Dioda

Outline
 P-N Junction Semiconductor
 Forward Bias
 Reverse Bias
 Diode Application
 Type of Diode
 Diode Analysis and Circuit
 Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave, PIV
 Diode: Clipper & Clamper
 Zener Diode Analysis
 Voltage-Multiplier Circuit
P-N Junction Semiconductor
 What is a P - N junction semiconductor and how is it formed?
 The P-N junction semiconductor is a combination of P type semiconductor with N type semiconductor to
achieve the practical utility of both. It's formed, when a P type semi conductor is joined to an N type
semiconductor.

 Apakah P-N junction semiconductor dan bagaimana terbentuknya?

 P-N junction semiconductor merupakan gabungan antara semikonduktor tipe P dan
tipe N yang dapat digunakan dalam aplikasi-aplikasi praktis. P-N junction
semiconductor ini terbentuk, apabila semikonduktor tipe P dihubungkan dengan
semikonduktor tipe N
Cont...
 The P type semiconductor has free holes with positively
charged and the N type semiconductor has free electrons
with negatively charge.
 Semikonduktor tipe P memiliki hole bebas yang
bermuatan positif dan tipe N memiliki elektron
bebas yang bermuatan negatif
 What happens when a PN junction is made?
 When P and N semiconductors are joined to make the PN junction semiconductor diode, the electrons near the
PN junction jump from N to P and holes near the junction jump from P to N.

 Apa yang terjadi ketika P-N junction dibuat?

 Ketika semikonduktor tipe P dan N digabungkan untuk menghasikan diode, elektron
yang berdekatan dengan P-N junction berpindah dari N ke P dan hole yang
berdekatan dengan P-N junction berpindah dari P ke N.
 This phenomenon creates a space charge region or a depletion layer as shown in the video. At this space charge region due to
the movement we have electrons in P region and holes in N region. For some time the electrons move back from P to N in the
space region or depletion layer and some holes move back from N to P in the space region. This continues to happen till
equilibrium is reached. This movement of electrons and holes in the space region or diffusion layer gives rise to Diffusion
current.

 Fenomena ini menghasilkan daerah depletion layer. Pada daerah depletion layer
terdapat elektron di daerah P dan hole di daerah N. Terkadang elektron yang berada
di depletion layer akan kembali dari daerah P ke N, begitu juga untuk hole yang
berada di daerah depletion layer akan kembali dari N ke P. Hal ini akan terjadi terus
menerus sampai keseimbangan tercapai. Pergerakan elektron dan hole ini akan
menyebabkan arus difusi.
 Outline
 P-N Junction Semiconductor
 Forward Bias
 Reverse Bias
 Diode Application
 Type of Diode
 Diode Analysis and Circuit
 Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave, PIV
 Diode: Clipper & Clamper
 Zener Diode Analysis
 Voltage-Multiplier Circuit
Forward Bias
 What is Forward bias and how does it occur?
 Forward bias occurs when the positive terminal of battery is connected to
the P region and the negative terminal of battery is connected to the N
region. In this condition what happens is the positive terminal repels the
holes towards the junction and the negative terminal repels the electrons
towards the junction. Due to this repulsion, the depletion region or space
region narrows down.

 Apakah forward bias itu dan bagaimana bisa terjadi?

 Forward bias terjadi jika terminal positif baterai
dihubungkan dengan daerah P dan terminal negatif
dihubungkan dengan daerah N. Kondisi ini
menyebabkan terminal positif batrei mendorong hole
sampai ke P-N junction dan terminal negatif batrei
mendorong elektron sampai ke P-N junction. Karena
dorongan ini, depletion layer akan menyempit.
 Cont...
 But at a particular condition, If the voltage in the forward bias is above
a specified range, the electrons in the N region drifts through the
junction and migrates to the P region and the holes in the P region
drifts through the junction and migrates to the N region. Now the
current flows across the circuit and this current are called the Drift
current.

 Tetapi pada kondisi tertentu, jika tegangan forward

bias diatas nilai tertentu, elektron pada daerah N akan
masuk pada daerah P dan begitu juga hole pada
daerah P akan masuk pada daerah N. Pada saat ini arus
akan mengalir di sepanjang sirkit, arus ini dinamakan
arus drift.
Outline
 P-N Junction Semiconductor
 Forward Bias
 Reverse Bias
 Diode Application
 Type of Diode
 Diode Analysis and Circuit
 Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave, PIV
 Diode: Clipper & Clamper
 Zener Diode Analysis
 Voltage-Multiplier Circuit
 Reverse Bias
 What is Reverse bias and how does it occur?
 Reverse bias occurs when the negative terminal of the battery is
connected with the N region and positive terminal with the P region. In
this condition holes (positively charged) from the P region get attracted
to the negative terminal of the battery and electrons (negatively
charged) get attracted to the positive terminal of the battery. This
results in the depletion layer to widen up.

 Apakah reverse bias itu dan bagaimana bisa terjadi?

 Reverse bias terjadi ketika terminal negatif batrei
dihubungkan dengan daerah P dan terminal positif
dihubungkan dengan daerah N. Pada kondisi ini, hole
pada daerah P akan ditarik ke terminal negatif
batrei dan elektron pada daerah N akan ditarik ke
terminal positif batrei. Kondisi ini menyebabkan
depletion layer membesar.
 Now the PN junction acts as an insulator and will not allow any current to
flow in the circuit. But at a condition, if the battery voltage is above a
particular limit, which is called as the reverse bias breakdown voltage level. Cont...
Electrons and the holes breakdown through the PN junction and cross over
resulting in the current to flow through the circuit. This break down is called
avalanche breakdown
 In this process the current flowing through the PN junction is very high and
ultimately the PN junction gets damaged due to overheating caused by the
excess flow of current.

 Pada kondisi ini, P-N junction berlaku sebagai

isolator dan tidak ada arus yang mengalir dalam
sirkit. Tetapi pada suatu kondisi jika tegangan
batrei di atas batasan tertentu, yang disebut
sebagai reverse bias breakdown voltage. Elektron
dan hole akan bertabarakan dan melewati P-N
junction, yang menyebabkan arus mengalir di
sepanjang sirkit. Ini dinamakan avalanche
breakdown.
 Aliran arus yang melewati P-N junction ini sangat
besar dan dapat merusaknya dikarenakan
overheating yang disebabkan oleh kelebihan arus.
Junction Diode Symbol and
Static I-V Characteristics
Outline
 P-N Junction Semiconductor
 Forward Bias
 Reverse Bias
 Diode Application
 Type of Diode
 Diode Analysis and Circuit
 Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave, PIV
 Diode: Clipper & Clamper
 Zener Diode Analysis
 Voltage-Multiplier Circuit
Diode Applications
 For such a simple component, diodes have a huge range of uses. You'll
find a diode of some type in just about every circuit
 They could be featured in anything from a small-signal digital logic to
a high voltage power conversion circuit.
1. Rectifier
2. Reverse Current Protection
3. Logic Gates
4. Flyback Diodes and Voltage Spike Suppression
1. Rectifiers
 A rectifier is a circuit that converts alternating current (AC) to direct current (DC). This
conversion is critical for all sorts of household electronics.
 AC signals come out of your house's wall outlets, but DC is what powers most computers and
other microelectronics.
 Current in AC circuits literally alternates -- quickly switches between running in the positive
and negative directions -- but current in a DC signal only runs in one direction
Cont...
 So to convert from AC to DC you just need to make sure current can't run in the negative
direction. Sounds like a job for DIODES!
 A half-wave rectifier can be made out of just a single diode. If an AC signal, like a sine
wave for example, is sent through a diode any negative component to the signal is clipped
out.
Cont...
 A full-wave bridge rectifier uses four diodes to convert those negative signal/cycle in the
AC signal into positive signal/cycle.
 These circuits are a critical component in AC-to-DC power supplies, which turn the wall
outlet's 120/240VAC signal into DC signals 3.3V, 5V, 12V, etc.
2. Reverse Current Protection
 Memasukkan baterai dengan cara yang salah? Atau membalikkan kabel daya merah dan
hitam? Jika iya, mungkin dioda yang harus diucapkan terima kasih karena rangkaian Anda
masih hidup.
 Sebuah dioda yang ditempatkan secara seri dengan sisi positif dari catu daya disebut
sebagai dioda perlindungan terbalik. Ini memastikan bahwa arus hanya bisa mengalir ke
arah positif, dan catu daya hanya memberikan tegangan positif pada rangkaian Anda.
 Kekurangan dari dioda perlindungan terbalik adalah bahwa itu akan menimbulkan beberapa
kerugian tegangan karena penurunan tegangan maju. Hal ini membuat dioda Schottky
menjadi pilihan yang sangat baik untuk dioda perlindungan terbalik.
3. Logic Gates
 Forget transistors! Simple digital logic gates, like the AND or the OR, can be built out of
diodes.
 For example, a diode two-input OR gate can be constructed out of two diodes with shared
cathode nodes.
Cont...
 An AND gate is constructed in a similar manner. The anodes of both diodes are connected
together, which is where the output of the circuit is located
4. Voltage Spike Suppression and Flyback Diodes
 Dioda sering digunakan untuk membatasi kerusakan potensial akibat lonjakan tegangan
yang tak terduga.
 Transient-voltage-suppression (TVS) Dioda-dioda yang dimaksud adalah dioda khusus,
seperti dioda zener - dengan tegangan breakdown yang rendah (biasanya sekitar 20V) -
namun dengan daya besar (biasanya dalam rentang kilowatt). Mereka dirancang untuk
mengalirkan arus dan menyerap energi saat tegangan melebihi tegangan breakdown
mereka.
Cont...
 Flyback Dioda melakukan tugas yang serupa
dalam menekan lonjakan tegangan, khususnya
yang diinduksi oleh komponen induktif, seperti
motor.
 Ketika arus melalui induktor berubah secara tiba-
tiba, lonjakan tegangan diciptakan, mungkin
lonjakan negatif yang sangat besar.
 Dioda flyback yang ditempatkan di seberang
beban induktif akan memberikan jalur yang aman
bagi sinyal tegangan negatif untuk dibuang,
sebenarnya melingkar berulang kali melalui
induktor dan dioda sampai akhirnya meredam.
Outline
 P-N Junction Semiconductor
 Forward Bias
 Reverse Bias
 Diode Application
 Type of Diode
 Diode Analysis and Circuit
 Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave, PIV
 Diode: Clipper & Clamper
 Zener Diode Analysis
 Voltage-Multiplier Circuit
Type of Diode
 The usage of the diode in the electronic modules is vast. However, the special cases of the diodes have
been constructed so that it can operate in reverse bias as well as to satisfy the respective terminologies
 Types of diodes that are used in basic electronics:
1) P-N Junction Diode
2) Zener Diode
3) Schottky Diodes
4) Shockley Diodes
5) Varactor or Varicap Diode
6) BARITT Diode
7) Gunn Diode
8) Light Emitting Diode(LED’s)
9) LASER Diode
10) Photo Diode
11) PIN Diode
12) Fast Recovery Diode
13) Tunnel Diode
14) Step Recovery Diode
1. P-N Junction Diode
 Ini adalah dioda dasar yang terbentuk dari interaksi bahan tipe-p dan tipe-n. Ini berurusan
dengan konsep biasing. Biasing ini terdiri dari 2 mode operasi.
 Dioda ini hanya menghantarkan saat polarisasi maju. Pada polarisasi mundur, tidak ada aliran
arus yang terlihat. Ini menunjukkan bahwa arus diblokir selama polarisasi mundur.
 Dioda-dioda ini digunakan di mana aplikasi yang diinginkan untuk arus rendah seperti dioda
sinyal.one of the basic application of this as the rectifiers
2) Zener Diode



3. Schottky Diodes
 Dioda yang dapat beroperasi dengan
waktu switching yang cepat disebut
dioda Schottky. Drop tegangan yang
dianggap maju sangat rendah.
 Aplikasi dari jenis dioda ini dapat
dilihat dalam rangkaian clamping
yang cukup cepat.
 Dioda ini dapat dilihat beroperasi
dalam rentang gigahertz. Ini dapat
dipilih selama aplikasi frekuensi
tinggi.
4) Shockley Diodes
 Ini adalah jenis dioda lain yang juga digunakan untuk aplikasi switching. Dioda ini memiliki
tegangan dasar yang disebut sebagai trigger voltage.
 Jika tegangan yang diterapkan pada dioda ini kurang dari nilai trigger dasar, maka dioda
tidak dapat melakukan switching karena tetap berada dalam mode resistansi tinggi.
 Namun, ketika tegangan yang diterapkan melebihi nilai trigger dasar, jalur resistansi rendah
akan terbentuk. Dengan cara ini, dioda Shockley beroperasi.
Cont...
 Dioda Shockley sebagai Saklar Pemicu: Ini digunakan untuk menyalakan SCR atau memicu
SCR. Pada rangkaian di bawah ini, jaringan RC disuplai dengan catu daya DC dan kapasitor
mulai mengisi daya.
 Ketika tegangan di sepanjang kapasitor menjadi setara dengan tegangan break over dioda
Shockley, kapasitor mulai membongkar daya.
 Kemudian, dioda beralih ke keadaan ON dan menyalakan SCR dengan memberikan arus
pintu ke SCR.
5) Varactor or Varicap Diode
 Diode varactor atau varicap adalah jenis diode semikonduktor yang kapasitasnya dapat diubah dengan mengubah
tegangan yang diterapkan pada terminalnya. Diode ini biasanya digunakan dalam rangkaian elektronik di mana
kapasitas variabel diperlukan, seperti dalam penyelarasan filter, osilator frekuensi variabel (VFO), dan rangkaian
penalaan otomatis. Nama "varactor" berasal dari kata "variable reactor" (reaktor variabel) dan "varicap" dari
"variable capacitance" (kapasitansi variabel).
Prinsip Kerja

 Diode varactor memanfaatkan properti kapasitansi sambungan PN yang

berubah-ubah tergantung pada tegangan terbalik yang diterapkan. Saat
tegangan terbalik diterapkan pada diode varactor, lapisan deplesi di dalam
sambungan PN akan melebar dan kapasitas sambungan akan menurun.
Sebaliknya, saat tegangan terbalik dikurangi, lapisan deplesi menyempit dan
kapasitas sambungan meningkat. Kapasitansi yang bisa diubah ini
dimanfaatkan dalam rangkaian elektronik untuk berbagai tujuan tuning dan
modulasi.
Karakteristik Utama dan Aplikasi
 Kapasitansi Variabel: Kapasitansi diode varactor dapat diubah dengan mengubah tegangan
terbalik yang diterapkan pada terminalnya.
 Frekuensi Tinggi: Diode varactor dapat bekerja pada frekuensi yang sangat tinggi, membuatnya
cocok untuk aplikasi RF.
 Efisiensi Tinggi: Diode varactor memiliki kerugian rendah, yang membuatnya efisien untuk
digunakan dalam rangkaian frekuensi tinggi.

 Penalaan Osilator: Diode varactor digunakan untuk menyetel frekuensi osilator dengan cara
mengubah kapasitansi di dalam rangkaian LC osilator, yang memungkinkan pembuatan osilator
frekuensi variabel (VFO).
 Penalaan Filter: Dalam rangkaian filter frekuensi tinggi, diode varactor digunakan untuk
mengubah karakteristik filter, memungkinkan penyesuaian respons frekuensi filter secara
elektronik.
 Rangkaian Penerima dan Pemancar: Diode varactor sering digunakan dalam rangkaian pemancar
dan penerima untuk tujuan penalaan dan modulasi frekuensi.
6) BARITT Diode
 Diode BARITT (Barrier Injection Transit-Time) adalah jenis diode semikonduktor yang digunakan
terutama dalam aplikasi elektronik frekuensi mikro (mikrowave). Diode ini bekerja berdasarkan
prinsip waktu transit dari injeksi carrier (pembawa muatan) melalui sebuah potensial barrier
(penghalang potensial). Diode BARITT serupa dalam beberapa aspek dengan diode IMPATT dan
TRAPATT, namun memiliki perbedaan signifikan dalam mekanisme kerjanya yang menghasilkan noise
yang lebih rendah dibandingkan dengan kedua jenis diode tersebut, menjadikannya lebih cocok untuk
aplikasi tertentu yang memerlukan sinyal dengan kualitas yang tinggi
Prinsip Kerja

 Diode BARITT mengandalkan injeksi minoritas carrier dari kontak ke dalam

region semikonduktor di mana mereka bergerak melintasi diode karena
medan listrik. Saat carrier ini transit melalui diode, mereka menginduksi
perubahan dalam kapasitansi yang dapat dimanfaatkan untuk menghasilkan
osilasi. Keunikan dari diode BARITT adalah penggunaan injeksi carrier dan
waktu transit mereka, yang membedakan dari jenis diode transit-time
lainnya.
Karakteristik dan Aplikasi

 Noise yang Rendah: Kelebihan utama dari diode BARITT dibandingkan dengan
diode jenis transit-time lainnya adalah produksi noise yang relatif rendah,
yang membuatnya cocok untuk aplikasi komunikasi dimana kualitas sinyal
sangat penting.
 Efisiensi Moderat: Diode BARITT menawarkan efisiensi yang moderat dalam
menghasilkan daya pada frekuensi mikrowave.
 Aplikasi dalam Frekuensi Mikrowave: Diode ini digunakan dalam rangkaian
penghasil osilasi frekuensi mikrowave, seperti dalam sistem radar, pengirim
sinyal mikrowave, dan aplikasi komunikasi lainnya yang memerlukan noise
rendah.
Kelebihan dan Kekurangan

 Kelebihan:
1. Produksi noise yang rendah dibandingkan diode IMPATT dan TRAPATT.
2. Relatif mudah untuk dibuat dan digunakan dalam rangkaian.
 Kekurangan:
1. Efisiensi dan daya output lebih rendah dibandingkan beberapa jenis diode transit-time
lainnya.
2. Terbatas pada aplikasi frekuensi mikrowave tertentu.
7. Gunn Diode
 Diode Gunn adalah jenis diode semikonduktor yang digunakan untuk menghasilkan gelombang mikro. Tidak seperti
diode tradisional yang bekerja berdasarkan sambungan p-n, diode Gunn beroperasi berdasarkan efek dinamis domain
elektron dalam bahan semikonduktor tertentu seperti Gallium Arsenide (GaAs) atau Indium Phosphide (InP). Efek ini
terjadi ketika tegangan DC diterapkan pada semikonduktor dan menyebabkan munculnya domain-domain elektron
bergerak yang mampu menghasilkan osilasi frekuensi tinggi.
 Di dalam bahan semikonduktor tertentu pada diode Gunn, ketika tegangan DC diterapkan dan melebihi nilai ambang
tertentu, kepadatan elektron akan meningkat hingga mencapai titik di mana mobilitas elektron menurun dengan
peningkatan kepadatan elektron tersebut. Ini menciptakan domain-domain elektron dengan kepadatan tinggi yang
bergerak melalui bahan semikonduktor. Saat domain ini mencapai anoda, ia menyebabkan fluktuasi arus yang dapat
digunakan untuk menghasilkan osilasi pada frekuensi mikro.
Karakteristik dan Aplikasi

 Frekuensi Tinggi: Diode Gunn dapat menghasilkan frekuensi dari beberapa

GHz hingga lebih dari 100 GHz, membuatnya sangat berguna dalam aplikasi
komunikasi microwave dan radar.
 Sederhana dan Efisien: Dibandingkan dengan sumber gelombang mikro
lainnya, diode Gunn menawarkan keuntungan berupa ukuran yang kecil,
efisiensi yang relatif tinggi, dan kemudahan penggunaan.
 Penggunaan: Diode Gunn digunakan dalam oscillator gelombang mikro,
modulator frekuensi, dan sebagai sumber sinyal dalam rangkaian elektronik
frekuensi tinggi. Mereka juga digunakan dalam perangkat radar, pengukuran
kecepatan, dan sistem komunikasi.
Kelebihan dan Kekurangan
• Kelebihan:
• Mampu menghasilkan frekuensi tinggi.
• Memiliki struktur yang relatif sederhana.
• Tahan terhadap lingkungan yang keras.
• Kekurangan:
• Terbatas pada aplikasi frekuensi tinggi.
• Memerlukan tegangan dan arus yang relatif tinggi untuk operasi.

 Diode Gunn berperan penting dalam teknologi komunikasi dan radar, terutama dalam aplikasi yang
memerlukan penghasilan dan pengolahan sinyal pada frekuensi mikro. Walaupun memiliki keterbatasan,
kemampuan uniknya dalam menghasilkan frekuensi tinggi dengan cara yang efisien menjadikan diode Gunn
komponen penting dalam sistem elektronik modern.
8. Light Emitting Diode(LED’s)
 Ini adalah jenis dioda yang beroperasi selama wilayah operasi bias maju.
 Saat dioda mulai menghantarkan selama wilayah ini, terjadi aliran arus. Arus ini disebut arus
maju. Selama proses ini, cahaya dipancarkan dari dioda.
9. LASER Diode
 Dioda laser tidak sama dengan LED biasa karena menghasilkan cahaya yang kohesif.
 Dioda ini digunakan secara luas dalam berbagai aplikasi seperti DVD, CD drive, dan penunjuk
cahaya laser untuk presentasi.
 Meskipun dioda ini lebih murah dibandingkan dengan jenis generator laser lainnya, namun
mereka jauh lebih mahal dibandingkan dengan LED.
10. Photo Diode
 Seperti namanya, ketika dioda berinteraksi dengan cahaya, arus terjadi.
 Ini berarti selama kondisi kegelapan tidak ada aliran arus yang menunjukkan bahwa itu
adalah kondisi sirkuit terbuka.
 Nilai arus dan nilai intensitas cahaya berbanding lurus satu sama lain. Mereka juga memiliki
waktu respons yang cukup cepat, yaitu dalam nanodetik.
 Cont...
 Ya, jenis dioda ini juga memiliki kemampuan untuk menghasilkan listrik.
 Sebuah animasi interaktif yang menunjukkan penggunaan Photodiode dalam mode
fotovoltaik dapat menggambarkan variasi intensitas cahaya yang jatuh pada Photodiode.
Tegangan antara photodiode dalam rangkaian ditampilkan pada voltmeter.
11. PIN Diode
 Jenis dioda ini ditandai oleh konstruksinya. Dioda ini memiliki wilayah tipe-P dan tipe-N
standar, tetapi area di antara kedua wilayah tersebut, yaitu semikonduktor intrinsik, tidak
memiliki doping.
 Wilayah semikonduktor intrinsik memiliki efek peningkatan luas wilayah region deplesi yang
dapat bermanfaat untuk aplikasi switching.
Cont…(PIN Diode Characteristic)
 Cont...

Karakteristik Utama PIN Diode:

•Kapasitansi Rendah: Lapisan intrinsik yang tebal mengurangi kapasitansi antara lapisan P dan N,
memungkinkan PIN diode beroperasi pada frekuensi yang lebih tinggi dibandingkan diode PN
biasa.
•Daya Tahan Terhadap Radiasi Tinggi: Struktur lapisan intrinsik membuat PIN diode tahan
terhadap efek radiasi, menjadikannya pilihan yang baik untuk aplikasi dalam lingkungan radiasi
tinggi.
•Penggunaan sebagai Attenuator dan Switch: Dalam keadaan maju (forward-biased), PIN diode
dapat bertindak sebagai resistor variabel yang nilai resistansinya dapat diubah dengan mengubah
arus yang mengalir melaluinya. Ini membuatnya berguna dalam aplikasi RF sebagai switch atau
attenuator yang dapat dikontrol.
•Pendeteksi dan Limiter: Pada aplikasi deteksi dan pembatasan, PIN diode dapat menyerap energi
RF dengan efisiensi tinggi tanpa menjadi rusak, berkat lapisan intrinsiknya yang tebal.
Aplikasi Utama PIN Diode:

• Aplikasi RF dan Microwave: PIN diode digunakan dalam rangkaian RF dan microwave
untuk switching, attenuasi sinyal, dan kontrol fase.
• Deteksi Fotodiode: Dalam aplikasi optoelektronik, PIN diode digunakan sebagai
detektor cahaya karena responsivitasnya yang tinggi dan rentang spektral lebar.
• Pembatas Daya: Digunakan dalam rangkaian RF untuk melindungi komponen sensitif
dari kerusakan akibat sinyal yang terlalu kuat.
• Rangkaian Penyearah Frekuensi Tinggi: Dalam aplikasi penyearah daya, PIN diode
dapat digunakan untuk frekuensi tinggi karena kapasitansi junction yang rendah.
12. Fast Recovery Diode
 Fast Recovery Diode adalah jenis diode semikonduktor yang dirancang untuk cepat kembali ke keadaan non-
konduktif setelah berada dalam keadaan konduksi. Karakteristik utama dari diode ini adalah waktu pemulihan
terbalik (reverse recovery time) yang sangat singkat, yang membuatnya ideal untuk aplikasi switching frekuensi
tinggi, seperti dalam rangkaian penyearah, konverter frekuensi, dan sistem suplai daya switching.
Karakteristik Utama Fast Recovery Diode

• Waktu Pemulihan Terbalik yang Singkat: Ini adalah waktu yang diperlukan untuk diode
beralih dari keadaan konduksi ke keadaan non-konduktif. Fast Recovery Diodes
memiliki waktu pemulihan terbalik yang sangat singkat dibandingkan dengan diode
standar, yang mengurangi kerugian energi dan meningkatkan efisiensi rangkaian.
• Kapasitas Penanganan Daya Tinggi: Banyak Fast Recovery Diodes dirancang untuk
menangani arus tinggi, menjadikannya cocok untuk aplikasi penyearah dan switching
daya tinggi.
• Kapasitansi Junction Rendah: Memungkinkan operasi pada frekuensi yang lebih tinggi
dengan kehilangan yang lebih rendah, karena kapasitansi yang rendah berarti kurang
energi yang terbuang pada setiap siklus switching.
• Efisiensi Tinggi: Kurangnya waktu yang terbuang dalam proses pemulihan berarti
diode ini sangat efisien, penting untuk aplikasi yang membutuhkan konsumsi daya
rendah.
Aplikasi Fast Recovery Diode

• Suplai Daya Switching: Diode ini digunakan dalam suplai daya switching untuk
memperbaiki sinyal AC menjadi DC dengan efisiensi yang lebih tinggi.
• Inverter Frekuensi Tinggi: Digunakan dalam inverter yang mengkonversi DC menjadi
AC, diode pemulihan cepat memungkinkan switching yang cepat dan efisien, yang
penting untuk aplikasi seperti energi terbarukan (misalnya, inverter untuk panel surya
atau turbin angin).
• Sistem Komunikasi: Pada aplikasi RF, diode pemulihan cepat digunakan dalam
rangkaian modulasi dan demodulasi untuk manajemen sinyal.
• Rangkaian Penyearah Frekuensi Tinggi: Dalam aplikasi yang memerlukan penyearahan
frekuensi tinggi, seperti dalam beberapa jenis charger baterai dan peralatan elektronik
portabel.
Pemilihan Fast Recovery Diode

• Waktu Pemulihan Terbalik (trr): Memilih diode dengan waktu pemulihan yang sesuai
dengan frekuensi operasi rangkaian.
• Arus Maksimum (If): Pastikan diode dapat menangani arus puncak yang diharapkan
dalam aplikasi.
• Tegangan Terbalik Maksimum (Vrrm): Tegangan terbalik maksimum yang dapat
ditangani oleh diode tanpa rusak.
13. Tunnel Diode
 Diode tunnel adalah jenis diode semikonduktor yang mengandalkan efek tunneling kuantum untuk menghasilkan
konduksi listrik pada tegangan yang sangat rendah. Efek tunneling ini terjadi ketika elektron melewati sebuah
penghalang yang, menurut mekanika klasik, seharusnya tidak bisa mereka lalui. Ini berarti diode tunnel bisa mulai
menghantarkan arus pada tegangan yang sangat rendah, berbeda dengan diode semikonduktor biasa yang memerlukan
tegangan lebih tinggi untuk mulai menghantarkan.
 Di dalam diode tunnel, sambungan PN sangat doperasi dengan konsentrasi tinggi (heavily doped), sehingga lapisan
deplesi yang terbentuk sangat tipis. Ketipisan lapisan deplesi ini memungkinkan elektron untuk melakukan tunneling
melalui lapisan deplesi dari sisi P ke sisi N pada tegangan maju yang sangat rendah. Hal ini menghasilkan karakteristik I-
V yang tidak linier, di mana diode tunnel dapat menunjukkan resistansi negatif pada daerah tertentu dari kurva I-V-nya.
Artinya, dalam daerah ini, peningkatan tegangan yang diterapkan justru mengakibatkan penurunan arus yang mengalir.
Karakteristik dan Aplikasi

• Resistansi Negatif: Karakteristik paling penting dari diode tunnel adalah kemampuannya menunjukkan
resistansi negatif, yang dapat dimanfaatkan dalam rangkaian osilator dan penguat.
• Switching Cepat: Diode tunnel dapat beralih antara konduksi dan non-konduksi dengan sangat cepat,
membuatnya berguna untuk aplikasi switching frekuensi tinggi.
• Osilator dan Penguat: Karakteristik resistansi negatif diode tunnel dimanfaatkan dalam pembuatan
osilator frekuensi tinggi dan penguat, terutama di dalam rentang frekuensi microwave.
• Sensitivitas Tinggi: Karena bisa beroperasi pada tegangan sangat rendah, diode tunnel sangat sensitif dan
dapat digunakan dalam rangkaian deteksi sinyal lemah.
 Kelebihan dan Kekurangan
• Kelebihan:
• Kemampuan switching yang sangat cepat.
• Efisiensi tinggi pada frekuensi tinggi.
• Kekurangan:
• Rentang operasi tegangan yang sangat terbatas.
• Lebih sulit untuk dibuat dan dikalibrasi dibandingkan dengan jenis diode lainnya karena
karakteristiknya yang unik dan sensitif.

 Diode tunnel memiliki peran khusus dalam dunia elektronik, terutama dalam aplikasi di mana
efisiensi dan kecepatan switching pada rentang frekuensi microwave sangat dihargai. Walaupun
tidak sepopuler jenis diode lainnya untuk aplikasi umum, diode tunnel tetap menjadi komponen
penting dalam desain sirkuit elektronik khusus.
14. Step Recovery Diode
 Diode pemulihan langkah (Step Recovery Diode - SRD) adalah jenis diode semikonduktor yang
memiliki kemampuan untuk sangat cepat beralih dari kondisi konduksi ke kondisi non-konduksi. Fitur
utama dari SRD adalah kemampuannya untuk menghasilkan pulsa listrik yang sangat tajam dan cepat
saat ia beralih, yang membuatnya sangat berguna dalam aplikasi frekuensi radio (RF) dan microwave,
terutama dalam pembangkitan pulsa frekuensi tinggi dan harmonisa.
 Cont…
 Ketika Recovery Diode dioperasikan dalam kondisi maju (forward-biased) dan kemudian tiba-tiba
beralih ke kondisi terbalik (reverse-biased), ada periode waktu singkat di mana muatan yang
tersimpan dalam diode dilepaskan sangat cepat. Ini terjadi karena struktur doping khusus di dalam
SRD yang menyebabkan pengosongan muatan carrier secara tiba-tiba ketika kondisi diode beralih.
Efek ini menghasilkan pulsa listrik dengan durasi yang sangat singkat dan leading edge yang tajam,
yang sulit dicapai dengan jenis diode lainnya. Ini memberikan kemampuan untuk menghasilkan pulsa-
pulsa yang sangat tajam yang memainkan peran penting dalam rangkaian pembentuk gelombang.
Outline
 P-N Junction Semiconductor
 Forward Bias
 Reverse Bias
 Diode Application
 Type of Diode
 Diode Analysis and Circuit
 Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave, PIV
 Diode: Clipper & Clamper
 Zener Diode Analysis
 Voltage-Multiplier Circuit
Diode Analysis and
Circuit
DC Input (Ideal Model)
 Forward bias condition, E > VT the diode is in “on” state
Cont... (Real Model)
 Forward bias condition, E > VT the diode is in “on” state
Cont...
 Reverse bias condition, E < VT the diode is in “off” state
Latihan 1
Latihan 2
Latihan 3
Latihan 4
Latihan 5
Latihan 6
Outline
 P-N Junction Semiconductor
 Forward Bias
 Reverse Bias
 Diode Application
 Type of Diode
 Diode Analysis and Circuit
 Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave, PIV
 Diode: Clipper & Clamper
 Zener Diode Analysis
 Voltage-Multiplier Circuit
Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave,
PIV
Diode Rectification
 Penerapan diode dalam proses penyearahan (rectification) merupakan salah satu
penggunaan utama komponen semikonduktor ini dalam elektronika. Penyearahan adalah
proses konversi arus bolak-balik (AC) menjadi arus searah (DC). Diode, yang memungkinkan
arus mengalir hanya dalam satu arah dan menghambat arus dalam arah yang berlawanan,
secara alami cocok untuk tugas ini. Ada beberapa jenis rangkaian penyearah yang
menggunakan diode
Penyearah Setengah Gelombang (Half-Wave
Rectifier)

• Konfigurasi: Hanya menggunakan satu diode yang terhubung antara sumber AC dan
beban.
• Operasi: Diode hanya mengizinkan salah satu siklus gelombang AC (biasanya siklus
positif) melewati ke beban, sementara siklus negatif diblokir. Akibatnya, outputnya
adalah gelombang DC yang berdenyut dan tidak kontinu.
• Kekurangan: Efisiensi rendah, karena hanya setengah dari gelombang AC yang
digunakan. Output DC yang dihasilkan memiliki riak yang tinggi.
Penyearah Gelombang Penuh dengan
Transformator Tap Tengah (Full-Wave Rectifier
with Center-Tapped Transformer)
• Konfigurasi: Membutuhkan transformator dengan tap tengah dan dua diode.
• Operasi: Satu diode menghantarkan selama setengah siklus positif, sementara diode
lain menghantarkan selama setengah siklus negatif. Ini memungkinkan kedua setengah
siklus gelombang AC digunakan, menghasilkan output DC yang lebih halus
dibandingkan dengan penyearah setengah gelombang.
• Kelebihan: Efisiensi lebih tinggi dibandingkan penyearah setengah gelombang dan
output DC yang lebih halus.
Penyearah Gelombang Penuh Jembatan (Full-
Wave Bridge Rectifier)

• Konfigurasi: Menggunakan empat diode yang tersusun dalam konfigurasi jembatan.

• Operasi: Empat diode tersebut bekerja sedemikian rupa sehingga kedua siklus
gelombang AC (positif dan negatif) dapat digunakan untuk menghasilkan output DC.
Ini mengeliminasi kebutuhan akan transformator tap tengah.
• Kelebihan: Tidak memerlukan transformator dengan tap tengah, memungkinkan
desain yang lebih sederhana dan kompak. Menghasilkan output DC yang lebih stabil
dan halus dibandingkan dengan penyearah setengah gelombang.
Cont...
 Kita akan menganggap diode sebagai diode ideal dengan mengabaikan apakah itu diode
silikon atau Germanium, untuk meminimalkan komplikasi dalam perhitungan.
1. Half Wave Rectification
 Diagram paling sederhana yang menunjukkan sinyal bervariasi waktu yang diterapkan pada
sebuah diode ditunjukkan dalam diagram berikut. Di sini kita dapat melihat bentuk
gelombang AC, di mana periode T menandakan satu siklus penuh dari bentuk gelombang
tersebut.
 Jenis rangkaian di mana satu diode penyearah diterapkan dengan input sinyal AC sinusoidal
bervariasi waktu untuk menghasilkan output DC yang memiliki nilai setengah dari input
disebut penyearah setengah gelombang.
Cont...
 Selama periode antara t = 0 → T/2 dari bentuk gelombang AC, polaritas dari tegangan vi
menciptakan "tekanan" ke arah seperti yang digambarkan dalam diagram di bawah ini. Ini
memungkinkan diode untuk menyala (ON) dan menghantarkan dengan polaritas seperti yang
ditunjukkan tepat di atas simbol diode.
 Karena diode sepenuhnya menghantarkan, menggantikan diode dengan sirkuit pendek, akan
menghasilkan output seperti yang ditunjukkan pada gambar sisi kanan atas.
Cont...
 Selama periode T/2 → T, polaritas dari sinyal input vi menjadi negatif, yang menyebabkan
diode mati (OFF), menghasilkan ekuivalen sirkuit terbuka di antara terminal-terminal diode.
Karena hal ini, muatan tidak dapat mengalir melalui jalur diode selama periode T/2 → T,
menyebabkan vo menjadi: vo = iR = 0R = 0 V (menggunakan Hukum Ohm).
Cont...
 Kita dapat melihat output DC Vo dari diode menghasilkan wilayah rata-rata positif bersih di
atas sumbu, untuk siklus penuh input, yang dapat ditentukan dengan rumus: Vdc = 0.318 Vm
(setengah gelombang).
 Dalam diagram ini, kita dapat melihat tegangan input vi dan output vo selama proses
penyearahan setengah gelombang diode:
Using a Silicon Diode (Half Wave Rectifier)
 Ketika diode silikon digunakan sebagai diode penyearah, karena memiliki karakteristik
tegangan jatuh maju sebesar VT = 0.7 V. VT = 0.7 V berarti sekarang sinyal input harus
setidaknya 0.7 V untuk memastikan diode berhasil menyala (ON). Jika tegangan input VT
kurang dari 0.7 V, hal itu akan gagal untuk mengaktifkan diode dan diode akan terus berada
dalam mode sirkuit terbuka, dengan Vo = 0 V.
 Sementara diode menghantarkan selama proses penyearahan, itu menghasilkan output DC
yang membawa tingkat tegangan tetap untuk perbedaan tegangan vo - vi, sama dengan
penurunan maju yang telah dibahas sebelumnya sebesar 0.7 V. Kita dapat mengungkapkan
tingkat tetap ini dengan rumus berikut: vo = vi – VT
Cont...
 Hal ini menghasilkan penurunan tegangan output rata-rata di atas sumbu,
menyebabkan sedikit penurunan bersih dari output yang telah diperbaiki dari diode.
 Mengacu pada gambar di bawah ini, jika kita menganggap Vm (level puncak sinyal)
cukup lebih tinggi dari VT, sehingga Vm >> VT, kita dapat mengevaluasi nilai rata-
rata output DC dari diode menggunakan rumus berikut dengan cukup akurat. Vdc
0.318(Vm - VT)
Example for Half Bridge Rectifier
 Problem #1:
 Evaluasi output Vo dan temukan magnitudo output DC untuk desain sirkuit yang ditunjukkan
di bawah ini:

 Solution:
 Untuk jaringan sirkuit di atas, diode akan menyala (ON) untuk bagian negatif dari
sinyal input, dan Vo akan seperti yang ditunjukkan dalam sketsa berikut.
Cont...

 Vdc = 0.318Vm = 0.318(-20 V) = - 6.36 V

 Tanda negatif menunjukkan polaritas dari output DC yang berlawanan dengan tanda yang
diberikan dalam diagram di bawah masalah.
Problem#2:
 Selesaikan masalah di atas #1 dengan menganggap diode sebagai diode silikon.
 Dalam kasus diode silikon, bentuk gelombang output akan terlihat seperti ini:

 And the output DC would can be calculated as explained below:

 Vdc - 0.318(Vm - 0.7 V) = - 0.318(19.3 V) - 6.14 V
 Penurunan tegangan output DC karena faktor 0.7 V adalah sekitar 0.22V atau kira-kira 3.5%
 2. Full-Wave Rectification
 Ketika sinyal sinusoidal AC digunakan sebagai input untuk penyearahan, output DC dapat
ditingkatkan hingga level 100% menggunakan proses penyearahan gelombang penuh.
 Proses yang paling dikenal dan mudah untuk mencapainya adalah dengan menggunakan
jaringan penyearah jembatan 4 diode seperti yang ditunjukkan di bawah ini.
Cont...
 Ketika siklus input positif
berlangsung dari periode t = 0
sampai T/2, polaritas dari sinyal
AC input di seluruh diode dan
output dari diode diwakili seperti
di bawah ini:
Cont...
 Di sini, kita dapat melihat bahwa karena susunan khusus jaringan diode dalam jembatan,
ketika D2, D3 menghantarkan, diode yang berlawanan D1, D4 tetap terpolarisasi terbalik dan
dalam keadaan dimatikan (OFF).
 Karena kita telah membayangkan diode sebagai ideal, outputnya adalah:
vo = vin
Cont...
 Sekarang, demikian pula untuk
setengah siklus negatif dari
sinyal input, diode D1, D4
menghantarkan, dan diode D2,
D3 masuk ke dalam keadaan
OFF, seperti yang
diilustrasikan di bawah ini:
Cont... Simulation:
 Karena wilayah di atas
sumbu ini sekarang dua
kali lebih banyak
daripada wilayah yang
diperoleh untuk
penyearahan setengah
gelombang, magnitudo
output DC juga akan
menjadi dua kali lipat,
seperti yang dihitung
menggunakan rumus
berikut:
 Vdc = 2(0.318Vm) or
Vdc = 0.636Vm (full-
wave)
 Using a Silicon Diode (Full Wave Rectifier)
 Seperti yang digambarkan pada gambar di bawah ini, jika bukan diode ideal melainkan
diode silikon yang digunakan, dengan menerapkan Hukum Tegangan Kirchhoff pada garis
konduksi akan memberikan kita hasil berikut:
vi - VT - vo - VT = 0, and vo = vi - 2VT
 Dalam situasi di mana V≫2VT , kita dapat menggunakan persamaan sebelumnya untuk
mendapatkan nilai rata-rata dengan tingkat presisi yang cukup tinggi:
Vdc - 0.636(Vm - 2VT)
PIV (Peak Inverse Voltage)
 The Peak Inverse Voltage (PIV) rating or Peak Reverse Voltage (PRV) Rating dari sebuah
diode menjadi parameter krusial saat mendesain rangkaian penyearah.
 Ini pada dasarnya adalah rentang tegangan bias terbalik dari diode yang tidak boleh
dilewati, jika tidak diode mungkin rusak dengan berpindah ke wilayah yang disebut wilayah
longsoran Zener (zener avalanche region).
Cont...
 For a full bridge rectifier also, the PIV rating calculation is the same as half wave
rectifier, that is:
 PIV ≥ Vm, since Vm is the total voltage that's applied to the connected load as
depicted in the following figure:
Examples
 Determine the output waveform for the following diode network, and also calculate the
output DC level and the safe PIV for each diode in the network

 Solution: For the positive half cycle, the circuit would behave as depicted in the
following diagram:
Cont...
 We redraw this in the following manner for better understanding:

 Here, vo = ½*vi = ½*Vi(max) = ½*(10 V) = 5 V

 Untuk setengah siklus negatif, peran konduksi dari diode dapat ditukar, yang akan menghasilkan output vo
seperti yang ditunjukkan di bawah ini:
Cont...

 Ketiadaan dua diode dalam jembatan mengakibatkan pengurangan pada output DC dengan
magnitudo:
Vdc = 0.636(5 V) = 3.18 V
 Ini cukup sama dengan yang akan kita peroleh dari penyearah setengah jembatan dengan
input yang sama. PIV akan sama dengan tegangan maksimum yang dihasilkan di seberang R,
yang adalah 5 V, atau setengah dari yang dibutuhkan untuk penyearahan setengah
gelombang dengan input yang sama.
 Outline
 P-N Junction Semiconductor
 Forward Bias
 Reverse Bias
 Diode Application
 Type of Diode
 Diode Analysis and Circuit
 Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave, PIV
 Diode: Clipper & Clamper
 Zener Diode Analysis
 Voltage-Multiplier Circuit
Diode: Clipper & Clamper
Diode Limiters/Clippers Operation
 The diode limiter is the other name of diode clipper circuits, these circuits reshape the
input waveform by removing some part from positive half or negative half according to
requirements.
 Diodes clipper circuits can be used for the modification of the input signal according to the
load requirements, the most used diodes in these circuits are Schottky and Zener diode
with the general diode.
 The working of the diodes clipper circuits is also similar to the rectification by the diode.
Type of Diode Clipper:
1) Positive Diode Clipping Circuit
2) Negative Clipping Circuit
3) Clipping of Both Half Cycles
4) Positive Biased Diode Clipper
5) Negative Biased Diode Clipper
6) Diode Clipping of Different Bias levels
7) Zener Diode Clipping
8) Full-wave Zener Diode Clipping
1. Positive Clipping Circuit
 The positive in the name of circuit suggest that this circuit will eliminate the positive cycle
of the input signal.
 Due to forward biasing, the diode will operate only in the positive half, since the operating
voltage for the diode is 0.7V so there will be only 0.7V loss across resistance and other will
convert into the DC
 When negative half comes on the diode it does not work and provides higher resistance like
open switch resistance
2. Negative Clipping Circuit
 It will eliminate the negative half of the input signal.
 When the positive half of the input signal comes on the terminals due to reverse biasing
there is no change in the signal due to higher value resistance
 When the negative half of the wave comes, in this case, the diode is forward biased, so
current will pass through it and the voltage drop across this diode will be 0.7 volts
3. Clipping of Both Half Cycles
 If we connected two diodes in inverse
parallel as shown, then both the positive
and negative half cycles would be
clipped as diode D1 clips the positive half
cycle of the sinusoidal input waveform
while diode D2 clips the negative half
cycle
 4. Positive Biased Diode Clipper
 The level to which an ac voltage is limited can be adjusted by adding a bias voltage. VBIAS,
in series with the diode.
 The voltage at point A must equal VBIAS + 0.7 V before the diode will become forward-
biased and conduct
 Once the diode begins to conduct, the voltage at point A is limited to VBIAS + 0.7 V so that
all input voltage above this level is clipped off
5. Negative Biased Diode Clipper
 To limit a voltage to a specified negative level, the diode and bias voltage must be
connected as in Below Figure.
 In this case, the voltage at point A must go below -VBIAS - 0.7 V to forward-bias the diode
and initiate limiting action as shown below:
6. Diode Clipping of Different Bias Levels
 When the voltage of the positive half cycle reaches +4.7 V, diode D1 conducts and limits the
waveform at +4.7 V. Diode D2 does not conduct until the voltage reaches –6.7 V. Therefore,
all positive voltages above +4.7 V and negative voltages below –6.7 V are automatically
clipped.
 it prevents the output signal from exceeding preset voltage limits for both half cycles of
the input waveform, which could be an input from a noisy sensor or the positive and
negative supply rails of a power supply.
7. Zener Diode Clipping
 It is acting like a biased diode clipping circuit with the bias voltage being equal to the
zener breakdown voltage
 In this circuit during the positive half of the waveform the zener diode is reverse biased so
the waveform is clipped at the zener voltage, VZD1
 During the negative half cycle the zener acts like a normal diode with its usual 0.7V
junction value.
8. Full-wave Zener Diode Clipping
 The output waveform from full wave zener diode clipping circuits resembles that of
the previous voltage biased diode clipping circuit. The output waveform will be
clipped at the VZD+ 0.7V forward volt drop of the other diode
 For example, the positive half cycle will be clipped at the sum of zener diode,
ZD1+0.7V (0.7V is from ZD2) and vice versa for the negative half cycle.
Diode Limiter/Clipper Application
 These circuits are used to vary the physical structure of the input wave according to our
project requirements. Ex: the sine waveform can be changed into the square, rectangle or
any other shape
 Transients currents are very dangerous for any circuits that can damage our complete
circuit, to stop all these transients current clipper, diodes are effective and can remove
these transients
Clamper
Clamper
 The clamping network is one that will “clamp” a signal to a different DC level. The
network must have a capacitor, a diode, and a resistive element, but it can also
employ an independent DC supply to introduce an additional shift (biasing).
 The magnitude of R and C must be chosen such that the time constant τ = RC is
large enough to ensure that the voltage across the capacitor does not discharge
significantly during the interval the diode is nonconducting. Throughout the
analysis we will assume that for all practical purposes the capacitor will fully
charge or discharge in five time constants. Classification of Clamper Circuits:
1) Positive Clamper circuit
2) Negative Clamper circuit
3) Positive clamper circuit with biasing (Positive and Negative)
4) Negative Clamper circuit with biasing (Positive and Negative)
1. Positive Clamper Circuit
 Initially, the positive half of the applied input signal reverse biases the diode but the
capacitor is not still charged. So, at this period of time output will not be considered.
 For the negative half of the AC signal, the capacitor now gets fully charged up to the peak
of the AC signal Vm but with inverse polarity. This negative half forward biases the diode
that results in the flow of the forward current through the diode. The next positive half
then reverse biases the diode due to which signal will appear at the output.
Cont...
 At the beginning of the positive half of the AC signal, the diode is in the non-conducting
state that results in discharging of capacitor charge. So, at the output, we will have the
summation of the voltage stored across the capacitor and applied the AC input signal. This
is given by:
2. Negative Clamper Circuit
 At the time when positive half of the AC input is applied, the diode comes to forward
bias condition that results in no-load current at the output. However, a forward current
flows through the diode that charges the capacitor to the peak of the ac signal but again
with inverse polarity. The capacitor here is charged up to the forward biased condition of
the diode.
Cont...
 When negative half of the AC signal is applied, the diode now becomes reverse biased. This
allows load current to appear at the output of the circuit. Now, this non-conducting state of
the diode discharges the capacitor. So, at the output, a summation of capacitor voltage
along with the input voltage is achieved. Hence at the output, we have:
3.1 Positive Clamper Circuit with POSITIVE Biasing
 When positive half of the input signal is applied, the diode is reverse biased due to AC
input but is forward biased due to bias voltage VB
 The diode conducts when the bias voltage is greater than the AC input. This forward
current through the diode charges the capacitor but with the bias voltage. As the AC input
exceeds bias voltage, the diode now gets reverse biased and hence conduction through the
diode stops.
Cont...
 On the application of the negative half of the input signal, the diode is now forward biased
due to both AC input and bias voltage starts conducting. This charges the capacitor with
voltage summation of AC input along with bias voltage. Hence such an output voltage level
is achieved.
 At the beginning of the positive half of the AC signal, the diode is in the non-conducting
state that results in discharging of capacitor charge. So, at the output, we will have the
summation of the voltage stored across the capacitor and applied the AC input signal.
3.2 Positive Clamper Circuit with NEGATIVE Biasing
 At the time of positive half of the
AC signal, the diode gets reverse
biased by both AC input and bias
voltage. Due to this current flows
through the load and maintain the
voltage level simultaneously.
Cont...
 At the time of the negative half, the diode is in the forward biased condition due to
AC input but is in reverse biased condition due to bias voltage. So, the diode
conducts only when the AC input exceeds the bias voltage. This charges the
capacitor hence we get a shifted signal at the output.
4.1 Negative Clamper Circuit with POSITIVE Biasing
 The signal is somewhat raised to a positive level due to the positively applied bias voltage
 When positive half of the AC signal is applied, the diode is in the forward biased state due
to AC supply but is reverse biased because of bias voltage. So, the diode conducts when AC
supply exceeds bias voltage.
Cont...
 During the negative half, the diode is now in reverse biased state by cause of both the AC
supply and bias voltage. This non-conducting state of the diode, discharges the capacitor.
Thus, the voltage across the capacitor appears at the output.
4.1 Negative Clamper Circuit with NEGATIVE Biasing
 At the time of positive half of AC input,
the diode gets forward biased by the
cause of AC input and bias voltage. This
starts conduction through the diode.
Resultantly charges the capacitor.
Cont...
 At the time of the negative half, the diode gets reverse biased but will still conduct
due to forward biased condition applied by the bias voltage. The diode current flows
until the bias voltage is more than the AC input supply. The time when AC input
exceeds bias voltage, the diode gets reverse biased and the capacitor discharges.
Thus the voltage across capacitor appears at the load.
Outline
 P-N Junction Semiconductor
 Forward Bias
 Reverse Bias
 Diode Application
 Type of Diode
 Diode Analysis and Circuit
 Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave, PIV
 Diode: Clipper & Clamper
 Zener Diode Analysis
 Voltage-Multiplier Circuit
Zener Diode
What is a Zener diode?
 A Zener diode is a silicon pn junction device that allows current to flow not only in the
forward direction like a typical silicon or germanium diode, but also in the reverse
direction
 If the voltage is greater than the breakdown voltage known as Zener knee voltage or
simply Zener voltage
How does a Zener diode operate?
 Zener diodes act like normal diodes when forward-biased. However, they are designed to
allow current to flow in reverse once the reverse voltage equals its rated Zener Voltage.
 Unlike ordinary rectifier diodes, which are never intended to be operated at or near
breakdown, a Zener diode is designed to operate in the breakdown region. Breakdown of a
diode happens when you apply a reverse bias voltage across the diode.
Cont...
 A Zener diode operating in breakdown acts as a voltage regulator because it maintains a
nearly constant voltage, which is equal to the Zener voltage, across its terminals over a
specified range of reverse-current values. This constant voltage drop across the Zener diode
produced by reverse breakdown is represented by a DC voltage symbol.
Breakdown Characteristics
 As the reverse voltage/VR is increased, the reverse current/IR also increases until it reaches
the Zener knee current/IZK
 This time, the breakdown effect begins. The Zener impedance/ZZ, which is the internal
Zener resistance, begins to decrease as the reverse current increases rapidly.
Cont...
 From the bottom of the knee, the Zener breakdown voltage (VZ) remains relatively constant
although it increases slightly as the Zener current (IZ), increases. VZ is usually specified at a
value of the Zener current known as the test current.
Zener Diode

 Three types of Zener analysis:

1. Fixed Vi and RL
2. Fixed VS and variable RL
3. Variable VS and fixed RL
1. Fixed Vi and RL

 If the voltage V across zener diode less than Vz but greater than 0 with the polarity
indicated the zener diode is in off state and the equivalent circuit is at open circuit
Step 1
 Determine the state of the Zener diode by removing it from the network and
calculating the voltage cross the resulting open circuit.
Step 2
 Substitute the appropriate equivalent circuit and solve for the desired unknowns
 If V >= Vz, the Zener diode is “on” state
 If V < Vz, the Zener diode is “off” state
Example:
a) RL = 1,2K. VL, VR, Iz, Pz ?
b) RL = 3K. VL, VR, Iz, Pz ?
 b) RL = 3K. VL, VR, Iz, Pz ?
2. Fixed Vi and Variable RL
 Due to the offset voltage VZ, there is a specific range of resistor values (and therefore load current)
which will ensure that the Zener is in the “on” state. Too small a load resistance RL will result in a
voltage VL across the load resistor less than VZ , and the Zener device will be in the “off” state.
 To determine the minimum load resistance of Figure below that will turn the Zener diode on, simply
calculate the value of RL that will result in a load voltage VL = VZ. That is,

 Solving for RL, we have

 Cont...
 Any load resistance value greater than the RL obtained from Eq. (2.20) will ensure that the
Zener diode is in the “on” state and the diode can be replaced by its VZ source equivalent.
 The condition defined by Eq. (2.20) establishes the minimum RL but in turn specifies the
maximum IL as:

 Once the diode is in the “on” state, the voltage across R remains fixed at:


 and IR remains fixed at

 The Zener current

Cont...
 resulting in a minimum IZ when IL is a maximum and a maximum IZ when IL is a minimum
value since IR is constant. Since IZ is limited to IZM as provided on the data sheet, it does
affect the range of RL and therefore IL. Substituting IZM for IZ establishes the minimum IL as:

 and the maximum load resistance as

Example:
a) For the network of Figure below, determine the range of RL and IL that will result in
VRL being maintained at 10 V.
b) Determine the maximum wattage rating of the diode
Solution
Cont...
3. Fixed RL and Variable Vi
 For fixed values of RL in Figure below, the voltage Vi must be sufficiently large to turn the Zener diode on. The
minimum turn-on voltage Vi = Vimin is determined by:

 and

 The maximum value of Vi is limited by the maximum Zener current IZM. Since  IZM = IR - IL,

 Since IL is fixed at VZ/RL and IZM is the maximum value of IZ, the maximum Vi
is defined by
Example
Zener in Series
 Two or more reference levels can be established by placing Zener diodes in series as
shown in Figure below. As long as Vi is greater than the sum of VZ1 and VZ2, both
diodes will be in the “on” state and the three reference voltages will be available.

Establishing three reference voltage levels.

Cont..
 Two back-to-back Zeners can also be used as an ac regulator as shown in Fig. 2.119a. For the
sinusoidal signal vi the circuit will appear as shown in Fig. 2.119b at the instant vi = 10 V. The region
of operation for each diode is indicated in the adjoining figure
 Note that Z1 is in a low-impedance region, while the impedance of Z2 is quite large, corresponding
with the open-circuit representation. The result is that vo = vi when vi = 10 V.
Cont...
 The input and output will continue to duplicate each other until vi reaches 20 V. Z2 will then “turn
on” (as a Zener diode), while Z1 will be in a region of conduction with a resistance level sufficiently
small compared to the series 5-kΩ resistor to be considered a short circuit. The resulting output for
the full range of vi is provided in Fig. 2.119(a).
Cont...
 Note that the waveform is not purely sinusoidal, but its rms value is lower than that
associated with a full 22-V peak signal. The network is effectively limiting the rms value of
the available voltage. The network of Fig.2.119a can be extended to that of a simple
square-wave generator (due to the clipping action) if the signal vi is increased to perhaps a
50-V peak with 10-V Zeners as shown in Fig. 2.120 with the resulting output waveform
Outline
 P-N Junction Semiconductor
 Forward Bias
 Reverse Bias
 Diode Application
 Type of Diode
 Diode Analysis and Circuit
 Diode Rectification: Half-Wave, Full-Wave, PIV
 Diode: Clipper & Clamper
 Zener Diode Analysis
 Voltage-Multiplier Circuit
 Voltage-Multiplier Circuit

A voltage multiplier is an electrical circuit that converts

AC electrical power from a lower voltage to a higher DC
voltage, typically using a network of capacitors and
diodes..
1. Voltage Doubler (Half Wave)
 The network of Figure 2.121 is a half-
wave voltage doubler. During the
positive voltage half-cycle across the
transformer, secondary diode D1
conducts (and diode D2 is cut off),
charging capacitor C1 up to the peak
rectified voltage (Vm)
 Diode D1 is ideally a short during this half-
cycle, and the input voltage charges capacitor
C1 to Vm with the polarity shown in Fig.
2.122a. During the negative half-cycle of the
secondary voltage, diode D1 is cut off and
diode D2 conducts charging capacitor C2.
Since diode D2 acts as a short during the
negative half-cycle (and diode D1 is open),we
can sum the voltages around the outside loop
(see Fig. 2.122b):
Cont...
 On the next positive half-cycle, diode D2 is non-conducting and capacitor C2 will
discharge through the load. If no load is connected across capacitor C2, both
capacitors stay charged—C1 to Vm and C2 to 2Vm. If, as would be expected, there is
a load connected to the output of the voltage doubler, the voltage across capacitor
C2 drops during the positive half-cycle (at the input) and the capacitor is recharged
up to 2Vm during the negative half-cycle. The output waveform across capacitor C2
is that of a half-wave signal filtered by a capacitor filter. The peak inverse voltage
across each diode is 2Vm.
2. Voltage Doubler (Full Wave)
 Another doubler circuit is the full-wave doubler
of Fig. 2.123. During the positive half-cycle of
transformer secondary voltage (see Fig. 2.124a)
diode D1 conducts charging capacitor C1 to a
peak voltage Vm. Diode D2 is non-conducting at
this time. During the negative half-cycle (see Fig.
2.124b) diode D2 conducts charging capacitor C2
while diode D1 is non-conducting
 If no load current is drawn from the circuit, the voltage
across capacitors C1 and C2 is 2Vm. If load current is
drawn from the circuit, the voltage across capacitors C1
and C2 is the same as that across a capacitor fed by a
full-wave rectifier circuit. One difference is that the
effective capacitance is that of C1 and C2 in series, which
is less than the capacitance of either C1 or C2 alone. The
lower capacitor value will provide poorer filtering action
than the single capacitor filter circuit.
Cont...
 The peak inverse voltage across each diode is 2Vm, as it is for the filter capacitor
circuit. In summary, the half-wave or full-wave voltage-doubler circuits provide
twice the peak voltage of the transformer secondary while requiring no center-
tapped transformer and only 2Vm PIV rating for the diodes.
Simulasi
3. Voltage Tripler https://www.studentsheart.com/voltage-doubler-circuit/

 As the name suggests, the voltage Tripler is the circuit which will produce the
output whose multiplication factor will be triple of an input voltage. By adding
another diode and capacitor section into the Half-Wave voltage doubler it will
become voltage Tripler circuit. The Following is Working of Voltage Tripler:
 During the positive half-cycle: Diode D1 is forward biased and diodes D2 and D3 are
reverse biased. Hence, the diode D1 allows Capacitor one C1 to charge it up to Vp.
Cont...
 During the negative half-cycle: Diode D2 is forward biased and diodes D1 and D3 are
reverse biased. Hence, the diode D2 allows C2 to charge up to 2VP. This is because
the capacitor C1 is discharged during the negative half cycle. Therefore, C1 which
was charged during positive cycle up to Vp is now discharging into C2 and also C2 is
getting Vp from supply due to forward bias of D2 which means C2 is having Charges
from both sides supply and capacitor charges which makes it charge up to 2VP.
Cont...
 During the second positive half-cycle: Diode D3 is forward biased and diodes D1
and D2 are reverse biased. Diode D1 is reverse bias because charged C1 makes the
opposite polarities there and make D1 not to conduct hence the C3 is getting 2VP
from the C2 hence C3 is also charged up to 2VP. Hence C1 and C3 are in series the
voltage across these two series capacitors will be equal to triple of the input
voltage.
Simulation
4. Voltage Quadrupler https://www.studentsheart.com/voltage-doubler-circuit/

 As the name suggests, the voltage Quadrupler is the circuit which will produce the output
whose multiplication factor will be 4 times of input voltage. By adding another diode and
capacitor section into the voltage Tripler circuits it will become voltage Quadrupler circuit.
The Following is Working of Voltage Quadrupler:
 During the positive half-cycle: D1 is Forward Bias and D2, D3 and D4 are reverse biased, C1
charges due to D1 and store charges up to VP.
 During the Negative half-cycle: D2 is Forward Bias and D1, D3 and D4 are reverse biased, C2
charges due to D2 and it will store charges up to 2Vp (VP of C1 and Vp of Supplied Voltage).
Cont... https://www.studentsheart.com/voltage-doubler-circuit/

 During the second positive half-cycle: D3 is forward Bias and D1, D2 and D4 are reverse
Biased. D1 is reverse biased due to opposite polarity capacitor there. And hence C3 will be
charged up to 2Vp (due to discharging of C2).
 During the second Negative half-cycle: D4 isforward bias and D1, D2 and D3 are reverse
biased. D4 will make C4 charges up to 2Vp. So the total output voltage is the sum of all
voltages. Therefore, D2 and D4 are forward bias it means C2+C4= 2Vp+2Vp=4Vp.
Simulation