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C_KI1222_24A
C_KI1222_24A
C_KI1222_24A
Dimension(Unit:mm) KI1222
(Slit width)
LED Mark
1±0.1
19
4.2
10
(4)
KI1222 は 、 発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォト
トランジスタを採用した透過型フォトセンサです 。
14.5
(12)
2.5
Model KI1222 consists of an Infrared LED and a High sensitive Photo
transistor(Analog output).
6min
特長 Feature 4×0.4 4×0.45
0.9
(15.6)
・ 検出溝の深さ 12mm の深溝型 (2.54)
・ 検出溝幅が 10mm と広いので厚みのある物でも
6±0.2
検出可能 1 3
・ 可視光カットタイプ ELECS.
・ フォト IC タイプも用意しております
1
SHINKOH
・・・ KI1230/1231 2 4
保 存 温 度 Storage Temperature Tstg -30 ~ +85 ℃ ※ 1.Pulse width tw ≦ 100μs Duty ratio=0.01
※ 2.Soldering condition less than 2s. at 1mm over from body.
半 田 付 温 度 Soldering Temperature ※2 Tsol 330 ℃ Flow Soldering unsupported.
応 答 時 間 上昇 Rise Time tr - 15 -
VCC=5V,IC=0.5mA,RL=1kΩ μs
Response Time 下降 Fall Time tf - 17 -
** : Ta=25℃ unless otherwise noted
24.03-1A
KI1222
定格・特性曲線 ※注意 最大定格を超えないようにご使用ください
Characteristics Note: Operation never exceeds each value of Maximum Ratings.
(mW)
60 100 500
Ta=50℃
200
50 25℃
80 75℃
100
0℃
40
50
60
-20℃
30 20
40
10
20
5
20
10
2
0 1
0
-20 0 20 40 60 80 85 100 -20 0 20 40 60 80 85 100 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
6.0 1000
7.0
VCE=5V VCC=5V
IN VCC
IN
10%
5.0 6.0 tr
Ta=25℃
IF
ts RL
50mA td tf
100
4.0 5.0
40mA
4.0 tf
3.0 30mA 10
tr
Light Current
Light Current
3.0
2.0 20mA td
2.0
1
1.0 IF=10mA
ts
1.0
0 0.1
0
0 10 20 30 40 50 0 5 10 0.01 0.1 1 10
100 X Y
IC(%)
10-6
VCE=20V VCE=5V
IC(%)
VCE=5V
IF=20mA IF=20mA
ICEO(A)
Ta=25℃ Ta=25℃
80 100 Beam axis Object
0
Beam axis
- +
10-7 d
d
-
Relative Light Current
60
+
Object
Relative Light Current
VCE=5V
IF=20mA
10-8
Dark Current
40
50
20 10-9
0
-20 0 20 40 60 80 100 10-10 0
0 25 50 75 100 -2 -1 0 1 2 -2 -1 0 1 2
・カスタマイズも承ります。お気軽にお問合せください ・この仕様は改良のため予告なく変更する場合があります
・A Customized design available on request. ・Specifications are subject to change without notice.
お問合せ先:新光電子株式会社
for inquiry : Shinkoh Electronics Co., Ltd. www.shinkoh-elecs.jp
24.03-1A