電位 (Electric Potential)

電位與位能有密切關係，電位即每單位電荷的位能。
電位為純量，運算不需考慮向量問題。

WEXT  U  U f  U i   Wc (考慮v  constant  Wnet  K  0  WEXT  Wc )

(位能變化)

電位(electric potential)之定義：(電位與電荷大小無關，僅與位置有關)
 
U W W F  s
V   V  EXT   c   c (SI單位 1 V = 1 J/C)
(電位差或電壓) q q q q
 
dU Wc Fc  ds
考慮微量變化 dV   
q q q
 
qE  ds  
Wc以靜電力作功表示 dV     E  ds
q
B  
 V  VB  VA   A E  ds
若要進一步定義電位，則必須設定零位面！ Fig.25.2
 重力場與電場之比較 (考慮均勻場情況)
   
U  U f  U i  WEXT  Wc  (mg  s ) 或  (qE  s )

重力位能： Uf =Ug= mgy 重力位(Ug/m)： Vg = gy

(將地面設為零位面，即Ui = 0 ; s = y)

電位能 Uf = UE = qEy 電位(UE/q) ：VE = Ey

(將板設為零位面，即Ui = 0 ; s=y)

Fig.25.2
均勻電場(uniform field)
     
V    E  ds   E   ds   E  s

電荷沿等位線移動不會造成電位差。
電位沿電場方向呈線性遞減。

如 Fig. 25.3  V=Ed (其中正電荷為，負電荷為+)

電場E的等效單位  1 V/m = 1 N/C

Fig.25.3
等位線或等位面(equipotential)
1.電場線必垂直於等位線。
2.沿等位線移動的電荷不作功。

帶電粒子運動的能量
K  U  0  K  U   qV Fig.25.7

 K  eV (1 eV  1.602  1019 J )

點電荷的電位(potential of point charge)
 kQ
E  Er rˆ  2 rˆ (非均勻電場)
r
B   B B kQ
VB  VA    E  ds   A Er dr   A 2 dr
A r
 kQ   kQ  1  1 
B

     
 r A r
 B Ar
kQ
考慮VB  0 at r   ， 則：V 
r Fig.25.8
多個點電荷的電位
kQi
－利用疊加原理(電位為純量，可直接進行加減)  V  
ri

Case (A) V= 0 (如Fig.25.9)，但E 0 (如Fig.25.10)

Fig.25.9

Fig.25.10
 Case (B) E= 0 (如Fig.25.11)，但V 0 (如Fig.25.12)

Fig.25.12

Fig.25.11

兩點電荷的電位能
kQ kqQ 若極性相同，則U>0，表外力作正功(即保守力作負功)
 U  qV  q ( )
r r 若極性相異，則U<0，表外力作負功(即保守力作正功)
(相當於將兩電荷自無窮遠處等速移至相距 r 處外力所作的功)

r   r kQ kqQ kqQ
U  U (r )  U ()  qV  q(  E  dr )  q  2 dr   U ( r )  (  U()=0)
  r r r
多個點電荷的電位能
kqi q j
U ij  ， but i  j ( 計算總電位能須注意ij )
rij
腦部經閃光刺激後，可激發其電位的分佈

Fig.25.14
(tumor) (Epilepsy)

電位推導電場
 
dV   E  ds   Eds cos    E cos  ds   Es ds
dV
 Es  
ds
    ˆ
考慮三維直角座標系 dV   E  ds  ( Ex i  E y j  Ez k )  (dxiˆ  dyjˆ  dzkˆ)
ˆ ˆ

 ( Ex dx  E y dy  Ez dz )

 dV   V  同理可知   ˆ  V  ˆ  V
E
其中 x          E    V i    j 
ˆ
k
 dx  y , z  const .  x   x   y   z 

連續電荷分佈(continuous charge distribution)

kdq dq
電 (1) dV  V  k
位 r r
(零電位假設在無窮遠)
計
算 B  
(2) VB  VA   A E  ds
方 Fig.25.15

式 (零電位可任意假設，但電場須藉由Gauss’s Law求出)
Example 25.5：

單位環形面積所帶電荷 dq   (2 xdx )

kdq k (2 xdx)

dV   2
r ( x  y 2 )1/ 2

a xdx a (1/ 2) dx
2
V  2 k   2 k 
0 (x  y )
2 2 1/ 2 0 ( x 2  y 2 )1/ 2

a
 2 k  x  y  
 2 2 1/ 2 
 0
Fig.25.16
 2 k  a  y   y 
 2 2 1/ 2
 

1
(  令H  x 2  y 2 & dH  dx 2   ( ) H 1/ 2 dH  H 1/ 2  c)
2
討論:

1.有限圓盤在無窮遠處可近似點電荷，即 y >> a  V  kQ
y
 a 2
 a2 k a 2  kQ
V  2 k  a 2  y 
2 1/ 2
 y   2 k  y   y    k 
y

y y
   2y 
1/ 2
 a2  (  a 2
=Q)
 a  2
其中 (a 2  y 2 )1/ 2  y 1  2   y  1  2   
 y   2y  (二項式展開)
( y  a  a / y  1 )

2.推導電場(習題 Ex.47)

 
d  2
Ey  
V


2 k  a 2  y 2

 
1/ 2
 y   2 k
 dy 
 a  y 
2 1/ 2
 y 

y y

 2 k y  a  y   1  2 k 1  y  a  y 
 2 2 1/ 2   2 2 1/ 2 
   
(同Example 23.8結果)
Example 25.6：
kQ r  
When r > R  E  2
; V  r   V      E  dr
r 

r
r kQ    r kQ dr  kQ   1   kQ
   ( 2 rˆ)  dr
 r  r 2  r 

r
kQ
 V     0  V (r ) 
r
When r < R  E= 0 ; V r  V  R  0
kQ kQ
 V  R   V (r ) 
R R

Example 25.7：
kq Q kq kQ 2
1
導體球的電位能 dW  Vdq  ( ) dq  W 
R 0 R
dq 
2R 2
 QV

(考慮外力將dq自無窮遠移至導體球上所作的功)

Disscussion： U=QV 表單一電荷 ； U=1/2 QV 表系統電荷

導體(conductors)
在靜電平衡狀態下，導體內部與表面的電位皆相同。
導體內部空腔之電場為0，即所謂的屏蔽效應。
B   
VB  VA   A E  ds ; If VB  VA  E  0

在均勻電場中的電中性導體，接近球面等位面為
Fig.25.18
圓形，電力線呈輻射狀。

導體曲率半徑愈小，則電荷密度愈大。
導線相連的導體球
Q1 Q2
V1  V2   4 R 2
 4 R 2
2
 1 1
 2
R1 R2 R1 R2
 1 R2
  1 R1   2 R2
Fig.25.19
 
 2 R1
Fig.25.20
尖端放電(corona discharge or point discharge)
因靠近導體表面 E=/0，由此推知，愈尖
銳處會有較大的電場E，若電場足夠大
(~3106 V/m)，則在空氣中造成放電現象。
Fig.25.21

崩潰(breakdown)電場的發生
－因宇宙射線及大地輻射導致空氣分子部份解離，而電場 作用會導
致已解離的電子加速撞擊其他分子形成更多離子，致使空氣失去
絕緣特性變成導體，造成電暈放電 (corona discharge)。

應用
避雷針(lightning rod)、飛機機翼的拖曳短線、場離子顯微鏡(field-ion
microscopy)、高壓設備的平緩表面(防止放電)。
塵爆(dust explosion)－半徑0.05 mm的灰塵粒子在150V即能放電。
V=kQ/R, E=kQ/R2 V=ER VR
 本章重要觀念發展脈絡彙整

內部電位為定值 尖端放電效應

垂直於電力線(或場線)
導體 等位線或等位面
系統電荷 電位隨電場方向遞減

定義
靜電力作功 電位能 電位 電位差與電場關係 估算電場

點電荷 估算 點電荷電位形式

定義正、負電荷之電位
帶 帶
電 電
球 圓
體 盤

注意:
電位差與電場關係式(需定義零位面) 帶電球體
估算電位能 估算電位方式
點電荷電位形式(零位面定義在無窮遠) 帶電圓盤
 習題
教科書習題 (p.503~p.508)
Exercise: 5,11,15,17,21,23,25,37,43,47,51,57,61,65,73
Problem: 5,7,10,11,12,13

Problem 12 Ans. (b) Er = 2kp cos/r3; E = kp sin /r3

基本觀念習題：
1.請寫出電位差與電場關係式。
kQ
2.若定義無窮遠的電位為零，則請推導點電荷+Q的電位 V  ，
r
其中r為相距點電荷的距離。
3.請說明等位線(或等位面)的特性。
4.請推導導體球與非導體球內外的電位。
5.請說明導體尖端放電原理。
延伸思考習題：(※不列入考試，僅列入加分題)
1.請探討Example 25-5帶電圓盤表面的電位。
2.請列舉電位在生活與科技上的應用。
電容器(Capacitor)
來登瓶 金屬平
儲存電荷 (Leyden jar) 板電容

1.Radios & Tvs (濾波器應用)

應 2.電子計時
3.高能粒子加速器
用
4.防止傳輸線過載
(Von Kleist) Fig.26.1

 電容 (Capacitance)－相當於一比例常數
Q = CV －儲存電荷(Q)正比於兩板間的電位差V
= CV (將V視為一參數V)
Q
C   SI unit: 1 farad=1 coulomb/volt
V
一般電容器的電容值約1pF(1012F)或 1F(106F)。
Fig.26.2
 平行電板電容(Parallel-Plate Capacitor)
 Q Q
E  (  )
0 0 A A

Q Q Q  A
C    0
V Ed ( Q )d d
0 A
電容C與電容的幾何性質有關：
Q  A Q  A
If V  const.  C  Q 
Fig.26.3

Q   0 EA   0VA / d  Q  1/ d
Q
If Q  const.  C  1/ V  V  Ed ( E   const.)  V  d  C  1/ d
0 A

Fig.26.4
Fig.26.5
Example 26.3：孤立導體球的電容？
假設導體球表面帶電+Q，而地面為電容的另一面
Q Q Q R 1
C     4 0 R ( k  )
V V ( R )  V ( ) kQ / R k 4 0

Example 26.4：球形電容器(spherical capacitor)

R2
R2 kQ  kQ   1 1 
V2  V1    Er dr   R1
R2
dr   
 r   kQ   
R1 r2 R
1  R2 R1 
Q Q Q R1 R2
C   
V V2  V1  1 1  k ( R2  R1 )
kQ   
 R1 R2  Fig.26.6

Discussion:
(a) If R2  R1  C  R1 R2 RR R
 1 2  1  4 0 R1 (近似孤立導體球電容)
k ( R2  R1 ) kR2 k
R1 R2 R 2 4 0 R 2   0 A ( A  4 R 2 )
(b) If R2  R1  R , R2  R1  d  C   
d
k ( R2  R1 ) kd d
(近似平行電板電容)
Example 26.5： 圓柱形電容器(cylindrical capacitor)

Q L L 2 0 L
C   
Vb  Va 2k ln(b / a ) 2kln(b / a ) ln(b / a)

b b 2k  b dr b
Vb  Va   
a
Er dr   a r
( ) dr   2 k  a r  2 k  ln
a
Fig.26.7

Q  Q1  Q2
電容串聯(series)
V  V1  V2
Q Q1 Q2 1 1 1
 V  V1  V2      
Ceq C1 C2 Ceq C1 C2

1 1 1 1
( series)       
Ceq C1 C2 CN
Fig.26.8
 V  V1  V2
電容並聯(parallel)
Q  Q1  Q2

 Q  Q1  Q2  CeqV  C1V1  C2V2  Ceq  C1  C2

( parallel ) Ceq  C1  C2      C N

電容儲存的能量(Energy stored in a capacitor) Fig.26.9

dW  Vdq  ( q / C ) dq (假設dq 經導線自負極板移至正極板 )

Q q Q2
W   dq  
 2 QV 2
1 1
CV 2
 UE
0 C 2C

考慮平行電板電容 C 
0 A
, V  Ed
d
1 0 A 1 Fig.26.12
1 2   E 2
( Ad )
U E  CV  2
 ( Ed ) 0
2 2 d 2
1
u E (energy density )  U E / Ad ( 體積)   0 E 2 (能量以電場形式儲存，亦
2 即電容係儲存電能。)
Example 26.7： 如Fig.26.11，求初始狀態(a)及末狀態(b)的兩電容器上
的電荷、電位差及其儲存能量大小。

 Q1  C1V1  5  12  60C

初 Q2  C2V2  3  12  36C
狀 V1  V2  12V
態  1 1
 1 2 1 1 2 (60C )(12V )  360 J
U  QV 
(a) 
U  1 Q V  1 (36 C )(12V )  216 J
 2 2 2 2 2 Fig.26.11

重新組合並聯後，假設兩電容的電荷分別為 Q1, Q2

末 Q1  Q2  60 C  36 C  24 C (1)
 Q1  15C , Q2  9C
狀 
Q Q  Q  Q 
V1  V2  1  2  1  2  3Q1  5Q2  0 (2)
C1 C2 5 F 3 F
態
 1
 
1
(b) Q2 9 C  1 2 1 1 2 (15C )(3V )  22.5 J
U  QV 
V1  V2    3V ; 
C 2 3 F  U  1 QV   1 (9C )(3V )  13.5 J
 2 2 2 2 2
Example 26.9： 孤立金屬球的電位能
1
dU E  u E (dVvolume )   0 E 2 (4 r 2 dr )
2 2
1  kQ 
2
kQ
  0  2   4 r 2 dr   2 dr
2 r  2r
 kQ 
 E  , as r  R 
r2 

kQ 2  kQ 2  1 kQ2


2
UE  r dr    r   2 R Fig.26.13
2 R 2 R
介電質(Dielectrics)
－將電容兩平板間插入非導電物質會導致電容增加，而此非導電物質即介電
質，但也有例外，如：水。
(i)未接電池電位差V會改變，電荷Q不變。
Fig.26.14
V0
 VD  (為介電質常數， 1)

E
 ED  0 (V  Ed )

Q0 Q
 CD   0   C0
VD V0 / 

(ii)連接電池電位差V不變，電荷Q會改變。
Fig.26.15

 QD   Q0
QD  Q0
 CD     C0
V0 V0
( E   /  0  E   E0 ,
 ED  E /    E0 /   E0 )
介電質的優點：
1.可增加電容。
2.可減小電容的體積。
3.可增加臨界電位差(或介電強度)，使電容
不致放電崩潰。
Fig.26.16

介電質強度(dielectric strength)
－使介電質喪失絕緣特性而崩潰放電的
最大電場強度。

介電質的原子觀點(Atomic view of dielectrics)

介電質常數(Dielectric Constant)  相當於該電
介質內部電荷對外部電場的反應程度。
一般分子密度較低，其介電質常數  亦較小，如氣體。
介電質若為非極性分子，則由於外加電場的作用會形成感應電偶極矩
(induced dipole moment)。
感應電偶極矩及永久電偶極矩皆會沿外加電場方向排列，最後在介電質兩端
造成電荷區隔現象，即所謂的電極化(polarization)現象，如Fig.26.17。其中區
隔的感應電荷極性與平板極性相反，在介電質內部形成與外部電場E0 指向相
反的感應電場Ei，導致介電質的淨電場減小，即：
E0
ED  E0  Ei 


說明

Fig.26.17
Fig.26.18
Example 26.10 已知介電質的厚度 t、介電質常數、平行電板的面積A及
分隔距離d，求Fig.26.19的電容？

 E0
E0  and ED 
0 

 V  E0 (d  t )  ED t

  t
  d  t  
 0   
Fig.26.19

Q A 0 A
C  
V   t 1
 d  t    d  t (

 1)
0  

0 A
(note : If   1, then C  )
d
   Qf
 考慮介電質的高斯定律   E  dA  (※以下推導證明僅供參考，不
 列入考試範圍)

 f b  f
E0 fA Qf
ED  E0  Ei       f A b A   Q f  Qb 
  0  0  0  

考慮如右圖虛線的封閉曲面積分：

     f b
 E  dA   D  ( E0  Ei ) A  (  0   0 ) A
E  dA

1 1 Qf Qf
 ( f A   b A)  (Q f  Qb )  
0 0  0 

Fig.26.20
 本章重要觀念發展脈絡彙整
球形電容
平行電板電容 圓柱形電容

儲存電荷 估算 應用電位差與電場關係

僅與幾何形狀有關
能量密度 儲存能量
1
( uE  2  0 E )
2
(U 
Q2 1 1
 QV  CV 2 )
電容器 定義電容值(C=Q/V)
E
2C 2 2
串並聯應用
增大電容
僅與電場相關 定義介電常數 加入介電質 優點 減小電容體積
(1)
增大臨界電位差，避免電容崩潰

電容值C增大(C   C0 )

E0
電場減小( E )


利用電偶極解釋
 習題
教科書習題 (p.525~p.529)
Exercise:
7,11,13,15,19,21,25,29,31,33,34,35,41,42,43,47,57,59,63
Problem: 1,11
Ex34 Ans. (a)None; (b)Halved; (c)Halved
21 2C0
Ex42 Ans.
1   2

基本觀念習題：
1.請推導平行電板電容、圓柱形電容及球形電容之電容值C。
Q2 1
2.請推導電容器儲存的能量為 U E  及能量密度為 u E   0 E 2，
2C 2
其中E表電場。
3.請問電容器加入介電質的優點為何？
 習題

4.何謂介電質強度與介電質常數？
5.請以原子觀點說明介電質內部淨電場減小現象。