5.

3 MODELIRANJE MOSFET-a
Postoji veliki broj modela MOSFET-a koji se razlikuju u pogledu njihove ta~nosti i slo`enosti.
Pored toga, modeli osnovnih efakata tranzistora se modifikuju na bezbroj na~ina da bi se uklju~ili i
neki zapa`eni efekti drugog reda. Razmatranje modela MOSFET-a, koji su prikazani u ovom
odeljku, ograni~eno je na jedna~ine koje se koriste u programskom simulatoru SPICE (simulator
elektri~nih kola). ^ak i u SPICE, postoje tri osnovne opcije modela, koje se nazivalu LEVEL 1,
LEVEL 2 i LEVEL 3, plus dodatni sofisticiraniji i specifi~ni modeli. SPICE LEVEL 1 model je
fizi~ki zasnovan model koji je zastupljen u brojnim knjigama o poluprovodnicima kao model
MOSFET-a. SPICE LEVEL 1 model je najjednostavniji model MOSFET-a, koji se koristi u
mnogim knjigama o projektovanju kola. LEVEL 2 model se ~esto pojavljuje kao nepotrebno slo`en
model, dok je LEVEL 1 model vrlo retko dovoljno ta~an. SPICE LEVEL 3 model je skoro
podjednako jednostavan kao i LEVEL 1 model (jedna~ine podse}aju na jedna~ine modela LEVEL
1) i skoro je podjednako ta~an kao i model LEVEL 2. Tehni~ki govore}i, LEVEL 3 model
predstavalja najbolji izbor. Kori{}enje modela LEVEL 3 mo`e se u~initi nepogodnim jedino zbog
nedostatka razumevanja njegove povezanosti sa modelima koji se koriste u literauri o projektovanju
kola (LEVEL 1) ili sa modelima koji su ~esto zastupljeni u knjigama o fizici poluprovodnika
(LEVEL 2).
Ovaj odeljak direktno se odnosi na jedna~ine modela SPICE LEVEL 1, LEVEL 2 i LEVEL
3. Najslo`eniji model (LEVEL 2) bi}e najpre izveden, oslanjaju}i se na razmatranje principskih
efekata funkcionisanja MOSFET-a. Model LEVEL 3 bi}e izveden pojednostavljivanjem modela
LEVEL 2, koji je dalje pojednostavljen da bi se dobio najjednostavniji LEVEL 1 model. Efekti
drugog reda, koji su uklju~eni u programu SPICE prikazani su zbog modela LEVEL 3.

5.3.1 SPICE LEVEL 2 Model

Izvodjenje modela MOSFET-a podrazumeva nala`enje adekvatne jedna~ine koja reprezentuje

zavisnost struje drejna ID od primenjenih napona na izvodima tranzistora VGS, VDS i VSB, u
generalnom obliku ID=f(VGS, VDS, VSB). Pretpostavljaju}i da svi elektroni iz kanala zavr{avaju u
drejnu, i zanemaruju}i struju inverzno polarisanog spoja drejn-supstrat, struja elektrona u kanalu
direktno izra`ava struju drejna ID na izvodu drejna. Proticanje elektrona u kanalu izazvano je
elektri~nim poljem koje se u kanalu pojavljuje usled napona polarizacije drejn-sors VDS. Ovaj
mehanizam struje, poznat kao driftovska struja, modeliran je Omovim zakonom [jedna~ina (1.10)]:
j =σ E (5.13)
gde je j gustina struje u A/m2, E je elektri~no polje, a σ je specifi~na elektri~na provodnost.
Provodnost mo`e biti izra`ena preko koncentracije elektrona n i pokretljivosti elektrona µ0 [vidi jed.
(1.16)], {to dovodi do
j = qµ 0 n E (5.14)
Gustina struje elektrona u kanalu j, data u jedninicama A/m2, mo`e se jednostavno pomno`iti
povr{inom popre~nog preseka kanala da bi se pretvorila u struju drejna ID, koja se izra`ava u
Amperima. Kao {to je pokazano u Odeljku 1.1, ovo bi implicitno pretpostavljalo uniformnu gustinu
struje. Ako se gustina struje menja, to bi zna~ilo da ustvari treba uzeti srednju vrednost gustine
struje. Da bi se ovaj pristup koristio, sve druge diferencijalne veli~ine u jedna~ini (5.14) treba
predstaviti njihovim usrednjenim vrednostima. Ozna~avanjem popre~nog preseka kanala sa x chW , i
izra`avanjem srednje vrednosti elektri~nog polja u kanalu sa VDS/Leff,

1
 j x ch W = µ 0 q n x ch W E (5.15)
1424 3 14243 1424 3
ID( A ) QI ( C / m 2 ) VDS / Leff

dobija se slede}a jedna~ina:

µ W
I D = 0 Q I V DS (5.16)
Leff

U gornjim jedna~inama Q I je srednja vrednost gustine naelektrisanja u inverznom sloju, izra`ena u

C/m2. U slu~aju nultog, ili veoma malog napona drejn-sors VDS, gustina naelektrisanja u inverznom
sloju odredjena je naponom gejt-sors VGS. Ona je jednaka nuli za VGS<VT, i jednaka je
( VGS − VT )Cox za VGS ≥ VT , kao {to je pokazano jedna~inama (2.69) i (5.6). Prema tome, gustina
nelektrisanja u inverznom sloju je uniformna du` kanala u slu~aju malih vrednosti VDS. Zamenom
Q I u jedna~ini (5.16) sa QI iz jedna~ine (5.6), za struju drejna se dobija
µ WCox
ID = 0 ( VGS − VT ) V DS (5.17)
Leff

koja postaje ekvivalentna intuitivno postavljenoj jedna~ini (5.7) kada se faktor poja~anja β defini{e
kao:
µ WC
β = 0 ox (5.18)
Leff

Jedna~ina (5.17) predvidja linearnu zavisnost struje drejna i od napona gejt-sors i od napona
drejn-sors. Linearna ID-VDS zavisnost je eksperimentalno zapa`ena za male napone VDS, a ta oblast
se naziva linearna oblast. Primer eksperimentalne ID-VDS zavisnosti dat je na Sl. 5.5b. Medjutim,
stvarna struja mo`e odstupati od te linearne zavisnosti, i ~ak saturirati (u}i u zasi}enje) pri dovoljno
velikim naponima VDS. Kao {to je ranije pomenuto, oblast napona VDS izmedju 0 i napona drejn-sors
pri kome struja drejna ulazi u zasi}enje (VDSsat) naziva se triodna oblast.
Da bi modelirali struju drejna u celoj triodnoj oblasti (a ne samo u njenom linearnom delu),
uticaj napona VDS na gustinu naelektrisanja u inverznom sloju ne sme biti zanemaren. Sa porastom
napona VDS, deo inverznog sloja kod drejna po~inje postepeno da se osiroma{uje, sve dok se
kompletno ne prekine kod drejna, {to odgovara ta~ki kada struja drejna ulazi u zasi}enje
(VDS=VDSsat). Prema tome, napon VDS izaziva neuniformnu raspodelu gustine naelektrisanja
inverznog sloja du` kanala, kao {to je ilustrovano na Sl. 5.17. On takodje izaziva smanjenje njegove
srednje vrednosti Q I , {to se odra`ava na pad struje ispod vrednosti koja se predvidja uniformnom
(najve}om srednjom) vredno{}u QI [jedna~ina (5.17)].
Smanjenje QI u pravcu kraja kanala kod drejna, mo`e biti modelirano porastom napona praga
izazvanim body-efektom, ~ija ja~ina varira du` kanala. Kao {to je opisano u Odeljku 5.1.2, porast
povr{inskog potencijala u jakoj inverziji usled polarizacije supstrata reflektuje se na porast napona
praga. U primeru na Sl. 5.6b, povr{inski potencijal je pove}an od uobi~ajene vrednosti 2φF na
2φF+VSB usled inverzno polarisanog spoja sors-balk VSB. Na Sl. 5.17, to je slu~aj na kraju kanala kod
sorsa. Na kraju kanala kod drejna, povr{inski potencijal u jakoj inverziji je pove}an dalje do
vrednosti 2φF+VSB+VDS, da bi se uklju~ila inverzna polarizacija P-N spoja drejn-balk koja iznosi
VSB+VDS. Prema tome, napon praga na kraju inverznog sloja kod drejna je ve}i nego na kraju kod
sorsa (ja~e izra`en body-efekat je usled ja~e polarizacije supstrata, VSB+VDS). Prema jedna~ini (5.6),
ve}i napon praga izazva}e manju gustinu naelektrisanja inverznog sloja QI na kraju kanala kod
drejna.
Varijacije napona praga du` kanala mogu se jedinstveno izraziti preko povr{inskog
potencijala generalizuju}i jedna~inu (5.11) na slede}i na~in:

2
 VT = V FB − V SB + 2φ F + V SB + γ 2φ F + V SB (5.19)
14243 14243
ϕS ϕS

Sve dok je povr{inski potencijal ϕS fiksiran na vrednost 2φF+VSB, ova jedna~ina za napon praga
ekvivalentna je jedna~ini (5.11). Medjutim, kada ϕS mo`e da uzme neku vrednost izmedju 2φF+VSB
(povr{inski potencijal na kraju kanala kod sorsa) i 2φF+VSB+VDS (povr{inski potencijal na kraju
kanala kod drejna), napon praga postaje diferencijalna veli~ina koja varira du` kanala usled
varijacije povr{inskog potencijala:
vT ( ϕ S ) = V FB − V SB + ϕ S + γ ϕ S (5.20)

G VGS D VDS
ID
S
W

+ +
N N y
Leff
2φ F+VSB+VDS
2φ F+VSB

P substrate
B
VSB
x

Slika 5.17 Dijagram N-kanalnog MOSFET-a na kome je prikazan povr{inski

potencijal na kraju kanala kod sorsa i kod drejna

U principu, srednja gustina naelektrisanja inverznog sloja, koja }e se koristiti u jedna~ini

(5.16), treba da se dobije usrednjavanjem po slede}oj formuli:
Leff Leff
1 1
QI = ∫ Q I ( y )dy = ∫ [VGS − vT ( ϕ S )]C ox dy (5.21)
Leff 0 Leff 0

Medjutim, integracija po promenljivoj y (prostorna koordinata du` kanala) nije mogu}a jer zavisnost
povr{inskog potencijala, i iz tog istog razloga i zavisnost napona praga, od y jo{ uvek nije utvrdjena.
Umesto toga, usrednjavanje se vr{i na slede}i na~in:

2φ F +VSB +VDS
1
QI = ∫ Q I ( ϕ S )dϕ S
( 2φ F + V SB + V DS ) − ( 2φ F + V SB ) 2φ F +VSB

1 2φF +VSB +VDS

QI = ∫ [VGS − vT ( ϕ S )]Cox dϕ S (5.22)
V DS 2φ F +VSB

3
Zamenom vT(ϕS) iz jedna~ine (5.20) i re{avanjem gornjeg integrala, dobija se slede}i rezultat:

C  V 2
( 
QI = ox ( VGS − VFB − 2φ F − DS )VDS − γ (2φ F + VSB + VDS )3 / 2 − (2φ F + VSB )3 / 2 
VDS  2 3 
) (5.23)

Zamenom dobijene jedna~ine za srednju gustinu naelektrisanja inverznog sloja Q I u jedna~inu

(5.16) struja drejna se dobija kao

 V 2
( )
I D = β ( VGS − VFB − 2φ F − DS )VDS − γ (2φ F + VSB + VDS )3 / 2 − (2φ F + VSB )3 / 2 
 2 3 
(5.24)

gde se faktor poja~anja β, prvobitno definisan jedna~inom (5.18), ~esto izra`ava preko takozvanog
parametra transkonduktanse KP:
µ 0WCox W
β= = KP (5.25)
Leff Leff

Jedna~ina (5.24) predstavlja model SPICE LEVEL 2 u triodnoj oblasti. Grafik ove jedna~ine, dat
na Sl. 5.18, pokazuje da ona mo`e biti kori{}ena samo u triodnoj oblasti. U ovoj oblasti jedna~ina
korektno predvidja porast struje ID sa naponom VDS. Ona ne mo`e biti kori{}ena u oblasti gde
pokazuje opadanje struje, {to je oblast zasi}enja, jer njeno izvodjenje nije uklju~ivalo slu~aj prekida
kanala. Po{to je napon praga ve}i od napona gejt-sors u oblasti prekida kanala (pinch-off), negativan
doprinos ~lana VGS-vT(ϕS) u jedna~ini (5.22) pogre{no smanjuje vrednost srednje gustine
naelektrisanja Q I , {to se pojavljuje kao smanjenje struje u oblasti zasi}enja. Bez obzira na to,
zapa`anje da struja ID, kao {to predvidja jedna~ina (5.24), dosti`e maksimum pri saturacionom
naponu VDSsat poma`e nam da nadjemo vrednost tog saturacionog napona. Znaju}i da je prvi izvod
struje IDS jednak nuli pri VDS=VDSsat (maksimum struje ID), saturacioni napon se dobija kao:
sat

10
DS
DS =
V

8 VGS = 5V
V

VFB = -1.0V
ID (mA)

6
2φ F = 0.75V
4 4V γ = 0.95V1/2
β = 1.0mA/V2
2 3V
2V
0
0 2 4 6 8
VDS (V)

solid lines: equation

dashed lines: saturation current
Slika 5.18 Izlazne karakteristike MOSFET-a: pune linije - jedna~ina (5.24);
isprekidana linija - struja zasi}enja

4
 ∂I D γ2  4 
= 0 ⇒ V DSsat = VGS − V FB − 2φ F −  1+ ( VGS − V FB + V SB ) − 1 (5.26)
∂V DS 2  γ2 


Model SPICE LEVEL 2 funkcioni{e na slede}i na~in: (1) prvo se izra~unava saturacioni
napon drejna VDSsat, kori{}enjem jedna~ine (5.26); (2) Ako je V DS < V DSsat , tada se VDS koristi u
jedna~ini (5.24) da bi se izra~unala struja; (3) ako je V DS ≥ V DSsat , tada se koristi VDSsat u jedna~ini
(5.24) da bi se izra~unala struja.
Kao {to se vidi iz jedna~ine (5.24), napon praga se ne pojavljuje kao parametar u modelu
LEVEL 2. Ovo nije od pomo}i jer se napon praga veoma ~esto koristi u karakterizaciji (merenju)
MOSFET-a. Pored toga, ~lan koji sadr`i stepen 3/2 nepovoljno uti~e na efikasnost numeri~kih
izra~unavanja kod modela LEVEL 2.

5.3.2 SPICE LEVEL 3 Model: Principski efekti

Model LEVEL 3 mo`e biti dobijen pojednostavljivanjem jedna~ine modela LEVEL 2. Da bismo
obezbedili da stepeni ~lan 3/2 is~ezne, jedna~ina (5.24) se aproksimira pomo}u prva tri ~lana
Taylor-ovog reda:

V2
I D ≈ I D ( 0 ) + I 'D ( 0 ) ⋅ V DS + I "D ( 0 ) DS (5.27)
2
Prva tri ~lana Taylor-ovog reda su uzeta da bi se postigao dobar kompromis izmedju ta~nosti i
jednostavnosti. Uzimanje samo prva dva ~lana bilo bi ~ak jednostavnije, medjutim, to bi dovelo do
linearne IDS(VDS) zavisnosti, {to o~igledno nije dovoljno dobro kao model MOSFET-a. ID(0), ID'(0) i
ID"(0) se dobijaju kao:
ID(0 ) = 0
∂I D
I 'D = = β ( VGS − V FB − 2φ F − V DS ) − βγ ( 2φ F + V SB + V DS )1 / 2
∂V DS
I 'D ( 0 ) = β ( VGS − V FB − 2φ F ) − βγ ( 2φ F + V SB )1 / 2

∂2ID ∂  ∂I D  1
I "D = =   = − β − βγ ( 2φ F + V SB + V DS ) −1 / 2
∂V DS 2 ∂V DS  ∂V DS  2

1
I "D ( 0 ) = − β − βγ ( 2φ F + V SB ) −1 / 2 (5.28)
2
Zamenom dobijenih vrednosti ID(0), ID'(0) i ID"(0) u jedna~inu (5.27) dobija se slede}a jedna~ina za
struju drejna:

  6447 FB
44 8  
  
1 γ V V
I D = β VGS − ( V FB + 2φ F + γ 2φ F + V SB ) −  1 + DS  DS (5.29)
1444442444443 2  2 2φ F + V SB 
 VT   
   

Mo`e se primetiti da se napon praga, definisan jedna~inom (5.11), pojavljuje u posledenjem izrazu
za struju drejna. Takodje, uvodi se i novi faktor da bi se pojednostavila ova jedna~ina. Taj faktor FB
definisan je kao

5
 γ
FB = (5.30)
2 2φ F + V SB
Po{to prvobitna jedna~ina (5.24) modela LEVEL 2 va`i samo u triodnoj oblasti
( 0 ≤ V DS ≤ V DSsat ), pojednostavljena jedna~ina (5.29) modela LEVEL 3 takodje va`i samo u
triodnoj oblasti. Da bismo na{li saturacioni napon VDSsat, iskoristi}emo postupak analogan onom koji
je opisan u prethodnom odeljku:

∂I D V − VT
= 0 ⇒ V DSsat = GS (5.31)
∂V DS 1 + FB

Struja ID u triodnoj oblasti dosti`e maksimum za VDS=VDSsat. Ova maksimalna struja se naziva struja
zasi}enja MOSFET-a IDsat. Zamenom jedna~ine (5.31) za VDSsat umesto VDS u jedna~ini za struju
(5.29), za struju zasi}enja IDsat dobija se izraz

β
I Dsat = I D ( V DSsat ) = ( VGS − VT ) 2 (5.32)
2( 1 + FB )

Iako je struja zasi}enja nezavisna od VDS, ona zavisi od napona VGS, kao {to je pokazano jedna~inom
(5.32)
SPICE LEVEL 3 model MOSFET-a mo`e biti sa`eto napisan na slede}i na~in:

 V2 
I D = β ( VGS − VT )V DS − ( 1 + FB ) DS  , ako je 0 ≤ V DS < V DSsat (5.33)
 2 

β
ID = ( VGS − VT ) 2 , ako je V DS ≥ V DSsat (5.33)
2( 1 + FB )

gde je napon zasi}enja drejna dat kao

V − VT
V DSsat = GS (5.34)
1 + FB

dok su napon praga VT, faktor poja~anja β, i faktor FB dati jedna~inama (5.11), (5.25) i (5.30),
respektivno. Analogne jedna~ine primenjuju se i na slu~aj P-kanalnog MOSFET-a. Oblik tih
jedna~ina prikazan je u slede}em odeljku (tabele u kojima su sumirani SPICE modeli i parametri).
Uporedjuju}i modele LEVEL 3 i LEVEL 2, mo`e se zaklju~iti da su jedna~ine modela
LEVEL 3 mnogo jednostavnije. Ovo nije postignuto na ra~un smanjenja ta~nosti, kao {to je
ilustruvano na slici 5.19. Treba napomenuti da je kori{}en isti set parametara da bi se uporedile
karakteristike na Sl. 5.19. Nezavisno fitovanje parametara modela LEVEL 2 i LEVEL 3 dovelo bi
do jo{ manje razlike izmedju ova dva modela.

5.3.3 SPICE LEVEL 1 Model

Model SPICE LEVEL 1 dobija se kada se faktor FB u modelu LEVEL 3 zanemari. Zamenjuju}i FB u
jedna~inama (5.33) i (5.34) nulom, za struju drejna ID i napon zasi}enja drejna VDSsat modela SPICE
LEVEL 1 dobija je:

6
  V2 
I D = β ( VGS − VT )V DS − DS  , ako je 0 ≤ V DS < V DSsat (5.35)
 2 

β
ID = ( VGS − VT ) 2 , ako je V DS ≥ V DSsat (5.35)
2

V DSsat = VGS − VT (5.36)

Iako je model LEVEL 1 samo neznatno jednostavniji od modela LEVEL 3, uklanjanje

faktora FB ~esto izaziva zna~ajne gre{ke. Ovo je takodje ilustrovano na Sl. 5.19, koja koristi primer
FB = 0.95 /( 2 0.75 ) = 0.55 . Kao {to se mo`e videti, gre{ka modela LEVEL 1 nastaje usled
~injenice da FB nije toliko malo da se mo`e zanemariti u poredjenju sa 1. I struja drejna i napon
zasi}enja drejna su na taj na~in precenjeni. To zna~i da ~ak i nezavisno fitovanje parametara ne bi
dovelo do dobrog slaganja sa modelima LEVEL 2 i LEVEL 3. Dok bi model LEVEL 1 dao bolje
rezultate za manje faktore FB, savremeni MOSFET-ovi umesto malih te`e da imaju ve}e vrednosti
faktora FB.

10 LEVEL 1

8
LEVEL 2 VFB = -1.0V
VGS=5V LEVEL 3 2φ F = 0.75V
ID (mA)

6
γ = 0.95V1/2
4 4V β = 1.0mA/V2

2 3V
2V
0
0 2 4 6
VDS (V)

Slika 5.19 Poredjenje modela LEVEL 1, LEVEL 2 i LEVEL 3

♦ Primer 5.3 Struja drejna i transkonduktansa

N-kanalni MOSFET sa ugradjenim kanalom ima napon praga pri nultoj polarizaciji balka (VSB=0)
od VT=-2.5V. Izra~unati struju drejna ovog MOSFET-a ako je polarisan sa VGS=5V, VDS=10 V i
VSB=0 V kori{}enjem modela SPICE LEVEL 3 i LEVEL 1, i uporediti dobijene rezultate. Kolika je
odgovaraju}a transkonduktansa? Odnos {irine i du`ine kanala kod MOSFET-a je 25, γ=0.85 V1/2,
φF=0.35 V, Cox=7x10-4 F/m2 i µ0=1000 cm2/Vs.

7
 Re{enje: Prvi korak je da treba odrediti da li MOSFET radi u triodnoj oblasti ili u oblasti
zasi}enja. Da bismo mogli da izra~unamo napon zasi}enja VDSsat kori{}enjem jedna~ine (5.34),
najpre je potrebno odrediti faktor FB:
γ 0.85
FB = = = 0.51
2 2φ F + V SB 2 0.70
Po{to je napon zasi}enja
V − VT 5 − ( −2.5 )
V DSsat = GS = = 5 .0 V
1 + FB 1 + 0.51
manji od primenjenog napona na drejnu VDS=10 V, MOSFET radi u oblasti zasi}enja. Izra~unajmo
faktor poja~anja
W
β = µ 0 C ox = 0.1 ⋅ 7 × 10 −4 ⋅ 25 = 1.75 × 10 −3 A / V 2 = 1.75 mA / V 2
Leff

Struja zasi}enja, dobijena prema modelu LEVEL 3, iznosi

β
ID = ( VGS − VT ) 2 = 32.6 mA
2( 1 + FB )
Kako se FB zanemaruje u modelu LEVEL 1, za struju zasi}enja se prema modelu LEVEL 1dobija
β
ID = ( VGS − VT ) 2 = 49.2 mA
2
O~igledno, struja je znatno precenjena modelom LEVEL 1.
Transkonduktansa se defini{e jedna~inom (4.44). Prema tome,

∂  β 
gm =  ( v GS − VT ) 2 
∂v GS  2( 1 + FB )  v =V
GS GS
β 1.75
= ( VGS − VT ) = ( 5 + 2.5 ) = 8.7 mA / V
1 + FB 1 + 0.51

♦ Primer 5.4 MOSFET Struja drejna i transkonduktansa

MOSFET koji radi u linearnoj oblasti mo`e biti kori{}en kao naponom kontrolisani otpornik.
Odrediti osetljivost otpornosti na napona gejta ( ∂R / ∂VGS ) pri naponu VGS=5V ako se MOSFET sa
ugradjenim kanalom, razmatran u Primeru 5.3, koristi kao naponom kontrolisani otpornik.

Re{enje: Po{to je struja drejna u linearnoj oblasti data izrazom

I D = β ( VGS − VT )V DS
otpornost se mo`e izraziti kao
V 1
R = DS =
ID β ( VGS − VT )
Prema tome, osetljivost ovog naponom kontrolisanog otpornika je

8
 ∂R ∂  1  1 1
=   =−
∂VGS ∂VGS  β ( VGS − VT )  β ( VGS − VT ) 2
1
=− = 10.2 Ω / V
−3
1.75 × 10 ( 5 + 2.5 ) 2

5.3.4 SPICE LEVEL 3 Model: Efekti drugog reda

Ovaj odeljak opisuje efekte drugog reda koji su uklju~eni u model SPICE LEVEL 3. Pojam "drugog
reda" ne treba me{ati sa pojmom "zanemarljiv", jer su neki od ovih efekata veoma va`ni u pogledu
ta~nosti simulacije. Va`nost nekih efekata drugog reda bi takodje zavisila od posebne primene.
Prema tome, odluka da se zanemari neki efekat drugog reda mo`e na odgovaraju}i na~in biti doneta
samo ako se efekat pravilno razume.

Redukcija pokretljivosti sa naponom na gejtu.

Ovo je efekat drugog reda i retko mo`e biti zanemaren. Efekat se odnosi na napon na gejtu i
pojavljuje se ~ak i pri najmanjim naponima drejn-sors. Slika 5.20a pokazuje prenosnu karakteristiku
MOSFET-a u linearnoj oblasti (VDS=500 mV). Usled male vrednosti VDS, paraboli~ni ~lan (VDS2) u
jedna~ini (5.33) mo`e biti zanemaren, {to dovodi do modela za linearnu oblast, datog ranije
jedna~inom (5.7). Linearna ID-VGS zavisnost koja je predvidjena modelom data je isprekidanom
linijom na Sl. 5.20a. Medjutim, eksperimentalni podaci ~esto pokazuju odstupanje od predvidjene
linearne zavisnosti, uz opadanje realne struje drejna sve vi{e ispod predvidjene vrednosti kako se
napon na gejtu pove}ava. Puna linija na Sl. 5.20 ilustruje ovaj efekat.

(a)
(b)
8
2.0 VGS=1,2,3,4,5 V
VDS=500mV
1.5
ID (mA)

6
500mV
ID (mA)

1.0
0.5 4
0.0
0 1 2 3 4 5 2 2
ID (mA)

VGS (V)
0 0
0 5 0 2 4 6 8
VGS (V)
θ =0 θ =0.15 V -1 VDS (V)

Slika 5.20 Uticaj smanjenja pokretljivosti sa naponom na gejtu na

prenosnu (a) i izlaznu (b) karakteristiku MOSFET-a

Ova struja drejna koja je manja od o~ekivane posledica je redukcije pokretljivosti nosilaca u
kanalu. Principski model pretpostavlja konstantnu (nezavisnu od napona na gejtu) pokretljivost
nosilaca u kanalu µ0 [vidi jedna~inu (5.16)]. U stvarnosti, vertikalno elektri~no polje indukovano

9
naponom na gejtu uti~e na mehanizme rasejavanja nosilaca u kanalu. Mehanizmi rasejavanja
nosilaca u veoma tankom inverznom sloju su mnogobrojni i veoma slo`eni. Medjutim, mnogi od
ovih mehanizama rasejavanja zavise od debljine inverznog sloja i prema tome od primenjenog
napona na gejtu. Po{to su fizi~ki bazirane jedna~ine zavisnosti pokretljivosti od napona na gejtu
slo`ene, u programu SPICE koristi se slede}a {iroko prihva}ena poluempirijska jedna~ina
µ0
µS = (5.37)
1 + θ ( VGS − VT )
gde se sada koristi takozvana povr{inska pokretljivost µS umesto pokretljivosti pri niskim poljima µ0
u jedna~ini za faktor poja~anja [jedna~ina (5.25)]. Prema tome, parametar transkonduktanse KP se
izra~unava kao KP=µSCox umesto KP=µ0Cox. Parametar θ je SPICE parametar koji treba
eksperimentalno odrediti. Naziva se konstanta modulacije pokretljivosti.
Nulta vrednost parametra θ efektivno elimini{e ovaj efekat iz modela SPICE, po{to je µS=µ0
u ovom slu~aju. Takodje, dodati ~lan θ(VGS-VT) malo uti~e u oblasti oko napona praga (mala je
vrednost VGS-VT). Medjutim, pri srednjim i visokim naponima na gejtu, efekat postaje izra`en. Slika
5.20b ilustruje va`nost ovog efekta za ta~no modeliranje izlazne karakteristike. Veoma ~esto,
nemogu}e je posti}i prihvatljivo slaganje izmedju modela i eksperimentalnih podataka bez pomo}i
parametra θ.

Zasi}enje brzine (Redukcija pokretljivosti sa naponom na drejnu)

Pokretljivost nosilaca u kanalu takodje mo`e biti redukovana visokim lateralnim elektri~nim poljem
u kanalu. Kao {to je obja{njeno u Odeljku 1.4, pokretljivost odredjuje driftovsku brzinu u
elektri~nom polju. Pri malim elektri~nim poljima E , driftovska brzina vd raste linearno sa
elektri~nim poljem, {to dovodi do pojave pokretljivosti nosilaca nezavisne od lateralnog polja
µ S = v d / E . Dugokanalni MOSFET-vi mogu raditi u oblasti niskih polja, gde je prime}ena
linearna vd- E zavisnost. Pri ve}im elektri~nim poljima, driftovska brzina odstupa od linearne
zavisnosti i ~ak ulazi u zasi}enje, {to je ilustrovano na Sl. 1.18. Kao {to je obja{njeno u Odeljku
5.1.3, ovo mo`e biti mehanizam odgovoran za zasi}enje struje u kratkokanalnim MOSFET-ovima.
Model struje drejna izveden je iz Omovog zakona, {to podrazumeva linearnu zavisnost
driftovske struje (prema tome i driftovske brzine) od elektri~nog polja [jedna~ina (5.14)]. Da bi se
uzeo u obzir efekat zasi}enja brzine sa porastom elektri~nog polja, pokretljivost u modelu za struju
drejna treba da bude smanjena. Po{to je lateralno elektri~no polje proporcionalno VDS/Leff, smanjenje
pokretljivosti mora biti izra`eno preko napona na drejnu VDS i efektivne du`ine kanala Leff:
µ0
µ eff = (5.38)
µ S V DS
1+
v max Leff

O~igledno, povr{inska pokretljivost µS podeljena je ~lanom 1 + µ S V DS /( v max Leff ) da bi se dobila

takozvana efektivna pokretljivost µeff, koja zavisi od VDS/Leff. Efektivna pokretljivost µeff, a ne µS, se
direktno koristi da bi se izra~unao parametar transkonduktanse KP i prema tome i faktor poja~anja β
koji se pojavljuje u jedna~ini za struju drejna. Prema tome, op{ti oblik jedna~ine (5.25) je
µ eff WCox W
β= = KP (5.39)
Leff Leff

Ja~ina razmatranog efekta kontrolisana je parametrom vmax, koji ima fizi~ko zna~enje maksimalne
driftovske brzine. Iako je tipi~na vrednost vmax u silicijumu 1-2x105 m/s, on mo`e slobodno biti

10
pode{en u programu SPICE, kao i svi drugi parametri. Stavljanjem da je v max = ∞ kompletno bi se
eliminisao ovaj efekat iz SPICE modela MOSFET-a, {to bi u ovom slu~aju zna~ilo µ eff = µ S .
Zasi}enje brzine takodje uti~e na saturacioni napon VDSsat. Ovaj efekat nije obuhva}en
jedna~inom za efektivnu pokretljivost (5.38). Da bi se uzeo u obzir ovaj efekat, jedna~ina za
saturacioni napon (5.34) je u programu SPICE modifikovana. Modifikovana jedna~ina prikazana je
u slede}em odeljku (Tabela 5.4).

Kona~na izlazna otpornost

Principijelni model pretpostavlja perfektnu struju zasi}enja (horizontalnu ID-VDS karakteristiku u

oblasti zasi}enja), {to zna~i da pretpostavlja beskona~no veliku izlaznu otpornost MOSFET-a koji se
koristi kao naponski kontrolisani izvor struje ( ∆V DS / ∆I D → ∞ ). Realni MOSFET-ovi pokazuju
kona~nu izlaznu otpornost. Za neke primene veoma je va`no da se koristi realna vrednost izlazne
otpornosti u toku simulacije elektri~nog kola. Postoje bar dva efekta koji izazivaju porast struje
drejna u oblasti zasi}enja: (1) modulacija du`ine kanala i (2) drejnom indukovano smanjenje
barijere (DIBL = drain-induced barrier lowering).
Modulacija du`ine kanala je u stvari skra}ivanje stvarne du`ine kanala kada dodje do
zasi}enja usled su`enja kanala kod drejna (pinch-off). Principijelni model tranzistora izveden je za
triodnu oblast, gde se kanal prostire celom du`inom od sorsa do drejna, tako da je srednje lateralno
polje pribli`no VDS/Leff. U oblasti zasi}enja pad napona na kanalu ostaje pribli`no konstantan
(VDSsat), {to zna~i da se u kanalu pretpostavlja postojanje konstantnog elektri~nog polja VDSsat/Leff.
Ova pretpostavka se sla`e sa ~injenicom da je u principijelnom modelu struja u zasi}enju
konstantna. U stvarnosti, kanal postaje kra}i kako napon VDS "gura" ta~ku prekida kanala (pinch-off)
prema sorsu na rastojanje Lpinch od drejna. Ovo dovodi do ve}eg elektri~nog polja
V DSsat /( Leff − L pinch ) na kra}em kanalu i prema tome i do porasta struje drejna. Ovaj efekat se
modelira promenom (modulacijom) du`ine kanala:
µ eff WCox W
β= = KP (5.40)
Leff − L pinch Leff − L pinch

gde du`ina od drejna do pinc-off ta~ke Lpinch zavisi od napona VDS (jedna~ina modela SPICE LEVEL
3 data je u Tabeli 5.4). Ova jedna~ina bazirana je na {irini osiroma{enog sloja strmog P-N spoja
[jedna~ina (2.33)], sa padom napona na osiroma{enom sloju VDS-VDSsat, a k je fituju}i parametar
(ulazni parametar SPICE modela). Po{to se skra}enje du`ine kanala primenjuje naglo kada napon
VDS postane ve}i od VDSsat, modelirana struja ne}e biti tako "glatka" (diskontinuitet u prvom izvodu)
oko napona zasi}enja.
DIBL je mnogo pogodniji model za kona~nu izlaznu otpornost u slu~aju kratkokanalnih
MOSFET-a. Efekat je usled jakog lateralnog elektri~nog polja. Principijelni model pretpostavlja da
napon na gejtu potpuno kontroli{e povr{inski potencijal u oblasti kanala. Izra`avaju}i se dijagramom
energetskih zona, pretpostavka je da gustina nosilaca u kanalu zavisi od toga koliko je barijera
sni`ena naponom na gejtu: na Sl. 5.2 (donji desni dijagram zona) barijera ima svoju punu visinu i
zato nema inverznog sloja; na Sl. 5.3 napon na gejtu sni`ava barijeru i nosioci u inverznom sloju se
pojavljuju u kanalu. U stvarnosti, elektri~no polje sa drejna mo`e takodje izazvati neko sni`enje
barijere koje nazivamo drejnom indukovano sni`enje barijere (DIBL). Ova "pomo}" sa drejna u
formiranju inverznog sloja mo`e biti modelirana kroz smanjenje napona praga koje je indukovano
naponom na drejnu. Empirijski je ustanovljeno da je najjednostavnija linearna veza sasvim
zadovoljavaju}a:
VT = V FB + 2φ F + γ 2φ F + V SB − σ DV DS (5.41)

11
Koeficijent koji izra`ava ja~inu zavisnosti napona praga VT od VDS, σD, nije SPICE parametar. On se
izra~unava u SPICE jedna~inom koja uklju~uje Leff, Cox i SPICE parametar η (koji se ~esto naziva
koeficijent stati~ke povratne sprege). Ova jedna~ina data je u Tabeli 5.5. Uzimanjem da je parametar
η jednak nuli, elimini{e se ovaj efekat iz modela (isprekidane linije na Sl. 5.21), dok ve}e vrednosti
η izra`avaju ja~u zavisnost VT od VDS i prema tome manju izlaznu otpornost (pune linije na Sl.
5.21).

5 η= 0
VGS=5V η = 0.75
4
VFB = -1.0V
ID (mA)

3 4V 2φF = 0.75V
2 γ = 0.95V1/2
3V β = 1.0mA/V2
1 θ = 0.15 V -1
2V Leff = 3µm
0 Cox = 1.15 x 10-3 F/m2
0 2 4 6 8
VDS (V)

Slika 5.21 Izlazne karakteristike sa (pune linije) i bez (isprekidane linije) uticaja VDS na VT

12