u DHQG TpHCM-DHBK Khoa Dign-DT-B6 mén Dign Ti : Q 4 ‘De thi ric nghiém Mén VATLY BANDAN-HKI72. EE 0 [3 ‘Neay thi: 08/06/2018 - Thai gian lam bai: 80 phist. Sinh vién khéng duge sir dung tai ligu va bit bude phai np lai dé sau khi Ho va tén SV: Mssv: Ma-s6 mén thi: EE1013 Ma sé dé thi: 0001 Cake hing 86 doe sit dung trong cde edu hoi q=1.6x 10" C (dign tich dign tit) 11.9 x 8.85 x 10" F/em (hing sé dign mdi ban dan Si) & Vy = kT/q = 0.026 V 6 T=300°K «DS a viét tit cia “ap 56”. Chi ¥: © Dé thi c6 50 cau. (Tra lai 1 cfu: ding due 0.2 d, sai bitri0.1 d, va khéng tra loi: 0 d) + Néukhéng c6 ghi nhigt d6 dang xét thi T= 300°K. ‘* Transistor (BJT ho§c MOSFET) néu khéng cho V4 thi hiéu V4= 2 V (hay 4= 0) * Vi BIT 6 tich eye thugn ta c6 V3y{NPN) = VesdPNP) = 0.7V (Si) va ta sé tinh gan diing Jc» Jp © BIT a mién bao ha: /pr:,0(NPN}=ViisuPNP)=O.8V Va Versa NPN)=V isa PNP) =0.2V. 1. Burbc thir ba trong 4 bude chinh cita cng nghé planar Danang hie _Dikim loa héa | Ghety iontokeWhuéch sin aoxy ha) Iayén kim 2. Chuyén tiép bude p’n 6 didu kign can bang co . a) We>> Wy. We<< Wy ¢) We< Wx —d) We> Wye) c4 4 DS trén dé sai 3. Khi phan cyc thun, dign dung chuyén tiép PN xem nhu do dién dung Hl a)khugch tin b) mién nghéo —) tich lily 16 1, ¢) ¢4 4 BS trén déu sai 4. Xét mét chuyén tiép PN (Si) duge phan cyc thudn bang ngudn dong hing, khi nhigt 46 ting thi syt dp thuan trén chuyén ti a) khng ai b)tang c) ting it @ zim ©) ca 4 DS trén déu sai 5. Dong dign nguge ciia chuyén tiép pn sé khi nhiét d6 tang. i" a) khéng 461 DB tang ¢) tang it d) giam: e) ca 4 DS trén déu sai 6. Khi ké dén Rs, dic tyén thuan cia chuyén tfép PN sé so véi chuyén tiép PN ly tuéng a) dich lén ‘Dddich xuéng —c) dich sang tréi_ d) dich sang phai_¢) cd 4 DS trén déu sai 7. Xét dac tuyén that cia chuyén tiép PN, dong dién thing thé @ phan cye thuan quanh Vow. a) dich <—_bptsi hop ©) khugch tan d) rd e) ca 4 DS trén déu sai ‘& Chuyén tiép PN - Thing tin cho 10 clu tiép theo (dugc ding dé dénh gid ABET): Xét chuyén tiép pm (ding Si) khi chura c6 phan cue ¢8 céc ndng dé tap chit Na= 3x10"° em” vi Np = 5x10" em’. Biét ban dn Si c6 ni = 1x 10" cm”, chuyén tiép pn nay c6. 8. Ti sé cia We/Wy li a) 3/5 OyS3 3 as €) ca 4 DS trén déu sai 9. Dign dp ngi tai Vola : 2) 0.768 V b)0.775V ce) 0.782.V 0.789 v €) cd 4 DS tren déu sai 10, Be rong mién nghéo W a)3.31x10 cmb) 2.68x10%em UL, Trong_mién nghéo, dé Ion cita digh trudg cuc dai En a) 4.92x10" Viem_)5.47x10* V/cm —_c) 6.12x10* Vem 2}6.71x10" Vim e) ca 4 DS trén déu sai 12, Néu phén cyc nguge véi Vg = 4,36 V thi bé réng mién nghéo W mdi la 2.35x10%em —_d)2.41x10%em _ e) ca 4 DS trén du sai a) 4x 10°om b)S xto%em —©)6 L10%em —d)7x 10cm ) € 4 DS tren du sai 13, Néu phan cye nguge voi Vp = 4.36 V thi chuyén tiép pn nay c6 dign dung mién nghéo Cap (F/cm?) a) 1.82x 10% @i7sxto* — c) 163x10% — d)148x 10" €) ca 4 DS tren déu sai 14. Xét phan cye thugn sao cho déng thugn Ip = 5 mA, néu thai gian di qua chuyén tiép pn nay rt; = 14 ns, Khi 46 né e6 dign dung khuéch tan Co li a) 2.13 nF b) 2.35 nF (@) 2.69 nF 4) 2.92 nF e) ca4 DS trén déu sai 18. Néu phan cye thugn sao cho dng thuan Ip = 5 mA, thi chuyén tiép pn nay c6 dign tres AC (r4) Ib a)282 b)3.72 ) 452 (9520 €) c4 4 DS trén déu sai é thi VLBD-172_D8 116. Cho mgch @ hinh 1 v6i ¥; = 5.7 V va V2 4.7 V, hay ding m6 hinh diode syt 4p hing (Von = 0.7 V) 4 xde dinh Zr va Ve trong mach 7 a) fy=SmA va vy=7V b) f= SmAvaFy=47V y= 4mAva le =5.7V Ok ©) c4 4 BS trén déu sai 17, Cho mach 6n ap & hinh 2 voi Ve= 8 V, R= 100 Q va Zener c6 Vz= 5 V. Lamn™= 5 MA Va Izmar= 20 mA. Dé cho mach van con 6n dp thi dién tro tai Ry, phai thudc dai gid tri (xép xi): a) 1209 Vee A) Fen < Vas > Vis. Khi 46 N-EMOS c6 ign tré ca r, la a) 175 kK OisoKe 0) 125k 4) 100 ka ) 4 DS trén du sai ‘50. Hinh 11 1a mach gong dong dign véi MI va M2 c6 cdc tham s8: 2(4Cox)wt = 3(HaCexv2 + Vausn=Vinaes Augt=Ayz=0. Muon 6 1; = 31g thi ngudi ta can ché tao (W/L)ya/(W/L)xai bang. ays b)2.5, 3.5 (+s ¢) 4 DS trén déu sai : Yoo Voo % Ih Ry l. Mi M2 Hinh 1 OM OT GV radé eects 13 Bang aang Vinh H8 Trung My Dé thi VLBD-172_Bé | — Trang 4/4DHQG TpHCM-DHBK . Khoa Dign-DT-B6 mén Dign Ti Hf sett Dé thi trie nghiém Mon VAT LY BAN DAN - HK172 ‘Negay thi: 08/06/2018 - This gian 1am bai: 80 phi. -vién khéng dugc sir dung tai ligu va bat budc phai ndp lai dé sau khi thi. Ho va tén SV: Mssy: | Ma sé mon thi: EE1013 Ma s6 dé thi: 0002 Cie hing 56 duege sit dung trong cde cdi hoi By hig: q= 1.6.x 10" C (dign tich dign tit) * N-EMOS: MOSFET logi gidu kénh N &= 11.9 x 8.85 x 10 F/em (hing sé dign m6i bén din Si) | © P-EMOS : MOSFET loai gidu kénh P Vy ="kT¥q = 0.026 Vs T=300°K «DS la vide tit cia “dap 86". Chay: © Dé thi c6 50 cau. (Tra lai 1 cu: diing duge 0.2 d, sai bj trix 0.1 d, va kh6ng tra Idi: 0 4) ‘Néu khéng 6 ghi nhiét d dang xét thi T= 300 K. ‘Transistor (BJT hoge MOSFET) néu khong cho V thi hiéu V4= 0 V (hay 4 = 0) Véi BUT 6 tich eye thudn ta 66 Vax(NPN) = VisAPNP) = 0.7V (Si) va ta s@ tinh gan diing f= Ie. BIT 6 mign bao hia: Vat suNPN)=Vi uel PNP)=O.8V v8 VeisedNPN)=Vir:sadPNP) =0.2V. 1. Buée thir wr trong 4 bude chinh cia céng nghé planar 1a a)quang khéc —b) kim logihéa__¢).cay ion hoc khuéch tind) oxy hae) Iuyn kim 2. Khi phin cue thuan, dign dung chuyén tigp PN xem nh do dign dung e a) khuéch ta bymiénngheo ©) tich hiy 18d) Zener €) ca 4 DS trén du sai 3. Chuyén tiép bude p'n ¢ diéu kign cén bang c6 a)We>> Wu b)We< Wx e) ca 4 DS tren du sai 4. Xét mét chuyén tiép PN (Si) durge phan eye thudn bing nguén ding hing, khi nhigt d6 tang thi sut ép thugn trén chuyén tiép PN a) khong 464 b).tang, cc) tang it d) giam ¢) cd 4 DS trén déu sai 5. Khiké dén Rs, dc tuyén thudn ca chuyén tiép PN sé so vi chuyén tiép PN ly tong a) dich lén by dich xuéng _¢) dich sang tréi d) dich sang phai_e) ca 4 DS tren du sai 6. Xét dc tuyén tht cia chuyén tigp PN, dng dién théing thé 6 phn cyc thudn quanh Von. a)dich b)tdihgp sc) khuéch tin ard ¢) ca 4 DS trén déu sai 7, Dang dign nguge ciia chuyén tiép pn sé. hi nhiét 46 tang. b) tang c) ting d) giam ¢) ca 4 DS trén déu sai “ Chuyén tiép PN - Thong tin cho 10 cit tép theo (dheye diing dé dénh gid ABET): Xét ghuyén tép pn (ding chua 06 phén eye 06 cdc néng 46 tap chat Na= 6x10" cm °. Biét ban din Si c6 ni = 1 x 10'° cm”, chuyén tiép pn nay 06 8. Ti sd ctia Wo/Wy ld a) khong, em’ va Np = 3x10'° a)6 b)3 2 a2 €) ¢4 4 DS trén du sai 9, Bin dp ndi tai Vis lb 2)0.782 V b)0.794V ——-c) 0.782.V 4)0.78V ©) c4 4 DS trén déu sai 10. Bé rng mién nghéo W a)3.31x107cem —b) 2.68x10cm c) 2.45x10%em d)2.29x10“em _e) ca 4 DS trén dau sai 11, Trong mién nghéo, dé lin cia dign trutmg exc dai Em bi 2) 6.52x10 V/em 6) 6.71x10" Vem) 6.93x10" V/cm 4) 7.14x10" Vem) ca 4 BS trén déu sai 12. Néu phn cue ngurge véi Va.= 3 V thi bé rng mién nghéo W mdi la a)4x 10%cm b)S x10%em —c) 6 x10%em —d) 7x 10%em €) 84 BS trén déu sai . Néu phan cue nguge véi Va = 3 V thi chuyén tiép pn ndy od dign dung mién nghdo Cap (Fem) a) 1.82 x 10% B)LISK1O® —c) 2.10 10 4) 2.42 x 10% ©) ca 4 DS trén déu sai 14. Xét phn cue thug sao cho déng thuéin lp = 4 mA, néu thai gian di qua chuyén tiép pn nay r= 15 ns, khi 46 n6 c6 dign dung khuéch tan Cp 1a a)2.93 nF b)2.73 nF ©) 2.52nF 4)231 nF €) c8 4 DS trén déu sai 15, Néu phan cye thuéin sao cho dang thuén In = 4 mA, thi chuyén tiép pn nay c6 dign tré AC (r,) 1A a) 8.22. b)732 c) 652 45.20 e) ca 4 DS trén déu sai ‘Bé thi VLBD-172_Dé 2 - Trang 1/4‘BO, Cho macn o hin f vor Fy xe dinh Jj-va Victrong mach mA va Fy =7V b)fy=S.5mAva y= c) ly= 5.5 mAva¥y=1L7V ly e)ca.4 DS wen déu sai 17, Cho mgch 6n &p & hinh 2 véi Vs= 8 V, R= 100 Q va Zener 6 Vs ea Se Sa Ree ee ee Le ae Vi Lenin = 7 MA Va Lema ™ 20 MA. ‘BE cho mach van con én dp thi dign tro tai R, phai thuge dai gid tri (xdp xi a) 125 2 18 MA va Vigo = 2 V khi Vq = 6V. Bé LED sing véi BIT 6 ché d6 bao hda thi gid tri cla Ry a) <25KQ. b) <28KQ ©) <31KQ 4)<34KQ e) 4 DS trén déu sai 38, Mach guong dong dign 6 hinh 8 véi Ve = 4 V, Viz:=2 V va cée BIT 06 cing Vary =0.7V, a=, B= 100. Gia st ca 2 BUT c6 cing dic tinh. Mach c6 /a= 2.5 mA thi phai ding tai Ry (Rz 2 0) c6 gid trj 1A a)R<1732 —b) R<195BQ—c) R,<2163Q_—d) R,<2366Q 6) 4 DS trén de sai ién bling 4p, khi ting Vas thi Ro 39. Xét N-EMOS dang hoat dng nhu dign tré (Ron) duge digu i €) ca 4 DS tren déu sai a) khong xéc dinh—b)khOng déi_—_c) tang a 40. Muon cho ty MOS cia N-EMOS 6 ché 4 tich lily 1, nguai ta phan eye a) Vos < Vew b)Vas< Vimy ¢) Kus > Vin 4) View < Vis < Vow ¢)4 DS trén déu sai 41. XétN-EMOS 6 mién (hode ché d6) bao hoa, néu ting Vos thi dong Ip sé tang do higu img a) diéu ché mién nén b) diéu ché kénh din) digu ché mién méng d) d4nh thing e) cd 4 DS trén déu sai 42, Xét N-EMOS 6 mign (hoc ché 46) bao hia, néu nhigt d6 gidm thi dong /y 4) gidm phén ira. b) gidm ©) ting ) ting gp a €)4 DS trén déu sai MOSFET (8 ciiu ké duege ding dé déinh gid ABET) 43. N-EMOS ¢6 Vry = 1V, ngudi ta do duge céc dign thé tai G, S va D so véi dat la: ¥=2V, Ve=-1V. va Vp=0.5V trong mach'thi MOSFET host d6ng ¢ mien . a) tit b) triode ¢)baohea =) anh thing €) 4 DS trén déu sai é thi VLBD-172_Dé 2 - Trang 3/4Ves= 2 V thi Ros= 5009; néu 44, Ding N-EMOS cb Vix = 1 V lam dign tré duge diéu khign bing ap, Vos= 6V thi Ros la a) 150.2 b) 1252 ©) 100.2 4750 €)4.DS trén déu sai 45. Mach hinh 9 06 Voo=6 V, Viw= 1V, UaCoxW/L = 0.5 mA/V?, va Ry = 1 kQ. MOSFET hoat déng 6 mién a) danh thing —b) triode ¢) bao hoa d) tit ) 4 DS trén déu sai 46. Mach hinh 9 6 Vp= 6 V, Viv= IV, tsCocW/L = 0.5 mA/V?, va Ry = 1 KO. Khi 46 06 Ip vi Fos li a)4.5mA va 1.SV )3.8mAva2.7V_c)2.7mAVA3.3V_ d)2.1 mA va3.9V__e)4 BS trén déu sai 47. Mach 6 hinh 10 ¢6 Vop = SV, Ry = 150 kQ, Rp = 100 kQ, Ry = 400 2, R= 0, Viv = SV, va UsCoxW/L= 2 mA/V? . MOSFET nay c6 diém tinh (ng, Vaso) xdp xi 1a z a)ImAVA38V — b)1.SmAvad.2V_ c)0.25mA vad.9 VV d)0.31mA vA4.7 VV e)4 DS tren déu sai 48. Mach @ hinh 10 c6 Vp = SV, Ry = 150 KO, Rz= 100 kQ, Ry = 400 2, R= OQ, Vy = 15V, va HeCocW/L= 2 mA/V?. MOSFET nay c6 hé din gm lA a) 0.001 S b) 0.002 § €) 0.003 § 4) 0.004 § ©) 4 DS trén déu sai 49. Xét N-EMOS 4 mién bao hia, c6 Vy = 1 V, BaCoxW/L = 2 mA/V?, Vox=2 V va Va =125 V >> Vos. Khi (45 N-EMOS ¢6 dign trata ro la : a) 175k b) 150k. ©) 125k 4) 100k ©) 4 DS wen déu sai ‘50. Hinh 11 1 mach gong dong dign véi M1 va M2 €6 cac tham s6: 3(LCox)ati = 2(HaCy2 Vinar=Vioaass Ava =Ayg=0. Mudn c6 J™ 3g thi ngwai ta can ché tao (W/L)yo/(W/L)un bang _ a3 bya os 46 @)4 DS trén déu sai Yoo Yoo fo Ip Rp |. { Mt M2 aatit Hinh 1 OM OT GV radi eee Dé thi VLBD-172_Bé 2 - Trang 4/4DHQG TpHCM-DHBK Khoa Bign-BT-B6 mén Dign Tir 7 eee ‘Dé thi wic nghiém Mén VAT LY BAN DAN -HK172 ‘Nedy thi: 08/06/2018 ~ Thar gian lam bai: 80 phat. ‘Sinh vign khéng duoc sir dung tai ligu va bit bude phai n6p lai dé sau khi thi. Ho va tén SV: MSSV: ‘Ma sé mén thi: EE1013 Ma sé dé thi: 0003 Cade hing 50 duege sie dung trong cdc cau hoi Ky higue q=1.6x 10" C (dign tich dign tir) * N-EMOS: MOSFET loai gidu kénh N &= 11.9 x 8.85 x 10" F/em (hing sé dign méi bin din Si) | * P-EMOS : MOSFET loai gidu kénh P Vy = kT/q= 0.026 V 6 T=300°K «DS 1d vidt tit cia “dap 56”. a Bb thi cb 50 cu, (Tra loi 1 cAu: ding duge 0.2 d, Néwkhéng c6 ghi nhiét 46 dang xét thi T= 300°K. ‘Transistor (BJT hoge MOSFET) néu khéng cho V, thi hiéu =<» V (hay = 0) V6i BIT 6 tich cye thufin ta ¢6 Vag(NPN) = Vix(PNP) = 0.7 (Si) va ta 58 tinh gin ding Jo-~ Jp. BJT 6 mién bao hoa: Vige-saNPN)=Visn saPNP)=O.8V va Versa NPN)=Vic:soAPNP) =0.2V. i trir 0.1 , va khGng tra Idi: 0 4) 1. Khi phan eye thuén, ign dung chuyén tiép PN xem nhur do dign dung a) khuéch tan b) mien nghéo —) tich lay 16 d) Zener 5) 2. Xét mét chuyén tiép PN (Si) durge phan cyc thuan bing nguén dong hang, khi nhiét 46 tang thi sut ap thugn trén chuyén tiép PN 4 DS trén déu sai a) khong déi b)ting sc) ting it d) giam ¢) ca 4 DS trén déu sai 3. Dong dign nguge cia chuyén tiép pn sé khi nhiét d6 tang. i a) khong by tang ©) tang it 4) giam €) cd 4 DS trén déu sai 4, Khi ké dén Rs, dic tuyén thuan ca chuyén tiép PN sé 0 véi chuyén tid PN Iy ting a)dich én, —_b) dich xudng__¢) dich sang tri d) dich sang phai_¢) ci 4 DS trén déu sai 5. Xét Ac tuyén that ciia chuyén tiép PN, dong dién thing thé & phan cue thudn quanh Von. a) dich b) tai hop c) khuéch tnd) 1 ¢) ca 4 BS trén déu sai & Chuyé tiép PN - Thong tin cho 10 cfu tiép theo (dugc ding dé dénk é ABE: Xét chayén tiép pn (ding Si) khi chua c6 phan eye o6,c4c néng d6 tap chat Na= 3x10" cm™?, Biét bin dan Si c6 ni = 1 x 10" cm”, chuyén tiép pn nay co 6, Ti s6 cia Wp/Wy la om’* va No = Sxl0"* 2) 3/5 58 03 as ©) 08 4 DS trén déu sai 7. Din &p ngi tai Vo li a) 0.768 V b)0.775V c) 0.782 V 4) 0.789 V e) ca 4 DS wen déu sai 8. Bé rong mién nghéo W a)3.31x10%cm —_b)2.68x10em _c) 2.35x10%em —d) 2.41x10"%cm ¢) c 4 DS trén déu sai 9. Trong mién nghéo, 46 lon cia dign truong cute dai Em la a) 4.92x10" V/cm b)5.47x10*Vicm —_c) 6.12x10* Vem) 6.71x10*V/em _e) ca. 4 DS trén déu sai 10, Néu phan eye nguige vdi Va = 4.36 V thi bé rng mign nghéo W mdi Ik a)4x 10%cm b)S x10%cm = c) 6 x 10cm d)7x10%cm ¢) ca 4 DS trén déu sai 11. Néu phan cy nguge véi Vg = 4.36 V thi chuyén tiép pn nay c6 dign dung mién nghéo Céep (E/em?) a) 1.82 x 10% b) 1.75 x 10% c) 1.63 x 10% d) 1.48 x 10% e) ca 4 DS trén déu sai 12. Xét phén cye thugn sao cho dng thugn Ip = 5 mA, néu thai gian di qua chuyén tiép pn nay t= 14 ns, hi d6 né o6 dign dung khuéch tan Cp 1a a) 2.13 nF ~ ) 2.35 nF ©) 2.69 nF 4) 2.92 nF ) ca 4 DS trén déu sai 13. Néu phan cye thugn sao cho dong thudn Ip = $ mA, thi chuyén tiép pn nay c6 dign tre AC (rz) la a)280 3.70 0) 450 4520 ©) cd 4 DS ten déu sai 44, Cho mach & hinh | v6i Vi = 5.7 V va Vs= 4.7 V, hay ding mé hinh diode syt &p hing (Von = 0.7 V) dé xe dinh Jy va Vi-trong mach a) fy=SmAvaVy=7V byly=SmAvaly=4.7V — c)ly=4mAvale=5.7V d)le=4 mA va Ve =8V ©) cd 4 DS tren déu sai Dé thi VLBD-172_Dé3 Trang 1/415. Cho mach én dp & hinh 2 véi Vs= 8 V, R= 100.0 va Zener c6 Vz= 5 V, Loma = 5 1WA Vi Lzmar™= 20 mA. Bé cho mach vin con én dp thi dign tré tai R, phiai thudc dai gid tri (xp xi): a) 1209> Wu b)We< Wye) ca 4 DS trén déu sai ©) ca 4 DS ten déu sai 22. Xét BIT npn (mic CE duye phin eve & ché 46 khuéch dai) khi Vee tang thi bé rong mign nén trung hoa (Wax) a) khong déi >) giam_ ) ting d) tang gap ddi_e) ca 4 DS trén déu sai 23, Xét BIT npn 6 ché dé tich cyc thudn, Khi nhigt 46 tang thi Ic a)khéng déi_ >) gidm phn ita c) gidm 4) tang, €) ca 4 DS trén déu sai 24. Mot BIT dang c6 Je va Ic déu duge phan cyc thudn, BIT dang & ché 46 : a) tit ) tich cye thugn —c) ticheue nguge —d) bao ha ©) 4 DS trén déu sai 25, ‘Trong tmg dung BJT lam khéa dign tt, ngudi ta thurong sit dung BJT véi edu hinh mic _ a)CB bycc ©) CE acs €) ¢4 4 DS trén au sai 26. Véi cing mét BIT npn, ta c6 quan hé dign ép dnh thing: BVcgo BV ceo. : a) hd hon b) lén hon. ©) bing ) gap ©) 4 DS trén déu sai BJT (10 ctu kd tege ding 48 dink gid ABET) 27. Xét BIT npn véi cdc tham sé sau: Nyx = 10cm, Nyx = 1.5x10'em™, Dp = 2Dy, Wy = 120nm, va Ly= = lum. BIT nay c6 higu suat phét 7 1a 2) 0.989 b) 0.984 ©) 0.979 4) 0.972 €) 4 DS trén déu sai Dé thi VLBD-172_Dé 3 — Trang 2/428. Xét BIT 6 min tich cue thudn 66 J-= 16 mA va Jp = 0.2 mA thi BIT nay c6 ola a) 65/66 b) 70771 ©) 75/76 4) 80/81 €) 4 DS trén déu sai 29, BIT npn duge phan cye véi Veg =-0.7 V va Vix. =0.5 V. Nhu vay BIT nay dang 6 mign att b)tich eye thudn —_c) bag hoa é)tich cue nguoe ©) 4 DS trén déu sai 30, Xét BIT npn 6 mién ich eye thudn c6 Js=2 x 10° va Vx = 0.6 V, khi 46 dong Ic li c a) 12mA b) 1.6ma ©) 2.1 ma 4) 2.5 mA @)4 BS trén déu sai Vee Vee 4 Ry Re Re Lh Tai Re Re a uo sp Yt ag de of vv Me Hinh 5 Hinh 6 Hinh 7 Hinh 8 31, Mech & hinh 5, diém Q ciia BIT 1a Veeg = 12 V. Ico = 5 mA, va B= 100. Véi didu kign nay, cfc gid tri Ca cfc dign tro Re va Re la (gi stt Vaca = 0.7 V) : a) 6k vaS1ZKQ —_b) SkN-va 527K ©) 4kQ va 561KQ — d) 3kQ vA 583 kD e) 4 DS én déu sai 32, Mach & hinh 6 véi Yeo = 9 V, Re= 120 0, Re= 1 KQ, Ry = 75 KQ, Re = 25 KA, vaB = 100. BIT duge phan eye véi (leg, Veg) la : a) (5.21mA, 3.7V) b) (4.96mA, 3.42V) cc) (5.04mA, 3.36V) —d) (5.71mA, 2.95V)_ ©) 4 DS trén deu sai 33. Xét BUT npn (c6 B= 100) 6 ché 46 tich cye thudn véi fo= 10 mA, Ki d6 hd din gq vara (hy) las 2)0.2Sva2002 —b)0.4Sva260N —6)0.6Sva170Q —-d)0.8SVA1S0N —_e) 4 DS trén déu sai 34, Xét BIT c6 fr= 250 MHz va Ce= 4G, , BIT nay duge phin eye véi fry = 2.5 mA. BIT nay 06 Cyla a) =31 pF b) ~42 pF c) ~51 pF 4) ~63 pF ©) 4 DS trén déu sai 35. Mach g hinh 7 véi R= 112 Q, BIT 06 8 =100, ngwoi ta muén LED tat khi Vn = OV va LED sang véi Tix = 25 mA va Vises V khi Vi V. Dé LED sang vdi BIT 6 ché d6 bao hoa thi gid trj ciia Ry a) <224KQ b) <20.1KQ c) <18.5KQ d)< 16.8 KQ ) 4 DS trén déu sai 36. Mach guong dong Ghinh 8 voi Vor = 3 V, Vix = 2 V va cdc BIT cé cling Vaeg= 0.7V, Va= 2, B= 100. Gia sir ca 2 BUT c6 cing dc tinh. Mach cé Je = 2.5 mA thi phai ding tai R; (Ry > 0) c6 gid tri la a) RR) < 1743.2 b) R.<1958Q c) R,< 21632 d) R,< 2306.2 e) 4 DS trén deu sai 37. Trong BIT, néng 46 tap chat 1én nhdt 6 min a) mang (drain) 'b) thu (collector) @)nén (base) 4) phat (emitter) 38,_Xét BIT pnp & ché dé tich owe thudn, dong dign thu (Ic) chi yéudo__taothanh, ald b) dign ti ©) ion dong ——d) ion am €) e4 4 DS trén déu sai 39. XétN-EMOS dang hoat dng nhu dign trd (Ron) duge digu khién bing dp, khi ting Vos thi Ron a) khéng xéc dinh b) khOng 461 c) ting. 4) giam €) ca 4 DS trén déu sai 40. XétN-EMOS 6 mién (hode ché d6) bao hoa, néu nhigt 49 giim thi dong 1 : a) gidm phan mira b) o) ting d) tang gép d6i—e) 4 DS trén déu sai & MOSFET (8 céu ké duege diing dé dénh gié ABET) 41. N-EMOS c6 Vy = IV, ngudi ta do duge cdc dign thé tai G, S va D so véi dat Ia: Vo=2V, Vo= -2V, va Vo= 1.5V trong mach thi MOSFET hoat dng & mién a) tit b) triode c)biohda —_d) Banh thing ©) 4 DS tren du sai 42, Dung N-EMOS c6 Vin = 1 V lim dign tro duge didu khién bing ap, néu Vos= 2 V thi Ros= 5009; néu Vos= SV thi Ros ld : a) 150.9 b) 1252 ¢) 1000 4750 ©) 4 DS tren déu sai é thi VLBD-172_Bé 3 ~ Trang 3/443. Mach hinh 7 66 Vop=7 V, Viv= 1V, UsCoxW/L = 0.5 mA/V?, va Ry = 1 kQ. MOSFET hoat déng & min a) dénh thing — ) triode op tit 4) bao hia €)4 DS trén déu sai 44, Mach hinh 9 6 Vop= 7 V, Viv= IV, HaCoxW/L = 0.5 mA/V?, vi Ro = 1 kQ. Khi d6 06 Io va Vos la a)4.5mA va 1.5V b)3.8mA va2.7V c)2.7mA vA43V d)2.1mA va4.8V_e) 4 DS trén déu sai 48, Mach & hinh 10 06 Vay = 5V, Ry = 150 kQ, Ry = 100 kQ, Ry = 250.2, Re 02, Viv = 1V, va UsCo,W/L=2 mA/V? , MOSFET nay c6 diém tifh (og, Vaso) xap xi ld a)ImAva3.8V — b)1.SmAVvA4.2V c)ImAva4.4V — d)lmAvad.75V_— ¢)4 BS tren déu sai 46. Mach & hinb 10 ¢6 Vop = SV, Ry = 150 kA, R2= 100 kA, Ry = 250.2, Re 0, Fry = 1V, va LnCoxW/L= 2 mA/V?, MOSFET nay c6 hd dan ga, la # a) 0.001 S ») 0.002 $ ©) 0.003 S 4)0.004 § ©) 4 DS tren du sai 47. X&N-EMOS 6 mién bao ha, o6 Viy= 1 V, pyCoxW/L = 2 mA/V?, Vess=2 V va Vy =150 V >> Vps. Khi 46 N-EMOS c6 dign tr ra ra Ia a) 175k b) 150 kQ ©) 125k 4) 100k ©) 4 BS trén déu sai 48, Hinh 11 la mach guong dong dign véi M1 va M2 ¢6 céc tham $6: 2(UaCodhat = 3(HaCoxa2 5 Vexr=Vinans Asa =Aag=0. Muén ¢6 F;= 31 thi ngudi ta cin ché tao (W/L)ya( W/L) bang ays b)2:5 3.5 aas €) 4 DS trén déu sai Yoo Yoo Ro Ih Ry l a M1 M2 . Hinh 9 : Hinh 10 Hinh 11 49. Muén cho tu MOS ctia N-EMOS 6 ché 46 tich lay 13, ngudi ta phan eye a) Ves < View b)Vos< Vin ¢) Vas > View 4d) Via < Ves < Vow ¢) 4 DS trén déu sai 50, Xét N-EMOS 6 mién (hod ché 46) bao héa, néu tng Vos thi dong Ip sé ting do higu img. s a) diéu ché mién nénb) diéu ché kénh din c) diéuché mien mang) dénh thing) ca 4 BS trén déu sai BMOT GV radé 18.Giting Qaang Vind Hé Trung My é thi VLBD-172_Dé 3 - Trang 4/4Pee eee eee eee ee ‘Dé thi tric nghigém Mén VAT LY BAN DAN - HK172 ‘Negay thi: 08/06/2018 ~ Thoi gian lam bai: 80 phist. inh vign khéng duge sit dung tai ligu va bat bude phai ndp Iai dé sau khi thi. Ho va tén SV: MSSV: Mas6 mén thi: BEIO13 Ma s6 dé thi: 0004 i Thdng 6 dhege sit dung trong cde edu hoi. Ky higu: = 1.6 x 10" C (din tich dign ti) * N-EMOS: MOSFET loai gidu kénh N = 11.9 x 8.85 x 10" Fem (hing s6 dién méi bin dan Si) | © P-EMOS : MOSFET loai gidu kénh P v, = kT iq = 0.026 V 6 T=300°K 2 DS [a vit tit cia “dap 36”. Chi §: «DB thi c6 50 cau, (Tra Idi 1 edu: ding duge 0.2 d, sai bj trir 0.1 d, va khOng tra loi: 0 d) ‘Néu khéng c6 ghi nhigt 46 dang xét thi T= 300 K. ‘Transistor (BJT hoge MOSFET) néu khéng cho V; thi hiéu V4= > V (hay 2 = 0) Véi BIT 6 tich oye thugn ta c6 Vnx(NPN) = Vir(PNP) = 0.7V (Si) va ta sé tinh gin diing f-= Jp. BIT & mién bao hia: Vo NPN)=Ve of PNP)=O.8V Va Vcr sag(NPN)=Vic:so PNP) 0.2. 1, Xét mét chu wyen iép PN (Si) duge phan cyc thudn bang nguén dng hing, khi nhiét 46 tang thi sut dp thudn trén chuyén tip PN a) khong d6i b) tang ©) tang it 4) giam: ) ca 4 DS trén déu sai 2. Khikédén Rs, fe tuyEn thug ei chuyen tp PN 38 so véi chuyén tiép PN ly tuémg a) dich len b)dich xuéng _ c) dich sang trai d) dich sang phai_¢) ca 4 DS trén déu sai 3. Xét dic tuyén that cua chuyén tiép PN, dong dign thang the 6 phn cy thufin quanh Von. a)dich | b)tdihgp sc) Khuéch tind) rd e) ca 4 DS trén déu sai ngugc cia chuyén tigp pn sé__* _khi nhigt 46 tang. a)khéng@dib) ting ©) tang it 4) gim €) ca 4 DS trén déu sai © Chuyén tiép PN - Théng tin cho 10 cu tiép theo (duge ding dé dénh gid ABET): Xt chuyén tigp pm (ding Si) khi chu & phan exe €6 cae ning d6 tap chat Na~ 6x10° 1x 10" cm”, chuyén tigp pn nay 6 em’ va Np = 3x10"° 2 a) 12 ©) ea 4 DS tren deéu sai 6. Dign dp ndi tai Vii la : a) 0.782 V b)0.794V ©) 0.782 V 0.778 V 8) ca 4 DS trén déu sai rng mién nghéo W a)3.31x10%cm — b)2.68x10°em_c) 2.45x10%cm —d)2.29x10"em —_e) ca. 4. DS tren déu sai 8. Trong mién nghéo, d6 In cia dign truimg cue dgi Ex la )6.52x10* Viem b) 6.71x10" V/cm) 6.93x10"V/em —d) 7.14x10" V/cm ¢) ca 4 DS trén déu sai ‘9. Néu phan eye nguge voi Vk =3 V thi bé rong, mign nghéo W mdi la a)4x 10%cm, b)S x10%cm —c) 6 x 10°cm 4)7 x 10%cm e) ca 4 DS trén déu sai 10, Néu phiin cwe nguge véi Ve =3 V thi chuyén tiép panay 6 dign dung mién nghéo Caep (F/em*) a) 1.82. 10* b)L.75x10% — ¢) 2.1010 4)242x10* — ¢) 44 DS ten déu sai 11, Xét phan cyte thugn sao cho dong thugn Ip = 4 mA, néu thai gian di qua chuyén tiép pn nay t= 15 ns, Khi 6 n6 c6 dign dung khuéch tan Cp 1a a) 2.93 nF b)2.73 oF ©) 252nF 4) 231 nF ©) ci 4 DS trén déu sai 12, Néu phin cue thudin sao cho dong thudin Ip = 4 mA, thi chuyén tiép pn nay 06 dign tro AC (re) 8.22 b) 7.32 ©) 652 4) 5.22 ¢) ca 4 DS trén déu 13, Cho mach 6 hinh 1 véi ¥; = hing (Vow = 0.7 V) 48 xc dinh Jy va Vy trong mach a) fy= SmA va Ve =7V 4) fy =5 mA va Py =8.7V 14, Gho mach én 4p 6 hinh 2 véi Vs= 8 V, R= 100 2 va Zener 66 V2= $V, lzmn= 7 MA Va Lzmax 20 MA. ‘BE cho mach van cdn én dp thi dién tr tai Ry, pha thuge dai gid tri (xdp xi): LIV Dé thi VLBD-172_Bé 4 — Trang 1/4a) 1252>Wn —d).We< Wn ¢) ca 4 DS trén déu sai 22. Xét BIT npn 6 ché d6 tich cuc thud, khi nhiét 46 tang thi Io a) khong __ >) gidm phan nia —c) gidm d) ting e) ca 4 DS trén déu sai 23. Trong BIT, ndng 46 tap chat Ion nhat & mién a) mang (drain) b) thu (collector) ‘c) nén (base) 4) phat (emitter) 24, Xét BIT pnp & ché 9 tich cue thusn, dong dign thu (Ic) chit yéu do___tao than ab ign tte ionduong dion 2) ca 4 DS trén du sai 25, Trong img dung BJT lam khéa dign tir, ngudi ta thong sit dung BJT voi cduhinh mac __. a)CB bcc ©) CE acs e) ca 4 DS ten du sai 26. Véi cing mét BJT npn, ta cé quan hé dign ap danh thing: BVcgo BY ceo. a) nhé hon b) lin hon ©) bing d)gap doi) 4 DS trén déu sei & BJT (10 cau ké duge ding dé dinh gid ABET) 27, Xét BIT npn véi cae tham s6 sau: Naw= 10" cm™, Now= 1-5x10"%em?, Dp = 2Dy, Wy = 120nm, va Ly= n= lum. BIT nay o6 higu suat phat % la a) 0.9995 b) 0.9991 ©) 0.9987 4) 0.9984 €)4 DS wren déu sai Dé thi VLBD-172_Dé 4 - Trang 2/428, Xét BIT o mién tich cue thuan 6 I= 15 mA va Ja = 0.2 mA thi BIT nay 06 oF li a) 65/66 b) 70/71 ©) 75/76 4) 80/81 €)4 DS trén déu sai 29, BIT npn duge phan cuc véi Vey =-0.7 V va Ver =0.5 V. Nhu vay BIT nay dang @mién a) tit ) bao ha ©)tich cuc thugn — d) tich ewe nguge _¢) 4 DS wen déu sai 30. Xét BIT npn & mien tich cue thugn e6 J¢= 2x 10VA va Vax = 0.62 V, khi d6 dong Ic la a) 4.12mA b) 4.54mA. ¢) 4.71 mA, 4) 4.93 mA e) 4 DS wén déu sai Ve Ve fe 5! Z “aay Ry Re Re ot TAL Ry Re 7 Lp 377 tah : na oh Y vv Ve Hin S Hinh 6 Hinb 7 Hinh 8 31. Mach hinh 5, diém Q cia BIT la Voeq = 12 V, leo = 4 mA, va B = 100. Voi digu kign nay, céc gid tr} ita ca dign tro Re Va Ra 18 (gid stt Veeg = 0.7 V) : 8) 3.6kQ2 va 375KOQ_b)3.2KO va427KA c) 2.8K va 4SOKA d) 2.42 vA 466 KA €) 4 DS tren déu sai 32. Mach & hinh 6 véi Vee = 9 V, Re= 100.0, Ro= 1 KQ, Rr = 75 KO, Re=25 KO, va B= 100. BIT duge phan eye véi (ica, Veg) lé : a)(5.21mA, 3.7V)_ b) (4.96mA, 3.42V)_c) (5.39mA, 3.07V) _4)(5.71mA, 2.95V)_€) 4 DS trén déu sai 33. Xét BIT npn (c6 B= 100) 6 ché dé tich cye thudn vai [= 12.5 mA , khi do hO dan gn Va re (=hye) l= a)0.4SvA187Q —b)0.5SvA20BN —c)0.6Sva247N_—d)0.7Sva215SQ_—_&) 4 DS tren déu 34, Xét BIT €6 fr= 250 MHz va Cy= 4G, , BIT nay duige phan cye véi log = 2.75 mA. BIT nay c6 Cyl a) = 381 pF b) =472 pF c) = 560 pF d) ~610 pF ¢) 4 DS trén déu sai 35, Mach ¢ hinh 7 véi R= 253 Q, BT c6 A =100, ngudi ta muén LED tit khi V;, = OV va LED sang véi Tipp = 1S mA Va Vizp = 2 V khi Vn = 6V. DE LED séng voi BIT 6 ché d bao hoa thi gid tr cia R a) <25KQ. b) <28KQ °) <31KQ d)<34KQ €) 4 DS trén déu sai 36. Mach guong dong dign & hinh 8 v6i Vor = 4 V, Vax = 2 V va céc BIT c6 cing Vacy= 0.7, Vaz =, B= 100. Gia sit ca 2 BUT c6 cing dac tinh, Mach o6 Jy = 2.5 mA thi phai dimg tai Ri (Rr 2 0) c6 gid tri la a)R,<17432 —b) R<1958Q_—c) R<2163Q_— 4) R<2366Q —_&) 4 DS tren déu sai 37. Xét BIT npn (mic CE duge phin cue & ché 46 khuéch dai) khi Vce ting thi bé rong mign nén trung hoa (Wan) a) khong doi b) giam ) tang 4) tang gip d6ie) ca 4 DS trén deu sai 38. Mét BIT dang cé Je va Jc déu duge phan cyc thudn, BJT dang & ché a6 a) tit b) tich cue thuén —¢) ticheye nguoe —d) bao hoa ©) 4 BS trén déu sai 39. X€tN-EMOS dang hoat dong nhu dign trd (Rox) de diéu khién bing 4p, khi tang Vos a)khéngxéc dinh 6) khong dic) tang 4) gidm €) cd 4 BS trén déu sai 40. XétN-EMOS 6 mién (hode ché 46) bao hoa, néu nhigt 46 giam thi dong Jy, i a) gidm phan nitab) gim ©) ting 4) tang gip die) 4 BS tren déu sai % MOSFET (8 cau ké durgc ding dé dinh gid ABET) 41. N-EMOS 6 Viy = IV, ngudi ta do duge céc dign thé tai G, S va D so véi dat la: Ve=: ¥,,= O.SV trong mgch thi MOSFET hogt dong & mién a) b) triode c) bao hoa =) Banh thing ©) 4 DS trén déu sai 42. Ding N-EMOS cé Vay = 1 V lim dign tro duge diéu khién bang 4p, néu Vos= 2 V thi Ros= 5000; néu Ves 6V thi Ros Ia H a) 1502 by 125 ©) 100.9 4759 €) 4 BS tren du sai 43., Mach hinh 9 66 V6 V, Viw= LV, HaCoeWIL = 0.5 mA/V?, va Ry = | kG. MOSFET hoat dng & mién V, Vs=—1V, va Bé thi VLBD-172_Dé 4 — Trang 3/4a) inh thing —_b) triode c)baohda dy tit €)4 BS trén déu sai 44, Mach hinh 9 6 Viny= 6 V, Vin= IV, tlpCoxW/L = 0.5 mA/V?, vi Ry = 1 KO. Khi 46 06 Ip vi Fos 1b a)4.5mA va L.5SV b)3.8mA va2.7V c)2.7mA va3.3V_ d)2.1mA va3.9V_ e) 4 DS trén déu sai 45, Mach & hinh 10 cd Vigo = SV, Ry = 150 kQ, Ry = 100 kQ, Ry = 400 2, R= 0, Voy = 1.5V, va HyCoxW/L= 2 mA/V? . MOSFET nay c6 diém tinh (log, Vosy) xdp xi I a)ImAva38V — b)I.SmA va4.2V 6)0.25mA va4.9V d)0.3IMA va4.7 VV ¢)4 DS trén dee sai 46. Mach & hinh 10 6 Yoo = SV, Ry = 150 kQ, Ry = 100 kQ, Ru = 400 Q, Re 0.2, Viw = 1SV, va HgCoxW/L= 2 mA/V?, MOSFET nay 06 hd dn gn li 2)0.001 S b) 0.002 S ©) 0.003 4) 0.004 § €)4 DS trén déu sai 47. Xét N-EMOS 6 min bio hda, 06 Vi = 1 V, HaCorW/L = 2 mAV?, Vis=2 V va Vy =125 V >> Vos. Khi 45 N-EMOS c6 dign tro ra ro 1& a) 178 kQ b) 150kQ ¢) 125k. d) 100 kQ ©) 4 DS trén déu sai 48, Hinh 11 ld mach guong dong dign voi M1 va M2 c6 cdc tham $6: 3(JtgCox)sai = 2(UnCondve 5 Vinau=Vowaes Aai=Aug=0. Mudn c6 fz = 37 thi ngudsi ta cn ché tao (W/L)sa2/(W/L)yai bing, a3 b4 oS 6 €) 4 DS trén déu sai Yoo Yoo ® te Ro “3 . M4 M2 oe Hinh 11 BM OT . 78 Guang Deng Vinh Dé thi VLBD-172_é 4 ~ Trang 4/4