LOTNICZA AKADEMIA WOJSKOWA

PODSTAWY ELEKTRONIKI
Laboratorium

Sprawozdanie z tematu nr :

Temat: BADANIE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Data realizacji tematu: 28.04.2023

Prowadzący

Grupa/podgrupa lab: L3/PŚM 221

Wykonawcy sprawozdania:

Wypełnia prowadzący

Data oddania sprawozdania:

Ocena ze sprawozdania: Podpis:

1. Cel ćwiczenia
 Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystora
bipolarnego typu NPN w układzie o wspólnym emiterze (WE) i wspólnej bazie (WB)
Do wykonania ćwiczenia zostały wykorzystane następujące urządzenia:
 Dwa zasilacze stabilizowane napięcia stałego
 Dwa woltomierze
 Dwa amperomierze
 Tranzystor bipolarny

2. Wprowadzenie teoretyczne i wzory

Tranzystor bipolarny stanowi kombinację dwóch półprzewodnikowych złączy PN,
połączonych szeregowo, wykorzystywanych w jednej płytce półprzewodnika. To element,
który wzmacnia sygnały elektryczne. Tranzystor jest trójnikiem, posiadającym trzy
końcówki: emiter E, baza B oraz kolektor C. Układy elektroniczne mogą działać w trzech
różnych konfiguracjach, dla których jedna końcówka jest wspólna np.: wspólny emiter
WE, wspólna baza WB i wspólny kolektor WC. Najczęściej wykorzystywanym układem
jest układ o wspólnym emiterze, również wykorzystany w tym doświadczeniu. W tym
układzie jedno z wyprowadzeń zarówno sygnału wejściowego i wyjściowego jest
przyłączone do emitera. Tranzystor pracuje w obszarze pracy aktywnej, gdy złącze
emiterowe spolaryzujemy w kierunku przewodzenia napięciem UBE oraz gdy złącze
kolektorowe spolaryzujemy w kierunku wstecznym, czyli UCB. Układ ten charakteryzuje
się znacznym wzmocnieniem napięciowym i prądowym, a także średnią opornością
wejściową i dużą opornością wyjściową. Charakterystyki statyczne opisują właściwości
tranzystora.
Są to krzywe przedstawiające zależności między prądami i napięciami stałymi
występującymi na wejściu i wyjściu tranzystora.
Tranzystor jako trójnik posiada trzy rodziny charakterystyk statycznych:
 Charakterystyka wyjściowa I C = f((U CE )
 Charakterystyka przejściowa I C = f( I B)
 Charakterystyka wejściowa I B = f(U BE)
Współczynnik wzmocnienia prądowego przy układzie WB:

∆ IC
α= ; przy U C =const
∆ IE

α ∈<0 ,90 ; 0 , 99> ¿

Współczynnik wzmocnienia prądowego przy układzie WE:

∆ IC
β= ; przy U C =const
∆ IB

β ∈<20 ; 2000> ¿
 Związek obydwu parametrów tranzystora:
β α
α= , β=
β+ 1 α−1

Rezystancja wejściowa R BE = r we :

∆ U BE
r we = ;U CE =const
∆ IB

Rezystancja wyjściowa RCE = r wy :

∆ U CE
r we = ; I B=const
∆ IC

3. Przebieg ćwiczenia

3.1. Badanie tranzystora w układzie WE

Na rysunku 1 przedstawiono schemat układu pomiarowego do wyznaczenia
rodziny charakterystyk oraz wybranych parametrów tranzystora bipolarnego
w układzie ze wspólnym emiterem. W poniższych tabelach przedstawiono
wyniki przeprowadzonych pomiarów.

Rys. 1. Schemat układu pomiarowego do wyznaczania charakterystyk wejściowych

oraz wyjściowych tranzystora bipolarnego w układzie ze wspólnym emiterem
(materiał z instrukcji laboratoryjnej)
 Charakterystyki statyczne tranzystora badanego w układzie WE
Charakterystyki wyjściowe I C= f(U CE ) I B – const
U CE V 0 0,1 0,2 0,5 1 2 3 5 10
I B = 3µA IC mA 0 0,361 0,85 0,910 0,91 0,922 0,93 0,934 0,943
3 2 0
I B = 5 µA IC mA 0 0,577 1,39 1,480 1,48 1,507 1,52 1,550 1,600
0 9 4

1.8 1.6
1.489 1.507 1.524 1.55
1.6 1.48
1.39
1.4
1.2
0.91 0.912 0.922 0.93 0.934 0.943
1 0.853
IC (mA)

0.8
0.577
0.6
0.361
0.4
0.2 0
0
0 0.1 0.2 0.5 1 2 3 5 10
UCE (V)

= 3µA = 5 µA

Charakterystyki statyczne tranzystora badanego w układzie WE

Charakterystyki przejściowe IC = f( I B) U CE – const
IB µA 0 1 2 4 6 8 10 12 14
U CE = 3V IC mA 0 0,319 0,60 1,217 1,81 2,432 3,05 3,636 4,257
9 6 2
U CE = 7V IC mA 0 0,335 0,63 1,229 1,90 2,505 3,17 3,827 4,406
8 5 1

5
4.5
4
3.5
3
IC (mA)

2.5
2
1.5
1
0.5
0
µA 0 1 2 4 6 8 10 12 14
IB (µA)

= 3V = 7V
 Charakterystyki statyczne tranzystora badanego w układzie WE
Charakterystyki wejściowe I B = f¿) U CE – const
U BE V 0 0,1 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65
U CE = 3V IB µA 0 0 0 0 0 0 0,1 0,8 6,5
U CE = 7V IB µA 0 0 0 0 0 0 0,1 0,8 5,7

7
6
5
4
IB (µA)

3
2
1
0
0 0.1 0.3 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65
UBE (V)

= 3V = 7V

3.2. Badanie tranzystora w układzie WB

Rys. 2. Schemat układu pomiarowego do wyznaczania charakterystyk wyjściowych

oraz przejściowych tranzystora bipolarnego w układzie ze wspólną bazą (materiał
z instrukcji laboratoryjnej)
 Charakterystyki statyczne tranzystora badanego w układzie WB
Charakterystyki wyjściowe I C = f(U CB ) I E – const
U CB V 0 1 2 3 4 5 6 8 10
I E = 2mA IC mA 1,992 1,993 1,995 1,996 1,998 1,987 1,988 1,991 1,993
I E = 4mA IC mA 3,978 3,985 3,986 3,987 3,981 3,984 3,987 3,990 3,994

4.5 3.978 3.985 3.986 3.987 3.981 3.984 3.987 3.99 3.994
4
3.5
3
2.5
IC (mA)

1.992 1.993 1.995 1.996 1.998 1.987 1.988 1.991 1.993

2
1.5
1
0.5
0
0 1 2 3 4 5 6 8 10
UCB (V)
= 2mA = 4mA

Charakterystyki statyczne tranzystora badanego w układzie WB

Charakterystyki przejściowe I C = f( I E ) U CB – const
IE mA 0 2 4 6 8 10 12 14 16
U CB = 3V IC mA 0 1,994 3,982 5,978 7,976 9,970 11,952 13,951 15,946
U CB = 7V IC mA 0 1,994 3,990 5,978 7,969 9,970 11,959 13,951 15,956
 18
16
14
12
10
IC (mA)

8
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
IE (mA)
= 3V = 7V
4. Obliczenia

Obliczenie zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego h21 E ( β). W tym

badaniu będziemy badać parametr h21 E (β) dla badanego tranzystora bipolarnego.
Zmierzyliśmy wartości prądu kolektora i prądu bazy oraz napięcia kolektor-emiter
przy różnych punktach pracy tranzystora. Następnie będziemy obliczać wartości
parametru h21 E ( β) dla każdego punktu pracy, aby określić jak zmienia się
wzmocnienie prądowe w zależności od wartości prądu bazy i napięcia kolektor-emiter.

W układzie pracy WE

Δ IC
β=h 21 E= przy U CE =const
Δ IB

UCE(V) 3 3 3
Δ I B ( μA) 2 6 12
Δ I C (mA) 0,609 1,816 3,636
h21B 305 303 303

h21B średnie = 304

UCE(V) 7 7 7
Δ I B ( μA) 2 6 12
Δ I C (mA) 0,638 1,905 3,827
h21B 319 318 319
h21B średnie = 318,7
Dla porównania obliczyliśmy wielosygnałowy współczynnik wzmocnienia prądowego dla
układu ze wspólną bazą

W układzie pracy WB

ΔI C
α =h 21B = przy U CB=const
Δ IE

UCB(V) 3 3 3
Δ I E(mA) 2 8 14
Δ I C (mA) 1,994 7,976 13,951
h21E 0,997 0,997 0,997

h21B średnie = 0,997

5. Wnioski

 Na podstawie przeprowadzonych pomiarów można porównać podstawowe

parametry tranzystora pracującego w układzie WE i WB. Nie różnią się one bardzo
od podstawowych norm, wyników osiągniętych w specjalistycznych laboratoriach,
wykonanych w oparciu o profesjonalny sprzęt.
 W układzie ze wspólnym emiterem wartość impedancji wyjściowej przy zwartym
wyjściu jest bardzo wysoka przy niewielkim napięciu kolektor - emiter, jej wartość
 maleje skokowo wraz z wzrostem napięcia U CE , następnie utrzymuje
się na jednakowym poziomie przy dalszym zwiększaniu napięcia U CE
 Zgodnie z rysunkiem 2, wartość prądu bazy I B zwiększa się skokowo przy
niewielkiej zmianie napięcia baza – emiter U BE
 Dla niskich wartości prądu I B tranzystor jest w stanie odcięcia i przepuszcza
niewielki prąd I C