УРОК 93-94

Тема програми: Напівпровідникові прилади.

Тема уроку: Електричні властивості напівпровідників. Електронна та діркова
електропровідність. Домішковий та тепловий характер провідності.
Мета уроку:
 навчальна: сформувати знання про електричні властивості напівпровідників;
 розвиваюча: розвивати пізнавальну самостійність;
 виховна: виховувати любов до обраної професії;.
Тип уроку: засвоєння нового матеріалу Вид уроку: розповідь
Дидактичне забезпечення: підручник.
Література:
1. Общая электротехника с основами электроники. В.А. Гаврилюк – Киев: Вища школа.
Головное издательство. 1980. – 480 с.

СТРУКТУРА УРОКУ
І. Організаційна частина...............................................................................................................3-4 хв.
ІІ. Мотивація навчальної діяльності..........................................................................................5-10 хв.
ІІІ. Формування нових знань..........................................................................................................45 хв.
ІV. Опитування учнів з метою перевірки засвоєння ними нової інформації.........................8-10 хв.
V. Підведення підсумків..................................................................................................................6 хв.
VІ. Домашнє завдання......................................................................................................................4 хв.

ХІД УРОКУ
І. Організаційна частина

Перевірка наявності учнів;

Перевірка готовності учнів до уроку;
Підготовка кабінету до заняття.

ІІ. Мотивація навчальної діяльності

Оголошення теми програми і уроку.

ІІІ. Формування нових знань.

До напівпровідників відноситься велика кількість речовин і елементів, які по своїх

електричних властивостях займають проміжне положення між провідниками і діелектриками.
Найважливішою ознакою напівпровідників є залежність їх електричних властивостей від
зовнішніх умов: температури, освітленості, тиску, зовнішніх полів і тому подібне Характерна
особливість напівпровідників полягає в зменшенні їх питомого опору із збільшенням температури.
Найбільш широке застосування в напівпровідниковій техніці отримали германій, кремній,
селен, а також напівпровідникові з'єднання типу арсенід галію, карбід кремнію, сульфід кадмію і ін.
Для напівпровідників характерна кристалічна будова, тобто закономірне і впорядковане
розташування їх атомів в просторі. У кристалах зв'язані між собою атоми розташовуються строго
певним чином і на однакових відстанях один від одного, внаслідок чого утворюються своєрідні
грати з атомів, які прийнято називати кристалічною решіткою твердого тіла (мал. 1).
У періодичній системі елементів Д. І. Менделєєва германій знаходиться в четвертій групі. Це
означає, що тільки чотири електрони кожного атома є валентними і беруть участь в хімічних
реакціях і процесах електропровідності. Решта електронів атомів міцно пов'язана зі своїми ядрами.

1
 Мал. 1. Кристалічна решітка германію.

Мал. 2. Ковалентний зв'язокатомів.

Між атомами кристалічної решітки існують зв'язки, утворені валентними електронами, які
взаємодіють не тільки з ядром свого атома, але і з сусідніми. У кристалах германію зв'язок між
двома сусідніми атомами здійснюється двома валентними електронами — поодинці від кожного
атома. Схематично це показано на мал. 2. Такий зв'язок між атомами називається ковалентним.
Під дією зовнішніх чинників деякі валентні електрони атомів кристалічної решітки набувають
енергії, достатньої для звільнення від ковалентних зв'язків. Завдяки цьому в кристалі з'являються
надлишкові вільні електрони.

2
 Мал. 3. До пояснення діркової провідності.

При звільненні електрона з ковалентного зв'язку в ньому виникає як би вільне місце, що

володіє елементарним позитивним зарядом, рівним по абсолютній величині заряду електрона. Таке
місце, що звільнилося в електронному зв'язку, умовно назвали діркою. Оскільки, дірка володіє
позитивним зарядом, то вона може приєднати до себе електрон сусіднього заповненого ковалентного
зв'язку. В результаті цього відновлюється один зв'язок і руйнується сусідній, або, іншими словами,
заповнюється одна дірка і одночасно з цим виникає нова у іншому місці. Цей процес безперервно
повторюється, і дірка, переходячи з одного зв'язку до іншої, переміщатиметься по кристалу, що
рівносильно переміщенню частинки, що має позитивний заряд, рівний по величині заряду електрона.
Якщо зовнішнє електричне поле відсутнє, то як електрони, так і дірки унаслідок теплового руху
переміщаються в кристалі хаотично. Якщо ж на кристал діє електричне поле, то рух дірок і
електронів стає впорядкованим, і в кристалі виникає електричний струм. Щоб зрозуміти, як
переміщаються дірки, розглянемо мал. 3, на якому зображено декілька одних і тих же атомів,
розташованих уздовж напівпровідника, в різні моменти часу. Хай в деякий початковий момент часу
в крайньому атомі 1, розташованому зліва, з'явилася дірка унаслідок того, що з цього атома пішов
електрон. В цьому випадку атом стає зарядженим позитивно і може притягати до себе електрони
сусіднього атома. За наявності електричного поля, направленого зліва направо, електрон атома 2,
рухаючись проти силових ліній поля, заповнить дірку в першому атомі, та зате утворюється нова
дірка в атомі 2 (мал. 3, б).
Послідовно переходячи від одного атома до іншого, дірка через деякий час виникне в
крайньому правому атомі 6 (мал. 15, е), Таким чином, провідність напівпровідника обумовлена
переміщенням як вільних електронів, так і дірок. У першому випадку носії зарядів негативні
(негативні), в другому — позитивні (позитивні). Відповідно розрізняють два види провідності
3
напівпровідників — електронну, або провідність типу n (або слова negative — негативний), і
діркову, або провідність типу р (від слова positive — позитивний).
У хімічно чистому кристалі напівпровідника число дірок завжди рівне числу вільних
електронів, і електричний струм йому утворюється в результаті одночасного перенесення зарядів
обох знаків. Така електронно-діркова провідність називається власною провідністю
напівпровідника.
При цьому загальний струм в напівпровіднику рівний сумі електронного і діркового струмів.
Ця умова може бути записане як

де — густина струму, А/см2; — густина електронної складової струму; — густина

діркової складової струму.
Для виготовлення більшості напівпровідникових приладів необхідно мати напівпровідник з
явно вираженою провідністю одного типу. Переважання одного типу провідності над іншим може
бути досягнуте введенням в напівпровідник атомів інших речовин — д о м і ш о к .
Провідність, викликана присутністю в кристалі напівпровідника домішок із атомів з іншою
валентністю, називається домішковою. Домішки, що викликають в напівпровіднику збільшення
вільних електронів, називаються донорними, а збільшення дірок — акцепторними.
Різна дія домішкових атомів пояснюється таким чином. Припустимо, що в кристал германію,
атоми якого мають чотири валентні електрони (мал. 4, а), введений атом речовини, що має на
зовнішній орбіті не чотири, а п'ять валентних електронів, наприклад атом миш'яку. В цьому
випадку атоми миш'яку своїми чотирма валентними електронами утворюють зв'язок з атомами
кристалічної решітки германію (мал. 15.4, б). П'ятий валентний електрон миш'яку виявиться не
зв'язаним, тобто стане надлишковим (вільним) електроном. Дірка при цьому не утворюється,
оскільки всі валентні зв'язки зберігаються. Напівпровідники, електропровідність, яких покращала
завдяки утворенню надлишку вільних електронів при введенні домішки, називаються
напівпровідниками з електронною провідністю, або скорочено напівпровідниками типу п. Введення в
чотиривалентний напівпровідник тривалентного елементу, наприклад індію (мал. 4, в), приводить,
навпаки, до надлишку дірок над вільними електронами. В цьому випадку ковалентні зв'язки не
будуть повністю завершені, і дірка, що утворилася, може переміщатися по кристалу, створюючи
діркову провідність. Напівпровідники, електропровідність яких обумовлюється в основному рухом
дірок, називаються напівпровідниками з дірковою провідністю, або, скорочено, напівпровідниками
типу р. Електрони в напівпровідниках типу n і дірки в напівпровідниках типу р прийнято називати
основними носіями струму, а невелика кількість електронів в напівпровідниках типу р і дірок в
напівпровідниках типу п — неосновними носіями струму.

Мал. 4. Домішкова провідність германію: а — чистий германій; б — германій з донорною

домішкою; в — германій з акцепторною домішкою.

ІV. Опитування учнів з метою перевірки засвоєння ними нової інформації.

Усне опитування

V. Підведення підсумків.

4
Прийом «Снігова куля»
Учням пропонується закінчити речення: «Сьогодні на уроці я дізнався...»
Оцінювання учнів. Коментування оцінок.

VІ. Домашнє завдання

Опрацювати конспект уроку, п. 15.1., ст. 286 – 289.