوب‬

‫الشكل (‪ :)11‬النموذج المكافئ للترانزستور ‪ BJT‬في حالة االنحياز المتناوب‬

‫الشكل (‪ :)12‬الدارة المكافئة للمضخم ‪ CE‬باستخدام النموذج المكافئ للترانزستور ‪ BJT‬بحالة االنحياز المتناوب‬
‫المبيَّن في الشكل (‪ )12‬بالعالقة التالية‪:‬‬
‫ُيعطى ربح الجهد للمضخم ‪ُ CE‬‬
‫‪6‬‬
 ‫جامعة البعث‪ -‬كلية الهندسة الميكانيكية والكهربائية‬
‫السنة الثالثة طاقة ‪ -‬مقرر هندسة الكترونية‬
‫المحاضرة السادسة ‪ -‬مدرس المقرر‪ :‬د‪ .‬م‪ .‬عمر الزعبي‬

‫‪vo‬‬ ‫‪ ic RC‬‬ ‫‪ ib RC‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪RC‬‬

‫‪Av ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪vi ie (re  RE ) (1   )ib (re  RE ) 1   re  RE‬‬
‫من أجل ‪   1‬و ‪ re  RE‬نجد‪:‬‬
‫‪R‬‬
‫‪Av   C‬‬
‫‪RE‬‬
‫ألن قيمة المقاومة ‪ re‬صغيرة (عدة أومات)‪ .‬يبدو ذلك‬ ‫تم حذف مقاومة الباعث ‪ ، RE‬يزداد الربح بشكل كبير جداً َّ‬
‫إذا َّ‬
‫ولكن وجود المقاومة ‪ RE‬يؤدي إلى استقرار نقطة العمل‪ ،‬حيث تتعلَّق نقطة العمل فقط بالمقاومة الصغيرة ‪ re‬بعد‬
‫مفيداً َّ‬
‫حذف مقاومة الباعث ‪ ، RE‬وبما َّ‬
‫أن المقاومة ‪ re‬تتغيَّر مع درجة الح اررة‪ ،‬بالتالي تنتج نقطة عمل غير دقيقة‪ .‬يمكن‬
‫الحصول على ربح كبير للمضخم مع استقرار نقطة العمل بإجراء تعديل بسيط على الدارة‪ ،‬حيث يمكن زيادة ربح‬
‫المضخم عن طريق حذف مقاومة الباعث ‪ RE‬في حالة االنحياز المتناوب‪ ،‬كما يمكن تحقيق استقرار نقطة العمل‬
‫بإضافة مقاومة الباعث ‪ RE‬في حالة االنحياز المستمر‪ .‬يتم تنفيذ هذا الحل بإضافة مكثف القصر ‪ C 2‬كما هو ُمبيَّن‬
‫في الشكل (‪.)13‬‬
‫يعمل المكثف ‪ C 2‬كدارة مفتوحة بالنسبة لإلشارة المستمرة‪ ،‬بالتالي لن يؤثر على عمل الدارة في حالة االنحياز المستمر‪،‬‬
‫عتبر المكثف ‪ C 2‬كدارة قصر بالنسبة لإلشارة المتناوبة لصغر ممانعته من أجل القيم العالية لسعة المكثف ‪، C 2‬‬
‫بينما ُي َ‬
‫‪1‬‬
‫‪.‬‬ ‫حيث تكون ممانعة المكثف ‪ C 2‬أصغر بكثير من المقاومة ‪ re‬أي ‪ re‬‬
‫‪wC 2‬‬

‫الشكل (‪ :)13‬المضخم ‪ CE‬باستخدام المكثف ‪C 2‬‬

‫‪7‬‬
 ‫جامعة البعث‪ -‬كلية الهندسة الميكانيكية والكهربائية‬
‫السنة الثالثة طاقة ‪ -‬مقرر هندسة الكترونية‬
‫المحاضرة السادسة ‪ -‬مدرس المقرر‪ :‬د‪ .‬م‪ .‬عمر الزعبي‬

‫باإلضافة لربح الجهد‪َّ ،‬‬

‫فإن مقاومتي الدخل ‪ R i‬والخرج ‪ R o‬المنظور إليهما عند المنبع والحمل على الترتيب هما‬
‫عاملين مهمين لتوصيف المضخم‪ .‬يبين الشكل (‪ )14‬نموذج ثنائي البوابة للمضخم‪.‬‬

‫الشكل (‪ :)14‬نموذج ثنائي البوابة للمضخم‬

‫يمكن حساب مقاومة الدخل للمضخم ‪ CE‬باستخدام العالقة التالية‪:‬‬
‫‪vi‬‬
‫‪Ri ‬‬
‫‪ii‬‬
‫حيث تظهر إشارة الدخل ‪ v i‬وتيار الدخل ‪ i i‬في الشكل (‪.)15‬‬

‫الشكل (‪)15‬‬
‫َّ‬
‫إن مقاومة الدخل ‪ R i‬عبارة عن المقاومة ‪ RTH‬على التفرع مع المقاومة المنظور إليها عند قاعدة الترانزستور المساوية‬
‫لـ ) ‪ (1   )(re  R E‬أي‪:‬‬
‫) ‪R i  RTH //(1   )(re  R E‬‬
‫بينما تكون مقاومة الخرج ‪ R o‬للمضخم‪:‬‬

‫‪8‬‬
 ‫جامعة البعث‪ -‬كلية الهندسة الميكانيكية والكهربائية‬
‫السنة الثالثة طاقة ‪ -‬مقرر هندسة الكترونية‬
‫المحاضرة السادسة ‪ -‬مدرس المقرر‪ :‬د‪ .‬م‪ .‬عمر الزعبي‬

‫‪R o  RC‬‬
‫المبيَّنة في الشكل (‪ ،)16‬علماً َّ‬
‫أن جهد القاعدة‬ ‫مثال‪ :‬أوجد ربح الجهد ‪ Av‬وجهد الخرج المتناوب ‪ V out‬للدارة ُ‬
‫] ‪ V b  100[mV‬والمقاومة الديناميكية لوصلة الباعث ]‪. re  50[‬‬

‫‪vo‬‬

‫الشكل (‪ :)16‬دارة مضخم الباعث المشترك ‪CE‬‬

‫الحل‪ُ :‬يعطَى ربح الجهد للمضخم ‪ CE‬بالعالقة التالية‪:‬‬

‫‪v o i c RC‬‬ ‫‪  i b RC‬‬ ‫‪  RC‬‬

‫‪Av ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪vi‬‬ ‫‪i e re‬‬ ‫‪(1   )i b re 1   re‬‬

‫‪RC‬‬ ‫‪1000‬‬
‫‪Av  ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ 50‬‬ ‫من أجل ‪   1‬نجد‪:‬‬
‫‪re‬‬ ‫‪20‬‬

‫بالتالي يكون جهد الخرج المتناوب‪:‬‬

‫] ‪v o  Avv i  (20)(0.1)  2[v‬‬

‫‪9‬‬