Download as pdf or txt
Download as pdf or txt
You are on page 1of 74

Optical Microscopy vs Scanning Electron Microscopy

Trùng tia (radiolarian) là các amip protozoa (có đường kính 0,1-0,2 mm) sản xuất ra
các khung xương khoáng phức tạp

1
CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH VẬT LIỆU
(Materials Characterization)

Hiển vi điện tử truyền qua (suốt)

(Transmission Electron Microscope)

TEM

2
Phương pháp kính hiển vi
 Nguyên tắc tạo ảnh trong TEM tương tự trong
SEM và gần giống OM

HV Quang học (OM)


Bức xạ khả kiến – Hệ thấu kính thủy tinh –
camera, mắt
HV Điện tử truyền suốt (TEM)
Dòng electron năng lượng cao – hệ thấu kính
điện từ - đầu dò electron
3
HIỂN VI ĐIỆN TỬ TRUYỀN QUA
HIỂN VI ĐIỆN ELECTRON
TRANSMISSION TỬ TRUYỀN SUỐT
MICROSCOPE

4
TEM

một ống CNT đơn tường ứng dụng trong điện cực pin Lithium trong công bố
của nhóm Seung Woo Lee (Hàn Quốc) trên tạp chí Nature Nanotechnology (2010) 5
TEM
(a) (d)

(b)

(a) ảnh chụp HRTEM đơn tinh thể Silicon


với bề mặt SiO2 vô định hình, phổ biến đổi Fourier các vùng lựa chọn từ các
vùng tương ứng trên ảnh (b): đơn tinh thể Si (c) với các chấm
đặc trưng, (c) SiO2 vô định hình với phổ nhòe và (d) ảnh chụp HRTEM vùng đơn
tinh thể SiO2 với độ phóng đại 1,2 triệu lần cho hình ảnh
sắc nét các lớp nguyên tử Si với độ phân giải 0,17 nm

6
Fe3O4/ZnS
core-shell
nanocomposite

(a) HRTEM image of Fe3O4/10 nm ZnS nanocomposite.


(b) and (c) are the lattice fringes of Fe3O4 and ZnS respectively
DOI: 10.1038/srep11164 7
ZnS ZnS/ZnO

ZnS
ZnO

TEM images of ZnS (a) and ZnS/ZnO (b)

(c) HRTEM
image of a (d) HRTEM image of
single ZnS ZnS/ZnO nanoparticle
nanoparticle. showing the interface
between shell and core

https://dx.doi.org/10.1007%2Fs11671-008-9205-6 8
TEM

Graphene là một vật liệu siêu mỏng, chỉ bao


gồm một lớp nguyên tử
Carbon liên kết với nhau thành một mạng lưới
lục giác hai chiều (mạng hình tổ ong).

Graphene là vật liệu có nhiều tính chất đặc biệt


như dẫn nhiệt, dẫn điện tốt, có độ cứng rất lớn
(gấp hàng trăm lần so với thép), mỏng, nhẹ &
gần như trong suốt

Vật liệu Graphene có tính dẻo dai


nhưng độ cứng cũng rất cao

9
10
TEM
Trong thực tế, cấu trúc mạng vật liệu graphene có thể giải thích cho các
tính năng lạ thường của nó: Cấu trúc 2 chiều của vật liệu này bền vững và
hiệu quả, thậm chí mang khả năng tự sửa chữa.
Làm sao “quan sát” được cấu trúc của graphene???

Các cấu trúc có thể quan sát trong thời gian thực (real time)
và cho phép quan sát sự dịch chuyển của các sai hỏng mạng
trong mạng tinh thể graphene (HRTEM)

11
Schematic of the processing steps involved in the exfoliation of graphene

500 μm

SEM image of layers of graphene. TEM image of graphene


The insets show the
corresponding OM image.

HRTEM image of single layer graphene

DOI: 10.1016/j.compscitech.2019.107895 12
(A – 0 s, B – 141 s, C – 321s), các ảnh D, E, F là ảnh mô phỏng 13
ứ đ d l i ừ ả h TEM) Hì h ả h ừ S i
Vì sao phải dùng kính hiển vi điện tử

Không thể phân biệt các chi tiết có kích thước nhỏ hơn
½ bước sóng tới

Bước sóng
Dòng Electron 50pm

Ánh sáng khả kiến400-700nm

14
Độ phân giải của kính hiển vi điện tử

15
Lịch sử phát triển

16 16
Lịch sử phát triển
 Năm 1927, H. Busch (CHLB Đức) phát hiện ra rằng một chùm điện tử
có thể tạo được từ trường xoay tròn đối xứng nhờ sử dụng các thấu
kính hội tụ.

 Hiện tượng này được ứng dụng để tạo ảnh lần đầu tiên vào năm 1932
bởi E. Ruska và M. Knoll (Giải thưởng Nobel Vật lý vào năm 1986)

17
18
Lịch sử phát triển

19
TEM

20
Cấu tạo của TEM

21
Nguyên tắc hoạt động

22
Sơ đồ nguyên lý của TEM vs SEM

23
Cấu tạo của TEM

Nguồn tạo electron


Thấu kính điện từ
Hệ thống chân không
Giá mẫu
Màn hình huỳnh quang

24
Nguồn tạo electron (Electron Gun)

 Electron được tạo ra từ một


catod nhờ đốt nóng hay một
điện thế lớn đặt vào
_
 Điện cực Wehnelt dùng để điều
chỉnh dòng của chùm e
+
 Sau khi thoát khỏi catod các e-
được di chuyển đến anod rỗng
và được tăng tốc dưới thế gia
tốc V (Acc V) (50-200 kV)

25
Nguồn điện tử phát xạ nhiệt
 Điện tử phát ra từ một catod được đốt
nóng ở T0 cao
 Năng lượng nhiệt do đốt nóng sẽ
cung cấp cho điện tử động năng để
thoát ra khỏi liên kết với kim loại
 Tuổi thọ không cao, độ rọi của chùm
điện tử kém nhưng ưu điểm là rẻ tiền

 Vật liệu phổ biến dùng làm canod là


W, Pt, LaB6 …

26
Súng phát e dùng dây W

27
Súng phát e dùng LaB6

28
Nguồn điện tử phát xạ trường (FEG)

Tunsten (W) tinh thể

Mũi nhọn khoảng 100 nm

 Điện tử phát ra từ catod nhờ một điện thế lớn đặt vào
 Nguồn phát điện tử dạng này có tuổi thọ cao, độ rọi chùm tia điện tử lớn.
Tuy nhiên, FEG rất đắt tiền và đòi hỏi môi trường chân không siêu cao
29
So sánh các loại nguồn phát electron

30
Nguồn tạo electron
Thấu kính điện từ
Hệ thống chân không
Giá mẫu
Màn hình huỳnh quang

31
Thấu kính điện từ
 Khi có dòng điện chạy qua cuộn dây đơn sẽ
tạo ra từ trường mạnh ở tâm của cuộn dây.

 Sau khi điện tử được gia tốc với thế gia tốc 50-
200kV sẽ được hội tụ bằng thấu kính điện thành
chùm tia mảnh 0.1-5µm rồi được chiếu lên mẫu

chùm tia mảnh 0.1-5µm

32
Sơ đồ chùm tia e trong TEM

Chùm tia e đi qua mẫu

Vật kính

Thấu kính trung gian

Thấu kính chiếu

Chùm tia e đập vào


màn huỳnh quang

Tạo ảnh phóng đại của mẫu


33
Nguồn tạo electron
Thấu kính điện từ
Hệ thống chân không
Giá mẫu
Màn hình huỳnh quang

34
Vacuum Systems for Electron Microscopy

Why do we need to operate under vacuum?

35
Vacuum Systems for Electron Microscopy
1. Làm cho chùm tia kết hợp – Quãng đường tự do trung
bình của điện tử ở áp suất khí quyển (1 atmosphere) chỉ có
1 cm. Nhưng khi ở áp suất 10-6 Torr, chúng có thể đi được
tới vài mét (khoảng 6.5 m) và hạn chế sự tán xạ điện tử.
2. Môi trường cách ly – Không cho tương tác giữa chùm tia
điện tử với các phân tử khí dư. Hạn chế sự phóng điện, đặc
biệt là giữa anode và cathode, và ở vùng diện tích xung
quanh bộ nguồn phát xạ trường.
3. Làm tăng thời gian sử dụng (phát xạ) của nguồn súng điện
tử - hạn chế sự ôxy hóa, ngăn chặn sự bốc cháy của sợi đốt
súng điện tử (filament).
4. Làm suy giảm tương tác giữa các phân tử khí dư, chùm
tia điện tử và mẫu mà làm cho nhiễm bẩn cột kính.

36
Nguồn tạo electron
Thấu kính điện từ
Hệ thống chân không
Giá mẫu
Màn hình huỳnh quang

37
Giá mẫu

38
Nguồn tạo electron
Thấu kính điện từ
Hệ thống chân không
Giá mẫu
Màn hình huỳnh quang

39
Màn hình huỳnh quang

 Khi chùm điện tử đập lên tấm bảng


phủ chất huỳnh quang
→ Các chất huỳnh quang sẽ
phát ra ánh sáng khả kiến
 Ảnh được ghi nhận thông qua ánh
sáng phát quang này

 Charge Coupled Device CCD


"linh kiện tích điện kép“: thiết bị
chuyển đổi hình ảnh quang học
sang tín hiệu điện để lưu trữ trong
bộ nhớ

40
Nguyên lý tạo ảnh TEM

41
Nguyên lý tạo ảnh TEM

 Chùm electron được chiếu qua mẫu mỏng (<150 nm)


 Tùy vào bản chất (thành phần, cấu trúc, độ dày) của mẫu
mà electron sẽ bị tán xạ hay nhiễu xạ khác nhau tại những
vị trí khác nhau trên mẫu.

 Phần electron truyền qua mẫu sẽ được


ghi nhận bằng phim hay đầu ghi CCD tạo
ra ảnh của mẫu (ảnh trường sáng – Bright
Field images (BF)):
Các phần màu trắng do electron truyền
qua nhiều, phần tối do electron truyền qua
ít (bị tán xạ hay nhiễu xạ nhiều).

42
Nguyên lý tạo ảnh TEM

Nguyên lý tạo ảnh TEM

43
TEM vs OM

Với kính hiển vi trường sáng, ta nhìn thấy mẫu như một
ảnh đen trắng nhờ sự khác biệt về độ triền quang của
các phần khác nhau của đối tượng cần quan sát.

Điểm khác cơ bản của ảnh TEM so với ảnh quang học là độ tương
phản khác so với ảnh trong kính hiển vi quang học và các loại kính
hiển vi khác. Nếu như ảnh trong kính hiển vi quang học có độ tương
phản chủ yếu đem lại do hiệu ứng hấp thụ ánh sáng thì độ tương phản
của ảnh TEM lại chủ yếu xuất phát từ khả năng tán xạ điện tử.

Cơ chế tương phản của ảnh TEM???

44
Tương phản do phân tán (tán xạ)
 Khi chùm electron đi qua các điểm khác
nhau của mẫu, một phần điện tử bị tán xạ và
đổi hướng so với ban đầu rồi bị loại bởi khe
vật mở (lỗ thông quang) nằm dưới mẫu.
 Những điện tử còn lại là những điện tử
truyền qua đập vào màn hình huỳnh quang
tạo nên ảnh của mẫu.
 Phần mẫu nơi tán xạ xảy ra dễ dàng, số
electron truyền qua ít → hiện trên ảnh bằng
mảng tối.
 Phần mẫu nơi tán xạ xảy ra khó, số electron
truyền qua nhiều → hiện trên ảnh bằng
mảng sáng.
 Nhờ cơ chế trên mà mẫu hiện lên thành ảnh
đen trắng

 Cơ chế tạo ảnh là cơ chế mass-thickness


45
Cơ chế thickness (độ dày)
Top view

Mẫu

46
Tương phản do phân tán (tán xạ)

Khe mở
vật

Mẫu xù xì và dày tán xạ nhiều hơn mẫu phẳng và mỏng


→ hiện trên ảnh bằng màu tối hơn
47
Cơ chế mass (khối lượng Z)

48
Tương phản do phân tán (tán xạ)

Phần mẫu chứa


nguyên tố nặng
(Z lớn)

Khe mở
vật

Phần mẫu chứa chủ yếu nguyên tử của các nguyên tố nặng (Z lớn) tán
xạ electron mạnh hơn phần chứa các nguyên tử nhẹ (Z nhỏ)
→ hiện trên ảnh bằng màu tối hơn
49
Tương phản do phân tán (tán xạ)
 Cơ chế tạo ảnh là cơ chế mass-thickness
Dòng Phần mẫu chứa nguyên
điện tử tố nặng (Z lớn)

50
Tương phản do phân tán (tán xạ)
 Cơ chế tạo ảnh là cơ chế mass-thickness

 Vùng có độ dày cao và có nguyên tố có Z lớn sẽ tán xạ electron tốt.


 Ảnh trường sáng (bright field) của các vùng này sẽ đậm hơn những
vùng khác.

51
52
Tương phản do nhiễu xạ

 Tương phản tán xạ không xảy ra với lớp chất rắn có cùng độ dày
như đơn tinh thể

 Ảnh của các mẫu loại này được


ghi nhận với các vùng sáng tối
→ tương phản nhiễu xạ

 Tương phản nhiễu xạ do hệ quả từ


tính chất sóng của e-.

 Sóng e- bị nhiễu xạ bởi tinh thể và


thay đổi hướng truyền.

https://www.globalsino.com/EM/page3355.html 53
Tương phản do nhiễu xạ
 Với những phần nhiễu xạ mạnh
của mẫu, số e- truyền qua giảm vì
các tín điện tử đổi hướng nên ko a1, a2, b1, c1, and d1 the
rays in diffracted beams
qua được lỗ thông quang.
→ Ảnh phần đó sẽ tối
 Tương phản trên ảnh là hệ
quả của hiện tượng nhiễu xạ

a3, b2, c2, and d2 the rays in the


directly transmitted beam

only the a2 and d1 rays are selected with an


objective aperture there are three different
contrasts on the image plane:

Schematic illustration of diffraction contrast


formation in TEM imaging mode.

54
i) (B) and (C) show dark contrast, formed in the
regions of the specimen which diffract all
electrons out of the image plane and/or out of the
objective aperture;

ii) (A) shows gray contrast, formed in the region


which diffracts some but not all electrons out of
the objective aperture;

iii) (D) shows white contrast, formed in the


regions through which electrons pass with least
diffraction out of the objective aperture.

55
Tương phản do nhiễu xạ

 Tinh thể (a) sáng


hơn tinh thể (b) vì
tinh thể (b) nhiễu xạ
điện tử nhiều hơn.

Ảnh chụp tinh thể gốm hình kim bằng TEM

56
Tương phản do nhiễu xạ

Increasing
thickness  Một số tinh thể có màu tối
do chúng có định hướng
phù hợp cho sự nhiễu xạ.

 Ngoài ra các vùng rìa


ngoài của tinh thể có độ
dày nhỏ nên xuất hiện với
màu sáng hơn. Vùng phía
xa bên trong các tinh thể
có độ dày lớn nên xuất
hiện tối màu hơn.

Ảnh TEM (BF) của vi tinh thể ZrO2.


57
Hiển vi điện tử truyền qua độ phân giải tốt (HRTEM)
Hiển vi điện tử truyền qua độ phân giải tốt (thường được viết tắt là HRTEM)
xuất phát từ thuật ngữ tiếng Anh High-resolution Transmission Electron
Microscopy) là một chế độ ghi ảnh của kính hiển vi điện tử truyền qua cho phép
quan sát ảnh vi cấu trúc của vật rắn với độ phân giải rất cao, đủ quan sát được
sự tương phản của các lớp nguyên tử trong vật rắn có cấu trúc tinh thể.

Ảnh chụp HRTEM lớp phân cách Si/SiO2, lớp Si đơn tinh thể cho hình ảnh các cột nguyên tử,
còn lớp SiO2 là vô định hình không có cấu trúc trật tự
58
Cơ chế tạo ảnh HRTEM vs TEM
 TEM thông thường: tương phản chủ yếu là tương phản biên độ

Tương phản biên độ (Amplitude contrast): Đem lại do hiệu ứng tương
phản do tán xạ và nhiễu xạ
(do độ dày, do thành phần hóa học và định hướng tinh thể ) của mẫu vật.

 HRTEM: tương phản chủ yếu là tương phản pha

Tương phản pha (Phase contrast): Có nguồn gốc từ việc các điện tử bị
tán xạ dưới các góc khác nhau

 Ảnh tạo ra nhờ sự giao thoa giữa chùm tia thẳng góc và
chùm tia tán xạ
59
HRTEM vs TEM
Ảnh có độ phóng đại lớn cho hình ảnh các chi tiết rất nhỏ,
nhưng độ phân giải chưa chắc cao

Ảnh (a) cho ta những hình ảnh đơn giản


về các hạt nano trong khi ảnh (b) cho ta
hình ảnh sắc nét hơn về cấu trúc bên
trong các hạt với các vạch tinh thể rất
rõ ràng.

Magn Magn
x 490k x 490k

Phân biệt ảnh TEM có độ phóng đại lớn (a) và ảnh TEM có độ phân giải cao (b).

 Hai ảnh cùng độ phóng đại nhưng (a) không đạt được độ phân giải cao.

60
Các phép phân tích trong TEM
1. Nhiễu xạ điện tử - SAED

TEM images and SAED patterns of as prepared ZnO (a & b) and Ag-ZnO (c, d) nanostructures

2. Phân tích năng lượng điện tử - EELS


3. Các phép phân tích tia X – EDX, X-ray Luminescent Spec.
DOI:10.1016/j.cattod.2015.06.004 61
Ảnh TEM hạt Ag nano

Khử Ag+ bằng axit ascobic

a) 1 phút
b) 7 phút

62
Ưu điểm của TEM

 Tạo ra ảnh hình thái cấu trúc vật rắn với độ tương
phản, độ phân giải tốt (d nhỏ) & ảnh thật tới cấp độ
nguyên tử
 Hình ảnh cấu trúc vi mô bên trong vật rắn
 TEM kèm với các phương pháp phân tích khác với độ
chính xác và độ phân giải cao (đặc tính, cấu trúc hóa
học, cấu trúc điện từ của mẫu rắn…)
 Cho phép thực hiện các nghiên cứu hữu ích trong
nghiên cứu vật liệu

63
Khuyết điểm của TEM

Đắt tiền do đòi hỏi của nhiều hệ thống chính xác cao: chân không, cao
áp, thấu kính điện từ, nguồn phát...

Trang bị đi kèm: PTN với chuẩn độ


ẩm, sạch, ổn định về điện áp, nhiệt
độ, cách ly tiếng ồn, rung chuyển...

TEM đòi hỏi phòng xử lý mẫu cực


kỳ tinh vi.

TEM là một con mắt siêu đẳng của


thế giới nano, nhưng việc điều khiển,
đầu tư nuôi “con mắt” lại không đơn
giản chút nào.

64
So sánh giữa TEM vs SEM

65
So sánh giữa TEM vs SEM

Đặc điểm TEM SEM


Nguồn phát

Bản chất điện tử

Năng lượng điện tử


Độ phân giải
Điều kiện về chân không

Xử lý, chuẩn bị mẫu đo

Chiều dày mẫu

Thông tin thu nhận về mẫu

Quan sát ảnh

Giá thành thiết bị

66
So sánh giữa TEM vs SEM

Đặc điểm TEM SEM


Nguồn phát Phát xạ nhiệt hoặc phát xạ Phát xạ nhiệt hoặc phát xạ
trường trường

Bản chất điện tử Sơ cấp (truyền qua) Thứ cấp (tán xạ ngược)
Năng lượng điện tử 100-400kV 50-100kV
Độ phân giải ~0.2nm ~2-5nm
Điều kiện về chân không Rất cao Cao

Xử lý, chuẩn bị mẫu đo Phức tạp Đơn giản

Chiều dày mẫu <150nm Ko có yêu cầu đặc biệt


Thông tin thu nhận về Trong thể tích vật liệu Trên bề mặt vật liệu
mẫu
Quan sát ảnh Trên màn huỳnh quang Trên màn hình thông
thường
Giá thành thiết bị Đắt tiền Ko quá đắt tiền
67
68
Chuẩn bị mẫu

69
Chuẩn bị mẫu
Mẫu phải mỏng (<150nm)
Chịu được tác động của e- có NL cao
Chịu được môi trường chân không mạnh

70
70
Giá đặt
Chuẩn mẫu
bị mẫu
Xử lý mẫu –phương pháp ướt

Cạo, nghiền mẫu


Phân tán mẫu (đã nghiền) vào dung
môi (etanol, toluen, isopropanol …)
Nhỏ hỗn hợp lên tấm lưới Cu phủ
Carbon
Để dung môi bay hơi
Có thể nhỏ nhiều lần để có lượng mẫu
thích hợp.

72
Xử lý mẫu –phương pháp khô

Tạo mẫu có độ dày phù hợp


 Mài, cắt, khoan, nghiền cơ học
 Ăn mòn hóa học
 Ăn mòn điện hóa
Ion milling
FIB Focused Ion Beam

73
Tạo mẫu mỏng

74

You might also like