1) Quy trình chế tạo silicon diaphragm microvalve

FIGURE 1:VI VAN MÀNG CHẮN SILICON

Bước (a): Tạo trụ Silic (Si Pillar) và vùng lõm (Recess)
Bắt đầu: Sử dụng đế silicon (Silicon) loại P type, có điện trở suất từ 1-10 ohm-
cm.
Tạo lớp cách điện: Oxy hóa nhiệt đế silicon ở nhiệt độ cao (1050°C) để tạo một
lớp silicon dioxide (SiO2) dày khoảng 100nm. Lớp SiO2 này đóng vai trò như lớp
cách điện và bảo vệ bề mặt silicon trong các bước tiếp theo.
Lắng đọng và tạo hình lớp nitride: Lắng đọng một lớp silicon nitride (Si3N4)
dày 100nm lên trên lớp SiO2 bằng kỹ thuật lắng đọng hơi hóa học (Chemical Vapor
Deposition - CVD) ở nhiệt độ 800°C. Lớp Si3N4 này đóng vai trò là lớp mask cứng
cho quá trình khắc tiếp theo.
 Quang khắc 1: Sử dụng kỹ thuật quang khắc (photolithography) để tạo hình ảnh
của các trụ silicon và vùng lõm trên lớp Si3N4.
Khắc Plasma lớp Si3N4: Loại bỏ phần Si3N4 lộ ra sau khi quang khắc bằng kỹ
thuật khắc plasma, sử dụng khí CF4. Bước này tạo ra mask cứng trên lớp SiO2.
Khắc Plasma lớp SiO2: Tiếp tục sử dụng kỹ thuật khắc plasma, sử dụng khí CF4
để loại bỏ phần SiO2 lộ ra sau khi khắc lớp Si3N4.
Khắc sâu lớp silicon: Sử dụng kỹ thuật khắc ion phản ứng (RIE) để tạo ra các trụ
silicon (Si Pillar) và vùng lõm (Recess) với độ sâu mong muốn (khoảng 1.2µm) trên
bề mặt silicon. Khí được sử dụng trong bước này là SF6.
Bước (b): Oxy hóa nhiệt (Thermal Oxidation)
Phủ một lớp silicon dioxide (Oxide) dày 2µm lên toàn bộ bề mặt bằng phương
pháp oxy hóa nhiệt ở 1050°C. Lớp Oxide dày này giúp tạo ra một bề mặt phẳng cho
các bước chế tạo tiếp theo.
Bước (c): Lắng đọng TEOS Oxide
Loại bỏ lớp Si3N4: Loại bỏ lớp Si3N4 bằng axit phosphoric nóng (H3PO4).
Lắng đọng TEOS Oxide: Lắng đọng một lớp silicon dioxide (TEOS oxide) dày
1µm lên trên lớp oxide trước đó bằng phương pháp CVD sử dụng TEOS (Tetraethyl
orthosilicate). TEOS oxide có ưu điểm là dễ dàng khắc hơn so với oxide nhiệt.
Bước (d): Khắc RIE lớp Oxide
Quang khắc 2: Sử dụng quang khắc để tạo hình ảnh vùng cần loại bỏ lớp TEOS
oxide, để lộ bề mặt silicon ở rìa của vi van.
Khắc Plasma TEOS Oxide: Sử dụng kỹ thuật khắc ion phản ứng (RIE) với khí
CF4 để loại bỏ lớp TEOS oxide ở những vùng được xác định bởi quang khắc. Bước
này tạo ra vùng neo cho lớp Polysilicon.
Bước (e): Lắng đọng Polysilicon lớp 1 (Poly 1)
Lắng đọng lớp polysilicon đầu tiên (Poly 1) dày 3µm lên toàn bộ bề mặt bằng
phương pháp CVD ở 620°C.
Mài phẳng (Chemical Mechanical Polishing - CMP): Sử dụng CMP để tạo ra bề
mặt phẳng cho lớp polysilicon.
Bước (f): Lắng đọng Polysilicon lớp 2 (Poly 2)
Lắng đọng lớp polysilicon thứ hai (Poly 2) dày 3µm lên trên lớp Poly 1, bao phủ
toàn bộ cấu trúc, bằng phương pháp CVD ở 620°C.
Bước (g): Khắc RIE Poly 1 và Poly 2
 Oxy hóa nhiệt: Oxy hóa nhiệt tạo một lớp SiO2 mỏng (~100nm) lên trên bề mặt
polysilicon.
Lắng đọng và tạo hình lớp Nitride: Lắng đọng một lớp Si3N4 dày 100nm lên
trên lớp SiO2, sau đó sử dụng kỹ thuật quang khắc và khắc plasma để tạo hình ảnh
của các chi tiết trên lớp Si3N4.
Khắc RIE lớp Polysilicon: Sử dụng RIE với khí SF6 để loại bỏ lớp Poly 1 và
Poly 2 ở những vùng không cần thiết, tạo hình dạng 3D của vi van, bao gồm màng
chắn (Poly 2), khoang chứa (Poly 1), các chân đỡ và các kênh dẫn.
Bước (h): Hoàn thiện vi van
Lắng đọng và tạo hình lớp Nitride: Lắng đọng một lớp Si3N4 dày 2µm lên cả
hai mặt của wafer. Sau đó sử dụng quang khắc và khắc plasma để tạo hình ảnh cho
mặt sau của wafer.
Khắc ướt tạo cổng vào và ra: Sử dụng dung dịch KOH (40%) để khắc ướt mặt
sau của wafer, tạo ra các cổng vào (Inlet) và cổng ra (Outlet) cho vi van. Lớp Si3N4 ở
mặt trước bảo vệ vi van trong quá trình khắc ướt.
Loại bỏ lớp hy sinh: Loại bỏ lớp SiO2 hy sinh bằng axit flohydric (HF) đậm đặc
(48%) để giải phóng cấu trúc vi van polysilicon.
Kết quả:
Quy trình trên tạo ra một vi van silicon với màng chắn linh hoạt (Poly 2) nằm
trên khoang chứa (Poly 1). Khi áp suất bên trong khoang thay đổi, màng chắn sẽ uốn
cong, cho phép hoặc ngăn chặn dòng chảy qua van.
2) Chức Năng và Ứng Dụng
Chức năng: Vi van màng chắn silicon hoạt động dựa trên nguyên lý uốn cong
màng chắn. Khi áp suất đầu vào đủ lớn, màng chắn (Poly 2) bị uốn cong lên, mở van
cho phép dòng chảy đi qua. Khi áp suất giảm, màng chắn trở về vị trí ban đầu, đóng
van.
Ứng dụng: Vi van này có thể được tích hợp vào các hệ thống vi lưu
(microfluidic) như:
Vi bơm (micropump): Điều khiển dòng chảy trong vi bơm.
Vi thiết bị phân tích (microfluidic analytical devices): Điều chỉnh và kiểm soát
dòng chảy mẫu trong các thiết bị phân tích.
Vi thiết bị y sinh (biomedical microdevices): Kiểm soát dòng chảy thuốc, chất
lỏng sinh học trong các thiết bị y tế.
 Cấu
Cấu trúc (Hình 2):
Figure 2:mặt cắt ngang Figure 3:Dòng chất lỏng chảy qua van dưới áp suất thuận

Vi van bao gồm ba lớp chính:

1. Lớp trên cùng (Poly 2):
o Được làm bằng polysilicon.
o Tạo thành cầu nối đóng van (valve closure bridge) có chứa lỗ vào (inlet
aperture) hình vuông.
2. Lớp giữa (Poly 1):
o Cũng được làm bằng polysilicon.
o Bao gồm tấm van di chuyển được (movable valve plate) được nâng đỡ
bởi bốn chân đỡ linh hoạt (supporting arms).
o Chất lỏng có thể chảy qua các kênh dẫn (passages) xung quanh các chân
đỡ này trong quá trình hoạt động.
3. Lớp đế (Silicon Substrate):
o Là đế silicon.
o Chứa lỗ ra (outlet aperture) được bao quanh bởi các trụ silicon (silicon
pillars).
 o Các trụ silicon đóng vai trò là điểm dừng cho tấm van khi nó bị uốn con
g xuống dưới.
Cả hai lớp polysilicon (Poly 1 và Poly 2) được neo cố định vào đế silicon ở rìa ngoài
của vi van. Các thông số kích thước cụ thể của vi van được trình bày trong Bảng 1 củ
a tài liệu.
Cơ chế hoạt động:
 Dòng chảy thuận (Hình 3):
o Khi áp suất được áp dụng từ lỗ vào, tấm van ở giữa (Poly 1) sẽ bị uốn co
ng xuống dưới.
o Chất lỏng đi vào qua lỗ vào trên cầu nối (Poly 2), sau đó chảy qua các kê
nh dẫn xung quanh chân đỡ và cuối cùng thoát ra ngoài qua lỗ ra trên đế
silicon.
o Các trụ silicon ngăn tấm van đóng kín hoàn toàn lỗ ra, đảm bảo dòng chả
y không bị tắc nghẽn ở áp suất cao.
 Dòng chảy ngược (Hình 4):
o Khi áp suất được áp dụng từ lỗ ra, tấm van sẽ bị nâng lên và ép chặt vào
cầu nối đóng van.
o Lỗ vào bị bịt kín, ngăn chặn dòng chảy ngược.
Điểm đặc biệt:
Vi van này được thiết kế để mở khi tấm van uốn cong về phía đế silicon, ngược lại s
o với các thiết kế vi van truyền thống, thường mở khi tấm van bị uốn cong lên trên.
Thiết kế này mang lại lợi ích cho việc tích hợp vi van vào các hệ thống vi lưu, đặc biệ
t là vi bơm, giúp đơn giản hóa quy trình chế tạo.
Tóm lại, phần 2 của tài liệu cung cấp thông tin chi tiết về thiết kế và cơ chế hoạt động
của vi van màng chắn silicon mới, làm nổi bật sự khác biệt và ưu điểm của nó so với
các thiết kế truyền thống.
Tài liệu tham khảo
https://www.researchgate.net/figure/Microvalve-fabrication-
process_fig5_233764969