Tema 7b – Semiconductors

Tipus de Semiconductors
Ciència i Tecnologia de Materials

Semiconductors intrínsecs: El seu comportament elèctric es basa en l’estructura

electrònica inherent al material pur, és a dir, que no conté cap impuresa, ni
àtoms de cap altre tipus dins la seva estructura.

En aquest cas, la quantitat de buit que deixen els electrons a la banda de

valència al passa a la banda prohibida serà igual a la quantitat d’electrons
lliures que estan presents a la banda de conducció

Semiconductors extrínsecs: Les seves característiques elèctriques estan

determinades per àtoms d’impureses. En aquest cas es diu que l’element esta
dopat

1
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors Intrínsecs

• Estructura de bandes d’electrons:

Ciència i Tecnologia de Materials

ΔE< 2 eV
Si i Ge: es troben al grup IVA de la taula periòdica i
tenen enllaços covalents

Compostos: GaAs (arseniür de gal·li) i InSb (antimoni

d’indi) es troben als grups IIIA i VA. CdS (sulfur de Cadmi) i
ZnTe (tel·luri de zinc) es troben als grups IIB i VIA

Compostos: A mesura que els dos elements estan més

separats amb respecte les seves posicions relatives a la
taula periòdica, l’enllaç atòmic es fa més iònic, la magnitud
Materials amb de l’interval prohibit augmenta i els materials tendeixen a
enllaços de tipus
convertir-se en aïllants (més baixa és la conductivitat)
covalent

2
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors Intrínsecs
Ciència i Tecnologia de Materials

3
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors Intrínsecs
• Cada electró excitat que salta de la banda de valència
cap a la banda de conducció deixa darrera seu un forat
(els enllaços covalents es trenquen i els electrons de la
Ciència i Tecnologia de Materials

banda de valència s’alliberen)

• Per la influencia d’un camp elèctric, la posició d’aquest

forat dins la xarxa cristal·logràfica és ocupada per un
altre electró de valència per a completar l’enllaç i deixa
un altre forat.

• Mentre que l’electró viatja en contra del camp, el forat

atrau electrons i genera un altre forat.

• Aquesta situació es repeteix successivament: el forat

“es mou” com si fos una partícula carregada
positivament.

• Es considera que el forat té una càrrega de la mateixa

quantitat que l’electró però de signe oposat: en
presència d’un camp elèctric electrons i forats excitat
són dispersats per les imperfeccions de la xarxa
4
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors Intrínsecs

Conductivitat intrínseca: en un semiconductor intrínsec existeixen dos tipus de

Ciència i Tecnologia de Materials

transportadors de càrrega (electrons lliures i forats), i es generen el mateix

nombre d’electrons lliures (n) que de forats (p). D’aquesta manera, la
conductivitat σ del semiconductor ve donada per:

σ = n|e|µe + p|e|µf com n=p σ = n|e|(µe + µh)

On µe i µh són la mobilitat d’electrons i forats, respectivament.

5
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors Intrínsecs

Conductivitat intrínseca - Problema

Ciència i Tecnologia de Materials

Per al Si intrínsec, la conductivitat elèctrica a temperatura ambient és 4·10-4

(Ω·m)-1; les mobilitats dels electrons si dels forats són, respectivament 0,14 i
0,048 m2/V·s. Calcular les concentracions d’electrons i forats a temperatura
ambient.


σ = n|e|(µe + µh) n p
e ( e   h )

4·10 4 (·m)1 16 3
n p 19
 1,33·10 m
1,6·10 C (0,14  0,048 m / V ·s)
2

6
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors Extrínsecs
Ciència i Tecnologia de Materials

• Els semiconductors comercials, són extrínsecs. Un semiconductor extrínsec és

aquell que té conductivitat degut a l’efecte de la presència d’impureses, les
quals quan estan presents en inclús petites concentracions, introdueixen
electrons o forats en excés:

- Semiconductors extrínsecs tipus n

- Semiconductors extrínsecs tipus p

7
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors Extrínsecs tipus n

Semiconductors extrínsecs tipus n

Ciència i Tecnologia de Materials

L’energia d’enllaç de l’electró dèbilment lligat correspon a l’energia requerida per

a excitar l’electró des d’un dels estats de la impuresa a un estat dins de la
banda de conducció. Cada excitació subministra o dóna un electró a la banda
de conducció: impuresa DONADORA
8
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors Extrínsecs tipus n

Semiconductors extrínsecs tipus n

Ciència i Tecnologia de Materials

• Impuresa DONADORA: Cada electró cedit pel donador és excitat a partir d’un nivell
d’energia d’impuresa, no es forma un forat en la banda de valència.

• A T ambient, l’energia tèrmica és suficient per a excitar un gran nombre d’electrons a

partir d’estats donadors, també tenen lloc transicions intrínseques (quantitat
insignificant).

• Nombre d’electrons ala banda de conducció >> nombre de forats en la banda de

valència (n>>p)

9
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors Extrínsecs tipus n

Semiconductors extrínsecs tipus n

Ciència i Tecnologia de Materials

Majoritàriament, la conducció vindrà

donada pels electrons lliures provinents de
les impureses, mentre que els forats seran
minoritaris.

Així, la conductivitat MAJORITÀRIAMENT

vindrà
donada per:

σ = n|e|µe + p|e|µh ≈ n|e|µe

El nivell de Fermi esta desplaçat cap a l’interval prohibit, a posicions properes als estats
donadors, la seva posició exacta és una funció de la temperatura i de la concentració de
donadors.
10
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors extrínsecs

Semiconductors extrínsecs tipus p

Ciència i Tecnologia de Materials

El forat pot ser alliberat de l’àtom d’impuresa per la transferència d’un electró des d’un
enllaç adjacent (l’electró i el forat intercanvien posicions). Un forat mòbil es considera un
estat excitat i participa en el procés de conducció. Les impureses proporciones forats que
actuen com a ACCEPTADORS

11
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors extrínsecs

Semiconductors extrínsecs tipus p

Ciència i Tecnologia de Materials

• Cada àtom d’impuresa introdueix un nivell d’energia dins l’interval prohibit prop de la
banda de valència (es crea un forat a la banda de valència)

• No es crea un electró lliure en el nivell de la impuresa ni en la banda de conducció

impuresa acceptadora perquè és capaç d’acceptar un electró de la banda de valència
(deixant un forat enrere)

• La concentració de forats és molt més gran que la d’electrons (p>>n)

12
 Tema 7b – Semiconductors
Semiconductors extrínsecs

Semiconductors extrínsecs tipus p

Ciència i Tecnologia de Materials

Majoritàriament, la conducció vindrà donada

pels forats provinents de les impureses,
mentre que els electrons lliures seran
minoritaris.

Així, la conductivitat MAJORITÀRIAMENT

vindrà donada per:

σ = n|e|µe + p|e|µh ≈ p|e|µh

El nivell de Fermi esta desplaçat cap a l’interval prohibit, a posicions properes als estats
acceptadorss, la seva posició exacta és una funció de la temperatura i de la concentració
de donadors.

13
 Tema 7b – Semiconductors
Dependència de la conductivitat i la concentració d’electrons amb la temperatura
Ciència i Tecnologia de Materials

Semiconductor intrínsec: el
nombre d’electrons activat
augmenta amb la temperatura

↑ T: ↑ energia tèrmica per excitar

electrons de la banda de valència a la
conducció. Per tant els valors de n i p (Si)
augmenten.

↑ T: les mobilitats d’electrons i forats

disminueixen ja que hi ha més
dispersions per les vibracions
tèrmiques

→ Efecte net: l’augment de T produeix

un augment de la conductivitat

14
 Tema 7b – Semiconductors
Dependència de la conductivitat i la concentració d’electrons amb la temperatura
Ciència i Tecnologia de Materials

Semiconductor intrínsec: el
nombre d’electrons activats
augmenta amb la temperatura

 Eg

   0 ·e 2 K BT

(Si)

σ0 = Constant independent de la T.
Eg = Interval prohibit d’energia.
K = constant de Boltzmann: 8,62·10-5 eV/K

Eg
ln   ln  0 
2 K BT
15
 Tema 7b – Semiconductors
Dependència de la conductivitat i la concentració d’electrons amb la temperatura

Semiconductor extrínsec:
Ciència i Tecnologia de Materials

Semiconductor dopat amb impureses →

la conductivitat depèn de l’augment
d’electrons (n) o forats (p)

1. La σ augmenta amb la T.

2. La σ arriba a un màxim: Saturació del (Si)

semiconductor.

3. Finalment, hi ha una disminució de la σ

amb la temperatura, donat a la reducció
en la mobilitat dels forats a l’augmentar
la T. En aquesta regió tant n com p són
independents de la T i la dependència
de la T ve només de la mobilitat

16
 Tema 7b – Semiconductors
Dependència de la conductivitat i la concentració d’electrons amb la temperatura
Ciència i Tecnologia de Materials

Semiconductor extrínsec: la
conductivitat depèn de la
concentració de n o p

Com l’augment de n i p a l’augmentar la T és molt

major que la disminució de les mobilitats, la
dependència de la concentració de transportadors
respecte a la T el comportament és virtualment el
mateix que per a la σ
(Si)
𝐸𝑔
ln 𝑛 = ln 𝑝 ≅ 𝐶′ −
2𝑘𝑇

C’ és una constant independent de la T (ln σ0)

Una vegada tots aquests electrons o forats

han estat activats, el semiconductor es
SATURA

17
 Tema 7b – Semiconductors
Dependència de la conductivitat i la concentració d’electrons amb la temperatura
Ciència i Tecnologia de Materials

Semiconductor extrínsec: la
conductivitat depèn de la
concentració de n o p

• El semiconductor extrínsec té una

conductivitat molt gran a temperatures
baixes en comparació a la del intrínsec, ja
que aporta electrons o forats conductors

• Quan la conductivitat dels semiconductors

extrínsecs es fa intrínseca, el nombre de
transicions intrínseques des de la banda de
valència a la banda de conducció supera el
nombre de forats generats extrínsecament.

• La σ↑ quan ↑%dopant: hi ha més àtoms de

B a partir dels quals es poden generar
forats. A més la T a la que començael
comportament intrínsec és més eleada a
mesura que la concentració de l’element
dopant augmenta

18
 Tema 7b – Semiconductors
Dependència de la conductivitat i la concentració d’electrons amb la temperatura
Ciència i Tecnologia de Materials

Semiconductor extrínsec: la
conductivitat depèn de la
concentració de n o p

1. La concentració de forats augmenta, les

excitacions extrínseques són possibles ja
que el nivell energètic dels acceptadors
estan just per sota del màxim de la banda
de valència.

2. La concentració de forats eventualment

es torna independent de la T. En aquest
punt, virtualment tots els àtoms de B han
acceptat electrons de la banda de
valència (les impureses donadores
s’esgoten enlloc de saturar-se →
regió de saturació
En aquesta regió p ≈nombre àtoms
impureses donants (B)

19
 Tema 7b – Semiconductors
Dependència de la conductivitat i la concentració d’electrons amb la temperatura
Ciència i Tecnologia de Materials

Aquesta corba general es

pot aplicar a qualsevol
semiconductor i permet
calcular el valor de
l’interval d'energia prohibit
(Eg)

20
 Tema 7b – Semiconductors
Exercicis Callister: 11/12/23/32/37/39/41
Exercicis complementaris: 7.2
Ciència i Tecnologia de Materials

Problema 19.32

a) La conductivitat elèctrica del silici a temperatura ambient d’una mostra

de Si és 500 (Ω·m)-1. Es sap que la concentració d’electrons és
2,0·1022 m-3. Utilitzant les dades de les mobilitats dels electrons i els
forats per al Si, calcular la concentració de forats.
b) En base al resultat de l'apartat a), és la mostra intrínseca, extrínseca
de tipus n o extrínseca de tipus p, per què?

21
 Tema 7b – Semiconductors
Problema 19.32

a) La conductivitat elèctrica del silici a temperatura ambient d’una mostra de Si

Ciència i Tecnologia de Materials

és 500 (Ω·m)-1. Es sap que la concentració d’electrons és 2,0·1022 m-3.

Utilitzant les dades de les mobilitats dels electrons i els forats per al Si,
calcular la concentració de forats.

La conductivitat d’un semiconductor ve donada per :

  n e e  p e h

  n e e
p
e h
22
 Tema 7b – Semiconductors

  n e e
Problema 19.32

p
e h
Ciència i Tecnologia de Materials

2
1 3 19 m
500 (·m)  2,0·10 m ·1,6·10
22
C·0,14
p V ·s
2
19 m
1,6·10 C·0,05
V ·s
1 1
500 (·m)  448 (·m) 21 3
p 21 2 1
 6,5·10 m
8·10 m ·
23
 Tema 7b – Semiconductors
Problema 19.32

b) En base al resultat de l'apartat a), és la mostra intrínseca, extrínseca

Ciència i Tecnologia de Materials

de tipus n o extrínseca de tipus p, per què?

n= 2,0·1022 m-3
Com n>p es tracta d’un semiconductor extrínsec
tipus n
p= 6,5·1021 m-3

24
 Tema 7b – Semiconductors
Problema 19.37

Utilitzant les dades de la taula, estimar la conductivitat del GaAs a 150ºC

Ciència i Tecnologia de Materials

25
 Tema 7b – Semiconductors
Problema 19.37

Utilitzant les dades de la taula, estimar la conductivitat del GaAs a 150ºC

Ciència i Tecnologia de Materials

 Eg
Eg
ln  (150ºC ) C
2 k BT    0 ·e 2 K BT

26
 Tema 7b – Semiconductors
Problema 19.37

Utilitzant les dades de la taula, estimar la conductivitat del GaAs a 150ºC

Ciència i Tecnologia de Materials

?
Eg = 1,42 eV
Eg De la taula:
ln  (150ºC ) C K= 8,617·10-5 eV/K
T= 423 K
2kT
σ (25 ºC) = 10-6 (Ω·m)-1

C: constant independent de la T

Eg
ln  ( 25ºC ) C
2kT

Eg 1,42 eV
C  ln    13,81  5
 13,83
2kT 2·8,62·10 eV / K·298 K 27
 Tema 7b – Semiconductors
Problema 19.37
Ciència i Tecnologia de Materials

Coneixent el valor de la constant C aleshores:

Eg  Eg 
ln  (150ºC ) C  C 
2kT  e  2 kT 

 1, 42eV 
 13,83 5

 e  2·8 , 62·10 eV / K ·423K  3
 3,55·10 (·m) 1

28