7 , Các phương pháp phân cực:

Từ mạch mô phỏng JFET 2N5452 ta xác định được IDSS = 3.3 mA (Cho
UGS=0); Up = - 2 V.
a, Phân cực cố định:

Mạch phân cực cố định JFET

Theo thông số đo được trên Multisim và thông số tính toán theo lý thuyết
ta có điểm làm việc tĩnh Q (Các thông số như ở mạch mô phỏng trên):
Đại lượng Lý thuyết Mô phỏng
2
IDQ(mA) = IDSS ¿=3,3*(1−
−1
) =0,825
0,984
−2
UGSQ(V) =-EGS=-1 -0,909
UDSQ(V) =EDS – IDQ*RD=20-0,825=19,175 19.011

Nhận xét: Giá trị trên lý thuyết và giá trị mô phỏng gần bằng nhau, chênh
lệch không đáng kể.
b, Tự phân cực:

Mạch tự phân cực JFET

Cách tính UGS như sau, áp dụng ta tính được với các số liệu trong mạch
thì UGS=-0.94V

Theo thông số đo được trên Multisim và thông số tính toán theo lý thuyết
ta có điểm làm việc tĩnh Q:
 Đại lượng Lý thuyết Mô phỏng
IDQ(mA) −UGS −0 , 94 0,995
= RS = 1000 = -0,94
UGSQ(V) = -0,94 -0,902
UDSQ(V) =EDS – IDQ*(RD+RS)=15,958 15.732

c, Phân cực bằng phân áp:

Mạch phân cực phân áp JFET

Cũng áp dụng tính UGS như trên, nhưng với c=RS*IDSS-UG.

EDS∗R 2
UG = R 1+ R @ = 5(V). Từ đó tính được UGS = -0.22V.

Theo thông số đo được trên MULTISIM và thông số tính toán theo lý

thuyết ta có điểm làm việc tĩnh Q:
 Đại lượng Lý thuyết Mô phỏng
IDQ(mA) UG−UGS 2,604
= RS = 2,61
UGSQ(V) = -0,22 -0,2
UDSQ(V) =EDS – IDQ*(RD+RS)=12,188 12,176

d, Phân cực bằng hồi tiếp điện áp:

Mạch phân cực bằng hồi tiếp điện áp E – MOSFET

Dựa vào datasheet của E - MOSFET 2N7000G ta được: UT=2V; IDon =

IDon 2
0.2A; UGSon = 4.5V. Từ đó tính được K = 2
=0,032 (A /V )
(UGSon−UT )

Đại lượng Lý thuyết Mô phỏng

IDQ(mA) UG−UGS 9,306
= R D = 9,46
UGSQ(V) = 2.54 2,693
UDSQ(V) =UGS=2,54 2,693