BÀI TẬP CHƯƠNG I

VẬT LÝ VÀ LINH KIỆN BÁN DẪN

20171
NGUYỄN CÔNG TÚ
1
Bài 1
Nếu sắp xếp các quả cầu cứng trong mạng lập phương tâm khối sao cho nguyên tử ở
tâm vừa chạm các nguyên tử ở các góc của hình lập phương. Hãy tính tỷ phần thể
tích của ô cơ sở được lấp đầy bởi các quả cầu cứng.

- Lập phương tâm khối

- Tỉ phần thể tích = Thể tích quả cầu cứng/Thể tích của ô cơ sở

2
Lập phương tâm khối
• Lập phương tâm khối: Đường
chéo l = 4R
• Cạnh a ➔ 𝒍 = 𝟑𝒂 = 𝟒𝑹
• Số phần quả cầu rắn trong hình
lập phương: 2
• Thể tích của quả cầu rắn trong
8
hình lập phương: 𝜋𝑅3
3
• Thể tích hình lập phương: 𝑉 = 𝑎3
𝟑
𝑽𝒔𝒑𝒉𝒆𝒓𝒆 𝟖ൗ 𝝅𝑹𝟑 𝟖 𝝅 𝟑 𝒂 𝝅 𝟑
• Độ xếp chặt: 𝑨= = 𝟑𝟑 =𝟑 𝟒 = = 𝟔𝟖%
𝑽𝒄𝒖𝒃𝒊𝒄 𝒂 𝒂𝟑 𝟖
https://www.e-education.psu.edu/matse81/node/2132 3
 Bài 2
Ở 300 K hằng số mạng của Si là 5,43 Å. Hãy tính số nguyên tử Si trên cm3 và mật độ
(khối lượng riêng) của Si ở nhiệt độ phòng.

- Số nguyên tử Si trong 1 ô cơ sở
- Ô cơ sở của Si là lập phương tâm mặt
- Khối lượng riêng của Si bằng tổng thể tích khối lượng Si trong 1 đơn vị thể tích
- Msi= 28.0855 u ~ 28 * 1.66E-27kg = 4.65E-26kg
- Mạng tinh thể của Si gồm 2 mạng lập phương tâm mặt đặt lệch nhau theo ¼
đường chéo;

https://www.webelements.com/silicon/
4
 Si – Ô cơ sở lập phương tâm mặt
• Số phân tử trong ô cơ sở: 4
• Đường chéo mặt: l=4R=a√2
• Số ô cơ sở trong 1 cm3:
1𝑐𝑚3 1𝑐𝑚3 1𝑐𝑚3
𝑁𝑢𝑛𝑖𝑡 = = = = 6.246 × 1021
𝑉𝑢𝑛𝑖𝑡 𝑎3 5.43 × 10−10 𝑚 3

• Số lượng phân tử Si trong 1 cm3:

• Tinh thể của Si là 2 hệ lệch nhau ¼ 𝑁𝑆𝑖 = 𝑁𝑢𝑛𝑖𝑡 × 4 = 2.5 × 1022
đường chéo nên kết quả nhân 2.
5x1022 phân tử/cm3.
• Khối lượng của 1 cm3 Si ở 300K
𝑚 = 𝑁𝑆𝑖 × 𝑀𝑆𝑖 = 5.0 × 1022 × 4.65 × 10−26 = 2.33 × 10−3 𝑘𝑔
https://socratic.org/questions/how-many-atoms-are-there-in-a-face-centered-cubic-unit-cell-of-an-atomic-crystal
5
Bài 3
Thỏi Si pha tạp với 1016 nguyên tử As trên cm3. Tính nồng độ hạt dẫn và mức Fermi ở
nhiệt độ phòng.

- As – nhóm 5 (Donor) ➔ pha tạp loại n; 2

𝑛 𝑖
- Ở nhiệt độ phòng: n = nồng độ pha tạp = 1016 hạt/cm3; 𝑝=
𝑛
- Công thức tính mức Fermi (xác định vị trí mức Fermi so với cực tiểu vùng dẫn hoặc
cực đại vùng hóa trị hoặc mức Fermi của bán dẫn riêng)

𝑁𝑑 𝑘𝑇 𝑛
𝐸𝐹 − 𝐸𝐶 = 𝑘𝑇ln 𝐸𝐹 − 𝐸𝑖 = ln
𝑁𝑐 2 𝑝
6
Bán dẫn chứa một loại tạp chất
• Với các bán dẫn thông thường thì trong dải từ 150K-450K, các tạp bị ion hóa hoàn
toàn;
• Ở nhiệt độ phòng – các nguyên tử As bị ion hóa hoàn toàn: n = Nd=1016 cm-3;
• Si ở nhiệt độ phòng (ni=1.45x1010cm-3); Nc=2.8x1019cm-3;
• Nồng độ lỗ trống: p=ni2/n=(1.45x1010)2/1016=2.1x104 cm-3;
• Mức Fermi nằm thấp hơn so với cực tiểu vùng dẫn hoặc nằm trên mức Fermi của
bán dẫn riêng:
𝑘𝑇 𝑛 0.0257𝑒𝑉 1016
𝐸𝐹 − 𝐸𝑖 = ln = ln = 0.345𝑒𝑉
2 𝑝 2 2.1 × 104
𝑁𝑑 1016
𝐸𝐶 − 𝐸𝐹 = −𝑘𝑇ln = −0.0257𝑒𝑉 × ln = −0.204eV
𝑁𝑐 2.8 × 1019
7
Bài 4
Một mặt phẳng cắt 3 trục tọa độ tại 2a, 3a và 4a, trong đó a là hằng số mạng. Tìm chỉ
số Miller của mặt phẳng.

Mặt phẳng cắt 3 trục tại 3 điểm A(2a,0,0), B(0,3a,0),

z C(0,0,4a);
C(0,0,4a) Ta có tập hợp điểm giao: (2a,3a,4a) ➔ Rút gọn: (2,3,4)
Lấy nghịch đảo:
𝟏 𝟏 𝟏
B(0,3a,0) , ,
𝟐 𝟑 𝟒
y Lấy mẫu số chung:
𝟔 𝟒 𝟑
x A(2a,0,0) ⇒ , ,
𝟏𝟐 𝟏𝟐 𝟏𝟐
Rút gọn và thu được chỉ số Miller của mặt phẳng: (643)
8
Bài 5
Kỹ thuật nuôi tinh thể
• Si hay SiO2 có nhiệt độ nóng chảy cao hơn? Tại sao?
• Tại sao phải dùng tinh thể mầm để nuôi tinh thể?
• Tại sao định hướng tinh thể của phiến lại quan trọng?
• Hai thông số nào được sử dụng để điều khiển đường kính thỏi silic?

9
Vật liệu bán dẫn – công nghệ nuôi đơn tinh thể Si

10
Bài 6
Sự phụ thuộc nhiệt độ chiều rộng vùng cấm của Si và GaAs có thể biểu diễn qua b/t:

𝜶𝑻𝟐
𝑬𝒈 𝑻 = 𝑬𝒈 𝟎 − (Varshni’s equation)
𝑻+𝜷

Với Si: Eg (0) = 1,17 eV, α = 4,73 x 10-4 eV/K, và β = 636 K

Với GaAs: các giá trị tương ứng là 1,519 eV, 5,405 x 10-4 eV/K và 204 K.
Hãy tính chiều rộng vùng cấm của Si và GaAs tại 100 K và 600 K.

11
Bề rộng vùng cấm thay đổi theo nhiệt độ
• Thay số vào công thức và tính: 𝐸𝑔 𝑇 = 𝐸𝑔 0 −
𝛼𝑇 2
𝛽+𝑇

4.73×10−4 𝑒𝑉Τ𝐾 × 100𝐾 2

• Với Si ở 100K: 𝐸𝑔−𝑆𝑖 100𝐾 = 1.17𝑒𝑉 −
636𝐾+100𝐾
=1.1636 eV

4.73×10−4 𝑒𝑉Τ𝐾 × 600𝐾 2

• Với Si ở 600K: 𝐸𝑔−𝑆𝑖 600𝐾 = 1.17𝑒𝑉 −
636𝐾+600𝐾
=1.032 eV

𝑒𝑉
5.405 × 10−4 𝐾 × 100𝐾 2
• Với GaAs ở 100K: 𝐸𝑔−𝐺𝑎𝐴𝑠 100K = 1.519 eV − = 1.501 eV
204𝐾 + 100𝐾

𝑒𝑉
5.405 × 10−4 𝐾 × 600𝐾 2
• Với GaAs ở 600K 𝐸𝑔−𝐺𝑎𝐴𝑠 600𝐾 = 1.519 eV − = 1.277 eV
204𝐾 + 600𝐾
12
Bài 7
Ở nhiệt độ phòng (300 K) mật độ trạng thái hiệu dụng trong vùng hóa trị của Si và
GaAs tương ứng là 2,66 x 1019 cm-3 và 7 x 1018 cm-3. Hãy tính các khối lượng hiệu
dụng tương ứng của lỗ trống. So sánh với khối lượng của electron tự do.

- Mật độ trạng thái hiệu dụng trong vùng hóa trị Nv là hàm liên quan đến khối lượng
hiệu dụng trong vùng hóa trị;
- Khối lượng hiệu dụng của điện tử trong vùng hóa trị:
- Khối lượng của electron tự do: 9,1x10-31kg;

13
Khối lượng hiệu dụng vùng hóa trị Nv
∗ 3Τ2 2Τ3
2𝜋𝑚𝑝𝑑 𝑘𝑇 ℎ2 𝑁𝑣
• Công thức liên hệ: 𝑁𝑣 = 2 ∗
⇒ 𝑚𝑝𝑑 =
ℎ2 2𝜋𝑘𝑇 2

• Ở nhiệt độ phòng (300K), Si có Nv=2.66x1019cm-3=2.66x1025m-3;

2Τ3
∗ 6.626 × 10−34 𝑚2 𝑘 𝑔Τ𝑠 2 2.66 × 1025 𝑚−3
𝑚𝑝𝑑−𝑆𝑖 = =
2𝜋 × 1.38 × 10−23 (𝑚2 𝑘 𝑔Τ𝑠 2 𝐾) × 300 𝐾 2

• Ở nhiệt độ phòng, GaAs có Nv=7x1018cm-3=7x1024m-3;

2Τ3
∗ 6.626 × 10−34 𝑚2 𝑘 𝑔Τ𝑠 2 7 × 1024 𝑚−3
𝑚𝑝𝑑−𝐺𝑎𝐴𝑠 = =
2𝜋 × 1.38 × 10−23 (𝑚2 𝑘 𝑔Τ𝑠 2 𝐾) × 300 𝐾 2
14
Bài 8
Nhiệt độ thuần của một bán dẫn là nhiệt độ tại đó nồng độ hạt dẫn thuần bằng nồng
độ tạp chất. Hãy tính nhiệt độ thuần của mẫu Si pha tạp phốt pho với 1015 nguyên
tử/cm3.

- Công thức tính nồng độ hạt dẫn thuần theo nhiệt độ

- Phốt pho (P) nhóm 5, pha tạp loại n. Nồng độ tạp chất 1015 nguyên tử/cm3
- Tính nhiệt độ thuần để ni=n=ND;

15
 Nhiệt độ thuần
• Ta có các công thức
𝛼𝑇 2
𝑛𝑖 = 𝑛 𝑁𝑐 = 6.2 × 1015 × 𝑇 3Τ2 𝛥𝐸𝑔 = 𝛥𝐸0 −
𝛥𝐸𝑔
𝛽+𝑇
− 𝑁𝑣 = 3.5 × 1015 × 𝑇 3Τ2 4.73 × 10−4 × 𝑇 2
𝑛𝑖 = 𝑁𝑐 𝑁𝑣 𝑒 2𝑘𝑇 = 1.17 − × 1.6 × 10−19 𝐽
636 + 𝑇
k=1.38x10-23J/K;
𝛥𝐸𝑔
− 2𝑘𝑇
⇒ 𝑛𝑖 = 4.66 × 1015 × 𝑇 3Τ2 × 𝑒 = 1.0 × 1015
𝛥𝐸𝑔
3Τ2 − 2𝑘𝑇
⇒ f(T) = 4.66 × 𝑇 ×𝑒 − 1.0=0

http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/bandstr.html#Temperature
16
Phương pháp đồ thị
• Vẽ đồ thị đề giải phương trình 350

f (T)
f(T)=0; 300

250

• Giải bằng phương pháp đồ thị 200

suy ra nhiệt độ cỡ 570K;

f (T)
150

100

50

-50
500 600 700 800 900
Temperature (K)

17
Tra bảng
• Theo đồ thị (Sách giáo trình)
➔Tra bảng, đồ thị (hình 2.5)
➔Nhiệt độ ~ 600K

Shur, M., Physics of Semiconductor

Devices, Prentice Hall, 1990.
http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html 18
Bài 9
Mẫu Si ở 300 K có nồng độ tạp acceptor NA = 1016 cm-3. Hãy tìm nồng độ tạp donor
cần đưa vào để Si trở thành loại n có mức năng lượng Fermi nằm dưới EC là 0,2 eV.

- EC-EF=0,2 eV, bán dẫn pha tạp loại n

- Công thức tính mức Fermi theo nồng độ pha tạp
- N’D suy ra từ công thức tính mức Fermi
- ND=N’D+NA;
- 300K➔ kT=0.0257eV, NC=2.8x1019cm-3;

19
Bán dẫn chứa 2 loại tạp chất – bù một phần
• Ta có: N’D=ND-NA ;
𝑁𝐶 𝑁𝐶
• EC-EF=0.2eV mà: 𝐸𝐶 − 𝐸𝐹 = 𝑘𝑇ln = 𝑘𝑇ln
𝑛 𝑁𝐷′

𝐸𝐶 − 𝐸𝐹 0.2𝑒𝑉
• Suy ra: 𝑁𝐷′ = 𝑁𝐶 × exp −
𝑘𝑇
19 −3
= 2.8 × 10 𝑐𝑚 × exp −
0.0257𝑒𝑉

• Suy ra: ND=N’D+NA=1.17x1016+1.0x1016=2.17x1016cm-3;

20
Bài 10
Tìm nồng độ điện tử và nồng độ lỗ trống và mức Fermi trong Si ở 300 K cho 2 trường
hợp:
a. Pha tạp 1 x 1015 nguyên tử Bo/cm3
b. Pha tạp 3 x 1016 nguyên tử Bo/cm3 và 2,9 x 1016 nguyên tử As/cm3.

- Ở 300K nồng độ hạt tải bằng nồng độ pha tạp;

- 300K, Si có: ni=1.45x1010cm-3; NC= 2.8x1019cm-3; NV= 1.04x1019cm-3;
- Bo là nhóm 3, loại p
- As là nhóm 5, loại n
- Nồng độ pha tạp hiệu dụng;
21
a. Bán dẫn 1 loại tạp – pha tạp p
• Nhiệt độ 300K – nhiệt độ ion hóa hoàn toàn;
• p=NA=NBo=1.0x1015cm-3;
• n=ni2/p=2.1x105cm-3;
• Mức Fermi với bán dẫn pha tạp loại p:

𝑝
𝐸𝑖 − 𝐸𝐹 = 𝑘𝑇ln
𝑛𝑖

22
b. Bán dẫn pha tạp 2 loại tạp chất
• NA =NBo= 3.0x1016cm-3 loại p;
• ND =NAs= 2.9x1016cm-3 loại n;
• NA > ND ➔ N’A= NA- ND =1.0x1015cm-3>ni;
• Phần còn lại tương tự câu a;

𝑝
𝐸𝑖 − 𝐸𝐹 = 𝑘𝑇ln
𝑛𝑖

23
Bài kiểm tra chương I
Trong bán dẫn Si thuần rất khó loại bỏ tạp Bo. Giả sử nồng độ tạp Bo trong một mẫu
bán dẫn là 1015cm-3. Để thu được bán dẫn pha tạp loại p có mức Fermi nằm trên cực
đại vùng hóa trị 0.25eV ở nhiệt độ 300K thì cần pha tạp thêm nguyên tố nhóm nào,
nồng độ bao nhiêu?

24
BÀI TẬP CHƯƠNG II
VẬT LÝ VÀ LINH KIỆN BÁN DẪN
20171
NGUYỄN CÔNG TÚ
25
Bài 1
Tìm điện trở suất của Si và GaAs thuần ở 300 K.

- Bán dẫn thuần, ở 300K ta có: ni(Si)=1.45x1010cm-3; ni(GaAs)=1.79x106cm-3;

- n=p=ni;
1 1
- Điện trở suất tính theo nồng độ hạt tải: 𝜌= =
𝜎 𝑞 𝑛 × 𝜇𝑛 + 𝑝 × 𝜇𝑝
- Độ linh động hạt tải:

𝑞𝜏
𝜇= ∗
𝑚
26
Điện trở suất
• Điện trở suất ~ 1/Độ dẫn;
• Độ dẫn là hàm phụ thuộc vào độ linh động của hạt tải và nồng độ hạt tải;
1 1
𝜌= =
𝜎 𝑞 𝑛 × 𝜇𝑛 + 𝑝 × 𝜇𝑝

𝑞𝜏
• Độ linh động của hạt tải phụ thuộc vào khối lượng hiệu dụng: 𝜇 = 𝑚∗
• Ở 300K, bán dẫn thuần có n=p=ni;
1
𝜌=
𝑞𝑛𝑖 𝜇𝑛 + 𝜇𝑝

27
Si ở 300K
• ni(Si) = 1.45x1010cm-3=1.45x1016m-3;
• 𝜇𝑝 = 450 cm2 V−1s−1; 𝜇𝑛 = 1400 cm2 V-1s-1;
• Thay vào công thức ta suy ra được điện trở
suất của Si ở 300K:

1
𝜌=
1.6 × 10−19 × 1.45 × 1010 1400 + 450

→ 𝜌 = 2.33 × 105 Ω𝑐𝑚

http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/electric.html
28
GaAs ở 300K
• ni(Si) = 1.79x106cm-3;
• 𝜇𝑝 = 400 cm2 V−1s−1; 𝜇𝑛 = 8500 cm2 V-1s-1;
• Thay vào công thức ta suy ra được điện trở
suất của GaAs ở 300K:
1
𝜌=
1.6 × 10−19 × 1.79 × 106 8500 + 400

→ 𝜌 = 3.92 × 108 Ω𝑐𝑚

http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/electric.html#Basic
29
Bài 2
Giả thiết độ linh động của điện tử trong Si ở 300 K là μn = 1300 cm2/V.s. Cũng giả
thiết độ linh động chỉ giới hạn chủ yếu bởi tán xạ trên nút mạng. Tìm độ linh động
điện tử ở (a) T = 200 K và (b) T = 400 K.

- Độ linh động của điện tử là hàm của nhiệt độ;

- Tán xạ trên nút mạng ➔ 𝜇 𝑇 ~𝑇 −3Τ2

30
Độ linh động của điện tử theo nhiệt độ
• Độ linh động của điện tử là hàm phụ thuộc vào nhiệt độ; Tán xạ trên nút mạng là
chủ yêu nên ta có: 𝜇 𝑇 ~𝑇 −3Τ2
• Ta có:
−3Τ2
𝜇 𝑇1 𝑇1
=
𝜇 𝑇2 𝑇2
• Suy ra: −3Τ2
𝑇2
𝜇 𝑇2 = 𝜇 300𝐾
300𝐾
200𝐾 −3/2
• Vậy ở 200K ta có: 𝜇 200𝐾 = 300𝐾
𝜇 300𝐾 = 2388 cm2/V.s

400𝐾 −3/2
• Ở 400K ta có: 𝜇 400𝐾 = 300𝐾
𝜇 300𝐾 = 844 cm2/V.s
• Vậy ở 200K và 400K độ linh động của điện tử tương ứng là: 2388 và 844 cm2/V.s
31
Bài 3
Hai cơ chế tán xạ tồn tại trong bán dẫn. Nếu chỉ có cơ chế thứ nhất, độ linh động sẽ
là 250 cm2/V.s. Nếu chỉ tồn tại cơ chế thứ hai, độ linh động sẽ là 500 cm2/V.s. Tìm độ
linh động khi cả hai cơ chế đều có mặt.

- Xác suất xảy ra va chạm bằng xác suất tổng cộng;

- Ảnh hưởng của các cơ chế giống như mạch điện mắc song song;
1 1 1
= +
𝜇 𝜇1 𝜇2

32
Độ linh động tổng cộng
• Xác suất xảy ra va chạm bằng xác suất tổng cộng do hai cơ chế gây ra. Xác suất tỉ lệ
nghịch với thời gian chuyển động tự do trung bình:
1 1 1
= +
τ τ1 τ2
• Ta có: μ=qτ/m*
• Suy ra: 1 1 1
= +
𝜇 𝜇1 𝜇2
• Thay vào ta có độ linh động tổng cộng:
1 1 𝑐𝑚2
𝜇= 1 1 = 1 1 =166.7
+ + 𝑉.𝑠
𝜇1 𝜇2 250 500

33
Bài 4
Tìm nồng độ điện tử và lỗ trống, độ linh động, điện trở suất của các mẫu Si ở 300 K
với mỗi nồng độ pha tạp sau:
a) 5 x 1015 ng. tử Bo/cm3;
b) 2 x 1016 ng. tử B/cm3 và 1,5 x 1016 ng. tử As/cm3;
c) 5 x 1015 ng. tử B/cm3, 1017 ng. tử As/cm3 và 1017 ng. tử Ga/cm3.

- Pha tạp B, Ga – loại p; Pha tạp As - loại n;

- Bài toán pha tạp 1 loại và 2 loại hạt tải;
- 300K, nhiệt độ ion hóa;
- Si có ni=1.45x1010cm-3;
34
a. Một loại hạt tải
• 300K, nhiệt độ ion hóa nên ta có nồng độ
lỗ trống: p=NA=NBo=5x1015cm-3;
• Suy ra nồng độ điện tử:
n=(ni)2/p=4.2x104cm-3;
• Ứng với độ pha tạp 5x1015cm-3 thì độ linh
động hạt tải tương ứng là (tra đồ thị):
𝜇n~1500 cm2/V.s; 𝜇p~480 cm2/V.s
• Pha tạp loại p nên độ linh động, điện trở
suất được quyết định bởi lỗ trống.
• σ=qp 𝜇p=0.384(S/cm)=0.384 (Ω-1cm-1);
Mobilities and diffusivities in Si and GaAs at 300 K as a function
• Điện trở suất ρ=1/σ=2.6 (Ωcm); of impurity concentration.

35
b. Hai loại hạt tải
• Hai loại hạt tải: Aceptor NA=NBo= 2x1016cm-3; Donor
ND=NAs= 1.5x1016cm-3;
• NA>ND nên bán dẫn bù trừ loại p;
• 300K, nhiệt độ ion hóa nên ta có nồng độ lỗ trống:
p=NA-ND=5x1015cm-3;
• Suy ra nồng độ điện tử: n=(ni)2/p=4.2x104cm-3;
• Ứng với độ pha tạp tổng cộng (NA+ND)= 3.5x1016cm-3
thì độ linh động hạt tải tương ứng là (tra đồ thị):
𝜇 n~1000 cm2/V.s; 𝜇 p~300 cm2/V.s
• Pha tạp loại p nên độ linh động, điện trở suất được
quyết định bởi lỗ trống.
• σ=qp 𝜇 p=0.24(S/cm)=0.24 (Ω-1cm-1); Mobilities and diffusivities in Si and GaAs at 300 K as a function
• Điện trở suất ρ=1/σ=4.17 (Ωcm); of impurity concentration.

36
c. Ba loại hạt tải
• Hai loại hạt tải: Aceptor thứ nhất NA1=NBo= 5x1015cm-
3; Aceptor thứ 2 NA2=NGa= 1017cm-3; Donor ND=NAs=
1017cm-3;
• NA=NA1+ NA2 >ND nên bán dẫn bù trừ loại p;
• 300K, nhiệt độ ion hóa nên ta có nồng độ lỗ trống: p=
NA1+ NA2 -ND=5x1015cm-3;
• Suy ra nồng độ điện tử: n=(ni)2/p=4.2x104cm-3;
• Ứng với độ pha tạp tổng cộng (NA+ND)= 2.05x1017cm-3
thì độ linh động hạt tải tương ứng là (tra đồ thị):
𝜇 n~500 cm2/V.s; 𝜇 p~150 cm2/V.s
• Pha tạp loại p nên độ linh động, điện trở suất được
quyết định bởi lỗ trống.
• σ=qp 𝜇 p=0.12(S/cm)=0.12 (Ω-1cm-1); Mobilities and diffusivities in Si and GaAs at 300 K as a function
of impurity concentration.
• Điện trở suất ρ=1/σ=8.33 (Ωcm); 37
Bài 5
Xét Si loại n bù trừ tại T = 300 K với độ dẫn σ = 16 (Ω.cm)-1 và nồng độ tạp acceptor là
1017 cm-3. Hãy xác định nồng độ donor và độ linh động điện tử. (bán dẫn bù trừ là
đồng thời pha tạp cả donor và acceptor).

- Bán dẫn loại n, tạp donor chiếm đa số;

- Tạp acceptor là NA=1017cm-3;
- Bán dẫn pha tạp bù trừ loại n: ND’=ND-NA;
- Công thức liên hệ độ dẫn với nồng độ hạt tải chính (n): σ=qnμn;
- 300K n=ND;

38
Pha tạp hai loại hạt tải
• Pha tạp loại loại n, nên n>>p và ta có: μ= μn+ μp~ μn;
• Ta có: σ=qnμn;
• Pha tạp 2 loại hạt tải: ND’= ND-NA;
• Ở 300K, vùng nhiệt độ ion hóa: n=ND’;
• Ta có tổng độ pha tạp trong Si là: Ntạp=ND+NA>2NA=2x1017cm-3;

39
Pha tạp hai loại hạt tải
• Ntạp=ND+NA>2NA=2x1017cm-3;
• Với nồng độ pha tạp này thì tra đồ thị thì ta
thấy μn nằm trong khoảng 400-600 cm2/V.s;
• Ta có: nμn=(ND-NA)μn= σ/q=1020;
• Ta chọn giá trị μn=400 cm2/V.s,
ND=3.5x1017cm-3;
• Nếu μn=500 cm2/V.s, ND=3x1017cm-3;
• Ta có thể chọn 1 trong 2 kết quả này.

40
Bài 6
Mẫu Si không rõ nồng độ pha tạp. Phép đo Hall cung cấp các thông tin sau: W = 0,05
cm, A = 1,6 x 10-3 cm2, I = 2,5 mA, từ trường = 3 T (1 T = 10-4 Wb/cm2), điện áp Hall
đo được là + 10 mV. Tìm hệ số Hall, loại dẫn, nồng độ hạt dẫn cơ bản, điện trở suất
và độ linh động của mẫu.

- Điện áp Hall +10mV, suy ra được loại dẫn;

- Hệ số Hall tính theo công thức;
- Điện trở suất và độ linh động hạt tải;

41
a. Phép đo Hall
• Các hạt tải chính sẽ bị cuốn theo dòng điện.
• Từ trường theo trục z;
• Dưới tác dụng của từ trường, các hạt tải chuyển
động cong;
• Hệ số Hall RH;

𝑉𝐻 × 𝑊 10 × 10−3 𝑉 × 0.05 × 10−2 𝑚 −4

𝑚 3
𝑅𝐻 = = = 6.7 × 10
𝐼×𝐵 2.5 × 10−3 𝐴 × 3𝑇 𝐶

42
b. Loại hạt tải
• Chú ý bố trí thí nghiệm theo qui tắc bàn tay phải
RHS;
• B theo trục z; VH>0;
• Nếu bán dẫn loại n, dòng điện tử ngược chiều
dòng điện (chú ý điện tử mang điện tích âm);
Điện tử sẽ bị kéo lên phía trên dẫn tới mặt trên
là cực âm, sẽ thu được VH<0, trái giả thiết;

43
Nồng độ hạt tải
• Ta có mối liên hệ giữa hệ số Hall và nồng độ hạt tải (loại p):
1
𝑅𝐻 =
𝑞𝑝

• Suy ra nồng độ hạt tải:

1 1
𝑝= = = 9.4 × 1021 𝑚−3 = 9.4 × 1015 𝑐𝑚−3
𝑞𝑅𝐻 1.6×10−19 ×6.67×10−4

44
Độ linh động và điện trở suất
• Độ linh động ứng với p=9.37x1015cm-3 xấp xỉ khoảng
400 cm2/V.s (giả thiết chỉ pha tạp một loại nếu 2 loại
thì tổng nồng độ pha tạp có thể cỡ 2x1016cm-3thì độ
linh động có thể giảm xuống không đáng kể);
• Điện trở suất:

1 1
𝜌= = = 1.67 𝛺. 𝑐𝑚
𝑞𝑝𝜇𝑛 1.6 × 10−19 × 9.37 × 1015 × 400

Mobilities and diffusivities in Si and GaAs at 300 K as a function

of impurity concentration.

45
Bài 7
Mẫu Si thuần được pha tạp donor từ 1 phía sao cho ND = N0 exp (-ax).
a) Tìm biểu thức cho điện trường nội tại ξ(x) trong điều kiện cân bằng và trong vùng
ND >> ni;
b) Tính ξ(x) khi a = 1 μm-1.

- Điện trường sinh ra do sự phân bố không đồng đều của điện tích – hạt tải;
- Coi tương đương đặt một hiệu điện thế;

46
a. Điện trường nội tại
• Ta coi tương đương đặt một hiệu điện thế vào 2 đầu của mẫu Si thuần với điện cực âm ứng với vị
trí ND=N0;
• Ta có dòng khuếch tán ổn định:
𝑑𝑛 𝑑 𝑒 −𝑎𝑥
𝐽𝑛 = 𝑞𝐷𝑛 = 𝑞𝐷𝑛 𝑁0 = −𝑎𝑞𝐷𝑛 𝑁0 𝑒 −𝑎𝑥
𝑑𝑥 𝑑𝑥

• Ta có: 𝐽𝑛 𝑥 = 𝜎𝐸 𝑥
• Suy ra cường độ điện trường nội:
𝐽𝑛 𝑥 −𝑎𝑞𝐷𝑛 𝑁0 𝑒 −𝑎𝑥 −𝑎𝑞𝐷𝑛 𝑁0 𝑒 −𝑎𝑥 𝑎𝐷𝑛
𝐸 𝑥 = = = = −
𝜎 𝑞𝜇𝑛 𝑛 𝑞𝜇𝑛 𝑁0 𝑒 −𝑎𝑥 𝜇𝑛

𝑎𝑘𝑇
𝐸 𝑥 =−
𝑞
47
b. Thay số
• Ta có với Si thuần;
• Ở nhiệt độ phòng;
• a=1 μm-1=106m-1;

𝑎𝐷𝑛 𝑎𝑘𝑇 106 × 0.0257 × 1.6 × 10−19

𝐸 𝑥 =− =− =−
𝜇𝑛 𝑞 1.6 × 10−19

𝐸 𝑥 = 25700 𝑉𝑚−1 = 259 𝑉𝑐𝑚−1

48
Bài 8
Tính nồng độ điện tử và lỗ trống trong Si loại n khi được chiếu sáng ổn định với GL =
1016 cm-3s-1, ND = 1015 cm-3, τn = τp = 10 μs.

- Chiếu sáng sinh ra cả điện tử và lỗ trống;

- Nhiệt độ trong vùng ion hóa;
- Bán dẫn loại n nên viết phương trình cho điện tử
- Tính nồng độ điện tử và lỗ trống khi chiếu sáng ổn định;

49
Chiếu sáng ổn định
• Nồng độ điện tử ban đầu ổn định khi không chiếu sáng n0=ND;
• Khi chiếu sáng ổn định, cả điện tử và lỗ trống đều được sinh ra với tốc độ G;
• Ta có phương trình cân bằng:
Số điện tử sinh ra dư so với ban đầu = số điện tử sinh ra do chiếu sáng – số điện tử tái hợp;
𝑑 𝑛 − 𝑛0 𝑛 − 𝑛0
=𝐺−
𝑑𝑡 𝜏
• Giải phương trình vi phân với điều kiện biên: n(t=0)= n0 ta thu được kết quả:
𝑡
−𝜏
𝑛 = 𝑛0 + 𝐺𝜏 1 − 𝑒
• Chiếu sáng ổn định (t=∞): 𝑛 = 𝑛0 + 𝐺𝜏=1015+1016x10x10-6~1015cm-3;
• Phần điện tử sinh ra do chiếu sáng: Δn=n-n0= 𝐺𝜏 = 1011cm-3;
• Số lỗ trống sinh ra do chiếu sáng: p= Δn = 𝐺𝜏 = 1011cm-3>>p0;

50
Bài 9
Giả thiết mẫu bán dẫn loại n được chiếu sáng đồng đều gây ra tốc độ phát sinh hạt
dẫn dư đồng đều G. Hãy chứng minh rằng, ở chế độ ổn định, sự thay đổi độ dẫn
được cho bởi b/t
Δσ = q(μn + μp)τpG

51
Chiếu sáng ổn định
• Nồng độ điện tử ban đầu ổn định khi không chiếu sáng n0=ND;
• Khi chiếu sáng ổn định, cả điện tử và lỗ trống đều được sinh ra với tốc độ G;
• Ta có phương trình cân bằng:
Số điện tử sinh ra dư so với ban đầu = số điện tử sinh ra do chiếu sáng – số điện tử tái hợp;
𝑑 𝑛 − 𝑛0 𝑛 − 𝑛0
=𝐺−
𝑑𝑡 𝜏
• Giải phương trình vi phân với điều kiện biên: n(t=0)= n0 ta thu được kết quả:
𝑡
−
𝑛 = 𝑛0 + 𝐺𝜏 1 − 𝑒 𝜏

• Chiếu sáng ổn định (t=∞): 𝑛𝑠 = 𝑛0 + 𝐺𝜏;

• Phần điện tử sinh ra do chiếu sáng: Δn=ns -n0= 𝐺𝜏 ;
• Số lỗ trống sinh ra do chiếu sáng: pS= Δn = 𝐺𝜏 >>p0;
52
Chiếu sáng ổn định
• Ở đây thời gian sống quyết định bởi sự tái hợp điện tử lỗ trống, mà mật độ lỗ trống nhỏ
hơn nên thời gian sống của lỗ trống sẽ quyết định 𝜏=𝜏p
• Độ dẫn ban đầu được quyết định bởi điện tử do pha tạp loại n nên ta có: 𝜎0 = 𝑞𝑛0 𝜇𝑛
• Độ dẫn khi chiếu sáng ổn định: 𝜎𝑆 = 𝑞 𝑛𝑆 𝜇𝑛 + 𝑝𝑆 𝜇𝑝 = 𝑞 𝑛0 𝜇𝑛 + 𝐺𝜏𝜇𝑛 + 𝑝𝑆 𝜇𝑝
• Sự thay đổi về độ dẫn:

𝛥𝜎 = 𝜎𝑆 − 𝜎0 = 𝑞 𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 𝐺𝜏𝑝

• Vậy ta đã chứng minh được công thức về sự thay đổi của độ dẫn khi chiếu sáng ổn định;

53
BÀI TẬP CHƯƠNG III
VẬT LÝ VÀ LINH KIỆN BÁN DẪN
20171
NGUYỄN CÔNG TÚ
54
Bài 1
Cho chuyển tiếp đột ngột p-n Si lý tưởng với NA = 1017 cm-3 và ND = 1015 cm-3.
(a) Tính Vbi tại 250, 300, 350, 400, 450 và 500 K và dựng đồ thị Vbi(T).
(b) Nhận xét kết quả trên quan điểm giản đồ năng lượng.
(c) Tính chiều rộng lớp nghèo và điện trường cực đại khi không có điện áp tại 300 K.

- Ảnh hưởng của nhiệt độ

- Điện thế Vbi hay tương ứng với chiều cao rào thế;
- Bề rộng lớp nghèo ở 300K

55
a. Tính hiệu điện thế Vbi
• Hiệu điện thế tiếp xúc ngoài giữa hai phần p và n là:
𝑘𝑇 𝑁𝐴 𝑁𝐷
𝑉𝑏𝑖 = ln
𝑞 𝑛𝑖 2
• Hiệu điện thế tiếp xúc phụ thuộc vào nhiệt độ không chỉ qua sự xuất hiện của T trong công thức mà
còn thể hiện qua ni;
• Dải nhiệt độ khảo sát: 250, 300, 350, 400, 450, 500K là dải nhiệt độ ion hóa của Si;
• Có 2 cách xác định ni (bài tập chương 1), ta có bảng:
Nhiệt độ
250 300 350 400 450 500
(K)
Nồng độ
thuần ni 1.0x108 1.45x1010 2x1011 6x1012 4x1013 2.3x1014
(cm-3)
56
Tra bảng

Shur, M., Physics of Semiconductor

Devices, Prentice Hall, 1990.
http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html 57
a. Tính hiệu điện thế Vbi (tiếp)
• Thay: k=1.38x10-23J/K; 1.0

• ND=1015cm-3; NA= 1017cm-3; HiÖu ®iÖn thÕ2 ®Çu p-n (Vbi)

0.8

HiÖu ®iÖn thÕ2 ®Çu p-n (Vbi) (V)

0.6

0.4

0.2

0.0

200 250 300 350 400 450 500 550

NhiÖt ®é (K)

58
b. Nhận xét
• Nhận xét: Khi tăng nhiệt độ, Vbi giảm
tương ứng với chiều cao rào thế giảm;
• Khi tăng nhiệt độ, mức Fermi dịch chuyển
dần ra giữa vùng cấm; Ảnh hưởng của tạp
chất giảm;

59
c. Chiều rộng lớp nghèo và điện trường cực đại
• Chiều rộng lớp nghèo W được tính theo công thức:

2𝜀𝑆 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷
𝑊= 𝑉
𝑞 𝑁𝐴 × 𝑁𝐷 𝑏𝑖
• Ở 300K, Vbi=0.7V (câu a);
• 𝜀𝑆 =𝜀𝜀0 ; Với Si có 𝜀 bằng 12
• Thay giá trị vào suy ra: Chiều rộng lớp nghèo là:

2 × 12 × 8.86 × 10−12 1017+6 + 1015+6

𝑊= × 0.7 = 0.969𝜇𝑚
1.6 × 10−19 1017+6 × 1015+6

60
c. Chiều rộng lớp nghèo và điện trường cực đại
• Điện trường cực đại được tính theo công thức:
𝑞𝑁𝐷 𝑥𝑛 𝑞𝑁𝐴 𝑥𝑝
𝐸𝑚 = =
𝜀𝑆 𝜀𝑆
• Ta có: W=xp+xn và 𝑁𝐷 𝑥𝑛 = 𝑁𝐴 𝑥𝑝 ➔ 𝑥𝑛 =100 𝑥𝑝 ➔ 𝑥𝑛 =0.959μm;
𝑥𝑝 =0.010μm;
• Thay giá trị vào suy ra điện trường cực đại trong vùng nghèo là:

1.6×10−19 ×1015+6 ×0.959×10−6

𝐸𝑚 = = 1.44 × 106 V/m
12×8.86×10−12

61
Bài 2
Xác định nồng độ tạp n để thỏa mãn các đặc trưng sau đây của chuyển tiếp p-n Si:
NA = 1018 cm-3, ξmax = 4 x 105 V/cm tại VR = 30 V, T = 300 K.

62
Thiết kế chuyển tiếp p-n
- Ở 300K, p=NA=1018cm-3 pha tạp cực lớn, coi như chuyển tiếp đột ngột;
- VR điện thế đảo (Reverse) |VR=-30V|>>Vbi;
2(𝑉𝑏𝑖 − 𝑉𝑅 ) 2|𝑉𝑅 |
- Ta có công thức về cường độ điện trường lớn nhất: 𝐸𝑚 = ~
𝑊 𝑊
- Suy ra:
2𝑉𝑅 2 × 30𝑉 −4 𝑐𝑚 = 1.50𝜇𝑚
𝑊= = = 1.5 × 10
𝐸𝑚 4 × 105 𝑉𝑐𝑚−1

- Ta lại có:
𝐸𝑚 𝜀𝑆 4 × 107 × 12 × 8.86 × 10−12
𝑁𝐷 = = −19 −6
= 1.77 × 1018 𝑚−3
𝑞𝑊 1.6 × 10 × 1.5 × 10

𝑁𝐷 = 1.77 × 1018 𝑚−3 = 1.77 × 1012 𝑐𝑚−3

63
Bài 3
Cho chuyển tiếp đột ngột p+-n với NA = 1019 cm-3 và ND = 1015 cm-3. Hãy tính và vẽ đồ
thị 1/C2 phụ thuộc V, với V thay đổi từ -4 V đến 0 V.

64
Chuyển tiếp đột ngột
1 2 𝑉𝑏𝑖 − 𝑉
• Chuyển tiếp đột ngột ta có công thức: =
𝐶𝑗 2 𝑞𝜀𝑆 𝑁𝐵 1E9

1/C2

• Trong đó ta có: 𝑉𝑏𝑖 hiệu điện thế chuyển tiếp (built

1/C2 (F )
in); NB nồng độ pha tạp nhẹ, ở đây NB=ND;

-2
1E8

• Xét ở nhiệt độ phòng 300K, bán dẫn Si:

𝑘𝑇 𝑁𝐴 𝑁𝐷
𝑉𝑏𝑖 = ln 2 =0.81V 1E7
𝑞 𝑛𝑖 -4 -3 -2 -1 0
Voltage (V)

• 𝜀𝑆 =12x8.86x10-12;
1
• Rút gọn ta có phương trình: 𝐶𝑗2
= 1.175 × 108 × 0.81 − 𝑉 (F-2/cm4)

• Vẽ đồ thị:
65
Bài 4
Cho chuyển tiếp nồng độ thay đổi tuyến tính với gradient nồng độ 1020 cm-4. Tính thế
nội tại Vbi và điện dung chuyển tiếp dưới phân cực ngược 4 V (T = 300 K). Chiều rộng
vùng nghèo W=0,5 μm

66
Chuyển tiếp thay đổi nồng độ tuyến tính
• Chuyển tiếp thay đổi nồng độ tuyến tính với gradient hạt tải a=1024cm-4=1032m-4;
• Điện thế nội tại Vbi:
𝑞𝑎𝑊 3 2𝑘𝑇 𝑎𝑊
𝑉𝑏𝑖 = = ln = 1.09V
12𝜀𝑆 𝑞 2𝑛𝑖

• Điện dung của chuyển tiếp khi có điện áp đặt vào:

1Τ3 2 1Τ3
𝑞𝑎𝜀𝑆2 −1.6 × 10−19 × 1032 × 12 × 8.86 × 10−12
𝐶𝑗 = =
12 𝑉𝑏𝑖 − 𝑉 12 1.09 − −4

𝐶𝑗 = 1.436 × 10−3 (F/m2)= 1.436 × 10−7 (F/cm2)

67
Bài 5
Xét chuyển tiếp p-n Si với nồng độ pha tạp n là 1016 cm-3 và được phân cực thuận V =
0,8 V tại 300 K. Tính nồng độ hạt dẫn không cơ bản lỗ trống tại mép vùng điện tích
không gian.

Các vấn đề:

- Nồng độ hạt dẫn cơ bản
- Nồng độ hạt dẫn không cơ bản

𝑒 𝑉𝑏𝑖 −𝑉 𝑒 𝑉𝑏𝑖 −𝑉
− −
𝑝𝑛 = 𝑝𝑝 𝑒 𝑘𝑇 𝑛𝑝 = 𝑛𝑛 𝑒 𝑘𝑇

68
Hạt tải không cơ bản
• ND=1016cm-3 là mức phun có thể coi là thấp, ta sử dụng các phương trình lí tưởng;
• Tại x=xn (phương trình lý tưởng)
𝑞𝑉 𝑛𝑖2 𝑞𝑉
𝑝𝑛 − 𝑝𝑝𝑜 = 𝑝𝑛𝑜 𝑒 𝑘𝑇 −1 = 𝑒 𝑘𝑇 − 1
𝑛𝑛𝑜
• Ở 300K, ta lấy ni=1010cm-3; kT=0.0257eV; nno=1016cm-3;
• Thay số vào ta tính được: 𝑝𝑛 ~𝑝𝑛 − 𝑝𝑝𝑜 = 3.3 × 1017 cm-3; (Đang giả thiết mức phun thấp nên ppo
cùng bậc với nno=1016 nên nhỏ hơn nhiều so với pn)

69
Bài 6
Chuyển tiếp p-n Si lý tưởng có ND = 1015 cm-3 và NA = 1016 cm-3, τn = τp = 10-6 s, và diện
tích linh kiện là 1,2 x 10-5 cm2.
a) Tính dòng bão hòa lý thuyết tại 300 K.
b) Tính dòng thuận và dòng ngược tại ±0,7 V.

70
a. Dòng bão hòa
• Mật độ dòng bão hòa lý thuyết:
𝐷𝑝 𝑝𝑛0 𝐷𝑛 𝑛𝑝0 2 1 𝐷𝑝 1 𝐷𝑛
𝐽𝑆 = 𝑞 + = 𝑞𝑛𝑖 +
𝐿𝑝 𝐿𝑛 𝑛𝑛𝑜 𝜏𝑝 𝑝𝑝𝑜 𝜏𝑛

• Cường độ dòng bão hòa lý thuyết: IS=JSxA

1 𝐷𝑝 1 𝐷𝑛
𝐼𝑆 = 𝐴𝑞𝑛𝑖2 +
𝑛𝑛𝑜 𝜏𝑝 𝑝𝑝𝑜 𝜏𝑛

• Ở 300K, 𝑛𝑛𝑜 =ND=1015cm-3; 𝑝𝑝𝑜 =NA=1016cm-3;

𝑛𝑖 =1.45x1010cm-3;
• Tra đồ thị tương ứng: Dp=10 cm2/s; Dn=50 cm2/s;
• Thay số vào ta có: IS=1.56x10-15A;

71
b. Dòng thuận và dòng nghịch
𝑒𝑉
• Khi đặt điện áp vào, dòng điện tính theo công thức: 𝐼= 𝐼𝑆 𝑒 𝑘𝑇 −1

𝑒𝑉𝐹
• Dòng thuận: 𝐼𝐹 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑘𝑇 − 1 =1.05 mA

• Dòng nghịch: 𝐼𝑅 = 𝐼𝑆 𝑒
𝑒𝑉𝑅
𝑘𝑇 − 1 =-1.46x10-15A;

72
BÀI TẬP CHƯƠNG IV
VẬT LÝ VÀ LINH KIỆN BÁN DẪN
20171
NGUYỄN CÔNG TÚ
73
4.1. Hiệu ứng transistor – Khuếch đại dòng

Dòng h và Dòng e
luồng h
Luồng e

Các thành phần dòng khác nhau trong transistor p-n-p trong chế độ hoạt động.
Luồng e ngược chiều dòng e.
74
 4.1 Khuếch đại dòng

• Hệ số khuếch đại dòng Base chung

• Hiệu suất Emitter

• Hệ số vận chuyển Base

• Dòng Collector ICB0: dòng rò giữa C và B

khi chuyển tiếp E-B hở

75
4.2 Đặc trưng tĩnh của transistor lưỡng cực – các dòng
Dòng Emitter

Dòng Collector

Dòng Base

Dòng trong hệ 3 cực chủ yếu xác định bởi phân bố các hạt dẫn không cơ bản trong Base.
Có thể tính được hệ số khuếch đại dòng sơ đồ B chung α0
4.2 Đặc trưng I-V Emitter chung

Hệ số khuếch đại dòng E chung

Dòng rò C-E:

(a) Sơ đồ E chung của transistor p-n-p. α0 - hệ số khuếch đại dòng B chung

(b) Đặc trưng I-V đầu ra.
Bài 1
Transistor n-p-n có hệ số vận chuyển Base αT là 0,998, hiệu suất Emitter là 0,997 và
ICp là 10 nA.
• Tính α0 và β0
• Nếu IB = 0, dòng Emitter là bao nhiêu?

• Transistor n-p-n
• Ta có mối liên hệ giữa α0 và αT :
• Ta biết giá trị của ICp;

78
Bài 1.a
𝑰𝑬𝒏 𝑰𝑬𝒏
• Hiệu suất Emitter với transistor n-p-n: 𝜸=
𝑰𝑬
=
𝑰𝑬𝒏 + 𝑰𝑬𝒑

𝑰𝑪𝒏
• Hệ số vận chuyển Base: 𝜶𝑻 =
𝑰𝑬𝒏

𝜶𝟎
• Hệ số khuếch đại dòng Base chung: 𝜶𝟎 = 𝜸 × 𝜶𝑻 𝜷𝟎 =
𝟏 − 𝜶𝟎

79
Bài 1.b
• Dòng qua Base bằng 0: 𝜶 =𝟏
𝑰𝑩 = 𝟎 ⇒ 𝑰𝑬 = 𝑰 𝑪 ⇒ ቊ 𝑻
𝜶𝟎 = 𝜸

• Dòng qua Collector: 𝑰𝑪 = 𝜶𝟎 𝑰𝑬 + 𝑰𝑪𝑩𝑶 = 𝜸𝑰𝑪 + 𝑰𝑪𝒑

𝟏
• Dòng Emitter: 𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 = 𝑰
𝟏 − 𝜸 𝑪𝒑

80
Bài 2
Cho transistor lý tưởng có hiệu suất Emitter là 0,999 và dòng rò C-B là 10 μA, tính
dòng E do lỗ trông gây ra trong vùng hoạt động nếu IB = 0.

- Transistor p-n-p
- Hiệu suất Emitter: ϒ
- Dòng dò ICB0;
- Dòng E do lỗ trống gây ra (IEp) khi IB=0;

81
Bài 2
𝑰𝑬𝒑 𝑰𝑬𝒑 = 𝟎. 𝟗𝟗𝟗 × 𝑰𝑬
𝜸=
𝑰𝑬𝒑 + 𝑰𝑬𝒏
= 𝟎. 𝟗𝟗𝟗 ⇒ቊ
𝑰𝑬𝒏 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟏 × 𝑰𝑬

𝜶 =𝟏 𝑰𝑪𝑩𝟎
𝑰𝑩 = 𝟎 ⇒ 𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 ⇒ ቊ 𝑻 ⇒ 𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 =
𝜶𝟎 = 𝜸 𝟏−𝜸

𝜸
⇒ 𝑰𝑬𝒑 = 𝜸 × 𝑰𝑬 = 𝑰
𝟏 − 𝜸 𝑪𝑩𝟎

82
Bài 3
Transistor p-n-p Si có nồng độ tạp chất trong các vùng E, B và C tương ứng là 5 x 1018,
2 x 1017 và 1016 cm-3. Chiều dày B là 1 μm, diện tích tiết diện của linh kiện là 0,2 mm2.
Khi chuyển tiếp E-B phân cực thuận với 0,5 V và B-C phân cực ngước với 5 V, hãy tính
a) Chiều dày vùng B trung hòa
b) Nồng độ hạt dẫn không cơ bản trên chuyển tiếp E-B.

83
Bài 3.a
• E-B phân cực thuận 0.5V nên lỗ 𝟏ൗ
𝟐𝜺𝜺𝟎 𝑵𝑬 𝑽𝒃𝒊 − 𝑽𝑬𝑩 𝟐
trống sẽ khuếch tán sang E tạo ra lớp 𝑾𝑩 =
tích điện có bề dày WpB, B-C phân 𝒒𝑵𝑩 𝑵𝑩 + 𝑵𝑬
cực ngược với hiệu điện thế 5V nên
gần như không có lỗ trống nào
khuếch tán từ C sang B. Chiều dày 𝒌𝑻 𝑵𝑨 𝑵𝑫
𝑽𝒃𝒊 = 𝐥𝐧
vùng trung hòa B chính là phần còn 𝒒 𝒏𝒊 𝟐
lại:
• Wtrung hòa=WB-WpB;

84
Bài 3.b
• Nồng độ hạt dẫn không cơ bản trên chuyển tiếp E-B:
• Ta có công thức:

𝒏𝟐𝒊
• Trong đó: pn0 là nồng độ lỗ trống cân bằng trong B: 𝒑𝒏𝟎 =
𝒏𝑩

• W là bề dày lớp điện tích không gian

85
 𝑘𝑇 𝑁𝐴 𝑁𝐷 2𝜀𝑆 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷
𝑉𝑏𝑖 = ln 𝑊= 𝑉
𝑞 𝑛𝑖 2 𝑞 𝑁𝐴 × 𝑁𝐷 𝑏𝑖

𝑁𝐴
𝑁𝐷 𝑊𝑛 = 𝑁𝐴 𝑊𝑝 𝑊𝐵 = 𝑊𝑛 =
𝑁𝐴 + 𝑁𝐷
𝑊

86
Bài 4
Cũng với transistor như bài tập trên, hệ số khuếch tán hạt dẫn không cơ bản trong E, B
và C lần lượt là 52, 40 và 115 cm2/s, và thời gian sống tương ứng là 10-8, 10-7 và 10-6 s.
Tính các dòng thành phần IEp, ICp, IEn, ICn và IBB.

87
Bài 5
Sử dụng các kết quả nhận được từ 2 bài tập 3 và 4, hãy
a. Tính các dòng IE, IC và IB
b. Tính hiệu suất Emitter, hệ số vận chuyển Base, khuếch đại dòng B chung, khuếc
đại dòng E chung
c. Làm gì để cải thiện hiệu suất E và hệ số vận chuyển B?

88
BÀI TẬP CHƯƠNG V
VẬT LÝ VÀ LINH KIỆN BÁN DẪN
20171
NGUYỄN CÔNG TÚ
89
5.1 Diode MOS
Diode MOS lý tưởng:
a. Khi không có điện áp, không có sự khác biệt về công thoát giữa
kim loại và bán dẫn: hiệu công thoát = 0, các dải năng lượng
phẳng (flat band)

b. Dưới bất kỳ điều kiện phân cực nào cũng chỉ có điện tích trong
bán dẫn và điện tích bằng về độ lớn nhưng trái dấu trên điện cực
kim loại ngay sát bề mặt oxide
c. Không có dòng qua lớp oxide khi đặt điện áp 1 chiều, hay điện
trở của lớp oxide vô cùng lớn.
90
5.1 Diode MOS lý tưởng

Vùng nghèo bề mặt

Ψ (Thế tĩnh điện) = 0 trong

khối

Ψs (Thế bề mặt) = Ψ trên bề

mặt bán dẫn

Nồng độ h phụ thuộc năng

lượng

Giản đồ năng lượng trên bề mặt bán dẫn loại p

91
5.1. Diode MOS lý tưởng

Nồng độ điện tử

Nồng độ lỗ trống

Ψ dương khi dải năng

lượng uốn cong xuống

Nồng độ e và h trên bề mặt

92
5.1. Diode MOS lý tưởng
Khi bề mặt bán dẫn nghèo đến bề rông W, mật độ điện tích trong bán dẫn được cho bởi:
ρs = - qNA
Thế tĩnh điện trong vùng nghèo bề mặt:

Thế tĩnh điện tương tự như trường hợp chuyển tiếp n+-p một phía
Bề mặt đảo khi Ψs > ΨB
ns (nồng độ e trên bề mặt) = nA (nồng độ tạp trong đế)

Bề dày cực đại của

vùng nghèo bề mặt:

93
5.1. Diode MOS lý tưởng
Mật độ điện tích trong vùng nghèo bề mặt:

Và bề rộng cực đại vùng nghèo bề mặt:

94
5.1 Diode MOS

Các đại lượng quan trọng:

(a) Công thoát qΦ: chênh lệch năng lượng giữa mức Fermi và mức
chân không

(b) Ái lực điện tử : chênh lệch năng lượng giữa đáy vùng dẫn và
mức chân không

(c) qΨB: khoảng cách giữa mức Fermi EF và mức Fermi thuần Ei

95
5.1 Diode MOS lý tưởng
C điện dung tổng của diode MOS
Co điện dung lớp oxide
Cj điện dung lớp nghèo
W chiều dày lớp nghèo
εo hằng số điện môi chân không
εox hàng số điện môi của oxide

(a) Đặc trưng C-V cao

tần của diode MOS.
(b) Ảnh hưởng của tần
số.

96
5.1 Diode MOS lý tưởng
Điện áp ngưỡng VT

Điện dung tổng nhỏ nhất Cmin

𝒑
𝒒𝜳𝑩 = 𝑬𝒊 − 𝑬𝑭 = 𝒌𝑻𝐥𝐧
𝒏𝒊

97
Bài 1
Vẽ giản đồ năng lượng của một diode MOS lý tưởng trên đế loại n tại VG = VT.

VT là điện áp ngưỡng – bắt đầu đạt trạng thái đảo;

Điện thế ngưỡng trong đặc trưng C-V cao tần của diode;
Đế loại n

98
Bài 2
Vẽ giản đồ năng lượng của diode MOS với cực cổng là Si đa tinh thể loại n+, đế loại p,
tại VG = 0.

Si đa tinh thể loại n+ có công thoát là 4.05 eV;

Đế loại p;
VG=0, không phân cực – vẽ dạng trước khi tiếp xúc và sau khi tiếp xúc;
Chú ý mức Fermi nằm ngang nhau;

99
Bài 3
Vẽ giản đồ năng lượng của diode MOS với cực cổng là Si đa tinh thể loại n+, đế loại p,
tại điều kiện dải phẳng.

Cùng là Si nên có cùng bề rộng vùng cấm;

Pha tạp n+ mức Fermi sát vùng dẫn;
Đế loại p – mức Fermi gần vùng hóa trị;
Điều kiện dải phẳng: Mức chân không của 3 vùng nằm trên một đường thẳng;
Đặt điện thế VFB vào cực cổng;

100
Bài 4
Vẽ đồ thị (a) phân bố điện tích, (b) phân bố điện trường, (c) phân bố thế trong diode
MOS lý tưởng đế loại n dưới điều kiện đảo.

- Điều kiện đảo;

- Bán dẫn loại n ➔ đảo là loại p ở mặt tiếp xúc O-S – tích điện +;
- Kim loại tích điện (-);
- Đặt điện thế âm lớn lên điện cực kim loại;
- Vẽ từ giản đồ năng lượng trước;

101
Bài 5
Cho tụ MOS Kim loại-SiO2-Si với NA = 5 x 1016 cm-3. Hãy tính chiều rộng cực đại của
lớp nghèo bề mặt.

- Công thức tính chiều rộng cực đại của lớp nghèo;

102
Bài 6
Cho tụ MOS Kim loại-SiO2-Si với NA = 5 x 1016 cm-3, chiều dày lớp oxide d = 8 nm. Hãy
tính điện dung nhỏ nhất trên đường cong C-V.

- Điện dung nhỏ nhất trên đường cong CV;

- Điện dung của 2 tụ mắc nối tiếp;
- Điện dung tổng cộng min khi Wmax;

103
Bài 6

𝟏 𝟏 𝟏 𝜺𝒐𝒙 𝜺𝒔
= + = +
𝑪 𝑪𝟎 𝑪𝒋 𝒅 𝑾

104
Bài 7
Cho diode MOS SiO2-Si lý tưởng với d = 10 nm, NA = 5 x 1016 cm-3. Tìm giá trị điện áp
đặt vào để có chế độ đảo mạnh.

- Chế độ đảo mạnh VG=VT;

- Công thức tính VT:

𝒑 𝜺𝒐𝒙 𝟑. 𝟗 × 𝜺𝟎
𝒒𝜳𝑩 = 𝑬𝒊 − 𝑬𝑭 = 𝒌𝑻𝐥𝐧 𝑪𝟎 = =
𝒏𝒊 𝒅 𝒅
𝜺𝒔 = 𝜺𝑺𝒊 × 𝜺𝟎 = 𝟏𝟐 × 𝜺𝟎
105
5.3 Hoạt động của MOSFET
Đặc trưng ID-VD lý tưởng hóa của MOSFET
Vùng tuyến tính (VD nhỏ)

với
Điện áp ngưỡng VT:

Độ dẫn kênh gD:

Độ hỗ dẫn gm:

106
5.3 Hoạt động của MOSFET
Đặc trưng ID-VD lý tưởng hóa của MOSFET
Vùng bão hòa (VD lớn)

Trong vùng bão hòa độ dẫn kênh gD = 0

Độ hỗ dẫn gm

107
Bài 8
MOSFET kênh n có chiều dài kênh L = 1 μm, chiều rộng Z = 10 μm, NA = 5 x 1016 cm-3,
μn = 800 cm2/V.s, Co = 3,45 x 10-7 F/cm2, VT = 0,7 V. Tính VDsat và IDsat tại VG = 5 V.

- Sử dụng công thức tính VD bão hòa và ID bão hòa;

𝟐𝑽 𝒁𝝁𝒏 𝑪𝟎 𝟐
𝑽𝑫𝒔𝒂𝒕 ≅ 𝑽𝑮 − 𝟐𝜳𝑩 + 𝜿𝟐 𝟏 − 𝟏 + 𝑮ൗ 𝟐 𝑰𝑫𝒔𝒂𝒕 ≅ 𝑽𝑮 − 𝑽𝑻
𝜿 𝟐𝑳
𝒑 𝜺𝒔 𝒒𝑵𝑨 𝜺𝒐𝒙 𝟑. 𝟗 × 𝜺𝟎
𝒒𝜳𝑩 = 𝑬𝒊 − 𝑬𝑭 = 𝒌𝑻𝐥𝐧 𝜿≡ 𝑪𝟎 = =
𝒏𝒊 𝑪𝟎 𝒅 𝒅
𝟐𝜺𝒔 𝒒𝑵𝑨 𝟐𝝍𝑩
𝜺𝒔 = 𝜺𝑺𝒊 × 𝜺𝟎 = 𝟏𝟐 × 𝜺𝟎 𝑽𝑻 = + 𝟐𝝍𝑩
𝑪𝟎 108
Bài 9 & 10
(a) MOSFET kênh ngắn có L = 0,25 μm, Z = 5 μm, NA = 1017 cm-3, μn = 500 cm2/V.s, Co =
3,45 F/cm2, VT = 0,5 V. Tính độ dẫn của kênh khi VG = 1 V và VD = 0,1 V.
(b) Tìm giá trị độ hỗ dẫn cho MOSFET trên.

- Độ dẫn kênh gD;

- VG=1V và VD=0,1 V ứng với vùng VD nhỏ (vùng tuyến tính);

- Độ hỗ dẫn gm:

109
5.3 Các loại MOSFET
Đặc trưng ID-VD lý tưởng hóa của MOSFET

Kênh n, loại tăng cường

(Thường OFF)

Kênh n, loại nghèo

(Thường ON)

Kênh p, loại tăng cường

(Thường OFF)

Kênh p, loại nghèo

(Thường ON)
5.3 Hoạt động của MOSFET
Điều khiển điện áp ngưỡng của MOSFET

+ Một trong những thông số quan trọng nhất của MOSFET là điện áp ngưỡng VT.
+ Đã có VT cho trường hợp lý tưởng.
+ Khi tính đến các điện tích trong oxide và trên biên SiO2-Si, và chênh lệch công thoát
KL-BD: VT sẽ thay đổi một lượng bằng VFB.
+ VT cũng có thể bị ảnh hưởng bởi điện áp đặt vào đế. Khi đặt điện áp ngược lên đế
so với cực nguồn (S), VBS, chiều rộng vùng nghèo tăng, do đó VT tăng để cân bằng
điện tích trong vùng nghèo Qsc.
Bài 11
MOSFET kênh n cực cổng Si đa tinh thể loại n+ có NA = 1017 cm-3, Qf/q = 5 x 1010 cm-2,
d = 10 nm. Tính điện áp ngưỡng VT.

- Si đa tinh thể n+ có Qm=4.05V;

- Kênh n (Normally On)
- Điện áp ngưỡng VT:

𝟐𝜺𝒔 𝒒𝑵𝑨 𝟐𝝍𝑩

𝑽𝑻 ≈ 𝑽𝑭𝑩 + 𝟐𝝍𝑩 +
𝑪𝟎

112
Bài 11
𝟐𝜺𝒔 𝒒𝑵𝑨 𝟐𝝍𝑩
𝑽𝑻 ≈ 𝑽𝑭𝑩 + 𝟐𝝍𝑩 +
𝑪𝟎

𝑸𝒇 + 𝑸𝒎 + 𝑸𝒐𝒕 𝑸𝒇
𝑽𝑭𝑩 = 𝝓𝒎𝒔 − ≈ 𝝓𝒎𝒔 −
𝑪𝟎 𝑪𝟎
𝟏 𝑬𝒈
𝝓𝒎𝒔 = 𝝓𝒎 − 𝝓𝒔 = 𝝓𝒎 − 𝝌 + − 𝝍𝑩
𝒒 𝟐

𝒏
𝒒𝜳𝑩 = 𝑬𝑭 − 𝑬𝒊 = 𝒌𝑻𝐥𝐧
𝒏𝒊

Silic có: 𝜒𝑆𝑖 = 4.01𝑒𝑉; 𝐸𝑔 = 1.12𝑒𝑉 113

5.2 Diode MOS SiO2-Si
Điện tích oxide và các bẫy bề mặt

Diode MOS bị ảnh hưởng bởi điện tích

trong lớp oxide và các trạng thái trên
phân biên SiO2-Si
+ Điện tích bị bắt trên bẫy bề mặt Qit
+ Điện tích oxide cố định Qf
+ Điện tích bị bẫy trong oxide Qot
+ Điện tích các ion linh động Qm
Bài 12
MOSFET kênh p cực cổng Si đa tinh thể loại n+ có NA = 1017 cm-3, Qf/q = 5 x 1010 cm-2,
d = 10 nm. Tính điện áp ngưỡng VT.

- Si đa tinh thể n+ có Qm=4.05V;

- Kênh p (Normally On) nên đế là loại n;

𝟐𝜺𝒔 𝒒𝑵𝑫 𝟐𝝍𝑩

𝑽𝑻 ≈ 𝑽𝑭𝑩 + 𝟐𝝍𝑩 +
𝑪𝟎
115
Bài 12
𝟐𝜺𝒔 𝒒𝑵𝑫 𝟐𝝍𝑩
𝑽𝑻 ≈ 𝑽𝑭𝑩 + 𝟐𝝍𝑩 +
𝑪𝟎
𝟏 𝑬𝒈
𝝓𝒎𝒔 = 𝝓𝒎 − 𝝓𝒔 = 𝝓𝒎 − 𝝌 + + 𝝍𝑩
𝒒 𝟐

𝑸𝒇 + 𝑸𝒎 + 𝑸𝒐𝒕 𝑸𝒇
𝑽𝑭𝑩 = 𝝓𝒎𝒔 − ≈ 𝝓𝒎𝒔 −
𝑪𝟎 𝑪𝟎

𝒑
𝒒𝜳𝑩 = 𝑬𝒊 − 𝑬𝑭 = 𝒌𝑻𝐥𝐧
𝒏𝒊

Silic có: 𝜒𝑆𝑖 = 4.01𝑒𝑉; 𝐸𝑔 = 1.12𝑒𝑉 116