SUNČANE ĆELIJE

Predavanje 4
EKVIVALENTNI MODEL I PARAMETRI
SUNČANE ĆELIJE
 Karakteristični otpor sunčane ćelije
• Karakteristični otpor sunčane ćelije je izlazni otpor sunčane ćelije u točki
maksimalne snage. Drugim riječima, ako je sa sunčanom ćelijom spojeno trošilo
otpora jednakog karakterističnom otporu sunčane ćelije, na trošilo se prenosi
maksimalna snaga i sunčana ćelija radi u točki maksimalne snage.
• Karakteristični otpor sunčane ćelije Rk dan je omjerom:
U
Rk  m
Im
U
• Za većinu sunčanih ćelija karakteristični se otpor može aproksimirati omjerom: Rk  ok
I ks

• Komercijalne silicijske sunčane ćelije tipično imaju veliki iznos struje od oko 9 A, dok
je napon oko 0,6 V, što daje karakteristični otpor iznosa 0,067 .
• Spajanje na individualnu sunčanu ćeliju zahtijeva otpornosi reda veličine miliohma.

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 2

fotonaponsku pretvorbu
 Ekvivalentni sklop sunčane ćelije
• Sunčana ćelija se može prikazati nadomjesnim sklopom u kojem je pn-ustrojstvo
modelirano diodom, a fotogeneracija je prikazana zavisnim strujnim izvorom:

• U realnoj sunčanoj ćeliji postoje gubici uzrokovani parazitnim otpornostima: serijski

i paralelni otpor sunčane ćelije. Jednostavni model realne sunčane ćelije je stoga:

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 3

fotonaponsku pretvorbu
 Utjecaj parazitnih otpornosti
• U većini slučajeva i za većinu uobičajenih vrijednosti serijskog i paralelnog otpora,
glavni utjecaj parazitnih otpornosti je smanjenje faktora punjenja.
• Geometrija sunčane ćelije definira kakav je utjecaj serijskog i paralelnog otpora u
radnoj točki sunčane ćelije.
• Vrijednost otpornosti ovisi o površini sunčane ćelije pa se ona uobičajeno iskazuje u
cm2.

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 4

fotonaponsku pretvorbu
 Serijski otpor sunčane ćelije
• Serijski otpor sunčane ćelije ima tri glavna uzroka:
– Prolazak struje kroz volumen sunčane ćelije.
– Kontaktni otpor između metalnih kontakata i poluvodiča.
– Otpor prednjih i stražnjih metalnih kontakata.
Rc
priključak metal

Rv
Rc1
emiter
Rj

Rb bulk

Rc2 metal

• Serijski otpor prvenstveno utječe na smanjenje faktora punjenja.

• Iznimno velike vrijednosti serijskog otpora smanjuju struju kratkog spoja.

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 5

fotonaponsku pretvorbu
 Serijski otpor sunčane ćelije (2)
• Ako se u ekvivalentni sklop sunčane ćelije uključi samo serijski otpor:

  U  I  Rs  
I  I L  I 0 exp   1
  mU T  

• Serijski otpor ne utječe na iznos napona otvorenog kruga jer tada kroz sunčanu
ćeliju ne teče struja.
• Serijski otpor može se odrediti iz nagiba I-U karakteristike u točki otvorenog kruga.

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 6

fotonaponsku pretvorbu
 Serijski otpor sunčane ćelije (3)
• Utjecaj serijskog otpora na faktor punjenja može se odrediti uz
pretpostavku umjerenih vrijednosti serijske otpornosti, kada vrijedi:
 I   I   R 
Pm '  U m I m  I m2 Rs  U m I m 1  m Rs   Pm 1  ks Rs   Pm 1  s 
 Um   U ok   Rk 
Pm '  Pm 1  rs 

• Ako se pretpostavi da serijska otpornost ne mijenja napon otvorenog kruga

i struju kratkog spoja, tada je:
U ok ' I ks ' FF '  U ok I ks FF 1  rs  FF '  FF 1  rs 
• Nešto točnija empirijska relacija koja vrijedi za rs<0,4 i uok>10:
rs2
FF '  FF 1  1,1rs   uok 
U ok
5,4 mU T

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 7

fotonaponsku pretvorbu
 Paralelni otpor sunčane ćelije
• Ako se u ekvivalentni sklop sunčane ćelije uključi samo paralelni otpor:

 U  U
I  I L  I 0 exp  
 mU T  Rp

• Gubici uzrokovani paralelnim otporom uglavnom su posljedica defekata u

proizvodnji.
• Niska vrijednost paralelnog otpora omogućuje alternativni putanju za struju (gubici
otjecajnih struja). Time se smanjuje iznos struje koja teče kroz sunčanu ćeliju i
smanjuje napon sunčane ćelije.
• Utjecaj paralelnog otpora posebno je značajan pri manjim ozračenjima, kad je
fotogenerirana struja manjeg iznosa.
• Osim toga, paralelni otpor ima veći utjecaj pri manjim naponima, kad je efektivna
otpornost sunčane ćelije velika.

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 8

fotonaponsku pretvorbu
 Paralelni otpor sunčane ćelije (2)

• Vrijednost paralelnog otpora sunčane ćelije može se procijeniti na temelju

nagiba I-U karakteristike u blizini struje kratkog spoja.
• Utjecaj paralelnog otpora na faktor punjenja može se odrediti preko:
U m2  Um 1   U ok 1   Rk 
Pm '  U m I m   UmIm 1   
 Pm 1    Pm 1  
Rp  I m R p   I ks R p   R 
   p 

 1   1   1 

Pm '  Pm 1  
U ok ' I ks ' FF '  U ok I ks FF 1  FF '  FF  1 
 r   r   r 
 p 
 p   p 

 U  0,7 FF 
FF '  FF 1  ok  Za rp>0,4
 U ok rp 


25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 9

fotonaponsku pretvorbu
 Ekvivalentni model sunčane ćelije
• Ako se u ekvivalentni model uključe serijski i paralelni otpor sunčane ćelije:

 U  I  Rs  U  I  Rs
I  I L  I 0 exp  
 mU T  Rp

• Za određivanje utjecaja serijskog i paralelnog otpora, mogu se iskoristiti

izrazi koji su dobiveni kod analize utjecaja paralelnog, odnosno serijskog
otpora zasebno:
 U ok  0,7 FFs  2
FFp  FFs 1   , gdje je: FFs  FF0 1  1,1rs   rs
 U ok rp  5,4


25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 10

fotonaponsku pretvorbu
 Utjecaj temperature na I-U karakteristiku
• Povećanje temperature smanjuje širinu zabranjenog pojasa poluvodiča, čime se
mijenja većina parametara poluvodičkog materijala.
• Najznačajnija promjena u sunčanoj ćeliji uzrokovana povećanjem temperature jest
promjena napona otvorenog kruga.
• Napon otvorenog kruga se smanjuje s povećanjem temperature zbog temperaturne
ovisnosti reverzne struje zasićenja I0:
I 
U ok  mU T ln  L  1
 I0 
• Ovisnost reverzne struje zasićenja I0 o temperaturi najizraženija je kroz ovisnost
intrinsične gustoće, koja se može zapisati:
 2kT  * * 32
ni  4 2 mn m p  exp  G 0   BT 3 exp  G 0 
2  E   E 
 h   kT   kT 
• Ako se gornji izraz uvrsti u izraz za reverznu struju zasićenja I0, uz zanemarenje
temperaturne ovisnosti drugih parametara, dobija se:
 E 
I 0  B ' T  exp  G 0 
 kT 
gdje je B’ temperaturno neovisna konstanta.

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 11

fotonaponsku pretvorbu
 Utjecaj temperature na I-U karakteristiku (2)
• U silicijskim sunčanim ćelijama na sobnoj temperaturi, struja I0 se približno
udvostruči za svako povećanje temperature od 10°C.
• Utjecaj temperaturne ovisnosti struje I0 na napon otvorenog kruga može se
izračunati na sljedeći način:
 I ks    U G 0 
U ok  U T ln   U T ln I ks  ln I 0   U T ln I ks  U T ln  B ' T exp 


 0
I   U T 
gdje je EG0=qUG0 linearno ekstrapolirana vrijednost na temperaturi 0K.
• Uz pretpostavku da napon otvorenog kruga ne ovisi o temperaturnoj promjeni
struje kratkog spoja:
dU ok U ok  U G 0 k U  U ok  U T
     G0
dT T q T
• Temperaturna osjetljivost sunčane ćelije ovisi o Uok: što je Uok većeg iznosa,
temperaturni utjecaj je manji.
• Za silicijske sunčane ćelije, EG0=1,2 eV, te ako se odabere =3:
dU ok
 2,2 mV / C
dT

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 12

fotonaponsku pretvorbu
 Utjecaj temperature na I-U karakteristiku (3)
• Porast temperature uzrokovat će i blago povećanje struje kratkog spoja Iks, jer se
smanjuje EG pa više fotona ima dovoljno energije za generiranje parova nosilaca.
• Temperaturna ovisnost struje kratkog spoja za silicijske sunčane ćelije je:
1 dI ks
 0,0006 / C
I ks dT
• Temperaturni utjecaj na iznos faktora punjenja za silicijske sunčane ćelije može se
aproksimirati izrazom:
1 dFF  1 dU ok 1 
     0,0015 / C
FF dT  U ok dt T
• Konačno, temperaturni utjecaj na maksimalnu snagu silicijske sunčane ćelije Pm je:
 0,004  0,005 / C
1 dPm
Pm dT

Temperaturna svojstva FN modula Solvis SV60E Temperaturna svojstva FN modula Luxor LX M60

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 13

fotonaponsku pretvorbu
 Utjecaj intenziteta Sunčeva zračenja na I-U karakteristiku
• Promjena intenziteta Sunčeva zračenja koje upada na sunčanu ćeliju mijenja sve
parametre sunčane ćelije: Iks, Uok, FF,  te utjecaj serijskog i paralelnog otpora.
• Intenzitet Sunčeva zračenja koje upada na sunčanu ćeliju izražava se tzv. brojem
sunca, gdje 1 sunce označava zračenje pri masi zraka AM1,5 intenziteta 1000 W/m2.
Sustav kod kojeg bi upadno zračenje imalo intenzitet 10 kW/m2 bi radio pri
ozračenju 10 sunca, odnosno 10X.
• Fotonaponski moduli dizajnirani za rad pri ozračenju 1 sunca nazivaju se ravni
pločasti (engl. flat plate) moduli, dok se moduli koji koriste koncentrirano Sunčevo
zračenje zovu „koncentratori” (engl. concentrators).

1000 W/m2; 500 W/m2;

Idealna ćelija: Iks=35 mA/cm2; Uok=0,623 V; FF=0,83 Idealna ćelija: Iks=17,5 mA/cm2; Uok=0,606 V; FF=0,83
Rs=1 cm2, Rp=100 cm2: Iks=34,6 mA/cm2; Uok=0,612 V; FF=0,67 Rs=1 cm2, Rp=100 cm2: Iks=17,3 mA/cm2; Uok=0,589 V; FF=0,58

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 14

fotonaponsku pretvorbu
 Utjecaj intenziteta Sunčeva zračenja na I-U karakteristiku (2)
• Intenzitet Sunčeva zračenja mijenja se tijekom dana te se ozračenje uglavnom
mijenja između 0 i 1000 W/m2 (samo za najsunčanijih ljetnih dana intenzitet prelazi
te vrijednosti).
• Pri malim intenzitetima Sunčeva zračenja, veliki utjecaj ima vrijednost paralelnog
otpora. Smanjenjem ozračenja smanjuje se struja sunčane ćelije, te se ekvivalentni
otpor sunčane ćelije približava vrijednosti paralelnog otpora. Kad su te dvije
vrijednosti bliskog iznosa, povećava se dio struje koji protječe kroz paralelni otpor,
čime se povećavaju gubici snage.
• U uvjetima oblačnog vremena, sunčane ćelije koje imaju veliki paralelni otpor
zadržavaju veći dio svoje nazivne snage od sunčanih ćelija s malim iznosom
paralelnog otpora.

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 15

fotonaponsku pretvorbu
 Faktor idealnosti
• Faktor idealnosti diode, m, je mjera koja opisuje koliko je dioda blizu idealnoj, odnosno koliko
se dobro može opisati s jednadžbom idealne diode.
• Izvod jednostavne struje diode polazi od aproksimacija i pretpostavki o sunčanoj ćeliji, ali se u
realnosti u sunčanoj ćeliji javljaju i drugi efekti koji uzrokuju odstupanja od jednadžbe idealne
diode. Faktorom idealnosti opisuju se ti efekti.
• Jednadžba idealne diode prepostavlja da se kompletna rekombinacija događa između vodljivog
i valentnog pojasa ili preko zamki u volumenu uređaja, ali ne i u osiromašenom području. Uz tu
pretpostavku, faktor idealnosti diode m=1 te je jednadžba sunčane ćelije:
 U  
I  I L  I 0 exp   1
  UT  
• U stvarnosti, rekombinacija se događa i na druge načine i u drugim dijelovima uređaja. Te
dodatne rekombinacije uzrokuju odmak faktora idealnosti od idealnog (on je veći od 1).
Faktor
Vrsta rekombinacije Opis
idealnosti, m
Shockley-Read-Hall (SRH), pojas-pojas (niska Rekombinacija ograničena manjinskim nosicima.
injekcija)
1

SRH, pojas-pojas (visoka injekcija) 2 Rekombinacija ograničena s oba tipa nosilaca.

Za rekombinaciju su potrebna dva većinska i jedan manjinski

Augerova 2/3 nosilac.
Osiromašeno područje 2 Oba tipa nosilaca ograničavaju rekombinaciju.

25.3.2019. Katedra za nanoelektroniku i 16

fotonaponsku pretvorbu