KI1470

透過型フォトセンサ Photo Interrupter

Dimension(Unit:mm) KI1470

(Slit width)
0.5±0.1
LEDMark

8.4
3 4

概要 Description Beam
axis

6.5
(4.8)
KI1470 は ､ 発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォト
トランジスタを採用した透過型フォトセンサです ｡ 4-0.25

13min.
1
4-0.45

0.9
Model KI1470 consists of an Infrared LED and a Phototransistor.
(5.6)

特長 Feature (2.54)
2 3
・ 小型タイプ SHINKOH

・ ローコスト
ELECS.

4
1
・ 検出溝の深さ 5.5mm φ1.2±0.15
・ 検出溝幅が 3mm 0.75±0.15 Cathode: 2 3：Collector
・ Compact Package.
・ Low Cost. Anode: 1 4：Emitter
・ Slot depth-5.5mm. ※ 指示無き寸法公差は下記の通りとする
・ Slot width-3mm. General tolerance unless otherwise noted
less than 5.0 ±0.2
5.0 to less than 15.0 ±0.3
用途 Application 15.0 or over
※（ ）内寸法は参考値とする
±0.5

（ ）value means for reference only

・ カード機器、両替機の物体通過検出
・ ＯＡ機器、その他
・ Object passing for Card reader, Bill exchanger.
・ Paper detection for O.A. equipment.

最大定格 Maximum Ratings [Ta=25℃ **]

Item Symbol Rating Unit
順 電 流 Forward Current IF 50 mA

発 光 側 パ ル ス 順 電 流 Pulse Forward Current ※1 IFP 1 A

Emitter
逆 電 圧 Reverse Voltage VR 5 V
許 容 損 失 Power Dissipation P 75 mW
1mm 以上 / min. 1mm
コレクタ ･ エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage VCEO 30 V
半田領域
エミッタ ･ コレクタ間電圧 Emitter-Collector Voltage VECO 5 V 半田付け取扱注意
受 光 側 Solder Area
Detector
コ レ ク タ 電 流 Collector Current Ic 20 mA
コ レ ク タ 損 失 mW ※ 1．パルス幅 tw ≦ 100μs Duty 比 =0.01
Collector Power Dissipation Pc 75
※ 2．パッケージ下面より 1mm 以上の位置で 2 秒以内（上図参照）
動 作 温 度 Operating Temperature Topr -20 ～ +85 ℃ 手半田付けのみ可 ( フロー半田付け不可 )

保 存 温 度 Storage Temperature Tstg -30 ～ +85 ℃ ※ 1．Pulse width tw ≦ 100μs Duty ratio=0.01
※ 2．Soldering condition less than 2s. at 1mm over from
半 田 付 温 度 Soldering Temperature ※2 Tsol 330 ℃
body. Flow Soldering unsupported.

電気的光学的特性 Electro-Optical Characteristics [Ta=25℃ **]

Item Symbol Condition min. typ. max. Unit

発 光 側
順 電 圧 Forward Voltage VF IF=20mA － 1.2 1.5 V
Emitter
逆 電 流 Reverse Current IR VR=3V － － 10 μＡ
受 光 側
Detector
暗 電 流 Dark Current ICEO VCE=10V, 0 lx － － 0.1 μＡ
光 電 流 Light Current IC VCE=5V, IF=20mA 0.3 － － mＡ
コレクタ・エミッタ Collector-Emitter
伝達特性 VCE(sat) IF=20mA, IC=0.15mA － － 0.4 V
間 飽 和 電 圧 Saturation Voltage
Coupled

応 答 時 間
上昇 Rise Time tr － 50 －
VCC=5V,IC=0.5mA,RL=1kΩ μs
Response Time 下降 Fall Time tf － 50 －
** : Ta=25℃ unless otherwise noted

24.03-1A
 KI1470
定格・特性曲線 ※注意 最大定格を超えないようにご使用ください
Characteristics Note: Operation never exceeds each value of Maximum Ratings.

順電流低減曲線 コレクタ損失低減曲線 順電流ー順電圧特性（代表例）

（mW）
60 100 500

Ta=50℃

Collector Power Dissipation PC

Forward Current IF（mA）

Forward Current IF（mA）

200
50 80 25℃
75℃
100
0℃
40 50
60
-20℃

30 20
40
10
20
5
20
10
2

0 0 1
-20 0 20 40 60 80 85 100 -20 0 20 40 60 80 85 100 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5

Ambient Temperature T a（℃） Ambient Temperature T a（℃） Forward Voltage V F （V）

光電流ー順電流特性（代表例） 光電流ーコレクタ・エミッタ間電圧特性（代表例） 応答時間ー負荷抵抗特性（代表例）

7.0 5.0 1000

VCE=5V IN
IN VCC

Ta=25℃ Ta=25℃ 90% OUT

6.0

Response Time （μs）

IC（mA）

IC（mA）

OUT 10% IF
tr
tr
RL
4.0 50mA ts
td tf
5.0 100
tf
40mA

4.0 3.0
td
30mA 10
Light Current

Light Current

3.0
2.0 20mA

2.0 ts
1
IF=10mA
1.0
1.0 VCC=5V
IC=0.5mA
0 0.1
Ta=25℃
0
0 10 20 30 40 50 0 5 10 0.01 0.1 1 10

Forward Current I F（mA） Collector-Emitter Voltage VCE（V） Load Resistance R（

L kΩ）

光電流ー周囲温度特性（代表例） 暗電流ー周囲温度特性（代表例） 検出位置特性（代表例）

100 X Y
IC（%）

10-6
IC（%）

VCE=20V VCE=5V VCE=5V

IF=20mA IF=20mA
Ta=25℃ Ta=25℃
ICEO（A）

80 100 Beam axis Object

0
Beam axis

- +
10-7 d
d
-
Relative Light Current

60
+

Object
Relative Light Current

VCE=5V
IF=20mA
10-8

40
Dark Current

50

20 10-9

0
-20 0 20 40 60 80 100 10-10 0
0 25 50 75 100 -2 -1 0 1 2 -2 -1 0 1 2
Ambient Temperature T a（℃） Ambient Temperature T a（℃） Detecting Position d（mm）

・カスタマイズも承ります。お気軽にお問合せください ・この仕様は改良のため予告なく変更する場合があります
・A Customized design available on request. ・Specifications are subject to change without notice.

お問合せ先：新光電子株式会社
for inquiry : Shinkoh Electronics Co., Ltd. www.shinkoh-elecs.jp
24.03-1A