CHÀO MỪNG CÁC EM SINH VIÊN

THAM DỰ BÀI GIẢNG

VẬT LIỆU BÁN DẪN & CHUYỂN TIẾP P-N

Semiconductors & P-N Junction

DESIGN BY ASSOC. PROF. PhD TRAN THU HA

Email: thuha@hcmute.edu.vn
NỘI DUNG
1 VẬT LIỆU BÁN DẪN

21.1 Khái niệm về vật liệu cách điện, Bán dẫn và dẫn điện

21.2 Cấu trúc bán dẫn và hạt dẫn trong Bán dẫn

21.3 Phân loại Bán dẫn : N, P, N+ và P+

2 CHUYỂN TIẾP PN - JUNCTION PN

22.1
Phân cực cho chuyển tiếp PN

22.1
Đặc tuyến V-A của chuyển tiếp P-N
 MỤC TIÊU
1. Hiểu về cấu trúc và cơ chế dẫn
điện của vật liệu bán dẫn.

2. Cấu trúc và phân loại các

bán dẫn N, N+, P, P+

3. Phân tích cơ chế dòng điện

trong bán dẫn N, P

4. Phân tích được nguyên lý hoạt

động của chuyển tiếp P-N
 PHẦN 1.1
Khái niệm về vật liệu cách điện, Vật liệu dẫn điện và Vật liệu Bán dẫn

1. Giới thiệu 3 loại vật liệu trong

điện tử công nghiệp

2. Phân tích cấu trúc tinh thể

theo thuyết lượng tử của các
vật liệu
21.1 Khái niệm về Vật liệu Cách điện, Bán dẫn và Dẫn điện

Vật liệu dẫn điện Vật liệu cách điện ?

Bán dẫn ?

Vật liệu cách điện Vật liệu dẫn điện Bán dẫn
ρ (Ω/cm) >1010 < 10-4 10. -4 - 1010
σ (Ω -1cm-1) <10-10 >104 104 - 10-10
1 GIỚI THIỆU

Vật liệu bán dẫn là các nguyên tố nằm trong nhóm IV

và nhóm V của bảng phân loại tuần hoàn Mendeleev
 1
GIỚI THIỆU

Chất bán dẫn là các nguyên tố nhóm IV (C, Si, Ge, Sn) Nguyên tố nhóm VI (S, Ce, Te)

Chất bán dẫn là hợp chất nguyên tố nhóm III, V

Bán dẫn tiêu biểu: Si , Ge, AsGa dùng chế tạo linh kiện
bán dẫn, các mạch IC
1.1 Khái niệm về vật liệu Cách điện, Bán dẫn và Dẫn điện

Vật liệu Cách điện

Bán dẫn Dẫn điện
 1.1 Khái niệm về vật liệu Cách điện, Dẫn điện và Bán dẫn

Không có hạt dẫn Có 2 hạt dẫn dương và âm Có hạt dẫn âm electron

1- Sựkhác biệt của chất dẫn điện, cách điện và bán dẫn theo lý
thuyết về mức năng lượng của vùng liên kết tinh thể và vùng dẫn ?
2-Sự khác biệt của chất dẫn điện, cách điện và bán dẫn theo hạt dẫn
điện trong vùng dẫn .

page 11
DESIGN BY ASSOC. PROF. PhD TRAN THU HA
Email: thuha@hcmute.edu.vn
VẬT LIỆU BÁN DẪN & CHUYỂN TIẾP P-N
Semiconductors & P-N Junction

DESIGN BY ASSOC. PROF. PhD TRAN THU HA

Email: thuha@hcmute.edu.vn
NỘI DUNG
1 VẬT LIỆU BÁN DẪN

21.1 Khái niệm về vật liệu cách điện, Bán dẫn và dẫn điện

21.2 Cấu trúc bán dẫn và hạt dẫn trong Bán dẫn
 MỤC TIÊU

1. Hiểu về cấu trúc vật liệu

bán dẫn N, P.

2. Hạt dẫn điện trong bán dẫn

3. Bán dẫn N, N+, N++;
1.2 Cấu trúc của vật liệu bán dẫn
(Contrusction Semiconductor material)
COBALENT BOND - Liên kết cộng hóa trị
 1.2 Cấu trúc của vật liệu bán dẫn
- Chất bán dẫn có cấu tạo từ những
tinh thể có hình dạng xác định, các
nguyên tử nhóm IV, V được sắp xếp
theo một trật tự chặt chẽ tuần hoàn tạo
Liên kết thành mạng tinh thể bán dẫn.
CỘNG - Liên kết cộng hóa trị là liên kết 2
HÓA TRỊ điện tử của 2 hạt nhân tạo thành 4 liên
kết quanh hạt nhân có 8 điện tử
Nguyên
tử

Ô cơ bản trong cấu trúc mạng tinh thể

 1.2.1 Các hạt dẫn điện trong bán dẫn - Ánh sáng và T
Bán dẫn tinh khiết Lỗ trống

-
Si -
+
Si

Negative : electron electron -

Nd= nd
Positive : Hole
Pa = pa

Si Si
1.2. Các hạt dẫn điện trong bán dẫn
- Electron q= -1.6 x 10 -19 C -
- HOLE- Vacancy q= +1.6 x 10 -19 C
+
- Ion âm -

- Ion dương +

Sự khác nhau và giống nhau giữa các hạt dẫn và Ion ?

1.3.1 Bán dẫn loại N Ánh sáng và T
-
Lỗ trống

-
Si -
+
As
-Các nguyên tố
hóa trị 5 như -
electron -
Phosphorus (P),
Arsenic (As),
Antimony (Sb),
Bismuth (Bi)
Bán dẫn loại N –
Donor- có tạp
chất cho
Si Si
nd là mật độ hạt
điện tử tạp chất
trong bán dẫn loại
N - Ta có: Nd=nd
 Bán dẫn I Bán dẫn N
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,…
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,…

Lỗ trống Lỗ trống
_ _ _ _
Hạt_ đa số_ Electron
_ _ _ IV
_
_ _ IV
_
_ _
IV
_
_ _ IV
_
Hạt_IV thiểu
_ _ _ _
IVsố Lỗ trống
_
_

_ IV _ _ IV _
+ _
_ _ _ _ _
_
_ _
_ _ _ V _ _ _ _ _ _ III _ _
_ _ IV IV IV + IV
_ _
_ _ _ _
_ _ _ _ _ _
Nn>pN
IV IV _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
IV IV IV IV +
V III
_ _
_ _
_ _
Electron
Electron Lỗ trống
Bán dẫn loại I
Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P
nI=pI
Nn>pN nP<pP
Dòng điện khuếch tán do chuyển động khuếch tán của các hạt dẫn
từ nơi có mật độ hạt dẫn nhiều sang nơi có mật độ hạt dẫn ít
Dòng điện trôi do Chuyển động hạt dẫn dưới tác động của E
có 2 loại hạt chuyển động hai chiều ngược nhau.
n
p + pp
nN -
pp

+ - nN(x)
- np pN +
pN
- +
np

E x x
 1.3.3 Bán dẫn suy biến N+, N++
Bán dẫn loại N++ Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,…
Nn>pN

• Chất bán dẫn có Lỗ trống

Lỗ trống
nồng độ tạp chất _ _ _ _
_ _
lớn hơn 1020
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
nguyên tử/cm3, IV IV V III IV IV
_ _
được gọi là bàn _ _ _
_
_
_ _ _ _
dẫn suy biến _ _

• Chất bán dẫn suy _

V
_ _ V _ _
IV
_ _
IV
_ _ III
+
_
III
_
_ _
biến có tính chất _
_
_ _ _

giống kim loại, _ _ _ _ _ _ _

dẫn _
IV
_ _ V _ _
V
_ _
III
_ _ III _ _
III +
• Năng lượng của _ _
_ _ _
_
các hạt dẫn tự do
trong bán dẫn suy Electron Lỗ trống
biến không phụ
thuộc nhiệt độ
1- Ảnh hưởng của nhiệt độ đến độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn?
2- Chất bán dẫn tạp chất dạng n là chất bán dẫn:
a. thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị III.
b. thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V.
c. có hạt tải đa số là lỗ trống tự do.
d. có các hạt mang điện tự do là lỗ trống và điện tử.
3- Dòng Điện trong bán dẫn được hình thành như thế nào ?
4- Dòng trong bán dẫn N, N+ và N++ khác nhau thế nào ?

page 24
CẢM ƠN CÁC EM ĐÃ LẮNG NGHE !
CHÚC CÁC EM SỨC KHỎE

Mời các em xem tiếp

Bán dẫn loại P , P+ và P++
VẬT LIỆU BÁN DẪN & CHUYỂN TIẾP P-N
Semiconductors & P-N Junction

DESIGN BY ASSOC. PROF. PhD TRAN THU HA

Email: thuha@hcmute.edu.vn
NỘI DUNG
1 VẬT LIỆU BÁN DẪN

21.1 Khái niệm về vật liệu cách điện, Bán dẫn và dẫn điện

21.2 Cấu trúc bán dẫn và hạt dẫn trong Bán dẫn

21.3 Phân loại Bán dẫn : N, P, N+ và P, P+, P++

2 Bán dẫn : N, N+, N++

2 Bán dẫn : P, P+, P++

1.3.2 Bán dẫn loại P Ánh sáng và T
-
Lỗ trống

+
Si -
+
B
Lỗ trống – Hạt dẫn
Aluminum (Al), điện tích dương
Gallium(Ga), electron -
Boron (B),
Indium (In)
Na là nồng độ
tạp chất
Acceptor
Mật độ lỗ trống
trong bán
Si Si
dẫn pp=Na
 Bán dẫn I Bán dẫn N Bán dẫn P
Tác nhân ánh sáng, Lỗ trống
nhiệt độ,…
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,… Bán dẫn loại P

Lỗ trống Lỗ trống
NP< Pp
_ _ _ _
_ _

_ _ _ IV _ _ IV _ _ _ _ IV _ _ IV _ _ _
IV IV
_ _ _ _ _ _
_ IV _ _ IV _
+ _
_ _ _ _ _
_
_ _
_ _ _ V _ _ _ _ _ _ III _ _
_ _ IV IV IV + IV
_ _
_ _ _ _
_
_ IV _ _ IV _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
IV IV IV IV +
V III
_ _
_ _
_ _
Electron
Electron Lỗ trống
Bán dẫn loại I
Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P
nI=pI Nn>pN nP<pP
 1.3.3 Bán dẫn suy biến P+, P++
Nn>pN Bán dẫn loại P++
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,… nP<pP

• Chất bán dẫn có Lỗ trống

Lỗ trống
nồng độ tạp chất _ _ _ _
_ _
lớn hơn 1020
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
nguyên tử/cm3, IV IV V III IV IV
_ _
được gọi là bàn _ _ _
_
_
_ _ _
dẫn suy biến _ _

• Chất bán dẫn suy _

V
_ _ V _ _
IV
_ _
IV
_ _ III
+
_
III
_ _
biến có tính chất _
_
_ _ _

giống kim loại, _ _ _ _ _ _ _

dẫn _
IV
_ _ V _ _
V
_
III
_ _ III _ _
III +
• Năng lượng của _ _
_ _ _
các hạt dẫn tự do
trong bán dẫn suy Electron Lỗ trống
biến không phụ
thuộc nhiệt độ
1.3.4 Dòng điện trong Bán dẫn 2 dòng J ntr Jkt
a.Dòng điện trôi do tác động điện trường E
J ntr= -(-q)* n *Vn= qμnnE
J ptr = q *p *Vp = pμpqE
• Mật độ dòng điện trôi trong bán dẫn : Jtr= Jntr+Jptr
• Điện dẫn xuất của chất bán dẫn:
σ = q( nμn + pμp)
b. Dòng điện khuếch tán do sự chênh lệch mật độ hạt dẫn
• Do sự phân bố không đều trong thể tích gradien nồng độ các hạt dẫn
Hệ số khuếch tán như sau: Dp=φTμp ; Dn=φTμn
φT hằng số phụ thuốc nhiệt độ φT = kT/q
K hằng số Boillzman ; Q điện tích điện tử; T nhiệt độ tuyệt đối của T= 300K
φT = 0.025V = 25mV

𝑑𝑃 𝑑𝑁 𝑑𝑝 𝑑𝑛
Jkt= q +(-q) = - qDp + qDn
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑥 𝑑𝑥
/Dòng trôi/ = /dòng khuếch tán / (thường ngược chiều nhau )
Dòng điện khuếch tán do chuyển động khuếch tán của các hạt dẫn
từ nơi có mật độ hạt dẫn nhiều sang nơi có mật độ hạt dẫn ít
Dòng điện trôi do Chuyển động hạt dẫn dưới tác động của E
có 2 loại hạt chuyển động hai chiều ngược nhau.
n
p + pp
nN -
pp

+ - nN(x)
- np pN +
pN
- +
np

E x x
 Bán dẫn I Bán dẫn N Bán dẫn P
Tác nhân ánh sáng, Lỗ trống
nhiệt độ,…
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,…

Lỗ trống Lỗ trống
_ _ _ _
_ _

_ _ _ IV _ _ IV _ _ _ _ IV _ _ IV _ _ _
IV IV
_ _ _ _ _ _
_ IV _ _ IV _
+ _
_ _ _ _ _
_
_ _
_ _ _ V _ _ _ _ _ _ III _ _
_ _ IV IV IV + IV
_ _
_ _ _ _
_
_ IV _ _ IV _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
IV IV IV IV +
V III
_ _
_ _
_ _
Electron
Electron Lỗ trống
Bán dẫn loại I
Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P
nI=pI Nn>pN nP<pP
 1.3.3 Bán dẫn suy biến N+, N++ , P+, P++
Bán dẫn loại N++
Bán dẫn loại P++
Nn>pN Tác nhân ánh sáng,
nP<pP
nhiệt độ,…

• Chất bán dẫn có Lỗ trống

Lỗ trống
nồng độ tạp chất _ _ _ _
_ _
lớn hơn 1020
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
nguyên tử/cm3, IV IV V III IV IV
_ _
được gọi là bàn _ _ _
_
_
_ _ _
dẫn suy biến _ _

• Chất bán dẫn suy _

V
_ _ V _ _
IV
_ _
IV
_ _ III
+
_
III
_ _
biến có tính chất _
_
_ _ _

giống kim loại, _ _ _ _ _ _ _

dẫn _
IV
_ _ V _ _
V
_
III
_ _ III _ _
III +
• Năng lượng của _ _
_ _ _
các hạt dẫn tự do
trong bán dẫn suy Electron Lỗ trống
biến không phụ
thuộc nhiệt độ
Dòng điện khuếch tán do chuyển động khuếch tán của các hạt dẫn
từ nơi có mật độ hạt dẫn nhiều sang nơi có mật độ hạt dẫn ít
Dòng điện trôi do Chuyển động hạt dẫn dưới tác động của E
có 2 loại hạt chuyển động hai chiều ngược nhau.
n
p + pp
nN -
pp

+ - nN(x)
- np pN +
pN
- +
np

E x x
1- Ảnh hưởng của nhiệt độ đến độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn?
2- Các loại bán dẫn có khả năng dẫn điện như thế nào ? Dòng trong bán dẫn
nào có giá trị lớn nhất ? Giải thích ? N; n+; n++; p; p+; p ++

3- Chất bán dẫn tạp chất dạng n là chất bán dẫn:

a. thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị III.
b. thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V.
c. có hạt tải đa số là lỗ trống tự do.
d. có các hạt mang điện tự do là lỗ trống và điện tử.
4- Dòng Điện trong bán dẫn được hình thành như thế nào ? Có mấy loại dòng
điện trong bán dẫn ?

page 36
CẢM ƠN CÁC EM ĐÃ LẮNG NGHE !
CHÚC CÁC EM SỨC KHỎE

Mời các em xem tiếp

Chuyển tiếp PN ( Junction PN)
CHUYỂN TIẾP P-N
P-N Junction

DESIGN BY ASSOC. PROF. PhD TRAN THU HA

Email: thuha@hcmute.edu.vn
NỘI DUNG

2 CHUYỂN TIẾP PN - JUNCTION PN

22.1
Phân cực cho chuyển tiếp PN

22.1
Đặc tuyến V-A của chuyển tiếp P-N
 MỤC TIÊU

1. Phân tích cấu tạo chuyển

tiếp P-N
2. Phân tích nguyên lý hoạt
động của chuyển tiếp P
3. Đặc tuyến V-I của chuyển
tiếp PN
 2
CHUYỂN
Chuyển tiếp P-N TIẾP PN – PN JUNCTION

Cấu trúc lớp chuyển tiếp P-N vùng nghèo có điện áp tiếp xúc Vtx
VtxSi = 0.6÷07V;
- Ion âm
VtxGe = 0.2÷03V
- - + - + + + Ion dương
Ở ban đầu khi chưa - - +
+ - + -
đặt điện áp ta có + - - ID
dòng tại vùng Tiếp - - + - + + I0max

xúc
-
Dòng điện trôi =
dòng điện khuếch
N +
- + -
P
+ +
+
-
VBD 0
IS
-
- - + - + + B 0,7 VD
tán ngược chiều
nhau tại vùng tiếp - +
- -
+ - + +
xúc PN:
R
I= J tr – Jkt = 0
 0 0
n,p
a. Sự phân bốmật độ của
nN - + pp các hạt dẫn trong vùng
pN + - np chuyển tiếp.
a. b.Đồ thị điện tích của các
Q X ion trên bề mặt tiếp xúc.
c. Phân bố điện thế của
chuyển tiếp P-N :
b.
(1) : điện thế tiếp xúc Vtx
X
(2) : điện thế phân cực
nghịch
V
(3) : điện thế phân cực
Vtx
thuận
c. t
Vtx - |V|
(2)
Vtx - |V|
VtxSi = 0.6÷07V;
(1) Vtx
(2) Vtx + |V| VtxGe = 0.2÷03V
22.1
Phân cực cho chuyển tiếp PN
ID
Phân cực Nghịch cho chuyển tiếp P-N I0max

Khi đặt điện tích ln

+ vào bán dẫn N 0
- vào bán dẫn P
- - + + - - + + VBD
+ IS VD
+ + - - + +
0,7
B
-
- + + - - - + - _
- +
+ + + + - -
R
- +
- + + - - + + +
N +
n- -
-
+ + - - - -
+
+ p
- - + + + +
- - +

Dòng nghịch trong chuyển tiếp Is= n A 0

Phân cực thuận cho chuyển tiếp P-N

Khi đặt điện tích Âm - vào bán dẫn N ; Dương + vào bán dẫn P
ln I D
I0max

- - + + - -
+
- + + - - ++ -
- + + - - + + + VBD 0
- + + - - + IS 0,7 VD
B
+ -
+
- +
+ + - - + + --
+
N -
+ + - - +
-
-- +
R
+
- - - + + - - + P

𝑉
−𝜂𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑡ℎ − 𝐼𝑛𝑔 = 𝐼𝑠 1 − 𝑒 𝑇
 Đặc tuyến V-I của chuyển tiếp P-N

Dòng tổng hợp qua chuyển tiếp P-N là :

ID = Ith – Ing = Is [1-e (-VD/ηVT) ]
ID
Iomax

VBD
Is 0,7 VD
B •Is : dòng điện bão hòa
•Ith (Idiffustion) : dòng điện thuận
•Ing (Idrift) : dòng điện ngược
R •η: hằng số phụ thuộc vào vật liệu: 1=< η=<2
•kT: hiệu điện thế nhiệt ; VT=(kTk)/q
•Tk: nhiệt độ Kelvin Tk = Tc +273
•q: điện tích. q = 1,6 . 10-19 C
• k: hằng số Boltzman, k = 1,38 .10-23 J/K
Hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp P-N
I R3 R0 RI
R2

VBR V
0 A 0.7V
B

R4
1- Đánh thủng nhiệt
Đặc tuyến V-I của chuyển tiếp có vùng Zener 2- Đánh Thủng Nhiệt điện
3- Đánh thửng Điện
VIDEO VỀ GIỚI THIỆU VẬT LIỆU BÁN DẪN

TÀI LIỆU MÔ PHỎNG VẬT LIỆU VÀ CHUYỂN TIẾP THAM KHẢO

1- Chuyển tiếp p-n có đặc tính dẫn điện một chiều ? Giải thích ?

2- Các hiện tượng đánh nào sẽ phá hủy toàn bộ đặc tính van
của chuyển tiếp p-n
3- Chuyển tiếp PN có mấy chế độ ? Giải thích ?

page 48
CẢM ƠN CÁC EM ĐÃ LẮNG NGHE !

Cảm ơn sự theo dõi bài giảng !

Chúc các em sức khỏe và làm bài tập nhé