Professional Documents
Culture Documents
Giao Trinh Ky Thuat Xung So
Giao Trinh Ky Thuat Xung So
KỸ THUẬT XUNG - SỐ
1
Chương 1:
Vp
+ + + + +
- - - - - t
-Vp
V V
VH
VH
VL
t t
VL
a) b)
Hình 1.2: a, xung vuông điện áp > 0. b, xung vuông điện áp đều nhau
Tín hiệu xung không chỉ có tín hiệu xung vuông mà còn có mốt số dạng tín hiệu
khác như xung tam giác, răng cưa, xung nhọn, xung nấc thang có chu kỳ tuần hoàn
theo thời gian với chu kỳ lặp lại T.
2
u u
t t
A: xung tam giác B. Xung nhọn (vi phân)
u u
t t
C. Xung răng cư a
D. xung nấc thang
(hàm mũ - tích phân)
Um
0.9Um Δu
u tx
Um
t ng Um 0.1Um
0 T 0 tđ
t t tr ts t
tx
A, xung vuông lý tưởng B, xung vuông thự c tế
3
Xung vuông thực tế với các đoạn đặc trưng như: sườn trước, đỉnh, sườn sau.
Các tham số cơ bản là biên độ Um, độ rộng xung tx, độ rộng sườn trước ttr và sau ts,
độ sụt đỉnh ∆u
- Biên độ xung Um xác định bằng giá trị lớn nhất của điện áp tín hiệu xung có
được trong thời gian tồn tại của nó.
- Độ rộng sườn trước ttr, sườn sau ts là xác định bởi khoảng thời gian tăng và
thời gian giảm của biên độ xung trong khoảng giá trị 0.1Um đến 0.9Um .
- Độ rộng xung Tx xác định bằng khoảng thời gian có xung với biên độ trên mức
0.1Um (hoặc 0.5Um).
- Độ sụt đỉnh xung ∆u thể hiện mức giảm biên độ xung tương tứng từ 0.9Um
đến Um.
Với dãy xung tuần hoàn ta có các tham số đặc trưng như sau:
- Chu kỳ lặp lại xung T là khoảng thời gian giữa các điểm tương ứng của 2
xung kế tiếp, hay là thời gian tương ứng với mức điện áp cao tx và mức điện
áp thấp tng
T = tx + tng (1)
- Tần số xung là số lần xung xuất hiện trong một đơn vị thời gian.
1
F= (2)
T
- Thời gian nghỉ tng là khoảng thời gian trống giữa 2 xung liên tiếp có điện nhỏ
hơn 0.1Um (hoặc 0.5Um).
- Hệ số lấp đầy γ là tỷ số giữa độ rộng xung tx và chu kỳ xung T
tx
γ= (3)
T
* Trong kỹ thuật xung - số người ta sử dụng phương pháp số đối với tín hiệu
xung với quy ước chỉ có 2 trạng thái phân biệt
4
- Trạng thái có xung (tx) với biên độ lớn hơn một ngưỡng UH gọi là trạng thái
cao hay mức “1”, mức UH thường chọn cỡ từ 1/2Vcc đến Vcc.
- Trạng thái không có xung (tng) với biên độ nhỏ hơn 1 ngưỡng UL gọi là trạng
thái thấp hay mức “0”, UL được chọn tùy theo phần tử khóa (tranzito hay IC)
- Các mức điện áp ra trong dải UL < U < UH được gọi là trạng thái cấm
2. Các dạng điện áp đơn giản và phản ứng của mạch điện RC – RL đối với
dạng xung.
Trong lý thuyết về mạch lọc người ta chia mạch lọc thành 2 loại là mạch lọc
thụ động và mạch lọc tích cực, các mạch lọc thụ động dùng các phần tử cơ bản R-L-
C còn được chia thành một số loại
Theo linh kiện có mạch lọc RC, RL, LC
Theo tần số chọn lọc có: mạch lọc thông thấp, mạch lọc thông cao, mạch lọc
thông dải và mạch lọc chặn dải tùy theo các sắp xếp của từng loại linh kiện trong
mạch mà ta sẽ được các mạch lọc tương ứng.
t0 t
5
E khi t >= t 0
U(t) = E.1(t0) =
0 khi t < t 0
Trong đó hàm 1(t) là hàm xung đơn vị hay hàm đóng mạch tại thời điểm t = t0 (t0
1 khi t >= t 0
> 0) ta có 1(t0) = 1(t – t0) = 0 khi t < t
0
b.
u
α = arctg (k )
t0 t
k (t − t 0 ) khi t >= t 0
U(t) = k(t – t0).1(t0) =
0 khi t < t 0
c.
u
E
t0 t
d. Ví dụ: một số trường hợp thay đổi dạng xung phức tạp thành dạng xung đơn
giản
* Dạng xung vuông
1 khi t >= t1 t1 t2 t
U1(t) = 1(t0) =
0 khi t < t1 -1
U2(t)
6
− 1 khi t >= t 2
U2(t) = -1(t0) =
0 khi t < t 2
u
a2
* Dạng xung hình thang a1
t1 t2 t3 t4 t
1 2 3 4 u
u(t) = u (t) + u (t) + u (t) + u (t) U1(t) U4(t)
a1
k (t − t1 ) t >= t1 α 1= arctg (k ) a1 t3 t4 a2
t1 t2 a1 a2 t
Trong đó u1(t) =
0 t < t1 U3(t)
U2(t)
− k (t − t 2 ) t >= t 2 α 1= arctg (k )
U2(t) =
0 t < t2
* Dạng hàm mũ
U(t) = u1(t) + u2(t) với u
t2
0 khi t < t 2
0 t < t1
E (1 − exp(−α (t − t ))) t1 <= t <= t 2
Ta có u(t) =
1
k (t − t1 ) t1 <= t <= t 2 u
u(t) = E exp(− β (t − t 2 )) t 2 <= t <= t 3
a
0 t 3 <= t u
t1 t2 t3 t
u1(t)
u2(t)
U2(t) = -k(t – t2) t >= t2
7
U3(t) = -E(1 – exp(-β(t – t2))) t >= t2
R V0
V0
Vi
2
Vi
fC f
A. Mạch lọc thông thấp B. Đáp ứ ng tần số
Hình 1.5: Mạch lọc RC và đáp ứng xung của mạch lọc
1
- Tần số cắt của mạch lọc là FC = (5) tương ứng với điện áp
2π RC
Vi
V0 = V0 là biên độ điện áp lối ra, Vi là biên độ điện áp lối vào
2
1
RC ∫
- Điện áp lối ra của mạch lọc thông thấp là v0 (t ) = vi (t )dt (6)
dvi (t )
- Điện áp lối ra của mạch lọc thông cao là v0 (t ) = RC (7)
dt
- Trong đó v0(t), vi(t) là điện áp tín hiệu lối ra và lối vào tại thời điểm t
2.3. Mạch RL
Người ta có thể dùng điện trở R kết hợp với cuộn cảm L để tạo thành các
1
mạch lọc thay cho tụ C, do tích chất của L và C ngược nhau ZL = jω L , ZC = do
jω C
đó khi dùng mạch lọc thông thấp, thông cao RL thì cách mắc ngược lại với mạch RC
8
L R
V0 V0
Vi R Vi
L
R
L∫
Điện áp lối ra của mạch lọc thông thấp là v0 (t ) = vi (t )dt (9)
L dvi (t )
Điện áp lối ra của mạch lọc thông cao là v0 (t ) = (10)
R dt
3. Phản ứng của mạch lọc RC đối với các xung đơn
V0
Vi i R
Tín hiệu lối vào là vi(t) tuần hoàn với chu kỳ T, tần số góc là ω = 2π T , tín hiệu
lối ra là v0(t)
2 2
1
Khi đó đặt FC = là tần số cắt của mạch
2π RC
9
vi (t )
Dòng điện trong mạch là i (t ) = (12)
Z
vi (t )
vR (t ) = R.i (t ) =
2
1
1+
ω RC
Khi đó ta có lối vào là tín hiệu xung vuông thì lối ra là tín hiệu xung vi phân
vi v0 v0
t t t
HHình 1.8: Đáp ứng xung lối vào và ra của mạch RC lối ra trên R
Tín hiệu lối vào là Sin thì tín hiệu lối ra là sin sớm pha 900
vi (t ) = Asin(ω t) thì tín hiệu lối ra là
1 1
v0 (t ) = ω Acos(ωt ) = ω A sin(ωt + 900 )
2 2
1 1
1+ 1+
ω RC ω RC
V0
Vi
10
Hình 1.9: Mạch RC lối ra trên C
Tín hiệu lối vào là vi(t) tuần hoàn với chu kỳ T, tần số góc là ω = 2π T , tín hiệu
lối ra là v0(t)
2 2
1
Khi đó đặt FC = là tần số cắt của mạch
2π RC
vi (t )
Dòng điện trong mạch là i (t ) =
Z
q (t ) 1 1
vC (t ) = = i (t )dt = vi (t )dt
Điện áp lối ra trên tụ là C C 1
2
RC 1 +
ω RC
Vi V0 V0
t t t
A. xung lối vào B. xung lối ra khi tích RC thay đổi
Hình 1.10: Đáp ứng xung lối ra của mạch RC lối ra trên C
1
v0 (t ) = A sin(ωt − 900 )
vi (t ) = Asin(ω t) thì tín hiệu lối ra là 1
2
ω RC 1 +
ω RC
11
* Ura >= UH khi Uvào <= UL
* Ura =< UL khi Uvào >= UH
Chế độ khóa của tranzito được xác định bằng chế độ điện áp hay dòng điện
một chiều cung cấp từ ngoài qua 1 mạch phụ trợ (điện trở làm khóa thường đóng hay
mở). Việc chuyển trạng thái của khóa thường được thực hiện nhờ một tín hiệu xung
có cực tính thích hợp tác động tới đầu vào. Tùy trường hợp mà tranzitor có thể
chuyển trạng thái tuần hoàn nhờ một mạch hồi tiếp dương phản hồi từ đầu ra tới
đầu vào của mạch khi đó không cần xung điều khiển như mạch dao động đa hài
dùng tranzitor ta sẽ khảo sát bài sau:
Xét mạch điện như xau
+ECC
IC RC
ura
RB
uCE
uv Rt
IB uBE
12
ura = ECC/2 là mức nhỏ nhất của điện áp ra mứcc cao ở trạng thái H, do đó để
phân biệt được chắc chắn với trạng thái H ta chọn UH < ECC/2 (ví dụ chọ UH = 1.5 V
khi ECC = 5V) và điện áp vào phải nằm dưới mức UL để đảm bảo tranzitor vẫn bị
đóng chắc chắn tức UL = UVmax, khi đó điện áp lối vào phụ thuộc vào tường loại
tranzitor, như là tranzitor silic chọn UL = 0.4V
Trạng thái dẫn bão hòa: Khi có xung điều khiển cực tính dương đưa tới lối
vào (hoặc nguồn 1 chiều) chó điện áp vào Uvào >= UH, khi đó tranzitor sẽ chuyển
trạng thái mở (thông bão hòa), khi đó điện áp lối ra phải thỏa mãn điều kiện U ra <=
UL, khi đó điện trở RC ta phải chọn cho phù hợp để thời gian quá độ đủ nhỏ và dòng
IC không quá lớn.
Khi ở trạng thái bão hòa ta có điện áp rơi trên cực Bazơ của tranzitor UBEbh = 0.6
÷ 0.8 V (với tranzitor silic) và UBEbh = 0.3V (với tranzitor germani)
Và điện áp rơi trên cực Colector của tranzitor là UC = UCEbh = 0.1 ÷ 0.2V
ECC − U CEbh
Do đó dòng IC bão hòa được tính như sau: I C = .
RC
Khi có dòng trên trở tải RC ta tính dòng cực Bazơ với hệ số khuếch đại dòng β
khi đó ta có thể chọn trở tải cực Bazơ cho phù hợp
IC
IB = , trong trường hợp cần chọn tranzitor ở trạng thái bão hòa sâu (trạng thái
β
bão hòa bền vững) ta có thể tính dòng IB theo công thức sau:
IC
IB = k (k là hệ số bão hòa sâu, k ≈ 2 ÷ 5 lần so với trạng thái bắt đầu
β
đạt mức bão hòa của tranzitor)
Và điện trở tải lối vào RB được chọn theo công thức
UV − U BEbh
RB = .
I Bbh
Ví dụ 1: Khi dùng tranzitor silic với RC = 5 kΩ khi đó xác định chọn RB khi lối
vào Uv = UH = 1.5V thì Ura <= UL = 0.4V, hệ số khuếch đại dòng là β = 100
ECC 5 E − 0.2
Dòng ICbh ≈ = = 1mA hay CC
RC 5000 RC
13
I Cbh 1
IBbh = = = 0.01mA = 10 µ A
β 100
Để tranzitor ở trạng thái bão hòa bền vững ta chọn I Bbh = 50 µ A (tương ứng với
mức dự chữ 5 lần) khi tranzitor thông bão hòa UBE = 0.6V với tranzitor silic
U V −U BE (1.5 − 0.6)V
Trở tải lối vào RB = = = 18k Ω
I Bbh 50 µ A
Ví dụ 2: Mạch điện như trên tranzitor silic với ECC = 12V, trở tải RC = 1.2 kΩ ,
hệ số khuếch đại dòng điện là 100 lần và độ dữ trữ k = 3 lần, điện áp lối vào Ui =
1.5V. Xác định trở tải lối vào RB cho phù hợp?
Dòng IC ở trạng thái bão hòa là
E CC −U CEbh (12 − 0.2)
I Cbh = = ≈ 10mA
RC 1.2*103
14
Vùng bão U0
hòa Vùng
cấm
2.5
2
SH
UH Vùng khóa
0.4 UBEbh
SL
0.2 UV
UL 1 UH 2 3
RC RC
U ra Ura
R1 R1
UV UV
R2 R2
A. B.
ECC
RC
Ura
R1
UV
R2
-E
C.
15
5. Chế độ khóa của khuếch đại thuật toán
Khi làm việc ở chế độ xung, mạch vi điện tử tuyến tính hoạt động như một
khóa điện tử đóng, mở nhanh, điểm làm việc luôn nhằm trong vùng bão hòa của đặc
tuyến truyền đạt Ura= f(Uvào). Khi đó điện áp lối ra chỉ nằm ở 1 trong 2 mức bão hòa
+ −
U ramax và U ramax ứng với biên độ UV đủ lớn. Ta xét các mạch so sánh như sau
+VCC
Ui+ U0
Ui -
-VCC
Đây là mạch khuếch đại so sánh dùng 2 nguồn nuôi đối xứng ±VCC , điện áp đặt
vào lối vào không đảo (+) gọi là Ui+ và điện áp đặt vào lối vào đảo (-) là Ui-
Tùy thuộc điện áp của 2 lối vào đảo và không đảo này so sánh với nhau mà lối
ra của bộ khuếch đại thuật toán ở 1 trong 2 trạng thái như sau
- Nếu lối vào Ui+ > Ui- thì tối ra U0 = +VCC gọi là trạng thái bão hòa dương
- Nếu lối vào Ui+ < Ui- thì tối ra U0 = -VCC gọi là trạng thái bão hòa âm
Thực tế thông thường mạch khuếch đại thuật toán dùng làm mạch so sánh để
thực hiện so sánh một tín hiệu lối vào Ui với một nguồn điện áp chuẩn UR. Tùy theo
yêu cầu của từng mạch mà ta để điện áp lối vào ở lối vào đảo hoặc không đảo còn
lối vào còn lại được nối với một nguồn điện áp chuẩn UR
Trường hợp UR = 0, khi đó mạch so sánh sẽ thực hiện xác định lúc thay đổi cực
tính của tin hiệu lối vào UV
16
Trường hợp 1: Điện áp đưa vào lối vào đảo và điện áp chuẩn đưa tới lối vào
không đảo:
Khi đó lối ra sẽ đảo cực tính khi Ui chuển qua giá trị UR.
Trường hợp 2: Điện áp lối vào đưa tới lối vào không đảo và điện áp chuẩn
đưa tới lối vào đảo:
U0
+VCC +VCC
U+ramax
Ui U0
ΔU 0 UR Ui
-VCC U-ramax
UR -VCC
Khi đó lối ra sẽ đảo cực tính khi Ui chuyển qua giá trị UR.
17
Chú ý: Trong trường hợp điện áp lối vào Ui và UR lớn hơn giá trị điện áp đầu
vào tối đa cho phép của IC khi đó chúng ta cần mắc đầu vào qua một mạch phân áp
điện trở trước khi đưa tới lối và + hoặc – của IC. Khi mạch làm việc với tốc độ thay
đổi xung quá lớn với điện áp lối ra thay đổi cỡ vài V/ µ s , IC không chuyển mạch kịp
khi đó ta có thể sử dụng các IC so sánh chuyên dụng để thực hiện mạch so sánh với
tốc độ điện áp lối ra có thể thay đổi vài V/ns.
Trường hợp 3: có 2 tín hiệu điện áp lối vào UV1, UV2 được đưa tới lối và và so
sánh với 1 điện áp chuẩn UR (trường hợp UR = 0)
U0
+VCC +VCC
U+ramax
UV1 R1 p UV1
U0 0
Uv
UV2 R2 -VCC
U-ramax UV2
-VCC
.
Hình 1.17: Bộ so sánh 2 tín hiệu lối vào đảo và đặc tuyến truyền đạt
Khi đó tín hiệu lối vào đảo là tổng của 2 tín hiệu lối vào 1 và 2, ta có
U P = UV 1 + UV 2 , khi UP = 0 khi đó lối ra bộ so sánh sẽ chuyển trạng thái, trường
hợp thuận thì nối 2 lối vào UV1, UV2với lối vào thuận
18
X1
+VCC 1
0 UR1 UV
+VCC -VCC
UR2 X2
2 X2
-VCC +VCC
U0 1 UR2
UV
-VCC 0 UV
+VCC
1 U0
UR1 X1
-VCC 1
0 0
UV
A. Sơ đồ B. Đặc tính truyền đạt
Khi điện áp lối vào UV = UR1 khi đó lối ra bộ so sánh thứ 1 chuyển trạng thái từ
-VCC thành +VCC do ∆U = UV − U R1 = 0 và lối ra bộ so sánh 2 vẫn giữ nguyên trạng thái
+VCC khi đó lối ra cổng logíc chuyển trạng thái từ 0 lên 1 tương ứng mức cao (tùy
thuộc vào họ logic mà lối ra có điện áp thích hợp)
Khi điện áp lối vào UV = UR2 khi đó lối ra bộ so sánh 1 giữ nguyên trạng thái và
lối ra bộ so sánh 2 sẽ chuyển trạng thái từ +VCC thành –VCC do ∆U = U R 2 − UV = 0, khi
đó lối ra cổng logíc ở mức thấp.
Bộ so sánh 2 ngưỡng được ứng dụng đặt biệt thuận lợi khi cần theo dõi và
khống chế tự động một thông số nào đó của một quá trình giới hạn cho phép đã được
định sẵn (giá trị trong điện áp ngưỡng) hoặc ngược lại không cho phép thông số này
rơi vào vùng giới hạn cấm nhờ có 2 ngưỡng điện áp lối vào tương ứng
19
Chương 2:
1. Mạch vi phân
V0
Vi i R
Tín hiệu lối vào là vi(t) tuần hoàn với chu kỳ T, tần số góc là ω = 2π T , tín hiệu
lối ra là v0(t)
20
2 2
1
Khi đó đặt FC = là tần số cắt của mạch
2π RC
vi (t )
Dòng điện trong mạch là i (t ) =
Z
vi (t )
vR (t ) = R.i (t ) =
2
1
1+
ω RC
1+
ω RC
Khi đó ta có lối vào là tín hiệu xung vuông thì lối ra là tín hiệu xung vi phân
vi v0 v0
t t t
ui
U0
0 t 0 t
Tín hiệu lối vào là Sin thì tín hiệu lối ra là sin sớm pha 900
vi (t ) = Asin(ω t) thì tín hiệu lối ra là
1 1
v0 (t ) = ω Acos(ωt ) = ω A sin(ωt + 900 )
2 2
1 1
1+ 1+
ω RC ω RC
21
b. Mạch vi phân dùng RL
u0(t)
ui(t)
L
L
Tổng trở của mạch là Z = R 2 + ( ω L ) = R 1 + ω trong đó ω L là trở kháng
2
R
của cuộn cảm
ui
Dòng điện trong mạch là i = , và điện áp lối ra trên cuộn cảm là
Z
L duv (t )
di
u0 = L = L
2 dt , coi L ω rất nhỏ so với 1 khi đó R 1 + ω L ≈ R
dt R 1 + ω
R R
R
Tính toán ta được điện áp lối ra tỷ lệ vi phân với điện áp lối vào ui(t)
L d L
u0 (t ) = ui (t ) . Trong đó k hệ số tỷ lệ k =
R dt R
22
1.2. Mạch khuếch đại thuật toán vi phân
R2
R1 C
Ui
Iin U0
R3
U0
Dòng điện hồi tiếp từ lối ra tới lối vào là IR2 = −
R2
Do tính chất của bộ khuếch đại thuật toán điện trở lối vào vô cùng lớn, điện
trở lối ra vô cùng nhỏ nên ta coi dòng lối vào đảo của khuếch đại thuật toán xấp xỉ 0
Áp dụng tính chất dòng điện nút ta có
uur uuur
I in + I R 2 = 0 hay I in − I R 2 = 0 .
du i u dui
Từ đó ta có Iin = IR2 hay C =− 0 ⇒ u0 = − R2C
dt R2 dt
23
u0 = k ∫ ui (t )dt trong đó k là hệ số tỷ lệ phụ thuộc vào mạch
V0
Vi
Tín hiệu lối vào là vi(t) tuần hoàn với chu kỳ T, tần số góc là ω = 2π T , tín hiệu
lối ra là v0(t)
2 2
1
Khi đó đặt FC = là tần số cắt của mạch
2π RC
ui (t )
Dòng điện trong mạch là i (t ) =
Z
q (t ) 1 1
u0 (t ) = = i (t ) dt = ui (t )dt
Điện áp lối ra trên tụ là C C 1
2
RC 1 +
ω RC
1 1
Khi tần số lối vào fi >> fC hay fi >> ⇒ RC >>
2π RC 2π f i
1
τ = 2π RC là hằng số thời gian của mạch khi đó τ >> = Ti trong đó Ti là chu kỳ tín
fi
hiệu lối vào
Với điều kiện như trên thì tổng trở của mạch Z ≈ R khi đó tín hiệu lối ra của
mạch là
24
1 1
u0 (t ) =
RC ∫ ui (t )dt với k =
RC
Khi tín hiệu lối vào là xung sin thì tín hiệu lối ra cũng là xung sin và bị trễ pha đi
0
90 .
Khi tín hiệu lối vào là xung vuông thì tín hiệu lối ra là xung tích phân của tín
hiệu lối vào tương ứng với dạng xung phóng nạp cho tụ
ui ui
Ti Ti
u0 u0
C. D ạng xung lối ra khi τ = Ti/5 t D. D ạng xung lối ra khi τ >> Ti t
Hình 2.6: Dạng tín hiệu vào và ra của mạch tích phân
Trường hợp 1: khi τ << Ti khi đó thời gian phóng nạp cho tụ C là rất nhanh coi
như tức thì dẫn tới tín hiệu lối ra như hình B
Trường hợp 2: khi τ = Ti 5 khi đó tụ C nạp và phóng điện theo hàm exp với biên
độ đỉnh thấp hơn mức bão hòa tín hiệu lối ra như hình C
Trường hợp 2: khi τ >> Ti khi đó tụ C nạp và phóng điện rất chậm điện áp lối
ra thấp theo hàm exp khi đó điện áp tăng dần theo hàm mũ, do thời gian phóng nạp rất
chậm nên hàm exp gần như dạng tuyến tính do đó tín hiệu lối ra như hình D
Do đó với mạch tích phân dùng RC khi chọn các giá trị RC phù hợp ta sẽ được
các dạng xung lối ra khác nhau khi dạng xung lối vào là xung vuông
Trường hợp khi xung vuông lối vào có độ rộng khác nhau thì khi tín hiệu lối ra
trên tụ thực hiện với thời gian nạp lớn hơn thời gian phóng và ngược gại gây ra hiện
tượng điện áp rơi trên tụ tăng hoặc giảm dần
u0
ui
Ti
25
Hình 2.7: Dạng tín hiệu vào và ra của xung xuông có độ rộng xung khác nhau.
V0
Vi R
R
L∫
Điện áp lối ra của mạch lọc thông thấp là u0 (t ) = ui (t ) dt
Ic
R1
Ui
Iin U0
R2
Hình 2.9. Mạch tích phân dùng khuếch đại thuật toán điện áp ra biến đổi đường
thẳng
Mạch tích phân dùng khuếch đại thuật toán với phần tử R1 và C, hằng số thời
gian của mach là τ = 2π RC . Ở đây điện trở R2 bù nhiệt cho mạch làm ổ định mạch
khuếch đại, thường R1 = R2
26
ui
Dòng điện lối vào là I in =
R
du0
Dòng điện trên tụ C là I c = −C
dt
uur uur
Với khuếch đại thuật toán ta có I in + I c = 0 hay Iin - Ic = 0 => Iin = IC
ui du
Do đó ta có
R
= −C 0 ⇒ u0 = − RC
dt
1
∫ ui (t )dt
ở đây k = − RC1 vì mạch tích phân dùng khuếch đại thuật toán với lối vào đảo do
đó tín hiệu lối ra sẽ ngược pha so với tín hiệu lối vào
Nếu tín hiệu lối vào là xung vuông thì tín hiệu lối ra là xung tam giác như dạng
tín hiệu ở hình 2.9.
+ uR1 R1 uR1
R
1k
uR2 ui D1 D2 u0
uR2
- uR1 u R2
+
Hình 2.10: Mạch hạn chế biên độ theo sườn dương, âm của tín hiệu
Hình 2.10, a. Khi tín hiệu lối vào có điện áp âm hoặc dương nhưng ui < uR thì
Diode D cấm tín hiệu lối ra bằng tín hiệu lối vào. Khi tín hiệu lối vào có điện áp
dương ui > uR (ui > uR + uD) thì khi đó Diode D thông, điện áp lối ra u0 xấp xỉ với điện
áp uR.
Hình 2.10, b. Khi tín hiệu lối vào có điện áp dương hoặc âm nhưng ui > uR thì
Diode D cấm tín hiệu lối ra bằng tín hiệu lối vào. Khi tín hiệu lối vào có điện áp âm
ui < uR (ui < uR - uD) thì khi đó Diode D thông, điện áp lối ra u0 xấp xỉ với điện áp uR.
Tương tự hình 2.10, c. mạch hạn chế phần dương và âm của tín hiệu.
27
Chương 3:
R1 Q Q
T1
T2 T1 T2
R3 R4 R3 R4
S R S R
Các trạng thái còn lại là không xảy ra khi T1 và T2 cùng đóng hoặc mở bão hòa.
T1, T2 không thể cùng đóng do nguồn +Ecc khi đóng mạch sẽ cung cấp 1 điện
ápdương nhất định đến bazơ của T1 và T2 (thông qua trở RC và R2 cho tranzitor T2,
hoặc trở RC và R1 cho tranzitor T1) cùng mở. Do tính chất không đối xứng lý tưởng
của mạch điện, chỉ cần 1 sự chênh lệch nhỏ về dòng điện trên cực bazơ của 2
tranzitor (IB1 ≠ IB2 dẫn đến IC1 ≠ IC2), ví dụ IB1 > IB2 dẫn đến dòng IC1 > IC2 (do IC = β
IB) khi đó sụt áp trên trở tải RC colector của T1 lớn hớn sụt áp trên trở tải RC colector
của T2, qua đường hồi tiếp về từ colector T2 qua R1 tới Bazơ của T1 và từ colector T1
qua R2 tới Bazơ của T2 làm cho T1 càng mở và T2 càng đóng sau một khoảng thời gian
t rất nhỏ nào đó sẽ dẫn tới T1 mở bão hòa và T2 khóa, khi đó mạch ở trạng thái ổn
định bền và khi đó lối ra của mạch là Q = 1 và Q = 0 tương ứng điện áp ra ở colector
của T2 ở mức cao và trên T1 ở mức thấp.
28
Trường hợp ngược lại IB1 < IB2 tương tự như trên ta có T1 khóa và T2 thông bão hòa.
Và lối ra tương ứng của mạch là Q = 0 và Q = 1 , tương ứng điện áp ra ở colector của
T1 ở mức cao và trên T2 ở mức thấp.
Từ phân tích ở trên trong trường hợp số hóa ta có bảng chân lý như sau
u
ra
Ura max
uvào u
ra
u
vào
R2 -Ura max
Tăng dần điện áp uvào cho đến khi uvào < uvào ngắt thì khi đó điện áp lối ra không đổi.
Khi tăng Uvào > u+ = uvào ngắt khi khi đó qua bộ so sánh với lối vào đảo lớn hơn lối vào
thuận dẫn tới lối ra lật trạng thái từ Ura max xuống –ura max và qua mạch hồi tiếp dương
ura max
điện áp trên lối vào thuận là u- = - R1 = uvào đóng.
R1 + R2
29
Tăng tiếp điện áp lối vào khi đó điện áp lối ra sẽ không bị thay đổi ura = -ura max
Khi giảm Uvào từ một giá trị dương lớn cho tới mức uvào >= uvào đóng khi đó mạch vẫn
giữ nguyên trạng thái.
Khi giản tín hiệu lối vào uvào < uvào đóng khí đó điện áp lối vào đảo nhỏ hơn điện áp lối
vào thuận, tín hiệu lối ra sẽ chuyển trạng thái từ ura = ura max thành –ura max
Để mạch ở trạng thái ổn định thì K β >=1 trong đó K là hệ số khuếch đại của bộ
R2
khuếch đại thuật toán và β =
R1 + R2
0 t
uvào đóng
uvào -ura max
Hình 3.3: giản đồ xung lối ra của trigơ smit dùng IC tuyến tính lối vào đảo
b. Trigơ smit lối vào thuận
u
ra
Ura max
R2
U U
vào ngắt vào đóng
uvào R1 u u
ra vào
-Ura max
30
uvao − u p u p − ura ( R1 + R2 )u p − ura max
R1 = R2
max
⇒ uv = khi đó tương ứng với lối vào khóa up = 0. từ
R2
R1
đó ta có uvào khóa = − u
R2 ra max
Tăng dần điện áp uvào cho đến khi uvào < uvào ngắt thì khi đó điện áp lối ra không đổi.
Khi tăng Uvào > uvào ngắt khi khi đó qua bộ so sánh với lối vào đảo lớn hơn lối vào thuận
dẫn tới lối ra lật trạng thái từ -Ura max thành +ura max .
Tăng tiếp điện áp lối vào khi đó điện áp lối ra sẽ không bị thay đổi ura = ura max
Khi giảm Uvào từ một giá trị dương lớn cho tới mức uvào >= uvào đóng khi đó mạch vẫn
giữ nguyên trạng thái.
Khi giản tín hiệu lối vào uvào < uvào đóng khí đó điện áp lối vào đảo nhỏ hơn điện áp lối
vào thuận, tín hiệu lối ra sẽ chuyển trạng thái từ ura = ura max thành –ura max
0 t
uvào
uvào ngắt
-ura max
Hình 3.5: giản đồ xung lối ra của trigơ smit dùng IC tuyến tính lối vào đảo
T1 ub1 ub2 T2
R2
uvào
31
Sơ đồ mạch đa hài đợi dùng tranzitor tương tự như trigơ RS dùng transitor ở đây ta
thay điện trở R2 bằng tụ C để đưa thành phần hồi tiếp dương xoay chiều từ colector
của Tranzitor T1 về cực Bazơ của tranzitor T2.
Tại thời điển t = t0 khi không có xung lối vào tác động giả sử tranzitor T2 thông khi đó
qua mạch hồi tiếp R1 về bazơ của T1 làm cho tranzitor T1 cấm
Tại thời điểm t = t1 có 1 xung dương lối vào qua R2 đưa vào cực bazơ của T1 là cho
T1 mở ngay lập tức khi đó điện áp trên colector của T1 chuyển trạng thái từ +Ecc về
xấp xỉ 0V, khi đó qua mạch tích Uvào tx
phân RC làm cho điện áp trên tụ C
bị lật trạng thái từ 0.6V xuống còn t0 t2 t
xấp xỉ -Ecc (do tụ C đang được nạp UB1
đầy điện từ RC qua tụ C và qua BE
của T2 xuống đất khi đó điện áp t
32
2.2. Đa hài đợi dùng khuếch đại thuật toán
Với mạch khuếch đại thuật toán trên, mạch được cấp nguồn nuôi là ± ECC, khi đó tín
hiệu lối ra là ± Ura max
R
C
R
D U0 U0
C
R2
Ui C2 Ui C2
R1 D
R1
A) B)
E0
Hình 3. 8: Mạch nguyên lý đa hài đợi dùng khuếch đại thuật toánv lối vào – và +
Với sơ đồ hình A. tại thời điểm ban đầu t<t0 Ui = 0, Diode D thông, điện áp trên cực
N nối đất, với trường hợp bỏ qua sụt áp trên Diode, U0 = -Ura max. Qua mạch hồi tiếp
dương R1R2 điện áp lối ra là -Ura max được đưa tới lối vào P khi đó điện áp lối vào là
Up = β U0 = - β Ura max
R1
Với β = đây là trạng thái ổn định bền của mạch đa hài đợi dùng khuếch đại
R1 + R2
thuật toán.
Tại thời điểm t = t1 có 1 xung vuông lối vào qua mạch RC ta có 1 xung nhọn (xung vi
phân) tác dụng tới lối vào P, khi Uvào > β Ura max khi đó lối ra lật trạng thái cân bằng
không bền U0 = Ura max (do UP > U N). Khi đó điện áp trên cực P là Up = β U0 = β Ura max ,
lúc náy tụ C được nạp điện từ lối ra qua RC xuống đất.
33
Uvào tx
t0 t2 t
Uvào
U B1
t
t
UN ßUra max
U B2
+0.6V
t0 t1 t2 t t
-ßUra max
tx -E
Tra
U0 Ura max
Ura tx
t1 t2
t
-Ura max t0 t1 t2 t
Hình 3.9: Giản đồ xung tín hiệu lối ra mạch đa hài đợi dùng khuếch đại thuật toán
Tụ được nạp điện, khi đó điện áp trên tụ C tăng dần cho đến khi tại thời điểm t = t2
điện áp trên tụ là UC = UN >=UP tại thì điện áp lối ra lật trạng thái U0 = -Ura max, khi đó
tụ C được phóng điện từ C qua R xuống –Ura max, tụ phóng điện cho tới khi điện áp
trên tụ ≈ 0V thì dừng lại (0.3V gecmani, 0.6V silic) do Diode D thực hiện ghim điện
áp ở cực N không âm quá do tụ C phóng điện. Khi này mạch sẽ trở về trạng thái cân
bằng bền.
Độ rộng xung tx = t2 – t1 liên quan đến quá trình phóng nạp điện cho tụ C từ mức 0V
tới β Ura max .
Điện áp trên tụ C là UC = Umax(1-exp(-t/RC))
Thay giá trị UC(t1) = 0 và UC(t2) = β Ura max thay vào phương trình trên ta được
1 R
tx = t2 – t1 =RC ln(1 − ) = RC ln(1 + )
1
β R2
34
E cc
R c1 R1 R2 Rc2
+ - - +
u ra1 u ra2
C2 C1
T1 u b1 u b2 T2
35
Hình 3.11: Dạng xung ở các lối ra
Xét cực B1 khi T1 bão hòa: UB1 ub1
= 0.6V. Khi T1 cấm C1 phóng 0.8V
t1
=> = ln 2 => t1 = ln2*R2C1 = 0.69*R2C1
R2C1
36
R1 = R2 = R; C1 = C2 = C khi đó chu kỳ dao động của mạch là
T = 2*0.69*RC ≈ 1.4RC
Tần số dao động của mạch là:
1 1
f = =
T 0.69( R 2 C1 + R1C2 )
Trong trường hợp mạch đa hài tự dao động đối xứng thì ta có
1 1
f = =
T 1.4 RC
Ví dụ: Thiết kế mạch đa hài tự dao động với các thông số kỹ thuật như sau: Ecc =
12V, dòng điện tải ở cực (dòng bão hòa của transistor) là 10mA, transistor có hệ số
khuếch đại β =100 lần, tần số dao động của mạch là 1KHz, tìm các thông số của
mạch. Giả sử UBE sat = 0.6V, UCE sat = 0.2V.
37
Dạng xung ra như sau: UN
Ura max
Ung¾t
Hình 3.13: Dạng tín hiệu ra mạch đa
hài tự dao động dùng khuếch đại
U®ãng
thuật toán
UP -Ura max
Chọn Ura max = Ura min = Umax khi đó Ung¾t
ßUra max
Uđóng = -βUmax ; Ungắt = βUmax t1 t2 t3 t
-ßUra max
U®ãng
R1
với β = là hệ số hồi tiếp
R1 + R2
Ura
dương của mạch dao động.
Ura max
Điện áp UN = UC là điện áp biến thiên
0 t1 t2 t3 t
theo thời gian khi tụ phóng và nạp -Ura max
t
điện từ Umax hoặc -Umax qua điện trở Tra
R, các khoảng thời gian 0 ÷ t1, t1 ÷ t2,
...phương trình điện áp trên tụ điện là
dU N U −U N U −U N
= ± max {do UN = icdt/C => ic = C.UN/dt và iR = ± max }
dt RC R
UN sẽ đạt tới ngưỡng lật của trigơ smit sau một khoảng thời gian:
1 + β 2R
τ = RC ln = RC ln(1 + 1 ) (1)
1 − β R2
Khi đó chu kỳ (T) của dao động được xác định bởi
2 R1
T = 2τ = 2 RC ln(1 + ) (2)
R2
38
Nếu mạch phức tạp cần có độ ổn định cao và khả năng điều chỉnh tần số ra người ta
sử dụng các mạch phức tạp hơn:
Ví dụ như khi cần có dạng xung lối ra không đối
R” D2
xứng, sơ đồ dưới đây tạo ra được mạch phóng
nạp không đối xứng giữa R’ và R” với R’ ≠ R” R’ D1
Với hằng số thời gian là:
C N
2 R1 2R
τ 1 = R ' C ln(1 + ) và τ 2 = R " C ln(1 + 1 ) u
R2 R2 ra
2 R1 P
Do đó T = τ 1 + τ 2 = C ( R '+ R ") ln(1 + )
R2
R2
R1
Khi đó bằng cách thay đổi R’ và R” thích hợp ta
thu được tín hiệu lối ra có độ rộng xung phù hợp
so với tín hiệu chúng ta mong muốn.
Nếu muốn xung ra có chu kỳ không đổi thi ta thay đổi các hệ số R’ và R” tỷ lệ với
nhau, tức là khi ta thay đổi tăng R’ lên một lượng là K thì tương ứng ta giảm R” cũng
một lượng là K do đó R’ + R” sẽ không đổi
Ura Uc(t)
UN
Umax
τ1 τ2
39
- Ecc
D1 D2
+ +
UB Rt
ωB ωt
- -
RB ωk R1
- C
+ Tr
R
T
Cg
Blocking thường được dùng để tạo ra các xung điều khiển trong các hệ thống số,
blocking có thể làm việc ở các chế độ khác nhau: chế độ tự dao động, chế độ đợim
chế độ đồng bộ hay chế độ chia tần
Nguyên lý làm việc bộ Blocking tự dao đồng gồm có một transistor mắc emiter chung
với biến áp xung Tr có 3 cuộn dây là ωk (sơ cấp) và ωt và ωB (thứ cấp)
Quá trình hồi tiếp dương thực hiện từ ωk qua ωB nhờ cực tính ngược nhau của
chúng. Tụ C và điện trở R để hạn chế dòng điện qua cực Bazơ. Điện trở R tạo dòng
phóng điện cho tụ C (lúc T khóa). Diode D1 để loại bỏ xung cực tính âm trên trở tải
Rt sinh ra khi transistor chuyển chế độlàm việc từ mở sang khóa. Mạch R1 và D2 bảo
vệ transistor khỏi bị quá áp. Các hệ số biến áp xung là nB và nt được xác định bởi công
thức sau:
ωk ωk
nB = và nt =
ωB ωt
- Quá trình dao động xung liên quan tới thời gian mở và được duy trì ở trạng thái bão
hòa của transistor (nhờ mạch hồi tiếp dương R, C). Kết thúc việc tạo xung là lúc
transistor kết thúc trạng thái bão hòa và chuyển đột biến về trạng thái khóa nhờ mạch
hồi tiếp dương.
+ Trong khoảng thời gian 0 < t < t1, Transistor cấm do điện áp nạp trên tụ C: Uc > 0;
Tụ C phóng điện qua mạch ωB C R RB -Ecc, đến lúc t1 thì Uc = 0V
+ Trong khoảng t1 < t < t2 khi Uc chuyển qua trạng thái giá trị 0 khi đó xuất hiện quá
trình đột biến Blocking thuận nhờ hồi tiếp dương qua ωB , làm cho transistor mở
trạng thái bõa hòa
40
+ Trong khoảng t2 < t < t3, transistor T ở trạng thái bão hòa sâu, điện áp trên cuộn sơ
cấp ωk gần bằng trị số Ecc đó là giai đoạn đỉnh của xung, khi đó có sự tích lũy năng
lượng từ trong các cuộn dây của biến áp, tương ứng điện áp hồi tiếp qua ωB là
Ecc Ecc
U ωB = Và điện áp trên cuộn tải là U ωt =
nB nt
Khi đó tốc độ thay đổi của dòng colector của transistor T giảm nhỏ do đó sức điện
động cảm ứng trên ωk , ωB giảm làm dòng cực bazơ iB giảm theo, do đó làm giảm
mức bão hòa của transistor, đồng thời tụ C được iB nạp qua T, R, C, ωB và đất khi đó
iB giảm tới trị số giới hạn iB = iBbh = iCbh/ β do đó xuất hiện quá trình hồi tiếp dương
theo hướng ngược lại (quá trình blocking ngược). Transistor T thoát khỏi trạng thái
bão hòa và iC, iB, ... đưa transistor T về trạng thái cấm dòng iC = 0. Tuy nhiên do
quán tính của cuộn dây trên cực colector của transistor T xuất hiện một sức điện
động tự cảm chống lại sự giảm đột ngột của dòng điện, dođó hình thành một mức
điện áp âm có biên độ lớn (xấp xỉ -Ecc) đó chính là quá trình tiêu tán năng lượng từ
trường đã tích lũy từ trước. Nhờ có dòng điện thuận từ D2, R1, lúc này cuộn ωt có
cảm ứng điện áp âm làm diode D1 cấm, do đó mạch ωt , D1, Rt không ảnh hưởng đến
hoạt động của mạch. Tụ C phóng điện và duy trì transistor T khóa có tới khi Uc = 0V
sẽ lặp lại nhịp làm việc mới.
41
uC t1 t2 t3 t4 t5 t6
β .Rt Ecc -
Tx = t3 – t1 = (R +rv).C.ln( )
nB ( Rt + rv )
(1) uB
42
5. Mạch tạo xung tam giác
U max
K
U0
tq t ng
0
T t
Hình trên đưa ra dạng xung tam giác lý tưởng với các tham số chủ yếu như sau:
- Biên độ cực đại Umax
- Mức một chiếu ban đầu u(t = 0) = U0
- Chu kỳ lặp lại T với xung tuần hoàn. Thời gian quét thuận tq, thời gian quét ngược
tng.
Thông thường tng >> tq.
du
Tốc độ quét thuận là K = , hay độ nghiêng của đường quét.
dt
Để đánh giá chất lượng u thực tế s với lý tưởng có hệ số không đường thẳng ε
được định nghĩa là:
du du
(t ≈ 0) − (t = tq ) u '(0) − u '(t )
ε = dt dt = q
du u '(0)
(t ≈ 0)
dt
η
Từ đó ta có hệ số phẩm chất của u là Q = .
ε
43
Nguyên lý tạo xung tam giác dựa trên việc sử dụng quá trình nạp hay phóng điện của
tụ điện qua một mạch nào đó, khi đó quan hệ dòng điện và điện áp trên tụ biến đổi
theo thời gian là:
duc (t ) 1
ic(t) = C hay uc (t ) = ∫ ic (t )dt
dt C
trong điều kiện C là một hằng số, muốn quan hệ uc(t) tuyến tính cần thỏa mãn điều
kiện ic(t) là một hằng số, hay sự phụ thuộc của điện áp theo thời gian càng tuyến tính
thì dòng điện phóng hay nạp cho tụ càng ổn định
- Có 2 dạng điện áp cơ bản là: thời gian quét thuận t q, u tăng tuyến tính dạng đường
thẳng nhờ quá trình nạp cho tụ từ nguồn một chiều nào đó và trong thời gian quét
ngược tng, u giảm đường thẳng nhờ quá trình phóng điện của tụ qua một mạch tải.
Với mỗi dạng trên có các yêu cầu khác nhau để đảm bảo tng >> tq, với dạng tăng
đường thẳng cần nạp chậm phóng nhanh, hoặc dạng giảm đường thẳng cần nạp
nhanh phóng chậm.
- Việc điều khiển tức thời các mạch phóng nạp cho tụ thường sử dụng các khóa
điện tử transistor hay IC đóng mở theo nhịp điều khiển từ ngoài. Trên thực tế để ổn
định cho dòng nạp nay phóng điện cho tụ cần có một khối tạo nguồn dòng để nâng
cao chất lượng xung tam giác.
Về nguyên lý có 3 phương pháp cơ bản để tạo xung tam giác lối ra như sau:
U max
tuyến tỷ lệ với Umax/E: ε =
E
Nếu sử dụng phần tăng đường thẳng ta có uc(t) = E[1 – exp(-t/RnC)] với Rn >>
Rphóng.C
• Dùng một phần tử ổn định dòng
Rn K
Kiểu thong số có điện trở phụ thuộc vào điện
áp đặt vào trên nó Rn = f(URn) làm điện trở nạp + in iphg
E
cho tụ C. Để giữa dòng nạp không đổi thỉ điện - C Rt
44
U max
ε= với Etd = inạpRi.
E td
Ri là điện trở trong của nguồn dòng nên khá lớn vậy E td lớn và cho phép nâng cao Umax
với một mức méo phi tuyến cho trước.
• Thay thế nguồn E cố định ở đầu vào bằng một nguồn biến đổi
e(t) = E + K(UC – U0) R
Giá trị này thực tế nhỏ vì K ≈ 1, nên (1 – K) rất bé nên có thể lựa chọn được U max
lớn xấp xỉ E làm tăng hiệu suất của mạch mà ε vẫn nhỏ.
Khi muốn thay đổi dòng qua trở tải Rtai ta chỉ cần thay đổi giá trị RE.
Ngoài ra người ta có thể sử dụng mạch phân áp làm nguồn dòng như sau:
45
Vcc
IC V cc
R1 Rtai IE
RE
Dz
P
Vz
RE
R2 RB
R tai
E E −Um
Với i0 = và iq (t ) = là dòng nạp lúc đầu và cuối cho tụ C.
R E
Khi hết xung điều khiển tức xung vi phân dương hoặc không có xung lối vào điều
khiển làm transistor T ở trạng thái cấm. Tụ C phóng điện nhanh ra colector và emitor
của transistor T (vì RCE <<) nên Ura = UC ≈ 0 trở về trạng thái ban đầu của mạch.
Từ biểu thức sai số (1) trên ε ta thấy muốn sai số bé cần chọn nguồn E lớn và biên
độ ra của xung tam giác Um nhỏ. (đó chính là nhược điểm lớn của mạch tạo xung
đơn giản)
46
b. Với hình b.
Transistor T2 mắc kiểu bazơ chung có +E
tác dụng như một nguồn ổn dòng (có R2 RE
bù nhiệt nhờ dòng ngược qua diode RB
47
Trong thời gian có xung lối vào transistor T1 bị cấm, tụ C được nạp điện qua R và D
làm điện thế tại trên cực Bazơ của transistor T2 (điểm m) âm dần do đó làm cho T2
mở lớn dần đạt mức gần giá trị bão hòa. Gia số ΔUC qua transistor T2 và qua tụ C0 có
điện dung lớn gần như đưa toàn bộ về điểm N bù thêm với giá trị sẵn có tại N (đang
giảm theo quy luật dòng nạp) giữ ổn định dòng trên điện trở R nạp cho tụ C.
Chú ý: với dòng hồi tiếp từ lối ra qua C0 về có trị số bằng E/R thì khi đó không còn
dòng qua diode D dẫn tới trạng thái cân bằng động. Nguồn E dường như cắt khỏi
mạch và C được nạp nhờ điện thế E được nạp trước trên tụ C0
48
5.4. Mạch tạo xung tam giác dùng vi mạch khuếch đại thuật toán.
a. Sơ đồ 1: (cấp nguồn ±Ecc cho vi mạch)
Xây dựng trên cơ sở khếch đại lối vào đảo trong đó R C
-
thành phần hồi tiếp là tụ C. Điện áp lối ra được cho Uvao
QC (t ) 1 t
U ra (t ) = = [ ∫ iC (t )dt + Q0 ] (1)
C C 0
điểm t = 0.
t
U vao (t )
Với iC(t) = − do đó ta có
R Ura
Thành phần Ura0 xác định từ điều kiện ban đầu của tích phân:
Nếu lối vào Uvao là một xung vuông có giá trị điện áp không đổi trong khoảng 0 ÷ t thì
Ura(t) là biến thiên điện áp dạng đường thẳng.
1
U ra = (− U vao )t + U ra 0 (4)
RC
Độ chính xác của phương trình trên phụ thuộc vào giả thiết U0 ≈ 0 hay dòng điện
đầu vào IC gần bằng 0.
Với các vi mạch chất lượng cao đảm bảo điều kiện dòng lối vào IC khá tốt: Ivào IC =
0.
b. Sơ đồ 2:
- Khi có xung điều khiển cực tính dương lối vào làm transistor T mở bảo hòa, khi đó
làm tụ phóng điện qua RCE của transistor xuống đất trong khoảng thời gian t0 (t0 < tng)
với tng = tx vào do khi đó transistor T thông bão hòa.
49
- trong khoảng thời gian tq (tức tng vào) không có xung điều khiển dương lối vào khi đó
transistor T ở trạng thái cấm IC khuếch đại thuật toán làm việc ở chế độ tuyến tính
nếu U0 = 0V thì
R2
R1
-
UP = UN = UC (5) +E0 N
P + Ura
Xác định quy luật biến đổi hàm UC(t), từ đó đưa +E R3 R4
ra điều kiện để lối ra biến đổi tuyến tính. C
Uvao RB
T
Phương trình dòng điện tại điểm N với mạch
hồi tiếp âm là:
E 0 −U N U N − U ra R1 + R2 R
= => U ra = U C − E0 2 (6)
R1 R2 R1 R1
Phương trình dòng điện tại điểm P với mạch hồi tiếp dương là:
E 0 −U C dU C U C − U ra
=C + (7)
R3 dt R4
dU C U C 1 R 1 E R
+ − 2 = − E0 2 (8)
dt C R3 R1 R4 C R3 R1 R4
1 R
Khi đó tính chất biến đổi của UC phụ thuộc vào hệ số − 2
R3 R1 R4
R1 R4
- Nếu R3 > đường UC(t) có dạng đường cong lồi
R2
R1 R4
- Nếu R3 < đường UC(t) có dạng đường cong lõm
R2
R2 R4
- Khi = thì khi đó UC(t) phụ thuộc bậc nhất vào t.
R1 R3
1 E R
Khi đó ta có U C (t ) = − E 0 2 t (9)
C R3 R1 R4
50
- Nếu chọn R1 = R3, R2 = R4 khi Uvao
đó ta có:
t
1
U C (t ) = ( E − E0 ) t (10) UC
CR 3
Ura
- Nếu E > E0 ta có điện áp
lối ra tăng theo đường thẳng Ura max
Thực tế thường chọn E = Ecc và E0 lấy từ Ecc qua mạch phân áp.
1
U C max = ( E − E0 )t q
CR 3
R2
R1 R C
+ -
- U ra 1 U ra 2
+
\Người ta có thể tạo đồng thời một xung vuông và một xung tam giác nhờ ghép nối
tiếp một bộ tích phân sau một trigơ smit.
Bộ tích phân IC2 lấy tích phân điện áp ổn định trên lối ra 1 (Ura1) trên trigơ smit. Khi
Ura2 đạt ngưỡng lật của trigơ thì điện áp ra của nó đổi dấu đột biến do đó Ura2 đổi
ngưỡng quét ngược lại. quá trình thực hiện tiếp diễn cho tới khi đạt ngưỡng lật thứ
2 của trigơ smit và sơ đồ quay trở về trạng thái dao động tạo xung ban đầu.
51
Tần số dao động của mạch phụ thuộc vào R và C.
Giá trị ngưỡng điện áp lật trạng thái của trigơ smit được xác định bởi:
R1
Ura2 = U ra1 max (11)
R2
R1
T = 4 RC (12)
R2
52
Chương 4:
VI MẠCH ĐỊNH THỜI 555, DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT DÙNG UJT
1. Sơ đồ chân và cấu trúc 555
GND 1 8 +Vcc
Trigger 2 7 Discharge
555
Output 3 6 Threshold
Reset 4 5 Control
Voltage
53
Chân 6: Threshold (thềm ngưỡng lật trạng thái lối ra out)
Chân 7: Dirchage (điều khiển phóng nạp điện tụ
Chân 8: Vcc nguồn cung cấp (nguồn dương)
54
mức cao tương ứng với chân R của triggơ RS ở mức cao do đó lối ra Out ở mức
thấp.
Mạch FF – RS là loại mạch lưỡng ổn kích một bên. Khi chân S ở mức cao thì
điện áp này kích cho lối ra Q lên mức cao và lối ra Q xuống mức thấp. Khi châp S ở
mức cao xuống mức thấp thì FF – RS không đổi trạng thái tương ứng chân R đang ở
mức thấp. Khi chân R (clear) ở mức cao thi điện áp này kích cho FF – RS đổi trạng
thái mức cao sang trạng thái mức thấp khi đó lối ra Q xuống mức thấpvà lối ra Q lên
mức cao. Khi chân R xuống mức thấp tương ứng S ở mức thấp khi đó FF – RS ở
trạng thái nhớ và giữ nguyên trạng thái của mạch.
Chân 3: OUTPUT (ra) thường ở mức thấp và chuyển thành mức cao trong
khoảng thời gian định thì. Vì tầng ra tích cực ở cả 2 chiều, nó có thể cấp hoặc hút
dòng đến 200mA
Chân 4: RESET khi điện áp ở chân này nhỏ hơn 0,4V: chu kỳ định thì bị ngắt,
đưa 555 về trạng thái không có kích. Đây là chức năng ưu tiên để 555 không thể bị
kích trừ khi RESET được giải phóng (>1,0V). Khi không sử dụng nối chân 4 lên Vcc.
Chân 5: Control Voltage (điện áp điều khiển), bên trong là điểm 2/3Vcc. Một
điện trở nối đất hoặc điện áp ngoài có thể được nối vào chân 5 để thay đổi các điểm
tham khảo (chuẩn) của comparator. Khi không sử dụng cho mục đích này, nên gắn 1
tụ nối đất = 0.01µF cho tất cả các ứng dụng nhằm để lọc các xung đỉnh nhiễu nguồn
cấp điện.
Chân 7: Discharge (Xả) cực thu của transistor, thường được dùng để xả tụ
định thì. Vì dòng collector bị giới hạn, nó có thể dùng với các tụ rất lớn (>1000µF)
không bị hư.
Chân 8: VCC điện áp cấp nguồn có thể từ 4,5 đến 16V so với chân đất. Việc
định thì tương đối độc lập với điện áp này. Sai số định thì do thay đổi nguồn điện
tiêu biểu < 0.05% /V
55
Vcc
R1 4 8
3 out
7
6 555
R2
2 5
1
C
0.01μF
Khi mới đóng điện, điện áp trên tụ C là UC = 0 V tương ứng với điện áp chân 2 và
chân 6 bằng 0V (U2(-) < 1/3Vcc, U6(+) < 2/3Vcc) qua 2 bộ so sánh IC555 lối ra Out ở
mức cao(xấp xỉ Vcc), khi đó transistor chân 7 ở trạng thái cấm và tụ C được nạp
điện. Tụ được nạp điện từ Vcc qua R1 qua R2 và qua C xuống đất, điện áp trên tụ C
tăng dần với hằng số thời gian nạp là:
Khi điện áp trên tụ tăng đến mức ≥ 1/3 Vcc (và < 2/3Vcc) thì khi đó điện áp trên chân
2 của bộ so sánh thứ 1 (U2(-) > 1/3 Vcc) và bộ so sánh 2 với (U6(+) < 2/3Vcc) lối ra ở
trạng thái nhớ Out ở mức cao.
56
Khi điện áp trên tụ tăng đến mức ≥ 2/3 Vcc thì khi đó điện áp trên chân 2 của bộ so
sánh thứ 1 (U2(-) > 1/3 Vcc) và bộ so sánh 2 với (U6(+) > 2/3Vcc) lối ra đổi trạng thái
từ lối ra Out (3) ở mức cao sang lối ra Out (3) ở mức thấp (tương ứng 0V). Lúc này
transistor ở chân 7 chuyển sang trạng thái mở bão hòa và điện áp chân 7 xấp xỉ 0V và
tụ C lúc này bắt đầu phóng điện, tụ phóng điệ từ C qua R2 và qua chân 7 và transistor
trong IC555 xuống đất với hằng số thời gian là:
Khi này điện áp trên tụ C lại giảm dần từ mức điện áp 2/3Vcc xuống 0V
UC = Vcc(1 – exp(-t/τphóng))
Khi điện áp trên tụ giảm ở mức >1/3 Vcc (và < 2/3Vcc) thì khi đó điện áp trên chân 2
của bộ so sánh thứ 1 (U2(-) > 1/3 Vcc) và bộ so sánh 2 với (U6(+) < 2/3Vcc) lối ra ở
trạng thái nhớ Out ở mức thấp.
Khi điện áp trên tụ giảm đến mức ≤ 1/3 Vcc thì khi đó điện áp trên chân 2 của bộ so
sánh thứ 1 (U2(-) < 1/3 Vcc) và bộ so sánh 2 với (U6(+) < 2/3Vcc) lối ra đổi trạng thái
từ lối ra Out (3) ở mức thấp sang lối ra Out (3) ở mức cao (tương ứng Vcc). Lúc này
transistor ở chân 7 chuyển sang trạng thái cấm và tụ C lúc này lại được nạp điện lại.
Quá trình này được lặp đi lặp lại và mạch tự dao động
Điện áp trên tụ C được nạp từ giá trị 1/3Vcc đến 2/3Vcc (trừ chu kỳ đầu tiên khi
đóng mạch là tụ được nạp từ 0V đến 2/3Vcc). Tụ phóng điện từ điện áp 2/3Vcc
xuống tới 1/3Vcc.
57
Chu kỳ dao động của mạch là:
Do thời gian phóng và thời gian nạp không bằng nhau (thường tnạp > tphóng) nên xung
vuông ở lối ra không đối xứng và có thời gian có xung lớn hơn thời gian không có
xung.
Mạch tạo dao động xung vuông cho độ rộng nửa chu kỳ dùng IC555, lối ra được nối
với tải đèn Led.
Vcc
R1 4 R81 out
3
7
D2 P
6 555 R
R2
R2
2 5
1
C
0.01μF
0.1μF
58
3. Mạch đơn đa hài dùng IC555
Vcc
R1 4 8
3 out
7
555
6
Uv
2 5
1
C
0.01μF
Khi tụ nạp điện đến giá trị điện áp 2/3Vcc khi đó tương ứng với giá trị điện áp
ngưỡng chân 6 và điện áp chân 2 là lớn hơn1/3Vcc do đó lối ra IC555 sẽ lật trạng
thái từ mức cao sang trạng thái mức thấp và ở trạng thái ổn định bền chờ xung kích
tiếp theo tác dụng tới lối vào 2. Khi lối ra lật trạng thái sang mức thấp tương ứng
chân 7 ở mức thấp và tụ C sẽ phóng điện nhanh qua chân 7 xuống đất và điện áp trên
chân 7 và chân 6 nhanh chóng về điện áp thấp.
Thời gian kéo dài xung ra tương ứng với thời gian tụ được nạp điện từ giá trị điện áp
0V đến giá trị điện áp 2/3Vcc. Khi đó ta có
U C = Vcc(1 − exp(−t x / R1C )) = 2 / 3Vcc
59
=> tx = ln3*R1C = 1.1R1C (*)
Dạng xung ta tại chân 2, 3, 6
R1
Vcc
R Out 2
R2 RB 2
R
Out 2 E B
B2
RB 1
UJT C
Out 1
Out 1
B1
C
R1 R2
60
điện áp tại điểm E tăng dần, khi thay đổi giá trị triết áp R tương ứng với thay đổi giá
trị dòng nạp cho tụ khi đó làm thay đổi chu kỳ xung lối ra.
Điện áp nạp trên tụ có giá trị bằng:
U C = VCC − (VCC − VV ) exp(−t x / RC )
Khi điện áp trên tụ áp điện từ giá trị điện áp thấp Vv đến giá trị điện áp mức cao
tương ứng với điện áp kích cho UJT bắt đầu hoạt động (Vp) khi đó tụ C sẽ được
phóng nhanh qua UJT và qua R1 xuống đất, điện áp trên tụ phóng đến giá trị Vc thì
UJT ở trạng thái cấm và tụ C tiếp tục được nạp điện lại và quá trình lặp lại tạo ra
mạch tự dao động.
Giá trị điện trở liên miền RBB = RB1 + RB2 có giá trị từ vài k Ω đến 10k Ω .
RB1
Tỷ số điện trở η = = 0.5 ÷ 0.8
RBB
Điện trở R1, R2 được chọn có chỉ số rất nhỏ sao cho R1 và R2 << RBB do đó R1 và R2
không làm ảnh hưởng đến dòng điện liên miền IBB.
Dòng điện liên miền được tính theo IBB ≈ Vcc/RBB
Điện áp điểm B trong UJT được xác định như sau:
R B1
VB ≈ VCC = ηVCC
RBB
Khi tụ C nạp điện đến giá trị điện áp đỉnh VP thì Diode D thông mạch tương ứng với:
VP = VD + VB = 0.6V + VB = η Vcc + 0.6V
Chu kỳ dao động của mạch
Thời gian nạp điện cho tụ C từ điện áp Vv đến điện áp đỉnh Vp là:
VP = VCC − (VCC − VV ) exp(−t1 / RC )
VCC − VV
=>t1 =RC
VCC − VP
t2 = (RB1 + R1)C*ln(VP/VV)
61
Chu kỳ dao động của mách là T = tnạp + tphóng = t1 +t2
Giá trị RB1 có trị số nhỏ khi tụ phóng điện: do đó ta có thể bỏ qua thời gian phóng điện của
tụ, do đó chu kỳ dao động của mạch T ≈ t1
Với trường hợp VV << Vcc và VP = µ Vcc do đó ta có
T = RC ln(1/(1 – η ))
Tần số dao động của mạch là:
1 1
f = =
T 1
RC ln( )
1 −η
VE
VP
VV
t
VB2
t
VB1
62
Trường hợp điện trở R quá nhỏ, khi tụ phóng điện đến giá trị điện thế V V, khi đó
dòng đi qua R ở thời điểm này là IR vẫn lớn hơn IV thì khi đó UJT sẽ không ngưng
được, như vậy ta phải chọn R sao cho
VCC − VV
R<
IV
+12V
P R1
200KΩ
100Ω
Out 1
R
100KΩ
UJT
Out 1
C 0.1μF
R2 100Ω
C R
tx t
Khi đó khi nạp điện áp trên tụ tăng dần theo công thức sau:
63
t
1
vC = ∫ Idt
Co
I
Hay vC = t là hàm bậc nhất theo t, vậy điện áp trên tụ tăng tuyến tính theo t.
C
Để điện áp trên tụ đạt được đến giá trị VP, khi đó thời gian tx được xác định như sau
(coi tụ nạp điện từ giá trị điện áp v0 = 0V):
I C
VP = t x hay t x = V P
C I
Thời gian nạp điện cho tụ tỷ lệ nghích với dòng nạp cho tụ C (I)
Vcc
+12V
R3 R1 R6
100Ω
T1
I0
T2 T3
R4
UJT
Out 2 100KΩ N Out 1
R2
R7 100Ω
R5 10KΩ C 0.4μF
Với sơ đồ mạch tạo xung tam giác trên dùng UJT thì ta có 2 lối ra là out 1 là xung kim
kích trên UJT và Out 2 là xung tam giác cần lấy, Nguyên lý hoạt động của mạch trên
như sau:
Điện trở R1, R2, R3 và transistor T1 tạo thành một nguồn dòng ổn định để nạp cho tụ
C (do transistor T1 được phân áp ổn định qua R1, R2 và R3) đó đó ta có dòng qua
transistor T1 là cố định và ta có dòng ổn định nạp cho tụ C. Điện áp trên tụ sẽ nạp từ
giá trị điện áp 0V đến giá trị điện áp xấp xỉ Vcc, (nhưng do tụ nối với UJT nên điện
áp trên tụ nạp từ giá trị điện áp VV đến VP trong các chu kỳ tiếp theo của mạch)
Khi đó dòng nạp cho tụ C là dòng IE xấp xỉ dòng IC (I0)
Transistor T2 mác theo kiểu E chung lối ra trên Emitor, chính là tầng lặp lại điện áp
(khuếch đại dòng cho tín hiệu xung tam giác lối ra để ghép nối với mạch ngoài). Khi
đó điện áp lối ra trên tụ C xấp xỉ điện áp trên lối ra Out 2.
Transistor T3 (UJT) mắc theo kiểu dao động tích thoát dùng UJT, khi điện áp nạp trên
tụ tăng kến gía trị điện áp VP (của UJT) khi đó sẽ kích cho UJT hoạt động (như một
khá K) và tụ sẽ phóng điện qua UJT và R7 xuống đất, khi tụ phóng điện giá trị điện
64
trở phóng qua UJT và R7 rất nhỏ nên điện áp trên tụ giảm rất nhanh coi là tuyến tính),
khi điện áp trên tụ giảm đến mức điện áp VV (điện áp mức thấp UJT không hoạt
động) thì tụ không phóng điện qua Transistor T3 và được nạp điện lại qua nguồn
dòng của transistor T1, khi đó mạch sẽ tự dao động.
Thời gian nạp điện cho tụ từ giá trị điện áp VV đến giá trị điện áp VP là tx:
C
t x = (V P − VV )
I0
thời gian phóng điện của tụ qua UJT rất nhỏ, do đó ta có thể xấp xỉ chu kỳ dao động
của mạch bằng thời gian nạp điện cho tụ C.
T = tx
Với mạch trên ta có thể thay đổi chu kỳ dao động của mạch bằng cách thay đổi giá
trị của tụ C, hoặc ta có thể mắch thêm một biến trở nối tiếp với điện trở R3 của bộ
tạo nguồn dòng dùng transistor T1.
Dạng xung lối ra:
VC
VP
VC
tx T t
Vout2 t
tx t
65
6. Mạch tạo tín hiệu xung nấc thang dùng UJT
Vcc
R3 470Ω +12V
R7 R1 10K R2 5KΩ R5
100Ω
100K
C2 Ω I0
Ω Out
T2 UJT T1
0.5μF UJT
1 N 2
C1
R4 220Ω C3 0.2μF R6 100Ω
Tín hiệu xung nấc thang là tín hiệu có điện áp tăng dần theo từng nấc rồi cuối cùng
điện áp giảm về mức thấp sau khi kết thúc một chu kỳ, sau đó tín hiệu tiếp tục tăng
dần, sơ đồ tạo dao động tín hiệu xung nấc thang như trên:
Với sơ đồ trên, nguyên lý hoạt động như sau:
Khối 1 gồm tụ C1, trở R3, R4, R7, UJT1 tạo thành bộ dao động tích thoát dùng UJT1
có lối ra lấy trên cực B2 (xung âm).
Khối 2: R1, R2 và Transistor T1 tạo thành một nguồn dòng cố định nạp cho tụ C3 khi
có xung kích qua tụ C2 từ khối 1.
Khối 3 gồm trở R5, R6 và UJT tạo thành bộ tích thoát thứ 2 tạo ra chu kỳ dao động
của mạch.
Khi bộ dao động tích thoát thứ nhất hoạt động sẽ tạo ra một xung âm lối ra B2 của
UJT thông qua tụ C2 để kích bộ tạo nguồn dòng của transistor T1 hoạt động làm cho
tụ C3 được nạp thêm một lượng điện tích là ∆u và chờ xung kích tiếp theo của
UJT1( khi không có xung âm kích từ bộ dao động tích thoát thứ nhất thì bộ tạo nguồn
dòng của transistor T1 không hoạt động). Khi điện áp trên tụ C3 nạp đến giá trị điện
áp là Vp (điện áp đủ kích cho UJT2 hoạt động) khi đó tụ C3 sẽ phóng điện qua UJT2
xuống đến điện áp mức thấp VV và tụ C lại được nạp lại, quá trình thực hiện liên
tục như vậy làm cho mạch tự dao động.
Chu kỳ dao động của mạch:
Điện áp tụ C3 tăng thêm một lượng ∆u do bộ dao động tích thoát 1 tạo ra là
I
∆u = ∆t , trong đó ∆t là khoảng thời gian có xung âm của bộ dao động tích thoát 1.
C
Khi đó chu kỳ tạo ra một nấc thang trên tụ C3 tương ứng với khoảng thời gian điện
áp trên tụ C3 tăng được một lượng ∆u là tx (chu kỳ bộ dao động tích thoát 1)
66
Khonảg biến thiên của điện áp trên tụ C3 là: Up – UV = N ∆u , trong đó N là số xung
nấc thang tạo ra trên tụ C3
Và chu kỳ dao động của mạch chính là khoảng thời gian điện áp trên tụ C3 được nạp
từ giá trị điện áp VV đến giá trị điện áp VP.
T = Ntx
Dạng xung ra:
VC1
VP
VC
tx
Vout
VP
VC
T
+V1 R3 R5
T4
R6
L
AC R2 AC
Dz
P MT
T1 UJT
N T3
TR1 T2
R4
C
67
Diode D1 là mạch nắn dòng, điện áp nửa chu kỳ dương lối ra (nửa chu kỳ âm cấm)
không có tụ lọc, khi đó lối ra là nửa chu kỳ dương gợn sóng V1 theo tín hiệu lối vào.
Điện trở R1, R2 và diode Dz dùng để cắt ngọn và ổn áp điện áp +V2 ở lối ra bằng
điện áp Vz, khi đó điện áp V2 được xem như là nguồn một chiều ổn áp gián đoạn
theo từng nửa chu kỳ dương của tín hiệu xoay chiều lối vào. Và điện áp V2 là nguồn
điện đồng bộ cấp cho mạch dao động tạo xung kích cho transistor T1 và T2 (UJT) là
mạch tạo xung dao động tích thoát nạp bằng dòng ổn định qua T1.
Khi T1 và T2 được cấp nguồn V2 nên mạch làm việc gián đoạn theo từng chu kỳ
dương lối vào, khi nguồn AC có chu kỳ dương thì T1 dẫn điện và tụ được nạp điện
và qua T2 tạo mạch dao động tích thoát khi đó có một xung kích qua biến áp xung
TR2 hoạt động và qua biến áp đầu ra thứ cấp sẽ kích cực Gate của Triac (SCR) hoặt
động để nắn điện qua động cơ 1 chiều DC.
Thay đổi biến trở P làm thay đổi dòng nạp cho tụ C khi đó dẫn đến làm thay đổi tần
số dao động của bộ dao động tích thoát khi đó làm thay đổi độ mở của T3, dẫn tới
thay đổi dòng điện qua động cơ DC (tốc độ động cơ thay đổi)
+V1 R3 R5
R6
AC Dz
R2
P
T1
R7 L
UJT
T3 D3
AC
N
TR1 T2
R4
C D4
T4
D2
N
R8
MT
TR2
Trong trường hợp mạch điều khiển cấp nguồn cho động cơ DC là mạch nắn toàn
chu kỳ - dùng 2 SCR là T3 và T4, mạch tạo ra nguồn đồng bộ cũng tương tự là mạch
nắn nửa chu kỳ và ổn áp không dùng tụ lọc. Điện áp lối ra sau 2 Diode D1 và D2 là
những bán chu kỳ dương liên tục và gợn sóng V1.
Điện trở R1, R2 và diode Dz dùng để cắt ngọn và ổn áp điện áp +V2 ở lối ra bằng
điện áp Vz, khi đó điện áp V2 được xem như là nguồn đồng bộ cấp cho mạch dao
động.
68
Xung kích qua T1 và T2 qua biến áp xung TR2, lối ra của biến áp xung lần lượt kích
vào cửa Gate của T3 v T4 cấp dòng một chiruc ho động cơ DC (MT)
69
Chương 5.
MẠCH DAO ĐỘNG TẠO XUNG DÙNG CỔNG LOGIC, VCO, CCO
1. Mạch đa hài đơn ổn dùng cổng logic.
V
R
A
Out
B C N
Mạch có một trạng thái ổn định bền là khi không tác động xung ở lối vào A = 0 thì
lối ra Out = 0.
Khi có một xung dương lối vào A = 1, B = 0. tương ứng qua mạch Nor ta có lối ra
Out = 0, qua mạch RC tạo thành mạch tích phân RC, khi đó điện áp trên tụ tăng dần
(tụ được nạp điện từ +V qua R qua C xuống đất) và điện áp trên tụ như sau:
u C = V (1 − exp(−t / RC )) khi đó uN = 0 và lối ra Out = 1.
Lúc đó tụ được nạp điện và điện áp trên tụ C tăng dần, khi điện áp trên tụ C tăng UC
≥ UH thì lối ra lật trạng thái từ Out = 1 sang lối ra Out = 0 (URa = UL),
Khi kết thúc xung lối vào A = 0, và B = Ura = 0 (UL) khi đó mạch sẽ giữ nguyên trạng
thái ổn định chờ xung tiếp theo ở lối vào A.
C2
R2 2
Out 2
P
Điện trở R1, R2 giữ điện áp ngưỡng của thành phần hồi tiếp về của tụ C1 và C2 lấy
hồi tiếp dương đưa từ lối ra về lối vào.
Khi đóng mạch giả sử lối ra 1 ở mức thấp (Out 1 = 0) khi đó lối ra 2 ở mức cao (Out
2 = 1) tụ C2 được nạp điện và điện áp trên tụ C2 tăng dần.
u c 2 = Vcc(1 − exp(−t / R1C 2 )) , khi đó ta có UN = UR1 = Uout2 - UC = Uout2 (Vcc),
70
mức thấp (UN ≤ UL) thì qua Nand 1 ta có lối ra Out 1 sẽ lật trạng thái lên mức cao,
qua qua mạch hồi tiếp dương từ Out 1 về điểm P (tức lối vào Nand 2) làm cho lối ra
Out 2 chuyển trạng thái sang mức thấp.
Lúc này Out 1 = UH (Vcc) và Out 2 = UL (0). Và tụ C1 được nạp điện từ Out 1 qua C1
và R2 xuống đất và tụ C2 phóng điện qua Out 2 xuống đất
u C 2 = E exp(− t / R21C 2 ) .
Và u c1 = Vcc(1 − exp(−t / R2 C1 ))
Khi đó điện áp trên tụ C1 tăng dần và điện áp trên điểm P giảm dần, điện áp trên
điểm P giảm đến mức UP ≤ UL thi qua Nand 2 lối ra out 2 sẽ chuyển trạng thái sang
mức cao và qua mạch hồi tiếp dương về lối vào Nand 1 làm lối ra Out 1 về mức
thấp trở về tạng thái ban đầu của mạch, quá trình này cứ tiếp tục thực hiện và mạch
sẽ tự dao động
6 8 ic566
Buffer
5 Current Triger 3
Sources Smit Out
Buffer
4
Out
7 1
71
Chân 3: Lối ra xung vuông (Square Wave Output)
Chân 4: Xung tam giác (Triagular Wave Outout)
Chân 5: Lối vào điều khiển (modulation Input)
Chân 6: Nguồn dòng (Current Sources)
Chân 7: Nguồn dòng (Current Sources)
Chân 8: +Vcc nguồn nuôi 1 chiều (nguồn dương)
- Mạch nguồn có tác dụng giữ cho dòng nạp điện cho tụ C qua điện trở R có giá
trị cố định
- Trị số của dòng nạp có thể thay đổi nhờ lối vào điều khiển tại chân 5
- Điện áp nạp trên tụ tăng theo hàm bậc nhất, do mạch nạo cho tụ là nguồn
dòng
- Mạch Triger smit có tác dụng giới hạn điện áp nạp trên tụ ở mức cao hay
phóng điện để tạo ra điện áp xung răng cưa ở chân 7 và qua mạch triger smit
tạo xung vuông ở chân 3.
- Mạch Buffer tỏng IC là hai mạch khuếch đại đệm dòng điện cho dạng xung
vuông và tam giác ở lối ra 3 và 4 để phù hợp với việc ghép tải lối ra
- Thay đổi giá trị điện áp ở chân 5 làm thay đổi dòng nạp cho tụ điện dẫn tới
việc thay đổi tần số của xung vuông và xung tam giác ở lối ra 3 và 4.
- Thay đổi giá trị điện trở R và C cũng có thể thay đổi tần số lối ra.
• Một số đặc điểm của mạch là:
- Nguồn nuôi: 10V ÷ 24V
- Tần số dao động fmax = 1MHz và được tính
2 VCC − VC
f0 =
RC VCC
Trong đó VC là điện áp điều khiển ở chân 5
- Điện áp điều khiển ở chân 5 cho phép là:
3 V ≤V ≤V
4 CC C CC
72
Vcc
R
R1
6 8
3
Out
P 5
IC566
4
Out
R2 7 1
Mạch tạo xung điều chế VCO có tần số lối ra xung vuông và xung tam giác thay
đổi liên phụ thuộc vào biên độ tín hiệu xung lối vào (hay mạch điều tần)
Vcc
R
R1
6 8
3
Out
5
IC566
~ R2
4
Vi Out
7 1
73
Vcc
4
IC567
R1
Control 3 2 Low pass
Phase Detector
filter
Timing R
5 KĐ
Current Controller
Oscilator
Timing C-R 6
R2
1 Output filter
Quadrature Phase + 8
Detector - Output
KĐ
7 Vref
Ground
74
Vcc
3 4
2
~ Vi C2
1
5 C1
IC567 Vcc
R
10k
Rtai
6
8
C 7
10nF
Điện trở R nối chân 5 và chân 6 với tụ nối chân 6 xuống đất để tạo ra tần số dao
động nội f0 cuả mạch, và tần số dao động nội được xác định như sau:
1.1 1.1
f0 = = = 11kHz
RC 10 x10 x10 x10 −9
3
Tần số dao động nội f0 được đưa tới đồng thời 2 lối vào so pha và lối vào so sánh
vuông pha và 2 bộ so pha và so sánh vuông pha cùng nhận được tín hiệu từ lối vào
chân 3 để so sánh với tín hiệu tần số dao động nội f0.
Tụ C1, C2 ở chân 1 và chân 2 dùng để lọc tín hiệu tần số thấp ở lối ra của mạch
so pha và so sánh vuông pha.
Điện trở R1 và R2 trong IC567 kết hợp với tụ C1 và C2 để làm trở tải cho mạch
Khi tần số lối vào fi và tần số dao động nội f0 khác nhau thì không có dòng qua trở
tải R2 khi đó lối vào In+ của khuếch đại thuật toán > In- do đó ta có lối ra ở chân 8
ở mức cao.
Khi tần số lối vào fi và tần số dao động nội f0 bằng nhau thì có dòng qua trở tải R2
trong IC567 do đó In+ của khuếch đại thuật toán < In- do đó ta có lối ra chân 8 ở
mức thấp.
Độ rộng băng thông của mạch là:
Vi
B ≈ 1070
f 0C2
75
U5
U6
R2
x 8
3
IC567
1
2 7 6 5
C2
R
Chân 1 ở lối vào In+ được nối với chân 5 của bộ dao động nội của mạch R, C nối
chân 5 và chân 6 có tần số dao động là f0.
Do chân 5 có tín hiệu xung vuông và tín hiệu xung vuông này được đưa tới chân 1
của lối vào In+ và qua mạch khuếch đại thuật toán sẽ cho ta lối ra chân 8, và do đó
tín hiệu lối ra ở chân 8 cũng là tín hiệu xung vuông có tần số bằng tần số bộ dao
động nội lối vào
Tần số dao động của mạch là:
1.1
f = f0 =
RC
Mạch dao động xung vuông 2 tần số f0 và 2f0
Vcc
R3
x 8
1
IC567
3
2 7 6 5
C2
R2
R
76
Mạch R, C nối chân 5 và 6 xuống đất sẽ tạo xung vuông ở chan 5 với tần số dao
động là f0
Tín hiệu xung vuông ở chân 5 được đưa tới lối vào chân 3 nên lối vào này cũng có
tín hiệu tần số f0 chính bằng tần số dao động nội của mạch
1.1
f0 =
RC
Chân 1 không nối với tụ lọc xoay chiều lấy lối ra của bộ so sánh vuông pha do đó
chân 1 ta có tín hiệu xoay chiều lối ra và tín hiệu chân 1 được đưa tới lối vào In +
của khuếch đại thuật toán do đó lối ra của khuếch đại thuật toán (chân 8) sẽ có
tín hiệu xung vuông tần số 2f0
Tần số dao động của chân 8 là:
2.2
f = 2 f0 =
RC
77
Phần 2: Kỹ thuật số
78
CHƯƠNG I
Trong đó ak là các chữ số lập thành con số (k = 0, 1 … n-1) và 0 < ak < N-1
Sau đây là một số hệ đếm thông dụng:
+ Hệ đếm mười (thập phân): có cơ sở là 10, các chữ số trong hệ đếm này là: 0, 1, 2,
3, 4, 5, 6, 7, 8 và 9.
Ví dụ: con số 1278 = 1.103 + 2.102 + 7.101 + 8.100 biểu diễn một nghìn hai trăm bảy
mươi tám đơn vị theo nghĩa thông thường
+ Hệ đếm hai (nhị phân): có cơ sở là 2, các chữ số trong hệ đếm này là 0 và 1 ví dụ:
1011 trong hệ nhị phân sẽ biểu diễn giá trị
79
A = 1.23 + 0.22 + 1.21 + 1.20 = 11 trong hệ đếm 10 thông thường
+ Hệ đếm mười sáu (thập lục phân – hexa): có cơ sở là 16 với các chữ số: 0, 1, 2,
3,4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E và F
Ví dụ: 8E trong hệ đếm hexa sẽ biểu diễn giá trị
A = 8.161 + 14.160 = 142 trong hệ đếm 10 thông thường
+ Hệ đếm tám (bát phân – octa): có cơ sở là 8 với các chữ số 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6 và 7.
Ví dụ: con số 12 trong hệ octa biểu diễn giá trị
A = 1.81 + 2.80 = 10 trong hệ đếm thông thường
Bảng đối chiếu 16 con số đầu tiên trong các hệ đếm trên
Hệ 10 Hệ 2 Hệ 16 Hệ 8
0 0000 0 0
1 0001 1 1
2 0010 2 2
3 0011 3 3
4 0100 4 4
5 0101 5 5
6 0110 6 6
7 0111 7 7
8 1000 8 10
9 1001 9 11
10 1010 A 12
11 1011 B 13
12 1100 C 14
13 1101 D 15
14 1110 E 16
15 1111 F 17
80
1.1.3 Đổi cơ số
1.1.3.1 Đổi từ cơ số d sang cơ số 10
Về phương pháp, người ta triển khai con số d dưới dạng đa thức theo cơ số của nó.
Ví dụ: A(2) = 1101, đổi sang thập phân là:
1101 = 1.23 + 1.22 + 0.21 + 1.20 = 13(10)
1.1.3.2 Đổi cơ số 10 sang cơ số d
Về nguyên tắc, người ta lấy con số trong cơ số chia liên tiếp cho cơ số d đến
khi thương số bằng không thì thôi.
Ví dụ:
Kết luận: Gọi d1, d2, …, dn lần lượt là số dư của phép chia số thập phân cho cơ số d
lần thứ 1,2,3,4,…,n thì kết quả sẽ là dndn-1…d1, nghĩa là số dư sau cùng là bit có trọng
số cao nhất, còn số dư đầu tiên là bit có trọng số nhỏ nhất
81
- 20, 21, 22,23 được gọi là các trọng số
- a0 được gọi là bit có trọng số nhỏ nhất, hay còn gọi bit có ý nghĩa nhỏ nhất.
- a3 được gọi là bit có trọng số lớn nhất, hay còn gọi bit có ý nghĩa lớn nhất.
Như vậy, với số nhị phân 4 bit a3a2a1a0 mà trong đó mỗi chữ số ai chỉ nhận được 2 giá
trị {0,1}, lúc đó ta có 24 = 16 tổ hợp nhị phân
b. Phép trừ
82
c. Phép nhân
d. Phép chia
83
Các lĩnh vực mã hoá gồm:
- Số thập phân
- Ký tự
- Tập lệnh
- Tiếng nói
- Hình ảnh….
1.2.2.2 Mã hoá số thập phân
a. Khái niệm
Trong thực tế để mã hoá số thập phân, người ta sử dụng các số nhị phân 4 bit.
Ví dụ: 0 0000
1 0001
2 0010
Việc sử dụng các số nhị phân để mã hoá các số phập phân gọi là các số BCD
(Binary Code Decimal)
b. Phân loại
Khi sử dụng số nhị phân 4 bit để mã hoá các số thập phân tương ứng với 24 =
16 tổ hợp mã nhị phân phân biệt.
Do việc chọn 10 tổ hợp trong 16 tổ hợp để mã hoá các ký hiệu thập phân từ 0
đến 9 mà trong thực tế xuất hiện nhiều loại mã BCD khác nhau. Mặc dù tồn tại
nhiều loại mã BCD khác nhau nhưng người ta chia làm 2 loại chính: BCD có trọng số
và BCD không có trọng số.
- Mã BCD có trọng số: gồm có mã BCD tự nhiên, mã BCD số học. Mã BCD tự nhiên
đó là loại mã mà trong đó các trọng số thươbngf được sắp xếp theo thú tự tăng dần.
Ví dụ: Mã BCD 8421, mã BCD 5421
Mã BCD số học là loại mã mà trong đó có tổng các trong số luôn bằng 9.
- Mã BCD không có trọng số: là loại mã không cho phép phân tích thành đa thức theo
cơ số của nó.
Ví dụ: Mã Gray, Mã Gray thừa 3
Đặc trưng của mã Gray là loại bộ mã mà trong đó 2 từ mã nhị phân đứng kế
tiếp nhau bao giờ cũng chỉ khác nhau 1 bit.
Ví dụ: Mã Gray: 2 → 0011 Còn đối với mã BCD 8421:
84
3 → 0010 3 → 0011
Các bảng dưới đây trình bày một số loại mã thông dụng:
Chú ý: Mã Grây được suy ra từ mã BCD 8421 bằng cách: các bit 0,1 đứng sau bit 0
(ở mã BCD 8421) khi chuyển sang mã grây thì được giữ nguyên, còn các bit 0,1 đứng
sau bit 1 (ở mã BCD 8421). Khi chuyển sang mã grây thì được đổi ngược lại, nghĩa
là từ bit 1 thành bit 0 và bit 0 thành bit 1.
1.2.2.3 Mạch nhận dạng số BCD 8421
85
- y = 1: a3a2a1a0 không phải số BCD 8421
- Y = 0: a3a2a1a0 là số BCD 8421
BCD 8421 thì ngõ ra y = 1, nghĩa là bit a3 luôn bằng 1 và bit a1 hoặc a2 bằng 1
86
b. Phép trừ
87
CHƯƠNG II
ĐẠI SỐ BOOLE
Trong mạch số các tín hiệu thường cho ở hai mức điện áp 0(v) và 5(v). những
linh kiện điện tử dùng trong mạch số làm việc ở một trong hai trạng thái (tắt hoặc
thông). Do vậy để mô tả mạch số người ta dùng hệ nhị phân (Binary) hai trạng thái
trong mạch được mã hoá tương ứng là "1" hoặc "0". Hệ nhị phân thể hiện được
trạng thái vật lý mà hệ thập phân không thể hiện được. Môn đại số mang tên người
sáng lập ra nó - Đại số Boole còn được gọi là đại số logic.
88
2.3 CÁC ĐỊNH LÝ CỦA ĐẠI SỐ BOOLE
2.3.1 Định lý
• Một biến số
• Giao hoán
• Phối hợp
• Phân phối
• Định lý De Morgan
89
Các định lý của đại số Boole được chứng minh hay kiểm chứng bằng nhiều
cách. Các cách chứng minh hay kiểm chứng này tương đối đơn giản, người đọc có
thể tự chứng minh hay kiểm chứng.
Nếu hàm có n biến, bảng chân lý có n+1 cột và 2n + 1 hàng. Hàng đầu tiên
chỉ tên biến và hàm, các hàng còn lại trình bày các tổ hợp của n biến trong 2n tổ
hợp có thể có. Các cột đầu ghi giá trị của biến, cột cuối cùng ghi giá trị của hàm
tương ứng với tổ hợp biến trên cùng hàng (gọi là trị riêng của hàm).
Thí dụ: Hàm OR của 2 biến A, B: f(A,B) = (A OR B) có bảng chân lý tương ứng.
Hai hàm logic có cùng một bảng chân lý thì được coi là tương đương với nhau.
A B f(A,B) = A OR B
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
90
Nhận xét: Một hàm logic chỉ tương ứng với duy nhất một bảng sự thật (chân lý),
nhưng ngược lại, một bảng sự thật có thể tương ứng với nhiều hàm logic.
Ví dụ: Một ngôi nhà có 3 công tắc, người chủ nhà muốn bóng đèn sáng khi cả 3 công
tắc đều hở, hoặc khi công tắc 1 và 2 đóng còn công tắc thứ 3 hở. Hãy xây dựng bảng
sự thật cho bài toán này.
Bước 1: Gọi 3 công tắc lần lượt là A, B, C. Bóng đèn là Y. Trạng thái công tắc đóng
là logic 1, hở là 0. Trạng thái đèn sáng là logic 1 và tắt là 0.
Bước 2: Từ yêu cầu bài toán ta có bảng sự thật:
91
Ví dụ: Hàm 2 biến: F(A,B) = A.F(1,B) + A .F(0,B). (*)
F(1,B) = B.F(1,1) + B .F(1,0)
F(0,B) = B.F(0,1) + B .F(0,0)
Với F(0,0), F(0,1), F(1,0), F(1,1). được gọi là các hàm thành phần.Thay các hàm
F(1,B), F(0,B) vào (*) ta được:
F(A,B) = A.B.F(1,1) + A .B.F(0,1) + A. B .F(1,0) + A . B .F(0,0) (**)
Như vậy : Hàm 2 biến → Khai triển 4 số hạng (22)
Hàm n biến → khai triển 2n số hạng
Từ biểu thức (**) ta có nhận xét sau:
- Nếu giá trị của hàm thành phần = "1" → Số hạng là tích của các biến.
- Nếu giá trị của hàm thành phần = "0" → ta loại số hạng đó.
A B C Z =f(A,B,C)
0 0 0 0 0 F(0,0,0)
1 0 0 1 1 F(0,0,1)
2 0 1 0 1 F(0,1,0)
3 0 1 1 1 F(0,1,1)
4 1 0 0 0 F(1,0,0)
5 1 0 1 1 F(1,0,1)
6 1 1 0 0 F(1,1,0)
7 1 1 1 1 F(1,1,1)
92
- Trong biểu thức logic các biến nhận trị "1" giữ nguyên, biến nhận trị"0" ta lấy
phủ định.
b. Dạng hội chính quy :
Định lý Shannon: Mọi hàm logic được triển khai theo một trong các biến dưới
dạng tích của hai tổng logic như sau:
F(A,B,...,Z) = [ A + F(1,B,...,Z)].[A + F(0,B,...,Z)].
Thí dụ: Hàm 2 biến F(A,B).
F(A,B) = [ A + F(1,B)].[A + F(0,B)] (1).
F(1,B) = [ B + F(1,1)].[B + F(1,0)]
F(0,B) = [ B + F(0,1)].[B + F(0,0)] Thay các giá trị này vào (1) ta được
F(A ,B)= [ A + B + F(1,1)].[ A + B + F(0,1)].[ A + B + F(1,0)].[ A + B + F(0,0)] (2)
Nếu giá trị của hàm thành phần = 0 → Thừa số bằng tổng các biến.
Nếu giá trị của hàm thành phần = 1 → Thừa số bị loại bỏ.
Với bảng thật trên thì:
Z = f(A ,B,C )= [A + B + C ].[A + B + C ].[A + B + C ].
Từ các phân tích trên khi biểu diễn hàm logic dạng hội chính quy:
- Chỉ quan tâm đến các tổ hợp biến tại đó hàm thành phần nhận trị "0".
- Số thừa số bằng số lần hàm thành phần nhận trị "0" .
- Trong biểu thức logic các biến nhận trị "0" giữ nguyên, các biến nhận trị "1" ta
lấy phủ định.
c. Biểu diễn tuyển chính quy, hội chính quy dưới dạng số:
- Tuyển chính quy dạng số.
Từ thí dụ trước tuyển chính quy dạng số được cho:
Z = F(A, B, C) = Σ (1,2,3,5,7)
(tại các giá trị tổ hợp 1, 2, 3, 5, 7 của biến vào hàm nhận trị "1")
93
STTABC Z = F(A,B,C)1001 1
F(0,0,1)2010 1 F(0,1,0)3011 1
F(0,1,1)5101 1 F(1,0,1)7111 1 F(1,1,1)
STTABC Z = F(A,B,C)0000 0
F(0,0,0)4100 0 F(1,0,0)6110 0
F(1,1,0)
94
Thí dụ : A.B + A .B = B ; A+A.B = A ; A + A .B = A + B.
Ta chứng minh các đẳng thức trên, theo tính chất đối ngẫu:
A.B + A .B = B ⇔ (A + B).( A + B) = B.
A + A.B = A ⇔ A.(A + B) = A.
A + A .B = A + B ⇔ A.( A + B) = A.B.
Quy tắc 1:
Nhóm các số hạng có thừa số chung.
Thí dụ: A.B.C + A.B. C = A.B(C + C ) = A.B.
Quy tắc 2:
Đưa số hạng đã có vào biểu thức logic.
A.B.C + A .B.C + A. B .C + A.B. C =
= A.B.C + A .B.C + A. B .C + A.B.C + A.B. C + A.B.C
= B.C.(A + A ) +A.C.(B + B ) + A.B.(C + C ) = B.C + A.C + A.B
Quy tắc 3:
Có thể loại các số hạng thừa.
A.B + B .C + A.C = A.B + B .C + A.C (B + B ).
= A.B + B .C + A.B.C + A. B .C
= A.B + B .C (loại A.C)
b. Phương pháp bìa các nô
Nguyên tắc tối giản hàm logic trên bìa các nô
- Thực hiện nhóm các ô tại đó hàm nhận trị "1" hoặc "0" kề nhau hoặc đối xứng, số
ô trong một nhóm dán phải là số luỹ thừa của 2 (khi viết hàm dạng tuyển ta nhóm các
ô có giá trị "1", dạng hội nhóm các ô có giá trị "0").
- Trong một nhóm dán các biến có trị thay đổi ta loại, các biến có trị không đổi giữ
nguyên, điều này có nghĩa là số ô trong nhóm dán càng nhiều thì số biến bị loại càng
tăng (2 ô - loại 1 biến, 4 ô - loại 2 biến ... 2m ô - loại m biến).
- Biểu thức logic có số số hạng hay thừa số chính bằng số nhóm dán. Khi viết hàm
logic dưới dạng tuyển các biến còn lại nhận trị "1" ta giữ nguyên, nhận trị "0" ta lấy
phủ định, khi viết hàm logic dưới dạng hội thì ngược lại.
- Một ô có thể tham gia vào nhiều nhóm dán.
95
- Các ô tại đó giá trị hàm không xác định ta coi tại ô đó hàm có thể lấy giá trị "1" hoặc
"0" tuỳ từng trường hợp cụ thể.
* Chú ý: Phương pháp tối giản hàm logic trên bìa các nô chỉ thích hợp với hàm có số
biến ≤ 6. Trường hợp hàm có số biến lớn hơn 6, bảng các nô rất phức tạp.
C 0 1
BC AB
00
A 0 0001111001 0 1
1 3 2 01
2 3
4 5 7 6 11
4 cột - 2 hàng (hàm 3 biến) 4 5
10
6 7
2 cột - 4 hàng (hàm 3 biến)
CD 00 01 11 10
AB
00
0 1 3 2 Hàm 4 biến
01 (4 hàng - 4 cột -16 ô)
4 5 7 6
11
12 13 15 14
10 12
8 9 11 10
DEF
ABC
0 1 3 2 6 7 5 4
8 9 11 10 14 15 13 12
24 25 27 26 30 31 29 28
000001011010110111101100000001011010110111101100
16 17 19 18 22 23 21 20
48 49 51 50 54 55 53 52
56 57 59 58 62 63 61 60
40 41 43 42 46 47 45 44
32 33 35 34 38 39 37 36
96
F
CD
AB
00011110001101011X01110XX0
1011X1
97
Trong thí dụ này có 3 nhóm:
Nhóm chứa một số 1 gồm các tổ hợp 1, 2, 4
Nhóm chứa hai số 1 gồm các tổ hợp 5, 6, 10, 12
Nhóm chứa ba số 1 gồm các tổ hợp 13, 14
Bảng 1:
- Mỗi tổ hợp trong một nhóm sẽ được so sánh với mỗi tổ hợp trong nhóm kế cận.
Nếu 2 tổ hợp chỉ khác nhau một biến, ta có thể dựng biểu thức AB+B=B để đơn
giản được 1 biến. Biến đó đơn giản được thay bởi dấu -. Đánh dấu x vào các tổ hợp
đã xét để tránh sai sót.
Như vậy, tổ hợp thứ nhất của nhóm thứ nhất 0001 so sánh với tổ hợp thứ
nhất của nhóm thứ hai 0101 vì chúng chỉ khác nhau ở biến B, vậy chúng có thể đơn
giản thành 0-01. Hai số hạng 1 và 5 đó được gom lại thành nhóm (1,5) và được ghi
vào bảng 2.
Tiếp tục so sánh tổ hợp 0001 này với các tổ hợp còn lại của nhóm 2 (0110,
1010, 1100), vì chúng khác nhau nhiều hơn 1 bit nên ta không được kết quả nào
khác. Như vậy, ta đó so sánh xong tổ hợp thứ nhất, đánh dấu x trước tổ hợp này để
ghi nhớ.
Công việc tiến hành tương tự cho nhóm thứ hai và thứ ba.
Lưu ý: Nhận xét về việc so sánh các tổ hợp với nhau ta thấy có thể thực
hiện nhanh được bằng cách làm bài toán trừ 2 số nhị phân tương ứng của 2 tổ
k
hợp, nếu kết quả là một số có trị= 2 (1, 2, 4,8 ...) thì 2 tổ hợp đã so sánh được và
k
biến được đơn giản chính là biến có trọng số = 2 (thí dụ 2 tổ hợp 1 và 5 có hiệu
98
k
số là 4 nên đơn giản được biến B), nếu hiệu số ≠ 2 thì 2 tổ hợp đó không so sánh
được, tức không có biến được đơn giản.
Kết quả cho bảng thứ hai
- Bảng thứ hai gồm các tổ hợp đó được rút gọn và chỉ còn lại 2 nhóm (giảm
một nhóm so với bảng 1).
Bảng 2
Thực hiện công việc tương tự như trên với hai nhóm trong bảng thứ hai
này, các số hạng sẽ được nhóm lại nếu chúng chỉ khác nhau một biến và có vị
trí dấu - trùng nhau. Ta được bảng thứ 3.
Bảng 3:
Quan sát bảng thứ 3 ta thấy có các tổ hợp giống nhau, như vậy ta có thể loại
bỏ bớt các tổ hợp này và chỉ giữ lại một.
- Kết quả của hàm rút gọn gồm tổng các số hạng tương ứng với các tổ hợp không
gom thành nhóm trong các bảng đầu tiên, đó là tổ hợp (1,5) trong bảng 2, trị
tương ứng là C D với các tổ hợp còn lại trong bảng cuối cùng, đó là các tổ hợp (2,6
; 10,14) mà trị tương ứng là C.D , (4,5 ; 12,13) cho BC và (4,6 ; 12,14) cho BD trong
bảng 3. Vậy:
99
f ( A, B, C , D ) = A.C .D + C.D + B.C + B.D
Đến đây, nếu quan sát các tổ hợp cho các kết quả trên, ta thấy các tổ hợp
còn chứa các số hạng giống nhau (số 4 và số 12 chẳng hạn), như vậy kết quả trên
có thể là chưa tối giản.
♣ Giai đọan 2:
Để cú thể rút gọn hơn nữa ta lập một bảng như sau:
Cột bên trái ghi lại các tổ hợp đó chọn được trong giai đoạn 1, các cột còn lại ghi
các trị thập phân có trong hàm ban đầu.
Trên cùng hàng của tổ hợp ta đánh dấu * dưới các cột có số tương ứng (ví dụ
hàng chứa tổ hợp 1,5 có các dấu * ở cột 1 và 5). Tương tự cho các tổ hợp khác.
Bảng 4
Xét các cột chỉ chứa một dấu *, đó là các cột 1,2,10 và 13, các tổ hợp ở cùng
hàng với các dấu * này sẽ được chọn, đó là các tổ hợp (1,5), (2,6;10,14),
(4,5;12,13), tương ứng với chọn. Nếu tất cả cỏc cột đều được đỏnh dấu thỡ cỏc
tổ hợp đó chọn đủ để diễn tả hàm ban đầu. A.C .D + C.D + B.C . Đánh dấu X dưới
các cột tương ứng với các số có trong các tổ hợp đã chọn. Nếu tất cả các cột đều
được đánh dấu thì các tổ hợp đã chọn đủ để diễn tả hàm ban đầu.
Trong trường hợp của bài toán này, sau khi chọn các tổ hợp nói trên thì tất cả các
cột đã được đánh dấu do đó kết quả cuối cùng là (sau khi đã loại bỏ tổ hợp B.D ):
f ( A, B, C , D ) = A.C .D + C.D + B.C
100
CHƯƠNG III
3.1.2 Mạch số
Mạch số là mạch dùng để xử lý tín hiệu số. Tín hiệu số là tín hiệu có biên độ
biến thiên không liên tục theo thời gian hay còn gọi là tín hiệu gián đoạn, nó được
biểu diễn dưới dạng sóng xung với 2 mức điện thế cao và thấp mà tương ứng với
hai mức điện thế này là hai mức logic của mạch số.
Việc xử lý ở đay bao gồm các vấn đề:
- Lọc số
- Điều chế/ Giải điều chế
- Mã hoá
Ưu điểm của mạch số so với mạch tương tự:
- Độ chống nhiễu cao
- Phân tích và thiết kế mạch số tương đối đơn giản
Vì vậy, hiện nay mạch số được sử dụng khá phổ biến trong tất cả các lĩnh vực
như: Đo lường số, truyền hình số, điều khiển số…
101
- K đóng: Đèn sáng
Trạng thái Đóng/Mở của Khoá K hoặc trạng thái Sáng/Tắt của đèn Đ cũng được
đặc trưng cho trạng thái logic của mạch số.
Nếu thay khoá K bằng khoá điện tử dùng BJT như trên hình 3.2:
Hình 3.2a:
- Khi vi = 0 →BJT tắt → v0 = +Vcc
102
- Chọn VLogiic1 < Vlog ic 0 → họ logic âm
Logic dương và logic âm là những họ logic tỏ, ngoài ra còn những họ logic mờ.
103
- Với đầu ra y có trở kháng ra Z ra nhỏ → cỏng đệm có khả năng cung cấp dòng
đầu ra lớn
Chính vì vậy người ta sử dụng cổng không đảo giữ vai trò, chức năng là cổng
đệm thao 2 ý nghĩa sau:
- Dùng để phối hợp trở trở kháng
- Dùng để cách ly và nâng dòng cho tải
b. Cổng đảo (NOT)
Cổng ĐẢO (còn gọi là cổng NOT) là cổng logic có 1 ngõ vào và một đầu ra,
với ký hiệu và bảng trạng thái hoạt động như hình vẽ:
c. Cổng VÀ (AND)
Cổng AND là cổng logic thực hiện chức năng của phép toán nhân logic với 2
đầu vào và một đầu ra ký hiệu như hình vẽ:
Phương trình logic mô tả hoạt động của cổng AND: y = x1 .x 2
Bảng trạng thái hoạt động của cổng AND 2 đầu vào:
104
Từ bảng trạng thái này ta có nhận xét: đầu ra y chỉ bằng 1 (mức logic 1) khi cả hai
đầu vào đều bằng 1, đầu ra y bằng 0 (mức logic 0) khi có một đầu vào bất kỳ ( x1
hoặc x 2 ) ở mức logic 0.
Xét trường hợp tổng quát cho cổng AND có n đầu vào x1, x2…xn:
Vậy đặc điểm của cổng AND là: đầu ra y chỉ bằng 1 khi tất cả các đầu vào đều
bằng 1, đầu ra y bằng 0 khi có ít nhất một đầu vào bằng 0.
Sử dụng cổng AND để đóng mở tín hiệu: Xét cổng AND có hai đầu vào x1 và x2.
Ta chọn:
- x1: đầu vào điều khiển
- x2: đầu vào dữ liệu
Xét các trường hợp cụ thể sau:
- x1 = 0 : ⇒ y = 0 bất chấp trạng thái của x2, ta nói cổng AND khoá lại không cho dữ
liệu đưa vào đầu vào x2 qua cổng AND đến đầu ra.
Ta nói cổng AND mở cho dữ liệu đưa vào đầu vào x2 qua cổng AND đến đầu ra.
Sử dụng cổng AND để tạo ra cổng logic khác: Nếu ta sử dụng hai tổ hợp đầu và
cuối trong bảng giá trị của cổng AND và nối cổng AND theo sơ đồ sau:
105
Thì chúng ta có thể sử cổng AND để tạo ra cổng đệm
Trong thực tế, có thể tận dụng hết các cổng chưa dùng trong IC để thực hiện
chức năng của các cổng logic khác.
d. Cổng OR (Hoặc)
Là cổng thực hiện chức năng của phép toán cộng logic, cổng OR có 2 đầu vào
và 1 đầu ra có ký hiệu như hình vẽ :
106
Đặc điểm của cổng OR là : tín hiệu đầu ra chỉ bằng 0 khi và chỉ khi tất cả các
đầu vào đều bằng 0, ngược lại tính iệu đầu ra bằng 1 khi chỉ cần có ít nhất một đầu
vào bằng 1.
Sử dụng cổng OR để đóng mở tín hiệu: Xét cổng OR có hai đầu vào x1, x2. Nếu
chọn x1 là đầu vào điều khiển, x2 đầu vào dữ liệu, ta có trường hợp cụ thể sau đây :
- x1 = 1 ⇒ y = 1 → Ta nói cổng OR khoá không cho dữ liệu đi qua
Khi :
Cổng OR dóng vai trò cổng đệm. Sơ đồ mạch thực hiện trên hình 3.10 :
Đây là cổng thực hiện phép toán nhân đảo, về sơ đồ logic cổng AND gồm 1
cổng AND mắc nối tầng với 1 cổng NOT, ký hiệu và bảng trạng thái cổng NAND
được cho như sau:
Phương trình logic mô tả hoạt động của cổng NAND 2 đầu vào:
107
Vậy, đặc điểm của cổng NAND là : tín hiệu đầu ra chỉ bằng 0 khi tất cả các
đầu vào đều bằng 1, và tín hiệu đầu ra sẽ bằng 1 khi chỉ cần ít nhất 1 đầu vào bằng
0.
Sử dụng cổng NAND để mở tín hiệu: Xét cổng NAND có 2 đầu vào : chọn x1 là
đầu vào điều khiển, x2 là đầu vào dữ liệu. Khi :
- x1 = 0 ⇒ y = 1 →cổng NAND khoá
→ cổng NAND mở cho dữ liệu vào đầu vào x2 và đến đầu ra.
Sử dụng các cổng NAND để tạo các cổng logic khác :
- Dùng cổng NAND để tạo cổng NOT :
108
- Dùng cổng NAND tạo cổng OR:
Xét trường hợp tổng quát cho cổng NOR có n đầu vào:
109
Vậy đặc điểm của cổng NOR là: Tín hiệu đầu ra chỉ bằng 1 khi tất cả các
đầu vào đều bằng 0, tín hiệu đầu ra sẽ bằng 0 khi có ít nhất 1 đầu vào bằng 1.
Sử dụng cổng NOR để đóng mở tín hiệu: Xét cổng NOR có 2 đầu vào, chọn x1 là
đầu vào điều khiển, x2 là đầu vào dữ liệu. Ta có:
- x1 = 1 ⇒ y = 0 ta nói cổng NOR khoá không cho dữ liệu đi qua.
⇒ ta nói cổng NOR mở cho dữ liệu vào đầu vào x2 qua cổng NOR đến đầu ra y.
Sử dụng cổng NOR để thực hiện chức năng cổng logic khác:
- Dùng cổng NOR làm cổng NOT:
110
- Dùng cổng NOR làm cổng NAND
g. Cổng XOR
Đây là cổng logic thực hiện chức năng của mạch cộng modul 2 (cộng không
nhớ), là cổng có 2 đầu vào và 1 đầu ra có ký hiệu và bảng trạng thái như hình:
y = x1 .x 2 + x1 .x 2 = x1 ⊗ x 2
Cổng XOR được dùng để so sánh 2 tín hiệu vào:
- Nếu hai tín hiệu vào là bằng nhau thì tín hiệu đầu ra bằng 0
- Nếu hai tín hiệu vào là khác nhau thì tín hiệu đầu ra bằng 1
Các tính chất của phép toán XOR:
111
h. Cổng XNOR
Đây là cổng logic thực hiện chức năng của mạch cộng đảo modul 2, là cổng
có 2 đầu vào và 1 đầu ra có ký hiệu và bảng trạng thái như hình:
3.2.2.2 Phân loại cổng logic theo phương pháp chế tạo
a. Cổng logic dùng diode
112
Xét sơ đồ mạch đơn giản như sau:
Ta có hình a:
Đây chính là cổng OR được chế tạo trên cơ sở diode và điện trở gọi là họ DRL
(Diode Reisistor Logic) hoặc DL
Hình b:
Đây chính là cổng AND được chế tạo trên cơ sở diode và điện trở gọi là họ DRL
(Diode Reisistor Logic) hoặc DL.
b. Cổng logic dùng BJT
Cổng NOT(hình 3.21a)
113
Đây là cổng NOR họ RTL (Resistor Transistor Logic)
- Khi x1 = x 2 = 0 , các diode D1, D2 phân cực thuận ⇒ D1, D2 dẫn → V A = 0,7V = Vγ
/Diode (Diode ghim điện áp) mà điều kiện để D3, D4 dẫn là:
114
- Khi x1 = x2 = 1, D1, D2 tắt →V A ≈ Vcc , (V A = Vcc − Vri ) → D3, D4 dẫn, BJT dẫn bão hoà,
→ đầu ra y = 0.
Vậy đây chính là cổng NAND họ DTL
Họ TTL (Transistor – Transistor - Logic)
Transistor Q1 được sử dụng gồm 2 tiếp giáp BE1, BE2 và 1 tiếp giáp BC. Tiếp
giáp BE1, BE2 của Q1 thay thế cho D1, D2 và tiếp giáp BC thay thế cho D3 trong sơ đồ
mạch cổng NAND họ DTR (hình 3.22)
Nguyên lý hoạt động:
- x1 = x2 = 0 các tiếp giáp BE1, BE2 sẽ được mở làm cho điện áp cực nền của BJT Q1:
V B = Vγ = 0,6V . Mà điều kiện để cho tiếp giáp BC, D và BJT Q1 dẫn điện thì thế ở
Điều đó chừng tỏ khi các tiếp giáp BE1, BE2 mở thì tiếp giáp BC, Diode D và BJT Q2
tắt → y = 1
- x1 = 0, x2 = 1 các tiếp giáp BE1 mở, BE2 tắt thì tiếp giáp BC, diode D và BJT Q2 tắt
→y = 1
- x1 = 1, x2 = 0 các tiếp giáp BE1 tắt, BE2 mở thì tiếp giáp BC, diode D và BJT Q2 tắt
→y = 1
- x1 = x2 = 1 các tiếp giáp BE1, BE2 tắt thì tiếp giáp BC, diode D và BJT Q2 dẫn bão
hoà → y = 0
Vậy, đây là mạch thực hiện cổng NAND họ TTL.
Để nâng cao khả năng tải của cổng, người ta thường mắc thêm ở đầu ra một
tầng khuyếch đại kiểu C-C như sơ đồ mạch:
115
Để nâng cao tần số làm việc của cổng, người ta cho các BJT làm việc ở chế
độ khuyếch đại, điều đó có nghĩa là người ta khống chế để sao cho các tiếp xúc Jc
của BJT bao giờ cũng ở trạng thái phân cực ngược. Để thực hiện được điều đó,
người ta thường mắc song song với tiếp giáp Jc của BJT một diode Shottky. Đặc
điểm của Shottky là tiếp xúc của nó gồm một chất bán dẫn với một kim loại, nên nó
không tích luỹ điện, do đó BJT sẽ chuyển đổi trạng thái nhanh hơn.
116
Nhược điểm: Đầu ra có điện thế âm nên nó không tương thích về mức logic với các
họ logic khác.
Nguyên lý:
- Khi x1 = x2 = 0: Q1, Q2 dẫn nên điện thế tại cực nền (2), (3) của Q3, Q4 càng âm
nên Q3, Q4 tắt →y1 = 1, y2 = 1
- Khi x1 = 0, x2 = 1: Q1 dẫn, Q2 tắt nên điện thế tại cực nền (2) của Q3 dương,
điện thế tại cực nền (3) của Q4 càng âm nên Q3 dẫn, Q4 tắt →y1 = 0, y2 = 1
- Khi x1 = 1, x2 = 0: Q1 tắt, Q2 dẫn nên điện thế tại cực nền (2) của Q3 âm, điện
thế tại cực nền (3) của Q4 càng dương nên Q3 dẫn, Q4 tắt →y1 = 1, y2 = 0
- Khi x1 = x2 = 1: Q1, Q2 tắt nên điện thế tại cực nền (2), (3) của Q3, Q4 càng
dương nên Q3, Q4 dẫn →y1 = 0, y2 = 0.
c. Cổng logic dùng MOSFET
MOSFET (Metal Oxyt Semiconductor Field Effect Transistor) có hai loại: loại
có kênh đặt sẵn và loại có kênh cảm ứng.
Dù là MOSFET có kênh đặt sẵn hay kênh cảm ứng đều có thể phân chia làm 2
loại đó là: MOSFET kênh N gọi là NMOS và MOSFET kênh P gọi là PMOS. Đặc
điểm của 2 loại này khác nhau như sau:
- PMOS: Tiêu thụ công suất thấp, tốc độ chuyển đổi trạng thái chậm
- NMOS: Tiêu thụ công suất lớn hơn, tốc độ chuyển đổi trạng thái nhanh hơn.
117
Trên hình 3.27 là ký hiệu của các loại MOSFET khác nhau.
Dùng NMOS kênh cảm ứng chế tạo các cổng logic
Xét các cổng logic NMOS trên hình 3.28
Điều kiện để NMOS dẫn: VD > VS , VG > VB
Trong tất cả hình vẽ ta có:
- Hình 3.28a (cổng NOT):
Theo điều kiện để cổng NMOS dẫn: VD > VS , VG > VB
Ta thấy Q1 có B nối mass thoả mãn điều kiện nên Q1 luôn luôn dẫn.
- Khi x = 0: Q1 dẫn Q2 tắt (vì VG2 = VB2 = 0 nên không hình thành điện trường giữa B
và G →không hút được các electron là hạt dẫn thiểu số ở vùng đế B →không hình
thành được kênh dẫn). Lúc này, theo sơ đồ tương đương (hình 3.29a) ta có:
- Khi x = 1: lúc đó VG/Q2 > VB/Q2 → hình thành một điện trường hướng từ G →B, điện
trường này hút các điện tử là các hạt dẫn thiểu số trong vùng để B di chuyển theo
chiều ngược lại về mặt đối diện, hình thành kênh dẫn tạm thời nối liền giữa G và B
118
và có dòng điện iD đi từ D qua Q2 dẫn. Như vậy, Q1, Q2 dẫn ta có sơ đồ tương đương
Vậy mạch thực hiện ở hình 3.28a là mạch thực hiện cổng NOT
- Hình 3.28c (cổng NAND)
Khi x1 = x2 = 0 (hình 3.30a): Q1 dẫn, Q2 và Q3 đều tắt lúc đó theo sơ đồ tương đương
ta có:
- Khi x1 = 1, x2 = 0 (hình 3.30b): Q1, Q2 dẫn và Q3 tắt lúc đó theo sơ đồ tương đương
ta có:
119
- Khi x1 = 0, x2 = 1: Q1, Q3 dẫn và Q2 tắt, giải thích hoàn toàn tương tự ta có
V y ≈ V DD ⇒ y = 1
- Khi x1 = 1, x2 = 1 (hình 3.30c): Q1, Q2 và Q3 đều dẫn, lúc đó theo sơ đồ tương đương
ta có:
120
- Khi x1 = 1, x2 = 0: Q1 và Q2 dẫn,Q3 tắt. giải thích tương tự:
Vậy, sơ đồ mạch trên hình 3.28b chính là mạch thực hiện cổng NOR.
121
Hình 3.32a (cổng NOT)
Điều kiện để cổng PMOS dẫn : VS > VD , VG < VB
Điều kiện để cổng NMOS dẫn : VS > VD , VG > VB
- Khi x = 0 (hình 3.33a) : Q1 dẫn, Q2 tắt, theo sơ đồ ta có :
Vì rất nhỏ so với điện thế bão hoà của CMOS ở mức logic 0 ⇒ y = 0.
122
Vậy, sơ đồ mạch trên hình 3.32a chính là mạch thực hiện cổng NOT.
Hình 3.32b (Cổng NAND)
Sơ đồ tương đương của mạch cổng NAND họ CMOS được cho trên hình 3.34 :
- Khi x1 = x2 = 0 : Q4, Q3 dẫn, Q2 và Q1 tắt, ta có :
123
3.2.2.3. Phân loại cổng logic theo đầu ra
a. Đầu ra cột chạm (Totem Pole Output)
Xét cổng logic họ TTL với sơ đồ mạch như sau :
- Khi x1 = x2 = 1 : Tiếp giáp BE1, BE2 của Q1 phân cực ngược nên Q1 tắt. Điện thế tại
cực nền của Q1 làm cho tiếp giáp BC/Q1 mở, có dòng điện chảy qua tiếp giáp BC/Q1
đổ vào cực nền của Q2, Q2 được phân cực thuận nên bão hoà. Do Q2 dẫn bão hoà dẫn
tới Q3 dẫn bão hoà. Khi Q2 dẫn bão hoà thì điện thế tại cực C/Q2.
Ta thấy điều kiện này không thảo mãn khi Q2 dẫn bão hoà, do đó khi Q2 dẫn
bão hoà ⇒ Q4 tắt ⇒ cắt nguồn VCC ra khỏi mạch. Lúc này ta nói rằng cổng sẽ hút
124
dòng vào và dòng từ ngoài qua tải đổ vào đầu ra của cổng đi qua Q3, người ta nói Q3
là nơi nhận dòng và dòng đổ vào Q3 gọi là dòng đầu ra mức thấp, ký hiệu IOL.
Về mặt thiết kế : ta thấy rằng dòng tải It cũng chính là dòng đầu ra mức thấp
và là dòng đổ từ ngoài vào qua Q3, dòng này phải nằm trong giới hạn chịu đựng dòng
của Q3 để Q3 không bị đánh thủng thì mạch sẽ làm việc bình thường.
IOH cũng chính là dòng qua tải It, nếu IOH càng tăng thì Vlog ic1 càng giảm và
ngược lại. Song Vlog ic1 chỉ được phép giảm đến một giá trị cho phép VLogic1 min = 2,2V
Về mặt thiết kế mạch : ta chọn VLogic1 min = 2,4V để bảo đảm cổng cấp dòng dò
ra khi ở mức logic 1 không được nhỏ hơn VLogic1 min và đảm bảo cổng hút dòng vào kho
ở mức logic 0 thì dòng tải ở mức logic 0 không được lớn hơn dòng IOL
Nhược điểm của đầu ra cột chạm : Không cho phép nối chung các đầu ra lại
với nhau có thể làm hỏng cổng.
b. Đầu ra cực thu để hở (Open Collector Output)
Về phương diện cấu tạo gần giống với đầu ra cột chạm nhưng khác là không
có Q4, diode D,R5 và lúc này cực thu (cực C) của Q3 để hở. Do đó để cổng lamg việc
trong thực tế ta nối đầu ra của cổng (cực C của Q3) lên nguồn VCC bằng phân tử thụ
động R. Nguồn VCC có thể cùng giá trị với VCC hoặc khác tuỳ thuộc vào thiết kế.
Chúng ta lần lượt phân tích các trường hợp của mạch :
- Khi x1 = x2 = 1 : Tiếp giáp BE1, BE2 phân cực ngược, điện thế tại cực nền của Q1
làm cho tiếp giáp BC/Q1 mở nên Q2 dẫn bão hoà, Q2 dẫn bão hoà kéo theo Q3 dẫn bão
hoà ⇒ y = 0, do đó điện áp tại đầu ra y :
125
Lúc này cổng sẽ hút dòng vào và Q3 là nơi nhận dòng, ta gọi là dòng đầu ra
mớc thấp IOL
- Các trường hợp còn lại (x1 = 0, x2 = 1; x1 = 1, x2 = 0; x1 = x2 = 0): Có ít nhất một tiếp
giáp BC/Q1,Q2,Q3 đều tắt, lúc này cổng cấp dòng ra đổ từ ngu V’CC qua điện trở R
cấp cho tải ở mạch ngoài ⇒ y = 1, người ta gọi dòng đầu ra mức cao IOH.
Ta có :
126
Nên cổng không cấp dòng ra và cũng không hút dòng vào. Lúc này, đầy ra y chỉ
nối với cổng về phương diện vật lý nhưng lại cách ly về phương diện điện, tương
đương với trạng thái trở kháng cao. Chính vì vậy mà người ta gọi là trạng thái thứ ba
là trạng thái tổng trở cao.
Ứng dụng :
- Sử dụng đầu ra ba trạng thái để chế tạo ra cổng đệm 2 chiều
- Chế tạo các chíp nhớ của bộ vi xử lý.
Giải thích sơ đồ mạch hình 3.40 :
- E = 1: Cổng đệm 1 và 3 mở, 2 và 4 treo nên tổng trở cao ⇒ dữ liệu đi từ A→C,
B→D. Vậy dữ liệu xuất ra.
- E = 0: Cổng đệm 2 và 4 mở, 1 và 3 treo nên tổng trở cao ⇒ dữ liệu đi từ C→A,
D→B. Vậy dữ liệu nhập vào.
127
3.2.3. Công suất tiêu tán Ptt
Một phần tử logic khi làm việc phải trải qua các giai đoạn sau :
- Ở trạng thái tắt
- Chuyển từ trạng thái tắt sang trạng thái dẫn
- Ở trạng thái dẫn
- Chuyển từ trạng thái dẫn sang trạng thái tắt
Ở mỗi giai đoạn, phần tử logic đều tiêu thụ ở một nguồn công suất.
a. Đối với các phần tử logic họ TTL : tiêu thụ công suất của nguồn chủ yếu khi ở
trạng thái tĩnh (đang dẫn hoặc đang tắt).
- Nếu gọi Po là công suất tiêu thụ ứng với đầu ra cảu phần tử logic tồn tại ở mức
logic 0.
- Nếu gọi P1 là công suất tiêu thụ ứng với đầu ra của phân tử logic tồn tại ở mức 1
- Gọi P là công suất tiêu tán trung bình thì
P 0 + P1
P=
2
Đối với cả IC người ta tính như sau:
- Gọi ICL dòng do nguồn cung cấp khi đầu ra ở mức logic 0.
- Gọi ICH dòng do nguồn cung cấp khi đầu ra ở mức logic 1.
I CL + I CH
- Gọi IC là dòng trung bình thì : I C =
2
Vậy, ta có công suất tiêu tán cho cả IC là: Ptt = I C .VCC
128
b. Đối với họ CMOS: chỉ tiêu thụ công suất chủ yếu trong trạng thái động (trong
thời gian chuyển mạch).
Công suất tiêu tán : Ptt = C L . f .VDD , CL : điện dung tải
2
Tần số hoạt động (tàn số chuyển mạch) càng lớn công suất tiêu tán càng tăng.
3.2.4. Fanout
Là hệ số mắc mạch ở đầu ra hay còn gọi là khả năng tải của một phần tử
logic.
Gọi N là Fanout của một phần tử logic, thì nó được định nghĩa như sau: Sốđầu
vào logic cực đại được nối đến một đầu ra của phần tử logic cùng họ mà mạch vẫn
hoạt động bình thường (hình 3.41)
129
Trễ truyền đạt là tiêu chuẩn để đánh giá tốc độ làm việc của mạch. Tốc độ làm việc
của mạch tương ứng với tần số mà mạch vẫn còn hoạt động đúng. Như vậy, trễ
truyền đạt càng nhỏ càng tốt hay tốc độ làm việc càng lớn càng tốt.
Đối với hầu hết các vi mạch số hiện nay, trễ truyền đạt là rất nhỏ, cỡ vài
nano giây (ns). Một vài mạch logic có thời gian trễ lớn cỡ vài trăm nano giây.
Khi mắc liên tiếp nhiều mạch thì trễ truyền đạt của toàn mạch sẽ bằng tổng
các trễ truyền đạt của mỗi tầng.
0 ⇒Q =1
130
- S = 1, R = 0 ⇒ Q = 0 , hồi tiếp về cổng NOR 1 nên cổng NOR 1 có hai đầu vào
bằng 0 ⇒ Q = 1
Giả sử ban đầu : S = 0, R = 1 ⇒ Q = 0 và Q = 1
Nếu tín hiệu đầu vào thay đổi thành: S = 0, R = 0, Ta có:
+ S = 0 và Q = 0 ⇒ Q = 1
+ R = 0 và Q = 1 ⇒ Q = 0 ⇒ RSFF giữ nguyên trạng thái cũ
Ta có :
- S = 0 , R = 1 ⇒ Q = 1 hồi tiếp về cổng NAND 2 nên cổng NAND 2 có hai đầu vào
bằng 1 vậy Q = 0
- S = 0 , R = 1 ⇒Q = 1 hồi tiếp về cổng NAND 1 nên cổng NAND 1 có hai đầu vào
bằng 1 vậy Q = 0
- S = R = 0 ⇒ Q = Q = 1 đây là trạng thái cấm
- S = R = 1 : Giả sử trạng thái trước đó có Q = 1, Q = 0 ⇒ hồi tiếp về cổng NAND 1
nên cổng NAND 1 có một đầu vào bằng 0 vậy Q = 1 ⇒RSFF giữ nguyên trạng thái
cũ.
131
Như vậy, gọi là FF không đồng bộ bởi vì chỉ cần một trong hai trạng thái đầu
vào S hay R thay đổi thì đầu ra cũng thay đổi theo. Về mặt ký hiệu, các RSFF không
đồng bộ được ký hiệu như sau:
Trong đó: Ck là tín hiệu điều khiển đồng bộ hay tín hiệu đồng hồ. Hoạt động của
mạch:
- Ck = 0: cổng NAND 3,4 khoá không cho dữ liệu đưa vào. Vì cổng NAND 3,4 đều có
ít nhất một đầu vào Ck = 0 ⇒ S = R = 1 ⇒ Q = Q0 (FF giữ nguyên trạng thái cũ).
- Ck = 1: Cổng NAND 3,4 mở. Đầu ra Q sẽ thay đổi tuỳ thuộc vào trạng thái của R, S.
+ S = 0, R = 0⇒ S = R = 1 ⇒ Q = Q0 (FF giữ nguyên trạng thái cũ)
+ S = 0, R = 1 ⇒ S = 1 , R = 0 ⇒Q = 0
132
+ S = 1, R = 0 ⇒ S = 0 , R = 1 ⇒Q = 1
+ S = R = 1⇒ S = R = 0 ⇒ Q = X (trạng thái cấm)
Trong trường hợp này Ck tác động mức 1. Trong trường hợp Ck tác động mức
0 thì ta mắc thêm cổng đảo như sau (hình 3.46)
Như vậy, thuỳ thuộc vào mức tích cực của tín hiệu đồng hồ, chúng ta có các
loại tín hiệu điều khiển:
- Ck điều khiển theo mức 1
- Ck điều khiển theo mức 0
- Ck điều khiển theo sườn lên (sườn trước)
- Ck điều khiển theo sườn xuống
133
Hình 3.48. Sơ đồ khối FF tác động theo sườn và dạng sóng
Xét FF có điều khiển theo sườn xuống
Mạch tạo sườn xuống là mạch cải tiến tác động mức 0. Sơ đồ mạch và dạng
sóng như hình 3.49.
Hình 3.50
134
Đối với các FF đồng bộ, các đầu ra chỉ thay đổi trạng thái theo đầu vào DATA
khi xung Ck tồn tại mức 1 (đối với các FF tác độgn mức 1), hoặc xung Ck tồn tại
mức 0, hoặc xung Ck sườn lên, xung Ck sườn xuống, còn tất cả các trường hợp khác
của Ck thì đầu ra không thay đổi trạng thái theo các đầu vào mặc dù lúc đó các đầu
vào có thay đổi trạng thái.
Phương pháp điều khiển theo chủ tớ (Master – Slaver):
Đối với phương pháp này khi xung Ck tồn tại mức 1dữ liệu sẽ được nhập vào
FF, còn khi Ck tồn tại mức logic 0 thì dữ liệu chứa trong FF được xuất ra ngoài.
Về mặt cấu tạo bên trong gồm 2 FF: một FF thực hiện chức năng chủ và một
FF thực hiện chức năng tớ. Hoạt động:
- Ck = 1: FF2 mở, dữ liệu được nhập vào FF2. Qua cổng đảo Ck = 0 ⇒ FF1 khoá nên
giữ nguyên trạng thái cũ.
- Ck = 0: FF2 khoá nên giữ nguyên trạng thái cũ.Qua cổng đảo Ck = 1 ⇒ FF1 mở dữ
liệu chứa trong FF được xuất ra ngoài.
135
- Q, Q : các đầu ra
- Ck: tín hiệu xung đồng hồ
Gọi S n và R n là trạng thái của đầu vào DATA ở xung Ck thứ n.
Gọi Q n , Q n +1 là trạng thái của đầu ra Q ở xung Ck thứ n và thứ n+1
Lúc đó ta có bảng trạng thái mô tả hoạt động như sau:
Chúng ta lưu ý rằng trạng thía khi cả hai đầu vào S = R = 1 lúc đó cả hai đầu
ra có cùng mức logic, đây là trạng thái cấm của RSFF.
Tiếp theo ta sẽ đi xây dựng bảng đầu vào kích gồm 2 phần, phần bên trái liệt
kê ra các yêu cầu cần chuyển đổi của FF, và phần bên phải là các điều kiện tín hiệu
đầu vào kích cần đảm bảo để đạt được các sự chuyển đổi ấy. Nếu các điều kiện
đầu vào được đảm bảo thì FF sẽ chuyển đổi theo đúng yêu cầu. Thực chất bảng đầu
vào kích của FF là sự khai triển bảng trạng thái của FF. Ta viết lại như sau:
Trong bảng này, tín hiệu đầu ra ở trạng thái tiếp theo Qn+1 sẽ phụ thuộc vào
tín hiệu các đầu vào dữ liệu S, R và tín hiệu đầu ra ở trạng thái hiện tại Qn.
Từ bảng trên ta có bảng đầu vào kích như sau:
136
Cũng từ bảng trạng thái khai triển ta có thể tìm được phương trình logic của RSFF
bằng cách lập bảng Karnaugh như sau:
Vì điều kiện của RSFF là S.R = 0 nên ta có phương trình logic của RSFF được viết
đầy đủ như sau:
Dạng sóng minh hoạ hoạt động của RSFF trên hình 3.53:
137
Hình 3.54. Ký hiệu TFF và bảng trạng thái hoạt động
Trong đó:
- T: đầu vào dữ liệu
- Q, Q : các đầu ra
- Ck : tín hiệu xung đồng hồ
Gọi Tn là trạng thía của đầu vào dữ liệu T ở xung Ck thứ n.
Gọi Q n , Q n +1 là trạng thái của đầu ra ở xung Ck thứ n và n+1
Lúc đó ta có bảng trạng thái hoạt động khai triển của TFF. Từ bảng này ta có
nhận xét :
- Khi T = 0 : mỗi khi có xung Ck tác động đầu ra Q duy trì trạng thái cũ trước đó.
- Khi T = 1 : mỗi khi có xung Ck tác động đầu ra Q đảo trạng thái
Từ bảng trạng thái khai triển của TFF ta tìm được bảng đầu vào kích:
138
Trên hình 3.55 minh hoạ đồ thị thời gian dạng sóng của TFF.
- Tín hiệu đầu ra Q đầu tiên luôn luôn ở mức logic 0
- Tín hiệu Ck(1) điều khiển theo sườn xuống nhìn tín hiệu T dưới mức logic 1. Theo
bảng trạng thái: T0 = 1 và Q 0 = 0 ⇒ Q1 = Q 0 = 1
- Tín hiệu Ck(2) điều khiển theo sườn xuống nhìn tín hiệu T dưới mức logic 0. Theo
bảng trạng thái: T1 = 0 và Q 1 = 1 ⇒ Q 2 = Q1 = 1 giữ nguyên trạng thái trước đó.
- Tín hiệu Ck(3) điều khiển theo sườn xuống nhìn tín hiệu T dưới mức logic 1. Theo
bảng trạng thái: T2 = 1 và Q 2 = 1 ⇒ Q 3 = Q 2 = 0
Hình 3.55
Trường hợp đầu vào T luôn bằng 1 (luôn luôn ở mức logic 1):
139
Khi T = 1 thì dạng sóng đầu ra Q được cho trên hình vẽ. Ta có nhận xét rằng chu kỳ
của đầu ra Q bằng 2 lần chu kỳ tín hiệu xung Ck nên tần số của đầu ra là:
Vậy, khi T = 1 thì TFF giữ vai trò mạhc chia tần số xung vào Ck.
Tổng quát: Ghép nối tiếp nTFF với nhau sao cho đầu ra của TFF trước nối với đầu
vào của TFF đứng sau (Cki+1 nối với Qi) và lúc bấy giờ tất cả các đầu vào dữ liệu T ở
tất cả các TFF đều giữ mức logic 1, lúc đó tín hiệu đầu ra sẽ là:
Khai triển bảng này để tìm bảng đầu vào kích của DFF:
140
Bảng đầu vào kích của DFF:
Trên hình 3.57 là đồ thị thời gian dạng sóng của DFF:
Giải thích:
- Tín hiệu ra Q đầu tiên luôn ở mức logic 0, Q 0 = 0
- Tín hiệu Ck(1) điều khiển theo sườn xuống nhìn tín hiệu D dưới mức logic 1. Theo
bảng trạng thái: D0 = 1 và Q 1 = 1
- Tín hiệu Ck(2) điều khiển theo sườn xuống nhìn tín hiệu D dưới mức logic 0. Theo
bảng trạng thái: D1 = 0 và Q 2 = 0 giữ nguyên trạng thái trước đó.
v.v..
Ứng dụng của DFF:
- Dùng để chia tần số
- Dùng để lưu trữ dữ liệu để chế tạo các bộ nhớ và thanh ghi
141
- Dùng để chốt dữ liệu
d. JK FF
Đó là FF có đầu vào và đầu ra ký hiệu như hình vẽ;
Trong đó:
- J, K là các đầu vào dữ liệu
- Q, Q là các đầu ra
Hình 3.57: JK FF
Gọi Jn, Kn là trạng thía đầu vào dữ liệu của J, K ở xung Ck thứ n .
Gọi Q n , Q n +1 là trạng thái của đầu ra ở xung Ck thứ n và n+1. Lúc đó ta có bảng
trạng thái mô tả hoạt động của JK FF.
Từ bảng trạng thái ⇒ JK FF khắc phục được trạng thái cấm của RSFF. Để tìm bảng
đầu vào kích ta triển khai bảng trạng thái:
142
Từ bảng khai triển trên ta xây dựng được bảng đầu vào kích cho JK FF như sau:
143
Hình 3.59: Dùng JKFF thực hiện chức năng của DFF, TFF, RSFF
Trên cơ sở khảo sát về 4 loại FF phân chia theo chức năng, chúng ta có thể xây dựng
một bảng đầu vào kích tổng hợp cho cả 4 loại FF như sau:
144
3.3.3 Sự chuyển đổi lẫn nhau giữa các loại FF
Đa số FF trên thị trường là loại JK, D trong khi kỹ thuật số yêu cầu tất cả các
loại FF. Nếu biết cách chuyển đổi giữa cá loại FF với nhau thì có thể phát huy tác
dụng của các loại FF sẵn có.
Trên thực tế, có thể chuyển đổi qua lại giữa các loại FF khác nhau. Có 2
phương pháp: Phương pháp biến đổi trực tiếp và phương pháp dùng bảng đầu vào
kích và bảng Karnaugh.
a. Phương pháp biến đổi trực tiếp
Đây là phương pháp sử dụng các định lý, tiên đề của đại số Boole để tìm
phương trình logic tín hiệu kích thích đối với FF xuất phát. Sơ đồ khối thực hiện
phương pháp này như sau (hình 3.60):
Hình 3.60
TFF chuyển đổi thành DFF, RSFF, JKFF:
- TFF → RSFF
145
Hình 3.61: Chuyển đổi TFF thành RSFF
- TFF → DFF
DFF có phương trình logic: Q n +1 = D n
TFF có phương trình logic: Q n +1 = T n ⊕ Q n
Đồng nhất 2 phương trình: D n = T n ⊕ Q n
Theo tính chất của phép XOR ta suy ra: T n = D n ⊕ Q n
Sơ đồ mạch thực hiện:
146
- DFF →TFF:
DFF có phương trình logic: Q n +1 = D n
TFF có phương trình logic: Q n +1 = T n ⊕ Q n
Đồng nhất 2 phương trình: D n = T n ⊕ Q n
Sơ đồ mạch thực hiện:
147
Hình 3.66: Chuyển đổi DFF thành JKFF
RSFF chuyển đổi thành TFF, DFF, JKFF:
RSFF có phương trình:
Khi thực hiện chuyển đổi từ RSFF sang các FF khác cần kiểm tra điều kiện ràng
buộc của RSFF đó là R n .S n = 0
- RSFF → TFF
TFF có phương trình logic:
Nên không thoả mãn điều kiện của RSFF. Thực hiện biến đổi tiếp:
148
- RSFF → DFF
Mặt khác biểu thức của RSFF có thể biến đổi như sau:
Hình 3.68
- RSFF → JKFF
Đồng nhất 2 phương trình logic của RSFF và JKFF ta có:
So sánh ta có:
149
thoả mãn điều kiện của RSFF. Sơ đồ thực hiện hình 3.69.
Hình 3.69
JKFF chuyển đổi thành TFF, DFF, RSFF:
Như đã trình bày ở trên, JKFF là một FF vạn năng, có thể dùng JKFF để thay
thế cho RSFF hoặc dùng JKFF thực hiện chức năng DFF, TFF. Sơ đồ thực hiện các
mạch này như ở hình 3.70. Phần này tập trung chứng minh các biểu thức logic
chuyển đổi từ JKFF sang các FF khác.
JKFF có phương trình logic:
- JKFF → TFF:
TFF có phương trình logic:
So sánh với phương trình của JKFF ta suy ra logic chuyển đổi:
- JKFF → DFF:
DFF có phương trình logic:
So sánh với phương trình của JKFF ta suy ra logic chuyển đổi:
- JKFF → RSFF:
150
Đối với RSFF có phương trình logic đã tìm được ở công thức (b)
So sánh với phương trình của JKFF ta suy ra logic chuyển đổi:
151
- Chuyển đổi từ DFF → RSFF: D = f(S, R, Qn)
- Chuyển đổi từ DFF → JKFF: D= f(J, K, Qn)
Ví dụ 1: Chuyển đổi từ JKFF → DFF dùng phương pháp bảng
Ta có các hàm cần tìm:
Dựa vào bảng đầu vào kích tổng hợp ta lập bảng Karnaugh:
Dựa vào bảng đầu vào kích tổng hợp ta lập bảng Karnaugh:
152
CHƯƠNG IV
HỆ TỔ HỢP
4.1 Khái niệm chung
Các phần tử logic AND, OR, NOR, NAND là các phần tử logic cơ bản còn
được gọi là hệ tổ hợp đơn giản. Như vậy, ta có các hệ tổ hợp mà đầu ra là cá hàm
logic theo đầu vào, điều này có nghĩa là khi một trong các đầu vào thay đổi trạng thái
thì lập tức làm cho đầu ra thay đổi trạng thái ngay (bỏ qua thời gian trễ của các phần
tử logic).
Xét một hệ tổ hợp có n đầu vào và có m đầu ra (hình 4.1), ta có:
( ) ( )
Như vậy, sự thay đổi cảu đầu ra y j j = 1, m theo các biến vào xi i = 1, m là tuỳ
thuộc vào bảng trạng thái mô tả hoạt động của hệ tổ hợp. Đặc điểm cơ bản của hệ
tổ hợp là tín hiệu ra tại mỗi thời điểm chỉ phụ thuộc vào giá trị các tín hiệu vào ở
thời điểm đó.
Trình tự để thiết kế hệ tổ hợp theo các bước sau:
- Từ yêu cầu thực tế ta lập bảng trạng thái mô tả hoạt động của mạch
- Dùng các phương pháp tối thiểu để tối thiểu hoá các hàm logic
- Thành lập sơ đồ logic
- Thành lập sơ đồ hệ tổ hợp
Một số mạch tổ hợp cụ thể:
+ Mạch mã hoá và giải mã
+ Mạch chọn kênh – phân đường
+ Mạch so sánh
+ Mạch kiểm tra chẵn, lẻ …
153
4.2. Mạch mã hoá và giải mã
Trong đó:
- X0,…X7 là các đầu vào tín hiệu
- A, B, C là các đầu ra
Mạch mã hoá nhị phân thực hiện biến đổi tín hiệu đầu vào thành một từ mã
nhị phân tương ứng ở đầu ra, cụ thể như sau :
0 →000
1 →001………7 → 111
Chọn mức tác động (tích cực) ở đầu vào là mức logic 1, ta có bảng trạng thái
như sau :
154
Giải thích: Khi một đầu vào ở trạng thái tích cực và các đầu vào còn lại không được
tích cực (mức logic 0) thì đầu ra xuất hiện từ mã tương ứng. Cụ thể là: khi đầu vào
x0 = 1 và các đầu vào còn lại bằng 0 thì từ mã ở đầu ra là 000, khi đầu vào x1 = 1 và
các đầu vào còn lại bằng 0 thì từ mã ở đầu ra là 001, …
Phương trình logic tối giản:
155
Nên chúng ta chọn mức tác động tích cực ở đầu vào là mức logic 0, bảng trạng
thái mô tả hoạt động của mạch lúc này như sau:
156
Bảng trạng thái mô tả hoạt động:
157
4.2.2.3. Mạch mã hoá ưu tiên
Trong mạch mã hoá đã xét ở trên, tín hiệu đầu vào tồn tại độc lập tức là không
có tình huống có 2 tín hiệu trở lên đồng thời tác động ở mức logic 1 (nếu chọn mức
tích cực ở đầu vào là 1), do đó cần phải đặt ra vấn đề ưu tiên.
Vấn đề ưu tiên: Khi có nhiều tín hiệu đồng thời tác động, tín hiệu nào có mức
ưu tiên cao hơn ở thời điểm đang xét sẽ tác động, tức là nếu đầu vào có độ ưu tiên
cao hơn bằng 1 trong khi những đầu vào có độ ưu tiên thấp hơn nếu bằng 1 thì mạch
sẽ tạo ra từ mã nhị phân ứng với đầu vào có độ ưu tiên cao nhất.
Xét mạch mã hoá ưu tiên 4 → 2 (4 đầu vào, 2 đầu ra) hình 4.9:
158
Sơ đồ logic
159
Biểu diễn bằng cổng logic dùng Diode:
Trường hợp chọn mức tích cực ở đầu ra là mức 0 (hình 4.14):
160
Sơ đồ logic:
Sơ đồ khối:
161
Chọn mức tích cực ở đầu ra là mức logic 1, lúc đó bảng trạng thái hoạt động
như mạch sau:
Sơ đồ thực hiện mạch giải mã đèn NIXIEX được cho trên hình 4.18, 4.19
162
b. Giải mã đèn LED 7 đoạn
Đèn LED 7 đoạn, mỗi đoạn là một đèn LED. Tuỳ theo cách nối các Kathode
hoặc các Anode của các LED trong đèn mà người ta phân thành 2 loại:
- LED 7 đoạn anode chung
163
Ứng với mỗi loại LED khác nhau ta có một mạch giải mã riêng. Sơ đồ khối của
mạch giải mã LED 7 đoạn như sau:
Dùng bảng Karnaugh để tối thiểu hoá mạch trên. Phương trình tối thiểu hoá
có thể viết ở dạng chính tắc 1 hoặc chính tắc 2.
164
165
Xét mạch giải mã đèn led 7 đoạn kathode chung:
Chọn mức tích cực ử đầu ra là mức 1. Vì kathode của các đoạn led được nối
chung và được nối xuống mức 0 nên muốn đoạn led nào tắt ta đưa anode tương ứng
xuống mức 0.
Ví dụ: để hiển thị số 0 ta nối anode của đèn g lên mức logic o để đèn g tắt, và nối các
kathode của đèn a,b,d,e,f được nối lên nguồn nên các đoạn này sẽ sáng nên ta thấy số
0. Lúc đó bảng trạng thái mô tả hoạt động như sau:
Tương tự như trường hợp trên, ta cũng dùng bảng Karnaugh để tối thiểu hoá
và đi tìm phương trình logic tối giản cho các đầu ra của đoạn led.
166
167
4.3 MẠCH CHỌN KÊNH – PHÂN ĐƯỜNG
Xét mạch chọn kênh đơn giản có 4 đầu vào và một đầu ra như hình 4.23a;
Trong đó:
- x1, x2, x4: các kênh dữ liệu vào
- Đầu ra y: đường truyền chung
- c1, c2: các đầu vào điều khiển
Vậy mạch này giống như 1 chuyển mạch:
168
Để thay đổi lần lượt từ x1 → x4 phải có điều khiển do đó đối với mạch chọn
kênh đê chọn lần lượt từ 1 trong 4 kênh vào cần có các đầu vào điều khiển c1, c2 .
Nếu có N kênh vào thì cần có n đầu vào điều khiển thoả mãn quan hệ:
N = 2n. Nói cách khác: Số tổ hợp đầu vào điều khiển bằng số lượng các kênh vào.
Việc chọn dữ liệu từ 1 trong 4 đầu vào để đưa đến đường truyền chung là tuỳ
thuộc vào tổ hợp tín hiệu điều khiển tác động đến hai đầu vào điều khiển c1, c2.
Vậy tín hiệu điều khiển phải liên tục để dữ liệu từ các kênh được liên tục
đưa đến đầu ra. Từ đó ta lập được bảng trạng thái mô tả hoạt động của mạch chọn
kênh.
169
Giải thích hoạt động của mạch:
+ c1 = c 2 = 0 ⇒ c1 = c 2 = 1 ⇒ cổng NAND 1 có 2 đầu vào điều khiển ở mức logic 1,
cũng tương ứng với 1 đầu vào điều khiển ở mức logic 1 nên cổng NAND 1 mở cho
dữ liệu x1 đưa vào.
+ c1 = 0, c 2 = 1 ⇒ c1 = 1, c2 = 0 ⇒ cổng NAND 2 có 2 đầu vào điều khiển ở mức logic 1,
cũng tương ứng với 1 đầu vào điều khiển ở mức logic 1 nên cổng NAND 2 mở cho
dữ liệu x2 đưa vào.
+ c1 = 1, c 2 = 0 ⇒ c1 = 1, c 2 = 1 ⇒ cổng NAND 3 có 2 đầu vào điều khiển ở mức logic 1,
cũng tương ứng với 1 đầu vào điều khiển ở mức logic 1 nên cổng NAND 3 mở cho
dữ liệu x3 đưa vào.
+ c1 = 1, c 2 = 1 ⇒ c1 = c 2 = 1 ⇒ cổng NAND 4 có 2 đầu vào điều khiển ở mức logic 1,
cũng tương ứng với 1 đầu vào điều khiển ở mức logic 1 nên cổng NAND 4 mở cho
dữ liệu x4 đưa vào.
Bây giờ, xét mạch chọn kênh có 4 đầu vào và 1 đầu ra, nhưng ngược lại
có 4 đầu điều khiển. Lúc này, ta không dựa vào tổ hợp tín hiệu tác động lên đầu vào
điều khiển, mà chỉ xét đến mức tích cực ở đầu vào điều khiển. Ta sẽ chọn một trong
2 mức logic 1 hoặc 0 làm mức tích cực, nếu 1 đầu vào trong số 4 đầu vào điều khiển
170
tồn tại mức logic tích cực thì kênh dữ liệu vào có cùng chỉ số với đầu vào điều khiển
đó sẽ được kết nối với đầu ra. Trên hình 4.25 biểu diễn mạch chọn kênh với số
lượng đầu vào điều khiển bằng số lượng kênh vào.
Nếu chọn mức tích cực của các đầu vào điều khiển là mức logic 1, ta có bảng
trạng thái mô tả hoạt động của mạch như sau:
Trong đó:
- x là kênh dữ liệu vào
171
- y1 , y 2 , y 3 , y 4 các đầu ra dữ liệu
Ta có thể thấy mạch này thực hiện chức năng như 1 chuyển mạch (hình 4.26). Tuỳ
thuộc vào tổ hợp tín hiệu điều khiển tác dụng vào mạch mà lần lượt tín hiệu từ đầu
vào x sẽ chuyển đến đầu ra y1 , y 2 , y3 , y 4 một cách tương ứng. Lúc đó bảng trạng thái
như sau:
Giải thích:
172
+ c1 = c 2 = 0 ⇒ c1 = c 2 = 1 ⇒ cổng NAND 1 có 2 đầu vào điều khiển ở mức logic 1,
cũng tương ứng với 1 đầu vào điều khiển ở mức logic 1 nên cổng NAND 1 mở cho
dữ liệu từ đầu vào x đến đầu ra y1. Đồng thời lúc đó các cổng AND 2,3,4 có ít nhất
một đầu vào điều khiển ở mức logic 0 nên không cho dữ liệu từ đầu vào x đến các
đầu ra.
+ c1 = 0, c 2 = 1 ⇒ c1 = 1, c 2 = 1 ⇒ cổng NAND 2 có 2 đầu vào điều khiển ở mức logic 1,
cũng tương ứng với 1 đầu vào điều khiển ở mức logic 1 nên cổng NAND 2 mở cho
dữ liệu từ đầu vào x đến đầu ra y2.
+ c1 = 1, c 2 = 0 ⇒ c1 = 1, c 2 = 1 ⇒ cổng NAND 3 có 2 đầu vào điều khiển ở mức logic 1,
cũng tương ứng với 1 đầu vào điều khiển ở mức logic 1 nên cổng NAND 3 mở cho
dữ liệu từ đầu vào x đến đầu ra y3
+ c1 = 1, c 2 = 1 ⇒ c1 = c 2 = 1 ⇒ cổng NAND 4 có 2 đầu vào điều khiển ở mức logic 1,
cũng tương ứng với 1 đầu vào điều khiển ở mức logic 1 nên cổng NAND 4 mở cho
dữ liệu từ đầu vào x đến đầu ra y4.
Nếu x = 1 và hoán đổi đầu vào điều khiển thành đầu vào dữ liệu thì mạch phân kênh
chuyển thnàh mạch giải mã nhị phân. Vì vậy, nhà sản xuất đã chế tạo IC đảm bảo
cả hai chức năng: giải mã và giải đa hợp. Ví dụ: IC 74138, 74139, 74154: giải mã và
phân kênh tuỳ thuộc vào cách nối chân.
Trong trường hợp tổng quát, mạch phân kênh có 1 đầu vào và 2n đầu ra:
để tách 2n nguồn dữ liệu khác nhau cần có n đầu vào điều khiển, lúc đó số tổ hợp
đàu vào điều khiển bằng số lượng đầu ra.
Tuy nhiên trong thực tế, ta còn gặp mạch phân kênh có số lượng đầu vào điều
khiển bằng số đầu ra (hình 4.28). Lúc đó chỉ xét đến mức tích cực ở đầu vào điều
khiển, người ta chọn một trong hai mức logic 1 hoặc 0 làm mức tích cực. Giả sử
chọn mức 1: nếu 1 đầu vào trong số 4 đầu vào điều khiển tồn tại mức logic 1 thì đầu
ra dữ liệu tương ứng có cùng chỉ số với đầu vào điều khiển nó sẽ được nối với đầu
vào dữ liệu chung x.
Ví dụ:
173
Lúc đó bảng trạng thái hoạt động của mạch như sau:
174
4.4 MẠCH SO SÁNH
Về phương diện mạch điện, mạch so sánh 1 bit có 2 đầu vào và 3 đầu ra. Các
đầu vào a, b là các bit cần so sánh; các đầu ra thể hiện kết quả so sánh: y1 (a<b), y2 (a
= b) và y3 (a>b). Sơ đồ khối mạch so sánh trên hình 4.30.
175
Chọn mức tích cực ở đầu ra là mức logic 1. Ta lập được bảng trạng thái mô
tả hoạt động của mạch.
Từ bảng trạng thái, ta có phương trình logic:
176
4.4.3. Mạch so sánh nhiều bit
Mạch có 8 đầu vào và 3 đầu ra, thực hiện so sánh hai số nhị phân 4 bit
A(a3a2a1a0) và B(b3b2b1b0). Có hai phương pháp thực hiện mạch so sánh nhiều bit:
- Thực hiện trực tiếp
- Thực hiện mạch so sánh nhiều bit trên cơ sở mạch so sánh 1 bit.
4.4.3.1. Phương pháp trực tiếp
Ta có bảng trạng thái mô tả hoạt động của mạch.
177
Hình 4.33: Thực hiện so sánh nhiều bit trực tiếp
4.4.3.2. Phương pháp xây dựng trên cơ sở mạch so sánh 1 bit
Để mạch so sánh hai số nhị phân 1 bit có thể thực hiện công việc xây dựng
mạch so sánh hai số nhị phân nhiều bit ta cải tiến lại mạch so sánh 1 bit như sau:
ngoài các đầu vào và đầu ra giống như mạch so sánh 1 bit ta đã khảo sát ở trên, còn
có các đầu vào điều khiển a<b, a>b, a = b, với sơ đồ mạch như sau:
178
Bảng trạng thái mô tả hoạt động của mạch so sánh nhị phân 1 bit đầy đủ như sau:
Dựa vào vi mạch so sánh đầy đủ này, người ta thực hiện mạch so sánh hai số
nhị phân 4 bit bằng cách sử dụng các vi mạch so sánh 1 bit đầy đủ này giữa a3 với b3,
a2 với b2, a1 với b1, a0 với b0 với cách nối theo sơ đồ hình 4.35.
Lưu ý: Trên hình 4.35 mạch có 3 đầu vào điều khiển (A>B), (A<B), (A=B) nên
để mạch làm việc được thì bắt buộc cho đầu vào điều khiển (A=B)=1.
179
4.5. MẠCH SỐ HỌC
180
Trong đó a, b là số cộng, s là tổng, c là số nhớ.
Bảng trạng thái mô tả hoạt động của mạch và phương trình logic :
Mạch cộng này chỉ cho phép cộng hai số nhị phân 1 bit mà không thực hiện
cộng hai số nhị phân nhiều bit.
181
Trong đó:
- Cn-1: Số nhớ của lần cộng trước đó
- Cn: Số nhớ của lần cộng hiện tại
- Sn: Tổng hiện tại
Từ bảng trạng thái mô tả hoạt động của mạch ta viết được phương trình logic:
182
Hoặc sử dụng HA để thực hiện FA:
Mạch này chỉ cho phép trừ hai số nhị phân 1 bit mà không thực hiện việc trừ
hai số nhị phân nhiều bit.
183
4.5.3.2. Bộ trừ toàn phần (FS – Full subtractor)
Mạch có sơ đồ khối và bảng trạng thái mô tả hoạt động như sau:
Trong đó: Bn-1: Số mượn của lần trừ trước đó
Bn: Số mượn của lần trừ hiện tại
Dn: Hiệu số hiện tại
Có hai cách thực hiện bộ trừ toàn phần theo biểu thức logic đã tìm được: hoặc
thực hiện trực tiếp (hình 4.44) hoặc sử dụng HS để thực hiện FS (hình 4.45).
184
Từ bộ cộng toàn phần, ta xây dựng mạch cộng hai số nhị phân nhiều bit bằng
hai phương pháp: Nối tiếp và Song song.
Phương pháp nối tiếp:
185
Thanh ghi A chứa số A: a3, a2, a1, a0
Thanh ghi B chứa số B: b3, b2, b1, b0
Thanh ghi S chứa số S: s3, s2, s1, s0
Nhược điểm của phương pháp này là thời gian thực hiện lâu.
Phương pháp song song:
Để khắc phục nhược điểm đó, người ta dùng phương pháp cộng song song.
Do tín hiệu điều khiển Ck (điều khiển cộng) đồng thời nên thời gian thực hiện
phép cộng nhanh hơn phương pháp nối tiếp, song do số nhớ vẫn phải chuyển nối
tiếp nên sẽ ảnh hưởng tốc độ xử lý. Vì vậy người ta cải tiến mạch trên thành mạch
cộng song song với số nhớ nhìn thấy trước (mạch cộng nhớ nhanh)
Bằng cách dựa vào sự phân tích mạch cộng toàn phần như sau:
Ta có:
Suy ra:
Trong đó
Khi n = 0:
Khi n = 1:
186
Khi n = 2:
Khi n = 3:
Đây chính là cơ sở tính toán để tạo ra số nhớ c1, c2 , c3 tuỳ thuộc an, bn nên lúc
đó sẽ tìm được Sn. Trên thực tế người ta đã chế tạo ra các vi mạch cộng nhớ nhanh,
ví dụ IC 7483.
187
CHƯƠNG V
HỆ TUẦN TỰ
5.1. KHÁI NIỆM CHUNG
Mạch số được chia làm 2 loại chính: Hệ tổ hợp và hệ tuần tự.
Đổi với hệ tổ hợp: tín hiệu đầu ra ở trạng thái kế tiếp chỉ phụ thuộc vào trạng thái
hiện tại của đầu vào, mà không quan tâm trạng thái hiện tại của đầu ra. Như vậy,
khi các đầu vào thay đổi trạng thái thì lập tức đầu ra cũng thay đổi trạng thái.
Đối với hệ tuần tự: Các đầu ra ở trạng thái kế tiếp vừa phụ thuộc vào trạng
thái hiện tại của đầu vào, đồng thời còn phụ thuộc trạng thái hiện tại của đầu ra.
Do đó, vấn đề thiết kế hệ tuần tự sẽ khác so với hệ tổ hợp và cơ sở của thiết
kế hệ tuần tự là dựa trên các FF. Mặt khác, đối với hệ tuần tự, khi các đầu vào thay
đổi trạng thái thì các đầu ra không thay đổi trạng thái ngay mà chờ cho đến khi có
một xung điều khiển thì lúc đó các đầu ra mới thay đổi trạng thái theo các đầu vào.
Như vậy, hệ tuần tự còn có tính đồng bộ và tính nhớ nên hệ tuần tự là cơ sở để thiết
kế các bộ nhớ.
188
bởi cạnh xuống của xung CK (Thật ra, kết quả thiết kế không phụ thuộc vào chiều
tác động của xung CK, tuy nhiên điều này phải được thể hiện trên mạch nên ta cũng
cần lưu ý). Với 4 FF mạch đếm được 24=16 trạng thái và số đếm được từ 0 đến 15.
Ta có bảng trạng thái:
Nhận thấy:
- FF A đổi trạng thái sau từng xung CK, vậy: TA = JA = KA = 1
- FF B đổi trạng thái nếu trước đó QA = 1, vậy TB = JB = KB = QA
- FF C đổi trạng thái nếu trước đó QA = QB = 1, vậy: TC = JC = KC = QA.QB
- FF D đổi trạng thái nếu trước đó QA=QB=QC=1, vậy:
TD = JD = KD = QA.QB.QC = TC.QC
Ta được kết quả ở (hình 5.1)
189
Hình 5.1
5.2.1.2 Mạch đếm đồng bộ n tầng, đếm xuống
Bảng trạng thái:
Nhận thấy:
- FF A đổi trạng thái sau từng xung CK, vậy: TA = JA = KA = 1
- FF B đổi trạng thái nếu trước đó QA = 0, vậy: TB = JB = KB = QA
- FF C đổi trạng thái nếu trước đó QA=QB=0, vậy: TC = JC = KC = QA . QB
- FF D đổi trạng thái nếu trước đó QA = QB = QC= 0, vậy:
TD = JD = KD = QA . QB . QC = TC. QC
190
Ta được kết quả ở (Hình 5.2)
Hình 5.2
5.2.1.3 Mạch đếm đồng bộ n tầng, đếm lên/ xuống
Để có mạch đếm n tầng, đếm lên hoặc xuống ta dùng một đa hợp 2→1 có
đầu vào điều khiển C để chọn Q hoặc Q đưa vào tầng sau qua các cổng AND.
Trong mạch (Hình 5.3) dưới đây khi C=1 mạch đếm lên và khi C=0 mạch đếm
xuống.
Hình 5.3
5.2.1.4 Tần số hoạt động lớn nhất của mạch đếm đồng bộ n tầng:
Trong mạch (Hình 5.4) ta cần 2 cổng AND. Trong trường hợp tổng quát cho n
tầng, số cổng AND là (n-2) như vậy thời gian tối thiểu để tín hiệu truyền qua mạch
là:
191
Để gia tăng tần số làm việc của mạch, thay vì dùng các cổng AND 2 đầu vào
ta phải dùng cổng AND nhiều đầu vào và mắc theo kiểu:
Như vậy tần số làm việc không phụ thuộc vào n và bằng:
192
Dùng Bảng Karnaugh ta suy ra được biểu thức của H:
Để thiết kế mạch đếm cụ thể ta sẽ xác định hàm H cho từng FF trong mạch,
so sánh với biểu thức của hàm H suy ra J, K của các FF. Dưới đây là một thí dụ.
Thiết kế mạch đếm 10 đồng bộ dùng FF JK
Bảng trạng thái của mạch đếm 10 và giá trị của các hàm H tương ứng:
193
Ghi chú: Trong kết quả của hàm H ta muốn có chứa Q và Q tương ứng để suy ra
ngay các trị J và K nên ta đã chia bảng Karnaugh ra làm 2 phần chứa Q và Q và
nhóm riêng từng phần này.
Từ các kết quả này, ta vẽ được mạch (Hình 5.4)
Hình 5.4
Bây giờ ta có thể kiểm tra xem nếu như vì một lý do nào đó, số đếm rơi vào
các trạng thái không sử dụng (tương ứng với số từ 10 đến 15) thì khi có xung đồng
hồ trạng thái tiếp theo sẽ như thế nào? Mạch có quay về để đếm tiếp?
Áp dụng các hàm chuyển có được, ứng với mỗi trạng thái Q của từng FF
trong các tổ hợp không sử dụng, ta tìm trị H tương ứng rồi suy ra Q+, ta được bảng
kết quả sau:
194
Từ bảng kết quả ta có kết luận:
- Khi đầu ra rơi vào trạng thái 1010 (1010), nó sẽ nhảy tiếp vào trạng thái 1110 (1011)
rồi sau đó nhảy về 610 (0110) (Dòng 1 và 2)
- Khi đầu ra rơi vào trạng thái 1210 (1100), nó sẽ nhảy tiếp vào trạng thái 1310 (11 01)
rồi sau đó nhảy về 410 (0100) (Dòng 3 và 4)
- Khi đầu ra rơi vào trạng thái 1410 (1110), nó sẽ nhảy tiếp vào trạng thái 1510 (1111)
rồi sau đó nhảy về 210 (0010) (Dòng 5 và 6).
Tóm lại, nếu có một sự cố xảy ra làm cho số đếm rơi vào các trạng thái không sử
dụng thì sau 1 hoặc 2 số đếm nó tự động quay về một trong các số đếm từ 0 đến 9
rồi tiếp tục đếm bình thường.
Phương pháp MARCUS
Phương pháp MARCUS cho phép xác định các biểu thức của J và K dựa vào
sự thay đổi của Q+ so với Q
Từ bảng trạng thái của FF JK ta có thể viết lại như sau:
195
Ghi chú: Trong bảng trên, không có các cột cho Q+, tuy nhiên ta có thể thấy ngay là
dòng bên dưới chính là Q+ của dòng bên trên, như vậy kết quả có được từ sự so sánh
dòng trên và dòng ngay dưới nó.
Ta thấy ngay JA = KA = 1
Dùng bảng Karnaugh để xác định các hàm còn lại. Nhận thấy các FF B và C có thể
xác định chung cho J và K (cùng vị trí 1 và x), FF D được xác định J và K riêng
196
Từ bảng trạng thái của mạch đếm 4 bit, ta thấy nếu dùng FF JK tác động bởi
cạnh xuống của xung đồng hồ thì có thể lấy đầu ra của tầng trước làm xung đồng
hồ CK cho tầng sau, với điều kiện các đầu vào JK của các FF đều được đưa lên mức
cao. Ta được mạch đếm không đồng bộ, 4 bít, đếm lên (Hình 5.5).
Hình 5.5
Hình 5.6 là dạng tín hiệu xung CK và các ngã ra của các FF:
Hình 5.6
Tổ hợp các số tạo bởi các ngã ra các FF D, C, B, A là số nhị phân từ 0 đến 15
5.2.2.2. Mạch đếm không đồng bộ, n tầng, đếm xuống (n=4):
Để có mạch đếm xuống ta nối Q (thay vì Q) của tầng trước vào đầu vào CK
của tầng sau. (Hình 5.7) là mạch đếm xuống 4 tầng.
Dạng sóng ở đầu ra các FF và số đếm tương ứng cho ở (Hình 5.8)
197
Hình 5.7
Hình 5.8
Quan sát tín hiệu ra ở các Flipflop ta thấy sau mỗi FF tần số của tín hiệu ra
giảm đi một nửa, nghĩa là:
Như vậy xét về khía cạnh tần số, ta còn gọi mạch đếm là mạch chia tần.
198
5.2.2.3. Mạch đếm không đồng bộ, n tầng, đếm lên, xuống (n=4):
Để có mạch đếm lên hoặc đếm xuống người ta dùng các mạch đa hợp 2→1
với đầu vào điều khiển C chung để chọn Q hoặc Q của tầng trước nối vào CK tầng
sau tùy theo yêu cầu về cách đếm.
Trong (Hình 5.9), khi C =1, Q nối vào CK , mạch đếm lên và khi C = 0, Q nối
vào CK, mạch đếm xuống.
Hình 5.9
Trên thực tế, để đơn giản, ta có thể thay đa hợp 2→1 bởi một cổng EX-OR,
đầu điều khiển C nối vào một đầu vào cổng EX-OR, đầu vào còn lại nối với đầu ra
Q của FF và đầu ra của cổng EX-OR nối vào đầu vào CK của FF sau, mạch cũng
đếm lên/xuống tùy vào C=0 hay C=1.
Hình 5.10
199
5.2.2.4. Mạch đếm không đồng bộ modulo - N (N=10)
Kiểu Reset:
Để thiết kế mạch đếm kiểu Reset, trước nhất người ta lập bảng trạng thái
cho số đếm.
Quan sát bảng dưới đây ta thấy ở xung thứ 10, nếu theo cách đếm 4 tầng thì
QD và QB phải lên 1. Lợi dụng hai trạng thái này ta dùng một cổng NAND 2 đầu vào
để đưa tín hiệu về xóa các FF, ta được mạch đếm ở (Hình 5.11).
Hình 5.11
Mạch đếm kiểu Reset có khuyết điểm như:
- Có một trạng thái trung gian trước khi đạt số đếm cuối cùng.
- Ngã vào Cl không được dùng cho chức năng xóa ban đầu.
Kiểu Preset:
Trong kiểu Preset các đầu vào của các FF sẽ được đặt trước thế nào để khi
mạch đếm đến trạng thái thứ N thì tất cả các FF tự động quay về không.
Để thiết kế mạch đếm không đồng bộ kiểu Preset, thường người ta làm như sau:
200
- Phân tích số đếm N = 2n.N’ (N’<N) rồi kết hợp hai mạch đếm n bit và N’. Việc
thiết kế rất đơn giản khi số N' << N
- Quan sát bảng trạng thái và kết hợp với phương pháp thiết kế mạch đếm đồng bộ
(MARCUS hay hàm chuyển) để xác định JK của các FF.
Thí dụ, để thiết kế mạch đếm 10, ta phân tích 10=2x5 và ta chỉ cần thiết kế
mạch đếm 5 rồi kết hợp với một FF (đếm 2)
Bảng trạng thái của mạch đếm 5.
Dùng bảng Karnaugh xác định HD và HB rồi suy ra các trị J, K của các FF.
201
Có thể xác định J, K của các FF B và D bằng phương pháp MARCUS:
Ta có ngay KD=KB=1
Dùng bảng Karnaugh xác định JD và JB
Hình 5.12 là mạch đếm 10 thiết kế theo kiểu đếm 2x5 với mạch đếm 5 có được từ
kết quả trên.
Hình 5.12
202
IC 7490 là IC đếm 10, có cấu tạo như mạch (Hình 5.12) thêm các đầu vào Reset 0 và
Reset 9 có sơ đồ mạch (Hình 5.13)
Hình 5.13
Bảng sự thật cho các đầu vào Reset:
Dùng IC 7490, có thể thực hiện một trong hai cách mắc:
- Mạch đếm 2x5: Nối QA vào đầu vào B, xung đếm (CK) vào đầu vào A.
- Mạch đếm 5x2: Nối QD vào đầu vào A, xung đếm (CK) vào đầu vào B
Hai cách mắc cho kết quả số đếm khác nhau nhưng cùng một chu kỳ đếm 10.
Tần số tín hiệu ở đầu ra sau cùng bằng 1/10 tần số xung CK (nhưng dạng tín hiệu ra
khác nhau).
Dưới đây là hai bảng trạng thái cho hai trường hợp nói trên.
203
Đếm 2x5 Đếm 5x2
Hình 5.14 cho thấy dạng sóng ở các đầu ra của hai mạch cùng đếm 10 nhưng hai
kiểu đếm khác nhau:
- Kiểu đếm 2x5 cho tín hiệu ra ở QD không đối xứng
- Kiểu đếm 5x2 cho tín hiệu ra ở QA đối xứng
Hình 5.14
Hình 5.15
204
Đối với mạch này, sự đếm vòng chỉ thấy được khi có đặt trước đầu ra
- Đặt trước QA =1, ta được kết quả như bảng
Hình 5.16
Mạch này còn có tên là mạch đếm Johnson. Mạch có một chu kỳ đếm nmặc
hiên mà không cần đặt trước và nếu có đặt trước, mạch sẽ cho các chu kỳ khác nhau
tùy vào tổ hợp đặt trước đó. Bảng dưới là chu kỳ đếm mặc nhiên.
205
5.2.3.3. Hồi tiếp từ QD về JA và QC về KA (Hình 5.17)
Hình 5.17
Bảng trạng thái:
206
HC = 1 ⇒ JC =KC = 1
Xác định JA, KA, JB, KB
Bảng Karnaugh cho hai hàm chuyển HA & HB
Mạch điện:
2. Thiết kế mạch đếm 7 không đồng bộ, dùng FF JK có đầu vào xung đồng hồ tác
động bởi cạnh lên của CK.
Bảng trạng thái:
207
Nhận xét bảng trạng thái ta thấy mỗi lần QB thay đổi từ 1 xuống 0 thì QA đổi
trạng thái, mà FF có xung đồng hồ tác động bởi cạnh lên nên ta có thể lấy QB làm
xung đồng hồ cho FFA và JA=KA=1.
FF B và FFC sẽ dùng xung đồng hồ hệ thống, dùng phương pháp MARCUS
để xác định J & K của các FF này.
Ta thấy ngay KC=1
208
Bộ ghi dịch 4 bít nhị phân với khả năng ghi và nhớ 4 bit thông tin cấu tạo từ 4
trigơ JK nối kiểu trigơ D được cho trên hình 5.17. Có hai khả năng lấy thông tin ra
khỏi bộ ghi dịch: lấy ra đồng thời ở Q0 ÷ Q3 (kiểu song song) sau 4 nhịp ghi nối tiếp
hoặc lấy ra lần lượt tại Q3 các thông tin vào trước đó 4 nhịp.
Q0 Q1 Q2 Q3
Xung xoá
D RQ RQ RQ
J 0 J R Q1 J 2 J 3
(Số C C C C
liệu K K K K
cần ghi Q0 Q1 Q2 Q3
dịch) F0 F1 F2 F3
C (Xung nhịp)
Hình 5.17 : Bộ ghi dịch đưa vào nối tiếp dùng Trigơ JK nối kiểu trigơ
D
Nhịp Q0 Q1 Q2 Q3
0 0 0 0 0
1 D1 0 0 0
2 D2 D1 0 0
3 D3 D2 D1 0
4 D4 D3 D2 D1
5 D5 D4 D3 D2
6 D6 D5 D4 D3
7 D7 D6 D5 D4
Trạng thái ra của bộ ghi dịch 4 bit hình 5.17 theo trật tự xung nhịp
Ngoài ra còn cách ghi song song (đồng thời) vào các ô nhớ như hình 5.18.
- G0 ÷ G7 là các cổng 3 trạng thái với đặc điểm: Tín hiệu điều khiển G="1"
đầu ra được nối với đầu vào, G ="0" đầu ra ở trạng thái trở kháng cao.
- Khi lệnh ghi nhận trị "1" thông tin nhị phân D0 ÷ D7 được ghi vào các trigơ D
(F0 ÷ F7), kết thúc lệnh ghi (nhận trị "0") thông tin nhị phân được lưu trữ trong đó.
209
Khi có lệnh đọc (G nhận trị "1")
Xung xoá Lệnh
"đọc"
F0
D0 D Q
G0
C R
F1
D1 D Q
G1
C R
F7
D7 D Q
G7
C R
Lệnh "ghi"
210
Q0 Q1 Q2 Q3
(Xung
R
C
(Xung R R R R
®ång bé) C Q0 C Q1 C Q2 C Q3
Dra
D D D D
F0 F1 F2 F3
G00 G01 G02 G03
G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8
(Sè
Dvµo P0 P1 P2 P3
L
(TÝn hiÖu ®iÒu
5.4. BỘ NHỚ
211
32 bit, .v..v... Từ là thành phần thông tin cơ bản nhất. Các bộ phận của thiết bị
thường chỉ truyền đi hay nhận vào nguyên một từ (hay nguyên từ) chứ không phải vài
bit của từ. Tuy nhiên, vì từ được tạo thành từ nhiều bít nên đơn vị cơ bản của bộ
nhớ chính là bit.
Khi so sánh các bộ nhớ người ta thường lưu ý đến các đặc tính sau:
+ Dung lượng.
Dung lượng (hay nói rõ hơn là dung lượng nhớ) là khối lượng thông tin hay dữ
liệu có thể lưu trữ được trong bộ nhớ. Để xác định dung lượng ta thường dùng đơn
vị là số bít (hoặc kilobit hoặc megabit). Dung lượng liên quan mật thiết đến giá thành
của bộ nhớ. Giá thành này được đánh giá theo tiêu chuẩn: chi phí/ bit.
+ Thời gian thâm nhập (access time).
Thời gian này gồm có 2 phần: thứ nhất là thời gian cần thiết để xác định vị trí
cần thiết của từ (thời gian tìm từ) trong bộ nhớ và thứ hai là thời gian cần thiết để
lấy ra khỏi bộ nhớ. Thời gian thâm nhập (viết tắt là at) là một thông số quan trọng
của bộ nhớ, nếu nó kéo dài thì sẽ làm giảm khả năng làm việc của thiết bị vì thiết bị
chỉ hoạt động được chừng nào chúng nhận được dữ liệu mà thôi.
Bộ nhớ thường được chia làm hai loại căn cứ vào hai tính chất vừa nêu trên là
bộ nhớ chính và bộ nhớ phụ.
+ Bộ nhớ chính.
Bộ nhớ chính nằm gần các bộ xử lý dữ liệu và cần có at rất ngắn (≤ µsec) với
dung lượng không cần lớn lắm (vài chục kilobit là có thể được). Phần này chứa các
dữ liệu, thông tin, hoặc các lệnh cần ngay cho công tác.
+ Bộ nhớ phụ.
Bộ nhớ phụ không cần thiết phải nằm gần thiết bị, at có thể lớn (tới ms)
nhưng lại cần có dung lượng lớn (từ hàng chục kilobit trở lên, có thể đến hàng chục
megabit) để lưu trữ các thông tin chưa cần ngay hoặc các kết quả vừa được xử lý
xong. Chúng có tính chất như một thư viện.
Bộ nhớ chỉ có khả năng lưu trữ, khi sử dụng ta phải ghi dữ liệu vào (thường
gọi là viết vào) hoặc lấy dữ liệu ra (thường gọi là đọc ra). Việc viết và đọc như vậy
thường bao gồm cả việc xác định vị trí của mỗi từ trong bộ nhớ. Mỗi từ (trong bộ
212
nhớ) phải có một vị trí riêng được xác định bởi một mã số gọi là địa chỉ của từ. Như
vậy bộ nhớ cần phải có mạch để xác định địa chỉ của mỗi từ trước khi đọc hay viết.
Ta thường có thể xoá các dữ liệu cũ trong bộ nhớ để viết vào đó dữ liệu mới,
loại bộ nhớ như vậy gọi là bộ nhớ đọc - viết (Read - Write Memory). Sở dĩ phải gọi
như thế là vì cần phải phân biệt với một loại bộ nhớ khác có chứa sẵn các dữ liệu,
khi sử dụng ta cần đọc ra mà không viết gì vào được. Với loại bộ nhớ này dữ liệu
được ghi vào trong quá trình chế tạo, sau đó nội dung của bộ nhớ được lưu trữ vĩnh
viễn trong bộ nhớ mà không thay đổi được. Loại này gọi là bộ nhớ chỉ đọc (Read
Only Memory) ứng dụng của loại này thường là để chứa các lệnh điều khiển sự
hoạt động của thiết bị mà các lệnh này không cần thay đổi trong quá trình làm việc
khác nhau. Nằm giữa hai loại bộ nhớ nói trên còn có một loại bộ nhớ khác, chúng
giống như bộ nhớ đọc viết ở chỗ có thể viết vào bằng phương tiện đặc biệt và sau
đó nội dung được lưu trữ vĩnh viễn cho đến khi ta muốn xoá đi (tất nhiên cũng bằng
phương tiện đặc biệt), loại bộ nhớ này đôi khi được gọi là bộ nhớ bán cố định (Read
Mostly Memory).
Sau đây chúng sẽ xét các loại bộ nhớ thông dụng nhất hiện nay.
213
+ Bộ nhớ Ram dùng Tranzitor lưỡng cực lấy FF làm đơn vị nhớ cơ bản nên vận
tốc rất cao, at vào khoảng vài chục nanosec và công suất tiêu thụ vào khoảng 1
nanowatt/bit.
+ Bộ nhớ RAM dùng MOSFET được chia làm hai loại:
- Loại tĩnh (static) cũng lấy cấu trúc FF làm đơn vị nhớ cơ bản.
- Loại động (dynamic) lợi dụng điện dung kí sinh của cực cổng (gate) để chứa
dữ liệu.
Sở dĩ người ta gọi tĩnh và động là vì loại dùng FF không cần xung kích thích để
tăng cường thêm điện tích trong tụ điện (thao tác làm tươi bộ nhớ ), nếu không điện
tích này sẽ giảm đi và mất dữ liệu.
Nói chung bộ nhớ MOSFET chậm hơn bộ nhớ lưỡng cực nhưng bù lại đơn vị
nhớ có kích thước nhỏ hơn nên có thể thu gọn nhiều đơn vị nhớ trong một diện tích
silic nhỏ mà công suất tiêu thụ lại không đáng kể (chẳng hạn 250 mW cho 4096 bit
đối với các bộ nhớ thế hệ đầu tiên).
Khi cần các bộ nhớ RAM có dung lượng lớn ta có thể mắc nhiều bộ nhớ nhỏ
lại với nhau mà kích thước toàn thể không lớn lắm.
214
Hình 5.20: Sơ đồ khối của ROM 16x8 = 128 bit
215
MỤC LỤC
Phần 1: Kỹ thuật xung...............................................................................................................1
Chương 1:...................................................................................................................................2
KHÁI NIỆM CHUNG................................................................................................................2
1. Tín hiệu xung và tham số:..................................................................................................2
1.1. Định nghĩa....................................................................................................................2
1.2. Các tham số cơ bản của tín hiệu xung:......................................................................3
2. Các dạng điện áp đơn giản và phản ứng của mạch điện RC – RL đối với dạng xung.
.................................................................................................................................................5
2.1. Khái niệm....................................................................................................................5
2.2. Mạch lọc RC:..............................................................................................................8
2.3. Mạch RL......................................................................................................................8
3. Phản ứng của mạch lọc RC đối với các xung đơn..........................................................9
3.1. Điện áp lấy ra trên điện trở (mạch vi phân)..............................................................9
3.2. Tín hiệu lấy ra trên tụ điện:.....................................................................................10
4. Chế độ khóa của tranzito.................................................................................................11
4.1. Các yêu cầu cơ bản:..................................................................................................11
4.2. Đặc tính truyền đạt...................................................................................................14
5. Chế độ khóa của khuếch đại thuật toán.........................................................................16
5.1. Mạch so sánh một ngưỡng:......................................................................................16
5.2. Mạch so sánh 2 ngưỡng............................................................................................18
Chương 2: ................................................................................................................................20
CÁC PHƯƠNG PHÁP BIẾN ĐỔI VÀ TẠO DẠNG XUNG.................................................20
1. Mạch vi phân....................................................................................................................20
1.1. Định nghĩa và khái niệm...........................................................................................20
1.2. Mạch khuếch đại thuật toán vi phân........................................................................23
2. Mạch tích phân.................................................................................................................23
2.1. Định nghĩa và khái niệm...........................................................................................23
2.2. Các mạch tạo điện áp biến đổi đường thẳng .........................................................26
3. Mạch hạn chế biên độ ....................................................................................................27
Chương 3:.................................................................................................................................28
CÁC MẠCH DAO ĐỘNG XUNG...........................................................................................28
1. Các mạch không đồng bộ hai trạng thái ổn định............................................................28
1.1. Trigơ đối xứng (RS) dùng tranzitor..........................................................................28
1.2. Trigơ Smit dùng IC tuyến tính..................................................................................29
2. Các mạch không đồng bộ một trạng thái ổn định..........................................................31
2.1. Đa hài đợi dùng tranzitor...........................................................................................31
2.2. Đa hài đợi dùng khuếch đại thuật toán....................................................................33
3. Các mạch không đồng bộ hai trạng thái không ổn định.................................................34
3.1. Đa hài tự dao động dùng tranzitor.............................................................................34
3.2. Đa hài tự dao động dùng khuếch đại thuật toán......................................................37
4. Dao động Blocking...........................................................................................................39
5. Mạch tạo xung tam giác...................................................................................................43
5.1. Vấn đề chung............................................................................................................43
5.2. Mạch ổn dòng cơ bản...............................................................................................45
5.3. Mạch tạo xung tam giác dùng transistor...................................................................46
5.4. Mạch tạo xung tam giác dùng vi mạch khuếch đại thuật toán...............................49
Chương 4:.................................................................................................................................53
VI MẠCH ĐỊNH THỜI 555, DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT DÙNG UJT................................53
216
1. Sơ đồ chân và cấu trúc 555..............................................................................................53
1.1. Sơ đồ chân IC 555.....................................................................................................53
1.2. Sơ đồ cấu trúc IC 555...............................................................................................53
1.3. Nguyên tắc hoạt động các chân IC555.....................................................................54
2. Mạch đa hài dùng IC555..................................................................................................55
3. Mạch đơn đa hài dùng IC555...........................................................................................59
4. Mạch dao động tích thoát dùng UJT................................................................................60
5. Mạch tạo tín hiệu xung tam giác dùng UJT....................................................................63
6. Mạch tạo tín hiệu xung nấc thang dùng UJT..................................................................66
7. Mạch dao động tích thoát tạo xung đồng bộ..................................................................67
7.1. Mạch đồng bộ điều khiển nắn nửa chu kỳ.............................................................67
7.2. Mạch đồng bộ điều khiển nắn toàn chu kỳ.............................................................68
Chương 5. ................................................................................................................................70
MẠCH DAO ĐỘNG TẠO XUNG DÙNG CỔNG LOGIC, VCO, CCO................................70
1. Mạch đa hài đơn ổn dùng cổng logic..............................................................................70
2. Mạch đa hài tự dao động dùng cổng logíc......................................................................70
3. Mạch dao động VCO (Voltage Control Oscilator) dùng IC 566.....................................71
Phần 2: Kỹ thuật số.................................................................................................................78
CHƯƠNG I..............................................................................................................................79
HỆ THỐNG ĐẾM VÀ KHÁI NIỆM VỀ MÃ.........................................................................79
1.1 HỆ THỐNG SỐ ĐẾM....................................................................................................79
1.1.1 Hệ đếm....................................................................................................................79
1.1.2 Cơ số của hệ đếm..................................................................................................79
1.1.3 Đổi cơ số.................................................................................................................81
1.2 HỆ ĐẾM NHỊ PHÂN VÀ KHÁI NIỆM VỀ MÃ..........................................................81
1.2.1 Hệ đếm nhị phân.....................................................................................................81
1.2.2 Khái niệm về mã.....................................................................................................83
CHƯƠNG II.............................................................................................................................88
ĐẠI SỐ BOOLE.......................................................................................................................88
2.1 MỘT SỐ ĐỊNH NGHĨA................................................................................................88
2.2 CÁC PHÉP TOÁN CƠ BẢN CỦA ĐẠI SỐ BOOLE...................................................88
2.3 CÁC ĐỊNH LÝ CỦA ĐẠI SỐ BOOLE.........................................................................89
2.3.1 Định lý......................................................................................................................89
2.3.2 Các phương pháp biểu diễn hàm logic...................................................................90
2.3.3 Tối thiểu hoá hàm Boole.........................................................................................94
CHƯƠNG III.........................................................................................................................101
CÁC PHẦN TỬ LOGIC CƠ BẢN........................................................................................101
3.1 KHÁI NIỆM VỀ MẠCH SỐ........................................................................................101
3.1.1 Mạch tương tự......................................................................................................101
3.1.2 Mạch số.................................................................................................................101
3.1.3 Họ logic dương/âm...............................................................................................101
3.2 Cổng Logic...................................................................................................................103
3.2.1 Khái niệm..............................................................................................................103
3.2.2 Phân loại................................................................................................................103
3.2.3. Công suất tiêu tán Ptt............................................................................................128
3.2.4. Fanout....................................................................................................................129
3.2.5. Fanin (Hệ số mắc mạch đầu vào).......................................................................129
3.2.6. Độ chống nhiễu....................................................................................................129
3.2.7. Trễ truyền đạt......................................................................................................129
3.3. FLIP-FLOP (FF)..........................................................................................................130
217
3.3.1. Khái niệm.............................................................................................................130
CHƯƠNG IV.........................................................................................................................153
HỆ TỔ HỢP...........................................................................................................................153
4.1 Khái niệm chung..........................................................................................................153
4.2. Mạch mã hoá và giải mã.............................................................................................154
4.2.1. Khái niệm.............................................................................................................154
4.2.2. Mạch mã hoá (ENCODER)..................................................................................154
4.2.3. Mạch giải mã ......................................................................................................159
4.3 MẠCH CHỌN KÊNH – PHÂN ĐƯỜNG..................................................................168
4.3.1 Đại cương.............................................................................................................168
4.3.2. Mạch chọn kênh...................................................................................................168
4.3.3. Mạch phân đường................................................................................................171
4.4 MẠCH SO SÁNH.........................................................................................................175
4.4.1. Đại cương............................................................................................................175
4.2.2. Mạch so sánh 1 bit................................................................................................175
4.4.3. Mạch so sánh nhiều bit........................................................................................177
4.5. MẠCH SỐ HỌC..........................................................................................................180
4.5.1. Đại cương............................................................................................................180
4.5.2. Bộ cộng (Adder)...................................................................................................180
4.5.3. Bộ trừ (Subtractor)...............................................................................................183
CHƯƠNG V..........................................................................................................................188
HỆ TUẦN TỰ........................................................................................................................188
5.1. KHÁI NIỆM CHUNG.................................................................................................188
5.2. MẠCH ĐẾM ...............................................................................................................188
5.2.1 Mạch đếm đồng bộ ............................................................................................188
5.2.2 Mạch đếm không đồng bộ ..................................................................................196
5.2.3 Mạch đếm vòng ...................................................................................................204
5.3. BỘ GHI DỊCH ............................................................................................................208
5.4. BỘ NHỚ.....................................................................................................................211
5.4.1. Các khái niệm.......................................................................................................211
5.4.2. Bộ nhớ RAM........................................................................................................213
5.4.3. Bộ nhớ ROM........................................................................................................214
MỤC LỤC..............................................................................................................................216
218
TÀI LIỆU THAM KHẢO
219