BÀI TẬP VẬT LÝ CHẤT RẮN

CHƯƠNG I: TINH THỂ CHẤT RẮN

1. Vẽ tất cả các mặt đối xứng (phản xạ gương), các trục đối xứng của một ô lập phương.
Gợi ý: có tất cả 9 mặt đối xứng, 3 trục 4, 4 trục 3 và 6 trục 2.
2. Điền vào các chỗ trống ở trong bảng sau:

Mạng lập phương

P I F

Cạnh của ô đơn vị a a a

Thể tích của ô đơn vị a3 a3 a3

Số nút mạng có trong 1 ô đơn vị … … …

Thể tích của ô nguyên tố … … …

Số nút mạng có trong 1 đơn vị thể tích … … …

Số nút lân cận gần nhất … … …

Khoảng cách giữa các nút lân cận gần

… … …
nhất

3. Xác định chỉ số của chiều của đường thẳng đi qua hai nút 100 và 001 của mạng lập
phương P.
4. Xác định chỉ số Miller của mặt đi qua các nút 200, 010, 001 của mạng lập phương P.
5. Xác định chỉ số Miller của các mặt song song với trục Oz và cắt mặt xOy theo các
đường như ở hình 1. a, b và c là các vecto tịnh tiến cơ sở. Rút ra những kết luận.

Hình 1

1
6. Vẽ các mặt (110), (212), (001) và (120) của tinh thể lập phương.
7. Chứng minh trong hệ lập phương khoảng cách dhkl giữa hai mặt có chỉ số Miller (hkl)
bằng
a
dhkl =
√h2 +k2 +l2

trong đó a là hằng số mạng.

𝑎 𝑎 𝑎
Gợi ý: Mặt (hkl) gần gốc tọa độ nhất cắt hệ trục tọa độ ở các tọa độ , , .
ℎ 𝑘 𝑙

8. Tính khoảng cách giữa các mặt lân cận trong họ mặt (111) trong vật liệu kết tinh theo
mạng lập phương tâm mặt với bán kính nguyên tử r.
4𝑟
Đáp số: 𝑑111 =
√6

9. Khoảng cách giữa hai nguyên tử lân cận trong tinh thể ClNa bằng 0,282 nm. Tính khối
lượng riêng của ClNa.
Đáp số: ρ = 2,16.103 kg/m3.
10. Tính hằng số mạng của Si.
Đáp số: a = 5,43 A.
11. Xác định a và c của mạng tinh thể Mg có cấu trúc lục giác xếp chặt.
Đáp số: a = 3,2 A, c = 5,21 A.
12. Chứng minh trong cấu trúc lục giác xếp chặt, tỉ số c/a = a3/a1 = 1,633.
13. Tính hệ số lấp đầy của mạng kim cương và của cấu trúc xếp chặt.
Đáp số: 0,34 và 0,74.
14. Tính khối lượng riêng của CsCl. Biết bán kính ion của Cs bằng 0,167 nm và của Cl
bằng 0,181 nm.
Đáp số: 4310 kg/m3.
15. Xác định số ô đơn vị có trong một đơn vị thể tích của tinh thể
a) ClCs (lập phương P)
b) Cu (lập phương tâm mặt F) và
c) Co (lục giác xếp chặt). Cho biết khối lượng riêng của ClCs bằng 4,027.103 kg/m3.
Đáp số: a) 1,44.1028 m-3, b) 2,1.1028 m-3, c)4,5.1028 m-3
16. Cr kết tinh theo mạng lập phương tâm khối. Từ phép phân tích nhiễu xạ tia X, suy
được khoảng cách giữa hai mặt lân cận thuộc họ mặt (211) d = 1,18 A. Hãy xác định
khối lượng riêng của tinh thể Cr.
Cho biết khối lượng của 1 mol Cr bằng 50,0 g.

2
17. Khi dùng chùm tia X với bước sóng 1,54 A, tinh thể lập phương cho cực đại nhiễu
xạ dưới góc 33 từ họ mặt (130). Xác định hằng số mạng của tinh thể đó.
Đáp số: a = 4,47 A.
18. Kim loại kết tinh theo mạng lập phương cho nhiễu xạ từ họ mặt (111) dưới góc 2262
với bước song của tia X  = 1,54 A. Kim loại đó có thể là chất gì, Al, Cu hay Cr?
Trả lời: Cu.
19. Cho tinh thể Silic có:
Silic
Kiểu mạng F
1 1 1
Cơ sở Si(0,0,0) Si( , , )
4 4 4
Nồng độ hạt
4,996.1028
3
(hạt/m )

a) Tính hằng số mạng a của Silic?

b) Tính bán kính r của nguyên tử Silic?
c) Tính hệ số lấp đầy của Silic?
20. Cho tinh thể Magnesium có:
Magnesium (Mg)
Cấu trúc Lục giác xếp chặt
c 8
1, 633 =
a 3
Nồng độ hạt
4,315.1028
3
(hạt/m ),

a) Tính hằng số mạng a của Magnesium?

b) Tính bán kính r của nguyên tử Magnesium?
c) Tính hệ số lấp đầy của Magnesium?
21. Hằng số mạng của tinh thể lập phương tâm mặt là 4,75 A. Xác định mật độ khối của
nguyên tử?
ĐS: 3,73. 1022 cm-3

3
22. Mật độ khối của nguyên tử trong mạng lập phương nguyên thủy là 3.1022 cm-3. Xác
định hằng số mạng và bán kính nguyên tử?
ĐS: a0 = 3,22A, r = 1,61A.

23. Xác định khoảng cách giữa hai mặt (110) gần nhất trong mạng lập phương nguyên
thủy với hằng số mạng a0 = 4,83A
ĐS: 3,42A

24. Hằng số mạng của tinh thể lập phương tâm mặt là 4,75A. Hãy xác định mật độ mặt
của nguyên tử của (a) mặt (100) và (b) mặt (110)
ĐS: (a) 8,86.1014 cm-2, (b) 6,27.1014 cm-2.

4
 CHƯƠNG IV: TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA TINH THỂ CHẤT RẮN
1. Tính nhiệt dung riêng c của tinh thể nhôm và đồng theo lí thuyết nhiệt dung cổ điển.
Đáp số: cAl = 924 J/(kg.độ), cCu = 392 J/(kg.độ).
2. Xác định nhiệt dung của một đơn vị thể tích của tinh thể AlBr3 theo lí thuyết nhiệt
dung cổ điển. Khối lượng riêng của tinh thể Brômua nhôm ρ = 3,01.103 kg/m3.
Đáp số: c = 1,12 MJ/(m3.độ).
3. Xác định nhiệt dung riêng và độ thay đổi nội năng của tinh thể Ni khi làm nóng nó từ
T1 = 0C đến T2 = 200C. Khối lượng của tinh thể m = 20 g.
Đáp số: criêng = … J/(kg.độ), U = 1700 J
4. Tìm tần số dao động của các nguyên tử Bạc theo lí thuyết nhiệt dung của Einstein nếu
nhiệt độ đặc trưng của Bạc E = h/k = 165 K.
Đáp số:  = 3,44.1012 Hz.
5. Xác định tỉ số của năng lượng của dao động tử lượng tử tính theo lí thuyết Einstein
trên năng lượng trung bình của chuyển động nhiệt của các phân tử khí lí tưởng ở nhiệt
độ T = E = h/k.
Đáp số: Tỉ số bằng 1,155.
6. Dùng lí thuyết nhiệt dung của Einstein, tính độ biến thiên U của nội năng của một
mol tinh thể khi làm nóng nó lên 2 từ nhiệt độ T = E/2.
Đáp số: U = 36 J.
7. Để làm nóng 10 g Bạc từ 10K lên 20K cần nhiệt lượng Q = 0,71J. Xác định nhiệt độ
đặc trưng Debye D của Bạc. Xem T<< D.
Đáp số: D = 212 K.
8. Xác định năng lượng của phonon tương ứng với tần số  = 0,1 max. Vận tốc âm trung
bình trong tinh thể v = 1380 m/sec, nhiệt độ Debye D = 100 K. Bỏ qua sự tán sắc của
các sóng âm trong tinh thể.
Đáp số: p = 10-25 N/sec.
9. Xác định vận tốc âm của tinh thể có nhiệt độ Debye D = 300K và a = 2,5A (bỏ qua
sự tán sắc của sóng trong tinh thể).
Đáp số: v = 3127 m/sec.
10. Nhiệt độ Debye của Vonfram D =310K. Xác định bước sóng của phonon tương ứng
với tần số  = 0,1max. Tính vận tốc âm trung bình trong Vonfram (bỏ qua sự tán sắc
của sóng trong tinh thể). Cho biết W kết tinh trong mạng LP I.
Đáp số: v = 4084 m/sec,  = 63,2 A.

5
6
 CHƯƠNG V: KHÍ ELECTRON TỰ DO
1. Một mẫu tinh thể sắt có kích thước 10x2x3 mm3. Điện trở đo được dọc theo chiều dài
của nó bằng 1,62.10-4 Ω. Xác định độ linh động của electron trong mẫu sắt đó. Xem
mỗi nguyên tử sắt đóng góp 2 electron tự do.
Đáp số: 3,78.10-4 m2/V.s.
2. Mỗi nguyên tử nhôm đóng góp trung bình 3,5 electron dẫn. Xác định vận tốc cuốn
trong dây nhôm đường kính 2,1 mm khi có dòng 20 A chạy qua.
Đáp số: 0,17 mm/s.
3. Hỏi vận tốc cuốn trong dây Bạc khi có dòng với mật độ 150 mA/mm2 chạy qua. Biết
mỗi nguyên tử Bạc đóng góp 1,3 electron tự do.
Đáp số: 1,23.10-3 cm/s.
4. Cho một dòng điện chạy qua một mạch gồm một đoạn dây đồng được nối với một
đoạn dây nhôm có đường kính gấp đôi đường kính của dây đồng. Nồng độ electron
của đồng và của nhôm tương ứng bằng 1,1.1029 m-3 và 2,1.1029 m-3. So sánh vận tốc
cuốn trong hai đoạn dây.
Đáp số: 7,6 lần.
5. Một bản Kali tải dòng với mật độ 470 kA/m2. Vận tốc cuốn của các electron khi đó
bằng 0,2 mm/s. Cho biết khối lượng riêng của K bằng 860 kg/m3. Tính số electron dẫn
mà mỗi nguyên tử K đóng góp.
Đáp số: 1,1 electron.
6. Cho biết độ dẫn điện của kim loại K bằng 1,39.107 Ω-1m-1 và nồng độ electron tự do
bằng 1,4.1028 m-3. Tính thời gian hồi phục.
Đáp số: 3,5.10-14 s.
7. Độ dẫn điện của Cu và Al ở nhiệt độ phòng tương ứng bằng
σCu = 5,9.107 Ω-1m-1,
σAl = 3,8.107 Ω-1m-1.
Tính quãng đường tự do trung bình của electron tự do trong đồng và nhôm ở nhiệt độ
phòng. Cho biết Cu có hóa trị 1 và Al có hóa trị 3.
Đáp số: lCu = 390 A, lAl = 151 A.
8. Các electron trong một mẫu đồng đặt trong điện trường 500 V/m có vận tốc cuốn vd =
2,16 m/s. Đánh giá:
a) độ linh động
b) thời gian hồi phục của các electron.
Đáp số: a) u = 4,32.10-3 m2/V.s, b)  = 2,46.10-14 s.
9. Điện trở suất của một mẫu đồng bằng 1,77.10-8 Ω.m. Tính:
7
 a) Thời gian hồi phục
b) Vận tốc cuốn trung bình của các electron trong điện trường 100 V/m.
Cho biết đồng kết tinh theo mạng lập phương tâm mặt, cạnh của ô đơn vị bằng 3,61 A
và một nguyên tử đồng cho 1 electron dẫn.
Đáp số: a)  = 2,37.10-14 s, b) v = 0,416 m/s.
10. Tính năng lượng Fermi của khí electron trong Li. Cho biết khối lượng hiệu dụng của
các electron tự do trong Li bằng 2,2 m0.
Đáp số: 2,14 eV.
11. Ở nhiệt độ bình thường, nhiệt dung của khí electron rất nhỏ hơn giá trị tính theo
phương pháp cổ điển. Hỏi ở nhiệt độ nào nhiệt dung của khí Fermi bằng 10% nhiệt
dụng của khí cổ điển? Tính với EF = 5 eV.
Đáp số: 1800 K.
12. a) Tính vận tốc cuốn của các electron trong dây đồng có tiết diện 1 mm2 khi có dòng
1 A chạy qua.
b) Tính năng lượng Fermi EF. Nếu một chất khí có năng lượng nhiệt trung bình bằng
năng lượng EF đó thì nhiệt độ của nó bằng bao nhiêu?
c) Tính năng lượng trung bình trên 1 electron trong kim loại ở nhiệt độ 0 K.
Cho biết đồng có hóa trị 1, khối lượng riêng = 9 g/cm3, khối lượng mol = 64 g/mol.
Đáp số: a) vd = 7.10-5 m/sec, b) EF (0K) = 6,95 eV, TF = 80500 K, c) 3EF/5.
13. Bạc có khối lượng riêng bằng 10,5.103 kg/m3 và khối lượng mol 108 g. Năng lượng
Fermi EF = 5,51 eV. Giả thử mỗi nguyên tử Bạc đóng góp 1 electron tự do và quãng
đường bay tự do trung bình của các electron bằng 200 lần khoảng cách giữa các
nguyên tử trong mạng tinh thể. Đánh giá điện trở suất của Bạc. Cho biết Ag kết tinh
theo mạng lập phương tâm mặt.
Đáp số: 1,64.10-8 Ωm.
14. So sánh các vận tốc sau đây khi có dòng điện 5 A chạy qua một dây Bạc đường kính
0,1 cm ở nhiệt độ phòng:
a) Vận tốc electron ở mức Fermi.
b) Vận tốc của chuyển động nhiệt.
c) Vận tốc cuốn với giả thiết tất cả electron hóa trị đóng góp vào dòng điện.
Đáp số: a) 1,4.108 cm/s, b) 1,2.107 cm/s, c) 0,068 cm/s.
15. Điện trở suất của dây dẫn bằng bạc ở nhiệt độ phòng là ρ =1,54.10-8
Ωm. Trong một cm3 bạc có 5,8.1022 electron tự do. Tính độ linh động và thời
gian hồi phục của electron. Tính vận tốc chuyển động có hướng của electron trong
dây bạc, biết điện trường trong dây là 1 V/cm.

8
16. Tỉ số điện dẫn suất của bạc và đồng là 1,06. Hãy xác định tỉ số độ
linh động của hai kim loại đó, giả thiết cứ mỗi nguyên tử thì có một electron tự do.
Cho biết khối lượng nguyên tử MAg=107,88; MCu=63,5; khối lượng riêng của
Ag=10500 kg/m3; của Cu=8890 kg/m3.

9
 CHƯƠNG VII: CÁC CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN

1. Cho một chất bán dẫn riêng. Biết điện trở suất của vật liệu bằng 3,15.10-1 Ω.m và số
electron tải điện bằng 1.1013 cm-3. Hãy xác định độ linh động của các electron (giả
thiết un = 3up).
Đáp số: un = 1,49 m2/V.s
2. Tính tỉ số của electron trong vùng dẫn ở 100C và ở 25C trong chất bán dẫn riêng
PbS có độ rộng vùng cấm Eg = 0,37 eV.
Đáp số: 5,95
3. Tính số phần trăm của điện tích được tải bởi lỗ trống trong mẫu Ge ở nhiệt độ phòng.
Cho biết un = 3900 cm2/V.s, up = 1900 cm2/V.s.
Đáp số: 32,4%
4. Ở nhiệt độ nào độ dẫn điện của chất bán dẫn riêng Si bằng độ dẫn điện của Ge ở 300
K? Cho biết ở 300 K:
với Ge: ni = 2,4.1013 cm-3, un = 3900 cm2/V.s, up = 1900 cm2/V.s,
với Si: ni = 1,45.1010 cm-3, un = 1350 cm2/V.s, up = 480 cm2/V.s, Eg = 1,1 eV.
Đáp số: T = 502 K
5. Các điện tử trong vùng dẫn của Si có khối lượng hiệu dụng mn = 0,259 m0 và độ linh
động un = 0,1350 m2/V.s và các lỗ trống trong vùng hóa trị có mp = 0,537 m0 và up =
0,0480 m2/V.s. Tính thời gian hồi phục trung bình của điện tử và lỗ trống.
Đáp số: n = 1,99.10-13 s và p = 1,47.10-13 s
6. Trong mô hình đơn giản, giả thử Ge có Eg = 0,670 eV, khối lượng hiệu dụng mn =
0,550 m0 và mp = 0,370 m0. Tính:
a) Năng lượng Fermi đối với đỉnh của vùng hóa trị ở 0 K và 300 K.
b) Xác suất lấp đầy của trạng thái ở đáy vùng dẫn ở 300 K.
c) Nồng độ điện tử trong vùng dẫn ở 300 K.
Đáp số: a) EF (0 K) = 0,335 eV và EF (300 K) = (0,335-7,69.10-3) eV
b) f(EC) = 1,74.10-6
c) n = 1,80.1019 electron/m3
7. Trong chất bán dẫn Ge có pha tạp P. Giả thử 1 trong 5 electron hóa trị của P chuyển
động quanh ion P+ theo quĩ đạo Bohr trong mạng Ge.
a) Tính bán kính của quĩ đạo Bohr thứ nhất của electron.
b) Tính năng lượng ion hóa của P trong tinh thể Ge. So sánh năng lượng này với độ
rộng vùng cấm của Ge và với năng lượng nhiệt kT ở nhiệt độ phòng.
Cho biết khối lượng hiệu dụng của electron mn = 0,2 m0 và εr = 16.
10
 Đáp số: a) a0 = 4,23 nm, b) Ei = 0,011 eV
8. Lớp chuyển tiếp P-N Si có nồng độ ac-xep-to và đô-no tương ứng bằng 1,0.1020 m-3 và
7,0.1021 m-3. Xác định thế hiệu tiếp xúc ở nhiệt độ phòng.
Đáp số: U0 = 0,567 V
9. Xét Si có chứa 6.1016 nguyên tử As trong 1 cm3 ở nhiệt độ phòng. Biết trong trạng thái
cân bằng n0 = 5.1016 cm-3.
a) Mẫu này còn chứa một loại tạp chất khác (có thể là P hoặc B). Hãy xác định loại
tạp chất (có giải thích) và nồng độ của loại tạp chất đó.
(xem các tạp chất đều đã bị ion hóa hết),
b) Xác định nồng độ lỗ trống cân bằng trong mẫu. Biết ni = 1,5.1016 cm-3.
c) Xác định mức Fermi trong mẫu so với mức nằm giữa vùng cấm.
Đáp số: b) p0 = 4,5.10-3 cm-3, c) EF – Ei = 0,389 eV
10. Có hai phiến Si và GaAs có cùng đường kính 3 inch và dày 0,5 mm. Vì không ghi
nhãn trên các phiến đó, để phân biệt chúng có thể dùng phương pháp cân được
không? Hãy xác định khối lượng của hai phiến. Biết hằng số mạng của tinh thể Si và
GaAs lần lượt bằng 0,543 nm và 0,565 nm và khối lượng mol của Si, Ga và As bằng
28,09 g/mol và 69,72 g/mol và 74,92 g/mol.
11. Một chuyển tiếp P-N được chế tạo bằng Si. Ở nhiệt độ phòng Si được pha tạp sao cho
ở phía P EF = EV + 2KT và ở phía N EF = EC – EG/4. Vẽ giản đồ vùng năng lượng
trong điều kiện cân bằng. Xác định thế hiệu tiếp xúc từ giản đồ đó.
12. Xác định mức Fermi của Ge tinh khiết ở nhiệt độ phòng. Khi pha tạp để mức Fermi
cách đáy vùng dẫn 0,2 eV thì nồng độ điện tử trong vùng dẫn bằng bao nhiêu? Cho
biết mật độ trạng thái hiệu dụng của vùng dẫn và vùng hóa trị ở nhiệt độ phòng tương
ứng bằng 1,04.1025 m-3 và 6,0.1024 m-3, độ rộng vùng cấm ở nhiệt độ phòng = 0,67
eV.
13. Pha tạp Asen có hóa trị 5 với nồng độ 7.1022 (hạt/m3) vào bán dẫn thuần Si. Sau đó ta
tiến hành pha tạp Boron có hóa trị 3 với nồng độ 2.1022 (hạt/m3)
a) Tính nồng độ electron và nồng độ lỗ trống trong bán dẫn Silic ở trạng thái cân
bằng sau khi đã pha tạp ở nhiệt độ phòng? Biết ni = 1,5.1022 (hạt/m3). Giả sử các
nguyên tử pha tạp đã được ion hóa hết ở nhiệt độ phòng.
b) Xác định mức Fermi trong mẫu so với mức nằm giữa vùng cấm ở nhiệt độ phòng
(300K)?
k B = 8, 62.10−5 eV K −1 = 1.38.10−23 J K −1

14. Tính nồng độ hạt tải thuần ở 200oC của bán dẫn Si có nồng độ Đô-no pha tạp là 4.1022
hạt/m3. Sau đó hãy đưa ra nhận xét về sự ảnh hưởng của nhiệt độ lên bán dẫn pha tạp.
mn = 0.55mo
Biết
m p = 0,37mo

11
15. Năng lượng vùng cấm của GaAs là 1,42 eV.
(a) Xác định tần số nhỏ nhất của bức xạ photon tới để một electron ở vùng hóa trị có
thể nhảy lên vùng dẫn.
(b) Bước sóng tương ứng là bao nhiêu?
16. Tính nồng độ hạt tải thuần của GaAs tại 300 K và 450 K. Cho biết Nc và Nv tại
300 K của GaAs lần lượt là 4,7.1017 cm-3 và 7,0.1018 cm-3. Cả hai Nc và Nv đều tỉ lệ với
T3/2. Giả sử độ rộng vùng cấm của GaAs là 1,42eV và không thay đổi theo nhiệt độ. Giá
trị của kT tại 300 K là 0,0259 eV.

ĐS: T = 300 K, 𝑛𝑖 = 2,26. 106 𝑐𝑚−3 , Tại T = 450 K, 𝑛𝑖 = 3,85. 1010 𝑐𝑚−3

17. Mẫu Ge, có Eg = 0,75 eV, được pha Sb hóa trị 5 với nồng độ 1023 m-3. Cho
rằng ở nhiệt độ phòng, mọi nguyên tử Sb đều bị ion hoá. Hãy xác định mật
độ ne và np. Coi như mật độ electron chỉ được xác định bởi các tâm dono. Hãy
tính điện trở suất của mẫu bán dẫn ở nhiệt độ phòng, nếu độ linh động µe =
0,38 m2/Vs và µp= 0,18 m2/Vs
ĐS: ni = 1,27.1019m-3,  = 1,64.10-2 .m
18. Hãy xác định vị trí mức Fermi ở 27°C cho bán dẫn InSb, cho biết độ rộng
dải cấm là 0,2 eV và tỷ số mp/mn = 20.

12