Professional Documents
Culture Documents
Sprawozdanie Elektronika MOSFET
Sprawozdanie Elektronika MOSFET
Rys. 1. Układ do pomiaru charakterystyki przejściowej ID(UGS) oraz charakterystyk wyjściowych ID(UDS).
UGS [V] 0 –0,5 –1 –1,5 –2 –2,5 –3 –3,5 –4 –4,5 –5 –5,5 –6 –6,5 –7 –7,5 –8 –8,5 –9
ID [mA] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 –0,03 –0,29 –0,89 –1,62 –2,6 –3,76 –4,98 –6,38 –7,84 –9,15
Tab. 1. ID = f(UGS) dla UDS = 20 V.
ID [mA] 0 –1,64 –2,38 –2,59 –2,75 –2,86 –2,92 –2,97 –3,03 –3,1 –3,14 –3,26 –3,3 –3,36 –3,42 –3,48 –3,51 –3,57 –3,62 –3,75
UDS [V] 0 –1 –2 –3 –4 –5 –6,3 –7 –8 –9 –9,9 –10,8 –11,8 –12,8 –13,9 –15 –16,1 –17,3 –18,5 –20
ID [mA] –0,01 –2,41 –3,81 –4,44 –4,73 –4,92 –5,11 –5,21 –5,32 –5,41 –5,51 –5,59 –5,68 –5,78 –5,87 –5,96 –6,03 –6,12 –6,21 –6,33
UDS [V] 0 –1 –2 –3 –4 –5,2 –6 –6,95 –8,5 –9,5 –10,5 –11,7 –12,8 –14 –15,3 –16,6 –18 –19,8
ID [mA] –0,02 –3,06 –5,13 –6,44 –7,22 –7,58 –7,8 –7,98 –8,22 –8,36 –8,47 –8,59 –8,7 –8,81 –8,93 –9,05 –9,18 –9,33
Tab. 2., 3., 4. ID = f(UDS) kolejno dla UGS1 = –7 V, UGS2 = –8 V, UGS3 = –9 V.
Rys. 3. Charakterystyki wyjściowe ID = f(UDS) dla UGS1 = –7 V, UGS2 = –8 V, UGS3 = –9 V. Pomarańczowe linie to styczne
do charakterystyk w punktach UDS = –10 V.
b) dID/dUDS = 0,00006,
a) ID = 0,00009UDS – 0,00463,
b) dID/dUDS = 0,00009,
a) ID = 0,00012UDS – 0,00725,
b) dID/dUDS = 0,00012,
3.3. Charakterystyka:
Rys. 5. Charakterystyka ID = f(UDS) dla UGS = –9 V, czerwona linia to styczna do charakterystyki w punkcie ID = 0 A.
Obliczenia można przeprowadzić analogicznie do podpunktów 1.4. i 2.4., trzeba stworzyć funkcję UDS = f(ID).
a) UDS = -5666ID2 + 313,42ID + 0,0158,
4.3. Charakterystyka:
4.4. Określenie przedziału, w którym charakterystyka jest prawie liniowa oraz wyznaczenie rezystancji dynamicznej.
4.4.1. Prąd źródła ID pozostaje prawie stały dla napięcia UDS z przedziału <8,5;20> V.
4.4.2. Na potrzeby policzenia rezystancji dynamicznej trzeba stworzyć funkcję UDS = f(ID), RD = dUDS / dID:
b) dUDS/dID = 27083,
c) RD = 27,083 kΩ.
5. Uwagi i wnioski.
5.1. Uwagi:
• Tabele i wykresy zostały sporządzone w programie Excel, rysunki schematów w programie GoodNotes.
• Wzory funkcji zostały wygenerowane w programie Excel na podstawie wykresów. Te funkcje liniowe i
kwadratowe przybliżają dany fragment charakterystyki, zostały wykorzystane do obliczenia parametrów
małosygnałowych oraz rezystancji dynamicznej.
• Pomiary powinny być dość dokładne, “falowanie” krzywych na wykresach jest nieznaczne.
• Wartości napięć zostały zmierzone z dokładnością do 1 cyfry po przecinku; wartości prądów zostały
zmierzone z dokłądnością do 5 cyfr po przecinku.
5.2. Wnioski:
• W przyszłości można usprawnić wykonywanie pomiarów, przyspieszyć je, bo nie udało się do końca
zrealizować punktu 4., tzn. dla ID = 10 mA.
• Charakterystyki przejściowa, wyjściowa i dla źródła prądowego pokrywają się z teorią, mają właściwy
przebieg dla tranzystora wzbogacanego z kanałem typu P.
• Dla charakterystyki przejściowej prąd drenu rośnie wraz ze wzrostem napięcia bramka–źródło (od wartości
tego napięcia równej napięciu progowemu UGS(T0), która w tym wypadku jest równa około 4,5 V).
• Dla charakterystyk wyjściowych prąd drenu rośnie wraz ze wzrostem napięcia dren–źródło, od pewnej
wartości napięcia zależość ta jest niemal liniowa.
• Tranzystor unipolarny, po odpowiednim podłączeniu, można traktować jak źródło prądowe. Prąd jest wtedy
stabilizowany do wartości, która została nastawiona poprzez odpowiednie ustawienie rezystora
(potencjometru); gdy prąd wzrośnie, to zwiększone napięcie powoduje z powrotem zmniejszenie prądu, gdy
prąd zmaleje, to zmniejszone napięcie powoduje zwiększenie prądu.