Anahtarlama Elemanlari Transistorler

ENDÜSTRİYEL KONTROL ve ARIZA ANALİZİ
ANAHTARLAMA ELEMANLARI MODÜLÜ
TRANSİSTÖRLER
Eyüp Ersan SÜLÜN

www.ersansulun.com
ANAHTARLAMA ELEMANLARI TRANSİSTÖRLER
2
TRANSİSTÖR : N-P-N veya P-N-P maddelerinin birleşmesi ile oluşmuş, düşük
beyz (base) akımları ile yüksek kollektör (collector) veya emiter (emitter)
akımlarını kontrol eden, 3 uçlu yarı iletken devre elemanıdır.
NPN Transistörün Yapısı, Sembolü, Akım ve Gerilim Yönleri
MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

3
PNP Transistörün Yapısı, Sembolü, Akım ve Gerilim Yönleri
Emitter (Emiter – Yayıcı) : En büyük akıma sahip terminaldir. Giriş veya çıkış ucu
olarak kullanılabilir.
Base (Beyz – Taban) : Transistörün kontrol ucudur. B-E arasına gerilim verilmez
ise transistör iletime geçmez.
Collector (Kollektör – Toplayıcı) : Genellikle çıkış ucu olarak kullanılır.

4
Transistörün Sağlamlık Kontrolü ve Uçlarının Tespit Edilmesi
Transistörün ölçülmesi ve uçlarının tespiti sırasında, diyot modeli göz önüne

alınırsa, transistörün sağlamlık kontrolü ve uçlarının tespiti daha kolay olacaktır.
Transistörün ters yönde seri bağlı

iki diyot gibi modellenmesi büyük
kolaylık sağlar.
PNP tipi transistör, katotları

birbirine bağlı iki diyot, NPN tipi
transistör ise anotları birbirine
bağlı iki diyot gibi modelleyebiliriz.
PNP ve NPN Transistörlerin Diyot Modelleri

5
AVO Metrenin komutatörü Diyot

kademesine alınır.
Ölçü aletinin bir probu transistörün

bir ayağında sabit tutulurken diğer
prob ayrı ayrı boştaki diğer iki
ayağa değdirilir.
Ölçü aletinde birbirine yakın, iki

değer okununcaya kadar problar
yer değiştirmelidir.

6
C
E
B
Ölçü aletinin sabit tutulan ucu
transistörün beyz ucunu gösterir.
Daha az değer gösteren uç
kollektör, direnci yüksek olan uç,
emiter ucunu belirtir.
Beyz ucunda sabit tutulan

probun rengi kırmızı ise
transistör NPN tipinde, beyz
ucunda sabit tutulan probun rengi
siyah ise transistör PNP tipindedir.

7
Transistörlerin Anahtarlama Elemanı Olarak Kullanılması
Transistörler, endüstriyel elektronikte, motor, bobin veya lamba gibi yüksek güçlü
elemanlarda ve dijital elektronikte, lojik kapı devrelerinde anahtarlama elemanı
olarak kullanılır.
Transistörlerin üç çalışma bölgesi vardır:
Doyum bölgesi (Saturation),

Kesim bölgesi (Cut-Off)
Aktif bölge veya Lineer (doğrusal) bölge (Linear).
Aktif (lineer) bölgede transistör, yükseltici (amplifikatör) olarak kullanılır. Doyum ve

Kesim bölgelerinde transistör, anahtarlama elemanı olarak kullanılır.
Doyum bölgesinde transistörün beyzine, aşırı gerilim verilmiştir ve iletimdedir.
Kesim bölgesinde transistörün beyz gerilimi kesilmiştir ve yalıtımdadır.

8
Şekildeki gibi polarmalandırılmış

(gerilim verilmiş) bir devrenin
çıkış yük doğrusu ve grafiği
yandaki şekildeki gibi çizilebilir.
Kırmızı renk ile çizilmiş

doğrunun A-B noktaları arası
AKTİF BÖLGEDİR. Transistörün 4. bölge karakteristiği

9
Transistör, anahtar olarak çalışacağı zaman, aktif bölge dışında Doyum ve Kesim
bölgesinde çalıştırılır. Aktif bölgede çalışacak şekilde gerilim verilmediği zaman
transistör gerilim var iken Doyum’a, gerilim yok iken Kesim’e girer.

10
Transistör doyumdayken tamamıyla

iletkendir. IC akımı en üst seviyede,
VCE gerilimi sıfırdır.
Transistör kesimdeyken tamamıyla

yalıtkandır. IC akımı sıfır, VCE
gerilimi en üst seviyededir.

11
Transistörün Zamanlayıcı Olarak Kullanılması
Genellikle transistörün beyzine bağlı kondansatörün şarj ve deşarjıyla

transistörün iletim ve kesim durumunu kontrol ederek zaman gecikmeli çalışan
devrelere transistörlü zamanlayıcı denir.
Kondansatörün şarj olması (dolması) ve deşarj olması (boşalması) için zaman

sabiti denilen bir kavram kullanılır. Bu zaman sabitine göre, zamanlayıcı devrelerin
çalışma veya durma zamanları belirlenir. T = R x C formülü ile bulunur.
Kondansatörün Şarj Olması Kondansatörün Deşarj Olması

12
Kondansatör boş iken,

üzerindeki gerilim sıfırdır.
Zamana göre yavaş yavaş
dolar ve üzerindeki gerilim
maksimum seviyeye çıkar.
Kondansatör boş iken,

şarj akımı çok yüksektir.
Kondansatör doldukça
geçen akım minimum
seviyeye iner..
Kondansatörün Gerilim ve Akım Şarj Eğrisi

13
Zaman Gecikmeli Duran Devre (Turn-off)
Butona basıldığında çıkışındaki

yükün çalışmasını sağlayan,
buton bırakıldıktan bir süre sonra
yükün çalışmasını durduran
devreye turn-off devresi denir.
Devrenin Çalışması : İlk anda kondansatörün boş olduğu kabul edilir. BC546
transistörünün beyz gerilimi sıfır seviyesinde olduğu için, transistör kesimdedir.
Butona basıldığı zaman, kondansatör ani olarak besleme gerilimine (+12V) şarj
olur. Transistörün beyz gerilimi aşırı sürülür ve doyuma yani iletime geçer. Röle
kontakları çeker ve lamba yanar. Kondansatör, R1 direnci üzerinden deşarj olmaya
başlar. Ucundaki gerilim 0,7V’ un altına düşünce, transistör kesime girer.

14
Devrenin baskılı devre (PCB) çizimi.

Üst görünüşler verilmiştir. Devreyi
PCB’ ye yapacak öğrencilere fikir
vermesi için çizilmiştir. Ölçüler 1:1
değildir.
Çıkış Kontakları ;
NO : Normalde Açık Uç
Com : Ortak Uç
NC : Normalde Kapalı Uç

15
Devrenin breadboard üzerine montaj çizimi. Devreyi Breadboard’a yapacak

öğrencilere fikir vermesi için çizilmiştir. Röle board üzerine konulmamış, uç
çıkarılmıştır.

16
Zaman Gecikmeli Çalışan Devre (Turn-on)
Normalde çıkışındaki yükü çalıştıran,

buton basıldığında yükün çalışmasını
durduran, buton bırakıldıktan bir süre
sonra yükün tekrar çalışmasını
sağlayan devreye turn-on devresi
denir.
Devrenin Çalışması : İlk anda C1

kondansatörünün boş olduğunu kabul
edelim. Transistörün beyz gerilimi
sıfıra yakın olduğu için kesimdedir.
Kondansatör yavaş yavaş R1+P1 dirençleri üzerinden şarj olmaya başlar.

Uçlarındaki gerilim 0,7V’ tu geçince transistör iletime (doyuma) geçer. Röle
konrakları çekerek, lambanın ışık vermesini sağlar. RESET (Sıfırlama) butonuna
basıldığı zaman, kondansatör tamamen deşarj olur. Beyz gerilimi sıfıra düşen T1
transistörü kesime girer. Röle kontakları bırakır ve lamba söner. Bir müddet sonra
kondansatör şarj olunca, transistöre iletime geçer ve lamba yine yanmaya başlar.

17
Devrenin baskılı devre (PCB) çizimi. Üst

görünüşler verilmiştir. Devreyi PCB’ ye
yapacak öğrencilere fikir vermesi için
çizilmiştir. Ölçüler 1:1 değildir.
Çıkış Kontakları ;
NO : Normalde Açık Uç
Com : Ortak Uç
NC : Normalde Kapalı Uç

18
Devrenin breadboard üzerine montaj çizimi. Devreyi Breadboard’a yapacak

öğrencilere fikir vermesi için çizilmiştir. Röle board üzerine konulmamış, uç
çıkarılmıştır.

19
Rölenin Yapısı ve Çalışma Prensibi
Röle, elektro mekanik (bazı çeşitleri elektronik) olarak,

düşük DC akımlar ve gerilimlerle, yüksek DC ve AC
akım ve gerilimleri kontrol eden devre elemanıdır.
Çok çeşitli tipleri vardır.
Röle Çeşitleri
1-) Elektro Manyetik röle 6-) Reaktif güç kontrol rölesi Rölenin Görünüşü
2-) Solid state röle (SSR) 7-) Motor koruma rölesi
3-) Reed röle 8-) Sıvı seviye kontrol rölesi
4-) Termik röle 9-) Akıllı röle
5-) Zaman rölesi
Bir çok röle çeşidi olmasına rağmen, genellikle elektronikte Elektro Manyetik röle
Solid state röle (SSR) ve Reed röle sıklıkla kullanılır. Diğer röle çeşitleri, genellikle
elektrik kumanda ve otomasyon alanında tercih edilmektedir.

20
Elektro Manyetik Rölenin Yapısı ve Çalışma Prensibi
Elektro Manyetik Rölenin Yapısı ve Elektronik Devrelerde Kullanılan Sembolleri
Elektro Manyetik Röle, elektromanyetik olarak çalışan ve kontakları ile yük kontrolü
yapılmasını sağlayan elemandır. Elektromıknatıs özelliğine sahip bir bobinden ve
kontaklardan meydana gelmiştir. Düşük gerilim ile yüksek değerli gerilimleri kontrol
edebilir.

21
Çeşitli Röleler
Röle, yumuşak demir nüve üzerine bobin teli sarılması ile oluşan bir
elektromıknatıstan ve bu mıknatısa yay ile bağlanan kontaklardan oluşmuştur.
Röle bobini DC gerilim ile çalışır. Bu çalışma gerilimi, genellikle bobinin üzerinde
yazılıdır. Farklı çalışma gerilimlerine sahip röleler bulunmasına rağmen genellikle
standart çalışma gerilimleri ; 6V, 12V, 24V, 48V gibi değerlerdir.

22
1 : Röle Bobini
2 : Çekme Yayı
3 : Kontaklar
Röle Kontaklarının Çekmesi
Röle Bobinine DC gerilim uygulandığı zaman, bobinden geçen akım, bobin

tellerinde bir manyetik alan oluşturur. Bu manyetik alan, bobinin içerisindeki demir
nüveye manyetik özellik kazandırır. Mıknatıslanan demir nüve karşısında bulunan
metal kontakları kendine çeker. Rölenin kontakları kapanır.
Bobine gerilim uygulandığı sürece, kontaklar çekili durumdadır. Bobin gerilimi
kesilirse, demir nüvenin manyetik özelliği kaldırılmış olur. Çekili durumdaki kontak,
geri çekme yayı ile tekrar eski konumuna getirilir.

23
Kontak sayıları farklı olan röleler vardır. Tek
kontak, çift kontak veya grup kontaklı
röleler, piyasada bulunmaktadır. Kontakların
uçlarını, röle kataloğundan veya AVO metre
ile ölçerek bulabiliriz.
Röle Kontak Türleri
Rölenin Transistör ile Sürülmesi
Röle bobinleri, türlerine göre, çalışma sırasında 30..250 mA arasında akım

çekebilir. Bu durumda, röle entegre gibi çıkışında fazla akım üretemeyen devre
elemanlarının çıkışlarına direk olarak bağlanmaz. Bir transistör yardımı ile
bağlanarak, rölenin çektiği akımın, transistör tarafından sağlanması, entegreye yük
bindirmemesi istenir.
Bu gibi durumlarda ;
NPN veya PNP transistörler kullanılır ve röle bobini bu elemanlar ile sürülür.

24
Rölenin NPN Transistör ile Sürülmesi
T1
T1
Rölenin Kollektörden Sürülmesi Rölenin Emiterden Sürülmesi
Röle, NPN transistör ile sürülürken ;

Vin = +12V olduğunda Röle çeker. Vin = 0V olduğu zaman Röle bırakır.
D1 diyotu, röle bobininde oluşan ters EMK (Elektro Motor Kuvvet) geriliminin
transistöre zarar vermesini önlemek için mutlaka takılmalıdır.

25
Rölenin PNP Transistör ile Sürülmesi
T1
T1
Rölenin Kollektörden Sürülmesi Rölenin Emiterden Sürülmesi
Röle, PNP transistör ile sürülürken ;

Vin = 0V olduğunda Röle çeker. Vin = +12V olduğu zaman Röle bırakır.
D1 diyotu, röle bobininde oluşan ters EMK (Elektro Motor Kuvvet) geriliminin
transistöre zarar vermesini önlemek için mutlaka takılmalıdır.

26
Reed Röleler
Bu tip röleler, cam kılıf ve plastik kılıf içerisine konulan çeşitlerden meydana
gelmiştir. Boyutları elektromanyetik rölelere göre oldukça ufaktır. Kontakları
elektromanyetik rölelere göre daha güçsüzdür. Yani yüksek akımlı ve yüksek
gerilimli yükleri kontrol edemezler.
Reed Rölenin Görünümü ve Yapısı
Reed rölelerin çalışması da manyetiktir. Havası alınmış cam tüp içerisine demir-
nikel alaşımlı kontaklar konulmuştur. Cam tüpün dışına bobin sarılması veya cam
tüpe sabit mıknatıs yaklaştırılması ile çalışır. Cam tüp etrafında meydana gelen
manyetik alan kontakların kapanmasını sağlar. Manyetik alan kaldırılırsa veya
uzaklaştırılırsa, kontaklar yeniden açılacaktır.

27
Reed Rölenin Bobin ve Mıknatısla Çalıştırılması
Reed röleler genellikle düşük akım gereken

yerlerde kullanılırlar. Örneğin; evler,
dükkanlar, bürolar için yapılan kapı
alarmlarında, mikrofonların açma kapama
düğmelerinde, motor devir sayılarını sinyale
çevirme işleminde v.b yerlerde kullanılırlar.
Reed rölelerin bir de plastik kılıf içerisine konulmuş

entegre devreye benzer tipleri vardır. Plastik kılıflı reed
rölelerde bobin ve kontaklar plastik yapının içerisine
konulmuştur.

28
Plastik (Entegre) Kılıflı Reed Röle ve İç Yapısı
Kapalı tip Reed röleler, genellikle düşük akım gerektiren yerlerde, röle
kontaklarının açılıp kapanması sırasında, kıvılcım çıkmaması gereken yerlerde
tercih edilir.

29
Solid State Röleler
Solid-state röle, tamamen elektronik parçalardan oluşmuş bir anahtarlama

düzenidir. Klasik röle ve kontaktörlerle aynı işi yapar.
Kontaktör ve röleden farkı, bobin ve kontaktör yerine elektronik devre
elemanlarının olmasıdır.
SSR nin başlıca avantajları ise uzun ömürlü ve güvenli olması, küçük boyutları
nedeniyle yer tasarrufu sağlaması, düşük kontrol gücüyle çalışması, sarsılma vs.
karşı duyarlı olmaması ve en önemlisi ise hızlı anahtarlama özelliğidir.
SSR Röle ve
Bağlantısı

30
DC Çıkışlı SSR Rölenin Yapısı
AC Çıkışlı SSR Rölenin Yapısı

31
Solid State Röle (SSR) Uygulaması
Şekilde, +3V..+12V arasında düşük DC gerilim ile

220V’luk yüksek AC bir gerilimin kontrol edilmesini
sağlayan SSR röle devresi görülmektedir. Rölenin
çalışma prensibinin daha iyi kavranabilmesi için devre
atölye çalışmalarında uygulanabilir.
BT136

32
AC
Yük
Gnd
Solid State Röle devresinin baskılı devre (PCB) çizimi.

Üst görünüşler verilmiştir. Devreyi PCB’ ye yapacak
öğrencilere fikir vermesi için çizilmiştir.
NOT : Ölçüler 1:1 değildir.

33
Solid State Röle Devresinin

breadboard üzerine montaj
çizimi. Devreyi Breadboard’a
yapacak öğrencilere fikir
vermesi için çizilmiştir.
Board üzerinde 220V vardır.

Bu yüzden çalışma sırasında
dikkat edilmelidir.

34
FET VE MOSFET TRANSİSTÖRLER
FET Transistörlerin çok farklı çeşitleri vardır. Aşağıdaki çizelgeden bunların tümünü
görebilirsiniz.

35
FET (Field Effect Transistor – Alan Etkili Transistör) TRANSİSTÖRLER
Alan Etkili Transistör (FET – Field

Effect Transistor), tek temel PN
birleşim yüzeyine sahip üç uçlu bir
transistördür. FET, yapı ve özellik
itibarı ile normal (BJT) transistörden
farklı bir yapıya sahiptir.
Normal (BJT – Bipolar Junction Transistor – İki Kutuplu Transistör) transistörler,

NPN ve PNP tiplerinde yapılmış hem elektron akımının hem de oyuk akımının
kullanıldığı akım kontrollü transistörlerdir.
FET ise tek kutuplu, gerilim kontrollü bir transistördür. BJT ile FET arasındaki en
önemli fark, BJT’ nin akım kontrollü, FET’ in gerilim kontrollü olmasıdır.
FET, kullanılan yarı iletken maddeye göre N-Kanallı FET ve P-Kanallı FET olarak
ikiye ayrılır.

36
N-Kanallı FET’ te elektronlar hakimdir ve akım olarak, elektron akımından söz
edilebilir. P-Kanallı FET’ te ise oyuklar hakimdir ve akım olarak, oyuk akımından söz
edilebilir.
FET’ in; GATE (Geçit, kapı), SOURCE (Kaynak) ve DRAIN (Savak, kanal, akaç)
olarak isimlendirilen üç ucu vardır. Gate ucu (G) ile, Source ucu (S) ile Drain ucu
(D) ile gösterilir.

37
N-Kanal FET, N tipi yarı iletken bloğun iki yanına birer parça P tipi yarıiletken
madde yerleştirilmesi ile meydana gelir. P ve N maddeleri arasında bir birleşme
yüzeyi (junction) oluşur. P tipi yarıiletken maddenin olduğu kısımdan Gate (Geçit)
ucu çıkarılmıştır.
P-Kanal FET, P tipi yarı iletken bloğun iki yanına birer parça N tipi yarıiletken madde
yerleştirilmesi ile meydana gelir. N ve P maddeleri arasında bir birleşme yüzeyi
oluşur. N tipi yarıiletken maddenin olduğu kısımdan Gate (Geçit) ucu çıkarılmıştır.
Kabaca benzetecek olursak; Gate (G) ucunu, normal (BJT) transistördeki Beyz (B)
ucuna, Source (S) ucunu Emetör (E) ucuna, Drain (D) ucunu Kollektör (C) ucuna
benzetebiliriz.

38
Bir FET’ in temel özelliklerini belirlemek için BJT ile karşılaştırmak gerekir.
1-) FET’ in giriş direnci çok yüksektir ve 100M civarındadır. BJT’ lerde bu değer
2K civarındadır.
2-) FET anahtar veya kırpıcı olarak kullanılırken bir sapma gerilimi ortaya çıkmaz.
3-) FET’ ler radyasyondan (elektromanyetik ışınım) etkilenmezler veya çok az

etkilenirler. BJT’ ler radyasyona karşı oldukça hassastırlar. Özellikle  akım
kazancı radyasyondan çok etkilenir.
4-) FET, BJT’ ye göre daha düşük gürültü sinyaline sahiptir. Dolayısı ile HI-FI ses
frekans yükselteçlerinin giriş devreleri için daha uygundur ve tercih edilir.
5-) Isıl kararlılığı BJT’ ye göre daha yüksektir.
6-) FET’ in BJT’ den dezavantajlı yanı, kazanç-bant genişliğinin BJT’ ye göre daha
düşük olmasıdır. Ayrıca FET, BJT’ ye göre daha kolay arıza yapar.

39
FET’ in Çalışması
FET’ in çalışması için G-S uçları arası ters polarma, D-S uçları arası doğru
polarma edilir. FET’ in G-S uçları arasındaki PN birleşim yüzeyine ters polarma
uygulandığı zaman, P maddesindeki oyuklar bataryanın (-) kutbu tarafından, N
maddesindeki elektronlar da bataryanın (+) kutbu tarafından çekilir. Birleşim
yüzeyi genişler.

40
İki P maddesinden ve N maddesinden oluşan kanal daralır. Drain akımı (ID) azalır.
VGS gerilimi arttırıldığı zaman, birleşim yüzeyi daha fazla genişler, aradaki kanal
daha fazla daralır. Bu durumda ID akımı daha da küçülür. Görüldüğü gibi VGS
gerilimi değiştirilerek, ID (Drain akımı) kontrol edilmektedir. FET’ in BJT’ den ayrılan
en önemli farkı gerilim ile akım kontrolü sağlanmasıdır.
VGS gerilimi 0V’ ta tutulduğu zaman

(VGS=0V), VDS gerilimi arttırılırsa ID akımı
maksimum değerine ulaşır. ID akımının
maksimum değeri IDSS ile gösterilir. Bu
değerden sonra, VDS daha fazla arttırılsa
dahi ID akımı sabit bir değerde kalacak ve
artmayacaktır.
ID akımının sabit kalmaya başladığı andaki
gerilime bükülme gerilimi (VP ) denir.
Yandaki eğride, VGS gerilimi 0V iken VDS

geriliminin arttırılması ile ID akımının sabit
kalmasını gösteren eğri görülmektedir. FET’ in Eğrisi

41
FET’ lerin DC Polarması :
FET’ lerin DC Polarması
Normal transistörlerde olduğu gibi, bir FET’ in çalışabilmesi için önce DC açıdan
polarma uygulanması gerekir. Polarmada dikkat edilecek en önemli husus, G
(Geçit)-S (Kaynak) arasına ters polarma uygulanmış olmasına dikkat etmektir.
Yaygın olarak kullanılan iki tip polarma devresi vardır ve yukarıdaki şekillerde
görülmektedir. P Kanal FET için VDD kaynağının yönü değişir.

42
FET Uygulama Devresi
Şekildeki devre, 10 dakika
zaman gecikmesi sağlayan,
FET ve BJT transistörün
anahtar olarak kullanıldığı bir
devredir.
Devre çıkışlarına, motor, röle,
lamba v.b elemanlar
bağlanabilir.
Devreye gerilim verildiği anda
Q1 FET transistörü iletime
geçer ve Q2 transistörünü de
iletime götürür.
S1, Başlat düğmesine basıldığında, C1 kondansatörü yaklaşık +12V’a şarj olur. N

Kanallı FET’in Gate ucu (+) olduğu için yalıtıma girer. Q2 transistörü kesime
geçerek, çıkış uçlarını aktif eder. C1 kondansatörü yavaş yavaş deşarj olur. Gate
ucundaki gerilim (-) negatif potansiyele ulaşınca FET iletime, Q2 transistörü de
iletime gider. Çıkış uçlarından gerilim alınmaz.

43
METAL OKSİT YARI İLETKEN FET (MOSFET)
Alan Etkili bir transistörün (FET), G (Gate - Kapı, Geçit) ucu kanaldan izole edilmiş
(yalıtılmış) olarak elde edilen tipine MOSFET denir. MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor), Metal Oksit Yarıiletken Alan Etkili
Transistör şeklinde tanımlanabilir. Çalışması FET’ e benzer. Fakat aralarındaki en
önemli fark, MOSFET’ te G (Kapı) ucunun kanaldan izoleli durumda olmasıdır. Bu
da kaçak akımların gate ucundan transistörün içine akmasını engeller ve giriş
direncinin oldukça yüksek olmasını sağlar. Yüksek giriş direnci, düşük akım ile
MOSFET’in kontrol edilmesini sağlar. MOSFET’in önündeki devrelerin fazla
yüklenmesini önler.
MOSFET’ ler, Kanal Azaltmalı (Depletion MOSFET) ve Kanal Arttırmalı

(Enhancement MOSFET) MOSFET olarak ikiye ayrılır.
Kanal Azaltmalı MOSFET’ te kanal, imalat aşamasında fiziksel olarak oluşturulur.
D-S arasına uygulanan bir gerilim sonucu D-S arasında bir akım akar.
Kanal Arttırmalı MOSFET’ te kanal, eleman üretilirken oluşturulmaz. Yük
taşıyıcılardan bir kanal oluşturmak ve D-S uçları arasına gerilim uygulandığında
akım akmasını sağlamak üzere G ucuna (Gate-Kapı) bir gerilim uygulanması
gerekir.

44
KANAL AZALTMALI (DEPLETION) MOSFET
Şekilde, Kanal Azaltmalı (N Kanallı) MOSFET’ in basitçe oluşturulması

görülmektedir. P tipi bir maddenin uygun yerlerinde N tipi maddeler oluşturulur. Bu
yapının üzeri, yalıtkan silikon dioksit tabakası ile kaplanır. Ayrıca silikon dioksidin
havadan etkilenmemesi için üzeri koruyucu silikon nitrat tabaka ile kaplanır.
P Tipi Madde P Tipi Madde
P Tipi Madde
P Tipi Madde
Alt Tabaka
Kanal Azaltmalı (N Kanallı) MOSFET’ in Oluşturulması

45
N tipi maddelerden D (Savak) ve S (Kaynak) uçları çıkarılır. G (Kapı) ucu ise
kanalın üzerinde oluşturulur. Şekilden görüldüğü gibi S ve D uçları yarıiletken
madde ile direk olarak bağlıdır. G ucu ise yarıiletken bölgeden izole edilmiş
durumdadır.
Kanal Azaltmalı N Kanal ve P Kanal MOSFET’ in Yapısı ve Sembolü

46
Şekil’ de Kanal Azaltmalı N tipi MOSFET ve P tipi MOSFET’ in sembolü
görülmektedir. MOSFET’ lerde substrate (alt tabaka) ucu genellikle S ucu ile
birleştirilerek kullanılır. MOSFET, dört uçlu ise substrate ucu dışarıdan birleştirilir.
MOSFET üç uçlu ise substrate ucu imalat aşamasında içeriden birleştirilmiştir. S

(Source – Kaynak) ucu ile Substrate (Alt Tabaka) ucuna aynı gerilim uygulanır.

47
Çalışması :
Kanal Azaltmalı MOSFET’ in çalışması, N Kanallı MOSFET’
e göre anlatılacaktır. P Kanallı MOSFET’ in çalışması da
aynıdır. Sadece polarma gerilimlerinin yönü terstir.
Yandaki şekilde görülen N Kanallı MOSFET’e gerilim

uygulandığı zaman, negatif G-S gerilimleri, kanal
bölgesindeki elektronları iterek kanalı boşaltır. Daha büyük
bir G-S gerilimi, kanalı kısacaktır. Kanal ile G ucu arası bir
kondansatör gibi davranır.
Pozitif G-S gerilimlerinde, P tipi taşıyıcılar itilir, kanal genişler ve daha çok yük
taşıyıcısının geçmesi, yani kanal akımının artması sağlanır.
G ucu (Gate-Kapı), VGS geriliminin hem pozitif hem de negatif değerleri için
kanaldan izole edilmiş olduğundan, MOSFET; VGS’ nin hem pozitif hem de negatif
değerlerinde çalıştırılabilir. MOSFET’ te hiçbir durumda G ucundan (kapıdan)
içeriye doğru akım akışı olmaz.

48
KANAL ARTTIRMALI (ENHANCEMENT) MOSFET
Kanal Arttırmalı MOSFET’ in yapılışı, Kanal Azaltmalı MOSFET’ in yapılışı gibidir.

Sadece kanal, MOSFET üretilirken oluşturulmaz.
Kanal Arttırmalı (N Kanallı) MOSFET’ in Oluşturulması

49
Çalışması :
S ve D uçları yarıiletken madde ile

direk temas halindedirler. G ucu,
yarıiletken maddeden izole edilmiştir.
G ucunun üzerinde bulunduğu metal
tabaka ile P tipi madde ve aralarındaki
yalıtkan tabaka, genel olarak bir
kondansatör gibi davranır.
Kanal Arttırmalı MOSFET Üzerinde Kanalın Oluşması
G ucuna (+) gerilim uygulandığında, kondansatör özelliğinden dolayı diğer plaka

durumundaki yarıiletken madde üzerinde (-) yükler artmaya başlar. Bu durumda iki
N kanalı arasında iletken bir kanal oluşur ve akım akmaya başlar. G ucuna
uygulanan (+) gerilim arttırıldığında, karşı plakadaki (-) yükler de fazlalaşır.
(-) yükler fazlalaştığı için P tipi yarıiletken madde içerisinde oluşan N tipi kanal daha
da genişler. Böylece D-S uçları arasında akan akımın miktarı artar. G ucuna
uygulanan gerilim değiştirilerek, D-S uçları arasındaki akım miktarı kontrol altına
alınabilir.

50
Kanal Arttırmalı N Kanal ve P Kanal MOSFET’ in Yapısı ve Sembolü
Kanal Arttırmalı MOSFET’ ler basit yapıları ve küçük ölçüleri ile büyük çaplı
entegre devrelerin imalatında sık olarak kullanılırlar.

51
MOSFET’ lerin DC Polarması :
MOSFET transistörler devreye bağlanırken, alt tabaka (substrate) ucu S (Kaynak)

ucuna bağlanır.
MOSFET, ister Kanal Arttırmalı, İsterse Kanal Azaltmalı olsun D-S uçları arası
doğru polarma edilir.
G ucuna uygulanan gerilim, pozitif (+) veya negatif (-) olabilir. Genellikle G-S
uçları ters polarma edilir. Bu iki uç arasındaki gerilim değiştirilerek D-S arasındaki
akım akışı kontrol edilir.
MOSFET’ lerin bazı özellikleri FET’ lerden üstündür.
1-) MOSFET’ lerin giriş dirençleri FET’ lere göre daha yüksektir. Çünkü G ucu
izolelidir.
2-) Sinyal gürültüsü FET’ lere göre daha azdır.
3-) Frekans-Kazanç Bandı FET’ e göre daha geniştir.

52
N Kanal MOSFET’ in DC Polarması
MOSFET’ in dezavantajlı yönü, yarıiletken maddenin üzerindeki silikon dioksit izole

tabakasının kolaylıkla tahrip olmasıdır. MOSFET ile çalışırken, gerekli topraklama
ve şaseleme önlemleri alınmalıdır. El ile dokunulmasından bile, insan vücudundaki
elektrik yükü, silikon dioksit tabakasının delinmesine yol açabilir. Günümüzde
elektrostatik yüklere karşı korumalı MOSFET’ ler üretilmiştir. Fakat her ihtimale
karşı MOSFET ile dikkatli çalışılmalıdır.

53
MOSFET’ leri Elektrostatik Yüklerden Korumak için :
1-) Özel Ambalajlarda muhafaza ediniz.

2-) Bacaklarını, devreye takılı değil iken birbiri ile kısa devre ederek irtibatlayınız.
3-) MOSFET’ e dokunmadan önce kendinizi topraklayarak, üzerinizdeki
elektrostatik yükü boşaltınız.
4-) MOSFET’ i lehimlerken kullanılan havyayı topraklayınız.
FET ve MOSFET’in Sağlamlık Kontrolü
FET’ in AVO Metre ile Ölçülmesi :
FET, G-D-S uçlarına sahip olduğu için bu uçlar arası ikili olarak hem doğru, hem
de ters yönde ölçülmelidir.
Sunumdaki örnek ölçümlerde BF245 FET transistörü kullanılmıştır. Ölçümler,

Dijital AVO Metre ile ve Diyot kademesinde yapılmıştır. Diyot kademesindeki
ölçümlerde, okunan değerler Volt olarak okunmaktadır.

54
Gate – Drain uçları arası

ölçümde AVO Metre, Diyot ölçüm
kademesine alınır.
Siyah ölçüm probu Gate (Kapı)

ucuna, kırmızı ölçüm probu
Drain (oluk) ucuna değdirilir. Bu
durumda ölçü aleti ekranında
yüksek direnç değerini ifade
eden rakam görünür. Yani, ölçü
aleti yüksek direnç değeri
gösterir.
Ölçüm sırasında eller probların

uçlarına dokundurulmamalıdır.

55
Gate ucundaki siyah prob

kaldırılmadan, kırmızı prob
Source ucuna değdirilir. AVO
Metre, yine diyot ölçüm
kademesindedir.
Bu durumda ölçü aleti yüksek

direnç değeri gösterir.
Ölçüm sırasında eller probların

uçlarına dokundurulmamalıdır.

56
Siyah prob S (Kaynak) ucuna,

Kırmızı prob D (Oluk) ucuna
değdirilir.
Bu durumda ölçü aleti şekildeki

gibi veya buna yakın bir değer
gösterir. Diyot kademesinde
ölçüm yaptığımız için bu değer,
269 mV (0,269V)’ tur.

57
Siyah prob D (Oluk) ucuna,

Kırmızı prob S (Kaynak) ucuna
değdirilir.

267 mV (0,267V)’ tur.

58

Kırmızı prob G (Kapı) ucuna
değdirilir.

754 mV (0,754)’ tur.

59

değdirilir.

751 mV (0,751V)’ tur.
Yapılan ölçüm değerleri bu

şekilde ise FET sağlamdır.
Yapılan ölçümlerde uçlar arası
direnç sıfıra yakın çıkarsa FET
kısa devredir ve arızalıdır.

60
MOSFET’ in AVO Metre ile Ölçülmesi :
MOSFET, G-D-S uçlarına sahip olduğu için bu uçlar arası ikili olarak hem doğru,
hem de ters yönde ölçülmelidir.
Sunumdaki örnek ölçümlerde IRF640 GÜÇ MOSFET transistörü kullanılmıştır.

Ölçümler, Dijital AVO Metre ile ve Diyot kademesinde yapılmıştır. Diyot
kademesindeki ölçümlerde, okunan değerler miliVolt veya Volt olarak
okunmaktadır.
IRF640 MOSFET’ inin iç

bağlantısında D-S uçları
arasında şekildeki gibi bir
koruma diyotu vardır. D-S uçları
ölçüm yapılırken bu diyotun
varlığı unutulmamalıdır.

61
Siyah prob G (Kapı) ucuna,

değdirilir. AVO Metre diyot ölçüm
kademesindedir.

gibi yüksek direnç değeri
gösterir.

62

değdirilir.

gibi yine yüksek direnç değeri
gösterir.

63
Siyah prob G (Kapı) ucundan

kaldırılmadan, Kırmızı prob D
(Oluk) ucuna değdirilir.

gösterir.

64

değdirilir.

gösterir.

65

değdirilir.

gibi bir değer gösterir.
Bu değer, diyot kademesinde

olduğu için miliVolt olarak
okunmalıdır. MOSFET’in
sembolünden D-S uçları
arasında diyot olduğu
unutulmamalıdır. Bu değer,
diyotun doğru polarma olduğu
için gösterdiği değerdir.

66

Kırmızı prob D (Oluk) ucuna
değdirilir.

gösterir.
Bütün bu ölçüm konumlarına

sahip MOSFET sağlamdır.

67
TEK BİRLEŞİM YÜZEYLİ TRANSİSTÖR (UJT – UNIJUNCTION TRANSISTOR)
UJT, üç uçlu bir yarı iletken devre elemanıdır. İki beyz, bir emetör ucu vardır. Beyz
uçları, N tipi bir yarı iletkenin iki tarafında oluşturulmuştur. N tipi yarı iletken
maddenin üzerine, B2 beyzine yakın bir bölgede P tipi yarı iletken madde
eklenerek bir birleşim yüzeyi oluşturulmuştur. Bir UJT’ nin sembolü, basit fiziksel
yapısı ve eşdeğer devresi aşağıdaki şekilde görülmektedir.

68
Eşdeğer devrede; PN emetör-beyz birleşim yüzeyi D
diyotu ile gösterilmiştir. N tipi yarıiletkenin B1-B2
beyzleri arasındaki RBB direnci, RB1 ve RB2
dirençleri ile gösterilmiştir. RBB direnci (RB1+RB2)
UJT’ nin fiziksel yapısına bağlı olup yaklaşık
4K...10K arasındadır. Devre uygulamalarında (E)
emetör ucu giriş, ikinci beyz (B2) ucu çıkış olarak
kullanılır.
UJT’ nin çalışması için E-B1 uçları arası doğru polarma edilmelidir. E-B1 uçları
doğru polarma edildiği zaman emetörden, RB1 direncine doğru akım akmaya
başlar. RB1 üzerinden akım geçmeye başlayınca direnci ani olarak düşer.
RB1 direncinin değeri emetör akımı ile ters orantılıdır. Emetör akımı artınca bu
direnç değeri azalır, emetör akımı azalınca bu direnç değeri artar. Adeta bir ayarlı
direnç gibi geçen akıma bağlı olarak direnç değeri değişir.
UJT çalışmıyor iken, yani emetör akımı sıfır iken (IE=0), O noktası ile B1 ucu
arasındaki VOB1 gerilimi aşağıdaki gibi ifade edilir.

69
RB1/RBB oranı UJT’ nin iç oranıdır ve ETA harfi () ile gösterilir. Buna göre ;
VOB1 =  . VBB
Şeklinde yazılabilir.  oranı UJT’ nin fiziksel yapısına

bağlıdır ve 0,5 ile 0,8 arasında değişebilir. VE gerilimi ,
 . VBB geriliminden küçük ise E-B1 birleşim yüzeyi ters
polarma olacağından UJT çalışmaz. VE gerilimi,  . VBB
geriliminden büyük olduğu zaman, E-B1 birleşim yüzeyi
doğru polarma olur ve emetör akımı akar. UJT iletime
geçer.
UJT’nin iletimde ya da yalıtımda olması VRB1 ve VE arasındaki bağıntıya

göre belirlenir.

70
VE < VRB1 ise UJT yalıtkandır.

VE = VRB1 ise UJT yine yalıtkandır.
VE > VRB1 ise UJT iletken olur.
Bu durumda emiter ucundan B1

ucuna doğru IE akımı geçer. VEB1
gerilimi VP tepe gerilimine ulaştığında
IE akımı UJT’ yi iletime götürür.
Bu durum UJT’nin yalıtım noktası
olan VV vadi gerilimine kadar devam
eder.
UJT’nin karakteristik eğrisi
UJT’ler anahtar, pals jenaratörü, testere dişi jenaratörü olarak; çoğunlukla

osilatör, zamanlayıcı devrelerinde; tristör, triyak gibi elektronik anahtarların
tetiklenmesi işleminde kullanılır. UJT tetiklemeli tristörün yarım dalga ve tam dalga
yük kontrolü sıkça karşılaşacağınız uygulama devreleridir.

71
UJT Osilatör
Şekilde UJT ile yapılmış bir osilatör

(sinyal üreteci) devresi görülmektedir. Bu
devrede UJT’ nin çalışması için gerekli
gerilimler, dirençlerle sağlanacak şekilde
devre kurulmuştur.
Vs besleme gerilimi ilk uygulandığı anda
UJT kesimdedir ve C1 kondansatörü
boştur. C1 kondansatörü, R3 direnci
üzerinden şarj olmaya başlar.
Kondansatör uçlarındaki VC1 gerilimi,
UJT’ nin VE gerilimine ulaştığı anda UJT
iletime geçer.
Emiter – B1 ucu diyot gibi doğru polarma olur. E-B1 direnci azalır. Emiter ucundan
B1 ucuna ve R1 direnci üzerinden şaseye bir akım akar. R1 direnci, C1
kondansatörünün hızlı bir şekilde deşarj olması için küçük değerde (50-100 ohm)
seçilmelidir. C1 kondansatörü, R1 üzerinden deşarj olur. UJT kesime girer. R3
üzerinden dolan C1, bir müddet sonra UJT’ yi tekrar iletime sokar.

72
Kondansatörün R3 üzerinden şarj olup, Emiter – B1 ucu ve ona bağlı R1 direnci
üzerinden sürekli deşarj olması, çıkış uçlarında aşağıdaki gibi sinyallerin elde
edilmesini sağlar. Üstteki sinyal, kondansatörün şarj ve deşarjı ile uçlarında oluşan
gerilimin sinyal şeklidir. Alttaki sinyal, B1 ucundan alınan VB1 çıkış geriliminin
şeklidir. B2 ucunda elde edilen VB2 gerilimi bunun tam tersidir.
UJT Osilatör Sinyal Şekilleri

73
Tristörün Ujt ile Tetiklenmesi (Motor Hız Kontrol Devresi)
Şekildeki devre, tristörün UJT ile

tetiklenmesine örnek bir çalışma
devresidir. R ayarlı direnci ile
kondansatörün şarj süresi
değiştirilerek, çıkış frekansının
değişken olması sağlanır. Bu
frekansla tetiklenen tristör, yük
olarak kullanılan motorun hızını
kontrol eder.
UJT’ nin AVO Metre ile Ölçülmesi
UJT ölçümünde 2N2646 transistörü kullanılacaktır.

Ayak bağlantısı ve görünüşü yandadır.

74
Emiter – Beyz-1 Ölçümü
AVO Metre Diyot kademesine

alınır. Kırmızı prob, Emiter (E)
ucuna, Siyah prob Beyz-1 (B1)
ucuna değdirilir.
Bu durumda ölçü aleti düşük

değer göstermelidir.
Örnek ölçümde AVO Metre

ekranında 896 miliVolt okunur.

75
Kırmızı prob, Beyz-1 (B1)

ucuna, Siyah prob ucuna
Emiter (E) değdirilir.


ekranında bir değer okunmaz.

76
Kırmızı prob, Emiter (E) ucuna,

Siyah prob ucuna Beyz-1 (B1)
değdirilir.
Bu durumda ölçü aleti ortalama

bir değer göstermelidir.

ekranında 1853 miliVolt okunur.

77

ucuna, Siyah prob Emiter (E)
ucuna değdirilir.



78
Beyz-1 – Beyz-2 Ölçümü

ucuna, Siyah prob Beyz-2 (B2)
ucuna değdirilir.


B1-B2 arasını 20 KOHM

kademesinde ölçerseniz, 5-10K
arası bir direnç değeri
okumalısınız.

79
Beyz-1 – Beyz-2 Ölçümü

ucuna, Siyah prob, Beyz-1 (B1)
ucuna değdirilir.


B2-B1 arasını 20 KOHM

kademesinde ölçerseniz, 5-10K
arası bir direnç değeri
okumalısınız. Yapılan bu ölçüm
değerlerine sahip çıkan UJT,
sağlamdır.

SUNUM SONU

Anahtarlama Elemanlari Transistorler

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Anahtarlama Elemanlari Transistorler

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ENDÜSTRİYEL KONTROL ve ARIZA ANALİZİ

ANAHTARLAMA ELEMANLARI MODÜLÜ

Eyüp Ersan SÜLÜN

NPN Transistörün Yapısı, Sembolü, Akım ve Gerilim Yönleri

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

PNP Transistörün Yapısı, Sembolü, Akım ve Gerilim Yönleri

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Transistörün ölçülmesi ve uçlarının tespiti sırasında, diyot modeli göz önüne

Transistörün ters yönde seri bağlı

PNP tipi transistör, katotları

PNP ve NPN Transistörlerin Diyot Modelleri

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

AVO Metrenin komutatörü Diyot

Ölçü aletinin bir probu transistörün

Ölçü aletinde birbirine yakın, iki

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Beyz ucunda sabit tutulan

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Transistörlerin üç çalışma bölgesi vardır:

Doyum bölgesi (Saturation),

Aktif (lineer) bölgede transistör, yükseltici (amplifikatör) olarak kullanılır. Doyum ve

Doyum bölgesinde transistörün beyzine, aşırı gerilim verilmiştir ve iletimdedir.

Kesim bölgesinde transistörün beyz gerilimi kesilmiştir ve yalıtımdadır.

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Şekildeki gibi polarmalandırılmış

Kırmızı renk ile çizilmiş

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Transistör doyumdayken tamamıyla

Transistör kesimdeyken tamamıyla

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Genellikle transistörün beyzine bağlı kondansatörün şarj ve deşarjıyla

Kondansatörün şarj olması (dolması) ve deşarj olması (boşalması) için zaman

Kondansatörün Şarj Olması Kondansatörün Deşarj Olması

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Kondansatör boş iken,

Kondansatör boş iken,

Kondansatörün Gerilim ve Akım Şarj Eğrisi

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Butona basıldığında çıkışındaki

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Devrenin baskılı devre (PCB) çizimi.

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Devrenin breadboard üzerine montaj çizimi. Devreyi Breadboard’a yapacak

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Normalde çıkışındaki yükü çalıştıran,

Devrenin Çalışması : İlk anda C1

Kondansatör yavaş yavaş R1+P1 dirençleri üzerinden şarj olmaya başlar.

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Devrenin baskılı devre (PCB) çizimi. Üst

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Devrenin breadboard üzerine montaj çizimi. Devreyi Breadboard’a yapacak

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Röle, elektro mekanik (bazı çeşitleri elektronik) olarak,

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Elektro Manyetik Rölenin Yapısı ve Elektronik Devrelerde Kullanılan Sembolleri

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Röle Kontaklarının Çekmesi

Röle Bobinine DC gerilim uygulandığı zaman, bobinden geçen akım, bobin

MESOB Meslek ve Teknik Anadolu Lisesi – Eyüp Ersan SÜLÜN – www.ersansulun.com

Röle Kontak Türleri

Rölenin Transistör ile Sürülmesi