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孙 晓松 ．等 ：脉 冲 式 电能表 莱成 采 莱终 端 的设 计

Ｍ ０ Ｖ Ｒ３。 Ａ ３．３ 后 备 电 源
Ｍ ０Ｖ Ａ 。Ｒ２ 由于 掉 电后 需 把 ＡＴ８９Ｃ５１—
２内 ＲＡＭ 中 的 各 用
ＲＬＣ Ａ
户 电能 脉 冲数 累加 到 相 应 的外 部 存 储 器 ，
故需使用 后
Ｍ ０ Ｖ Ｒ２。 Ａ
备 电源 ，由 ＡＴ８９Ｃ５１—
１的 Ｉ
ＮＴ１、Ｐ３．４（起 查 询 作 用 ）
ＲＥＴ
和 Ｐ１．２进 行 控 制 ，
断 电后 启 动后 备 电 源 ，
处 理 完成 后
Ｌ２：
ＬＣＡ ＬＬ Ｌ３
关 闭后 备 电源 。
ＸＲＬ Ａ ， ＃０７Ｈ

Ｍ ０ Ｖ Ｒ２。 Ａ
４ 结束 语
ＤＪＮＺ Ｒ６，Ｌ
Ｌ４：
Ｍ０Ｖ Ｒ７，Ａ ；
校 验 码 放 在 Ｒ７中 本 文 在脉 冲处 理方 面 采 用硬 件 和 软件 防 干扰 相 结
ＣＲＣ循 环 冗 余 码 的校 验 程 序 和 上 述 的 编 码 程 序 合 的方 法 ，
实 现 了高可 靠 的脉 冲采集 ，防止 了脉 冲的 漏
基 本相 同 （Ｒ７的 内容 不 同）。 记和 多 记 ；
采 用循 环 冗 余 编解 码 措 施 和 数 据 备 份 措 施
当采 用 １２Ｍ 晶振 时 ，
上述 编 码 程 序 耗 时 Ｏ．６ ｍｓ，
， 解决 了保 存 数 据 的 可 靠 性 问题 ；
采 用 双 ＣＰＵ 共 用 数
满 足 实时 性 要 求 ，ＣＲＣ码 除 有 辨 错 能 力 外 ，还 有 强 大 据 存储 器 技 术解 决 了脉 冲计 数 和 电力线 载 波 通信 的 实
的纠错 功 能 。 时性 和 引 脚 数 不 足 问题 ，
并 且 实 现 了低 成 本 、高 可 靠
３．２ “看 门 狗”和时 钟芯 片 性、
高 稳 定性 的脉 冲式 采 集终 端 的 脉 冲计 数 功能 、
分时
为 提 高 电路 抗 干扰 能力 ，防止 程 序跑 飞 ，
使用硬件 计 费功 能 和 电力 线 载波 通 信 功 能 。上述 技 术 也 可用 于
“看 门狗 ”是 必要 的 。本 设 计 采 用 两 个 硬 件 “看 门 狗 ”。 其 它产 品 的设 计 ，
如 脉 冲式 水 表 、
气 表 的抄 收 系统 。
ＰＬ２１０１的 ＷＤＩ端 接 ＡＴ８９Ｃ５１—
１的 复 位 端 ，
用 “看 门
参 考 文 簟
狗 ”芯 片 Ｘ２５０４５做 ＡＴ８９Ｃ５１—
２的 “看 门 狗 ”。另 外 ，
Ｘ２５０４５芯 片 的 内部 Ｅ ＰＲ０Ｍ 可 用来 保 存 一 些重 要 参 １ 邹丽新 ，
朱 桂 荣 ．基 于 单 片 机 双 ＣＰＵ 构 成 的 复 杂 系 统 应 用
研 究 ．电 子 工 程 师 ，２００３，
２９（３）：５３￣ ５４ ■
数，
保 存操 作 由 图 ｌ中单 片机 ＡＴ８９Ｃ５１
—１完 成 。

（上 接 第 ３６ 页 ） 们 在 自行 研 制 的高 温 生 长 炉 上 ，
解 决 了物 理 气 相传 输
脉 冲高 功 率测 量 技 术 、
系统 中噪 声 系数 的测 试 、
误差修 法 中生长 Ｓｉ
Ｃ 晶体 的 一 些 关 键 物 理 化 学 问题 ，成 功 地
正 技术 、
ＳＣＭＭ 技术 、大功 率 屏蔽 技 术 、控 制 器 的 控 制 生 长 出 了直 径 为 ２英 寸 的 Ｓｉ
Ｃ 晶体 ，
其 Ｘ 一射线 衍 射
技 术和 自动测 试 系统软 件 编制 。 摇 摆 曲线 达 到 ２弧 分 ，微 管 密 度 已 少 于 １００个 ／ｃｍ２
（１０× １０ｍｍ。样 品 ），这 些 表 征 ｓｉ
Ｃ晶体质量的重要
４ 结束语
参 数 指标 超 过 了 目前 Ｃｒｅ
ｅ公 司 的部 分商 品 的指 标 ，
为
Ｔ／Ｒ组 件 自动 测 试 系 统 由 计 算 机 、可 程 控 仪 器 、 Ｓｉ
Ｃ单 晶 的 国产化 莫 定 了基 础 。
控 制 电路 和 系 统软 件 构 成 ，
可 以完 成 多 参 数 、多频 率 、 以碳 化 硅 （ｓｉ
Ｃ）及 ＧａＮ 为 代 表 的 竟蔡 带 材 料 ，是
多通 道 的 系统参 数 的 测 量 工 作 。实 现 数 据 自动 采 集 、 继 Ｓｉ和 ＧａＡｓ之 后 的 第 三 代半 导 体 。与 ｓｉ相 比 ，ｓｉ
Ｃ
自动误 差 处 理 、
多样 化 数 据 输 出 格 式 。Ｔ／Ｒ 组 件 自动 具 有 宽禁 带 （ｓｉ的 ２～３倍 ）、
高 热导 率 （Ｓｉ的 ３．３倍 ）、
测 试 技术 对 雷 达 的 自动化 研 制 和批 生 产效 率 的 提 高有 高 击 穿 场强 （ｓｉ的 １
０倍 ）、
高 饱 和 电子 漂 移 速 率 （ｓｉ的
着重 要 的意 义 。 ２．５倍 ）、
化学 性 能 稳定 、高硬 度 、
抗 磨 损以 及 高 ｔ 合 能
等优 点 。所 以 ，
ＳｉＣ特别 适 合 于制 造 高 温 、高频 、
高功
参 考 文 献
率、
抗 辐 射 、抗 腐 蚀 的 电 子 器 件 。 Ｓｉ
Ｃ器 件可 用 于航
１ 吕洪 国 ．现 代 网 络 频 谱 测 量 技 术 ．北 京 ：清 华 大 学 出 版 社 ， 天 、通 信 、
海 洋勘 探 、
地震 预报 、
石 油 钻 井 、机 械 加 工 、
２０００ ■
汽车电子化等重要领域 。Ｊ
比夕卜，
六方 ｓｉ
ｃ与 Ｇａ
Ｎ 晶格
和热 膨 胀相 匹配 ，
是 制造 高 亮 度 ＧａＮ 发光 租 激 光 二极
管 的理想 村 底 材料 。此项 科 研 成 果得 到 了中 国科 学 院
知识 仓ｌ
撕 工 程 、国家 基 金 委 、国 家 “８６３ 计 翅 以及 国 家
近 日，中科 院物 理 所 陈 小 龙 研 究 员 领 导 的科 研 小 预先 研 究 基金 等 的 支持 。
组在 碳 化硅 （Ｓｉ
Ｃ）晶体 生长 方 面取 得 了重 大 进 展 。他

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