ՀԱՅԱՍՏԱՆԻ ՀԱՆՐԱՊԵՏՈՒԹՅԱՆ ՊԱՇՏՊԱՆՈՒԹՅԱՆ ՆԱԽԱՐԱՐՈՒԹՅՈՒՆ

ՄԱՐՇԱԼ Ա. ԽԱՆՓԵՐՅԱՆՑԻ ԱՆՎԱՆ ՌԱԶՄԱԿԱՆ ԱՎԻԱՑԻՈՆ ՀԱՄԱԼՍԱՐԱՆ

ԿԱՊԻ ՖԱԿՈՒԼՏԵՏ

ՌԱԴԻՈՌԵԼԵԱՅԻՆ և ՀԵՌԱՎՈՐ ԿԱՊԻ ԱՄԲԻՈՆ

Ա. Ա. ԱՌԱՔԵԼՅԱՆ

ԿԱՊԻ ՏԵՍՈՒԹՅԱՆ ՀԻՄՈՒՆՔՆԵՐ

Կուրսային նախագծի կատարման մեթոդական ցուցումներ

ԵՐԵՎԱՆ - 2021
 Մեթոդական ցուցումները քննարկվել և հաստատվել է ՀՀ ՊՆ մարշալ Ա.
Խանփերյանցի անվան ռազմական ավիացիոն համալսարանի կապի ֆակուլտետի
ռադիոռելեային և հեռավոր կապի ամբիոնի նիստում (արձանագրություն № 29, առ 01.11.
2021թ.):

Հովիկ Նիկոլայի Առաքելյան - ՀՀ ՊՆ մարշալ Ա. Խանփերյանցի անվան

ռազմական
ավիացիոն համալսարանի կապի ֆակուլտետի
ռադիոռելային և հեռավոր կապի ամբիոնի դասախոս

Խմբագիր՝

ՀՀ ՊՆ մարշալ Ա. Խանփերյանցի անվան ռազմական ավիացիոն համալսարանի կապի

ֆակուլտետի ռադիոռելային և հեռավոր կապի ամբիոնի պետ մայոր Վ.
Իսպիրյան:

ԿԱՊԻ ՏԵՍՈՒԹՅԱՆ ՀԻՄՈՒՆՔՆԵՐ: Կուրսային նախագծի կատարման

մեթոդա-կան ցուցումներ: – Եր.: ՌԱՀ ՏՀԲ, 2021. – 34 էջ:

Ներկայացվում է կուրսային նախագծի կատարման և

պաշտպանության կազմակերպման դրույթները, ինչպես նաև
ձևավորմանը ներկայացվող պահանջները:
Մեթոդական ցուցումները մշակվել է «Կապի տեսության հիմունքներ»
դասընթացի ծրագրի համաձայն և նախատեսված է ՀՀ ՊՆ մարշալ
Արմենակ Խանփերյանցի անվան ռազմական ավիացիոն համալսարանի
«Ռազմական կապի տեխնիկա» մասնագիտության կրթական ծրագրով
ուսումնառող կուրսանտների համար:

© Ռազմական ավիացիոն համալսարան, 2021

© Առաքելյան Հ.Ն. 2021
© Ձևավորում: ՌԱՀ ՏՀԲ, 2021

ԲՈՎԱՆԴԱԿՈՒԹՅՈՒՆ
2
1. Ներածություն 3
2. Ընդհանուր դրույթներ 5
3. Կուրսային նախագծի առաջադրանքներ 7
4. Կուրսային նախագծի բովանդակությունը 8
5. Լուսատար թելիկների կառուցվածքը եվ տիպերը 9
6. Լուսատար թելիկների թվային ապերտուրան 13
7. Մարումները օպտիկական մալուխներում 17
8. Օպտիկական ճառագայթման աղբյուրները 21
9. Կուրսային նախագծի տեխնիկական առաջադրանք 25
10. Եզրակացություն 29
11. Օգտագործված գրականության ցանկ 31
12. Հավելված 1 32
13. Հավելված 2 33
14. Հավելված 3 34

ՆԵՐԱԾՈՒԹՅՈՒՆ

Մեթոդական ցուցումները մշակվել է «Կապի տեսության հիմունքներ»

դասընթացի ծրագրի համաձայն և նախատեսված է ՀՀ ՊՆ մարշալ
Արմենակ Խանփերյանցի անվան ռազմական ավիացիոն համալսարանի
«Ռազմական կապի տեխնիկա« մասնագիտության կրթական ծրագրով
ուսումնառող կուրսանտների համար:

3
 Կուրսային նախագիծը հանձնարարվում է IV կուրսի I կիսամյակում:
Այն ուղղված է խորացնելու կուրսանտների գիտելիքները, որոնք ձեռք են
բերվել տեսական և գործնական պարապմունքների ընթացքում, ինչպես
նաև ձևավորելու տեղեկատվության ինքնուրույն որոնման և նյութի
ուսումնասիրման հմտություններ ըստ ընտրված թեմաների:
Կուրսային նախագծի նպատակն է ամրապնդել և ընդհանրացնել
ստացած գիտելիքները, սովորեցնել կուրսանտներին ինքնուրույն կիրառել
դրանք գործնական խնդիրների լուծման համար, ձևավորել նրանց մոտ
նախագծելու, հաշվարկներ կատարելու, ինքնուրույն գիտական
հետազոտություններ իրականացնելու և իրենց կողմից ընդունած
որոշումները հիմնավորելու կարողություններ:
Կուրսային նախագծի (աշխատանքի) կատարման հիմնական
խնդիրներն են`
- համակարգել և ամրապնդել ձեռք բերված ընդհանուր և
մասնագիտական կոմպետենցիաները,
- համակարգել, խորացնել և ամրապնդել դասընթացի
ուսումնասիրման ընթացքում ձեռք բերված տեսական և գործնական
գիտելիքները,
- ցուցաբերել ֆիզիկական ու մաթեմատիկական մոդելավորման (այդ
թվում և ԷՀՄ օգտագործմամբ) կարողություն,
- զարգացնել կուրսանտների և ունկնդիրների մոտ ստեղծագործ
մտածելակերպ, տարբեր աղբյուրների հետ աշխատելու, վերլուծելու ,
արդյունքներ ամփոփելու, եզրակացություններ կատարելու և
առաջարկություններ ներկայացնելու կարողություններ ,
- առաջացնել հետաքրքրություն գիտահետազոտական
աշխատանքների նկատմամբ,
- ձեռք բերել լսարանի առջև կուրսային նախագծի պաշտպանության
փորձ:

1. ԸՆԴՀԱՆՈՒՐ ԴՐՈՒՅԹՆԵՐ

Որպես կուրսային նախագծի թեմա առաջադրվում է օպտիկաթելային

կապի գծի հաշվարկ:
Կուրսանտներին տրվում է 2-րդ բաժնում բերված կուրսային
նախագծի թեմաների տարբերակները:

4
 Նախագծի կատարման համար անհրաժեշտ ցուցումները բերվում են
3-րդ բաժնում:
Կուրսային նախագծի չկատարելը սահմանված ժամկետում
համարվում է ակադեմիական պարտք:
Կուրսային նախագիծ կատարելիս կուրսանտը պարտավոր է`
- ուսումնասիրել ղեկավարից ստացած առաջադրանքը,
պարզաբանել նպատակային առաջադրանքը, հետազոտման առարկան և
մեթոդները (եթե այն ղեկավարի կողմից նշված չէ), պաշտպանության
ներկայացվող նյութերի բովանդակությունը, պահանջող հարցերը և
փաստաթղթերը,
- առաջադրանքը ստանալուց հետո ղեկավարի օգնությամբ մեկ
շաբաթվա ընթացքում կազմել աշխատանքի կատարման օրացուցային
պլան (հավելված 3),
- ընտրել և ուսումնասիրել առաջադրված և լրացուցիչ
գրականությունը, կուրսային նախագծի թեմային անհրաժեշտ
նորմատիվային փաստաթղթերը, ընտրել հետազոտման հաշվարկի մեթոդը
(եթե այն նշված չէ),
- առաջադրանքի ծավալին համապատասխան մշակել անհրաժեշտ
նյութերը (բացել հարցերի բովանդակությունը, ցույց տալ վերլուծման
մեթոդները և առարկայական շրջանի նկարագիրը և օբյեկտի
հետազոտումը կամ նախագծումը, հաշվարկների վերլուծման մեթոդները ,
տարբեր տեսակի տեխնիկայի վերամշակման դեպքում խնդրի
ձևայնացման մեթոդները և այլն), ձևավորել և հաստատված ժամկետում
ներկայացնել ղեկավարին ստուգելու և եզրակացություն տալու համար ,
- աշխատանքի պաշտպանության համար անհրաժեշտության
դեպքում պատրաստել ցուցադրական (դիդակտիկ) նյութեր,
- պարապմունքների դասացուցակների համաձայն նշանակված օրը
ներկայացնել կուրսային նախագիծը, ճիշտ ձևավորված և
պաշտպանության համար ղեկավարի եզրակացությամբ:
Կուրսային նախագիծը իրենից պետք է ներկայացնի նյութի հակիրճ
ավարտված շարադրանք, լրացուցիչ գծագրեր և պարունակի
առաջադրանքին համապատասխան հաշվարկային մաս:
Կուրսային նախագծի ծավալը պետք է կազմի տպագիր 20-25 էջ:
Կուրսային նախագիծը ունի հետևյալ կառուցվածքային տարրերը՝
- տիտղոսաթերթ (հավելված 1),
- առաջադրանքի ձևաթերթ (հավելված 2),
- օրացույցային պլան (հավելված 3)
- ներածություն, որտեղ ներկայացվում են թեմայի նշանակությունը և
արդիա-կանությունը, ձևակերպվում է աշխատանքի նպատակը և
խնդիրները,
- հիմնական մաս, որը հիմնականում բաղկացած է 2 բաժնից. առաջին
բաժնում շարադրվում են մշակվող թեմայի տեսական հիմքերը՝ հարցերի
պատմությունը, խնդրի մշակվածության մակարդակը տեսությունում և
գործնականում` կատարելով գրականությունների համեմատական
վերլուծություններ, երկրորդ բաժինը գործնական մասն է , որը
պարունակում է հաշվարկներ, աղյուսակներ, գրաֆիկներ, գծագրեր և այլն ,
- վերջաբան, որը պարունակում է եզրակացություններ և ցուցումներ
կատարված աշխատանքի հնարավոր գործնական կիրառման մասին,
- օգտագործված գրականության ցանկ,
- հավելվածներ (ըստ անհրաժեշտության):
Ըստ կառուցվածքի կուրսային նախագիծը բաղկացած է
բացատրագրից (հաշվարկաբացատրագրից) և գործնական մասից:

5
 Բացատրագրի (հաշվարկաբացատրագրի) բովանդակությունը
ընդգրկում է`
 օպտիկական կապի գծերի առավելություններն ու
թերությունները,
 լուսատար թելիկների կառուցվածքները և տիպերը
 լուսատար թելիկների թվային ապերտուրան
 օպտիկական թելիկի կրիտիկական հաճախության և ալիքի
երկարության օպտիկական ազդանշանների դիսպերսիան
 օպտիկական ճառագայթման աղբյուրները,
լուսաճառագայթող դիոդների կառուցվածքը
 կիսահաղորդիչ լազերներ
 հաշվարկային բանաձևերը

Կուրսանտը մշակում և ձևավորում է կուրսային նախագիծը մեկ

օրինակով հայերեն կամ ռուսերեն լեզվով տպագիր` A4 (210x297մմ) ֆորմատի
թերթերի վրա, պահպանելով սահմանված ЕСТД, ЕСКД պահանջները
(կոնստրուկտորական փաստաթղթերի միասնական համակարգ ԿՓՄՀ ):
Համակարգչի օգտագործմամբ, որպես կանոն, տեքստը գրվում է
թերթի մեկ կողմի վրա, այն պետք է մուտքագրված լինի, օգտագործելով
Times Armenian կամ Times New Roman տառատեսակները: Էջերի լուսանցքները
հետևյալն են. վերևինը և ներքևինը` 2 սմ, ձախը` 3 սմ, աջը` 1,5 սմ,
պարբերությունը 1,25 սմ, տողերի միջև հեռավորությունը սահմանել
սովորականից 1,5 անգամ մեծ: Հիմնական տեքստը պետք է մուտքագրվի 12
տառաչափսով:
Կուրսային նախագիծը սահմանված ժամկետում թույլատրվում է
ներկայացնել պաշտպանության, եթե այն ավարտված է ամբողջությամբ,
ձևավորված է համաձայն պահանջների:
Կուրսային նախագծի պաշտպանությունը անցկացվում է առարկայի
ամփոփիչ քննության սկսվելուց ոչ ուշ քան 7 օր առաջ: Պաշտպանության
օրը որոշվում է ուսումնական պարապմունքների դասացուցակով :
Կուրսային նախագծի պաշտպանության արդյունքում կուրսանտին
նշանակվում է ստուգարք գնահատականով և գնահատվում է
ՙԿուրսանտների գիտելիքների, կարողությունների և հմտությունների
հսկման և գնահատման կարգի համաձայն` 0-100 միավոր:

2. ԿՈՒՐՍԱՅԻՆ ՆԱԽԱԳԾԻ ԱՌԱՋԱԴՐԱՆՔՆԵՐ

օրինակելի 1-րդ 2-րդ 3-րդ
տարբերակ տարբերակ տարբերակ տարբերակ
Օպտիկական թելիկի բնութագրերը
մջջուկի տրամագիծը` 50մկմ 62,5մկմ 50մկմ 62,5մկմ
2a
թելիկի տիպը աստիճանայ գրադիենտ. գրադիենտ. աստիճան.
ին
միջուկի բեկման 1,45 1, 42 1,44 1,43
ցուցիչը` n1
թաղանթի բեկման 1,42 1,41 1,40 1,42
ցուցիչը` n2
թաղանթի 125մկմ 125մկմ 125մկմ 125մկմ
տրամագիծը` 2b
6
մջջուկի կորուստների 10-10 10-10 10-10 10-10
տանգենսը` tgδ
լրացուցիչ կլանման 1դԲ/կմ 1դԲ/կմ 1դԲ/կմ 1դԲ/կմ
գործակջցը` αլրացուցիչ
նյութական 0,025 0,035 0,015 0,025
դիսպերսիայի
գործակիցը` Yնյութական
Ճառագայթման աղբյուրի
բնութագրերը
- ալիքի 0,85 մկմ 1, 30 1, 15 1, 05 մկմ
երկարությունը` λ
սպեկտորիալ շերտի 2 նմ 2 նմ 2 նմ 2 նմ
լայնությունը`∆λ
ճառագայթման 180մկՎտ 220մկՎտ 280մկՎտ 210մկՎտ
հզորությունը` PΣ
ինֆորմացիայի B=80մԲիթ/վ B=80մԲիթ/ B=80մԲիթ/ B=80մԲիթ/
հաղորդման վ վ վ
արագությունը`
շեղվածությունը` 2φ 0,5 500 440 540 520
շեղ
Ընդունման մասի բնութագրերը
սպեկտորիալ 0,8 0, 65 0,85 0,8
զգայնությունը` Pզգայ նՎտ/(մԲթ/վ) նՎտ/(մԲթ/վ նՎտ/(մԲթ/վ նՎտ/(մԲթ/վ
) ) )
շեղվածությունը 2φ0.5 ընդ=700 2φ0.5 ընդ=56 2φ0.5 ընդ=64 2φ0.5 ընդ=74
Գծի երկարությունը`l 40կմ 50կմ 60կմ 56կմ
Հատուկ պահանջներ զուգահեռ զուգահեռ զուգահեռ զուգահեռ
օպտիկաթելա օպտիկաթել օպտիկաթել օպտիկաթել
-յին գիծ ա-յին գիծ ա-յին գիծ ա-յին գիծ

3. ԿՈՒՐՍԱՅԻՆ ՆԱԽԱԳԾԻ ԲՈՎԱՆԴԱԿՈՒԹՅՈՒՆԸ

ԲԱԺԻՆ 1. ՕՊՏԻԿԱ-ԹԵԼԱՅԻՆ ԿԱՊԻ ԳԾԵՐ: ԱՌԱՎԵԼՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐԸ ԵՎ

ԹԵՐՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐԸ

Օպտիկա-թելային կապը - դա ինֆորմացիայի հաղորդման եղանակ է,

որտեղ որպես ինֆորմացիոն ազդանշանի կրող ծառայում է օպտիկական
տիրույթի լույսի էլեկտրանգնիսական լճառագայթը, իսկ ուղղորդող
համակարգի դերում` օպտիկա-մանրաթելային մալուխները:
7
 1.1 Օպտիկա-թելային կապի գծերի հիմնական առավելությունները
Օպտիկա-թելային կապի գծերի հիմնական առավելություններից
կարելի է նշել.
- լայնաշերտ է և ունեն մեծ ծավալի ինֆորմացիա հաղորդելու
հնարավորություն: Լայնաշերտությունը պայմանավորված է օպտիկական
ազդանշանների տանող հաճախության գերբարձր արժեքներով:
Օպտիկական կապի գիծը թույլ է տալիս ինֆորմացիայի հաղորդման մինչև
1 Տբիթ/վրկ արագություն;
- լույսային ազդանշանի մարման ցածր մակարդակ թելիկում, որն
ապահովում է կառուցել մինչև 100 և ավել կմ երկարության օպտիկա-
թելային կապի գծեր` առանց հաղորդվող ազդանշանի ռեգեներացիայի
(վերաարտադրման);
-կապի կայունությունը կախված չէ արտաքին կողային
էլեկտրամագնիսական, էլեկտրական դաշտերից և կլիմայական
պայմաններից;
-ինֆորմացիայի պաշտպանվածություն` անթույլատրելի կողմնակի
միացումներից: Գործնականում անհնար է ինֆորմացիայի կորզումը կամ
որսումը անմիջապես օպտիկական կապի գծից;
- օպտիկա-թելային կապի գիծը լինելով դիէլեկտրիկ, բարձրացնում է
գծի պայթյունա և հրդեհաանվտանգությունը, որը թույլ է տալիս նրա
օգտագործումը վտանգավոր ռիսկեր պարունակող տեխնոլոգիաններում;
- միջշղթայական անցումային երևույթների բացակայություն;
- օպտիկա-թելային կապի գիծը փռվելով ագրեսիվ միջավայրում չի
քայքայվում և կոռոզիայի չի ենթարկվում: Նրա ծառայության ժամկետը 25
տարուց ոչ պակաս է;
- ունի փոքր ծավալ և շատ թեթև է, նրա մասսան 10-12 անգամ թեթև է
էլեկտրական մալուխներից:

1.2 Օպտիկաթելային կապի գծերի հիմնական թերությունները

Օպտիկաթելային կապի գծերի հիմնական թերություններն են՝
- Օպտիկաթելային կապի գծերի կառուցման համար օգտագործվող
ակտիվ էլեմենտների համեմատաբար բարձր ինքնարժեքը, որոնցով
իրականացվում է լույսային և էլեկտրական ազդանշանների
ձևափոխությունները;
- օպտիկական մալուխների զոդման համար օգտագործվող
տեխնոլոգիական սարքավորումների բարձր գները:
8
 ԲԱԺԻՆ 2. ԼՈՒՍԱՏԱՐ ԹԵԼԻԿՆԵՐԻ ԿԱՌՈՒՑՎԱԾՔԸ ԵՎ ՏԻՊԵՐԸ
2.1 Օպտիկական թելիկի կառուցվածքը:
Օպտիկամանրաթելային մալուխի հիմնական էլեմենտը
հանդիսանում է օպտիկական թելիկը (լուսատարը)` պատրաստված
գլանաձ բարակ ապակե թելիկից, որով հաղորդվում են լույսային
ազդանշանները 0,85...1,6 մկմ ալիքի երկարությամբ և համապատասխանում
է (2,3...1,2) x 1014 Հց հաճախային շերտին:
Լուսատարն ունի երկշերտ կառուցվածք և կազմված է տարբեր բեկման
ցուցիչներ ունեցող (n1, n2) միջուկից և թաղանթից: Միջուկը ծառայում է
էլեկտրամագնիսական էներգիայի հաղորդման համար, իսկ թաղանթը
նախատեսված է ``թաղանթ-միջուկ`` սահմանագծում ապահովելու լավ
պայմաններ` լույսային ճառագայթների անդրադարձման համար:
Թելիկի միջուկը, ինչպես կանոն, պատրաստվում է մաքուր կվարցից
(SiO2): Նրա բեկման ցուցիչը բարձրացնելու համար կվարցին խառնվում է
գերմանիումի կամ ֆոսֆորի օքսիդ (GeO2, Р2О5):
Կվարցային ապակին բնութագրվում է հետևյալ հատկանիշներով.
 բեկման ցուցանիշը 1,46;
 ջերմահաղորդականության գործակիցը` 1,4 Վտ/մկ;
 խտությունը` 2203 կգ/մ3:
Լուսատարի արտաքին թաղանթն ունի երկշերտ կառուցվածք. առաջին
շերտը գլանի տեսքով պատրաստվում է մաքուր կվարցից, իսկ նրա բեկման
ցուցիչը փոքրացնելու համար մաքուր կվարցին խառնվում է բորի В2О3
օքսիդ: Թաղանթի երկրորդ շերտը ունի պաշտպանիչ հատկություն և
գունավորվում է թելիկները իրարից տարբերակելու համար:
Մալուխի մակնիշավորման թվային տվյալներում նշվում է միջուկի և
թաղանթի չափերը
կոտորակի տեսքով. օրինակ. 9/125 – միջուկը 9 մկմ, թաղանթը 125 մկմ:
Թելիկների քանակը մալուխում տատանվում է 2-ից 144, որը ևս տեղ է
գտնում թվային մակնիշավորման մեջ:
Քանի որ լույսը թելիկում կարող է տարածվել միայն մի ուղղությամբ,
ակնհայտ է, որ դուպլեքս կապի կազմակերպման համար անհրաժեշտ է
երկրորդ թելիկը:

9
 Թաղանթ

Պաշտպանիչ
շերտ

ծածկույթ

կաղապար

միջուկ

Օպտիկական թելիկի կառուցվածքը

Օպտիկական թելքի կառուցվածքը

1. Միջուկ
2. Օպտիկական թաղանթ
3. Պաշտպանիչ թաղանթ

Պաշտպան
իչ շերտ
միջուկ

Պաշտպան
իչ շերտ

Մեծամասամբ օպտիկական թելիկների թաղանթի տրամագիծը

կազմում է 125 մկմ: Բազմամոդային օպտիկական թելիկների միջուկի
տրամագիծը կազմում է 50 կամ 62,5 մկմ և 8-10 մկմ` միամոդային
10
օպտիկական թելիկների միջուկի համար: Լուսատարները բնութագրվում են
միջուկի և թաղանթի չափերի հարաբերությամբ` օրինակ 50/125, 62,5/125
կամ 8/125:
Ի տարբերություն էլեկտրական մալուխների, ժամանակակից
օպտիկա-մանրաթելային մալուխը գործնականորեն կարող է ապահովել
հաղորդման անսահմանափակ թողարկման շերտ:

2.2 Լուսատար թելիկների տիպերը:

Լույսի տարածման բնույթը լուսատարում մեծամասամբ կախված է նրա
միջուկի տրամագծից: Լուսատար թելիկներում, որտեղ միջուկի
տրամագիծը համաչափելի է ալիքի երկարության հետ` անվանում են
միամոդային, ընդ որում ստեղծվում է ռեժիմ, որի դեպքում լուսատարով
հաղորդվում է ըդամենը մեկ ճառագայթ (մոդ): Միամոդային թելիկները
հաշվարկված են 1,3 մկմ և 1,55 մկմ սպեկտրյալ տիրույթի համար և ունեն 8-10
մկմ տրամագիծ:
Նշանակալից ավելի մեծ տրամագիծ ունեցող օպտիկական թելիկները
դասվում են բազմամոդային թելիկների շարքին, որոնցում
ապահովվում է մեծ քանակի ճառագայթների (մոդերի) տարածման ռեժիմ:
Բազմամոդային օպտիկական թելիկների տրամագիծը կազմում է 50 մկմ - 65
մկմ և ավել:
Լույսի տարածումը բազմամոդային օպտիկական թելիկում
կատարվում է միջուկի և թաղանթի սահմանագծում լույսի ճառագայթի
բազմակի անդրադարձման շնորհիվ: Օպտիկական թելիկի ուղղորդող
հատկությունների ապահովման համար, անհրաժեշտ է, որպեսզի միջուկի
բեկման ցուցիչը п1 լինի ավելի մեծ, քան թաղանթի п2 բեկման ցուցիչը`
այսինքն ապահովվի п1 > п2 պայմանը: Միայն այս պայմանի դեպքում
օպտիկական ազդանշանը կտարածվի օպտիկական թելիկի միջուկով:
Ինչպես կանոն, օպտիկական թելիկը կառուցվածքային առումով
պատրաստվում է այնպես, որպեսզի թաղանթի п2 բեկման ցուցիչը մնա
հաստատուն, իսկ միջուկի п1 բեկման ցուցիչը կարող է լինել կամ
հաստատուն, կամ փոփոխվի միջուկի լայնական կտրվածքով` կենտրոնից
դեպի թաղանթ:
Կախված օպտիկական լուսատարի միջուկի լայնական կտրվածքով
բեկման ցուցիչի փոփոխման բնույթից, բազմամոդային թելիկները
դասակարգվում են աստիճանային և գրադիենտային տիպերի: Այս
կախվածությունը անվանում են բեկման ցուցիչի պրոֆիլ:
11
 Այն բազմամոդային թելիկներում, որտեղ միջուկի բեկման ցուցիչը մնում
է հաստատուն ամբողջ լայնական կտրվածքով, լույսի ճառագայթը միջուկի
և թաղանթի սահմանագծից անդրադառնում է կտրուկ աստիճանային
զիգզագաձ ուղիով` կոչվում է աստիճանային, իսկ այն բազմամոդային
թելիկներում, որոնցում բեկման ցուցիչը փոփոխվում է միջուկի կենտրոնից
դեպի թաղանթ` անդրադարձված լույսի ճառագայթը տարածվում է ալիքաձ`
անվանում են գրադիենտային:
Միամոդային թելիկում լույսի տարածման հետագիծը միջուկով մոտ է
ուղղագծին:

Աստիճանային

Գրադիենտային

Ընդհանուր առմամբ բեկման ցուցիչի պրոֆիլի կախվածությունը

արտահայտվում է հետևյալ տեսքով.

{[ ( a) ] ¿}¿ {}
g
2 r
n (r)=¿ n21 1−2 Δ r≤a ; (n 21−n22)
Δ=
r>a , 2 n21
որտեղ

3. ԼՈՒՍԱՏԱՐ ԹԵԼԻԿՆԵՐԻ ԹՎԱՅԻՆ ԱՊԵՐՏՈՒՐԱՆ

3.1 Օպտիկական լուսատարի ապերտուրա

Օպտիկական թելիկին ուղղված ոչ բոլոր ճառագայթներն են

տարածվում միջուկով:
Քննարկենք լույսային ճառագայթների անդրադարձման գործընթացը
միջուկի և թաղանթի սահմանագծից:
Երկրաչափական օպտիկայի օրենքով, ընդհանուր առմամբ գոյություն
ունեն.

12
 - ընկնող ճառագայթ` ուղղված հորիզոնական առանցքին որևէ
անկյամբ;
- անդրադարձվող ճառագայթ -
- բեկված ճառագայթ - р ϕ
Ֆիզիկայի կուրսից հայտնի է, որ ընկնող ճառագայթի անկյան
մեծացման հետ բեկման անկյունը աճում է ավելի արագ և ընդ որում
նվազում է բեկված ճառագայթի ինտենսիվությունը: Ժամանակի այն
π
ակնթարթում, երբ բեկվող անկյունը ընդունում է 2 արժեք` բեկված
ճառագայթի ինտենսիվությունը հավասարվում է Օ-ի, իսկ ընկնող և

անդրադարձող ճառագայթների ինտեսիվությունները հավասարվում են:

Ընկնող ճառագայթի անկյունը, որից սկսած գործում է այս պայմանը,

անվանում են ներքին լրիվ անդրադարձման անկյուն

θB :
Թելիկի օպտիկական առանցքի և լույսային կոնի այն ճառագայթի

միջև այն
θ A անկյունը, որի դեպքում կատարվում է ներքին լրիվ
անդրադարձում` անվանում են օպտիկական լուսատարի ապերտուրա:
անդրադարձող ճառագայթների ինտեսիվությունները հավասարվում են:
Ընկնող ճառագայթի անկյունը, որից սկսած գործում է այս պայմանը,
անվանում են ներքին լրիվ անդրադարձման անկյուն :
Թելիկի օպտիկական առանցքի և լույսային կոնի այն ճառագայթի
միջև այն անկյունը, որի դեպքում կատարվում է ներքին լրիվ
անդրադարձում` անվանում են օպտիկական լուսատարի ապերտուրա:

NA =sin θ A= √ n 21−n22 .
Ինչպես տեսնւմ ենք ինչքան մեծ է θ B ,այնքան փոքր է թելիկի θ A
ապերտուրային անկյունը: Անհրաժեշտ է ձգտել, որպեսզի «միջուկի -
թաղանթ» սահմանագծին ընկնող ճառագայթի անկյունը միշտ մեծ լինի θ B ,
ներքին լրիվ անդրադարձման անկյունից, այսինքն գտնվի θ B ,- ից մինչև , իսկ

13
թելիկի միջուկ մտնող ճառագայթը գտնվի ապերտուրային անկյունում
θ A ( φ<θ A❑ )
3.2 Օպտիկական թելիկի կրիտիկական հաճախությունը և ալիքի
երկարությունը

Լուսատարի ֆիքսված d տրամագծի և տարբեր ալիքի երկարության

դեպքում, ճառագայթի տարածման բնութագրող պայմանը կարող է լինել

ինչ որ անկյուն կապված հետևյալ արտահայտությամբ.

Ինչպես հետևում է նկարից, ինչքան մոտ է արժեքով ալիքի երկարությունը

լուսատարի տրամագծին, այնքան փոքր է ալիքի տարածման բաղադրիչը:

Սահմանային պահը` , որի դեպքում լուսատարի երկյաքով

բացակայում է էներգիայի հաղորդումը:

Հաշվի առնելով, որ , և ենթադրելով, որ իրականացվում է

լրիվ ներքին անդրադարձման պայմանը, այսինքն
γ =θ B կարելի է գրանցել
,

Տեղադրելով կստանանք`

√
2

կամ
λ o =d 1−
( )
n2
n1
,

c c 1
f o= =

√
λo d 2

կամ
1−
( )
n2
n1

կստանանք կրիտիկական ալիքի երկարությունը և հաճախությունը:

Ընտրելով լուսատարի բնութագրերը այնպիսին, երբ հաղորդվող

հաճախությունը մոտ լինի կրիտիկականին, կարելի է իրականացնել ալիքի

14
տարածման միամոդային ռեժիմ: Թելիկի տրամագծի մեծացման և ալիքի
երկարության փոքրացման պարագայում կտրուկ մեծանում է մոդերի
քանակը: Ընդհանու առմամբ մոդերի քանակը օպտիկական լուսատարում
կարելի է հաշվել հետևյալ բանաձևով.

V2
N=
( 2g )
2 1+
,
որտեղ g ցուցիչ է, որը գնահատում է թեքության աստիճանը:
Մասնավորապես` բեկման պարաբոլիկ օրենքով փոփոխման դեպքում
g=2

Ընդհանուր առմամբ բեկման ցուցիչի պրոֆիլի կախվածությունը

արտահայտվում է հետևյալ տեսքով.

{[ ( a) ] ¿}¿ {}
g
2 r
n (r)=¿ n21 1−2 Δ r≤a ;
r>a ,

Որտեղ

(n 21−n22)
Δ=
2 n21

g=2 դեպքի համար

[ ( )]
2 1
r 2
n1 (r )=n1 1−2 Δ
a
.

Δ
Կվարցային ապակու համար n1 = 1,51 , իսկ -ն n2 - ի տարբեր
արժեքների համար ստացվող արժեքները բերված են աղյուսակում

Δ -ի կախվածությունը n2-ից Աղյուսակ

n2 1,49 1,495 1,5 1,505

Δ 0.013 0,0099 0,0066 0,0033

15
 4. Մարումները օպտիկական մալուխներում

4.1 Կորուստները օպտիկական մալուխներում:

Ազդանշանների մարումները օպտիկաթելային մալուխներում

փաստեր են, որոնք սահմանափակում են գծի ռեգեներացիոն
հատվածների հեռավորությունները: Մարման գործակիցը α (դԲ/կմ)
պայմանավորված է հաղորդվող օպտիկական ազդանշանի հզորության

սեփական կորուստներով αս և մալուխի կառուցվածքային լրացուցիչ

կորուստներով αմ, այսինքն α= αս+ αմ : Սեփական կորուստները

հիմնականում բնորոշվում են երեք փաստերով.
- էներգիայի ծախսը օպտիկական թելիկի դիելեկտրիկի բևեռացման
վրա αբ ;
- էներգիայի ցրումը շրջապատող միջավայր αց;
- էներգիայի կլանումը պայմանավորված թելիկի նյութի
անհամասեռությամբ αխ:
Այսինքն αս= αբ+ αխ+ αց
Հիմնական կորուստները ցրման արդյունքում գլխավորապես
պայմանավորված են օպտիկական թելիկի նյութի բեկման ցուցիչի
անհամասեռություններով և ջերմային ֆլուկտակցիայով, որոնք
անխուսափելի են ապակու պատրաստման տեխնոլոգիայում
( ջերմային մշակում): Այս կորուստները կախված են ալիքի
երկարությունից և ունի հետևյալ կախվածութկունը` α ց = Кց/λ4, որտեղ Кց
ցրման գործակիցն է և ապակու համար այն կազմում է 1...1,5.:

Օպտիկական ազդանշանների հզորության լրացուցիչ կորուստները

պայմանավորված է թելիկի վրա պաշտպանիչ պոլիմերային շերտի
ծածկույթով և նրա դեֆորմացիայով մալուխի հավաքման ժամանակ:
Ինչքան հաստ է պաշտպանիչ շերտի հաստությունը, այնքան փոքր են
լրացուցիչ կորուստները, սակայն այն շատ հաստացնել ցանկալի չէ, քանի
որ վատացնում է մալուխի ճկունությունը, քաշը, ծախսը և այլն: Այդ է
պատճառը, որ տիպային բազմամոդային մալուխների չափերը վերցրված

16
են 62,5/125 կամ 50/125, ընդ որում պաշտպանիչ շերտի մարման
գործակիցը չի գերազանցում 0,1 դԲ/կմ.:

Ինչ վերաբերվում է միամոդային մալուխներին, ապա այստեղ

պաշտպանիչ շերտի հաստությունը մի քանի անգամ գերազանցում է
թելիկի միջուկի տրամադծին, որը կազմում է ըդամենը 8... 10 մկմ և
նախատեսված է մեկ մոդի տարածման համար: Մալուխների
ունիֆիկացիայի նպատակով միամոդային մալուխների արտաքին
տրամագիծը ևս վերցրված է 125 մկմ:

4.2 Օպտիկական ազդանշանների դիսպերսիան:

Օպտիկական թելիկով հաղորդվող ազդանշանները տարածության

վրա փոքրանում են ոչ միայն ամպլիտուդով, այլև փոխվում է նրա տեսքը`
իմպուլսները լայնանում են, այսինքն մեծանում են տևողությամբ, ինչպես
պատկերված է նկարում: Այս երևույթը անվանում են դիսպերսիա: Ընդ
որում ինչքան երկար է օպտիկական թելիկը, այքան ակնառու է դառնու
դիսպերսիայի երևույթը, որի համար մտցված է դիսպերսիայի գործակից
հասկացությունը D, նանովրկ/կմ:

Օպտիկական իմպուլսների տևողության մեծացմամբ սահմանվում է

հաղորդման սահմանային արագությունը և որոշվում է ռեգեներացիոն
հատվածների երկարությունը:
Այսպիսով, դիսպերսիան և մարումները հանդիսանում են օպտիկաթելային
հաղորդման հիմնական բնութագրերը: Հակիրճ ուսումնասիրենք
դիսպերսիայի առաջացման պատճառները օպտիկական կապի գծերում:
Ընդհանուր առմամբ դիսպերսիան պայմանավորված է երեք փաստերով.

17
- Օպտիկական թելիկով տարածվող մոդերի փուլային
արագությունների տարբերությամբ;
- Օպտիկական թելիկի ուղղորդող կառուցվածքային
առանձնահատկությամբ;
- Օպտիկական թելիկի պատրաստված նյութի հատկությամբ:
Դիսպերսիան համապատասխանաբար դասակարգվում է միջմոդային
(Tմմ) , ներմոդային (Tնմ) և նյութական (Tնյթ):
Օպտիկական թելիկով ֆիքսված երկարությամբ ալիքով տարածվող
մոդերի արագությունների ուսումնասիրությունը ցույց տվեց, որ այդ
մոդերի տարածման ժամանակը գծի սկզբից դեպի վերջ անհավասար են:
Արդյունքում հաղորդվող իմպուլսի տևողությունը մեծանում է (այդ
տարբերությունը ակնհայտ երևում է նկարում), որի թվային արժեքը
համապատասխանում է ամենադանդաղ և ամենաարագ տարածվող
մոդերի անցած ժամանակների տարբերությանը: Նշված գործընթացը
կոչվում է միջմոդային դիսպերսիա (T մմ): Միջմոդային դիսպերսիան ի հայտ
է գալիս միայն բազմամոդային ալիքի տարածման դեպքում` ընդ որում
անցման ժամանակը կախված է ճառագայթի ըկնման Θ1 անկյունից և
որոշվում է t(Θ1) = Ln1/c*cosΘ1 բանաձևով: Բանաձևից հետևում է ալիքի
տարածման ժամանակը մեծանում է Θ1 անկյան մեծացման հետ
զուգահեռ: Հաշվարկելով ալիքի անցման ամենադանդաղ և ամենաարագ
ժամանակահատվածները` tmax = Ln1/c*cosΘ1max = Ln12/c*n2;
tmin=Ln1/c, դժվար չէ համոզվել, որ նրանց տարբերությունը, որը բնորոշում
է իմպուլսի աղավաղումը գծի վերջում` արտահայտվում է τմմ = tmax -
tmin = Ln1(n1 - n2)/cn2. Քանի որ (n1 - n2)/n1 = Δ , իսկ սովորաբար n1/n2 ≈ 1,
ապա τմմ= (n1Δ/c)L.: Բանաձևից հետևում է, որ միջմոդային դիսպերսիան,
պայմանավորված իմպուլսի տևողության մեծացմամբ, կախված է
օպտիկական թելիկի միջուկի և թաղանթի բեկման ցուցիչների
տարբերությունից. ինչքան փոքր է այդ տարբերությունը, այնքան փոքր է
իմպուլսի աղավաղումը:
Մյուս կողմից իմպուլսի տևողության մեծացումը գծի ելքում,
համեմատական է գծի L երկարությանը:
Ներմոդային դիսպերսիան պայմանավորված է օպտիկական թելիկ
ուղղված ճառագայթի փուլի գործակցի և նրա ալիքի երկարության ոչ
գծային կախվածությունից: Տարածման պրոցեսում փուլային
արագությունները փոփոխվում են, որը բերում է տարբեր ժամանակային

18
հապաղումների` այսինքն իմպուլսի տևողության մեծացման: Իմպուլսի
տևողության մեծացումը τնմ պայմանավորված ներմոդային
դիսպերսիայով, որը ուղիղ համեմատական է օպտիկական ճառագայթման
սպեկտորի լայնությանը Δλ:
τնմ = ΔλLВ(λ) (պիկվրկ/կմ*նանոմետր):

Կախված օպտիկական գծի կառուցվածքից, դիսպերսիան ի հայտ է գալիս

յուրովի. բազմամոդային աստիճանային համակարգում գերակշռում է
միջմոդային դիսպերսիան, որի դեպքում նրա գործակիցը հասնում է մեծ
արժեքների (Dմմ = 20...50 նվրկ/կմ): Գրադիենտային բազմամոդային
օպտիկական համակարգում թելիկի առանցքին մոտ ճառագայթները
անցնում են կարճ ճանապարհ, սակայն համեմատաբար մեծ
տարբերությամբ բեկման ցուցիչներ ունեցող միջավայրով, իսկ
մակերևույթին մոտ գտնվող ծայրամասային ճառագայթները անցնում են
երկար ճանապարհ, բայց համեմատաբար փոքր տարբերությամբ
բեկման ցուցիչներ ւնեցող միջավայրով` այսինքն մեծ արագությամբ:
Արդյունքում օպտիկական թելիկի միջուկով տարբեր ճառագայթների
անցման ժամանակահատվածները հավասարվում են և այստեղ վճռորոշ
գործոնը հանդիսանում է նյութի դիսպերսիան: Ալիքի երկարության
մեծացման հետ նյութի դիսպերսիայի գործակիցը փոքրանում է, 1,1... 1,6
մկմ ալիքների տիրույթում այն գտնվում է 2...3 նվրկ/կմ:

Աստիճանային օպտիկա-թելային մալուխներում միամոդային

աշխատանքային ռեժիմում միջմոդային դիսպերսիան բացակայում է,
նրանցում ի հայտ է գալիս ներմոդային և նյութական դիսպերսիան:

Օպտիկա-թելային մալուխներում, դիսպերսիոն հատկությունները

կախված են նաև օպտիկական հաղորդիչի լույսի աղբյուրի տեսակից.
լազերային դիոդների պարագայում, ճառագայթվող նեղ հաճախային
շերտի շնորհիվ, օպտիկական թելիկի դիսպերսիան աննշան է:
Լուսաճառագայթող դիոդների դեպքում ճառագայթվող հաճախային
շերտի շերտը բավականին լայն է, որի հետևաքով օպտիկա-թելային
մալուխների դիսպերսիոն հատկությունները արտահայտվում են շատ
ցայտուն:

Օպտիկա-թելային մալուխներում գործածվում են այնպիսի

հասկացություններ ինչպիսիք են թողարկման շերտը և լայնաշերտության
19
գործակիցը: Թողարկման շերտը (Δf ) հանդիսանում է այն
հաճախությունների շերտը, որոնց սահմաններում օպտիկական մալուխի
ամպլիտուդա-հաճախային բնութագրի արժքը մեծ կամ հավասար է նրա
մաքսիմալ արժեքի կեսին: Թողարկման շերտը հաշվարկվում է հետևյալ
բանաձևով` Δf = 0,44/τ: Օրինակ, եթե τ = 2 նվրկ, ապա Δf = 220 ՄՀց:

Մյուս կողմից, օպտիկական մալուխի երկարության մեծացման հետ,

փոքրանում է հաղորդվող օպտիկական ազդանշանի հաճախային շերտը`
արդյունքում փոքրացնելով հաղորդվող օպտիկական ազդանշանի թելիկի
թողարկման շերտը: Իր հերթին հաղորդվող օպտիկական ազդանշանի
հաճախային շերտի ընդարձակումը բերում է օպտիկական գծի
երկարության կտրուկ սահմանափակման: Լայնաշերտության
գործակիցը КF հաշվարկվում է 1 կմ օպտիկական մալուխի թողարկման
շերտով (ՄՀց*կմ): Համեմատելով տարբեր օպտիկական մալուխների
պարամետրերը, անհրաժեշտ է նշել, որ ամենամեծ լայնաշերտության
գործակից ունեն միամոդային օպտիկական մալուխները:
Լայնաշերտության գործակիցը КF - ը կարող է հաշվարկվել նաև հետևյալ
բանաձևով. КF = 0,44/D. Օրինակ , եթե D = 1 նվրկ/կմ, ապա КF = 440 ՄՀց
կմ.

5. ՕՊՏԻԿԱԿԱՆ ՃԱՌԱԳԱՅԹՄԱՆ ԱՂԲՅՈՒՐՆԵՐԸ

5.1 Լուսաճառագայթող դիոդների կառուցվածքը:

Օպտիկական հաղորդիչը, կամ օպտոէլեկտրոնային մոդուլը,

նախատեսված է հաղորդվող էլեկտրական տեսաիմպուլսները
օպտիկական ռադիոիմպուլսների շարքի ձևափոխելու համար, որոնց
հաճախությունը համապատասխանում է օպտիկական ճառագայթիչի
ալիքի երկարությանը:

Օպտիկական միասնական հաղորդիչի կազմի մեջ մտնում են

օպտիկական ճառագայթիչը, մուտքային էլեկտրական ազդանշանների
ձևափոխիչը և կասկադների աշխատանքային ռեժիմների
կայունարարը, ինչպես նաև լույսային ճառագայթը օպտիկական
մալուխի մեջ ներմուծման սարքը (օպտիկական կցորդիչը):
20
 Օպտիկական ճառագայթիչը պետք է բավարարի հետևյալ
պայմաններին.

- գեներացնի օպտիկական ճառագայթում տրված ալիքի

երկարությամբ;

- ապահովի օպտիկական մալուխի մեջ լույսային ճառագայթի

ներմուծման բարձր ՕԳԳ;

- ունենա փոքր չափեր, կշիռ և ծախսող հզորություն;

- պարզ կառուցվածք և հուսալիություն:

Այս պայմաններին մեծապես համապատասխանում են

օպտիկական լուսատունները, որոնք ունեն են կիսահաղորդիչ
կառուցվածք: Գործնականում օգտագործվում են երկու տիպի
կիսահաղորդիչ լույսի աղբյուրներ. լուսադիոդներ և կիսահաղորդիչ
լազերներ: Կիսահաղորդիչ լույսի աղբյուրների աշխատանքի հիմքում
ընկած է ինժեկցիոն էլեկտրալյումինիսանցիան: Այս պրոցեսը
իրականացվում է p-n անցման կիսահաղորդիչի վրա շեղման ուղիղ
լարման կիրառմամբ, որի դեպքում n շերտի էլեկտրոնները ինժեկցվում
են p շերտ, որտեղ իրականանում է լիցքի կրիչների ռեկոմբինացիա:
Արդյունքում ազատված էներգիան, որը ճառագայթվում է p-n անցումից,
ոնի լույսի քվանտների տեսք (ֆոտոններ): Ֆոտոնի էներգիան, որն
արձակվում է լիցքի կրիչների ռեկոբինացիայի շնորհիվ`
համեմատական է Պլանկի հաստատունին. Еф = hf = hc/λ, որտեղ Еф-ը
ֆոտոնի էներգիան է, эВ (1 эВ = 1,6*10-19 ջ); h = 6,626*10-34 -
Պլանկի հաստատունը: f-ը օպտիկական ճառագայթիչի
էլեկտրամագնիսական տատանումների հաճախությունը` Հց, c- լույսի
արագությունը վակումում: Ներկայացված արտահայտությունից կարելի
է հաշվարկել օպտիկական ճառագայթիչի ալիքի երկարությունը` λ =
hc/Еф = 1,24/Еф:

Առաջին օպտիկական ճառագայթիչի պատրաստման տեխնոլոգիան

նախագծվել և փորձարկվել է հելիումի արսենիդի (GaAs) հիմքի վրա:
Հելիումի արսենիդի արգելված շերտի էներգետիկ բացակը հավասար է
1,42 էՎ, իսկ օպտիկական ճառագայթիչի ալիքի երկարությունը,

21
համաձայն վերը բերված բանաձևերի, կարող են հաշվարկվել և ունի
հետևյալ արժեքը. λ = 1,24/Еф = 1,24/1,42 = 0,87 մկմ: Ալիքի
երկարությունը կարելի է փոփոխել` լիգիրացնելով հիմնական
կիսահաղորդիչի նյութը տարբեր խառնորդներով, համապատասխան
մասնաբաժիններով:

Ժամանակակից երկարալիք ճառագայթիչները աշխատում են

ինդիումի ֆոսֆատի InP և նրա միցությունը հելիումի
արսենադֆոսֆադի հետ InGaAsP: Այս միացությունը թույլ է տալիս
օպտիկական ճառագայթիչի ալիքի երկարությունը փոփոխել 0,92...
1,67 մկմ, այսինքն ստանալ լույսի աղբյուրներ 1,3... 1,55 մկմ, որտեղ
օպտիկական մանրաթելում մարման գործակիցը և դիսպերսիայի
երևույթները ունեն ամենափոքր արժեքները:

λ1 = 1,24/0,95 = 1,3 մկմ և λ2= 1,24/0,8 = 1,55 մկմ:

Կանգ առնենք այս սարքերի և նրանց հիմնական

հատկանիշներին ավելի հանգամանորեն: Գոյություն ունեն տարբեր
կիսահաղորդիչ նյութեր, որոնք ունեն համարյա միանման բյուրեղային
կառուցվածք և կարող են կազմավորեն մեկ մոնոբյուրեղ: Նրանց
սահմանագոտում փոփոխվում է արգելող շերտի լայնությունը,
դիէլեկտրիկ թափանցելիությունը և այլ հատկանիշներ:
Ֆոտոնների
ճառագայթ
ում

Էպոքսիդե
թաղանթ GaAs1-xPx

SiO2

Անդրադարձնող թաղանթ

22
 Նկ. Լուսաճառագայթող դիոդների կառուցվածքը

Այսպիսի անցումները կիսահաղորդիչների միջև, որորք ունեն միանման

բյուրեղներ, բայց տարբեր հատկություններ, կոչում են հիպերանցումներ:
Լուսաճառագայթող դիոդների և կիսահաղորդիչ լազերների
սկզբունքային տարբերությունը կայանում է նրանում, որ առաջինների դեպքում
կրիչների ռեկոմբինացիան կրում է է ինքնաբուխ բնույթ, որի պատճառով
լույսային ճառագայթը ելքում ունի ոչ կոհերենտ և թույլ ողղված արտահայտված
տեսք: Արդյունքում ի հայտ է գալիս նաև հաճախային անհամասեռություն:

5.2 Կիսահաղորդիչ լազերներ

Կիսահաղորդիչ լազերները (LASER, Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation) հանդիսանում են կոհերենտ օպտիկական ալիքի
երկարության նեղ ուղղվածության լույսի աղբյուրներ: Կիսահաղորդիչ
լազերների ճառագայթված ալիքի սպեկտորի լայնությունը չի
գերազանցում միավոր նանոմետրեր, իսկ որոշների մոտ նույնիսկ նրանց
տասորդական մասերը:
Բացի օպտիկական ճառագայթման λ ալիքի երկարությունից և Δλ
սպեկտորի լայնությունից, օպտիկական ճառագայթման աղբյուրները
բնութագրվում են հետևյալ պարամետրերով.
- օպտիկական ճառագայթման ելքային հզորությունը:
Լուսաճառագայթող դիոդների մոտ այն կազմում է միլիվատերի
տասորդական մասեր, իսկ կիսահաղորդիչ լազերների մոտ այն կարող է
հասնել մի քանի միլիվատերի;
- օպտիկական ազդանշանի ներմուծման ՕԳԳ-ն թելիկի մեջ
լուսաճառագայթող դիոդների մոտ ոչ ավել 10 % և 60... 80% -
կիսահաղորդիչ լազերների դեպքում;
- անխափան աշխատանքի տևողությունը երկու աղբյուրնների
համար համարյա նույնն են` 106 – 109 ժամ;
- ցածր ինքնարժեք և բարձր հուսալիություն և մասսայական
արտադրության հնարավորություն:
Կիսահաղորդիչ լազերների առավելությունները կայանում են
հետևյալում. փոքր չափեր և քաշ, բարձր ՕԳԳ, ճառագայթի շերտի
նեղությունը և ուղղվածություն, լայնաշերտ ազդանշանով մոդուլման
հնարավորություն:
Որպես թերություն կարելի է նշել մոդուլման մեծ հոսանքները
(տասնյակ և հարյուրավոր միլիԱմպեր):
Կիսահաղորդիչ լազերների վերլուծությունը ցույց է տալիս, որ այն
կարող է արդյունավետ օգտադործվել SDH թվային համակարգով
կառուցված օպտիկաթելային կապի գծերում, որոնք ապահովում են
կապի երկար հեռավորություն և բարձր թողունակություն:

23
ԿՈՒՐՍԱՅԻՆ ՆԱԽԱԳԾԻ ՏԵԽՆԻԿԱԿԱՆ ԱՌԱՋԱԴՐԱՆՔ

1.Օպտիկական թելիկի բնութագրերը.

- մջջուկի տրամագիծը. 2a=50մկմ;

- թելիկի տիպը. աստիճանային;

- միջուկի բեկման ցուցիչը. n1=1,43 ;

- թաղանթի բեկման ցուցիչը. n2=1,425 ;

- թաղանթի տրամագիծը .2b=125մկմ;

- մջջուկի կորուստների տանգենսը. tgδ =10-10;

- լրացուցիչ կլանման գործակջցը. α լրացուցիչ=1դԲ/կմ;

- նյութական դիսպերսիայի գործակիցը. Y նյութական=0,025;

2.Ճառագայթման աղբյուրի բնութագրերը

- ալիքի երկարությունը. λ=0,85 մկմ;

- սպեկտորիալ շերտի լայնությունը.; ∆λ=2նմ;

- ճառագայթման հզորությունը. PΣ=180մկՎտ;

- ինֆորմացիայի հաղորդման արագությունը. B=80մԲիթ/վ;

- ճառագայթի շեղվածությունը.; 2φ =500

0,5 շեղ

24
 3. Ընդունման մասի բնութագրերը

- սպեկտորիալ զգայնությունը. Pզգայ=0,8 նՎտ/(մԲթ/վ);

- ճառագայթի շեղվածությունը 2φ0.5 ընդ=700;

4. Գծի երկարությունը. l=40կմ;

5. Հատուկ պահանջներ` զուգահեռ օպտիկաթելային գիծ:

4. ՕՊՏԻԿԱԿԱՆ ԿԱՊԻ ԳԾԻ ՀԱՇՎԱՐԿ

ԴԻՍՊԵՐՍԻՈՆ ԲՆՈՒԹԱԳՐԵՐԻ ՀԱՇՎԱՐԿ
Թվային ապերտուրան բնութագրում է թելիկի մեջ ճառագայթի

ներմուծման արդյունավետությունը I (θ)=cos θ ուղղվածության

դիագրամայով դիֆուզիոն լույսի աղբյուրից:
N A գր= √ n1 ∆ n ,

որտեղ
Δn=n −n
1 2 , Δn=1 , 43−1 , 425=0 , 005 << n
1 , (ցածր ուղղվածության թելիկ),

``գր`` ինդեկսը ցույց է տալիս, որ թելիկը գրադիենտային է: ``գր``

ինդեքսը այսուհետ կօգտագործվի տեքստում կրճատ գրառման համար:

NA≈ √ n1 Δn=√ 1 , 43⋅0 , 005=0 , 084 .

Մաքսիմալ մոդերի քանակը, որորնք կարող են տարածվել տվյալ կապի

օպտիկական գծում.

V2
M=
2 ,

2 π⋅a
V= NA
որտեղ λ - ապա

( ) ( )
2 2
2 πa ( 2 π )⋅25
NA 0 , 084
λ 0. 85
M= = =120
2 2

Մոդերի խմբերի քանակը`

Q= √ M= √120≈10 . 95 .
Միջմոդային դիսպերսիան, 1կմ երկարության օպտիկական կապի գծում
տարբեր մոդերի անցման ժամանակային հապաղումներն են, քանի որ
ճառագայթները թելիկի միջուկին ընկնում են տարբեր անկյան տակ:

25
 ∆ T մոդ . n1 ∆ n
l
=
n2 c | ∆ n≪ n1
≈
∆ n 0,005
=
c 3 ×10 8
−11
=1, 66 ×10 վրկ/մ =16 , 6 նվրկ/կմ

որտեղ с –ն լույսի արագությունն է:

Նյութական դիսպերսիան հաշվարկվում է թելիկի պատրաստման նյութով.

∆ T նյութ . ∆ λ 2 ×10
−9 −12
10 վ
լ
=
λc
|Y m|= −6 8
×0,025=0.196 ×
մ
=0196 նվրկ/կմ
0 ,85 × 10 ×3 ×10

Թելիկի լրիվ դիսպերսիան մոտավոր հաշվարկվում է միջին

քառակուսային արժեքով.

∆T
l
≈
√( l
+ )(
∆ T մոդ. 2 ∆ T նյութ . 2
l )
=√ 16 ,6 + 0,196 =16 ,61 նվ /կմ
2 2

Քանի որ բազմամոդային թելիկում գերակշռում է միջմոդային

դիսպերսիան, ապա օպտիկական կապի գծի ինֆորմացիոն ծավալը

8
1 c 3 ×10 10
∆ fl= ≈ = =3 ×10 Հց ×մ =30 ՄՀց ×կմ .
2 ∆ T /l 2 ∆ n 2 × 0,005

Դիսպերսիայով պայմանավորված օպտիկական կապի գծի

ռեգեներացիոն հատվածի երկարությունը (հաշվենք, որ 1ՄՀց≈1ՄԲիթ/վ )

∆ fl 30
l∆ T = = =375 մ .
B 80

Ճառագայթի թելիկի մեջ ներմուծման և հանման պարամետրերի

հաշվարկ.
2 2 −9 2
Sմիջուկ=π a =π∗25 =1,963∗10 մ .

Լույսի աղբյուրի պարամետրերը.

0
N A Ճառ .=sin φ0 ,5 ճառ . =sin 25 =0,422 ,
6 0
λ 1 , 3∗10 ∗180 −7
a ճառ. = = 0
=4,138∗10 մ ,
4 × φ0 , 5 ճառ. 4∗45 π
2 2 −12 2
Sճառ . =π∗a ճառ=π∗4,138 =0,5379∗10 մ .

Ճառագայթման աւդյունավետ ապերտուրան.

26
 {
S միջ .
, երբ S ճառ. ≤ S միջուկ .
Sարդյուն .ճառ . = 2 S ճառ .
0 ,5 , երբ S ճառ. > S միջուկ.

−9
1,963 ×10 3
Sարդյուն . Ճառ. = −13
=1,825 ×10 .
2 × 0,5379× 10

Ընդունիչի բնութագրերը.
0
N A ընդ . =sin φ 0 ,5 ընդ=sin 60 =0,866,
−6 0
λ 1 ,3∗10 ∗180 −7
a ընդ .= = 0
=3,104∗10 մ ,
4 ×φ 0 ,5 ընդ . 4∗60 π
2 2 −14 −13 2
S ընդ . =π a ընդ . =π∗3,104 ∗10 =3,026∗10 մ .

Ճառագայթի օպտիկական թելիկ ներմուծման ՕԳԳ-ն

{
1, երբ NA Ճառ. ≤ NA
ηմուտք =
( )
2
NA
S արդյուն .Ճառ ,երբ NA Ճառ. > NA
NA ճառ.

ηմուտք =1,825 ×103 × ( 0,174

0,707 )
=449 η մուտք =1

Ճառագայթի օպտիկական թելիկից հանման ՕԳԳ-ն.

{
1 ,երբ NA ընդ . > NA

( )
ηելք = NA ընդ
2
η ելք=1
S ընդ ,երբ NA ընդ . < NA
NA

Կլանման գործակցի հաշվարկ:

8 , 69∗π∗n1∗tgδ 8 , 69∗π∗1 , 51∗10−10 −3

α կլ . ≈ = −6
=3,171∗10 դԲ /մ =3,171 դԲ /կմ ,
λ 1 ,3∗10

Որպես թելիկի պատրաստման նյութ վերցրված է ապակի, որի

էմպիրիկական գործակիցը (վակումում լույսի արագության և ապակու
միջով անցնող լույսի ֆազային արագության հարաբերությունը) հավասար
է.

K p=1, 5 [ մկմ 4∗դԲ/կմ ], ապա

27
 Kp 1 ,5 0,525∗10 դԲ
−3
α ցրում ≈ = = =0,525 դբ /կմ .
λ
4
(1 , 3) 4
մ

Կլանման լրիվ գործակիցը.

α =α մարում + α ցրում +α լրացուցիչ =3,171+ 0,525+1=4,696 դԲ /կմ .

Օպտիկաթելային կապի գծի էներգետիկ պոտենցիալների հաշվարկ

Սպեկտորյալ էներգետիկ պոտենցիալը

PΣ −6
200∗10 ∗10
6
=2∗10 բիթ /վրկ=2∗10 ՄԲիթ /վ .
11 5
Aսպեկտ. = = −9
Pնվազ ընդ 1∗10

Ինտեգրալային էներգետիկ պոտենցիալը

A սպ . 2∗105
=2∗10 .
3
A ինտ. = =
B 100

անցնենք դեցիբելային հաշվարկի

A դԲ=10 lg A ինտ. =10 lg ( 2∗103 )=33 դԲ.

Ռեգեներացիոն հատվածների երկարության և քանակի հաշվարկ

Ռեգեներացիոն հատվածի երկարությունը` սահմանափակված կլանման

փաստով..

A դԲ 33
lα = = =7,029 կմ
α 4,969

Համեմատելով կլանման փաստով պայմանավորված ռեգեներացիոն

հատվածի երկարության` lα (lα=7,07 կմ) և հատվածը պայմանավորված
դիսպերսիայով` l ∆T l∆T=150մ), ընտրում ենք ամենափոքրը` նա էլ
կլինի ռեգեներացիոն հատվածի մաքսիմալ հեռավորությունը` այն է
lռեգ=150մ:

Ռեգեներացիոն հատվածների քանակը.

l 30 5
N ռեգ .= = =2∗10
l ռեգ . 0.15

Ինֆորմացիոն ծավալի մեծացմանը կարելի է հասնել դիսպերսիայի

նվազեցմամբ (մեր դեպքում հիմնականում միջմոդային դիսպերսիան):
Միջմոդային դիսպերսիայի նվազեցմանը կարելի է հասնել արժեքի
նվազեցմամբ ( միջուկի և թաղանթի բեկման ցուցիչների տարբերությունը),
այսինքն օգտագործել գրադիենտային օպտիկական թելիկ:

Եզրակացություն

28
 Կուրսային նախագծում հաշվարկված են օպտիկամանրաթելային
կապի գծի անհրաժեշտ պարամետրերը, որոնց արդյունքում կարելի է
կատարել հետևյալ եզրակացությունները:

Ռեգեներացիոն հատվածների քանակը անհամեմատ մեծ է:

Ռեգեներացիոն հատվածների քանակի նվազեցման համար

անհրաժեշտ է մեծացնել ռեգեներացիոն տեղամասերի երկարությունները:
Քանի որ ռեգեներացիոն հատվածի երկարությունը սահմանափակ է , մեր
պարագայում, պայմանավորված դիսպերսիայով, ապա այն մեծացնելու
համար, կամ պետք է փոքրացնել ինֆորմացիայի հաղորդման
արագությունը, որը ցանկալի չէ, կամ ավելացնել ինֆորմացիոն ծավալը:

Ճառագայթի ներմուծման ՕԳԳ-ն ստացել ենք մեծ 1-ից, որը հնարավոր

չէ, դրա համար ηմուտք =1: Քանի որ ընդունիչի թվային ապերտուրան
(NAընդ=0,866) մեծ է թելիկի թվային ապերտուրայից ( NA=0 ,174 ),ապա կարելի է
ասել, որ ողջ էներգիան թելիկից անցնում է ընդունիչ և այսինքն ճառագայթի
ելքի ՕԳԳ-ն ηելք =1:

Գրականության ցանկ`

1. «Կապի տեսության հիմունքներ» ուսումնական ձեռնարկ, Հ.

Առաքելյան, Երևան, 2003թ.

2. Шарварко В.Г. Интегральная и волоконная оптика: Учебно-методическое пособие:

Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2001, 140 с.
3. Гауэр Дж. Оптические системы связи: Пер с англ. - М.: Радио и связь, 1989, - 504 с.
4. Оптические системы передачи: учебник для вузов; под ред.В.И. Иванова. - М.: Радио
и связь. - 1994. - 224 с.

29
 Հավելված 1

«ՀԱՍՏԱՏՈՒՄ ԵՄ»

ՌԱԴԻՈՌԵԼԵԱՅԻՆ և ՀԵՌԱՎՈՐ ԿԱՊԻ ԱՄԲԻՈՆԻ ՊԵՏ

մայոր ________________ Վ.ԻՍՊԻՐՅԱՆ

ՙ___՚ ________ 20 թ.

__ IV ___ կուրսի ___ Կ-89 ուսումնական խմբի կուրսանտ ______________

Կապի տեսության հիմունքներ առարկայի կուրսային նախագծի

ԱՌԱՋԱԴՐԱՆՔ

Թեմայի անվանումը՝ Օպտիկաթելային կապի գծի հաշվարկ:

1. Նպատակը՝Ամրապնդել և ընդհանրացնել ստացած գիտելիքները և

կիրառել դրանք գործնական խնդիրների լուծման համար:
2. Մշակման ենթակա հիմնական հարցերը՝ Օպտիկաթելային կապի
գծերի հիմնական առավելությունները և թերությունները,
օպտիկական թելիկի կառուցվածքը, oպտիկական լուսատարի
ապերտուրա, մարումները օպտիկական մալուխներում,
oպտիկական ճառագայթման աղբյուրները:
3. Ելակետային տվյալները՝_____________________________________________
____________________________________________________________________
____________________________________________________________________
____________________________________________________________________
____________________________________________________________________
4. Կուրսային նախագծի (աշխատանքի) ամբողջական
ծավալը`______________
5. Առաջարկվող գրականության ցանկը
`__________________________________
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
6. Կուրսային նախագծը ստուգման համար ղեկավարին ներկայացնելու
ժամկետը ` «____» __________ 20 թ.
7. Կուրսային նախագծի պաշտպանությանը պատրաստ լինելու
ժամկետը `
8. «____» __________ 20 թ.

Ղեկավար`______________________________________________________________
պաշտոնը, զին. կոչումը, ստորագրություն, ազգանուն
§____¦ __________ 20 թ.

Առաջադրանքը ընդունված է կատարման «____» ____________ 20 թ.

______ ուսումնական խմբի կուրսանտ _______________________________

ստորագրություն, ազգանուն
Հավելված 2

30
 ՀՀ ՊՆ ՄԱՐՇԱԼ ԱՐՄԵՆԱԿ ԽԱՆՓԵՐՅԱՆՑԻ ԱՆՎԱՆ
ՌԱԶՄԱԿԱՆ ԱՎԻԱՑԻՈՆ ՀԱՄԱԼՍԱՐԱՆ

ԿԱՊԻ ՖԱԿՈՒԼՏԵՏ

Կուրսային նախագիծ

Ամբիոն ` Ռադիոռելեային և հեռվոր կապի

Մասնագիտությու Կապի ռազմական տեխնիկա

ն`
Կուրս ` IV
Խումբ Կ-89
Առարկա` Կապի տեսության հիմունքներ
Թեմա` Օպտիկաթելային կապի գծի հաշվարկ
Կուրսանտ`
Ղեկավար` Հ. Առաքելյան

Երևան-2021

Հավելված 3
«ՀԱՍՏԱՏՈՒՄ ԵՄ»

31
 ՌԱԴԻՈՌԵԼԵԱՅԻՆ և ՀԵՌԱՎՈՐ ԿԱՊԻ ԱՄԲԻՈՆԻ ՊԵՏ

մայոր ________________ Վ.ԻՍՊԻՐՅԱՆ

«____» ___________ 20 թ.

§_________________________________¦ առարկայի կուրսային նախագծի

մշակման
ՕՐԱՑՈՒՑԱՅԻՆ ՊԼԱՆ
Թեմա`_____________________________________________________________
Առաջադրանքից

Նշումներ
Կատարման
Հ/հ Աշխատանքի անվանումը կատարմա
ժամկետը
ն մասին
Թեմայի և առաջադրանքի պարզաբանումը, գրականության
1. ընտրությունը և ուսումնասիրումը, հաշվարկային խնդիրները և
այլն
Կուրսային նախագծի պլան-նախագծի կազմումը և
2. հաստատումը
3. Աշխատանքի նախաբանի մշակում
§Օպտիկաթելային կապի գծի հաշվարկ¦ նախագծի առաջին
բաժնի մշակում:
4. ա. Օպտիկաթելային կապի գծերի հիմնական
առավելությունները և թերությունները,
« Օպտիկական թելիկի կառուցվածքը և տիպերը ¦ երկրորդ
բաժնի մշակում:
5.
ա. Օպտիկական թելիկի կառուցվածքը,
բ. Լուսատար թելիկների տիպերը:
§Լուսատար թելիկների թվային ապերտուրան¦ երրորդ բաժնի
մշակում:
6. ա. Օպտիկական լուսատարի ապերտուրա,
բ. Օպտիկական թելիկի կրիտիկական հաճախությունը և ալիքի
երկարությունը
7. «Մարումները օպտիկական մալուխներում» չորորդ բաժնի
մշակում:
ա. Կորուստները օպտիկական մալուխներում,
8. բ. Օպտիկական ազդանշանների դիսպերսիան
«Օպտիկական ճառագայթման աղբյուրները» հինգերորդ բաժնի
մշակում:
9. ա. Լուսաճառագայթող դիոդների կառուցվածքը,
բ. Կիսահաղորդիչ լազերներ
10. «Օպտիկական կապի գծի հաշվարկ»
Կուրսային նախագիծը ներկայացնել ղեկավարին
11. գրախոսականի
12. Կուրսային նախագիծը ներկայացնել պաշտպանության

_____ ֆակուլտետի ___ կուրսի ______ ուսումնական խմբի

կուրսանտ ___________________________
զին. կոչում, ստորագրություն, Ա.Ա.Հ.
« ____ » ______________ 20 թ.

Հավելված 4

«ՀԱՍՏԱՏՈՒՄ ԵՄ»
ՌԱԴԻՈՌԵԼԵԱՅԻՆ և ՀԵՌԱՎՈՐ ԿԱՊԻ ԱՄԲԻՈՆԻ ՊԵՏ
մայոր ________________ Վ.ԻՍՊԻՐՅԱՆ
32
 «____» ___________ 20 թ.

___ կուրսի ______ ուսումնական խմբի կուրսանտ _________________________

«__________________________________» առարկայի կուրսային նախագծի

äȲÜ-ܲʲ¶ÆÌ

»ٳ` ________________________________________________________________
³é³ç³¹ñ³ÝùÇó
Üå³ï³ÏÁ` ____________________________________________________________
³é³ç³¹ñ³ÝùÇó
Բովանդակությունը`
Նախաբան
1. Բաժինը գլուխը)` ___________________________________________________________
1.1 __________________________________________________________________________
1.2 __________________________________________________________________________

2. Բաժինը գլուխը)` ___________________________________________________________

2.1 __________________________________________________________________________
2.2 __________________________________________________________________________

3. ´³ÅÝը (·ÉËը)` _____________________________________________________________

3.1 __________________________________________________________________________
3.2 __________________________________________________________________________

4. Բաժինը գլուխը)` ___________________________________________________________

4.1 __________________________________________________________________________
4.2 __________________________________________________________________________

5. Բաժինը գլուխը)` ___________________________________________________________

5.1 __________________________________________________________________________
5.2 __________________________________________________________________________

Վերջաբան:Նշվում են աշխատանքի արդյունքները, ընդհանուր

եզրակացությունները:
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________

_____ ֆակուլտետի ___ կուրսի ______ ուսումնական խմբի

կուրսանտ ___________________________
զին.կոչում, ստորագրություն, Ա.Ա.Հ.
§ ____ ¦ ______________ 20 Ã

33