Загальні властивості напівпровідників та методи

їх вирощування
Загальні властивості напівпровідників
Напівпровідники — це матеріали, які мають електропровідність між
провідниками і діелектриками. Основні властивості:
• Енергетична зонна структура: Наявність забороненої зони між
валентною зоною і зоною провідності. Ширина забороненої зони
визначає властивості напівпровідника.
• Температурна залежність провідності: Зі збільшенням температури
провідність зростає, оскільки більше електронів переходять у зону
провідності.
• Домішкові властивості: Легування (введення домішок) може значно
змінити провідність напівпровідника, створюючи n-тип або p-тип
провідності.
• Ефект поля: Напівпровідники чутливі до зовнішніх електричних і
магнітних полів, що впливає на їх провідність .

Методи вирощування напівпровідників

Основні методи вирощування напівпровідників включають:
• Метод Чохральського: Вирощування монокристалів шляхом
витягування з розплаву. Використовується для кремнію та германію.
• Епітаксіальне нарощування: Нанесення тонких шарів
напівпровідникового матеріалу на підкладку з того ж або іншого
матеріалу.
• Зонне плавлення: Очищення і вирощування монокристалів за
допомогою переміщення зони розплаву вздовж злитка
напівпровідника.
• Метод Бріджмена: Вирощування кристалів шляхом поступового
охолодження розплаву в контейнері .

Застосування напівпровідників у приладах з переносом

заряду
Напівпровідники широко використовуються у різних електронних приладах,
зокрема:
• Діоди: Напівпровідникові діоди використовуються для випрямлення
змінного струму, детектування сигналів та у світлодіодах.
 • Транзистори: Застосовуються у підсилювачах, комутаційних пристроях
та як ключові елементи у цифровій електроніці.
• Сонячні елементи: Перетворюють сонячну енергію на електричну,
використовуючи p-n переходи для створення електричного поля.
• Термістори і варистори: Використовуються для вимірювання
температури і захисту від перенапруги .

Напівпровідникові логічні елементи

Напівпровідникові логічні елементи є основою цифрових схем і
мікропроцесорів. Основні типи:
• І, АБО, НЕ: Базові логічні елементи, що виконують відповідні логічні
операції.
• Тригери: Схеми, що можуть зберігати стан і використовуються в
пам'яті та регістрах.
• Мультиплексори та демультиплексори: Виконують функції вибору і
розподілу сигналів у складних цифрових схемах .

Електронна зонна структура напівпровідників

Електронна зонна структура напівпровідників визначає їх електричні
властивості:
• Валентна зона: Заповнена електронами при абсолютному нулі
температури.
• Заборонена зона: Область енергій, де електрони не можуть існувати.
• Зона провідності: Частково заповнена зона, де електрони можуть
вільно переміщуватись, що обумовлює електропровідність .

Особливості структури енергетичних зон типових

напівпровідників (Ge, Si, GaAs)
• Германій (Ge): Має вузьку заборонену зону (~0.66 eV), високу
рухливість носіїв заряду, використовується у високошвидкісних
транзисторах.
• Кремній (Si): Ширша заборонена зона (~1.12 eV), високі температурні
властивості, домінує у виробництві інтегральних схем.
• Галій арсенід (GaAs): Широка заборонена зона (~1.42 eV), висока
електронна рухливість, використовується у високочастотних та
оптоелектронних пристроях .
Густина станів у напівпровідниках
Густина станів визначає кількість доступних квантових станів для електронів
у одиниці об'єму та енергії. Для напівпровідників вона залежить від
енергетичного рівня і температури, що впливає на концентрацію носіїв
заряду і електропровідність .

Концентрація носіїв заряду у власному напівпровіднику

У власному напівпровіднику концентрація електронів у зоні провідності
дорівнює концентрації дірок у валентній зоні. Ця концентрація визначається
температурою і шириною забороненої зони .

Рівень Фермі у власному напівпровіднику

Рівень Фермі у власному напівпровіднику розташовується посередині
забороненої зони. Він змінюється з температурою і типом напівпровідника .

Концентрація носіїв заряду у напівпровіднику з

домішками
У напівпровіднику з домішками концентрація носіїв заряду значно
збільшується. Донорні домішки додають електрони, створюючи n-тип
провідності, а акцепторні домішки додають дірки, створюючи p-тип
провідності .

Положення рівня Фермі у напівпровіднику з домішками

Рівень Фермі у напівпровіднику з домішками зміщується ближче до зони
провідності у n-типі або до валентної зони у p-типі провідності, в залежності
від типу домішок .

Кінетичне рівняння Больцмана: загальний вираз,

стаціонарний стан, час релаксації
Кінетичне рівняння Больцмана описує розподіл носіїв заряду у
напівпровіднику під впливом зовнішніх і внутрішніх сил. У стаціонарному
стані рівняння приймає спрощену форму, що дозволяє визначати час
релаксації — час, за який система повертається до рівноважного стану після
збурення .

Квазірівні Фермі
Квазірівні Фермі визначають розподіл носіїв заряду у нерівноважних умовах,
таких як освітлення або наявність електричного поля. Вони відображають
ефективний рівень Фермі для електронів і дірок окремо .
Час релаксації енергії збуджених носіїв заряду
Час релаксації енергії збуджених носіїв заряду визначає швидкість
повернення носіїв заряду до рівноважного стану після збудження. Він
залежить від взаємодії носіїв з кристалічною граткою та іншими носіями
заряду .

Електропровідність напівпровідників
Електропровідність напівпровідників залежить від концентрації носіїв заряду
та їх рухливості. Вона може бути підвищена шляхом легування або
зниженням ширини забороненої зони .

Монополярна і біполярна генерація носіїв заряду та

релаксація носіїв заряду
Монополярна генерація створює тільки один тип носіїв (електрони або
дірки), тоді як біполярна генерація створює обидва типи носіїв одночасно.
Релаксація носіїв заряду — це процес повернення системи до рівноважного
стану після збудження .

Стаціонарний стан напівпровідника

Стаціонарний стан напівпровідника характеризується постійною
концентрацією носіїв заряду та стабільними електричними параметрами при
постійних зовнішніх умовах .

Поняття про "дірки" в напівпровідниках

"Дірки" — це позитивно заряджені квазічастинки, що виникають внаслідок
відсутності електронів у валентній зоні. Вони ведуть себе як носії заряду,
рухаючись у напрямку протилежному до руху електронів .

Власна провідність напівпровідників

Власна провідність напівпровідників виникає завдяки термічному збудженню
електронів з валентної зони у зону провідності. Вона залежить від
температури і ширини забороненої зони .

Температурна залежність концентрації носіїв заряду

Концентрація носіїв заряду у напівпровідниках зростає з підвищенням
температури, оскільки більше електронів отримують енергію, необхідну для
переходу через заборонену зону .
Кінетичне рівняння Больцмана для носіїв заряду
Кінетичне рівняння Больцмана описує поведінку носіїв заряду під впливом
зовнішніх полів і зіткнень з атомами кристалічної гратки .

Поняття часу релаксації

Час релаксації визначає швидкість, з якою носії заряду повертаються до
рівноважного стану після збурення. Він залежить від взаємодії носіїв заряду з
фононами, дефектами та іншими носіями заряду .
Ці основні поняття і методи є фундаментальними для розуміння фізики
напівпровідників і їх застосування у сучасній електроніці.

Електропровідність напівпровідників
Електропровідність напівпровідників визначається наявністю та рухомістю
носіїв заряду, які можуть бути як електрони, так і дірки. Вона залежить від
температури та концентрації домішок. Питомий опір (σ) напівпровідників у
загальному випадку визначається формулою:
𝜎=𝑒𝑛𝜇𝑛+𝑒𝑝𝜇𝑝
де 𝑛 і 𝑝 - концентрації електронів та дірок відповідно, а 𝜇𝑛 та 𝜇𝑝 - їхні
рухливості .

Монополярна генерація носіїв заряду та час релаксації

просторового заряду
Монополярна генерація носіїв заряду передбачає створення носіїв лише
одного типу - або електронів, або дірок. Час релаксації просторового заряду
характеризує швидкість, з якою просторовий заряд повертається до
рівноважного стану після збурення. Цей процес важливий для розуміння
динаміки електричних властивостей напівпровідників .

Біполярна генерація
Біполярна генерація відбувається, коли створюються одночасно і електрони, і
дірки. Цей процес є основою роботи багатьох напівпровідникових приладів,
таких як транзистори та діоди. Біполярна генерація є ключовим механізмом у
напівпровідниковій електроніці, оскільки забезпечує можливість керування
електричними властивостями матеріалів .
Релаксація носіїв заряду у напівпровідниках
Релаксація носіїв заряду — це процес повернення носіїв заряду до
рівноважного стану після збурення. Час релаксації визначається взаємодіями
носіїв з фононами, домішками та іншими носіями заряду. Цей параметр є
критичним для розуміння динамічних процесів у напівпровідниках і впливає
на їх електричні властивості .

Рухливість носіїв заряду

Рухливість носіїв заряду (μ) — це здатність носіїв заряду (електронів чи
дірок) переміщатися під дією електричного поля. Рухливість залежить від
типу напівпровідника, температури та присутності домішок. У реальних
напівпровідниках рухливість може зменшуватися через розсіювання на
дефектах кристалічної решітки або домішках .

Дифузія і дрейф носіїв заряду у напівпровідниках

Дифузія носіїв заряду відбувається через градієнт концентрації, а дрейф —
під дією електричного поля. Рівняння неперервності описує зміну
концентрації носіїв заряду в просторі та часі:
∂𝑛\∂𝑡+∇⋅𝐽=𝐺−𝑅
де 𝐽 - щільність струму, 𝐺 - швидкість генерації, 𝑅 - швидкість рекомбінації.
Співвідношення Ейнштейна пов'язує коефіцієнт дифузії (D) та рухливість (μ):
𝐷=𝜇𝑘𝑇𝑒
Радіус екранування Дебая визначає область, на якій носії заряду можуть
екранувати електричне поле:
𝜆𝐷=√ϵkTne^2
Довжина дифузії неосновних носіїв заряду визначає відстань, на якій вони
можуть переміщатися перед рекомбінацією .

Контактні явища в напівпровідниках

Контактні явища включають формування бар'єру Шотткі на межі метал-
напівпровідник та р-n перехід. Розподіл концентрації електронів і потенціалу
у шарі об’ємного заряду визначається рівняннями Пуассона та неперервності.
Контакт метал-напівпровідник характеризується утворенням бар'єру
потенціалу, який впливає на рухливість носіїв заряду. Р-n перехід утворює
зону просторового заряду, яка є ключовою для роботи діодів та транзисторів
Поверхневі стани та рівні енергії
Поверхневі стани — це енергетичні рівні, які знаходяться на поверхні
напівпровідника і можуть захоплювати або звільняти носії заряду,
впливаючи на електропровідність. Розрахунок поверхневого потенціалу
дозволяє визначити його вплив на загальні електричні властивості матеріалу.
Ефект поля також значно впливає на рухливість і концентрацію носіїв заряду,
що критично для роботи польових транзисторів та інших приладів .
Ці аспекти є фундаментальними для розуміння роботи напівпровідникових
матеріалів і пристроїв, а також для їх ефективного застосування у сучасній
електроніці.

Контактні явища в напівпровідниках

Контакт метал-напівпровідник
При контакті металу з напівпровідником відбувається вирівнювання рівнів
Фермі обох матеріалів. У випадку контакту металу з напівпровідником n-
типу, якщо робота виходу металу (Фм) більша за роботу виходу
напівпровідника (Фн), електрони з напівпровідника переходять у метал, що
створює позитивний просторовий заряд у напівпровіднику і негативний у
металі. Це призводить до утворення потенціального бар’єра висотою Δφ0,
який дорівнює (Фм – Фн)/q.
У випадку контакту металу з напівпровідником p-типу, запірні властивості
контакту визначаються відносною величиною робіт виходу матеріалів. Якщо
робота виходу металу менша, ніж робота виходу напівпровідника, контакт
матиме запірні властивості, і навпаки.

Випрямний контакт
Випрямний контакт метал-напівпровідник n-типу утворюється, коли всі
домішкові атоми в запірному шарі іонізовані і звільнені електрони
переходять у метал. У цьому випадку рівняння Пуассона описує розподіл
потенціалу в напівпровіднику, який спадає за квадратичним законом.
Ширина шару просторового заряду визначається співвідношенням між
величинами потенціального бар’єра та концентрацією домішок у
напівпровіднику.

Поверхневі стани та рівні енергії

Поверхневі стани можуть значно впливати на властивості напівпровідника,
зокрема, на його провідність та час життя носіїв заряду. Сумарний час життя
носіїв визначається як сума часу життя в об’ємі (τv) та на поверхні (τs).
Розрахунок поверхневого потенціалу та його вплив на
електропровідність
Поверхневий потенціал можна розрахувати, виходячи з розподілу
концентрації електронів та потенціалу у шарі об’ємного заряду. Він впливає
на електропровідність напівпровідника, оскільки зміна потенціалу змінює
кількість вільних носіїв заряду. Залежно від знаку та величини поверхневого
потенціалу, провідність може зменшуватись або збільшуватись.

Ефект поля
Ефект поля проявляється у зміні провідності напівпровідника під дією
зовнішнього електричного поля. Це відбувається через зміни у концентрації
та розподілі носіїв заряду, викликані полем. Зокрема, ефект поля
використовується в польових транзисторах, де прикладене електричне поле
керує струмом через напівпровідниковий канал.
Ці основні поняття та принципи є ключовими для розуміння роботи
напівпровідникових приладів і використання їх у різних електронних
застосуваннях.

Література

1. Третяк О.В., Лозовський В.З. Основи фізики напівпровідників. К.: ВПЦ "Київський
університет", 2007. – Т. 1. Доступ за адресою: Третяк, Лозовський. Основи фізики
напівпровідників (kspu.edu)
2. Третяк О.В., Лозовський В.З. Основи фізики напівпровідників. К.: ВПЦ "Київський
університет", 2007. – Т. 2. Доступ за адресою: Tretyak_Lozovsky_2.pdf (radfiz.org.ua)
3. Ільченко В. І., Обухова Т. Ю. Фізика напівпровідників: Конспект лекцій (Частина
І)[Електронний ресурс]: К : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020. Доступ за адресою:
https://ela.kpi.ua/bitstream/123456789/37599/1/Fizyka_napivprovidnykiv-1.pdf
4. Фреїк Д.М., Чобанюк В.М., Готра З.Ю., Дзундза Б.С., Матеїк Г.Д., Ткачук А.І. Фізика процесів
у напівпровідниках та елементах електроніки: Курс лекцій. Івано-Франківськ: Вид-во
Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, 2010. – 263 с. Доступ
за адресою: https://kfhtt.pnu.edu.ua/wp-content/uploads/sites/48/2019/09/book-1.pdf
5. Поплавко Ю.М., В.І. Ільченко, Воронов С.А., Якименко Ю.І. Фізичне матеріалознавство.
Частина IV. Напівпровідники: Навч. посіб. К.: вид-во «Політехніка» НТУУ, 2010. Доступ за
адресою: https://me.kpi.ua/downloads/Physical_material_science_4.pdf