ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU
🙞···☼···🙜

BÁO CÁO BÀI TẬP LỚN

Chủ đề:
Vật liệu siêu dẫn Hg-1212

Giảng viên hướng dẫn: Trần Việt Toàn

Sinh viên thực hiện Mã số sinh viên
Nguyễn Xuân Mạnh 2011602

Thành phố Hồ Chí Minh, ngày 4 tháng 12 năm 2023

1
 MỤC LỤC
Giới thiệu............................................................................................................................5
Cấu tạo................................................................................................................................5
Tổng quát.........................................................................................................................5
Phân tích SAED và EDS..................................................................................................6
Đặc tính...............................................................................................................................7
1. Tính từ tính của chất siêu dẫn Hg-1212.......................................................................7
1.1 Giới thiệu tổng quan...............................................................................................7
1.2 Thực nghiệm...........................................................................................................7
1.3 Kết quả và phân tích...............................................................................................8
2. Trường không thuận nghịch của chất siêu dẫn Tc cao Hg-1212................................10
2.1 Giới thiệu tổng quan.................................................................................................10
2.3 Kết quả và phân tích.............................................................................................12
2.4 Kết luận................................................................................................................16
3. Hiệu ứng áp suất cao của vật liệu Hg-1212 có nhiệt độ chuyển tiếp cao..................16
3.1 Giới thiệu..............................................................................................................16
3.2 Kết luận................................................................................................................18
3.3 Thảo luận:.............................................................................................................24
Ứng dụng..........................................................................................................................25
1. Ứng dụng trong điện tử:..........................................................................................25
1.1 Siêu dẫn rất mỏng.................................................................................................25
1.2 Dòng điện tới 1.1x107 A/cm2 ở 5 K, 1.14x106 A/cm2 ở 77 K và 2.59x105 A/cm2 ở
100 K trong trường không..........................................................................................25
1.3 Ứng dụng trong các thiết bị điện tử siêu tốc........................................................25
2. Ứng dụng trong y tế.................................................................................................25
2.1 Ứng dụng trong máy quét MRI............................................................................25
2.2 Ứng dụng trong điều trị bằng tia proton...............................................................25
3. Ứng dụng trong truyền tải điện................................................................................26
3.1 Truyền tải điện năng trên khoảng cách dài...........................................................26
3.2 Khả năng chịu dòng điện lớn................................................................................26
3.3 Khả năng chống lại sự di chuyển của các vòng từ...............................................26
4. Ứng dụng trong lưu trữ dữ liệu................................................................................26
4.1 Ứng dụng trong các yếu tố lưu trữ hoặc bộ nhớ...................................................26

2
 4.2 Siêu dẫn rất mỏng.................................................................................................26
Tài liệu tham khảo..........................................................................................................27

DANH MỤC HÌNH ẢNH

3
Hình 1: Mô tả cấu trúc tinh thể của Hg-1212. Các quản cầu màu đỏ, xanh , lam, lục và
lam nhạt lần lượt tương ứng với Hg, Ba, Ca, Cu, O...........................................................6
Hình 2: Các mẫu nhiễu xạ điện tử của Hg0.93Mo0.19Sr2Y0.44Ca 0.40Cu 2.07O n+δ ...................7
Hình 3: Phần thực và phần ảo của độ nhạy xoay chiều của chất siêu dẫn Hg-1212 và
(HgTl)-1212.........................................................................................................................9
Hình 4: Các trường không thể đảo ngược đối với các chất dẫn điện Hg-1212 và (HgTl)-
1212.....................................................................................................................................9
Hình 5: So sánh mối tương quan giữa phần thực và phần ảo của độ nhạy từ đối với
(HgTl)-1212 với những dự đoán về mô hình thư giãn, lan tỏa và mô hình Bean.............10
Hình 6: Giản đồ XRD và các tham số mạng được tính toán cho Hg-1212......................12
Hình 7: DPE được quan sát trong tín hiệu xoay chiều cùng pha của Hg-1212 (đen) và
(Hg,Tl)-1212 (trắng) cho hai từ trường: 0,3 T (hình vuông) và 0,5 T (hình tròn)............13
Hình 8: Phần thực và phần ảo của độ nhạy AC có trường bằng 0 và trong trường DC 3T
...........................................................................................................................................14
Hình 9: Đường cong chuyển tiếp siêu dẫn thu được bằng AC (đầy đủ các phép đo điểm)
và DC (chéo) cho ba ứng dụng từ trường khác nhau........................................................14
Hình 10: Chế độ xem mở rộng của Hình 6a và c hiển thị việc hợp nhất DC điểm và tín
hiệu ac tương ứng..............................................................................................................15
Hình 11: Sơ đồ pha của (Hg,Tl)-1212..............................................................................16
Hình 12: Sơ đồ pha của Hg-1212.....................................................................................17
Hình 13: Hiển thị cấu trúc Hg-1212................................................................................19
Hình 14: Sự phụ thuộc nhiệt độ của điện trở suất với có Tc khác nhau..........................19
Hình 15: Mối tương quan giữa ρ–T và sự phụ thuộc nhiệt độ của các đường cong độ
nhạy dc (χ–T) được minh họa cho Hg1212 (Tc=124 K)....................................................19
Hình 16: Ước tính nồng độ lỗ (p) cho Hg1212................................................................20
Hình 17: Sự phụ thuộc nhiệt độ của điện trở suất được chuẩn hóa ở 270 K đối với các
mẫu Hg1212 (a) với các mức hoạt động rộng được biểu thị bằng Δp..............................21
Hình 18: Sự phụ thuộc áp suất của Tc và dTc/dP đối với Hg1212 ở áp suất cao trong
phạm vi hoạt động rộng. Sự phụ thuộc áp suất của Tc đối với Hg1212. Sự phụ thuộc áp
suất của dTc/dP đối với Hg1212.......................................................................................22
Hình 19: Ảnh hưởng của áp suất lên Tc của Hg1212......................................................23
Hình 20: Ảnh hưởng của áp suất cao hơn đến tính siêu dẫn ở Hg1212..........................24

4
Giới thiệu
Hợp chất siêu dẫn Hg-1212 còn được gọi là HgBa2CaCu2O6+ δ. Là một loại hợp chất siêu
dẫn dựa trên hợp chất oxit của thủy ngân thuộc nhóm các chất siêu dẫn nhiệt độ cao
(HTS), có nghĩa rằng chúng có nhiệt độ chuyển đổi siêu dẫn (Tc) cao hơn 77K, điểm sôi
của nitơ lỏng.
Chất siêu dẫn Hg-1212 được phát hiện vào đầu năm 1993.Với nhiều nổ lực nghiên cứu đã
được hướng đến việc tổng hợp đồng barium với oxit thủy ngân và nung chúng trong
800°C trong năm giờ. Từ đó, các nhà nghiên cứu đã tìm ra được hợp chất siêu dẫn Hg-
1212 thực hiện nhiều tính chất từ tính, phát triển mở rộng, thay thế các dạng nguyên tố
khác để làm tăng tính khoảng nhiệt độ Tc và ứng dụng màng mỏng trong công cuộc
nghiên cứu và phát triển.

Cấu trúc
Tổng quát
Hg-1212 có cấu trúc tinh thể thuộc nhóm không gian P4/mmm với hằng số mạng
a=3.82A và c= 11.91A.
Cụ thể hơn, Hg-1212 có cấu trúc như sau:

Hình 1: Mô tả cấu trúc tinh thể của Hg-1212. Các quản cầu màu đỏ, xanh , lam, lục và
lam nhạt lần lượt tương ứng với Hg, Ba, Ca, Cu, O

Phân tích SAED và EDS

Khi mẫu được đem đi phân tích TEM, ta quan sát được nhiều hạt sẫm màu với các cạnh
rõ ràng xuất hiện trong ảnh TEM và chúng có thể tạo ra các mẫu phân tích SAED (như

5
trong hình 1) phù hợp với đặc điểm kết tinh tốt của mẫu. Các kết quả phân tích SAED
như vậy kết luận đưa ra bằng chứng cho nhóm không gian P4/mmm và ô tứ giác, ngụ ý
tồn tại của cấu trúc kiểu 1212.

Hình 2: Các mẫu nhiễu xạ điện tử của Hg0.93Mo0.19Sr2Y0.44Ca0.40Cu2.07On+ δ

Các hạt được phân tích SAED nghiên cứu cũng đc kiểm tra bằng phân tích EDS. Vị trí
trung bình của chúng có thể được viết là:

Hg0.93Mo0.19Sr2Y0.44Ca 0.40Cu2.07On+ δ.

Chi tiết các cuộc thảo luận bàn về cấu trúc Hg-1212 được thể hiện như sau:

(1) Đôi khi xuất hiện hiện tượng thay thế lẫn nhau, mặc dù tỷ lệ Y/Ca gần bằng 1 ở hầu
hết các loại hạt. Độ hòa tan của Ca trong vị trí Y thu được bằng phân tích EDS dao động
từ 29 đến 60%, điều này chắc chắn ảnh hưởng lớn đến hình dạng của đường cong R-T vì
việc thay thế Ca2+ cho Y3+ đóng một vai trò quan trọng trong việc tăng cường Tc. Cần đề
cập rằng hàm lượng Y và Ca nhỏ hơn 1, cho thấy vị trí (Y, Ca) đã bị các cation khác
chiếm giữ một phần.

(2) Từ thành phần trung bình nêu trên, có thể thấy rằng hàm lượng Hg và Cu lớn hơn một
chút so với thành phần danh nghĩa, cho thấy rằng lượng Hg2+ và Cu2+ dư thừa phải chiếm
giữ các vị trí của ion khác, ví dụ, một số Hg2+ pha tạp trong (Y, Ca) và một ít Cu2+ được
kết hợp trong các lớp (Hg, Mo). Hiện tượng này có vẻ khá phổ biến ở các chất siêu dẫn
1212 gốc Hg, cho kết quả tương tự ở hợp chất (Pb0.5Hg0.5)Sr2(Ca0.5Y0.5)Cu2O7 đã thu được
trong phương pháp sàng lọc chiếm chỗ của phân tích XRD.

Cấu trúc tinh thể của Hg-1212 cho thấy sự phân bố không đều của các ion. Điều này
được coi là chìa khóa để giải thích sự mở rộng của ATc trong đường cong R-T. Ngoài ra,
cấu trúc tinh thể của Hg-1212 cũng cho thấy sự ổn định của nó trong không khí ẩm.

Nói chung, hợp chất Hg-1212 đã được nghiên cứu bằng phân tích SAED và EDS. Nhóm
không gian và hằng số mạng suy ra từ mẫu SAED phù hợp với kết quả XRD: mẫu là một

6
pha và kết tinh tốt. Tuy nhiên, sự phân bố cation không đồng nhất đã được tiết lộ bằng
phân tích EDS, mặc dù không phát hiện thấy sự khác biệt nào trong các tham số mạng do
hạn chế về độ chính xác của SAED. Thành phần trung bình của mẫu thu được qua phân
tích EDS là Hg0.93 Mo0.19Sr2Y0.44Ca0.40Cu2.07O6+ δ, Cu và Hg được tích hợp vào các lớp (Hg,
Mo) và vị trí (Y, Ca). Hơn nữa, một phần Hg2+ trong mạng tinh thể không ổn định và dễ
bị thủy phân khi gặp điều kiện môi trường thích hợp. Hai yếu tố có thể chịu trách nhiệm
cho sự chuyển đổi rộng hơn trong đường cong R - T là:

(1) Sự phân bố cation không đồng nhất, đặc biệt là sự thay thế lẫn nhau giữa Y và
Ca, do lượng Ca2+ pha tạp vào vị trí Y3+ đóng vai trò quan trọng trong việc tăng
cường Tc.

(2) Tính không ổn định của một phần Hg2+ trong mạng, có thể liên quan đến tính
chất hóa học của chính nguyên tố Hg.

Để có thể ứng dụng loại vật liệu này, điều quan trọng là các nhà nghiên cứu phải chú ý
đến việc đồng nhất hóa sự phân bố các cation và ổn định Hg2+ trong mạng của mẫu vật.

Tổng hợp màng mỏng chất siêu dẫn Hg-1212

Giới thiệu
Việc phát hiện ra tính siêu dẫn trong chất siêu dẫn Tc cao dựa trên Hg (HgBa2CaCu2O6+ δ),
đã thu hút sự quan tâm đáng kể do nhiệt độ tới hạn cao (T) của các vật liệu này. Thông
thường, độ dày của các màng này nằm trong khoảng 0,5-1 gm và độ dày tối thiểu vẫn trên
200nm. Đối với nhiều ứng dụng vi điện tử, chẳng hạn như thiết bị quang học, màng rất
mỏng chất lượng cao với độ dày dưới 100nm là cần thiết. Khó khăn chính trong việc chế
tạo màng mỏng hơn của HTS dựa trên Hg tăng lên từ việc hóa lỏng vật liệu trong quá
trình kết tinh màng trong quá trình ủ hơi Hg, dẫn đến các đảo không liên kết khi độ dày
màng dưới ngưỡng nhất định. Ngoài ra, độ nhạy không khí nghiêm trọng của tiền chất
cuprate (Ba2Can-1CunOx ) được sử dụng trong quy trình hai bước hiện đang được áp dụng
làm phức tạp thêm quá trình xử lý và dẫn đến khả năng tái tạo mẫu kém ngay cả đối với
màng dày. Để giải quyết những vấn đề này, gần đây chúng tôi đã phát triển một sơ đồ
phim tiền thân mới. Thay vì sử dụng tiền chất Ba2Can-1CunOx không phản ứng, màng
TlyBa2Can-1CunOx phản ứng trước (y = l hoặc 2, n = 2 hoặc 3) phải chịu cùng một ủ hơi
Hg để thay thế Tl bằng Hg. Trong quá trình trao đổi cation này, một mẫu biểu mô có thể
được hình thành trong flhn tiền thân. Điều này cho phép phát triển màng Hg-HTS rất
mỏng thông qua một cơ chế hoàn toàn khác và loại bỏ tác động bất lợi không khí vì màng
tiền chất TlyBa2Can-1CunOx ổn định trong không khí. Trong bài viết này, chúng tôi báo cáo
chế tạo màng rất mỏng Hg-1212 biểu mô với độ dày nhỏ hơn 100 nm trên chất nền
LaA103 (001) bằng quy trình cationexchange. Màng mỏng Tl-1212 biểu mô được sử
dụng làm màng tiền chất, được ủ trong hơi Hg để tạo thành màng mỏng Hg-1212.

7
Thử nghiệm
Màng tiền chất Tl-1212 được chuẩn bị bằng phương pháp phún xạ dc-magnetron và
phương pháp sau ủ. Màng tiền chất không siêu dẫn được phun ra từ một cặp mục tiêu
siêu dẫn Tl-1212 lên chất nền đơn tinh thể LaA103 (001) trong hỗn hợp Ar và 02 khí (Ar/
02=4/1) với tổng áp suất 20 mTorr. Màng lắng đọng là vô định hình với thành phần kim
loại của Tl: Ba: Ca: Cu - 1: 2: 1: 2. Độ dày của màng phụ thuộc vào thời gian phún xạ và
thường được kiểm soát trong phạm vi từ 50-200nm. Các màng lắng đọng được ủ trong 1
atm 02 bằng quy trình nấu kim loại ở nhiệt độ từ 800 – 850℃ .
Các màng tiền thân của Tl-1212 sau đó được niêm phong trong một ống thạch anh được
làm sạch trước và sơ tán với các viên nén lớn Ba2Ca2Cu3Ox và Hg Ba2Ca2Cu3Ox và ủ
trong hơi Hg ở nhiệt độ cao, thường là 760-780℃ trong 3-4 giờ để tạo thành màng Hg-
1212. Sau khi thiêu kết, các màng được ủ thêm ở nhiệt độ 300℃ trong bầu khí quyển O2
chảy trong 1 giờ để tối ưu hóa hàm lượng oxy của màng.
Các pha vật liệu được xác định bằng cách sử dụng nhiễu xạ tia X (XRD) θ−2θ lần
quét từ bức xạ Cu Ka. Kính hiển vi điện tử quét (SEM) được sử dụng để xác định
hình thái bề mặt màng. Tcs của phim Tl-1212 và phim Hg1212 được xác định bằng
cả phương pháp bốn đầu dò truyền điện và phép đo từ. Mật độ dòng điện tới hạn (Jc)
có thể được ước tính từ các phép đo từ với từ trường áp dụng vuông góc với mặt
phẳng của màng.

Kết quả

Hình 3: Các mẫu nhiễu xạ tia X cho (a) phim Tl-1212 dày 80nm ủ ở 8250 C và (b) phim
Hg-1212 (dày 80 nm) ủ ở 7800 C trong 3 giờ.
Các màng mỏng tiền thân của màng Tl-1212 là siêu dẫn với Tc khoảng 80 K. Hình thái
bề mặt của các màng được quan sát bởi SEM thường mịn và đồng đều. Hình 1(a) cho
thấy phổ XRD của màng mỏng Tl-1212 dày 80 nm được ủ ở 825℃ . Như đã chỉ ra trong

8
Hình 3 (a), mẫu bị chi phối bởi pha Tl-1212 với một phần không đáng kể của các pha
tạp chất. Pha Tl-1212 phát triển với hướng trục c vuông góc với bề mặt chất nền như
được chỉ ra bởi các đỉnh (001). Mô hình XRD θ−2θ của màng sau quá trình ủ hơi Hg
được trình bày trong Hình I (b), cho thấy phổ gần như không thay đổi như mong đợi từ
cùng một tinh thể Tl-1212 và các pha Hg-1212 có. Sự chuyển đổi từ Tl-1212 sang Hg-
1212, tuy nhiên, với Hg-1212 được xác nhận bằng phép đo Tc. Hình 4 cho thấy sự phụ
thuộc nhiệt độ (T) của từ hóa dc (M) làm mát bằng không trường (ZFC) của cùng một
màng Hg-1212 trong từ trường 5 Gauss được đo trong từ kế thiết bị nhiễu lượng tử siêu
dẫn (SQUID). Tc của màng Hg-1212 cao tới 118 K, gần với giá trị nội tại của 124 K đối
với pha Hg-1212 và có thể so sánh với Tc (120-124 K) thu được trên màng Hg-1212
dày (độ dày > 200nm). Người ta đã nhận thấy rằng giá trị Tc này cao hơn khoảng 38 K
so với màng tiền thân Tl-1212. Ngoài ra, sự chuyển tiếp suôn sẻ gần Tc cho thấy sự
chuyển đổi gần như hoàn toàn từ pha Tl1212 sang pha Hg-1212 sau khi ủ hơi Hg.

Hình 4: Từ hóa một chiều làm mát bằng không trường của màng Hg-1212 (dày 80 nm)
như một hàm của nhiệt độ trong từ trường 5 G.

9
 Hình 5: Jc của màng Hg-1212 (dày 80 nm) là chức năng của nhiệt độ và từ trường.
Để ước tính độ lớn của Jc từ các vòng M-H được đo ở các nhiệt độ khác nhau cho cùng
một màng Hg-1212, công thức Bean đã được sử dụng: Jc— 20 (M+-M-) / R. Ở đây M+ và
M lần lượt là các nhánh trên và dưới của vòng trễ M-H. R, bán kính tuần hoàn của dòng
điện, được ước tính cho một mẫu phim hình chữ nhật sử dụng, R= b(1-a/3b) trong đó a
và b đại diện cho kích thước ngắn và dài của mẫu. Các Jcs được tính toán được thể hiện
trong Hình 5 dưới dạng các hàm của từ trường và nhiệt độ. Khi tính toán các giá trị Jc,
tổng diện tích phim (5mm x 2,4 mm) đã được sử dụng để tính toán đưa ra ước tính giới
hạn thấp hơn cho Jc. Ở trường không, Jc là 1,1x107 A /cm2 ở 5 K và giảm xuống 1,14x106
A /cm2 ở 77 K. Các giá trị này thấp hơn giá trị tốt nhất thu được trên màng dày hơn theo
hệ số 2-4. Ở nhiệt độ cao hơn, việc giảm Jc trở nên đáng kể hơn. Ở 100 K và 110 K, Jcs
lần lượt là 2,59x10 5A / cm2 và 9,1x104 A / cm2, thấp hơn hệ số 5-7 so với báo cáo tốt
nhất cho màng Hg-1212 dày. Tối ưu hóa hơn nữa các điều kiện xử lý là cần thiết để cải
thiện chất lượng của phim Hg-1212 rất mỏng Mặt khác tay, cần đề cập rằng việc giảm Tc
và Jc như vậy không phải là hiếm và đã được báo cáo trên các Tc cao khác màng siêu dẫn
(HTS) rất mỏng. Kể từ khi một Lớp bảo vệ có thể làm giảm đáng kể sự giảm này, nó
được lập luận rằng sự suy giảm oxy gần bề mặt màng có thể là chịu trách nhiệm về các
tính chất siêu dẫn xuống cấp của HTS phim rất mỏng. Một cuộc điều tra so sánh mẫu
chất lượng với hoặc. không có lớp bảo vệ sẽ cung cấp hiểu biết sâu sắc về vấn đề này.
χ (a.u)

10
Hình 6: Hình ảnh SEM của phim Hg-1212 dày 80nm được thực hiện bằng quy trình trao
đổi cation.
Hình 6 cho thấy hình ảnh SEM điển hình của Hg dày 80 nm- 1212 phim. Hình thái mịn
và cấu trúc tinh thể dày đặc có thể thấy rõ trên bề mặt. Không có ranh giới hạt rõ ràng
sfructure hoặc vết nứt có thể nhìn thấy, cho thấy một kết nối tốt Phim ở Thichess of
80nm.

Kết luận
Các màng Hg-12 12 siêu dẫn có độ dày nhỏ hơn 100 nm đã được chế tạo trên LaA10,
chất nền bằng cách ủ các màng tiền chất epiticular T1-1212 trong hơi Hg được kiểm
soát. T, lên tới 11 8K đã thu được trong các phim này. Tại trường ứng dụng 0, J, lên tới
1,1 x 1 O7 A/cm* ở 5 K và gần bằng 1 x105 A/cm2 ở 1 1OK. Những màng rất mỏng
này rất hứa hẹn cho nhiều ứng dụng vi điện tử.

Đặc tính
1. Tính từ tính của chất siêu dẫn Hg-1212
1.1 Giới thiệu tổng quan
Hg-1212 thể hiện nhiệt độ chuyển tiếp Tc siêu dẫn cao nhất trong số các vật liệu siêu dẫn
có Tc cao và do đó rất được quan tâm cho các ứng dụng tiềm năng. Tính chất của chúng
có thể được cải thiện bằng cách thay thế một phần Hg bằng các nguyên tố khác. Để mô tả
đặc tính và so sánh các mẫu khác nhau, kiến thức về sự phụ thuộc nhiệt độ của các trường
không thuận nghịch tương ứng là đặc biệt quan trọng. Một phương pháp phổ biến để xác
định các đường không thuận nghịch là đánh giá các giá trị đỉnh của phần ảo của tín hiệu
nhạy AC. Tuy nhiên, chính xác hơn là việc sử dụng điểm cơ bản ở phía nhiệt độ cao của
đỉnh này, tức là 1%.

11
1.2 Thực nghiệm
Để so sánh thông số rõ ràng, ta dùng Hg-1212 với HgTl-1212. Một số mẫu bột của hệ
Hg-1212 và (HgTl)-1212 được chuẩn bị trong các ống silica kín sử dụng lò nung một
nhiệt độ. Hỗn hợp các oxit có thành phần danh nghĩa được ủ ở 880° C trong 10 giờ. Nhiệt
độ chuyển tiếp siêu dẫn và các đường không thuận nghịch được xác định bằng phép đo
độ nhạy trong từ trường lên tới 14T.

1.3 Kết quả và phân tích

Hình 7: Phần thực và phần ảo của độ nhạy xoay chiều của chất siêu dẫn Hg-1212 và
(HgTl)-1212

Hình 8: Các trường không thể đảo ngược đối với các chất dẫn điện Hg-1212 và (HgTl)-
1212.

12
Hình 3 cho thấy một số kết quả thu được từ các phép đo độ nhạy AC. Phần thực và phần
ảo là vẽ biểu đồ cho Hg-1212 và (HgTl)-1212 được lấy ở trường 0 và với trường ứng
dụng là 3T. Các đường cong của mẫu thay thế Tl được dịch chuyển rõ ràng đến nhiệt độ
cao hơn. Điều này cũng có thể được nhìn thấy trong các đường không thể đảo ngược
(Hình 2), được xác định từ tín hiệu tưởng tượng ở mức 1% giá trị cực đại ở phía nhiệt độ
cao. Sự phụ thuộc nhiệt độ của các đường không thuận nghịch được phân tích theo lý
thuyết của Matsushita, dựa trên cơ chế rút chốt gây ra bởi hiện tượng rão từ thông được
kích hoạt bằng nhiệt. Theo lý thuyết này, sự phụ thuộc nhiệt độ của trường không thuận
nghịch có thể được mô tả bằng
Bi(T) = (K /T ) 4/ (3−2 γ ) [1 – [T /T C ]2 ]2 m /(3−2 γ ) [1]

trong đó K, m và c là các tham số của lý thuyết. Trong Hình 4, các đường cong phù hợp
sử dụng biểu thức này được đưa ra với các tham số kết quả được vẽ trong Bảng 1. Có thể
thấy rằng mô tả lý thuyết rất phù hợp trong toàn bộ phạm vi nhiệt độ.

Bảng 1: Nhiệt độ chuyển tiếp và các thông số phù hợp theo lý thuyết của Matsushita đối
với Hg-1212 và (HgTl)-1212

Hình 9: So sánh mối tương quan giữa phần thực và phần ảo của độ nhạy từ đối với
(HgTl)-1212 với những dự đoán về mô hình thư giãn, lan tỏa và mô hình Bean.

Nhìn chung, việc giải thích kết quả về tính nhạy cảm của chất siêu dẫn Tc cao chưa được
làm rõ trong tài liệu. Một số mô hình đã được đề xuất dựa trên các điều kiện động lực học
từ thông khác nhau. Ling và Budnick đã thảo luận về ba loại mô hình chính liên quan đến
các phép đo đường không thuận nghịch: bên cạnh mô hình Bean cổ điển còn có mô hình
thư giãn và chuyển động khuếch tán. Các đường cong trong Hình 3 được lấy từ công

13
trình của họ thể hiện dự đoán tương ứng trong đồ thị của phần ảo so với phần thực của độ
nhạy AC. Các kết quả thí nghiệm có thể được so sánh với những dự đoán này. Hình 3 là
một ví dụ về dữ liệu thu được từ mẫu (HgTl)-1212 cho các trường 0,01 và 3T. Gần như
hiện nay có sự khác biệt trong hoạt động của hai mẫu. Sự điều chỉnh duy nhất trong Hình
3 là phép ngoại suy tuyến tính của độ dốc chính ở bên trái của các đường cong thử
nghiệm. Như có thể thấy, có sự phù hợp tuyệt vời với dự đoán của mô hình Bean trong
trường hợp dữ liệu trường thấp trong khi đối với dữ liệu 3T, cơ chế động lực học thông
lượng bổ sung dường như xảy ra. Các cuộc điều tra sâu hơn về loại này đang được tiến
hành.

3. Hiệu ứng áp suất cao của vật liệu Hg-1212 có nhiệt độ chuyển tiếp cao
3.1 Giới thiệu
Để làm rõ điều kiện có thể có của Tc cực đại thực, cần xem lại ảnh hưởng của áp lực lên
Tc trong họ Tc cao nhất. Ở đây chúng tôi báo cáo một nghiên cứu có hệ thống về sự phụ
thuộc áp suất của Tc trong HgBa2CaCu2O6+ δ (Hg1212) với mức độ pha tạp từ dưới pha
đến quá pha. Tc có điện trở suất bằng 0 được thử nghiệm bằng thiết bị kiểu đe lập phương
có thể tạo ra áp suất thủy tĩnh. Sự biến thiên không những tăng mà còn giảm của Tc trong
Hg1212 với áp suất phụ thuộc rất nhiều vào mức độ pha tạp ban đầu.
Kiến thức về tác động của áp suất lên nhiệt độ tới hạn của chất siêu dẫn (Tc) là hết sức
quan trọng để hiểu cơ chế của chất siêu dẫn, như được minh họa bằng báo cáo mới nhất
về chất siêu dẫn trên 200 K do áp suất gây ra. Trong các chất siêu dẫn thông thường như
MgB2, Tc giảm khi áp suất tăng phản ánh sự giảm mật độ trạng thái ở cấp độ Fermi, trong
khi ở một số chất siêu dẫn độc đáo như FeSe, Tc tăng khi tăng áp suất ít nhất là trong một
phạm vi nhất định áp lực. Trong hầu hết các chất siêu dẫn có hàm lượng Tc cao (HTSC)
có lớp CuO2, Tc tăng theo áp suất một cách mạnh mẽ tùy thuộc vào thành phần và mức
độ pha tạp.

HTSC gốc thủy ngân được ký hiệu là công thức chung HgBa2Can-1CunOn+ δ. (n=1, 2, 3,
4,...) thể hiện giá trị Tc rất cao ở áp suất xung quanh (AP): 95, 127, 134 , và 130 K tương
ứng với n=1, 2, 3 và 4. Các nghiên cứu về tác động của áp suất lên Tc đã được bắt đầu
ngay sau khi phát hiện ra chuỗi tương đồng này và các giá trị tối đa của Tc đối với
HgBa2CaCunOn+ δ (Hg1212) được báo cáo là 154 K tương ứng ở mức ∼ 25 GPa. Gao và
cộng sự lập luận rằng sự dịch chuyển đi lên phổ biến của Tc là đặc điểm chung của tất cả
Hg 12(n−1)n. Mặc dù các giá trị này của Tc thường được chấp nhận, chúng tôi tin rằng
chúng nên được nghiên cứu lại để hiểu rõ hơn về tác động của áp suất cao dưới ánh sáng
của những tiến bộ trong tổng hợp vật liệu và kỹ thuật áp suất cao; các giá trị này của Tc
được xác định từ cái gọi là nhiệt độ khởi đầu, tại đó điện trở suất bắt đầu sai lệch với tốc
độ nhanh hơn so với nhiệt độ cao hơn khi nhiệt độ giảm, trong khi quan sát thấy điện trở
suất bằng 0, nghĩa đen là siêu dẫn, không đạt được. Hơn nữa, trong các nghiên cứu trước
đây, áp suất trên 10 GPa được tạo ra bằng tế bào đe kim cương, điều này không nhất thiết

14
đảm bảo tạo ra áp suất có tính chất thủy tĩnh tuyệt vời. Để nghiên cứu chính xác về ảnh
hưởng của áp suất lên điện trở Tc bằng 0, cần phải có áp suất thủy tĩnh chất lượng cao.

Để giải quyết những vấn đề này, các nhà khoa học đã nghiên cứu lại tác động của áp suất
lên Tc trong Hg-HTSC bằng cách sử dụng các mẫu đa tinh thể dày đặc tổng hợp áp suất
cao và áp suất gần như thủy tĩnh. Trong nghiên cứu hiện tại, đã nghiên cứu sự phụ thuộc
áp suất của Tc trong cả Hg-1212 trên một phạm vi rộng về mức độ pha tạp; đối với Hg-
1212, sự phụ thuộc pha tạp lớn và tới hạn của hiệu ứng áp suất lên Tc được bộc lộ.

3.2 Kết luận

3.2.1 Sự phụ thuộc pha tạp của điện trở suất ở áp suất xung quanh

Hình 10: Hiển thị cấu trúc Hg-1212

Hình 11: Sự phụ thuộc nhiệt độ của điện trở suất với có Tc khác nhau

15
 Hình 12: Mối tương quan giữa ρ–T và sự phụ thuộc nhiệt độ của các đường cong độ
nhạy dc (χ–T) được minh họa cho Hg1212 (Tc=124 K)

Hình 13: Ước tính nồng độ lỗ (p) cho Hg1212

Hình 13 hiển thị cấu trúc tinh thể của Hg-1212. Những cấu trúc này mang lại lợi thế cho
việc chịu áp lực. Một là độ phẳng của lớp CuO2 dẫn điện, đây sẽ là yếu tố quan trọng đối
với Tc cao nhất được quan sát thấy trong HTSC. Điều này là do sự phối hợp của lớp
CuO2 với kim tự tháp Cu–O kéo dài, có khoảng cách dài (2,7208(3) Å) giữa đỉnh-O (Oa)
và Cu do liên kết cộng hóa trị ngắn (1,972(3) Å) giữa Hg và Oa. Một ưu điểm khác là lớp
khối chứa điện tích (HgOδ) nằm cách xa lớp CuO2, do đó lượng oxy bổ sung ít ảnh
hưởng đến sự biến dạng cục bộ nhất hoặc ít gây ra điện thế ngẫu nhiên trong các lớp
CuO2. Hiệu ứng áp suất cao trong Hg1212 chỉ bao gồm hai lớp CuO2 bên ngoài tương
đương với hình chóp có đỉnh thon dài.

Sự phụ thuộc nhiệt độ (T) của điện trở suất (ρ) trong Hg1212 tại AP được thể hiện trong
Hình 14. Các biến thể pha tạp trong đường cong ρ–T thể hiện các đặc điểm chung về điện
trở suất trong mặt phẳng của HTSC cuprates12. Các phần bên trong cho thấy độ nhạy dc
và điện trở suất của các mẫu pha tạp gần như tối ưu và xác nhận rằng tín hiệu nghịch từ
(hiệu ứng Meissner) bắt đầu ở nhiệt độ có điện trở suất bằng 0. Điều này xác định nhiệt

16
độ của quá trình chuyển đổi siêu dẫn và sau đây chúng tôi áp dụng nhiệt độ có điện trở
suất bằng 0 như Tc.

Mức độ pha tạp lỗ của từng mẫu được ước tính từ mối quan hệ được thiết lập bằng thực
nghiệm giữa pha tạp lỗ và Tc được báo cáo trong, như trong Hình 15. Giá trị của Tc được
xác định từ nhiệt độ tại đó tín hiệu nghịch từ bắt đầu xuất hiện. Chúng tôi đặt
Δp=p−pmax, trong đó pmax cho Tc tối đa tại AP trong hệ thống; theo định nghĩa, Δp<0
đối với các mẫu pha tạp yếu và Δp>0 đối với các mẫu pha tạp quá mức.

3.2.2 Sự phụ thuộc pha tạp của điện trở suất ở áp suất cao

Hình 14: Sự phụ thuộc nhiệt độ của điện trở suất được chuẩn hóa ở 270 K đối với các
mẫu Hg1212 (a) với các mức hoạt động rộng được biểu thị bằng Δp.

Các đường cong ρ–T của Hg1212 lên tới 11–13 GPa được hiển thị trong Hình 17. Để dễ
hình dung, điện trở suất được chuẩn hóa bằng các giá trị tương ứng ở 270 K, trong khi giá
trị tuyệt đối của điện trở suất giảm 30–70% từ AP đến 11–13 GPa. Trong Hg1212, đường
cong ρ–T ở vùng pha tạp kém (Δp<0 ) dần dần thay đổi từ đường lồi hướng lên thành
đường thẳng, mặc dù mức độ thay đổi phụ thuộc vào giá trị Δp ban đầu. Quá trình chuyển
đổi siêu dẫn vẫn diễn ra ngay cả ở áp suất cao trên 10 GPa. Tuy nhiên, ở vùng Δp (quá

17
pha tạp) dương đối với Hg1212, đường cong ρ – T lồi xuống điển hình của kim loại
thông thường, trong khi quá trình chuyển đổi siêu dẫn trở nên rộng hơn khi áp suất tăng
dần. Nguồn gốc của quá trình chuyển đổi mở rộng dưới áp suất ở vùng quá pha tạp đối
với Hg1212 là không rõ ràng, nhưng sự mở rộng dễ thấy như vậy trong quá trình chuyển
đổi điện trở cũng được thấy đối với vùng thiếu pha tạp dưới áp suất cao hơn (ví dụ: >15
GPa) trong đó Tc chuyển sang giảm với việc áp dụng thêm áp lực. (Chúng ta quay lại vấn
đề này bằng phần thảo luận suy đoán.) Lưu ý rằng Tc của các mẫu Hg1212 với Δp=0,045
(d) và Δp=0,113 (e) cho thấy sự phụ thuộc áp suất không đơn điệu, cụ thể là lúc đầu tăng
và sau đó giảm khi tăng áp suất. Lý do cho sự tăng nhanh Tc ở áp suất tương đối thấp có
thể được cho là do sự thay đổi cấu trúc do áp suất gây ra, sao cho oxy ở đỉnh nhanh
chóng tiếp cận lớp CuO214. Chi tiết sự phụ thuộc áp suất của Tc và dTc/dP trong Hg1212
và Hg1223 được thể hiện trong Hình

Hình 15: Sự phụ thuộc áp suất của Tc và dTc/dP đối với Hg1212 ở áp suất cao trong
phạm vi hoạt động rộng. Sự phụ thuộc áp suất của Tc đối với Hg1212. Sự phụ thuộc áp
suất của dTc/dP đối với Hg1212

Hình 19 cho thấy sự phụ thuộc Δp của Tc vào Hg1212. Hình 19 (a) minh họa sự biến đổi
của Tc giữa AP và 12 GPa trong Hg1212. Giá trị Tc trong các mẫu có Δp âm được tăng
hơn 30 K khi áp suất lên tới 12 GPa; đáng chú ý là trong mẫu có độ pha tạp thấp nhất
(Δp=−0,113), Tc tăng lên tới 41 K. Ngược lại, các mẫu có Δp dương cho thấy Tc giảm do
áp suất gây ra. Sự giảm Tc rõ ràng như vậy khi chịu áp suất hiếm khi được báo cáo trong
cuprate HTSC ngoại trừ Tl2Ba2CuO6+δ (Tl2201) quá liều. Hình 19 (c) hiển thị các giá

18
trị Tc là hàm của Δp ở các áp suất khác nhau (ở khoảng 2 GPa) tương ứng đối với
Hg1212 và Hg1223. Các đường liền nét parabol biểu thị các đường cong phù hợp nối Tcs
áp suất không đổi. Sự khớp parabol này với vòm Δp so với Tc dường như không bao phủ
được vùng quá pha tạp, ví dụ, Δp=0,113 đối với Hg1212, nhưng có thể hoạt động tốt cho
phép ngoại suy để xác định Tc tối đa và giá trị Δp tương ứng. Từ những đường cong này,
chúng ta thu được Tc cực đại có thể thực hiện được và Δp tương ứng ở các giá trị áp suất
tương ứng, như trong Hình 19 (e). Những đồ thị này cho thấy xu hướng rõ ràng rằng Tc
tối đa đạt được ở Δp thấp hơn và áp suất cao hơn. Chúng ta cũng có thể thấy mối tương
quan như vậy trong các bản đồ đường viền Tc trên biểu đồ áp suất pha tạp trong Hình 19
(g). Tất cả những phân tích này cho thấy rằng Tc tối đa dưới áp suất không phải lúc nào
cũng xảy ra ở mức pha tạp tối ưu tại AP; pha tạp tối ưu làm tăng Tc cao nhất phụ thuộc
vào giá trị áp suất. Tc cao nhất có thể được mong đợi ở mức độ pha tạp thấp hơn và áp
suất cao hơn. Tuy nhiên, trên thực tế, rất khó để tạo ra áp suất thủy tĩnh trên 13 GPa trong
cảm biến tải trọng áp suất hiện tại với kích thước đe là 4 mm.

19
 Hình 16: Ảnh hưởng của áp suất lên Tc của Hg1212

(a)Sự phụ thuộc mức độ pha tạp lỗ (Δp) của Tc vào Hg1212 ở áp suất xung quanh (vòng
tròn đầy và vạch liền) và 12 GPa (vòng tròn mở và đường đứt nét). Các khu vực được tô
màu hồng và xanh lục lần lượt cho thấy Tc -tăng và -giảm khi có áp suất. (c) Các giá trị
được đo và nội suy của Tc dưới dạng hàm của Δp đối với Hg1212 ở áp suất cao. Các
đường liền nét parabol cho thấy sự phù hợp của đường cong Tc và Δp áp suất không đổi.
Màu của đường kẻ và hình tròn tương ứng với màu chữ của áp lực. (e) Sự phụ thuộc áp
suất (P) của mức tối đa Tc (hình vuông màu xanh) và Δp (hình tròn màu đỏ) cung cấp
mức tối đa Tc cho Hg1212. Các giá trị này được ước tính bằng các đường cong phù hợp
của bảng (c). (g) Bản đồ đường viền Tc trên sơ đồ mức pha tạp áp suất (P–Δp) trong
Hg1212 (e). Thanh màu hiển thị giá trị Tc tính bằng Kelvin. Các chấm màu hồng nhạt
tương ứng với các điểm dữ liệu đo được.

3.3.3 Điện trở suất ở áp suất cao trên 20 Gpa

Để nhận ra Tc cao hơn, chúng tôi đã cố gắng tạo ra áp suất cao hơn bằng cách sử dụng đe
mới được phát triển có cạnh 3 mm. Điều này cho phép chúng tôi đạt được áp suất gần
như thủy tĩnh lên tới 22 GPa, theo hiểu biết tốt nhất của chúng tôi, đây sẽ là áp suất cao
nhất đạt được với máy ép đe khối để đo điện trở suất. Quy trình chi tiết và thông số kỹ
thuật để đo áp suất cao hơn sẽ được báo cáo ở nơi khác. Trong nghiên cứu này, chúng tôi
đã áp dụng áp suất lên tới 19–22 GPa trên bốn mẫu; Hg1212 với Δp=−0,062 để khám phá
Tcs cao nhất có thể (điện trở bằng 0) dưới áp suất thủy tĩnh thực tế. Mức độ pha tạp lỗ
trống của các mẫu này phải gần như tối ưu để tăng cường Tc ở khoảng 20 GPa như mong
đợi từ các kết quả được hiển thị trong Hình 3c–h. Ảnh hưởng của áp suất lên Tc đối với
các mẫu Hg1212 được thể hiện trong Hình 20 (a) cùng với Tc mid (nhiệt độ cực đại trong
đường cong dρ/dP) và Tc onset (nhiệt độ để điện trở suất bắt đầu giảm về điện trở suất
bằng 0). Sự phụ thuộc nhiệt độ của điện trở suất được thể hiện trong hình 20 (c)

20
 Hình 17: Ảnh hưởng của áp suất cao hơn đến tính siêu dẫn ở Hg1212

3.3 Thảo luận:

Sau đây, chúng tôi thảo luận về nguồn gốc có thể có của các hiệu ứng áp suất dễ thấy
quan sát được đối với Tc. Đầu tiên, chúng ta nên lưu ý sự phụ thuộc áp suất không đơn
điệu cao của Tc trong các mẫu có độ pha tạp thấp (ví dụ: Hg1212 với Δp=−0,11) như
trong Hình 19(g) ở giai đoạn đầu áp dụng, Tc không tăng nhiều nhưng trên 7–8 GPa đột
ngột tăng với tốc độ cao, sau đó tốc độ trở lại vừa phải. Hành vi mới được tìm thấy này
trong đường cong Tc–P đối với vùng pha tạp kém có thể vạch ra trạng thái ổn định Tc và
nhảy vào đường cong Tc–p, biểu thị thứ tự điện tích hoặc thứ tự sọc đặc trưng của tấm
CuO2 pha tạp thấp với Tc bị khử, sự mất ổn định thứ tự điện tích như vậy có thể được
loại bỏ bằng áp suất trên một số giá trị tới hạn, ví dụ: 7–8 GPa trong trường hợp hiện tại.

Tiếp theo, chúng tôi tập trung vào sự khác biệt giữa các tác động của Hg1212 như được
minh họa trong Hình 19(a) Hg1212 cho thấy sự tăng giảm rõ rệt của Tc khi áp dụng áp
suất cao ở chế độ pha kém và quá pha tương ứng. Một lý do quan trọng là sự hiện diện
của các lớp CuO2 bên trong và bên ngoài không tương đương. Một nghiên cứu NMR
trước đây cho thấy hóa trị đồng của lớp bên trong của HgBa2Ca4Cu5O12+δ (Hg1245) và
TlBa2Ca3Cu4O10+δ (Tl1234) thấp hơn so với hóa trị của lớp bên ngoài. Các tấm CuO2 có

21
sự phối hợp hình chóp Cu–O. Do đó, sự tăng (giảm) dốc hơn của Tc với áp suất trong chế
độ pha kém (quá pha) nên được xem là đặc điểm nội tại của các tấm CuO2.

Từ các phân tích được hiển thị trong Hình 19, với Hg1212, chúng tôi đã thu được kết quả
rằng Tc cực đại có thể đạt được khi bắt đầu từ một mẫu chưa được pha tạp thay vì bắt đầu
từ một mẫu được pha tạp tối ưu. Mức pha tạp ban đầu mang lại Tc tối đa phụ thuộc vào
giá trị áp suất, như được chỉ ra trong Hình 19(e). Sự tăng mạnh và sau đó giảm của Tc với
áp suất như đã thấy ở mức dưới mức (Δp=–0,062) Hg1212 Hình 20 (a) cho thấy xu
hướng thực nghiệm rằng việc áp dụng áp suất thủy tĩnh sẽ thúc đẩy hệ thống chuyển sang
chế độ quá liều một cách hiệu quả; ví dụ, trong hợp chất cụ thể này, Tc (điện trở bằng 0)
có xu hướng giảm khi áp suất vượt quá 12 GPa, như thể hợp chất được đặt ở trạng thái
quá pha tạp. Hơn nữa, là đặc trưng của các mẫu Hg1212 bị pha tạp quá mức Hình 18(e),
quá trình chuyển đổi điện trở siêu dẫn trở nên mở rộng về nhiệt độ, được biểu hiện bằng
sự khác biệt lớn giữa khởi phát Tc và Tc (điện trở bằng 0) trong dữ liệu P = 16 và 19 GPa
của Hình 20(a). Đặc biệt, giá trị áp suất cao (19 GPa) khi khởi phát Tc đối với Hg1212
đạt mức cao 160 K. Đây là đặc điểm thường được quan sát thấy trong các nghiên cứu áp
suất cao trước đây về họ chất siêu dẫn Tc cao nhất này. Nguồn gốc của việc mở rộng quá
trình chuyển đổi điện trở này với Tc khởi phát cao hơn nhưng Tc thấp hơn (điện trở bằng
0) trong chế độ quá liều do áp suất gây ra vẫn chưa rõ ràng. Chúng tôi suy đoán rằng
trạng thái quá pha do áp suất có thể cho thấy xu hướng phân tách pha điện tử nội tại thành
các sợi hoặc phôi Tc (> 160 K) cao hơn và trạng thái Tc (<160 K) thấp hơn trên 20 GPa;
tuy nhiên, vấn đề này vẫn là một chủ đề quan trọng của nghiên cứu trong tương lai.

Ứng dụng
Vật liệu siêu dẫn Hg-1212 có nhiều ứng dụng tiềm năng trong các lĩnh vực công nghệ
cao. Dưới đây là một số ví dụ:

1. Ứng dụng trong điện tử:

Vật liệu siêu dẫn Hg-1212 có tiềm năng lớn trong ứng dụng điện tử. Dưới đây là một số
phân tích chi tiết:

1.1 Siêu dẫn rất mỏng

Các nhà nghiên cứu đã thành công trong việc tổng hợp các phim Hg-1212 siêu dẫn với độ
dày ít hơn 100 nm sử dụng quá trình trao đổi cation. Các phim này cho thấy sự chuyển
đổi siêu dẫn lên đến khoảng 118 K, gần với giá trị nội tại 124 K cho pha Hg-1212. Điều
này có thể mở ra cơ hội cho việc sử dụng Hg-1212 trong các thiết bị điện tử siêu mỏng.

22
1.2 Dòng điện tới 1.1x107 A/cm2 ở 5 K, 1.14x106 A/cm2 ở 77 K và 2.59x105 A/cm2 ở
100 K trong trường không
Điều này cho thấy Hg-1212 có khả năng chịu dòng điện lớn, điều này rất quan trọng đối
với nhiều ứng dụng điện tử.

1.3 Ứng dụng trong các thiết bị điện tử siêu tốc

Các thí nghiệm quang phổ OPTP cho thấy quá trình thư giãn của quasiparticle trải qua
một động lực duy nhất trong khoảng picosecond, không có sự cản trở của phonon. Điều
này làm cho vật liệu HBCCO trở nên hứa hẹn cho các ứng dụng cảm biến bức xạ siêu
nhanh.

2. Ứng dụng trong y tế

Vật liệu siêu dẫn Hg-1212 có tiềm năng lớn trong ứng dụng y tế. Dưới đây là một số
phân tích chi tiết:

2.1 Ứng dụng trong máy quét MRI

Siêu dẫn được sử dụng rộng rãi trong việc tạo ra các nam châm mạnh trong máy quét
MRI. Với khả năng dẫn điện siêu, Hg-1212 có thể giúp tăng cường hiệu suất của các thiết
bị này. Các nam châm siêu dẫn cho phép tạo ra trường từ mạnh và ổn định, điều này là
cần thiết để tạo ra hình ảnh chất lượng cao trong MRI.

2.2 Ứng dụng trong điều trị bằng tia proton

Siêu dẫn cũng được sử dụng trong các thiết bị phân phối và chiếu tia proton, một phương
pháp điều trị ung thư hiện đại. Vật liệu siêu dẫn như Hg-1212 có thể giúp tăng cường
hiệu suất của các thiết bị này, cho phép chúng tạo ra các tia proton mạnh mẽ và chính xác
hơn.

3. Ứng dụng trong truyền tải điện

Vật liệu siêu dẫn Hg-1212 có tiềm năng lớn trong ứng dụng truyền tải điện.

3.1 Truyền tải điện năng trên khoảng cách dài

Siêu dẫn cũng được sử dụng để truyền tải điện năng trên khoảng cách dài. Với khả năng
chịu dòng điện lớn và hầu như không có sự mất mát nhiệt, Hg-1212 có thể giúp cải thiện
hiệu quả của hệ thống truyền tải điện.

3.2 Khả năng chịu dòng điện lớn

Hg-1212 có khả năng chịu dòng điện lớn, với mật độ dòng điện tới 1.1x107 A/cm2 ở 5 K,
1.14x106 A/cm2 ở 77 K và 2.59x105 A/cm2 ở 100 K trong trường không. Điều này cho
thấy Hg-1212 có khả năng chịu dòng điện lớn, điều này rất quan trọng đối với nhiều ứng
dụng truyền tải điện.

23
3.3 Khả năng chống lại sự di chuyển của các vòng từ
Trong các vật liệu siêu dẫn, sự di chuyển của các vòng từ (quantized flux lines) trong vật
liệu có thể gây ra điện trở hữu hạn, ngăn chặn sự dẫn điện không mất mát mong muốn.
Tuy nhiên, trong Hg-1212, các nhà nghiên cứu đã chỉ ra rằng vấn đề này có thể được giải
quyết bằng cách neo các vòng từ với các khiếm khuyết tinh thể do phân giải của nguyên
tử thủy ngân trong một siêu dẫn oxit đồng/thủy ngân.

4. Ứng dụng trong lưu trữ dữ liệu

Vật liệu siêu dẫn Hg-1212 có tiềm năng lớn trong ứng dụng lưu trữ dữ liệu.

4.1 Ứng dụng trong các yếu tố lưu trữ hoặc bộ nhớ
Siêu dẫn cũng được sử dụng trong các yếu tố lưu trữ hoặc bộ nhớ. Với khả năng dẫn điện
siêu, Hg-1212 có thể giúp tăng cường hiệu suất của các thiết bị lưu trữ dữ liệu.

4.2 Siêu dẫn rất mỏng

Các nhà nghiên cứu đã thành công trong việc tổng hợp các phim Hg-1212 siêu dẫn với độ
dày ít hơn 100 nm sử dụng quá trình trao đổi cation. Các phim này cho thấy sự chuyển
đổi siêu dẫn lên đến khoảng 118 K, gần với giá trị nội tại 124 K cho pha Hg-1212. Điều
này có thể mở ra cơ hội cho việc sử dụng Hg-1212 trong các thiết bị điện tử siêu mỏng,
bao gồm cả các thiết bị lưu trữ dữ liệu.

Tài liệu tham khảo

1. S.N. Putilin, E.V. Antipov, O. Chmaissem, M. Marezio, Nature 362 (1993) 226.
2. K.A. Muller, M. Takashige, J.G. Bednorz, Phys. Rev. Lett. 58 (1987) 1143.
3. C. Ecker, M. Baenitz, K. Luuders, E.S. Otabe, T. Matsush ita, H.R. Khan, E.V.
Antipov, Adv. Supercond. XI (1999) 461.
4. N. Sakamoto, S. Noguchi, K. Mawatari, T. Akune, H.R. Khan, K. L€uuders, IEEE
Trans. Appl. Supercond. 11 (2001) 3114.
5. L. Krusin-Elbaum, C.C. Tsuei, A. Gupta, Nature 373 (1995) 679.
6. S. N. Putilin, E. V. Antipov, O. Chmaissem, and M. Marezio, Nature 362, 226
(1993).
7. S. N. Putilin, E. V. Antipov, and M. Marezio, Physica C 212, 266 (1993).
8. R. S. Liu, S. F. Hu, D. H. Chen, D. S. Shy, andD. A. Jefferson, Physiea C 222, 13
(1993).

24
9. S. Nakajima, M. Kikuchi, Y. Syono, N. Kobayashi and Y. Muto, Physica C 168
(1990) 57.
10. J.L. Wagner, P.G. Radaelli, D.G. HinEs, J.D. Jorgensen, J.F. Mitchell, B.
Dabrowski, G.S. Knapp and M.A. Beno, Physica C 210 (1993) 447.
11. Y.T. Huang, R.S. Liu, W.N. Wang and P.T. Wu, Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989)
L1514.
12. M. Huv6, C. Martin, C. Michel, A. Maignan, M. Hervieu and B. RAveau, J. Phys.
Chem. Solids 54 (1993) 145.
13. T. Maeda, K. Sakuyama, F. Izumi, H. Yamauchi, H. Asano and S. Tanaka, Physica
C 175 ( 1991 ) 393.
14. J.Y. Lee, J.S. Kim, J.S. Swinnea and H. Steinfink, J. Solid State Chem. 84 (1990)
335.
15. S.N. Putilin, E.V. Antipov, O. Chmaissem, M. Marezio, Nature 362 (1993) 226.
16. P. Schilbe, I. Didschuns, K. L€ uuders, G. Fuchs, M. Baenitz, K.A. Lokshin, D.A.
Pavlov, E.V. Antipov, H.R. Khan, Physica C 372–376 (2002) 1865.
17. P.V.P.S.S. Sastry, J. Su, S.L. Atwell, S.M. Durbin, J. Schwartz, IEEE Trans. Appl.
Supercond. 11 (2001) 3098. [4] G. Fuchs, K.A. Nenkov, A. Attenberger, K. L€
uuders, M. Baenitz, C. Ecker, K. Kajikawa, E.V. Antipov, H.R. Khan, Physica C
355 (2001) 299.
18. T. Matsushita, Physica B 164 (1990) 150; T. Matsushita, Stud. High Temp.
Supercond. 14 (1994) 383.
19. X. Ling, J.I. Budnick, in: R.A. Hein, T.L. Francavilla, D.H. Liebenberg (Eds.),
Magnetic Susceptibility of Superconduc tors and Other Spin Systems, Plenum
Press, New York and London, 1991, p. 377.
20. C.P. Bean, Rev. Mod. Phys. 34 (1964) 31
21. F. Goutenoire, P. Daniel, M. Hervieu, G. Van Tendeloo, C. Michel, A. Maignan
and B. Raveau, Physica C 216 (1993) 243 (this issue).
22. S.N. Putilin, E.V. Antipov and M. Marezio, Physica C 212 (1993) 266.
23. A. Maignan, G. Van Tendeloo, M. Hervieu, C. Michel and B. Raveau, Physica C
212 (1993) 239.
24. A. Maignan, C. Michel, G. Van Tendeloo, M. Hervieu and B. Raveau, Physica C
216 ( 1993 ) 1.
25. D.B. Wiles and R.A. Young, J. Appl. CrystaUogr. 14 ( 1981 ) 141.
26. C. Michel, E. Suard, V. Caignaert, C. Martin, A. Maignan, M. Hervieu and B.
Raveau, Physica C 178 ( 1991 ) 29.

25