МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІНФРАСТРУКТУРИ ТА ТЕХНОЛОГІЙ

КИІВСЬКИЙ ІНСТИТУТ ВОДНОГО ТРАНСПОРТУ ІМЕНІ
ГЕТЬМАНА ПЕТРА КОНАШЕВИЧА – САГАЙДАЧНОГО

ФАКУЛЬТЕТ ЕКСПЛУАТАЦІЇ ТЕХНІЧНИХ СИСТЕМ НА ВОДНОМУ

ТРАНСПОРТІ

КАФЕДРА ЕЛЕКТРООБЛАДНАННЯ ТА АВТОМАТИКИ ВОДНОГО

ТРАНСПОРТУ

МЕТОДИЧНЙ ПОСІБНИК
для виконання практичних робот з дисциплін

ЕЛЕКТРОНІКА ТА СХЕМОТЕХНІКА

Рівень вищої початковий (короткий цикл)

освіти:
Галузь знань: 27 Транспорт

Спеціальність: 271 «Річковий та морський транспорт»

Спеціалізація: Експлуатація суднового електрообладнання і засобів
автоматики

Київ - 2022р.
 Практичне заняття №1
Спектри сигналів.

Приклад 1. Розрахувати спектр періодичної послідовності прямокутних

імпульсів c амплітудою Vm=0 , 5 В , тривалістю τ =1 мкс і періодом проходження
T =2 τ=2 мкс . Визначити ширину спектра сигналу.
Побудувати тимчасову і спектральну діаграми заданого сигналу.

Рішення
Побудуємо тимчасову діаграму сигналу.

0.6

0.4
s( t )

0.2

0
5 0 5 10
t
Рисунок 1.
В аналітичному виді сигнал на протязі одного періоду може бути
записаний
{
s ( t )= Vm , 0<t< τ
0 , τ <t <T
Для отримання спектру сигналу, тимчасова діаграма якого показана на
рис. 1, необхідно розкласти його в ряд Фур'є.
Визначимо коефіцієнти розкладання в ряд Фур'є a k і bk
N
s ( t )  a 
0  ak cos (1kt)  b k sin(1kt)
k 1
2π
де N – число гармонік; ω 1= T - частота першої (головної) гармоніки.
Розрахуємо частоти перших п’яти гармонік, як ω k =k × ω 1:
6
  3.142 10
1
6
  6.283 10
2
6
  9.425 10
3
7
  1.257 10
4
7
  1.571 10
5

Коефіцієнти ряду s(t ), при цьому позначимо t 0=τ – тривалість імпульса

t0 t0 де k t0
1  2  2 
a    Vmd t a    Vm cos ( k  1  t) d t– b    Vm sin ( k  1  t) d t
0 T  k T  k T 
0 0 0

номер гармоніки.
 T t0 T
a 0=
1
∫ Vm dt= T1 ∫ Vm dt + T1 ∫ Vm dt= Vm
T 0 0 t0 T
t t 0=
0
Vm ×t 0
T T |
t 0 Vm
−0=Vm =
η
T
де η= t 0 – скважність імпульсів.
Vm
a 0= =0.25
2
Для прикладу розрахуємо значення коефіцієнтів a k і bk першої гармоніки

|
T
2
t0
2
t0
2
T −T
2
a 1= ∫ Vm ∙ cos ( ω 1 ∙t ) dt= ∫ Vm × cos ( ω 1 ∙t ) dt=
T −t 0
2 Vm
T ∙ω 1
sin ( ω 1∙ t ) 2 =
−t 0
2 ∙ Vm
T ∙ ω 1
sin ω 1 ∙
t0
2
−
2
T ( )
2 2
2

|
T
2
t0
2
t0
2
b 1= ∫ Vm ∙ sin ( ω 1∙ t ) dt=
T −T
2
T
∫
−t 0
Vm ∙sin ( ω 1 ∙ t ) dt=
−2Vm
T ∙ω1
cos ( ω 1∙ t ) 2 =
−2 ∙Vm
−t 0 T ∙ ω 1 (
cos ω 1 ∙
t0
+
2 T )
2 2
2
T
2
2
Всі коефіцієнти b 1= ∫ Vm ∙ sin ( ω 1∙ t ) dt=0 тому що підінтегральна функція -
T −T
2

непарна.
Ряд Фур'є запишемо для заданого сигналу у вигляді:
U c ( t ) =0.25+0.32 cos ( π ∙10 6 t )−0.106 cos ( 3 π ∙ 106 t ) +0.0 .06 cos ( 5 π ∙106 t )−…
Спектр цієї послідовності наведені на рис.2.

0.1 0.3

0.05 0.2

ak 0 bk 0.1

 0.05 0

 0.1  0.1
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
k k
Рисунок 2.

Завдання 2. Розрахувати спектр періодичної послідовності прямокутних

імпульсів c амплітудою A=1 B, тривалістю τ =1 мс і періодом проходження
Т =4 мс . Визначити ширину спектра сигналу.
Рішення. Визначимо коефіцієнти розкладання в ряд Фур'є a k і bk
N
s ( t )=a0 + ∑ ai cos ( ω i t ) +b i sin ( ω i t )
i =1
2π i
де ω i=i T , f i= T
Розрахуємо частоти
2π 2π 3 1
ω 1=1∙ =1 ∙ =1.57 ∙ 10 рад/с f 1= =0.25 кГц
T 4 ∙10
−3
4 ∙10
−3

2π 2π 3 2
ω 2=2 ∙ =2 ∙ =3.14 ∙10 рад /с f 2= =0.5 кГц
T 4 ∙10
−3
4 ∙ 10
−3
 2π 2π 3 3
ω 3=3 ∙ =3∙ =4.71∙ 10 рад /с f 3= =0.75 кГц
T 4 ∙ 10
−3
4 ∙ 10
−3

2π 2π 3 4
ω 4=4 ∙ =4 ∙ =6.28 ∙ 10 рад /с f 4 = =1 кГц
T 4 ∙ 10
−3
4 ∙10
−3

2π 2π 3 5
ω 5=5 ∙ =5 ∙ =7.85 ∙10 рад/с f 5 = =1.25 кГц
T 4 ∙ 10
−3
4 ∙ 10
−3

Коефіцієнти ряду s(t )

T τ τ

|
2 2
2 2 2 At 2 2 Aτ 2 Aτ 2 Aτ 2 A 2∙ 1
a 0=
T
∫ s(t )dt= ∫ Adt =
T −τ
= +
T −τ 2 T 2 T
=
T
= a=
η 0 4
=0.5
−T
2 2
2
T τ
τ sin ω i
τ sin ω i
−τ
( ) ( ( ))
|
2 2
2 2 2 A sin ( ωi t ) 2 2 A 2 2A 2 4
a i= ∫ s(t )cos ( ωi t ) dt= ∫ Acos ( ωi t ) dt= = − =
T −T T −τ T ωi −τ T ωi T ωi
2 2
2
T τ
τ −2 Acos ω τ 2 Acos ω i −τ
( ) ( ( ))
|
2 2
−2 A cos ( ωi t ) 2 2
i
2 2 2
b i= ∫ s (t )sin ( ω i t ) dt= ∫ Asin ( ω i t ) dt = = + =
T −T T −τ T ωi −τ T ωi T ωi
2 2
2

( ) ( ( ))
τ
де cos ω i 2 =cos ωi 2
−τ

Тоді розрахуємо коефіцієнти

a i=
4 Asin ωi ( 2τ )= 4 Asin (i 2Tπ τ2 ) = 2 Asin( iπ Tτ )
T ωi 2π iπ
Ti
T

a 1=
(
2 ∙ sin 1 ∙ π ∙
1
4 ) =0.45 a = 2∙ sin ( 2∙ π ∙ 14 ) =0.32
2
1∙ π 2∙π

a 3=
2 ∙ sin 3 ∙ π ∙(1
4 )
=0.15 a4 =
2∙ sin 4 ∙ π ∙
1
4(=0
)
3∙π 4 ∙π

a 5=
2 ∙ sin 5 ∙ π ∙
1
4(=−0.09
)
5∙π
Ряд Фур'є запишемо для заданого сигналу у вигляді:
s ( t )=0.5+0.45 cos ( 1.57 ∙103 t ) +0.32 cos ( 3.14 ∙ 103 t ) + 0.15 cos ( 4.71 ∙ 103 t )−0.09 cos ( 7.85 ∙10 3 t )
 Спектр цієї послідовності показаний на рис. 2.

Завдання 3. Визначити інтервал і частоту дискретизації відповідно до

теореми Котельникова для безперервного сигналу, відмінного від нуля тільки
для позитивних значень t:
x (t)=exp(−αt)при t> 0
при чому середньоквадратична похибка дискретизації не повинна
перевищувати ε 0.

Рішення
Cередньоквадратична похибка дискретизації визначається енергією
спектральних складових сигналу, що лежать за межами частоти, яку ми
вибрали в якості верхньої (граничної) частоти.
Визначимо спектр заданого сигналу, використовуючи інтегральне
перетворення Фур'є:
∞ ∞
1
S ( jω )=∫ x ( t ) e dt =¿ ∫ e
− jωt −αt − jωt
e dt=¿ ;¿¿
0 0 α + jω
Знайдемо квадрат модуля спектра
1 (α− jω) α ω
S ( jω )= = = 2 2 −j 2 2 ;
α + jω (α + jω)(α− jω) (α +ω ) (α + ω )

[ ][ ]
2 2
2 α ω α 2 +ω 2 1
|S( jω)| = 2 2 + 2 2 = 2 2 2 = 2 2
( α +ω ) (α + ω ) (α + ω ) α + ω

Вибираємо верхню, граничну частоту в спектрі сигналу f max.

Частоту f max слід вибрати так, щоб середньоквадратична похибка (СКП)
не перевищувала задану величину ε 0. СКП визначається так:
∞

∫ |S ( jω )| dω ≤ ε 0
2

ωmax

|
∞
1 1 ω ∞ π 1 ωmax
ε= ∫ 2 2
dω= arctg = − arctg
ωmax α +ω α α ωmax 2α α α

Частота дискретизації повинна бути в 2 рази більше, ніж верхня частота,

тобто f д=2 f max.
 Практична робота № 2
Фізичні основі електроніки

Навчальні питання
1. Будова атома. Квантові числа. Електронні формули елементів
2. Процеси переносу зарядів в напівпровідниках.

1. Будова атома. Квантові числа. Електронні формули елементів

1.1. Коротка теорія

Згідно квантово-механічним уявленням стан кожного електрона в атомі
хімічного елемента визначається значеннями чотирьох квантових чисел:
n , l ,ml іms .
Головне квантове число n характеризує повну енергію
електрона в атомі - енергетичний рівень, приблизний
радіус атома і приймає значення ряду цілих чисел від 1 до
∞.
Орбітальне квантове число l характеризує енергетичний підрівень
електрона на даному енергетичному рівні, форму атомної орбіталі і приймає
значення від 0 до (n−1).Для позначення енергетичних підрівнів (оболонок)
використовують малі літери латинського алфавіту:
l 012345
позначення spdfgh
s - електронні орбіталі мають сферичну форму; p - форму, що нагадує
гантель; d і f - більш складну форму.
Магнітне квантове число ml характеризує розподіл електронів за
квантовими осередкам (орбіталям) в межах даного енергетичного підрівня і
приймає значення від −l до +¿ l, включаючи нуль – всього ¿1) значень.
Наприклад, на енергетичному підрівні р ¿1) електрони можуть бути в трьох
станах (в трьох квантових комірках), що відповідає орієнтації по осі x , y ,z, т.е.
ml має три значення: −1 , 0 ,+1.
Спіновий квантове число ms характеризує момент кількості руху-ня
електрона навколо власної осі і приймає два значення: ms =−1/2і ms=¿ +1/2.
Розподіл електронів в атомі підпорядковується квантово-механічним
законам: принципам мінімальної енергії, заборони Паулі, правилам Гунда і
Клечковского.
Принцип мінімальної енергії - електрони в основному стані заповнюють
орбіталі в порядку підвищення рівня енергії.
Принцип заборони Паулі - в атомі не може бути двох електронів з
однаковим набором чотирьох квантових чисел, тобто на кожній орбіталі
(квантової осередку) може бути не більше двох електронів, що розрізняються
числом ms , наприклад
Правило Клечковского - збільшення енергії і заповнення орбіталей
електронами відбувається в порядку зростання суми квантових чисел ¿l),а при
їх рівній сумі - в порядку зростання числа n.
 1.2. Приклади рішення завдань.

Приклад 1. Скласти електронно-графічну формулу атома елемента з

порядковим номером 16.

Рішення. Так як число електронів в атомі одно його порядковому номеру

в періодичній таблиці, то для елемента № 16 (S) електронна формула має
вигляд: 1 s 22 s 2 p 63 s 2 p 4.
Графічна формула відображає розташування електронів по оболонок і
орбиталям відповідно до основних квантово-механічними законами
d
p
s ↑↓ ↑ ↑
n=3 ↑↓ p
s ↑↓ ↑↓ ↑↓
n=2 ↑↓
n=1 ↑↓

Приклад 2. Визначити, якими значеннями квантових чисел ( n , lі ml )

характеризуються зовнішні р-електронів в атомі елемента, що має електронну
конфігурацію зовнішнього шару 4s2.
Встановити, що це за елемент.

Рішення. Так як головне квантове число n визначає енергетичний рівень і

номер періоду, то даний елемент знаходиться в четвертому періоді n=¿4.
Орбітальне квантове число характеризує енергетичний підрівень на даному
енергетичному рівні і приймає значення від 0 до n−1 , при n=4 ,l=0 ,1 , 2 ,3 або
буквені позначення s , p ,d ,f.
Магнітне квантове число ml приймає значення від −l через 0 до +l , тобто
при l=1 , ml=−1 , 0 ,+1. Воно характеризує число орбіталей на даному підрівні.
Згідно електронної формулі атома, наведеної в умові завдання, цей
елемент має порядковий номер 30 і його повна електронна формула має вигляд:
1 s 2 2 s 2 p 6 3 s 2 p 6 d 104s2, що відповідає елементу Zn.

Приклад 3. Скласти електронно-графічні формули атома хлору і його

елементарного іона.

Рішення. Відповідно до порядковим номером елемента хлору, рівним 17,

що визначає позитивний заряд ядра і сумарне число електронів, електронно-
графічні формули атома Cl і його елементарного іона Cl - матимуть вигляд:

Cl−1 s 22 s 2 p 63 s 2 p 5 Cl−1 s 22 s 2 p 63 s 2 p 6

Cl−1 s 22 s 2 p 63 s 2 p 5 Cl−1 s 22 s 2 p 63 s 2 p 6
 3p 3p
3s ↑↓ ↑↓ ↑ 3s ↑↓ ↑↓ ↑↓
↑↓ 2p ↑↓ 2p
2s ↑↓ ↑↓ ↑↓ 2s ↑↓ ↑↓ ↑↓
↑↓ ↑↓
1s 1s
↑↓ ↑↓

1.3. Завдання для вирішення

1. Електронна оболонка атома елемента включає конфігурацію 4 f 5.

Напишіть електронну формулу елемента. В якому періоді і в якій групі він
знаходиться? Яке квантове число визначає номер періоду? Що визначає номер
групи?
2. Запишіть електронні формули елементів з порядковими номерами 14,
31 і 32.
3. У якому періоді і групі варто елемент, який має три електрона на
зовнішньому енергетичному рівні, для кожного з яких n=3 іl=¿ 1?Які значення
для них має магнітне квантове число ml ?Чому дорівнює їх сумарне спінове
число?
4. Запишіть електронні формули елементів з порядковими номерами 17 і
30.
5. Головне квантове число n=¿4. Запишіть значення інших квантових
чисел. Вкажіть елемент, у якого закінчується заповнення електронами 4 d
орбіталі. Скільки електронів знаходиться на 4 s і 4 p орбиталях?

2. Процеси переносу зарядів в напівпровідниках.

2.1. Коротка теорія

У напівпровідниках процес перенесення зарядів може спостерігатися при

наявності електронів в зоні провідності і при неповному заповненні
електронами валентної зони. При виконанні даних умов і при відсутності
градієнта температури перенесення носіїв зарядів можливий або під дією
електричного поля, або під дією градієнта концентрації носіїв заряду.

Дрейф носіїв заряду

Дрейфом називають спрямований рух носіїв заряду під дією
електричного поля.
Електрони, отримуючи прискорення в електричному полі, набувають на
середній довжині вільного пробігу додаткову складову швидкості, яка
називається дрейфовою швидкістю v nдр, до своєї середньої швидкості руху.
Дрейфова швидкість електронів мала в порівнянні з середньою
швидкістю їх теплового руху в звичайних умовах. Щільність дрейфового
струму
j n др=q e ∙ n∙ v nдр (1)
де n - концентрація електронів в 1 см3; qе - заряд електрона.
Дрейфова швидкість електрона в поле одиничної напруженості E=1 B/см
називається рухливістю:
v nдр
μn = (2)
E
Тому щільність дрейфового струму електронів
j n др=q e ∙ n∙ μn ∙ E (3)
Складова електричного струму під дією зовнішнього електричного поля
називається дрейфовим струмом. Повна щільність дрейфового струму при
наявності вільних електронів і дірок дорівнює сумі електронної та дірочної
складових:
J др=J nдр+ J pдр=q e ∙ E ∙(n ∙ μ n+ p ∙ μ p)
де E - напруженість прикладеного електричного поля.
Питома електрична провідність σ дорівнює відношенню густини
дрейфового струму до величині напруженості електричного поля E, який
викликав цей струм:
J др
σ= (4)
E
тобто електропровідність твердого тіла залежить від концентрації носіїв
електричного заряду n , p і від їх рухливості μn , μ p.

Дифузія носіїв заряду

При нерівномірному розподілі концентрації носіїв заряду в об'ємі
напівпровідника і відсутності градієнта температури відбувається дифузія - рух
носіїв заряду через градієнта концентрації, тобто відбувається вирівнювання
концентрації носіїв заряду за обсягом напівпровідника. З курсу фізики відомо,
що щільність потоку частинок при дифузії (число частинок, які перетинають в
одиницю часу одиничну площадку, перпендикулярну напрямку градієнта
концентрації) пропорційна градієнту концентрації цих частинок:
Фm =−Dm ∙ grad ( m ) (5)
де Dm - коефіцієнт дифузії, рівний абсолютним значенням відносини щільності
потоку частинок до градієнту їх концентрації.
Знаки правої і лівої частини в вираженні (5) різні, тому що вектор
градієнта концентрації спрямовано в бік зростання аргументу, а частинки
дифундують туди, де їх менше, тобто проти градієнта концентрації.
Оскільки будь-який спрямований рух однойменно заряджених частинок є
електричний струм, то щільність електронної складової дифузійного струму
може бути отримана шляхом множення правої частини виразу (5) на заряд
електрона. Електрони дифундують проти вектору градієнта концентрації і
мають негативний заряд. Внаслідок цього напрямок вектору щільності
дифузійного струму електронів повинен співпадати з напрямом вектору
градієнта концентрації електронів
dn
j n диф =qe ∙ Dn ∙ ( 6)
dx
де Dn - коефіцієнт дифузії електронів, dn/dx - градієнт концентрації електронів.
Заряд дірок позитивний, внаслідок цього напрямок вектору щільності
дифузійного струму дірок повинен співпадати з напрямом їх дифузії, тобто
протилежно напрямку вектору градієнта концентрації дірок. Отже, в правій
частині повинен зберегтися знак мінус:
dp
j p диф =−q e ∙ D p ∙ ( 7)
dx
де Dp - коефіцієнт дифузії дірок, dp/dx - градієнт концентрації дірок.
Коефіцієнти дифузії електронів і дірок пов'язані з рухливістю частинок за
формулами (співвідношення Енштейна):
K ∙T K ∙T
D n= ∙ μn , D p = ∙ μp
q q
Повна щільність дифузійного струму, обумовлена спрямованим
переміщенням носіїв електричного заряду з місць з більшою концентрацією в
місця, де їх концентрація менше, визначається як
(
J диф = j nдиф + j pдиф =q e ∙ D n ∙
dn
dx
−∙ D p ∙ )
dp
dx
(8)

Одночасно з процесом дифузії носіїв відбувається процес їх рекомбінації

тому надмірна концентрація зменшується в напрямку від місця джерела цієї
надлишкової концентрації.
Відстань, на якому при одновимірної дифузії в напівпровіднику без
електричного поля в ньому надмірна концентрація носіїв заряду зменшується в
результаті рекомбінації в e раз, називається дифузійної довжиною L.
Інакше, це відстань, на яке дифундує носій за час життя. Дифузійна
довжина L пов'язана з часом життя носіїв співвідношеннями
Ln= √ Dn ∙ τ n , L p= √ D p ∙ τ p (9)
τ τ
де n і p - час життя електронів і дірок, відповідно.

2.2. Приклади рішення завдань.

Приклад 1. Розрахувати відношення повного струму через напівпровідник до

струму який обумовлений дірковою складовою в чистому германію.

Рішення
На підставі закону Ома отримуємо рівняння для відношення повного струму до
його діркової складової:
I e ∙( n ∙ μn + p ∙ μ p) n ∙ μn
β p= = =1+
Ip e ∙ p ∙ μp p ∙ μp
де n і p – концентрації електронів и дірок відповідно.
У власному (чистому) напівпровіднику n=p , тоді,
μn 0.39
β p=1+ =1+ =3.05
μp 0.19
Приклад 2. Розрахувати щільність дрейфового струму електронів власного
напівпровідника кремнію в електричному полі напруженості E=5 В .

Рішення
Щільність дрейфового струму
j n др=q e ∙ n∙ v nдр
3
де n - концентрація електронів в 1 см ; qе - заряд електрона, дрейфова швидкість
v nдр=μn ∙ E .
 Тому щільність дрейфового струму електронів
2
1 м Кл А ∙ с А
[ jn др ]=Кл∙ 3
∙ ∙ В= = =
м В∙с м ∙с м∙с м
−19 15 −4 А
j n др=q e ∙ n∙ μn ∙ E=1.602∙ 10 ∙5.81 ∙ 10 ∙ 0.13 ∙5=6.05 ∙10
м

Приклад 3. Розрахувати коефіцієнт дифузії електронів зразку германію при

температурі t=30 ° C .

Рішення
Коефіцієнт дифузії електронів пов'язаний з рухливістю електронів за
формулою:
2 2 2
Дж ∙ К ∙ м Дж ∙ м ∙ Кл м
[ Dn ]= =
К ∙ Кл ∙ В ∙ с Кл ∙ Дж ∙ с
=
с
−23
K ∙T 1,380 649 ⋅10 ∙ ( 30+273 ) −3 м
2
D n= ∙ μn = ∙0.13=3.39 ∙10
q 1.602 ⋅10−19 с

Приклад 4. Зразок кремнію n-типу має розміри: довжина 10 мм, ширина 2 мм і

товщина 1 мм. Рухливість електронів и дірок дорівнює відповідно 0,12 и 0,05
м2/(В⋅с), концентрація власних носіїв заряду ni =1.602⋅1016 м 3. Визначити
концентрацію донорної домішки у зразку, якщо опір зразка R=150Ом .

Рішення
а) Визначим питомий опір матеріалу:
−3 −3
R ∙ S 150 ∙ 1∙ 10 ∙ 2∙ 10
ρ= = −3
=0 , 03 Ом ⋅ м .
l 10 ∙ 10
Питомий опір кремнію n-типу визначається враженням
1
ρ=
q e ∙(n∙ μn + p ∙ μ p )
Тоді
1 20
0.03= −19
=¿ ( n ∙0.12+ p ∙ 0.05 )=2.08 ∙ 10
1.6 ∙ 10 ∙(n ∙ 0.12+ p ∙ 0.05)
2
Так, як n ∙ p=n отримуємо
i
16 2
0.12 ∙ n + 0.05 ∙ ( 1.5 ∙ 10 ) −2.08 ∙ 10 ∙ n=0
2 20

21 −3
n=1.73 ∙10 м

2.3. Завдання для вирішення

1. Розрахувати відношення повного струму через напівпровідник до струму
який обумовлений дірковою складовою в чистому кремнію.
2. Розрахувати щільність дрейфового струму дірок власного напівпровідника
кремнію в електричному полі напруженості E=2 В.
3. Розрахувати щільність повного дрейфового струму власного напівпровідника
кремнію в електричному полі напруженості E=7 В .
4. Розрахувати коефіцієнт дифузії електронів зразку кремнію при температурі
t=35 ° C .
5. Зразок германію n-типу має розміри: довжина 12 мм, ширина 4 мм і товщина
1.5 мм. Рухливість електронів, дірок та концентрація власних носіїв заряду
відповідно до таблиці 1. Визначити концентрацію донорної домішки у зразку,
якщо опір зразка R=210Ом .

Електрофізичні параметри напівпровідників кремнію і германію

Таблиця 1
Параметр Кремній Германій
Діелектрична проникність, ε 12 16
μ
Рухливість електронів, n, см²/(В·c) 0,12 – 0,145 0,39
Рухливість дірок, μ p, м²/(В·c) 0,05 0,19
Ширина забороненої зони E g , еВ 1,21 0,67
-9 -3
Час життя вільних електронів, τ n, с 5 10 - 10
Довжина вільного пробігу електронів,
Ln , м 10-3
Довжина вільного пробігу дірок, L p, м (0,2 - 0,6) 10-3
Власна концентрація носіїв заряду 5,81⋅1015 м−3 2,1⋅1019 м−3
 Практичне заняття №3
Розрахунок параметрів LC-фільтра

Основні властивості індуктивності:

Струм, що протікає в котушці індуктивності, створює магнітне поле з
енергією
2
L∙I
E L=
2

Зміна струму в котушці викликає зміна магнітного потоку в її витках,

створюючи в них ЕРС , що перешкоджає зміні струму і магнітного потоку.

Розрахунок періоду вільних коливань контуруLC

Якщо конденсатор ємністю C заряджений до напруги U, потенційна
енергія його заряду складе
2
C∙U
EC =
2

Якщо паралельно зарядженого конденсатора підключити котушку

індуктивності L ,в ланцюзі піде струм його розряду, створюючи магнітне поле в
котушці.

Магнітний потік, збільшуючись від нуля, створить ЕРС в напрямку

протилежному току в котушці, що буде перешкоджати наростання струму в
ланцюзі, тому конденсатор розрядиться не миттєво, а через часt1,яке
визначається індуктивністю котушки і ємністю конденсатора з розрахунку
π ∙ √ LC
t =
1
2

Після закінчення часу t1,коли конденсатор розрядиться до нуля, струм в

котушці і магнітна енергія будуть максимальні.
2
L∙I
Накопичена котушкою магнітна енергія в цей момент складе E L =
2

В ідеальному випадку, при повній відсутності втрат в контурі, EC буде

дорівнює E L. Таким чином, електрична енергія конденсатора перейде в магнітну
енергію котушки.

Зміна (зменшення) магнітного потоку накопиченої енергії котушки

створить в ній ЕРС, яка продовжить струм в тому ж напрямку і почнеться
процес заряду конденсатора індукційним струмом. Зменшуючись від
максимуму до нуля протягом часу t 2=t 1,він перезарядити конденсатор від нуля
до максимального від'ємного значення (-U).
Так магнітна енергія котушки перейде в електричну енергію
конденсатора.
Описані інтервали t 2 і t 1 складуть половину періоду повного коливання в
контурі.
У другій половині процеси аналогічні, тільки конденсатор буде
розряджатися від від'ємного значення, а струм і магнітний потік змінять
напрямок. Магнітна енергія знову накопичуватиметься в котушці в плині часу t 3
, змінивши полярність полюсів.
Протягом заключного етапу коливання¿ ¿, накопичена магнітна енергія
котушки зарядить конденсатор до початкового значенняU (в разі відсутності
втрат) і процес коливання повториться.
У реальності, при наявності втрат енергії на активному опорі провідників,
фазових і магнітних втрат, коливання будуть затухаючими по амплітуді.
Час t 1+ t 2 +t 3+ t 4 складе період коливань T =2 π √ LC . Частота вільних коливань
1
контуру f = T
1
f=
2 π √ LC

Частота вільних коливань є частотою резонансу контуру, на якій

реактивний опір індуктивності одно реактивному опору ємності, тобто
виконується умова
1
X L =X C →2 πL=
2 πC

Якщо на паралельний або послідовний коливальний контур подавати

змінну синусоїдальну напругу і змінювати його частоту то будуть змінюватися
реактивні опору елементів контуру, якщо частота збільшується то опір
конденсатора зменшується а опір котушки збільшується і навпаки: якщо
частота зменшується то опір конденсатора збільшується а опір котушки
зменшується, очевидно що є така частота при якій опір котушки і конденсатора
рівні ця частота і є резонансна. Опір паралельного коливального контуру при
цій частоті буде найбільшим (в порівнянні з опорами цього контуру при інших
частотах) а опір послідовного коливального контуру при такій частоті буде
найменшим. Ці властивості контурів використовують для побудови фільтрів
наприклад в смугасто-пропускає фільтрі послідовно з навантаженням ставитися
послідовний контур і при подачі на це з'єднання (навантаження і контуру)
змінної напруги з резонансною частотою струм в навантаженні буде
максимальним при інших частотах струм буде менше. Резонанс в паралельному
контурі називають - резонансом струмів, резонанс в послідовному контурі -
резонансом напруг.
Таким чином, найпростіший ідеальний (без втрат) LC-фільтр -
коливальний контур, включений за наведеною на рис. 1 схемою, буде діяти як
вузькосмуговий смуговий фільтр, налаштований на частоту
1
f 0=
2 π √ LC
 Розрахунок резонансної частоти паралельного контуру.

Розрахунок добротності контуру

В реальності котушка має достатній опір втрат які викликані наступними
ефектами.
1. Залежність від матеріалу проводів. Очевидно, що провід з металу з
більш високим питомим опором буде володіти великими втратами. Як відомо
опір дроти постійного струму можна розрахувати як:
l 2
R=ρ , де S=2 π r
S

де R- опір постійному струму [Ом], ρ - питомий опір металу [Ом м] (для

срібла наприклад = 1,59 · 10-8Ом м), l- довжина проводу [м], S- поперечний
переріз проводу [м2], r- радіус перерізу проводу [м].
2. Наявність феномену скін-ефекту. Скін-ефект (інша назва -
"поверхневий ефект") полягає в тому, що струми протікають на поверхні
проводу як би екранують внутрішні шари в результаті чого практично весь
струм зосереджений в тонкому поверхневому шарі, товщина якого
визначається наступним виразом:
δ i=
√ ρ
π ∙f ∙μ

де δ i - глибина проникнення [м], глибина на якій щільність струму зменшується

в e раз(e= 2.71 - число Ейлера), ρ- питомий опір металу [Ом · м], f- частота [Гц],
−7
μ=μ 0 ∙ μr , μ0=4 π · 10 - абсолютна магнітна проникність, μr - відносна магнітна
проникність металу (близька до одиниці у пара- і діамагнетиків)
3. Наявність феномена ефекту близькості. Ефект полягає в тому, що під
впливом магнітного поля від сусідніх витків в проводі котушки виникають
вихрові струми. Суперпозиція цих струмів з струмами від скін-ефекту
призводить до того, що щільність струму в частині провідника, що примикає до
каркасу вище і перетин по якому протікає струм вже не схоже на кільце, а
нагадує серп.

Конденсатор теж має деякий опір втрат, але вони дуже малі і ними
зазвичай нехтують. Тому залишимо тільки одне опір втрат котушки R0. Тоді
схема реального коливального контуру прийме ось такий вигляд:
R0 L1
IO2 IO1
C1

де R0 - це опір втрат контуру, Ом; L1 - індуктивність, Генрі; С1 - ємність,

Фарад

На резонансній частоті опір контуру активний:

R0 =pQ .

де p - характеристичний опір, що дорівнює добутку реактивного опору котушки

і конденсатора і розраховується за формулою:
 p=
√ L
C
.

Оскільки конденсатор, як правило, майже не вносить втрат, добротність Q

контуру дорівнює добротності котушки. Простіше визначити резонансну
частоту і добротність експериментально, зібравши каскад з поступовим
зниженням дози. Знадобляться генератор сигналів, що створює вхідна напруга
U вх , і будь-якої вимірювач виходу з високим внутрішнім опором, найкраще
осцилограф. Він послужить для реєстрації напруги U вих .
Змінюючи частоту генератора, вдасться зареєструвати максимум U вих на
резонансній частоті контуру f 0. Резистор R1 і резонансне опір контуру R0
утворюють дільник, і
U вх
U вих = ∙R .
R1 + R0 0

Вимірявши напруги на вході і виході, тепер легко розрахувати резонансну

опір, а потім і добротність контуру за формулами.
U вих ∙ R 1 R0
R0 = , Q=
U вх −U вих p

Завдання
За схемами паралельного та послідовного LC-фільтрів наведеним на рис.
1.

Рис. 1. Паралельний та послідовний LC-фільтри

1. Розрахувати резонансну частоту LC-контура за спрощеним варіантом:

Вариант 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
C, мкФ 20 10 5 12 2 3,5 150 200 50 100
L, мГн 0,44 0,12 0,5 0,032 0,89 0,67 0,41 0,25 0,91 0,012

2. За допомогою програми Mathcad за зразком (файли Filtr_par, Filtr_posl)

розрахувати і побудувати графіки залежності опору ланцюга RLC, напруги і
сили струму в контурі LC в в залежності від частоти.
3. Розрахувати добротність котушки індуктивності L.
 Практична робота №4
Розрахунок параметрів схем на базі випрямних напівпровідникових
діодів.
Мета роботи:
Опрацювання і узагальнення матеріалу, розглянутого на лекційних
заняттях. Засвоєння методики розрахунку електронних схем, у яких
використовуються напівпровідникові діоди.
Зміст роботи: Розрахунок найпростіших схем, до складу яких входять
напівпровідникові діоди.
Організаційні та методичні вказівки: Практичну роботу проводять
після вивчення теми “Напівпровідникові прилади” з групою студентів в два
етапи:
1. Підготовчий етап:
Вивчення матеріалу, розглянутого на теоретичних заняттях.
Ознайомлення з методикою розрахунку схем, до складу яких входять
напівпровідникові діоди.
2. Виконавчий етап:
Виконання завдань у відповідності з варіантом за прикладами,
наведеними в методичних вказівках.

Теоретична частина

Напівпровідниковий діод – це електроперетворювальний напівпро-

відниковий прилад переходом і двома виводами, в якому використовуються
властивості р-n-переходу.
Напівпровідникові діоди класифікуються:
1) за призначенням: випрямні, високочастотні та надвисокочастотні (ВЧ і
НВЧ діоди), імпульсні, напівпровідникові стабілітрони, тунельні, варикапи та
ін;
2) за конструктивно – технологічних особливостей: площинні і точкові;
3) за типом вихідного матеріалу: германієві, кремнієві, арсенід - галієві та
ін.
Випрямний напівпровідниковий діод – це напівпровідниковий діод,
призначений для перетворення змінного струму в постійний.
В основі роботи випрямних діодів лежить властивість односторонньої
провідності р-n-переходу, яке полягає в тому, що останній добре проводить
струм (має малий опір) при прямому включенні і практично не проводить струм
(має дуже високий опір) при зворотному включенні.
Структура та умовне позначення діода, а також вольт-амперна
характеристика (ВАХ) потужного випрямного діода наведені на рис. 1.
 Рисунок 1 Структура та умовне позначення (а) і ВАХ (б) випрямного діода.
Прямий струм діода створюється основними, а зворотний - неосновними
носіями заряду. Концентрація основних носіїв заряду на кілька порядків
перевищує концентрацію неосновних носіїв, чим і зумовлюються вентильні
властивості діода.
Ці діоди призначені для випрямлення змінного струму низької частоти.
Основними параметрами випрямних напівпровідникових діодів є:
– прямий струм діода I пр, що нормується при певній прямій напрузі
(зазавичай U пр=12 В );
– максимально допустимий прямий струм I пр max діода - максимально
допустиме середнє значення струму через діод у прямому напрямку за
визначених умов охолодження, у сучасних діодів I пр max=(0 , 1 – 2200) А ;
– максимальна допустима зворотна напруга U зв max , що дорівнює
максимально допустимому амплітудному значенню зворотньої напруги, яке не
призводить до виходу з ладу приладу за визначених умов охолодження,
U зв max =(50 – 3000) В;
– постійний зворотній струм I зв , що протікає через діод при зворотній
напрузі, рівному U зв max ;
– середній випрямлений струм I вп ср, який може тривало проходити через
діод при допустимій температурі його нагрівання;
– максимальна допустима потужність Pmax , що розсіюється діодом, при
якій забезпечується задана надійність діода.
Падіння напруги при пропущенні прямого струму у германієвих діодів
становить U пр=0 ,3 ... 0 , 6 В , у кремнієвих діодів – U пр=0 , 8... 1 ,2 В.
Зі збільшенням температури пряме падіння напруги зменшується, що
пов’язано зі зменшенням висоти потенційного бар’єру.
При подачі на напівпровідниковий діод зворотного напруги в ньому
виникає незначний зворотний струм, обумовлений рухом не основних носіїв
заряду через р-n перехід.
При підвищенні температури р-n переходу число неосновних носіїв
заряду збільшується за рахунок переходу частини електронів з валентної зони в
зону провідності і утворення пар носіїв заряду електрон-дірка. Тому зворотний
струм діода зростає.
У випадку прикладання до діода зворотної напруги в декілька сотень
вольт зовнішнє електричне поле в замикаючому шарі стає настільки сильним,
що здатне вирвати електрони з валентної зони в зону провідності. Зворотний
струм при цьому різко збільшується, що викликає нагрівання діода, подальшої
зростання струму і, нарешті, тепловий пробій (руйнування) р-n переходу.
Більшість діодів може надійно працювати при зворотних напругах, що не
перевищують (0 , 7 ... 0 , 8)U проб .
Допустима зворотна напруга германієвих діодів досягає 100 ... 400В, а
кремнієвих діодів – 1000 ... 1500В.
Випрямні діоди застосовуються для випрямлення змінного струму
(перетворення змінного струму в постійний); використовуються у схемах
управління і комутації для обмеження паразитних викидів напруг, в якості
елементів електричної розв’язки ланцюгів і т.д.
У ряді потужних перетворювальних установок вимоги до середнього
значення прямого струму, зворотної напруги перевищують номінальне
значення параметрів існуючих діодів. У цих випадках завдання вирішується
паралельним або послідовним з’єднанням діодів.

Практична частина.
Задача № 1.
Розрахувати схему випрямлювача без згладжувального фільтру для
випрямлення синусоїдальної напруги з діючим значенням U = 700 В, вико-
ристовуючи діоди, зворотна напруга яких складає 300 В. Значення величин,
необхідних для розрахунків, вибираються із таблиці 1. Після проведення
розрахунків необхідно навести приклад розрахованої схеми.

Рішення.
Спочатку необхідно визначити амплітудне значення синусоїдальної
напруги, яке розраховується за формулою:
U max =√ 2 ∙U В
U max =√ 2 ∙276 ≈ 390 В
Ця напруга в схемі випрямлення буде зворотною. В зв’язку з тим, що
максимальна зворотна напруга U зв max для діодів при максимальній робочій
температурі складає 300 В, то для випрямлення необхідно використати ланцюг
послідовно з’єднаних діодів. Зворотний опір діодів одного й того ж типу
можуть відрізнятися в декілька разів, тому їх необхідно шунтувати
Rш1 Rш2 Rш3

D1 D2 D3

V1
Rн

Рисунок 1 Загальна схема випрямлювача напруги без згладжувального

фільтра для випрямлення синусоїдальної напруги.
резисторами (рис. 1)
Необхідна кількість діодів п розраховується за формулою:
U max
n=
k п U зв max
де k п – коефіцієнт навантаження по напрузі, лежить в межах 0,50,8.
Приймаємо k п=0.7.
Кількість діодів дорівнює:
390
n= ≈1.85
0.7∙ 300
Приймаємо n=5.
Величина опорів шунтуючих резисторів визначається за формулою:
n∙ U зв max −1.1∙ U max
Rш i ≤ , Ом
(n−1)∙ I зв max
де: 1.1 – коефіцієнт, який враховує 10%-ву різницю значень опорів
використовуваних резисторів; I зв max – зворотний струм при максимальній
робочій температурі.
Для діодів цього типу I зв max=300 мкА .
Величина опорів шунтуючих резисторів складає:
2∙ 300−1.1 ∙ 390 5
Rш i ≤ −6
≈ 5 , 7 ∙10 Ом
( 2−1 ) ∙ 300 ∙10
Приймаємо Rш =300 кОм .

Таблиця варіантів для виконання завдання наведена нижче.

Таблиця 1.1 Таблиця варіантів для задачі №1.

Варіан 1 2 3 4 5 6 7 8 9
т
U ,В 30 66 137 205 276 342 418 557 698
kп 0,55 0,6 065 0,7 0,75 0,8 0,55 0,6 0,65

Задача №2.
Скласти та розрахувати випрямний ланцюг, який дозволяє отримати
випрямний струм I випр max=400 мА при використанні діодів з данною потужністю.
Значення величин, необхідних для розрахунків, вибираються із таблиці 2.

Рішення.
В зв’язку з тим, що випрямлений струм перевищує максимально
допустиме значення струму одного діода ( I пр max=200 мА ), необхідно з’єднати
декілька діодів паралельно. Розрізненість прямих опорів діодів одного типу
може складати десятки відсотків, тому для вирівнювання струмів, які
протікають через діоди, необхідно послідовно з діодами включати додаткові
резистори.
Необхідна кількість діодів визначається за формулою:
I випр max
n=
k c I пр max
де k c – коефіціент навантаження по струму, складає 0.5 0.8
При k c =0.8 кількість діодів дорівнює:
360
n= =2.2
0.8∙ 200
Приймаємо n=3.
Значення опорів додаткових резисторів знаходиться за формулою:
 U пр ср ∙(n−1)
Rдод ≥ , Ом
n ∙ I пр max −1.1∙ I випрmax
Значення опорів додаткових резисторів для діодів даного типу буде
дорівнювати:
1 ∙ (2−1 )
Rдод ≥ −3 −3
=250 , Ом
2∙ 200 ∙ 10 −1.1 ∙360 ∙ 10
Приймаємо Rдод=13 Ом .
In

D1 D2 D3

Rдод1 Rдод2 Rдод3

Out

Рисунок 2 Загальна схема випрямлювача струму без згладжувального

фільтра для випрямлення синусоїдальної напруги.
Таблиця варіантів для виконання завдання наведена нижче.
Таблиця 1.2 Таблиця варіантів для задачі №2.
Варіант 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
I випр max , мА 320 330 340 350 360 370 380 390 410 420 430 440 450
kc 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8 0,55 0,6 065 0,7 0,75 0,8 0,5 0,55
I пр max , мА 190 195 205 210 215 220 225 230 235 240 245 250 255
U пр ср , В 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8 0,85 0,9 0,95 1,1 1,5 1,75 1,9 1,2

Контрольні питання.

1. Для чого призначені випрямні діоди?

Используются для преобразования переменного тока в постоянный.
2. Якими носіями заряду утворюється прямий струм, а якими –
зворотний струм, що протікає через р-п перехід?
Прямой ток образуется, когда ток проходит через полупроводник в одном
направлении (плюс к минусу). Обратный ток идет в противоположном
направлении, но он мал и обусловлен особенностями структуры
полупроводника.
3. Що являє собою потенціальний бар’єр і які властивості він має?
Это энергетический барьер на границе разных типов полупроводников,
который создает электрическое поле
4. Які типи напівпровідникових діодів вам відомі? Для чого вони
призначені?
Обычные (для преобразования тока), Шоттки (быстродействующие),
Зенер (стабилизация напряжения), светодиоды (излучают свет),
фотодиоды (генерируют ток при свете).
 Практичне заняття 5.
Тема: Розрахунок параметричного стабілізатора
1. Основні параметри стабілітрону
Напруга стабілізації є напругою на стабілітроні при проходженні струму
стабілізації. Сьогодні виробляються стабілітрони з таким параметром, що
дорівнює 0,7-200 вольт.
Найбільший допустимий струм стабілізації . Він обмежений
величиною найбільшої допустимої потужності розсіювання, яка залежить від
температури довкілля.
Найменший струм стабілізації розраховується найменшою величиною
струму, що протікає через стабілітрон, при цьому зберігається дія стабілізатора.
Динамічне опір - це величина, що дорівнює відношенню збільшення
напруги до малого збільшення струму.
Стабілітрон, підключений у схемі як простий діод у прямому напрямку,
характеризується величинами постійної напруги та найбільшим допустимим
прямим струмом.
Схема включення стабілітрона

I Iн
I ст

Дана схема є дільник напруги, що складається з баластного резистора Rб

і стабілітрона V D, паралельно якому включено опір навантаження R Н . Такий
стабілізатор напруги забезпечує стабілізацію вихідної напруги при зміні
напруги живлення U вх та струму навантаження I Н .
Принцип роботи цієї схеми полягає в наступному. Збільшення напруги
на вході стабілізатора призводить до збільшення струму, який проходить через
резистор Rб і стабілітрон V D. За рахунок своєї вольт-амперної характеристики
напруга на стабілітроні V D практично не зміниться, а відповідно напруга на
опорі навантаження R Н теж. Таким чином практично вся зміна напруга буде
додана до резистора Rб . Таким чином, досить легко підрахувати необхідні
параметри схеми.

Порядок розрахунку з прикладу з вихідними даними:

U вих =10 В(4 , 7); I н=100 мА ; ∆ I н=± 5 мА ; ∆ U вх =± 20 % U вх
За довідником (додаток 2) підбирається стабілітрон за основною умовою
напруги стабілізації 10В, наприклад , 1N4732A :
U ст =U вих =10 В(4 , 7); I стmin =I ZT =25 (53)мА ; Rд=7Ом
Максимальний струм стабілізації розраховується з урахуванням
максимальної розсіюваної потужності Ptot =U ст I ст max. Для стабілітронів серії 1 N
47 потужність Ptot =1 Вт (додаток 1). Тоді:
Ptot 1 Вт
I стmax = = =100 мА (2 12)
U ст 10 В(4 , 7)
 1. Розрахунок номінального струму стабілітрона

Визначаємо номінальний струм стабілітрону з наступного міркування.

При зміні U вх на величину ∆ U вх і I н на ∆ I н струм стабілітрона не повинен
виходити з діапазону I ст мин ÷ I ст макс. Тому, I ст береться як середня величина в
цьому інтервалі і одно
I ст мин+ I ст макс 25(53)+ 100(212)
I ст= = =62.5 мА (132 ,5)
2 2
Друга умова – величина струму I ст має бути I ст ≥ I н. Насправді треба
забезпечити щоб струм стабилитрона був більше (на 20-40%) струму через
навантаження, тобто I ст=(1.2 … 1.4)I н.
Розрахунок показує, що ця умова не виконується тому що
I ст=62.5 мА ≤ I н =100 мА .
У таких випадках підбирається інший стабілітрон або завдання
вирішується шляхом паралельного або послідовного включення кількох
стабілітронів. У першому випадку підсумовуються струми через стабілітрони,
забезпечуючи перевищення їхнього загального значення по відношенню до
струму навантаження, у другому випадку підсумовуються напруги.
Тоді потрібне значення повинно бути I сттреб =( 1.2 … 1.4 ) I н=1.3 ∙100=130 мА .
З урахуванням цього необхідна кількість стабілітронів дорівнюватиме:
I сттреб 130
n= = =2.08(1)
I ст 62.5 (132 ,5)
До розрахунку беремо n=2, перевірка:
I ст2=n ∙ I ст=2(1)∙62.5 (132, 5)=125 мА (132 , 5)=1.25 I н (1 , 32)≥ 100 мА=I н
Таким чином будемо використовувати два стабілітрони підключених
паралельно.

2. Розрахунок номінальної вхідної напруги

Номінальне вхідне значення напруги живлення стабілізатора U вх ст
(зазвичай це напруга випрямляча) обчислюється за формулою
U вх =k ст ∙ U вых
де k ст – коефіцієнт передачі.
Коефіцієнт передачі розраховується за такою формулою:
( I н мин + I ст макс2 ) −( I н макс + I ст мин2 )
k ст=
¿¿
де
I ст макс2=n ∙ I ст макс =2(1)∙ 100=200 мА
I ст мин 2=n ∙ I ст мин =2(1)∙25(53)=50 мА

I н мин=I н−∆ I н=100−5=95 мА

I н макс =I н +∆ I н=100+5=105 мА
δ −¿=δ ¿
∆ Uвх 20
+¿=δ= = =0.2¿
100 100

Підставимо значення у формулу для k ст

( 95+200 )−( 105+50 ) 140
k ст= = =2.8
( 1−0.2 )( 95+ 200 )−( 1+0.2 ) ( 105+55 ) 50
 Якщо знаменник виходить не позитивним, необхідно зменшити межі
нестабільності вхідної напруги або/і діапазон зміни струму навантаження, або
використовувати стабілітрон з великим I ст макс.
Тоді
U вх =k ст ∙ U ст =2.8 ∙10=28 В

3. Розрахунок параметрів баластового резистора

Опір баластового резистора:
U вх −U вых 28−10
Rб = = =80 Ом
I ст 2+ I н 0.125+0.1
Для вибору типу резистора, виконується розрахунок розсіюваної
потужності на корпусі. Застосовуючи формулу P=I б 2 ∙ Rб , де
I б =I н макс + I ст макс
визначаємо величину P=(105 ∙10 +200 ∙10−3)2 ∙80=8.54 Вт.
−3

Стандартні резистори розраховані до максимальної потужності 5Вт.

Для зменшення розсіюваної потужності на резисторі необхідно зменшити
струм резистора шляхом паралельного включення кількох резисторів
номіналом R за умови збереження загального опору 80 Ом . Кількість резисторів
рекомендується підбирати так щоб потужність, що розсіюється, на одному
резисторі була до 2Вт.
Номінал одного резистора:
R
Rпар = =80 Ом → R=Rпар ∙ 5=400 Ом .
5
Найближче менше значення опору становить 390 Ом за рядом Е24.
Для дотримання загального опору баластового ланцюга 80 Ом послідовно
включимо резистор опором Rдоп =2 Ом.
Перевірка:
R 390
Rб = + R доп = +2=80 Ом
5 5
При цьому величина струму через окремий резистор включений
паралельно дорівнює
I б I н макс + I ст макс 105 ∙ 10−3 +200 ∙10−3
I= = = =61 мА
5 5 5
Тоді потужність, що розсіюється, на такому резисторі буде:
−3 2
P=I ∙ R=( 61 ∙10 ) ∙ 390=1.45 Вт
2

Найближче стандартне значення розсіюється потужності на резисторі

дорівнює 2 Вт.
Розсіювана потужність на резисторі Rдоп дорівнюватиме:
−3 2
P=(I н макс + I ст макс ) ∙ Rдоп =( 105 ∙ 10 +200 ∙ 10 ) ∙2=1.86 Вт
2 −3

Найближче стандартне значення розсіюваної потужності на додатковому

резистори також дорівнює 2 Вт.

4. Перевірка розрахунку параметрів баластового резистора (баластного

ланцюга)
 Після розрахунку параметрів баластного резистора (баластових
резисторів) необхідно перевірити правильність вибору режиму роботи
стабілітрона у схемі параметричного приладу.
При цьому до розрахунку необхідно взяти загальний опір баластного
ланцюга Rб з урахуванням вибраних номіналів.
R 390
Rб = + R доп = +2=80 Ом
5 5
Насамперед визначається його найменший струм за формулою:
U вх – Δ U вх – U вых 28−5.6−10 −3 −3
I ст мин 2= – ( Iн + Δ Iн ) = −( 100+5 ) ∙ 10 =50 ∙ 10 А
Rб 80
I
Для одного стабілітрона I ст мин= ст мин 2 =25 мА .
2
Далі проводиться обчислення значення найбільшого струму:
U вх + Δ U вх – U вых 28+5.6−10 −3 −3
I ст макс2= – ( I н− Δ I н )= −( 100−5 ) ∙ 10 =200∙ 10 А
Rб 80
I
Для одного стабілітрона I ст макс = ст макс 2 =100 мА.
2
Перевірка показує, що при зміні в заданих межах вхідної напруги струм
стабілізації (струм стабілітрона) не виходить за допустимі межі
Якщо в результаті обчислені значення найменшого та найбільшого
струму перевищують допустимі межі, необхідно замінити I ст або резистор Rб .

Розраховані значення перевірити шляхом створення схеми серед Multisim

.
Схема перевірки для цього прикладу наведено на рис.
A2
Rб Rдоп + -
0.295 A
390Ω 2Ω
A1 DC 1e-09Ohm
Rб1 + -
A5 V1
0.059 A DC 1e-09Ohm
390Ω A4
+ + +
DC 1e-09Ohm 0.097 A 0.1 A 10.039 V
Rб2 - - -

E1 390Ω D1 D2 DC 1e-09Ohm DC 10MOhm

33.6V
Rб3 1N4740A 1N4740A
390Ω Rн
A3 100Ω
Rб4 +
0.194 A
-
390Ω
DC 1e-09Ohm
 Завдання
1. Вихідні дані
U вих =V Z В ; I н=50 мА ; ∆ I н =±5 мА ; ∆ U вх =±20 % U вх
Значення V Z вибирається із таблиці додатка 2.
Варіант дорівнює порядковому номеру студента за журналом.
2. Звіт має містити розрахункові формули з поясненнями.
3. У звіті має бути наведена схема розроблена серед Multisim .

Додаток 1.

Limiting Values (Absolute Maximum Rating)

Item Symbol Unit Conditions Max

Power dissipation Ptot W L=4 mm , T L =25 ℃ 1.0 1)

Zener current IZ mA PV /V Z

Maximum junction Tj ℃ 175

temperature

Storage temperature T stg ℃ -65 to +175

range
1). Дійсно, за умови, що дроти на відстані 4 мм від корпусу зберігаються
при температурі навколишнього середовища.
Додаток 2.
Electrical Characteristics (TA = 25℃ unless otherwise noted)
Nominal Maximum
Maximum dynamic Maximum reverse leakage Surge current
Zener voltage Test current 3) regulator
1) impedance current
current 2)
різнови Part
Z ZT на Z ZK на at T A =25℃
д Number V Z at I ZT I ZT I ZK IR Test voltage V R I ZM
I ZT I ZK IR
V mA Ω Ω mA μA V mA mA
1 1N4728A 3.3 76 10 400 1 100 1 1380 276
2 1N4729A 3.6 69 10 400 1 100 1 1260 252
3 1N4730A 3.9 64 9 400 1 50 1 1190 234
4 1N4731A 4.3 58 9 400 1 10 1 1070 217
5 1N4732A 4.7 53 8 500 1 10 1 970 193
6 1N4733A 5.1 49 7 550 1 10 1 890 178
7 1N4734A 5.6 45 5 600 1 10 2 810 162
8 1N4735A 6.2 41 2 700 1 10 3 730 146
9 1N4736A 6.8 37 3.5 700 1 10 4 660 133
10 1N4737A 7.5 34 4 700 0.5 10 5 605 121
11 1N4738A 8.2 31 4.5 700 0.5 10 6 550 110
12 1N4739A 9.1 28 5 700 0.5 10 7 500 100
13 1N4740A 10 25 7 700 0.25 10 7.6 454 91
14 1N4741A 11 23 8 700 0.25 5 8.4 414 83
15 1N4742A 12 21 9 700 0.25 5 9.1 380 76
16 1N4743A 13 19 10 700 0.25 5 9.9 344 69
17 1N4744A 15 17 14 700 0.25 5 11.4 304 61
18 1N4745A 16 15.5 16 700 0.25 5 12.2 285 57
19 1N4746A 18 14 20 750 0.25 5 13.7 250 50
20 1N4747A 20 12.5 22 750 0.25 5 15.2 225 45
21 1N4748A 22 11.5 23 750 0.25 5 16.7 205 41
22 1N4749A 24 10.5 25 750 0.25 5 18.2 190 38
23 1N4750A 27 9.5 35 750 0.25 5 20.6 170 34
24 1N4751A 30 8.5 40 1000 0.25 5 22.8 150 30
24 1N4752A 33 7.5 45 1000 0.25 5 25.1 135 27
25 1N4753A 36 7 50 1000 0.25 5 27.4 125 25
27 1N4754A 39 6.5 60 1000 0.25 5 29.7 115 23
28 1N4755A 43 6 70 1500 0.25 5 32.7 110 22
29 1N4756A 47 5.5 80 1500 0.25 5 35.8 95 19
30 1N4757A 51 5 95 1500 0.25 5 38.8 90 18
31 1N4758A 56 4.5 110 2000 0.25 5 42.6 80 16
32 1N4759A 62 4 125 2000 0.25 5 47.1 70 14
33 1N4760A 68 3.7 150 2000 0.25 5 51.7 65 13
34 1N4761A 75 3.3 175 2000 0.25 5 56 60 12
35 1N4762A 82 3.0 200 3000 0.25 5 62.2 55 11
35 1N4763A 91 2.8 250 3000 0.25 5 69.2 50 10
37 1N4764A 100 2.5 350 3000 0.25 5 76.0 45 9