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Si 功率元件基礎

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－ 目錄 －
前言 .................................................................................................................................................................. 1

1. Si 二極體 ...................................................................................................................................................... 1
1.1 Si 二極體的分類 .......................................................................................................................... 1
1.2 二極體的電氣特性 ...................................................................................................................... 2
1.2.1 靜態特性 ................................................................................................................... 2
1.2.2 動態特性 ................................................................................................................... 2
1.2.3 二極體的主要特性和最大額定值 .............................................................................. 2
1.2.4 整流二極體比較 ........................................................................................................ 3
1.3 Si 蕭特基二極體（SBD） ............................................................................................................ 4
1.3.1 Si SBD 的特點 .......................................................................................................... 4
1.3.2 Si SBD 的熱失控 ....................................................................................................... 5
1.3.3 基於 VF 和 IR 特性的應用示意圖 ............................................................................. 5
1.4 快速恢復二極體 .......................................................................................................................... 6
1.4.1 FRD 的特點 ............................................................................................................... 6
1.4.2 FRD 的雜訊 ............................................................................................................... 7
1.4.3 基於 trr 和 VF 特性的應用示意圖 .............................................................................. 8
2. Si 電晶體 ...................................................................................................................................................... 8
2.1 Si 電晶體的分類 .......................................................................................................................... 8
2.2 Si 電晶體的特點 .......................................................................................................................... 8
2.2.1 Si 雙極電晶體的結構、工作原理和主要特性 ............................................................. 9
2.2.2 Si MOSFET 的結構、工作原理和主要特性 ............................................................... 9
2.2.3 Si IGBT 的結構、工作原理和主要特性 ................................................................... 10
2.2.4 Si 電晶體的基本工作特性比較 ................................................................................ 11
3. Si MOSFET ................................................................................................................................................ 11
3.1 Si MOSFET 的寄生電容 ............................................................................................................ 11
3.1.1 Si MOSFET 寄生電容的溫度特性 ........................................................................... 12
3.2 Si MOSFET 的開關特性 ............................................................................................................ 13
3.2.1 Si MOSFET 開關特性的溫度特性 ........................................................................... 14
3.3 Si MOSFET 的閘極閾值 ............................................................................................................ 15
3.3.1 Si MOSFET 的閘極閾值與 ID-VGS 特性 .................................................................... 15
3.3.2 Si MOSFET 的閘極閾值與 ID-VGS 特性的溫度特性 ................................................. 15
3.4 Super Junction MOSFET .......................................................................................................... 16
3.4.1 功率電晶體的特點和定位 ....................................................................................... 16
3.4.2 Planar MOSFET 和 SJ MOSFET ............................................................................ 16

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4. 實際工作中的電晶體適用性確認 ................................................................................................................ 17
4.1 實際工作中的電晶體適用性確認流程 ....................................................................................... 17
4.1.1 ① 測量實際的電流和電壓波形 .............................................................................. 18
4.1.2 ② 確認在絕對最大額定值範圍內 ........................................................................... 19
4.1.3 ③ 確認在 SOA（安全工作區）範圍內 .................................................................. 19
4.1.3.1 什麼是“SOA 損壞”？ .......................................................................... 20
4.1.4 ④ 確認在使用環境溫度降額的 SOA 範圍內 .......................................................... 20
4.1.4.1 什麼是“SOA 降額”? ............................................................................ 21
4.1.5 ⑥ 確認平均功耗在額定功率範圍內 ....................................................................... 22
4.1.5.1 開關動作時的平均功耗求法 ................................................................. 22
4.1.6 ⑦ 確認晶片溫度 .................................................................................................... 24
4.1.6.1 晶片溫度的計算 .................................................................................... 24
4.1.6.2 透過 Tc 求 Tj 的方法 ............................................................................. 25
總結 ................................................................................................................................................................ 25
<附錄> MOSFET 規格相關術語 ..................................................................................................................... 26

修訂記錄 ......................................................................................................................................................... 28

注意事項 ......................................................................................................................................................... 29

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Si 功率元件基礎

前言

近年來，為了要實現大功率而採用低損耗的二極體和電晶
體等 Discrete 元件（Discrete 半導體）備受矚目，“功率元
件”或“功率半導體”等名詞已經成為眾所周知的詞彙。這是
因為要想解決全球面臨的 “節能化”和“小型化”課題，必然
需要更高效率、更高性能的功率元件。

然而，最近經常聽到的“功率元件”，具體是基於怎樣的定義
來分類的呢？其實目前尚無明確的分類，不過大致上可以
分為進行高電壓大功率 AC-DC 轉換或功率開關的二極體
和 MOSFET、以及模組化之後用於電源輸出級的功率模組
等類別。
提到功率元件，像 SiC（碳化矽）這樣的新世代材料已經
備受關注，但目前佔有很大市場佔有率並覆蓋廣泛應用領
域的傳統 Si（矽）功率元件的性能提升也十分令人矚目 。
本手冊將為您介紹被歸類為“功率元件”的 Si 二極體和 Si 電
晶體的基礎知識。
圖 1. 功率元件封裝示意圖
1.1 Si 二極體的分類
在對 Si 二極體進行分類時，分類方法會因分類目的而異。
在這裡，大致將其分為整流二極體、齊納二極體和高頻二
極體三類。其中，以整流為主要目的、主要被用於功率轉
換等應用的二極體又可細分為：一般的通用整流用二極體、
以開關為前提的高速整流用二極體、超高速整流用的快速
恢復型二極體、以及同樣具有高速特性和低 VF 特點的蕭
特基二極體，後續將會分別對它們進行介紹。

使用 Si 半導體材料的二極體和 MOSFET 種類繁多，其耐 雖然我們對二極體進行了這樣的分類，但原則上，無論哪

壓能力和電流範圍也各不相同。在本手冊中，主要圍繞電
源應用領域的產品進行介紹，Si 二極體主要介紹蕭特基二
極體（SBD）和快速恢復二極體（FRD）
；Si 電晶體主要介
紹其分類和各類產品的特點，其中會重點介紹高耐壓的 SJ
MOSFET（Super Junction MOSFET）。
類二極體都是由陽極和陰極構成的元件，其本質功能和特
性項目（而非數值）基本相同。那麼，不同種類的二極體
之間有什麼區別呢？答案應該是“部分電氣特性根據不同
應用需求進行了優化。”

另外還會介紹根據電路的要求規格選擇電晶體時的步驟和
判斷方法，並介紹一些利用了 Si 二極體和 Si 電晶體特性
和特點的應用案例。

1. Si 二極體

本章將透過 Si 二極體的分類及其電氣特性、以及對各種二
極體的比較等方式來介紹 Si 二極體的基礎知識。

圖 2. Si 二極體的分類範例

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1.2 二極體的電氣特性
1.2.1 靜態特性
圖 3 表示二極體的靜態特性。二極體的靜態特性主要涉及
到順向電壓 VF、順向電流 IF、反向電壓 VR 和反向電流
IR 這幾個項目。圖 3 中橙色虛線包圍的區域是整流二極體
會用到的區域。具體而言就是順向可以使用的 IF 範圍以及
反向尚未引起崩潰的區域。另外，綠色虛線包圍的區域不
在本手冊的物件範圍內，而是齊納二極體要用到的區域。
普通的二極體並不使用該區域，如果不限制 IR 而進入該區
域，可能會導致元件損壞。
圖 3. 二極體的靜態特性
1.2.2 動態特性
二極體的動態特性主要涉及反向恢復時間 trr 和電容 Ct 這
兩個項目。
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trr 是指從順向施加電壓、順向電流 IF 流動的狀態，到電壓
向反向變化時流動的反向電流 IR 恢復至穩定狀態（基本為
零）所需的時間。如圖 4 上半部分所示，當從 IF 流動的導
通狀態變為關斷狀態時，理想的情況下 IF 應即刻變為零。
然而，實際上會越過零，導致瞬間流過反向電流 IR，trr 也
隨之恢復為零。可以說 trr 越短，特性越好。
電容 Ct 是指二極體自身的寄生的電容，可以帶來與電容器
相同的效果。如圖 4 下半部分所示，在二極體導通和關斷
（ON/OFF）之際，如果 Ct 過大，波形曲線就會變得比較
鈍，在某些情況下，受時間常數的影響，在達到施加電壓
之前就會進入關斷動作，有時可能會引發問題。在高速開
關電路中，最好採用 Ct 較小的二極體。
圖 4. 二極體的動態特性
1.2.3 二極體的主要特性和最大額定值
下面總結了上述二極體的各個特性和主要的最大額定值。
最大額定值列出了連續施加和瞬間施加的電壓和電流，以
及溫度相關的專案。關於“瞬間”的定義，請參考技術規格書
中的相關描述，如果無明確描述，需要向製造商確認。在
二極體的實際選型和使用過程中都需要參考這些參數，所
以這些也是必須要瞭解的參數。
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●二極體的典型電氣特性 通用開關型二極體，顧名思義，主要用於電源的切換（開
VF：順向電壓 關）等應用。VF 基本上與通用整流型二極體處於同等水
IR：反向電流（漏電流） 準。因為主要用於開關應用，所以 trr 比通用型二極體更
Ct：電容 快。但是，其速度不如蕭特基二極體和快速恢復二極體；
trr：反向恢復時間 與通用整流型二極體相比，其開關速度更快。

●最大額定值：即使一瞬間也不能超過的條件 蕭特基二極體（以下簡稱“SBD”）使用的不是 PN 接合，

・連續施加 而是由金屬-半導體 例如和 N 型 Si 接合形成的蕭特基
Io：平均整流電流 （位障）。與 PN 接面二極體相比，蕭特基二極體
VR：直流反向電壓 （SBD）具有 VF 更低、開關特性更快的特點。但是，其
・僅瞬間施加 反向漏電流 IR 較大，在某些條件下會導致熱失控，需要
IFSM：突波電流 格外注意。關於 VF，即使流經高達諸如 10A 的大電流，
VRM：最大反向電壓 VF 值也僅為 0.8V 左右；如果流經幾 A 的電流，VF 值只
・工作溫度範圍 有 0.5V 左右。因此，其典型用途是用於追求高效率的
Tj：接面溫度（内部晶片溫度） DC-DC 轉換器或 AC-DC 轉換器的二次側。
・產品保存環境
快速恢復二極體（以下簡稱“FRD”）是 PN 接面二極體，
Tstg：保存溫度範圍
是 trr 得到顯著改善的高速二極體。另外，SBD 的耐壓
1.2.4 整流二極體比較 （反向電壓 VR）通常在 200V 左右，而 FRD 的耐壓能力
可以高達 800V。不過，其 VF 通常高於通用整流型二極
如“1.1 二極體的分類”中的圖 2 所示，整流二極體可以分
體。對於高耐壓和大電流規格的產品而言，其標準 VF 值
為通用整流用、通用開關用、蕭特基二極體和快速恢復二
為 2V 左右。近年來，VF 值更低的產品也在不斷增加。
極體四種。表 1 中總結了這四種整流二極體的特點。
由於其耐壓高、速度快的特點，FRD 多被用於 AC-DC 轉
類型 特徵 VF IR trr 價格 適合應用
一般整流
換器和逆變電路等應用中。
通用整流 通用 × ○ × ○
電源的反接保護
單純的開關用
通用開關 開關用 × ○ △ △
微控制器週邊開關 圖 5 和圖 6 是上述內容的圖示。另外，二極體的特性並
蕭特基 高 速 ( ～ 200V) DC-DC 轉換器
SBD 低 VF
○ × ○ ×
AC-DC 轉換器(二次側) 不僅限於這四種二極體所具備的特性，後面還列出了 Si
快速恢復 AC-DC 轉換器
FRD
高速(～200V) × ○ ○ ×
逆變器電路 二極體的基本溫度特性（圖 7）。

從圖 5 可以看出，與其他三種二極體相比，SBD 的 VF 更
表 1. 整流二極體的分類和特點
低，IR 更大。
通用整流二極體主要用於一般的整流，即將交流電整流為
直流電的應用中。橋式二極體是整流用的二極體組合。另
外，在電源或電池反接時，還可防止流過過電流，從而起
到保護作用。順向電壓 VF 會因流過的順向電流 IF 而有
所不同，通常為 1V 左右。這是矽 PN 接面二極體常見的
VF 值。反向恢復時間 trr 是以 50Hz/60Hz 的商用電源的
整流為前提的，因此基本上不需要太快。

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<反向> <正向>
其他 Di 1.3 Si 蕭特基二極體（SBD）

本節將介紹 Si SBD 的特點和應用。

1.3.1 Si SBD 的特點

如在 1.2 節所提到的，Si SBD 不是 PN 接合，他是利用 Si

與被稱為“蕭特基位障金屬”之金屬之間的接合（蕭特基接
合）所形成的蕭特基位障。Si SBD 的特性會因位障金屬的
圖 5. SBD 與其他二極體的電流-電壓特性比較 種類而異。另外，其特性不同，應用方向也不同。下表中
匯總了位障層金屬的特點及其適合的應用。表中標有“×”的
從圖 6 可以看出，與其他兩種二極體相比，SBD 和 FRD
項目，請理解為：與其他類型的產品相比，該特性較差、
的 trr 要快得多，而且 trr 之間流動的 IR 值越大，損耗越
不適合用於注重該特性的應用。
大。
金屬 VF IR trr 高溫環境 適合應用
<順向> <反向> 超低 VF 金屬 A ◎ × ○ × 電池控制
下沖對策
低 VF 低 IR
金屬 B ○ △ ○ △ DC-DC 轉換器
（平衡型）
超低 IR 金屬 C △ ○ ○ ○ 高溫環境（例：車載）
面積＝損耗 其他二極體 無 × ◎ × ◎ 通用

時間 位障層金屬

* SBD 的特性因位障層金屬
高速 Di 晶片（Si） 的種類而異。

其他 Di 表 2. Si SBD：各種阻擋層金屬的特點及其適合的應用

使用金屬 A 作為位障層金屬的 Si SBD，具有 VF 非常低的

圖 6. SBD 和 FRD 與其他二極體的 trr 特性比較
特點，但其反向漏電流 IR 比使用其他材料的要大。因此，

圖 7 表示 Si 二極體的基本溫度特性，從圖中可以看出，在 其發熱量較大，不適用於環境溫度較高的使用條件，存在

高溫狀態下，其 VF 下降，IR 升高。 容易導致熱失控的問題，這點後續會進行詳細說明。在應

用時，因為其 VF 較小，導通損耗少，壓降較小，所以適合
<反向> <順向> 用於電池驅動的電路。
高溫 低溫
使用金屬 B 的 Si SBD，是 VF 和 IR 的平衡型產品，多被
用於 DC-DC 轉換器電路。

使用金屬 C 的 Si SBD，其 IR 非常低，發熱量也很少，因

此適合在高溫條件下使用。從這一點來看，這種產品非常
適用於車載設備。

“其他二極體”是指通用整流用的 PN 接面整流二極體，其
圖 7. Si 二極體的基本溫度特性
IR 值很小，大多情況下可以忽略不計。與之相比，Si SBD

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的 IR 值則處於需要確認和考量的水準。這也是使用 Si SBD
時的注意事項。
下面我們用圖片來展示表 2 中用○和△表示的 Si SBD 的
各種特點。例如金屬 A，從 IF-VF 特性圖（圖 8）可以看
出，其 VF 非常低，但 IR 很高；從 IR-VR 特性圖（圖 9）
可以看出，其 IR 很高，但 IR 隨著 VR 的升高而增加的變
化趨勢與其他金屬一樣；從 IR-VF 特性圖（圖 10）可以看
出，其 IR 很高，但其 VF 低於其他金屬，並且其 IR 越大，
VF 越小。
其他 Di
圖 8. 不同位障層金屬帶來的 IF-VF 特性差異
其他 Di
圖 9. 不同位障層金屬帶來的 IR-VR 特性差異
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其他 Di
圖 10. 不同位障層金屬帶來的 IR-VF 特性差異
1.3.2 Si SBD 的熱失控
使用 Si SBD 時，熱失控是一個非常重要的考慮因素。熱
失控是二極體的 Tj 超過其最大額定值、嚴重時可能會導致
損壞的一種現象。如前所述，Si SBD 的 IR 帶來的損耗是
不容忽視的。發熱量是 VR 與 IR 的乘積，也就是反向電壓
和反向電流造成的功率損耗乘以熱阻所得到的值。這與常
見的發熱量計算方式相同。在這裡給出的範例中，使用 IR
最大的金屬 A 的 SBD 在發熱量方面表現最差。另外，IR
有隨著 VR 的升高而升高的傾向（圖 9）
，而且具有隨著溫
度的升高而增加的正溫度特性（參考圖 7）
。這些特點會導
致熱失控狀態：因自身發熱（或環境溫度上升）致使 Tj 上
升，IR 增加，進而發熱量進一步增加，IR 進一步升高。為
了防止熱失控，即使存在因各種條件而導致的發熱現象，
也必須進行使其充分散熱的熱設計。以下是有關熱失控的
關鍵要點。
1.3.3 基於 VF 和 IR 特性的應用示意圖
圖 11 是根據 Si SBD 的 VF 和 IR 特性劃分的應用示意圖，
希望能夠成為您在產品設計時的元件選型參考。但是，必
須根據設計規格和實際使用條件考量產品的適用性。
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該特性較差、不適合用於注重該特性的應用。
圖 11. Si SBD：基於 VF 和 IR 特性的應用示意圖

＜總結＞
 Si SBD 的特性會因位障層金屬而異。
tr
VF IR 高溫環境 適合應用
 需要注意 Si SBD 的 IR 處於不可忽視的水準。 r
超高速 × ◎ ○ ○ PFC（連續模式）
 因有導致熱失控的可能性，所以需要進行充分的熱設計 高速且低 VF
△ ○ ○ ○ 通用
（平衡型）
和驗證。 超低 VF ○ △ ○ ○ PFC（臨界模式）
其他二極體 ◎ × ○ ○ 橋式二極體
1.4 快速恢復二極體（FRD）
FRD 特性因晶片內擴散的雜質而
本節將介紹 FRD 的特點、特性、特性改善以及應用相關 異

的內容。
1.4.1 FRD 的特點
FRD 是由 Si 的 PN 接面所構成的二極體，其 trr 非常快，
但通常 VF 值偏高。例如，通用 10A 級的 FRD，其 VF
值通常在略小於 2V 的程度。這是因為 trr 的高速性與 VF
之間存在權衡關係。不過，目前已經開發出 VF 值大幅降
低的產品，使用者可以根據應用需求選擇最合適的
FRD。
表 3 中總結了不同 FRD 類型的特點及其適合的應用。表
中標有“×”的項目，請理解為：與其他類型的產品相比，
表 3. FRD：不同類型的特點及其適合的應用
超高速型 FRD 的 VF 較高，但其 IR 較低，因此損耗很低，
適合連續模式的 PFC（功率因數校正）應用。
高速且低 VF 的平衡型 FRD，其通用性非常高，可以在各
種應用中發揮 FRD 的高速優勢。
超低 VF 型 FRD 的 IR 特性略差，但因其 VF 非常低而能
夠降低導通損耗，所以適合峰值電流較大的臨界模式 PFC
應用。
從圖 12 的圖表中可以看出，VF 和 trr 之間存在著權衡關

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係。橙色線表示 VF 低但 trr 長、其間的 IR 大的 FRD。紅
色線所代表的 FRD 的特性則與其相反。透過圖 12 可以看
出這樣的權衡關係：速度越快，VF 值越高；VF 值越低，
trr/IR 值越大。
圖 12. FRD 的 trr 與 VF 之間的權衡取捨關係
1.4.2 FRD 的雜訊
從 EMC 的角度來看，包括開關電源在內的開關所引發的
雜訊是重要的考慮項目。由於 FRD 的 trr 很短（高速）
，因
此在反向恢復期間（trr）會產生雜訊。圖 13 是反向恢復期
間的雜訊以及改善後的示意圖。IRp 表示 FRD 關斷時的反
向電流峰值。dir/dt 表示恢復時的傾斜度（急遽程度）
。如
能降低 Irp 並使 dir/dt 平緩，就能使反向恢復期間的雜訊變
小。
反向恢復期間的雜訊改善後
圖 13. FRD 反向恢復期間的雜訊及改善後示意圖
這種低雜訊的 FRD 被稱為“軟恢復”型 FRD。在實際的開發
過程中，需要分別採取不同的改善措施來降低 IRp，並使
dir/dt 的傾斜度更加平緩。最初，為了降低 IRp 而降低了 P
型矽（陽極）的雜質濃度。這種做法雖然可以減少漏電流
並降低 IRp，但問題是 dir/dt 的傾斜度依然很大，雜訊仍然
存在，而且 VF 值會上升（圖 14 上半部分）。
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Si FRD 反向恢復期間的雜訊：改善 IRp
降低 P 層
的表面濃度
反向恢復期間的雜訊，取決於 IRp 的大小以及反向恢復時的傾斜度
（dir/dt），
⇒ 透過改善製程來改善 IRp
· 透過降低 P 層的表面濃度可以降低 IRp，但仍然殘存雜訊
Si FRD 反向恢復期間的雜訊：改善傾斜度（dir/dt）
實際的反向恢復波形
反向恢復期間的雜訊取決於 IRp 的大小以及反向恢復時的傾斜度（dir/dt）
⇒透過 Pt 擴散（壽命殺手），縮短壽命，使傾斜度（dir/dt）變得平緩
· trr、VF 值不變，實現了軟恢復
圖 14. FRD 反向恢復期間雜訊的改善
接下來，為了使傾斜度變得平緩，採用了稱之為“壽命殺手”
的鉑（Pt）擴散方式，透過縮短壽命成功地緩和了 dir/dt 的
傾斜度。這裡的“壽命”是指，在 PN 接面處於關斷/反向偏
置時，少數載流子透過複合到恢復所需的時間，如果該時
間過長，殘留的載流子會導致電流流過等現象。壽命殺手
會加速複合，從而縮短壽命。一般而言，壽命殺手會擴散
雜質。在本例中使用了 Pt。
這就涉及到製造了，如果不熟悉製造可能很難理解。不過
在這兩種方法的基礎上，最終開發出 trr 和 VF 特性基本保
持不變、卻能大大抑制反向恢復雜訊的 Si FRD。圖 14 下
半部分右側波形圖是軟恢復型（紅色）與標準型（藍色）
之間的實際波形比較。從圖中可以很清楚地看出，軟恢復
型的雜訊非常低。
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1.4.3 基於 VF 和 trr 特性的應用示意圖 用中被廣為採用的 MOSFET。

圖 15 為 FRD 的特性及其合適的應用示意圖。希望這對您 2.1 Si 電晶體的分類

的設計能夠起到參考作用。如前所述，trr 高速型 FRD 的
關於 Si 電晶體的分類，根據分類角度，有幾種不同的分類
VF 值較高，而 VF 值低的 FRD 則 trr 較慢，應基於這一基
方法。在這裡，如圖 16 所示，從結構和製程方面粗略地進
本傾向，選擇適合應用需求的產品。
行了分類。要介紹的主題類別（功率類）以粗體和彩色背
對於 PFC 應用而言，BCM（臨界模式）下 VF 越低越好， 景突出顯示。
CCM（連續模式）下 trr 越快越好，這樣會有助降低相應模
Si 電晶體的分類
式下的損耗。 一般應用

小訊號 高速開關
另外，雜訊更低、且優化了 VF 和 trr 之間權衡取捨關係的
雙極電晶體 中等功率 高頻電晶體
產品，其適用範圍非常廣。 功率

100mA 型
電晶體
數位電晶體 500mA 型

雜訊抑制用

小訊號

功率

功率

圖 16. 從結構和製程角度對 Si 電晶體分類的範例

雙極電晶體和 MOSFET 中，包括功率型和小訊號型產品，

IGBT 原本是為處理大功率而開發的電晶體，因此基本上僅
圖 15. FRD：基於 VF 和 trr 特性的應用示意圖 有功率型產品。順便提一下，MOSFET 為 Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor 的縮寫，是場效應
＜總結＞
電晶體（FET）的一種。IGBT 為 Insulated Gate Bipolar
 FRD 的特性會因矽中擴散的雜質而異。
Transistor 的縮寫。
 FRD 的 VF 和 trr 之間存在權衡關係。
 反向恢復期間的雜訊會對開關電源應用產生不利影響， 2.2 Si 電晶體的特點
因此已開發出改進型產品。
表 4 中圍繞 Si 雙極電晶體、MOSFET 和 IGBT 匯總了電
2. Si 電晶體 晶體的主要評估項目和特點。對各個項目的評估是基於每
種電晶體的代表性特性進行的，可能存在個別不吻合的情
繼二極體之後，本章將介紹一種 Discrete 半導體的代表性
況，因此請將該表格種的評估視為總體趨勢或總體特點。
產品—電晶體。Si 電晶體可根據製造製程和結構分為“雙極
下一節將分別介紹每種電晶體的結構、工作原理及其具有
電晶體”和“MOSFET”等不同種類。另外還可以根據產品能
代表性的特性。
夠處理的電流和電壓以及適用的應用領域進行分類。在這
裡將以“功率元件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元
件展開說明。其中，將主要介紹近年來在控制大功率的應

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Si 功率元件基礎

表 4. Si 電晶體的主要特點和比較

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Si 功率元件基礎

2.2.1 Si 雙極電晶體的結構、工作原理和主要特性 電）（參見表 6）來驅動閘極。

圖 17 是 NPN 型雙極電晶體的示意圖。雙極電晶體是由矽 MOSFET 有稱為“導通電阻 RDS(on)”的參數，尤其是在處

PN 接面構成的，透過在基極流過電流，而在集極-射極間
流過電流。如表 5 中的內容所示，在驅動時，需要根據放
大係數與集極電流之間的關係來調整基極電流。雙極電晶
體與 MOSFET 的主要區別在於用於放大或導通和關斷的
偏置（基極）電流會流經電晶體（基極）
。
理大功率時，這是一個很重要的特性（參見表 6）
。另外，
與雙極電晶體的導通電阻相對應的是 VCE(sat)，也就是集
極-射極間的飽和電壓。這是流過既定的集極電流時，即電
晶體導通時的電壓降，因此可透過該值求得導通時的電阻。
未連接（絕緣狀態）

電流不流經閘極

不流過電流 閘極電壓可形成通道，
從而使電流流過

圖 18. Si MOSFET 的結構和工作原理

VDSS[V] 汲極-源極間耐壓。D-S 間可施加的最大容許電壓值

VGS(th) 閾值電壓。ON 的閘極電壓
圖 17. Si 雙極電晶體的結構和工作原理
RDS(on) 導通時的汲極-源極間電阻值
容許損耗。可消耗的最大容許功率值。依賴於 Ta、
PD[W]
在基極引腳 OPEN 的狀態下，集極-射極間可施加的絕 Tc
VCEO[V] 汲極可流過的最大容許電流值。由導通電阻、容許損
對最大額定電壓 ID[A]
IC[A] 集極最大電流。集極可流過的最大電流值 耗決定
Ciss,Coss,Crss 各引腳間的電容。影響開關速度
集極最大損耗。集極-射極間電壓 VCE 和集極電流 IC
PC[W]
的積的最大值，可施加給該電晶體的最大功率值 tr,td(on)/tf,td(off) 導通和關斷的時間。依賴於電流

直流電流放大係數。hFE=IC/IB。表示集極電流相對於 Qg,Qgs,Qgd 導通所需的電荷量。影響開關速度

hFE
基極電流被放大了幾倍（直流）。 安全工作區。可使電晶體無損壞、無劣化運行的工作
S.O.A(A.S.O)
任意閘極電壓值和集極電流值條件下的集極-射極間的 範圍
VCE(sat)[V]
最大電壓值
表 6. Si MOSFET 的主要特性
安全工作區。可使電晶體無損壞、無劣化運行的工作範
S.O.A(A.S.O)
圍
2.2.3 Si IGBT 的結構、工作原理和主要特性
表 5. Si 雙極電晶體的主要特性
IGBT 是由雙極電晶體和 MOSFET 組成的複合元件。是為
2.2.2 Si MOSFET 的結構、工作原理和主要特性 了同時利用 MOSFET 和雙極電晶體的優點而開發的電晶

圖 18 是 N 通道 MOSFET 的示意圖。MOSFET 是透過給 體。IGBT 不僅與 MOSFET 同樣能透過閘極電壓控制進行

閘極施加電壓在源極與汲極間形成通道而實現導通的。另 高速工作，還同時具備雙極電晶體高耐壓、低導通電阻的

外，閘極與源極和汲極之間透過氧化膜被隔離，因此不會 特點。

流過“導通”意義上的電流，但需要充入稱為“Qg”的電荷（充 IGBT 的工作原理與 MOSFET 相同，都是透過向閘極施加

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電壓形成通道從而流過電流。不過，MOSFET（以 N 通道
型 MOSFET 為例）是電流在相同的 N 型源極和汲極之間
流動，而 IGBT 則是電流從 P 型集極流向 N 型射極，也就
是說，這一點與雙極電晶體相同。因此，IGBT 具有與
MOSFET 的閘極相關的參數，以及與雙極電晶體的集極-
射極相關的參數（參見表 7）。

未連接（絕緣狀態）

電流不流經閘極

閘極電壓可形成通道，
從而使電流流過

圖 19. Si IGBT 的結構和工作原理

VCES[V] 集極-射極間的絕對最大額定電壓

IC[A] 集極最大電流。集極可流過的最大電流值
集極最大損耗。集極-射極間電壓 VCE 和集極電流 IC
P[W]
的積的最大值，可施加給該電晶體的最大功率值
任意閘極電壓值和集極電流值條件下的集極-射極間
VCE(sat)[V]
最大電壓值
Ciss,Coss,Crss 各引腳間的電容。影響開關速度

tr,td(on)/tf,td(off) 導通和關斷的時間。依賴於電流
Qg,Qge,Qgc 導通所需的電荷量。影響開關速度
安全工作區。在此工作範圍，電晶體不會發生損壞或
S.O.A(A.S.O)
劣化
表 7. Si IGBT 的主要特性

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2.2.4 Si 電晶體的基本工作特性比較 閘極-源極間電容 Cgs 和閘極-汲極間電容 Cgd 取決於閘極

上述三種電晶體的工作特性各不相同。圖 20 列出了基本 氧化膜的電容量。另外，汲極-源極間電容 Cds 是寄生二極
的工作（電流電壓）特性。功率元件基本上被用作開關， 體的接面電容。
因此即使在導通時有電流（Ic/Id）流過，選擇電壓（Vce/Vds）
盡可能低的產品是有利於降低損耗的。在探討哪種電晶體
更適合所使用的電路條件時，這是應該確認的典型特徵之
一。

3. Si MOSFET

下面具體介紹一下如今作為功率開關被廣為使用的 Si
MOSFET 的特性。

3.1 Si MOSFET 的寄生電容

符號 公式 意義
由於結構方面的關係，MOSFET 存在圖 21 所示的寄生電
輸入電容
容。這是 N 通道 MOSFET 的例子，P 通道 MOSFET 在這 輸出電容
方面的原理也是一樣的。對於處理大功率的功率 MOSFET 回饋電容

而言，需要將寄生電容視為限制工作頻率和開關速度的參
數。 圖 21. Si MOSFET 的寄生電容

MOSFET 的閘極、汲極及源極是透過閘極氧化膜被隔離開 在 MOSFET 的技術規格書中，與這些寄生電容相關的參

來的。另外，汲極和源極之間借助襯底（Body/PCB 板）形 數通常會提供表中的 Ciss、Coss、Crss 三項。在按靜態特
成 PN 接面，並存在寄生（體）二極體。 性和動態特性分別記述的技術規格書中，是被歸為動態特
性的。這些是影響開關特性的重要參數。

雙極電晶體

Si 電晶體的基本工作特性

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Ciss 是輸入電容，是閘極-源極間電容 Cgs 與閘極-汲極間 3.1.1 Si MOSFET 寄生電容的溫度特性

電容 Cgd 相加得到的電容，是從輸入端看的 MOSFET 整
MOSFET 的寄生電容 Ciss、Coss 和 Crss 幾乎不會隨溫
體的電容。要使 MOSFET 工作，需要驅動該電容（充電）
，
度的變化而變化。因此，可以說開關特性幾乎不受溫度變
因此是在探討輸入元件的驅動能力和功耗時需要用到的參
化的影響。下面是各寄生電容的實測範例（圖 23、24 、
數。Qg 是驅動 Ciss（充電）時所需的電荷量。
25）
。
Coss 是輸出電容，是汲極-源極間電容 Cds 與閘極-汲極間
電容 Cgs 相加得到的電容，是輸出端的整體電容。當 Coss
較大時，即使關斷閘極，輸出端也會有 Coss 引起的電流，
直到輸出完全關斷是需要時間的。

Crss 是閘極-汲極間電容 Cgd 本身，被稱為“回饋電容”或

“反向傳輸電容”。當 Crss 較大時，即使閘極導通，汲極電
流上升也會較慢，關斷時下降也會變慢。也就是說，這是
對開關速度影響較大的參數。Qgd 是驅動（充電）Crss 所
需的電荷量。

另外，這些電容對汲極-源極間電壓 VDS 具有依賴性。如圖

22 所示，當 VDS 增加時，電容值具有變小傾向。
圖 23. Si MOSFET 寄生電容 Ciss 的溫度特性

圖 22. Si MOSFET 寄生電容對 VDS 的依賴性

圖 24. Si MOSFET 寄生電容 Coss 的溫度特性

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使用提供的測量電路（圖 27）、應用指定的條件並根據參
數的定義（圖 28）進行測量。圖 28 中的參數定義可以用
文字表達如下：

td(on)：從 VGS 上升 10%到 VDS 上升 10%所需的時間

tr：從 VDS 上升 10%到 90%所需的時間
td(off)：從 VGS 下降 90%到 VDS 下降 90%所需的時間
tf：從 VDS 下降 90%到 10%所需的時間

關於這裡的 VDS“上升/下降”表述，可能有人認為是因為從
波形上看起來是相反的，其實是因為輸出是反相的才這樣
表述。

圖 25. Si MOSFET 寄生電容 Crss 的溫度特性

3.2 Si MOSFET 的開關特性

在功率轉換應用中，MOSFET 基本上會被用作開關。
MOSFET 的開關特性通常涉及到導通延遲時間：td(on）、上
升時間：tr、關斷延遲時間：td(off）、下降時間：tf。圖 26 是
從 R6004KNX 的技術規格書中摘錄的內容，R6004KNX 是
一款具有低導通電阻和高速開關特點的 N 通道 600V/4A
MOSFET。這些參數的名稱和符號，各製造商間可能多少 圖 27. 圖 26 的參數測量電路

有些不同。例如，導通（關斷）延遲時間與 Turn-on (off)delay

time，上升（下降）時間與 rising (falling) time 或 rise (fall)
time 等。

電氣特性（Ta=25℃）

導通延遲時間
上升時間
關斷延遲時間
下降時間

圖 26. Si MOSFET 技術規格書中的規格值表格摘錄 圖 28. 圖 26 的參數定義

這些與開關相關的參數，受測量電路的訊號源阻抗和汲極
負載電阻 RL 的影響較大。因此，技術規格書中基本上會規
定測量條件，並提供測量電路。通常，如圖 26 的 Conditions
欄所示，會提供 VDD、VGS、ID、RL、RG 的條件。在測量時，

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3.2.1 Si MOSFET 開關特性的溫度特性

MOSFET 的開關相關參數（時間）有隨著溫度上升而略微
增加的趨勢。由於溫度上升 100℃約增加 10%左右，因此
基本上可以認為幾乎沒有溫度依賴性。圖 29～32 是實測
值範例。

圖 31. 關斷延遲時間 td(off)的實測範例

圖 29. 導通延遲時間 td(on)的實測範例

圖 32. 下降時間 tf 的實測範例

＜總結＞
 關於 MOSFET 的開關特性，技術規格書中通常會提供導
通延遲時間、上升時間、關斷延遲時間、下降時間這幾個
參數。
 開關特性受測量條件和測量電路的影響較大，因此通常
圖 30. 上升時間 tr 的實測範例
需要按照技術規格書中提供的條件進行測量。
 基本上可以認為開關特性幾乎不受溫度變化的影響。

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3.3 Si MOSFET 的閘極閾值

MOSFET 的閘極閾值電壓 VGS(th)是為使 MOSFET 導通而

在閘極與源極間所必需的電壓。也就是說，只要 VGS 達到
VGS(th)以上的電壓，MOSFET 就會導通。圖 33 是從 N 溝
道 600V /4A 的 MOSFET—R6004KNX 的技術規格中摘錄
的內容。

電氣特性

汲極-源極擊穿電壓

汲極截止電流

閘極漏電流
圖 34. Si MOSFET：ID-VGS 特性範例
閘極閾值電壓

汲極-源極間的 雖然作為規格值 VGS(th)是 ID=1mA 時的 VGS，但實際上使

導通電阻 用 4A 的 MOSFET 時，應該不會按照 ID=1mA 來用。例如，
閘極電阻
如果在 Ta=25℃的條件下需要 1A 的 ID，那麼從該特性圖
可以看出，所需的 VGS 約為 5.3V。在實際的設計中，需要
圖 33. Si MOSFET 閘極閾值電壓的指定範例
根據 ID-VGS 特性來確認適當的 VGS。
藍色框圈起來的是 VGS(th)。Conditions 欄指定了 VDS=10V、
3.3.2 Si MOSFET 的閘極閾值與 ID-VGS 特性的溫度特性
ID=1mA，在該條件下，在 Ta=25℃的溫度中，保證 VGS(th)
最小為 3V，最大為 5V。也就是說，當使 VGS 不斷上升時， 在圖 34 的 ID-VGS 特性圖中，也顯示了溫度特性。從圖中
MOSFET 開始導通（ID 開始流出）
，當 ID 為 1mA 時，VGS 可以讀取到的資訊包括：隨著溫度的升高，如果 VGS 保持
是 3V 以上 5V 以下的某個值，該值就是 VGS(th)。 不變，那麼 ID 將呈上升趨勢。以前面的 Ta=25℃、ID=1A
條件下讀取到 VGS 為 5.3V 為例，在 Ta=75℃時 ID 會增加
3.3.1 Si MOSFET 的閘極閾值與 ID-VGS 特性
至 1.5A 左右，因此在某些使用條件下需要注意。
圖 34 是範例 MOSFET 的 ID-VGS 特性圖。可以從該圖中讀
接下來是 VGS(th)本身的溫度特性圖（圖 35）
。從該圖中可以
取 VGS(th)。由於 VDS 為 10V，與圖 33 中的規格值表格中指
看出，25℃時的 VGS(th)約為 3.8V，與從圖 34 ID-VGS 特性
定的電壓相同，因此 ID 為 1mA 時的 VGS 就是 VGS(th)。在
圖中讀取到的資訊一致。圖 35 中的溫度標記為“Tj”，圖 34
Ta=25℃的曲線中，與 ID=1mA（0.001A）線相交處的 VGS
和圖 35 的條件框中都出現了“pulsed”字樣，這表示資料來
約為 3.8V。雖然技術規格書
（圖 33）中未給出典型值（Typ）
，
自脈衝測試，因此基本上可以認為 Tj≒Ta≒25℃。
但從特性圖中可以看出，VGS(th)的 Typ 值為 3.8V 左右。特
性圖中的值基本上可理解為 Typ 值。 關於溫度特性，可以看出 VGS(th)有隨著溫度的升高而下降
的趨勢。換句話說，這意味著能夠以更低的 VGS 流過相同
的 ID。當然，這與圖 34 中的 ID-VGS 溫度特性是一致的。

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圖 35. Si MOSFET：VGS(th)的溫度特性範例
＜總結＞
 使 MOSFET 導通的電壓稱為“閘極閾值 VGS(th)”。
 如果 VGS 保持不變，則 ID 會隨溫度的上升而升高，因此
在某些條件下使用時需要注意。
3.4 Super Junction MOSFET
從本節開始，將以具體的 Si MOSFET 為例來介紹其特點。
這裡主要介紹近年來 Si MOSFET 中的高耐壓型代表產品
—Super Junction MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）
。
3.4.1 功率電晶體的特點和定位
在介紹 SJ MOSFET 之前，我們先來瞭解一下近年來主要
的功率電晶體 Si MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的功
率和頻率覆蓋範圍。如果瞭解了 Si MOSFET 在功率電晶
體中的定位，並能根據其特點和特性進行區分使用，那麼
就會更容易理解接下來有關 SJ MOSFET 的內容。
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圖 36 表示每種功率電晶體可以處理的大致功率和頻率範
圍。透過這個比較可以看出，Si MOSFET 在導通電阻 Ron
和耐壓（雷達圖上的 Voltage）方面的表現遜於 IGBT 和
SiC MOSFET，但在以低功率~中等功率高速運行方面則處
於優勢地位。
（Planar、
Super Junction）
圖 36. 主要功率電晶體的功率和頻率覆蓋範圍示意圖
3.4.2 Planar MOSFET 和 SJ MOSFET
根據製造製程，Si MOSFET 可分為 Planar MOSFET 和 SJ
MOSFET 兩類。關於開發背景，可以說是為了突破 Si
MOSFET 平面（Planar）結構的局限性而開發了 Super
Junction 結構。
如圖 37 所示，Planar 結構是採用平面製程製作電晶體。
這種結構存在當耐壓提高時漂移層會增厚、導通電阻會增
加的問題。而 Super Junction 結構是排列多個垂直 pn 接
面的結構，這種結構在保持耐壓能力的同時能夠降低導通
電阻 RDS(ON)和閘極電荷量 Qg。
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晶體是否合適。在本章中，將介紹如何確認所選電晶體在
實際工作過程中不會出現問題，如何按照具體的步驟和方
Planar MOSFET SJ MOSFET
法從電氣和熱設計角度進行綜合考量。

RDS(on)減少 50%
4.1 實際工作中的電晶體適用性確認流程
Qg 減少 電
流
電阻率之比=5：1 從本節開始，將介紹判斷所選電晶體在實際工作過程中是
路
徑 否存在問題的步驟。圖 39 的流程圖是判斷步驟範例。
圖 37. Planar MOSFET 與 SJ MOSFET 的結構比較

① 測量實際的電流和電壓波形
另外，內部二極體的反向恢復電流 irr 和反向恢復時間 trr
是
是關係到電晶體關斷特性的項目。如圖 38 的波形圖所示， 否
② 是否始終滿足絕對最大額定值範圍？
基本上 SJ MOSFET 的 PN 接面面積比 Planar MOSFET 要
是
大，因此與 Planar MOSFET 相比，SJ MOSFET 具有 trr 否
③ 是否在 SOA*範圍內？
更快、但 irr 較大的特性，這也是需要改善的 SJ MOSFET 是  SOA…安全工作區
（Safe Operating Area 的簡稱）
的課題。另外，根據產品的高速性或低雜訊等特點，SJ 否
④ 是否在環境溫度降額的 SOA 範圍
MOSFET 又可以細分為具有不同特點的產品類型。
是 是
③ 單脈衝？ ⑤ 連續脈衝？
是
⑥ 在環境溫度下 否
平均功耗在
SJ MOSFET 是 額定功耗範圍
內？
Planar MOSFET
是

圖 38. Planar MOSFET 和 SJ MOSFET 的關斷特性

＜總結＞ 圖 39. 實際工作過程中的電晶體適用性確認流程

 在功率電晶體中，Si MOSFET 的定位是“以中低功率高

下面將按照流程圖①～⑥的順序進行說明。由於是以開關
速工作”。
電路為前提進行說明的，所以⑤選擇“連續脈衝”。另外，雖
 與 Planar 結構相比，Super Junction 結構可以在保持耐
然流程圖中沒有，但為了保險起見，在最後添加了⑦“確認
壓能力的同時，降低導通電阻 RDS(ON)和閘極電荷量 Qg。
電晶體晶片溫度”。
SJ MOSFET 的 trr 比 Planar MOSFET 更快，但其 irr 更
大，目前仍在不斷改進中。
4. 實際工作中的電晶體適用性確認

在電路設計中，通常會基於電路要求，參考技術規格書的
規格來選擇適合的電晶體，並進行試製，以確認其在實際
工作過程中的適用情況。在進行試製時，需要確認無法透
過紙面電路圖來驗證的工作情況和現象，並判斷所選的電

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時
4.1.1 ①測量實際的電流和電壓波形

先來看流程圖中的①。首先需要確認電晶體在電路工作中
要處理怎樣的電壓和電流。這裡以開關電路為例進行說明。
所 用 的 電 晶 體 是 低 雜 訊 SJ MOSFET—EN 系 列 的
R6020ENZ（600V、20A、0.17Ω、TO-3PF）。

在進行具體測量時，需要使用示波器來獲取電壓和電流的
波形資料。工作條件通常使用輸入輸出電壓、負載電流和
溫度等使用條件的最壞條件。圖 40 中的波形顯示了
MOSFET 開關工作的整體情況。

此外，為了計算開關時的功率損耗，還需要獲取 ON/OFF
轉換時的放大波形資料。在這裡我們獲取了 ID、VDS、VGS 時
和功率波形（圖 41）
。波形需要 ON 和 OFF 各自的轉換波
形。

＜總結＞
 基本上，試作中需要確認所選的電晶體在實際工作過程
中是否適用。
 為進行確認，需要測量電晶體所處理的電壓和電流資料。

圖 41. MOSFET 開關轉換時的放大波形

圖 40. MOSFET 開關工作波形概覽

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4.1.2 ②確認在絕對最大額定值範圍內 在進行確認時，需要使用上一節中的 MOSFET 開關工作

波形概覽、以及開關轉換時的 ID、VDS、VGS 和功率波形資
接下來是流程圖中的②。在 JIS C 7032 中，“絕對最大額
料。原則上需要確認這些獲取的資料未超過 MOSFET 的
定值”被定義為“即使一瞬間也不可超過的極限值，而且當
絕對最大額定值。表 8 中匯總了 MOSFET（R6020ENZ）
規定了 2 項以上的規格值時，任何 2 個項目都不得同時達
的絕對最大額定值和確認要點。請與上一節中的圖 40 和
到的極限值”。
圖 41 比較著查看。
以輸入電壓為例，雖然施加的電壓達到絕對額定值也沒關
＜總結＞
係，但沒有“容差”和“實際值”這樣的概念（無論正常工作與
 正確理解絕對最大額定值的定義和意圖，並對所選電晶
否）
。另外，雖然一旦超過絕對額定值便有損壞的可能性，
體的適用性作出判斷。
但這並不意味著這是損壞值。總之，絕對最大額定值是不
可無條件超過的值。 4.1.3 ③確認在 SOA（安全工作區）範圍內

在實施“確認在絕對最大額定值範圍內”時，需要在正確理 本節介紹流程圖中的③。SOA（Safe Operating Area：安

解這些內容的基礎上來進行判斷。 全工作區）是用來確認電晶體是否在安全的條件下工作的
資訊。SOA 曲線圖中會標出在汲極電流 ID 和汲極-源極間
電壓 VDSS 的關係中，對於額定電壓和電流、容許功率（發

4.絕對最大額定值
汲極-源極間電壓 VDS 是否超過 600V?

閘極-源極間電壓

汲極電流 直流 ID 是否超過 20A?

脈衝
IDP 是否超過 60A?

源極電流 直流
（內部二極體）
脈衝

崩潰電流

開始
參考圖 3-1，3-2
崩潰能量

開始
參考圖 3-1，3-2

容許損耗
施加電壓是否超過 120W?
後續計算並確認

通道部溫度 通道溫度是否超過 150℃?

保存溫度

表 8. MOSFET：R6020ENZ 的絕對最大額定值和確認要點

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熱量）來說基本上安全的、也就是不至於損害可靠性、不 4.1.3.1 什麼是“SOA 損壞”？

至於損壞的範圍。圖 42 是以 R6020ENZ 這款 MOSFET
工作過程中如果條件超出 SOA 範圍，就可能造成損壞。正
為例的 SOA 曲線圖，摘自該產品的技術規格書。
常工作的條件理應不會超出 SOA 範圍，但如果發生了正

受發熱限制 常工作中不會發生的過電壓、短路等問題，就會導致在保
頂線為 Idpules 的值
受二次擊 持施加電壓的狀態下產生過電流等現象，從而會因瞬間局
穿限制
部發熱而損壞。

另外，也有由於熱設計不當和提高工作頻率，導致電晶體
晶片的散熱不充分，連續發熱，超過通道的容許溫度，引
起熱失控而損壞的情況（圖 43）。

單脈衝
源極端
受 VDSS 限制

圖 42. MOSFET R6020ENZ 的 SOA 曲線圖

使用這張圖來判斷電路的工作狀態是否在 SOA 範圍內，

也就是判斷是否安全。不過該資料中存在幾個必須注意的
條件。

 條件為單（Single）脈衝（在本例中脈衝寬度有 3 種）
。
不適用重複脈衝、即連續的開關。存在重複脈衝時，所 汲極端
有的脈衝必須在 SOA 範圍內，而且流程圖⑥所計算的
平均施加功率必須在額定功率值以下。 圖 43. MOSFET 通道熱失控導致的損壞模式

 溫度條件大多為 Ta＝25℃。
＜總結＞
 基本上都是參考值而非保證值。
 SOA（Safe Operating Area：安全工作區）是用來確認
 電晶體的安裝條件不同，結果也不同。
電晶體是否在安全的條件下工作的資訊。
有了這些限制，可能會有人擔心在實際的使用條件下很難  SOA 曲線圖中會標出在 ID 與 VDSS 之間的關係中，對
適用。然而，比如封裝單體的熱阻是確定的值，但在實裝 於額定電壓和電流、容許功率（發熱量）來說基本上安全
狀態下的熱阻是取決於實裝條件的。另外，“單脈衝”的條件 的範圍。
也可能會變成 5 次、100 次等不著邊際的條件。因此，這  使用電晶體之前，需要好好確認 SOA 的條件，並考慮到
些是一定程度上簡單明瞭的條件。實際上需要根據平均法、 與實際使用條件之間的差異。
換算、以及後續會介紹的降額來進行判斷。
4.1.4 ④確認在使用環境溫度降額的 SOA 範圍內

本節介紹流程圖中的④。上一節就什麼是 SOA 以及相關

曲線圖等的使用方法和注意事項進行了說明。本節將結合
上一節提到的注意事項之一“SOA 曲線圖的資料是環境
（周
圍，Ta）溫度 25℃時的資料”，透過計算實際使用溫度下的

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Si 功率元件基礎

SOA，來確認電晶體的使用條件是否適當。 SOA 的降額基本上以“容許功率”即“發熱量”來考量，最終

以 Tj 的絕對最大額定值來判斷。舉個常見的例子，在圖 44
4.1.4.1 什麼是“SOA 降額”?
上半部分 MOSFET 的範例中，由於導通電阻增加，所以最
降額是指為提高可靠性而使產品在低於其額定值的條件下 大電流降額，而且熱限制區降額 0.8%/°C。在圖 44 下半部
運行。SOA 的思路也一樣，由於實際工作場所的環境溫度 分雙極電晶體的範例中，熱限制區降額 0.8%/°C，二次擊
大多高於 25°C，所以需要在 25°C 條件下得出的 SOA 基 穿區降額 0.5%/°C。
礎上，進一步降低電流和電壓，然後將該區域作為 SOA。
作為具體案例，用圖 45 列出了範例 MOSFET R6020ENZ
圖 44 是 MOSFET 和雙極電晶體的 SOA 降額示意圖。
的容許損耗降額圖，以及基於該圖寫入了降額資訊的 SOA
25℃條件下的 SOA 曲線
曲線圖。圖 45 中的內容摘自技術規格書。
降額後的 SOA 曲線
MOSFET 示例

降額

導通電阻增加，最大電流降額

雙極電晶體的示例

熱限制區

二次擊穿區

降額

時 降額 PD=60%
圖 44. SOA 降額示意圖

圖 45. R6020ENZ 的容許損耗降額圖和

寫入降額資訊的 SOA 曲線圖

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例如，假設實際電晶體的 Tj 為 75°C。前面談的都是環境 本節將介紹在開關動作（連續脈衝）條件下求平均功耗、

溫度 Ta，但從電晶體容許損耗的角度考量的話，最終需要
透過 Tj 來判斷。
下面稍微整理一下溫度的關係。4.1.3 中提到的注意事項中
有“資料為單脈衝條件下的資料”這個條件。在連續工作模
式下使用時的條件稍微麻煩些，不過加上單脈衝的條件可
以認為 Ta≒Tj。這是一般的解釋，是基於“因為是短時間的
脈衝，所以電晶體的晶片基本上沒有溫升”來考慮的。包括
電晶體在內的半導體元件的參數試驗中，在伴隨著發熱的
情況下，通常透過脈衝試驗使 Ta≒Tj 的情況很多。因此，
該 SOA 資料按照 Ta≒Tj≒25℃來考慮。
而另一方面，電晶體需要根據損耗功率、封裝熱阻 RthJA（θJA）
以及 Ta、或 RthJC（θJC）和 Tc 求 Tj。由於熱計算是很常見
的，所以在這裡省略相關介紹。
且判斷該平均功耗是否在額定功率範圍內的方法。這是因
為如流程圖的③中所述，SOA 的條件為“單（single）脈衝”，
因此像開關動作這樣的連續脈衝的情況並不能簡單地應用。
所以，作為額外增加的確認步驟，需要確認功耗是否在額
定範圍內。在開關動作的情況下，由於反復重複電流流動
且消耗功率的電晶體導通狀態和不消耗功率的關斷狀態，
故需要求平均功耗。
4.1.5.1 開關動作時的平均功耗求法
平均功耗是透過電晶體從關斷轉為導通（t1－t2）
、導通期
間（t2－t3）
、從導通轉為關斷（t3－t4）
、關斷期間（t4－
t5）的各電壓與電流的積、即將功率按時間積分後的值相
加並除以週期（T）來計算的。具體請參考圖 46 中的公式。

從圖 45 的容許損耗降額曲線可以看出，相對於 Tj＝25℃，
在 Tj＝75℃時需要降額至 60%。接下來只需要使用該比率，
像範例計算中那樣進行降額即可。如果有必要，先求出 電壓
電流
（100%－60%）/｜25℃－75℃｜＝0.8%/℃這個比率係
數就可以很快計算出來，也可以像 SOA 曲線圖中的藍線 導通時的損耗電壓
（導通電阻・VCE(sat)）
一樣繪製 SOA 的降額曲線。

最後，確認電晶體的實際使用條件是否在降額後的 SOA 範 導通期間 關斷期間

圍內，並判斷使用條件是否恰當。 週期：T

＜總結＞
如上圖所示的開關工作時
 SOA 曲線圖是 Ta＝25℃時的資料，因此需要根據電晶體
的實際使用溫度進行降額。
 降額係數使用容許損耗的降額比率。

4.1.5 ⑥確認平均功耗在額定功率範圍內
圖 46. 開關動作時的平均功耗求法
本節介紹流程圖中的⑥。這裡跳過了步驟⑤，是因為⑤是
單脈衝還是連續脈衝的確認，由於本範例是開關動作，只
能選擇連續脈衝的流程，所以直接進入步驟⑥。

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這裡使用流程圖①“測量實際的電流和電壓波形”中獲得的 時的積分公式
開關電壓和電流波形資料（圖 47）。

圖 48. 根據波形計算平均功耗的積分公式

透過計算求出的平均功耗如果在技術規格書中容許損耗的
最大額定值範圍內，則可以判斷沒有問題。當然，需要在
實際使用溫度條件下來確認是否在額定值範圍內。

如流程圖②“確認在絕對最大額定值範圍內”一節中的表 8
所示，MOSFET R6020ENZ 的容許損耗 PD 的絕對最大額
定值為 120W，但由於其條件是 Tc = 25℃，因此在其他溫
時 度條件下不能簡單地使用該值。我們可以使用流程圖④“確
認在使用環境溫度降額的 SOA 範圍內”一節中的圖 45 的
容許損耗 PD 的降額曲線圖。原則上是使用該曲線圖、透
過將功耗換算為 Tj 的方式來判斷是否可以使用。

總之都是需要求出 Tj 的，因此最終按“在使用溫度條件下，
確認 Tj 未超過 Tj 的絕對最大額定值 150℃”的思路來考慮
可能更簡單明瞭。功耗已經知道了，接下來只要知道封裝
的熱阻即可輕鬆地計算出結果來。MOSFET R6020ENZ 的
RthJC（θjc）為 1.04℃/W Max，RthJA（θja）為 40℃/W Max。

這個計算也就是求基本的 Tj，即 Tj＝功耗×熱阻＋使用溫

。至於使用溫度是指定為 Ta 還是 Tc，則哪個方
度（最大）
圖 47. ①透過測量實際的電流和電壓波形獲得的波形資料 便用哪個，都沒有問題。

根據圖 47 中的波形，並按照圖 48 中的積分公式來計算。 確認功耗是否在額定範圍內的方法有幾種，不過最終還是

這是 MOSFET 的例子，如果是雙極電晶體，則可以用集極 判斷 Tj 是否在絕對最大額定值範圍內。關於 Tj 的計算，
電流 IC、集極-射極間電壓 VCE 以相同的方式來計算。 後續會進行更詳細的介紹。

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＜總結＞
 在連續脈衝（開關動作）的情況下求平均功耗，並確認容
許損耗在額定值範圍內。
 最終的大原則還是判斷 Tj 是否超過了絕對最大額定值。
4.1.6 ⑦確認晶片溫度
雖然流程圖中沒有列出步驟⑦，但最後還是需要確認晶片
溫度的。
正如在上一節結尾提到的，功耗是否在額定值範圍內，最
終還是要透過 Tj 是否在絕對最大額定值範圍內來判斷。因
此，需要知道計算 Tj=晶片溫度（結溫）的方法。
實際上，只要功耗在額定值範圍內，晶片溫度也會在絕對
最大額定值範圍內。這是因為就像前面提到的，額定功率
的計算是基於晶片溫度進行的。因此，使用條件是否適當，
透過流程圖①~⑥的確認步驟即可作出判斷。不過，之所以
再增加晶片溫度確認這一步，一是為了提高確定性，另外
還可以作為一旦超出額定值時考慮對策的依據。
決定晶片溫度的因素之一是熱阻。熱阻下降時晶片溫度就
會隨之降低，這在後面會透過公式進行說明。在使用條件
的限制中，通常會要求晶片溫度 Tj 在最大額定值範圍內，
並且要進行散熱設計以獲得所需的功率。在不改變電晶體
單體的熱阻的情況下，可以處理的功率通常遠遠低於電晶
體本身所具有的能力。尤其是功率電晶體，大多情況下都
需要與散熱器配合使用。在這種情況下散熱設計的依據就
是晶片溫度 Tj。
4.1.6.1 晶片溫度的計算
包括範例中使用的 MOSFET 在內，由於近年來的電晶體
晶片是由樹脂密封的，當然就無法直接測得晶片的溫度。
因此，Tj 基本上是透過計算來求得的。計算公式如下：在
這裡，Tj：晶片（結點）溫度，Ta：環境溫度（℃），θja
（TthJA）：結點到環境間的熱阻（℃/W）
，P：功耗（W）。
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如公式所示，晶片溫度 Tj 是熱阻×功率，即晶片發熱量與
環境溫度 Ta 的總和。這是最基本的公式。
圖 49 中給出了實裝時各部分的溫度與熱阻之間的關係。
圖中雖然包括散熱器，不過外殼（封裝）溫度 Tc 只是電晶
體封裝表面的溫度。
散熱器
封裝
元件 熱量
熱量 元件
向大氣中
散熱
封裝 散熱器
θja：結點與環境間的熱阻（℃/W）
θjc：結點與外殼表面間的熱阻（℃/W）
θca：外殼與環境間的熱阻（℃/W）
圖 49. 實裝時各部分的溫度與熱阻之間的關係
沒有散熱器時的 θca 只是簡單地從提供的 θja 減去 θjc 後
的值。有散熱器時，散熱器的熱阻相當於 θca，反過來 θja
並不是單體給出的值，而是 θjc 與 θca 的總和。功率電晶
體大多數都會使用散熱器，所以通常會在技術規格書中提
供 θja 和 θjc。
通常 θjc 會遠遠低於 θja，因此透過散熱器的熱阻可大幅降
低 θja。MOSFET R6020ENZ 單體的 θja 為 40℃/W，比如
使用 10℃/W 的散熱器即可將 θja 降至 11.04℃/W*。另外，
假設散熱器是無限大的散熱器時，可以認為 θja＝θjc。（*
僅僅是用於舉例的簡單計算。實際的 θca 需要考慮封裝表
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面與散熱器的結點熱阻。另外，為確保 Tj 在額定值範圍內，
本來散熱器的熱阻也是計算出所需的值後再選擇的。）
最後，只要具備了計算所需的數值，計算就非常容易了。
功耗還需要在前述的平均功耗的基礎上，考慮到最差條件
等因素。Ta 基本上應為實測值。但是，測量 Ta 其實並不
容易。測量時只要用熱電偶測量環境溫度即可，但是發熱
體附近和距離發熱體遠的位置之間的溫度差別很大。另外，
在實際應用設備中，還涉及到安裝在框體內、空冷風扇使
空氣流動等情況，究竟以哪個條件下的環境溫度為 Ta，實
際上是相當難的問題。對此，近年來越來越多地使用 Tc 來
求 Tj。
4.1.6.2 透過 Tc 求 Tj 的方法
近年來，隨著熱成像和輻射溫度計等的普及，封裝表面的
溫度測量已經比以往相對容易。用於計算的 Tc 使用封裝表
面最高的溫度，而利用熱成像可以一目了然地查看封裝表
面的最高溫度，非常方便。
這個方法對於表面安裝型封裝是很有效的方法，但對於
TO-220 等通孔插裝元件則需要採用稍微不同的方法。TO-
220 封裝的功率電晶體在實際使用時，大多情況下都是與
散熱器一起使用的，散熱器通常被設置在封裝的背面。這
種情況下的外殼（封裝）溫度（不是背面和表面，而是指
θjc 的 c）是與散熱器之間的接面溫度。而且，由於與散熱
器在一起，所以使用熱成像儀測量外殼溫度（與散熱器間
的結面）並不現實。作為替代方法，一種選擇是使用熱電
偶。可以在散熱器上打孔，直接將熱電偶放在封裝背面來
測量溫度。
另外，還可以根據散熱器的溫度來反向推算。在這種情況
下，需要的不是散熱器的 θca，而是散熱器本身的熱阻。
亦或回歸根本，透過 Ta 來計算可能更簡單。重要的是準確
獲得 Tj。不管採用什麼方法都是帶有餘量的，所以需要考
慮精度究竟要求到什麼程度。
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下面是透過 Tc 求 Tj 的公式。這是基於圖 49 中熱阻關係的
公式。在這裡，Tc：外殼（封裝）表面最高溫度（℃）
，θjc：
結點與外殼表面間的熱阻（℃/W）
，P：功耗（W）
。
至此可以得出結論：只要 Tj 未超過最大額定值 150℃，所
選的電晶體就是合適的。如本節開頭所述，如果 Tj 超過 150
℃，可以根據上述計算，透過更換散熱器等方式來降低熱
阻。
＜總結＞
 最終需要確認 Tj 是否超過了絕對最大額定值。
 Ta 或 Tc 與發熱量（熱阻×功耗）的和是 Tj。
“實際工作中的電晶體適用性確認流程”中各確認專案的實
施都是相當費時費力的工作，但請認識到這些都是電路設
計中不可避免的過程。
5.總結
本手冊針對整流二極體、蕭特基二極體（SBD）
、快速恢復
、MOSFET、Super Junction MOSFET（SJ
二極體（FRD）
MOSFET）
等 Si 功率元件，對它們的基本特性進行了介紹。
另外，還介紹了判斷所選電晶體在實際工作條件下是否適
用的方法與步驟。此外，在下一頁的附錄中彙整了
“MOSFET 規格相關術語”，希望一併參考。
特別是在使用功率元件進行設計時，需要先瞭解 Discrete
元件的主要特點。除此之外，由於評估功率元件時涉及到
處理大功率，因此需要相應的測量儀器、設備和安全措
施。近年來，模擬技術不斷發展，除了電氣特性模擬之
外，現在也可以比較輕鬆地進行熱模擬。當然，還必須安
裝在實際應用設備中進行驗證，但在設計過程中使用模擬
工具可以說是一種非常高效的方法，歡迎評估。ROHM
提供可以免費使用的線上模擬工具“ROHM SOLUTION
SIMULATOR”。
https://www.rohm.com.tw/solution-simulator
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<附錄> MOSFET 規格相關用語

不僅 MOSFET 的規格書，各種電子產品的規格書（技術規格書）中都會提供電氣規格（spec）
，其中包括參數名稱和保證
值等資訊。MOSFET 也涉及到很多參數，在這裡彙整了一覽表供參考。

需要注意的是，參數名稱、用語以及符號可能會因製造商不同而略有不同。另外，關於條件設置和定義也多少存在一些差
異。這些需要透過確認規格書中給出的測量條件等來理解具體的內容。

●絕對最大額定值
參數 符號 定義與說明
汲極-源極間電壓 VDSS 在閘極-源極間短路的狀態下，能夠施加給汲極-源極間的最大
電壓值。
汲極電流（直流） ID 在指定條件下，可以在汲極-源極間形成的通道中連續流過的
最大直流電流值。
汲極電流（脈衝） IDP 在安全工作區所指定的脈衝寬度和占空比條件下，可以在汲
極-源極間形成的通道中流過的最大脈衝電流值。
閘極-源極間電壓 VGS 能夠施加給閘極-源極間的最大電壓值。
崩潰電流（單次觸發） IAS 崩潰擊穿時容許的最大汲極電流值。
崩潰能量（單次觸發） EAS 崩潰擊穿時容許的最大能量值。
容許損耗 PD 在指定條件下，MOSFET 容許的最大功率損耗值。
接面溫度 Tj 元件工作時能夠容許的最大接面溫度值。
保存溫度 Tstg 在元件無電氣負載的條件下保存或運輸所允許的溫度範圍。

●熱阻
參數 符號 定義與說明
熱阻（結點-外殼間） RthJC 從元件的結點到外殼背面之間的熱阻值。
熱阻（結點-周圍環境間） RthJA 從元件的結點到周圍環境之間的熱阻值。
安裝溫度（波峰焊） Tsold 安裝 MOSFET 時的最高焊料熔化溫度值。

●電氣特性
參數 符號 定義與說明
汲極-源極擊穿電壓 V(BR)DSS 在閘極-源極間短路的狀態下，寄生二極體引起擊穿、電流開
始在汲極-源極間流動的電壓。
汲極-源極擊穿電壓溫度係數 ⊿V(BR)DSS/⊿Tj 汲極-源極間擊穿電壓的溫度係數。
汲極關斷電流 IDSS 在指定條件下，在閘極-源極間短路的狀態下，汲極-源極間流
過的洩漏電流。
閘極漏電流 IGSS 在指定條件下，在汲極-源極間短路的狀態下，閘極-源極間流
過的洩漏電流。
閘極閾值電壓 VGS(th) 汲極電流開始在 MOSFET 中流動的閘極-源極間電壓。
閘極閾值電壓溫度係數 ⊿VGS(th)/⊿Tj 閾值電壓的溫度係數。
汲極-源極間導通電阻 RDS(on) 在 MOSFET 導通期間汲極-源極間的電阻值。
閘極電阻 RG MOSFET 的內部閘極電阻值。
順向傳輸導納 |Yfs| 閘極-源極間電壓變化 1V 時的汲極電流變化率。

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輸入電容 Ciss 在使汲極-源極間交流短路的狀態下，在閘極-源極間測得的寄

生電容值。
輸出電容 Coss 在使閘極-源極間交流短路的狀態下，在汲極-源極間測得的寄
生電容值。
回饋電容 Crss 將源極引腳接地，在汲極-閘極間測得的寄生電容值。
有效電容（能量換算） Co(er) 汲極-源極間電壓 VDS 從 0V 上升到汲極-源極間電壓絕對最大
額定值 VDSS 的 80%期間積蓄的能量與 Coss 等效的固定電容值。
有效電容（時間換算） Co(tr) 汲極-源極間電壓 VDS 從 0V 上升到汲極-源極間電壓絕對最大
額定值 VDSS 的 80%期間的充電時間與 Coss 等效的固定電容值。
導通延遲時間 td(on) 閘極-源極間電壓上升到設置電壓的 10%後，到汲極-源極間電
壓下降到設置電壓的 90%之間的時間。
上升時間 tr 汲極-源極間電壓從設置電壓的 90%下降到 10%所需要的時
間。
關斷延遲時間 td(off) 閘極-源極間電壓下降到設置電壓的 90%後，到汲極-源極間電
壓上升到設置電壓的 10%之間的時間。
下降時間 tf 汲極-源極間電壓從設置電壓的 10%上升到 90%所需要的時
間。

●閘極電荷量特性
參數 符號 定義與說明
總閘極電荷（Qg） Qg 使 MOSFET 的閘極電壓從 0V 上升到指定電壓所需要的閘極
電荷量。
閘極-源極間電荷量 Qgs 使 MOSFET 的閘極電壓從 0V 上升到閘極穩定電壓所需要的
閘極-源極間電容中積蓄的電荷量。
閘極-汲極間電荷量 Qgd MOSFET 的汲極-源極間電壓 VDS 從電源電壓下降至導通電壓
所需要的閘極-汲極間電容中積蓄的電荷量。
閘極穩定電壓 V(plateau) 開關時，米勒電容開始充放電的閘極電壓值。

●內部二極體特性
參數 符號 定義與說明
源極電流（直流） Is 在指定條件下，可以在內部二極體中連續流過的最大直流電
流值。
源極電流（脈衝） Isp 可以在內部二極體中流過的最大脈衝電流值。
順向電壓 VSD 順向電流流過內部二極體時的電壓降。
反向恢復時間 trr 在指定的測量條件下，內部二極體的反向恢復電流消失所需
要的時間。
反向恢復電荷量 Qrr 在指定的測量條件下，內部二極體的反向恢復電流消失所需
要的電荷量。
反向恢復峰值電流 Irrm 在指定的測量條件下，內部二極體反向恢復工作時的峰值電
流值。

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日期 版本 變更內容
2023.4.11 001 初版
2023.8.6 002 修訂版

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