‫به نام خدا‬

‫نام دانشجو‪:‬ساینا نجفی شبستری‬

‫شماره دانشجویی‪400248086:‬‬

‫نام استاد‪:‬جناب دکتر معیری‬

‫نام درس‪:‬الکترونیک دیجیتال‬

‫موضوع تحقیق‪High-κ Metal gate:‬‬

 ‫‪:(HKMG) High-κ metal gate‬‬
‫تکنولوژی ‪ HKMG‬چیست؟‬

‫)‪High-k Metal Gate (HKMG‬یک تکنولوژی است که در ساخت‬

‫ترانزیستورهای فلز اکسید نیترید )‪ (MOSFET‬استفاده میشود‪ ،‬به ویژه در‬
‫فرآیندهای ساخت اشباع شده تراشههای نیمههادی‪ .‬در‪ ، HKMG‬عایق درونی گیت‬
‫ترانزیستور با مادهای با ثابت دیالکتریک )‪ (dielectric constant‬باال مانند‬
‫هافنیوم اکسید )‪ (HfO2‬جایگزین میشود‪ .‬این باعث کاهش اندازه ترانزیستور و‬
‫افزایش عملکرد آن میشود‪ ،‬همچنین میتواند مشکالت مربوط به انتقال نیروی‬
‫الکتریکی در ترانزیستور را کاهش دهد‪ .‬این فناوری بهبود عملکرد و انرژی‬
‫مصرفی تراشهها را فراهم میکند‪.S‬‬
‫به طور کلی‪High-k Metal Gate (HKMG) ،‬یک تکنولوژی اصلی در تولید‬
‫ترانزیستورهای فلز اکسید نیترید )‪ (MOSFET‬است که در فرآیندهای تولید نیمهرساناها‬
‫مورد استفاده قرار می گیرد‪ .‬این تکنولوژی در فرآیند ساخت ترانزیستورها استفاده میشود تا‬
‫جایگزینی بهتر برای اینزوالتورهای سنتزی با ثابت دیالکتریک کمتر (مانند اکسید‬
‫سیلیسیم) فراهم کند‪.‬‬
‫قبل از‪ ، HKMG‬اکسید سیلیسیم به عنوان عایق درونی گیت ترانزیستورها مورد استفاده‬
‫قرار میگرفت‪ .‬اما در فناوری‪ ، HKMG‬عایق دیالکتریک با موادی با ثابت دیالکتریک‬
‫باال مانند هافنیوم اکسید )‪ (HfO2‬جایگزین میشود‪ .‬این اجازه میدهد تا ضخامت عایق‬
‫کاهش یابد و اندازه ترانزیستورها کاهش یابد‪ ،‬اما همچنین باعث میشود که انتقال الکتریکی‬
‫بهبود یابد‪.‬‬
‫استفاده از ‪ HKMG‬باعث بهبود عملکرد ترانزیستورها و همچنین کاهش مصرف انرژی در‬
‫تراشهها میشود‪ .‬این فناوری اساسا ً به ساخت تراشههای با کیفیت باال و با کارایی بهتر‬
‫کمک میکند‪.‬‬
 ‫خوب‪ ،‬بیایید یکم عمیقتر برویم‪ .‬در ترانزیستورهای فلز اکسید نیترید)‪ ، (MOSFETs‬گیت‬
‫یک ساختار است که برای کنترل جریان الکتریکی بین منبع )‪ (source‬و سرنشین )‪(drain‬‬
‫استفاده میشود‪ .‬در تکنولوژی های قدیمیتر‪ ،‬عایق گیت به طور معمول از اکسید سیلیسیم‬
‫)‪(SiO2‬ساخته شده بود‪ .‬اما در ترانزیستورهای با ابعاد کوچکتر( از جمله ترانزیستورهای‬
‫‪CMOS‬که در تراشههای مدرن استفاده میشوند)‪ ،‬استفاده از اکسید سیلیسیم به مشکالتی‬
‫مانند نفوذ جریان الکتریکی )‪ (leakage current‬و افت ولتاژ کلید گیت )‪(gate leakage‬‬
‫منجر میشود‪.‬‬

‫به عنوان یک راهحل‪ ،‬تکنولوژی )‪ High-k Metal Gate (HKMG‬به کمک مواد با ثابت‬
‫دیالکتریک )‪ (dielectric constant‬بال( که بهطور کلی به عنوان "‪ "High-k‬شناخته‬
‫میشوند )درون گیت استفاده میکند‪ .‬به عنوان مثال‪ ،‬هافنیوم اکسید )‪ (HfO2‬یک ماده‬
‫‪High-k‬معمولً در ‪ HKMG‬بهکار گرفته میشود‪ .‬این عایق جایگزین با اثر کپیکاپی‬
‫)‪(capacitance‬بال به ساختار گیت کمک میکند‪ ،‬که این به این معناست که نیاز به لیههای‬
‫زیادی از عایق برای کنترل جریان را کاهش میدهد‪ .‬به عبارت سادهتر‪HKMG ،‬اجازه‬
‫میدهد تا ترانزیستورها با اندازههای کوچکتر ساخته شوند‪ ،‬که این به نوبه خود باعث افزایش‬
‫کارایی و کاهش مصرف انرژی تراشهها میشود‪.‬‬

‫در کل‪ ،‬استفاده از تکنولوژی ‪ HKMG‬میتواند به تولید تراشههایی با عملکرد بهتر و‬

‫مصرف انرژی کمک کند‪ ،‬که این موضوع از اهمیت بسیاری در توسعه تکنولوژی‬
‫تراشههای نیمهرساناها برخوردار است‪.‬‬

‫منبع‪CHATGPT&WIKIPEDIA:‬‬