1

‫فصل ششم‬
‫ترانزیستور های اثر میدانی‬
Field effect transistor (FET)

‫ هادی اولیا‬:‫مدرس‬
hadi.owlia@gmail.com
 ‫مقدمه‬ 2

.‫ یک قطعه نیمه هادی که دو طرف آن یک فلز قرار دارد را در نظر بگیرید‬

ε ID
ε

S P-type D

 JFET (Junction FET)

VDS
 MESFET (Metal-Semiconductor FET)
 MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET)
 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET)
 ‫مقدمه‬ 3

G
I
Oxide

S p-type D
Vp
V
‫اشباع سرعت حامل ها‬ ‫‪4‬‬
‫نمایش توزیع حامل در کانال ‪MOSFET‬‬ ‫‪5‬‬
 ‫خازن ‪ MOS‬ایده آل‬ ‫‪6‬‬

‫در اتصال فلز‪-‬اکسید‪-‬نیمه هادی بصورت یک خازن ‪ MOS‬ایده آل هیچ جابجایی باری میان نیمه هادی و فلز‬ ‫‪‬‬
‫صورت نمی پذیرد‪.‬‬
‫‪ SiO2‬شکاف انرژی زیادی نسبت به نیمه هادی ها دارد و لذا در وسط شکل اسالید بعدی هیچ ‪ EC‬و ‪EV‬‬ ‫‪‬‬
‫مشخص نمی کنیم‪ .‬در طرف اکسید حامل ها تجمع پیدا می کنند‪ .‬پس از اتصال سه ماده به یکدیگر حامل‬
‫هایی که تمایل داشتند از نیمه هادی به فلز بروند در پشت اکسید تجمع می کنند که این تجمع وابسته به‬
‫ولتاژ اعمالی است‪.‬‬
‫بسته به نوع ولتاژ اعمالی و مقدار آن سه حالت رخ می دهد‪:‬‬ ‫‪‬‬
‫الف) انباشتگی (‪ :)Accumulation‬پس از اتصال ولتاژ منفی به فلز حامل های اکثریت نوع ‪( p‬که همان حفره‬ ‫‪‬‬
‫ها هستند) جذب فلز می شوند و پشت اکسید تجمع می کنند‪.‬‬
‫ب) تخلیه (‪ :)Depletion‬با اعمال ولتاژ مثبت‪ ،‬حفره ها از مرز اکسید‪-‬نیمه هادی دفع می شوند و ناحیه تخلیه‬ ‫‪‬‬
‫تشکیل می شود‪.‬‬
‫ج) وارونگی (‪ :)Inversion‬با افزایش ولتاژ مثبت‪ ،‬حامل های اقلیت (که همان الکترون ها هستند) جذب فلز‬ ‫‪‬‬
‫می شوند و پشت اکسید تجمع می کنند‪.‬‬
‫حالت انباشتگی در ‪MOSFET‬‬ ‫‪7‬‬
‫حالت تخلیه در ‪MOSFET‬‬ ‫‪8‬‬
‫حالت وارونگی در ‪MOSFET‬‬ ‫‪9‬‬
‫رابطه ولتاژ‪-‬ظرفیت در یک خازن ‪MOS‬‬ ‫‪10‬‬
‫ولتاژ باند‪-‬صاف‬ ‫‪11‬‬
‫ولتاژ آستانه‬ ‫‪12‬‬

‫ثابت می شود که‪:‬‬ ‫‪‬‬

‫و در آن‬ ‫‪‬‬