Mach Dien Tu So NHM

BÀI GIẢNG
MẠCH ĐIỆN TỬ SỐ
Cho Kỹ thuật Điều khiển và Tự động hóa
Kỹ thuật Điện – Điện tử
GVPT: Nguyễn Hoàng Mai
Đà Nẵng - 2020
Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 1

BÀI GIẢNG
MẠCH ĐIỆN TỬ
Tuần 11

CHƯƠNG 8: KHÁI NIỆM HỆ THỐNG SỐ, ĐẠI SỐ
BOOLEAN, TỐI THIỂU HÓA HÀM LOGIC
8.1 Mạch điện tử số được ứng dụng rộng rãi trong xử lí và

truyền số liệu. Từ khi ra đời, kỹ thuật số mang lại nhiều cải
thiện về vấn đề điều khiển, xử lí thông tin cho mọi lĩnh vực
Một tín hiệu số là tín hiệu xác định một trong hai trạng thái
0 và 1. Tương ứng với hai trạng thái này là các mức tín hiệu
điện áp, dòng điện xác định cụ thể. Ví dụ như trong mạch TTL
(Transitor - Transitor Logic) thì mức điện áp sử dụng là 0V và
5V, trong mạch CMOS thì mức điện áp là -12V và 12V.
Các mạch số còn một mức tín hiệu nữa rất hay dùng khi
ghép nối là mức trở kháng cao(Hi-Z), còn gọi là mức thả nổi.
Đó là trạng thái đầu ra của mạch số bị khóa hẳn (tách rời về mặt
tín hiệu) so với mạch đang kết nối. Trường hợp này được dùng
khi có nhiều đầu ra của các mạch số được ghép chung vào một
kênh truyền.
8.1.2 Lượng tử hóa tín hiệu

Lượng tử hóa tín hiệu là quá trình chuyển một tín hiệu bất kì
thành tín hiệu rời rạc. Muốn có tín hiệu số cần một bước trung
gian nữa là chuyển từ tín hiệu rời rạc thành tín hiệu số
8.1.3 Hệ đếm
Để sử dụng số đếm trong các ứng dụng, người ta đưa ra các hệ
đếm. Trong đó, hệ đếm thông dụng cho tất cả mọi người là hệ
cơ số 10. Đây là hệ đếm được học từ nhỏ đến lớn nên mọi người
đều coi như biết dùng thành thạo. Nhưng trong kỹ thuật vẫn còn
nhiều hệ đếm khác và hệ đếm lai.




BÀI GIẢNG
MẠCH ĐIỆN TỬ
Tuần 12






8.4.4 Định lí DeMORGAN

Định lí DeMORGAN dùng để khai triển hay rút gọn các hàm logic đa biến. Nội dung của định lí được trình bày
như bảng 8.5

Basic Logic Gates
Buffer AND OR EX-OR

Logic
A A A Function
A X X X X
B B B
Gate
X=A X = AB X=A+B X=A+B Symbol
A X A B X A B X A B X Logic
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Expression
1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1
1 0 0 1 0 1 1 0 1
1 1 1 1 1 1 1 1 0
Truth
Table
15
Basic Logic Gates with Inverted Outputs
NOT NAND NOR EX-NOR
A A A
A X X X X
B B B
X=A X = AB X=A+B X=A+B
A X A B X A B X A B X
0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1
1 0 0 1 1 0 1 0 0 1 0
1 0 1 1 0 0 1 0 0
1 1 0 1 1 0 1 1 1
16
Logic Gates with more than two inputs
3-Input AND Gate 4-Input AND Gate 4-Input OR Gate
3-Input OR Gate
17
Circuit Implementation of a Logic Expression with Gates
Logic Diagram with Gates
Logic Function A X
B
X = A + BC B
C BC
Logic Diagram with Gates
Logic Function A A+B

B
X = (A + B)C B X
C
18
Circuit Implementation of Logic Expressions:- Examples
Example 1 Logic Diagram with Gates
Logic Function
X = A(B+C)+BC
Example 2 Logic Diagram with Gates
Logic Function
X = (AB+C)B+C
19
Circuit Implementation of Logic Expressions:- Homework
Homework 1 Logic Diagram with Gates
Logic Function
X = (AB+C)(B+C)
Homework 2 Logic Diagram with Gates
Logic Function
X = (ABC+C)B+AC
20
Truth Tables
Truth table of a logic circuit is a table showing all the possible input combinations with the
corresponding value of the output.
Examples:
(a) Show the truth table of a 3-input circuit (b) Show the truth table of the logic expression:
that gives at its output a logic 1 if the input
forms a number between 3 and 6. X = (AB + C)(A + C)
Inputs Output
A B C X A B C AB C AB + C A + C X = (AB+C)(A+C)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1
1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0
2 0 1 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1
3 0 1 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0
4 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 1
5 1 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0
6 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1
7 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1
21
Truth Tables: Examples
X = (AB + C)(A + C)
A B C A B C
0 0 0 1 1 1
0 0 1 1 1 0
0 1 0 1 0 1
0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 1
1 0 1 0 1 0
1 1 0 0 0 1
1 1 1 0 0 0
22
Minterms and maxterms
Row X Y Z F Minterm Maxterm
0 0 0 0 F(0,0,0) X΄Y΄Z΄ Χ+Υ+Ζ
1 0 0 1 F(0,0,1) X΄Y΄Z Χ+Υ+Ζ΄
2 0 1 0 F(0,1,0) X΄YZ΄ Χ+Υ΄+Ζ
3 0 1 1 F(0,1,1) X΄YZ Χ+Υ΄+Ζ΄
4 1 0 0 F(1,0,0) XY΄Z΄ Χ΄+Υ+Ζ
5 1 0 1 F(1,0,1) XY΄Z Χ΄+Υ+Ζ΄
6 1 1 0 F(1,1,0) XYZ΄ Χ΄+Υ΄+Ζ
7 1 1 1 F(1,1,1) XYZ Χ΄+Υ΄+Ζ΄
23
Standard forms: Sum of Products
X = ABC + ABC + ABC + ABC
A B C A B C
0 0 0 1 1 1
0 0 1 1 1 0
0 1 0 1 0 1
0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 1
1 0 1 0 1 0
1 1 0 0 0 1
1 1 1 0 0 0
24
Logic expression and truth table of a logic circuit
A T1 = A B C T1 T2 T3 T4 X
B 0 0 0 0
T3 =
1 0 0 1
C 2 0 1 0
T2 = X
3 0 1 1
4 1 0 0
T4 =
5 1 0 1
6 1 1 0
Logic Expression: X = 7 1 1 1
SoP Form: X =
PoS Form: X =
25
Example: Find the logic expression and fill up the truth table for the circuit below.
A T1 = A B C T1 T2 T3 T4 X
B 0 0 0 0
T3 =
1 0 0 1
C 2 0 1 0
T2 = X
3 0 1 1
4 1 0 0
T4 =
5 1 0 1
6 1 1 0
X=
7 1 1 1
26
Homework: Find the logic expression and fill up the truth table for the circuit below.
A T1= A B C D T1 T2 T3 T4 T5 X
B 0 0 0 0 0
T3 =
1 0 0 0 1
2 0 0 1 0
C T2 =
3 0 0 1 1
X 4 0 1 0 0
T4 =
5 0 1 0 1
6 0 1 1 0
7 0 1 1 1
D T5 = 8 1 0 0 0
9 1 0 0 1
Logic Expression: X = 10 1 0 1 0
11 1 0 1 1
SoP Form: X = 12 1 1 0 0
13 1 1 0 1
PoS Form: X = 14 1 1 1 0
15 1 1 1 1
27
Analyzing a logic circuit using timing diagrams
T1 = A B C T1 T2 T3 T4 X
A T2 =
0 0 0 0
T4 =
B 1 0 0 1
C 2 0 1 0
T3 = X
3 0 1 1
Logic 1
4 1 0 0
Logic 0
A 5 1 0 1
6 1 1 0
B
7 1 1 1
C
28
Homework: Fill up the truth table and timing diagram for the circuit below.
T1 =
A T2 =
X A B C T1 T2 T3 T4 T5 X
T4 =
B 0 0 0 0
C 1 0 0 1
T3 = T5 =
2 0 1 0
3 0 1 1
A 4 1 0 0
5 1 0 1
B
6 1 1 0
C 7 1 1 1
29
Boolean Algebra
Basic Boolean identities:
1. X + 0 = X 2. X  0 = 0
3. X + 1 = 1 4. X 1 = X
5. X + X = X 6. X  X = X
7. X + X = 1 8. X  X = 0
9. X = X 10. X = X
11. X(Y + Z ) = XY + XZ 12. X + YZ = ( X + Y )( X + Z)
13. X +Y = X Y 14. X  Y = X + Y
15. X  Y = X Y + XY 16. X  Y = XY + X Y
17. X + XY = X + Y 18. X + XY = X + Y
30
Boolean Algebra (Examples)
Prove the following identities using Boolean algebra and truth tables:
1. X + XY = X 2. X(X + Y) = X
3. XY + XY = X 4. (X + Y)(X + Y) = X
5. XY + XZ + YZ = XY + XZ 6. (X + Y)(X + Z )(Y + Z ) = ( X + Y)(X + Z )
7. AB+AB+AB = 1 8. XYZ = X + Y + Z
9. AB + AB = AB + A B 10. AB + A B = AB + AB
31
Digital circuit simplification using Boolean algebra
• Logic functions are simplified in order to reduce the number of gates required to implement
them. Thus the circuit will
– cost less,
– need less space and power,
– be build faster with less effort.
• For example the expression F needs six gates to be build. If the expression is simplified then
the function can be implemented with only two gates.
F = XYZ + XYZ + XYZ = YZ(X + X) + XYZ = YZ + XYZ = Y(Z + XZ)
 F = Y(Z + X)
X
Y F
Z X
Z
F
Y
F = XYZ + XYZ + XYZ F = Y(Z + X)
32
Boolean Algebra (Examples)
Simplify the expressions given below. Use truth tables to verify your results.
1. F = XY Z + XYZ + XZ 2. F = X YZ + XYZ + Y
X Y Z X Y Z X Y Z X Y Z
0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1
0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0
0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1
0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1
1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0
1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1
1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0
33
Boolean Algebra (Examples - Cont.)
Simplify the expressions given below. Use truth tables to verify your results.
3. F = (X + Y + Z)( X + Y + Z) 4. F = (X + Y + Z)(X + Z)
X Y Z X Y Z X Y Z X Y Z
0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1
0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0
0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1
0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1
1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0
1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1
1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0
34
Simplify the expression given below. Use truth tables to verify your results.
5. F = XY + X YZ + (Y + Z)
X Y Z X Y Z
0 0 0 1 1 1
0 0 1 1 1 0
0 1 0 1 0 1
0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 1
1 0 1 0 1 0
1 1 0 0 0 1
1 1 1 0 0 0
35
Simplify the expression given below. Use truth tables to verify your results.
6. F = (X + Y)( X + Z )(Y + Z )
X Y Z X Y Z
0 0 0 1 1 1
0 0 1 1 1 0
0 1 0 1 0 1
0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 1
1 0 1 0 1 0
1 1 0 0 0 1
1 1 1 0 0 0
36
BÀI GIẢNG
MẠCH ĐIỆN TỬ
Tuần 13

8.5.2 Sử dụng bảng Karnaugh

Qui tắc chung của phương pháp tối thiểu hoá bằng bảng Karnaugh là gom các ô kế cận lại với nhau.
Khi tối thiểu hoá hàm đại số logic bằng phương pháp bảng Karnaugh ta phải tuân thủ: "Hai ô được gọi
là kế cận nhau là khi ta đi từ ô này sang ô kia chỉ làm thay đổi giá trị của một biến".
Để rút gọn hàm logic, bảng Karnaugh sử dụng qui tắc nhóm theo bội 2, nghĩa là nhóm các ô liền kề cùng giá
trị 1 (hoặc 0) theo số lượng là bội số của 2. Sau đó loại bỏ những biến thay đổi giá trị qua 2 ô liền kề và giữ lại
biến không đổi. Nếu dùng các ô 1 thì phép tính logic là công (OR), còn nếu dùng các ô 0 thì phép tính logic là
nhân (AND).

Chương 9: CÁC CỔNG LOGIC VÀ MẠCH
LOGIC, MẠCH FLIP-FLOP
9.1 CÁC CỔNG LOGIC

Các công logic cơ bản là các mạch logic để xây dựng nên tất cả các loại mạch tổ hợp logic khác. Có các cổng cơ bản sau:
- Cổng NOT
- Cổng AND
- Cổng OR
- Cổng Hi-Z

Chương 9: CÁC CỔNG LOGIC VÀ MẠCH LOGIC,
MẠCH FLIP-FLOP

MẠCH FLIP-FLOP
NAND NAND
Hi-Z
Giải mã
Mạch dồn kênh

MẠCH FLIP-FLOP
Mạch phân kênh 4 kênh

Các cổng IC số thông dụng

Phần mềm
mô phỏng
MULTISIM
Đây là phần mềm mô phỏng
các loại mạch điện tử rất
mạnh
(giới thiệu trực tiếp trên
phần mềm)

BÀI GIẢNG
MẠCH ĐIỆN TỬ
Tuần 14

CHƯƠNG 10: MẠCH TỔ HỢP
Một số dạng mạch tổ hợp cơ bản hay sử dụng trong mạch số thông thường là:
− Mạch mã hóa CODE: 8-3, 16-4, 10-4 v.v…
− Mạch giải mã DECODE: 3-8, 4-16, 4-10 v.v…
− Mạch dồn kênh MUX-Multiplexer
− Mạch phân kênh DEMUX- Demultiplexer
− Mạch số học cơ bản: cộng, trừ
− Mạch tạo bít kiểm tra chẵn lẻ
− Mạch tính toán ALU

Quy trình thiết kế mạch logic tổ hợp như sau:

b1. Phân tích yêu cầu bài toán
b2. Xây dựng phương trình logic sử dụng các phương trình theo chuỗi tuần tự, hay chuỗi tổ hợp hoặc có thể sử
dụng bảng chân lý để biểu diễn.
b3. Sử dụng bảng karnaugh hoặc các phương pháp đại số để tối thiểu hóa hàm logic
hoặc đưa hàm logic về dạng mà dễ thiết kế mạch
b4. Thiết kế mạch cho chạy thử. Bước này được thực hiện bằng cách chọn linh kiện, nguồn, dạng tín hiệu đầu
và và quan sát tín hiệu đầu ra.
b5. Đánh giá tính ổn định của mạch. Mục đich là xác định các điều kiện làm việc của mạch có đáp ứng đầy đủ
yêu cầu về tần số, công suất, nhiễu đầu vào, nhiễu nguồn, khả năng chịu nhiệt độ, độ ẩm, dao động cơ học…
Mã Gray
Mã Gray – đặt theo tên của Frank Gray, là một hệ thống ký số

nhị phân, trong đó hai giá trị liên tiếp chỉ khác nhau một chữ số.
Mã Chẵn Lẻ: là mã thiết lập một bit (còn gọi là bít bậc - parity bit) để kiểm tra lỗi trong quá trình truyền nhận dữ liệu. Mã
có giá trị bằng 1 hay 0 khi số bít 1 trong chuỗi cho trước là số lẻ hay số chẳn.
Nếu thiết lập kiểm tra Chẳn:
Bit bậc bằng 1 khi số bit 1 trong dãy trước đó là số lẻ
Bit bậc bằng 0 khi số bit 1 trong dãy trước đó là số chẳn
Nếu thiết lập kiểm tra Lẻ:
Bit bậc bằng 1 khi số bit 1 trong dãy trước đó là số chẳn
Bit bậc bằng 0 khi số bit 1 trong dãy trước đó là số lẻ
Mã Chẳn Lẻ có nhược điểm là khi cả hai bit cùng đồng thời thay đổi thì mã không thể phát hiện được lỗi.
Mã Hamming: mã dùng để phát hiện sai và sửa sai từ phía nhận mã. Mã Hamming có thể phát hiện sai từ 2 bit trở
xuống trong một khuông truyền.
Nguyên tắc thiết lập mã Hamming là chèn thêm một số bit 1 hoặc 0 (tùy giá trị tính toán được) vào các vị trí mã tương
ứng là 1,2,4 8,16… bằng cách như sau:
1. Tất cả các bit ở vị trí là các số mũ của 2 được dùng làm bit chẵn lẻ. (các vị trí như 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 v.v. hay nói cách
khác 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26 v.v.)
2. Tất cả các vị trí bit khác được dùng cho dữ liệu sẽ được mã hóa. (các vị trí 3, 5, 6, 7, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 17, ...)
3. Mỗi bit chẵn lẻ tính giá trị chẵn lẻ cho một số bit trong từ mã. Vị trí của bit chẵn lẻ quyết định chuỗi các bit mà nó luân
phiên kiểm tra và bỏ qua.
• Vị trí 1 (n=1): bỏ qua 0 bit(n-1), kiểm 1 bit(n), bỏ qua 1 bit(n), kiểm 1 bit(n), bỏ qua 1 bit(n), v.v.
• Vị trí 2(n=2): bỏ qua 1 bit(n-1), kiểm 2 bit(n), bỏ qua 2 bit(n), kiểm 2 bit(n), bỏ qua 2 bit(n), v.v.
• và tiếp tục như trên.

Mã Manchester: là mã dùng để chuyển đổi dữ liệu vào các vị trí sườn xung tương ứng khi nhận biết trạng thái thay đổi.
Mã BCD
Là mã dùng để thể hiện số nhị phân dưới dạng thập phân quen
thuộc với người dùng phổ thông. Đây là loại mã rất hay dùng nên
các thiết bị đo lương, điều khiển hầu như toàn bộ dùng phương
pháp chuyển mã kiểu này.

Mã 7 đoạn(seven-segment)
Mã 7 đoạn dùng để thực hiện chuyển đổi số nhị phân 4 bit hoặc số BCD 4 bit thành số 7 đoạn để mô tả các số từ 0 đến 9 bằng
các đèn LED hay LCD. Mạch chuyển đổi mã này đã được chế tạo thành IC chuyên dụng như 7447

Mã chuyển đổi 3-8 và 4-16

Mã này thiết kế để chuyển đổi 3 bit đầu vào thành 8 bit đầu ra và 4 bit đầu vào thành 16 bit đầu ra, mã dùng để chế tạo các
mạch phân kênh DEMUX.
Mã NRZ: có 2 loại mã NRZ(Non Return to Zero) là mã

NRZ-L và NRZI.
Mã dùng trong kỹ thuật truyền tin đi xa(telecommunication).
Mã có 2 mức logic với mức "1" tương ứng điện áp dương và
mức "0" tương ứng điện áp âm. Thực tế người ta dùng một số
kiểu NRZ khác nhau theo sự "kéo" hay "thả" tín hiệu trong một
chu kỳ nhịp.

Mạch mã hóa
Có nhiều dạng mạch mã hóa. Trong
phạm vi bài học nay, ta sẽ mô tả một số
mạch mã hóa đặc trưng đã được chế tạo
thành những IC mã hóa chuyên dụng.
+ Mạch mã hóa BCD 10→4 bit.

+ Mạch mã hóa BCD 4→10: mạch này

làm việc ngược với mạch ở hình 8.9,
8.10. Bảng logic tối thiểu cũng tương tự
như vậy. Với đầu vào là 4 bit A, B, C, D.
Đầu ra là các bit tín hiệu từ 0 đến 9.

+ Mạch mã hóa 8→3 bit: đây là vi mạch thông dụng và được dùng để chọn kênh tín hiệu khi MUX truyền tin. Các vi mạch đặc
trưng như 74148.

+ Mạch mã hóa ưu tiên: Các mạch mã hóa nói ở trên có đặc điểm là mã hóa tín hiệu vào độc lập. Có nghĩa là mỗi thời
điểm chỉ có một kênh tín hiệu vào có ý nghĩa. Trong trường hợp khi có nhiều kênh tín hiệu vào cùng lúc, ngõ ra sẽ không biết
nhận theo tín hiệu vào. Khi đó mạch mã hóa ưu tiên sẽ là một phương án giải quyết. Mạch mã hóa cho phép ưu tiên tín hiệu theo
thứ tự bit đầu vào từ cao xuống thấp hoặc ngược lại.
9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 D C B A
1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1
1 1 1 1 1 1 1 1 0 X 1 1 1 0
1 1 1 1 1 1 1 0 X X 1 1 0 1
1 1 1 1 1 1 0 X X X 1 1 0 0
1 1 1 1 1 0 X X X X 1 0 1 1
1 1 1 1 0 X X X X X 1 0 1 0
1 1 1 0 X X X X X X 1 0 0 1
1 1 0 X X X X X X X 1 0 0 0
1 0 X X X X X X X X 0 1 1 1
0 X X X X X X X X X 0 1 1 0

74LS245
Các IC số 74LS244
tổ hợp
74LS138
74LS139 74ls153 MUX

BÀI GIẢNG
MẠCH ĐIỆN TỬ
Tuần 15

CHƯƠNG 11: MẠCH TUẦN TỰ
Nhiều ứng dụng có tính chất nhân quả như các quá trình điều khiển có thừa kế trạng thái, các hoạt động theo
chuỗi tuần tự... đều cần một yêu cầu thiết kế mạch điện áp ứng được. Do đó mạch tuần tự hay mạch dãy là
giải pháp giải quyết vấn đề.
QnS+1 R Qn Giải thích

+1
Trong trường hợp này, các đầu vào Qn và đều có thể tùy ý và đầu ra
luôn bằng 1 hoặc 0 tại thời điểm n+1, nhưng khi đó, các đầu ra lại
lập tức trở thành đầu vào kế tiếp. Do vậy 2 ngõ ra đều bằng 1 và trái
0 0 X X với qui ước 2 ngõ ra đảo và không đảo. Đồng thới nếu S hay R
chuyển sang mức 1 thì cũng không thể dự báo được giá trị ngõ ra là
bao nhiêu. Vì vậy trạng thái không được dùng trong các ứng dụng và
được gọi là trạng thái cấm.
0 1 1 0 Trạng thái đầu ra bền vững vì các đầu vào và phản hồi tương ứng
với múc logic hoàn toàn xác định.
1 0 0 1 Tương tự như trường hợp trên, các đầu ra cũng hoàn toàn bền
vững.
Đây là trường hợp đặc biệt. Nếu:
- Ban đầu Qn = 0 và =1 thì đầu ra vẫn có Qn+1 = 0
0(1
1(0 - Ban đầu Qn =1 và =0 thì đầu ra sẽ có Qn+1 = 1
1 1 )
) Như vậy ta thấy đầu ra bằng trạng thái đầu ra trước đó, nghĩa là đầu
Qn
ra không bị thay đổi khi từ một trạng thái vào đó của SR đến mức cả
hai đều bằng 1.

QD S R CL Q Giải thích
K
Khi D=0 thì đầu ra S luôn bằng 1, như vậy đầu ra Y phụ thuộc
tín hiệu CLK. Nếu:
0 1 1 0 Qn n - CLK=0 thì đầu ra R sẽ bằng 1, như vậy đây là trạng thái nhớ
giá trị trước đó của ngõ ra Q và
1 0 ↑ 0 1 - CLK=1 thì S=1 và R=0,Qn +và
1 nếu ta coi trạng thái CLK đang là từ
1 0 lên 1(↑) thì ngõ ra lúc này Q=0(giá trị của D) và =1.
Khi D=1, tương ứng chuyển từ 0 lên 1(↑), thì đầu ra R luôn
bằng 1. Lúc này nếu:
1 1 1 0 Qn n - CLK = 0, đầu ra S=1, nên đây là trạng thái nhớ giá trị trước đó
của ngõ ra Qn và n.
0 1 1 0 - CLK=1 thì đầu ra S=0, và nếu ta coi trạng thái CLK đang là từ
0 lên 1(↑), tương ứng bảng trạng thái như trong ví dụ 9.1 thì
Qn+1=1(giá trị của D) và n+1=0.

J K S R CLK Q Giải thích

0 0 1 1 ↑ Qn n Đối với trạng thái này, do S=R=1 nên đầu ra giữ nguyên
trạng thái trước đó, bất chấp sườn xung hay mức của CLK.
Q Trạng thái đầu ra lúc này cũng tương tự khả năng như ở
trên. Vì bất chấp giá trị của , ngõ ra S có thể thay đổi 0
hoặc 1.
- Nếu S=0 thì Q=1 và =0, như vậy đầu ra luôn cố định trạng
1 0 x 1 ↑ QQnn +1 n thái.
- Nếu S=1 và =0 thì đầu ra vẫn như trường hợp trên.
- Nếu S=1 và =1 thì Q=0, lúc này =1 nên trạng thái bền của
hai ngõ ra vẫn được giữ vững.
0 1 ↑ J Lúc này ngõ ra Q=J, ngõ ra bền vững khi Q=0 và =1 vì khi
đó S=R=1.
Qua một số ví dụ đặc trưng như vậy, ta rút ra những vấn đề cơ bản để phân tích chức năng hoạt động mạch tuần
tự. Cụ thể bao gồm:
- Xác định bảng trạng thái
- Xác định đồ thị htời gian của mạch
- Xác định đặc điểm công tác và chức năng logic
- Mô tả một số trường hợp đặc biệt
Qn +1

Qn +1
Đếm lên
Đếm xuống

BÀI GIẢNG
MẠCH ĐIỆN TỬ
Tuần 17

Mạch đếm vòng xoắn
Mạch đếm vòng dùng để thực hiện các thao tác lặp đi lặp lại trong một số thiết bị cần chu kỳ dài hoặc cần dịch xung để
thực hiện thao tác trình tự. Nguyên lý để thiết kế các bộ đếm vòng là dùng phản hồi đầu ra cho các mạch đếm cục bộ.
Trong một vài trường hợp cần tách đầu ra thì sử dụng thêm những mạch giải mã tách đếm.
Bộ đếm sử dụng các FF-D để thực hiện chức năng. Theo hình
9.18 ta thấy khi đếm đến Q3 thì ngõ vào D của FF-D đầu tiên sẽ
nhận tiếp xung đầu ra. Ở mỗi đầu ra Q0...Q3 đều có thể lấy đầu
ra để tránh nhầm lẫn. Giản đồ xung thời gian đầu ra của mạch
đếm vòng như hình.
Thanh ghi dịch
• Về cấu trúc dữ liệu, có những kiểu ghi dịch:
• - Vào nối tiếp, ra song song , đại diện như vi mạch 74LS164
• - Vào song song, ra nối tiếp, đại diện như vi mạch 74LS165
• - Vào song song, ra song song, đại diện như vi mạch 74LS195
• - Vào nối tiếp, ra nối tiếp

• Mạch ghi dịch trái
• Mạch ghi dịch trái là mạch ghi dịch ngược lại so với dịch phải. Một mạch ghi dịch
trái 4 bit cơ bản như hình

• Mạch ghi dịch hai hướng
• Mạch này có khr năng dịch trái hoặc dịch phải tùy thuộc cách nối các chân
ra và cung cấp tín hiệu điều khiển. Ta xét một mạch đại diện như hình 9.24.
Đây là vi mạch 74LS95 của hãng Motorola cung cấp.

Thanh ghi dịch nối tiếp
• Thanh ghi dịch nối tiếp là mạch dãy có chức năng dịch các xung đầu vào
theo tuần tự hoặc song song. Đầu ra của thanh ghi là các bit sắp xếp nối
tiếp. Quá trình dịch cần có sự không chế của xung nhịp. Một số thanh ghi
có thể dùng xung nhịp là nguồn tín hiệu chủ động đầu vào.

• Ta xét một vi mạch đặc trưng cho bộ ghi dịch nối tiếp là vi mạch
74LS165. Sơ đồ nguyên lý của vi mạch như hình

Biểu đồ thời gian ghi dịch nối tiếp của vi mạch 74LS165 như
hình

BÀI GIẢNG
MẠCH ĐIỆN TỬ
Tuần 18

BỘ NHỚ BÁN DẪN
• Bộ nhớ là thiết bị dùng để lưu trữ thông tin. Trong kỹ thuật số thì đó là thiết bị dùng để lưu trữ chương trình
và dữ liệu. Ở phạm vi chương này ta chỉ xét các bộ nhớ bán dẫn, còn những kiểu bộ nhớ khác như đĩa cứng,
đĩa quang, băng từ, ferit... thì không được trình bày.
• Bộ nhớ bán dẫn được chia ra nhiều loại, tùy theo chức năng và cấu tạo. Có một số phân loại như sau:
• - Bộ nhớ có thể ghi/đọc tức thời, thường gọi là RAM(Randomize Access Memory). Đây là loại bộ nhớ có tốc
độ truy cập nhanh nhất trong các kiểu bộ nhớ. Bộ nhớ hoạt động khi có điện, do đó nếu mất điện thì dữ liệu
trong đó cũng mất. Có hai loại RAM hay dùng là SRAM(Static RAM) và DRAM(Dynamics RAM). Các loại này ta
sẽ xem xét trong các bài cụ thể ở mục sau.
• - Bộ nhớ chỉ đọc ROM(Read Only Memory), là loại bộ nhớ chỉ ghi vào được một lần, sau đó chỉ đọc ra chứ
không ghi lại được nữa. Đây là loại bộ nhớ có độ bảo vệ an toàn dữ liệu cao nhất, nhưng kích thước bộ nhớ
thường bị hạn chế.
• - Bộ nhớ không xóa có thể ghi lại được, thuộc họ ROM, gọi là EPROM(Erasable Programmable ROM), là loại
bộ nhớ bán dẫn không bị mất dữ liệu khi mất điện tạm thời, nhưng lại có thể ghi lại tùy ý khi sử dụng điện.
Loại bộ nhớ này được xóa bằng tia cực tím. Tuy nhiên tốc độ truy cập dữ liệu không nhanh bằng RAM.
• - Bộ nhớ FLASH, còn gọi là NVRAM(Non-volatile RAM), là loại bộ nhớ bán dẫn thuộc dòng EPROM nhưng
được xóa và ghi lại bằng điện. Đây là loại bộ nhớ di động thông dụng nhất hiện nay. Khác với EPROM là phải
xóa hết tòan bộ bbọ nhớ rồi mới lập trình lại, thì FLASH chỉ xóa vùng dữ liệu cần xóa trong bộ nhớ đó, gọi là
block. Do đó số lần ghi/xóa của FLASH nhiều hơn so với EPROM.

• SDRAM, còn gọi là RAM tĩnh, là loại bộ nhớ bán dẫn được chế tạo từ
những Flip Flop. Do đó khi cần ghi hay xóa dữ liệu, ta sẽ đưa tín hiệu
ghi/xóa đến các chân điều khiển và địa chỉ cần xóa tương ứng của bộ
nhớ. Sơ đồ khối chung của SRAM

Về cấu tạo thông dụng, SRAM có loại dùng 4 transitor, loại 6 transitor,
gọi là loại 4-cell hoặc 6-cell. Nguyên lý của hai loại như hình

Ta xét một vi mạch SRAM thực tế như hình
10.4, đó là vi mạch 74LS89, sử dụng công nghệ
TTL để chế tạo. Đây là vi mạch nhớ 16x4 tương
đương 64 bit, sắp xếp theo cấu trúc 16 từ 4 bit. Vi
mạch có các chân chức năng như sau:
- A0 đến A3 là 4 đường địa chỉ để giải mã
thành 16 địa chỉ hàng khác nhau.
- D1 đến D4 là 4 đường dữ liệu đầu vào(dây
bit không đảo)
- là 4 đường dữ liệu đầu ra( dây bit đảo)
- CS là tín hiệu chọn chip, tác động tích

cực mức 0
- WE là tín hiệu ghi /đọc dữ liệu, tác động
mức 0 để ghi.

DRAM
• SRAM có ưu điểm là lưu trữ thông tin tin cậy, nhưng lại có nhược
điểm là kích thước lớn và giá thành đắt do sử dụng nhiều linh kiện
tích cực. Cùng với sự phát triển của công nghệ thông tin, đòi hỏi dung
lượng bộ nhớ lớn và giá thành rẻ, DRAM đã ra đời và giải quyết được
vấn đề này. Tuy chưa phải là giới hạn cuối cùng nhưng với hiện tại,
DRAM đã giải quyết được phần lớn yêu cầu đặt ra. Do vậy những máy
tính PC, Laptop... đã dùng DRAM để mang đến cho người dùng những
chi phí tối ưu.

Nguyên tắc hoạt động của DRAM
• Cũng như SRAM, việc nhớ một dữ liệu là tồn

tại nếu bộ nhớ được cung cấp điện. Việc ghi
nhớ dựa vào việc duy trì điện tích nạp vào tụ
điện và như vậy việc đọc một bit nhớ làm nội
dung bit này bị huỷ. Vậy sau mỗi lần đọc một ô
nhớ, bộ phận điều khiển bộ nhớ phải viết lại ô
nhớ đó nội dung vừa đọc và do đó chu kỳ bộ
nhớ động ít nhất là gấp đôi thời gian thâm
nhập ô nhớ. Việc lưu giữ thông tin trong bit
nhớ chỉ là tạm thời vì tụ điện sẽ phóng hết điện
tích đã nạp vào và như vậy phải làm tươi bộ
nhớ sau mỗi 2s. Làm tươi bộ nhớ là đọc ô
nhớ và viết lại nội dung đó vào lại ô nhớ. Việc
làm tươi được thực hiện với tất cả các ô nhớ
trong bộ nhớ. Việc làm tươi bộ nhớ được thực
hiện tự động bởi một vi mạch bộ nhớ. Bộ nhớ
DRAM chậm nhưng rẻ tiền hơn SRAM, đồng
thời dung lượng vì thế lớn hơn SRAM nhiều
lần nếu so cùng thể tích.

ROM
• Trong phần định nghĩa ở

trân, ta đã giới thiệu về
ROM, đó là bộ nhớ chỉ ghi
được một lần và chỉ có thể
đọc dữ liệu ra. Tuy nhiên,
hiện tại thì một số ROM có
thể ghi/xóa được một số
lần hữu hạn, được phân
loại ra như PROM, EPROM,
EEPROM.

• Các FET trong hình 10.9, có một số mắc theo kiểu diode
để điều khiển hàng và cột. Số còn lại được mắc trực tiếp
để tạo nên ma trận ô nhớ. Lý do mắc FET theo kiểu
diode mà không dùng diode là do công nghệ chế tạo,
càng ít chủng loại linh kiện trên vi mạch thì việc chế tạo
càng đơn giản và giá thành thấp, độ tin cậy cao.
• Sơ đồ ở hình 10.9 mô tả ROM có 4 địa chỉ hàng(tổ hợp
A0-A1) và 4 địa chỉ cột(A2-A3). Mỗi mắt nhớ tương ứng
với giao nhau của hàng và cột, nếu có MOSFET thì bit
bằng 1, còn nếu không có MOSFET thì bit bằng 0. Như
vậy ta thấy từ hớ ở đây sẽ là 4 từ 1/2 byte với định
nghĩa như sau:
• Từ 1: 1010
• Từ 2: 0000
• Từ 3: 0100
• Từ 4: 0001
• Do vậy khi A0A1 = 00 thì dây 1 được chọn, muốn đọc nội
dung ô nhớ nào trong dây này ta chỉ việc chọn địa chỉ
cột tương ứng. Cứ như vậy cho đến hết 3 dây địa chỉ
hàng còn lại.

Bộ nhớ FLASH
•
• Bộ nhớ flash là một loại EEPROM, là bộ nhớ đọc/ghi bằng điện và không mất dữ
liệu khi ngừng cung cấp điện. Chúng có ô nhớ được lập bằng 2 dạng cổng
logic là NAND và NOR, và cho phép đọc/ghi từng khối nhỏ hoặc theo từ của
máy(machine word). Nó khác với EPROM phải xóa toàn bộ hoặc khối lớn trước
khi ghi mới.
• Như vậy về bản chất, bộ nhớ flash cũng có cấu trúc ô nhớ như những kiểu bộ
nhớ khác, chí có khác về cách truy cập dữ liệu. Những bộ nhớ flash dung lượng
nhỏ được dùng trong các ứng dụng đơn giản như dùng chế tạo các bộ điều
khiển trong các thiết bị gia dụng: quạt, đèn, tivi, bếp điện... Còn những flash có
dung lượng lớn hơn thì dùng trong các ứng dụng cao cấp hơn như máy ảnh,
điện thoại di động, các bộ điều khiển công nghiệp như PLC
• Phổ thông nhất chính là thẻ nhớ và ổ USB flash để lưu trữ và truyền dữ liệu giữa
các máy tính và các thiết bị kỹ thuật số khác. Hiện nay các thẻ nhớ flash được
chế tạo với dung lượng rất lớn, cỡ 1TB, chúng được gọi là ổ cứng thể rắn
SSD(Solid State Drive).

Ghép nối bộ nhớ
• Khi làm việc với bộ nhớ,
sẽ cần phải giao tiếp với
nhiều thiết bị, như vi xử lí,
các mạch số chuyên dụng,
các bộ nhớ ghép với nhau
để tăng dung lượng... Khi
đó cần phải quan tâm đến
vấn đề ghép nối bộ nhớ
để đảm bảo sự linh hoạt
và tin cậy trong quá trình
sử dụng bộ nhớ.

Ghép song song 2 EPROM

BÀI GIẢNG
MẠCH ĐIỆN TỬ
Tuần 19

Mạch dao động
• Dùng NE 555
• Giải thích mạch

Sử dụng
phần mềm
mô phỏng
• Chuẩn bị phần
mềm
• Các bước cài đặt
• Tạo file mô phỏng
• Thay đổi thư viện
• Phân tích tín hiệu


Mach Dien Tu So NHM

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Mach Dien Tu So NHM

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

BÀI GIẢNG

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 1

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 2

8.1 Mạch điện tử số được ứng dụng rộng rãi trong xử lí và

8.1.2 Lượng tử hóa tín hiệu

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 4

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 5

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 6

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 7

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 8

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 9

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 10

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 11

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 12

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 13

8.4.4 Định lí DeMORGAN

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 14

Buffer AND OR EX-OR

NOT NAND NOR EX-NOR

X=A X = AB X=A+B X=A+B

3-Input AND Gate 4-Input AND Gate 4-Input OR Gate

Logic Diagram with Gates

Logic Diagram with Gates

Logic Function A A+B

Example 2 Logic Diagram with Gates

Homework 2 Logic Diagram with Gates

X = ABC + ABC + ABC + ABC

Basic Boolean identities:

5. XY + XZ + YZ = XY + XZ 6. (X + Y)(X + Z )(Y + Z ) = ( X + Y)(X + Z )

F = XYZ + XYZ + XYZ F = Y(Z + X)

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 37

8.5.2 Sử dụng bảng Karnaugh

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 38

9.1 CÁC CỔNG LOGIC

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 39

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 40

Mạch dồn kênh

Mạch phân kênh 4 kênh

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 42

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 43

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 44

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 45

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 46

Quy trình thiết kế mạch logic tổ hợp như sau:

Mã Gray – đặt theo tên của Frank Gray, là một hệ thống ký số

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 49

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 50

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 51

Mã chuyển đổi 3-8 và 4-16

Mã NRZ: có 2 loại mã NRZ(Non Return to Zero) là mã

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 52

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 53

+ Mạch mã hóa BCD 4→10: mạch này

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 54

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 55

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 56

74LS139 74ls153 MUX

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 57

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 58

QnS+1 R Qn Giải thích

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 59

Bộ môn Tự động hóa - Khoa Điện - ĐHBK - ĐHĐN 60

J K S R CLK Q Giải thích