1

‫سیستم های میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک‬

‫‪ -‬اهرم های میکرو و نانو‬

‫‪ -‬تحلیل فركانسي اهرم های میکرو و نانو‬
‫‪ -‬فاكتور كیفیت و نويز اهرم ها‬
‫‪ -‬تحريک مغناطیسي و نوری اهرم ها‬

‫ابزار دقیق پروب جاروب كننده برای نانو الکترونیک‬

‫)‪ -(AFM‬میکروسکوپ نیروی اتمي‬

‫‪ -‬بررسي ذره بیني تونل زني جاروبي‬
‫‪ -‬بررسي ذره بیني نوری جاروبي میدان نزديک‬
 ‫ميكرواهرم ها و نانواهرم ها‬
‫‪ NEMS , MEMS‬ابزار مکانیکی و الکترونیکی را که به ترتیب ابعاد میکرومتری و نانومتری‬
‫دارند‪ ،‬ترکیب می کنند‪ .‬سیستم حاصل اغلب هوشمند است‪ ،‬زیرا می تواند تغییرات محیطی را‬
‫حس کرده و به صورت بهینه قابلیتهای خود را برای پاسخگویی به شرایط بیرونی جدید آرایش‬
‫دهد‪.‬‬

‫‪‬یک بخش کلیدی ‪ MEMS‬و یا ‪ NEMS‬اهرم است‪ ،‬که همچنین یک قطعۀ اساسی بسیاری از‬
‫ابزارهای نانو الکترونیک به حساب می آید‪.‬‬

‫اهرمی که به طور شماتیک در شکل نشان داده شده است‪ ،‬می تواند به صورت یکپارچه با قطعات‬
‫الکترونیکی و الکترونیک نوری جهت اهداف گوناگونی مجتمع گردد‪.‬‬

‫‪3‬‬
‫‪‬كاركرد اصلي اهرم‪ ،‬خمش كنترل شده آن بدلیل نیروی تحريک اعمال شده مي‬
‫باشد كه مي تواند منشأ الکتريکي‪ ،‬مغناطیسي ‪ ،‬حرارتي و نوری داشته باشد‪.‬‬

‫‪‬تحريک الکترونیکي رايج ترين روش مي باشد‪ .‬در اين حالت اهرم غالباً منتهي‬
‫به نوک فلزی نانو سايز مي گردد‪ .‬نیروهای الکتريکي‪ ،‬با اعمال يک ولتاژ ‪ V‬بین اهرم‬
‫و اليه فلزی ( اليه الکترودی) كه بر روی زير اليه رشد داده شده است‪ ،‬ايجاد مي‬
‫شوند‪ ،‬و از اين رو اهرم ها به سمت زير اليه جذب مي گردند‬

‫‪4‬‬
‫نیروی الکترواستاتیک )‪ Fe-s (y‬که درراستای محور ‪ y‬بر روی یک اهرم به‬
‫عرض ‪ w‬وطول ‪L‬و ضخامت ‪ t‬اعمال می شود را می توان برحسب رابطه‬
‫‪ )U  C V‬انرژی ذخیره شده در خازن بین اهرم و زیرالیه ( به‬ ‫‪2‬‬
‫انرژی ‪/ 2‬‬
‫صورت زیر محاسبه نمود‪:‬‬

‫با اعمال رابطه خازن ‪ C‬خواهيم داشت‪:‬‬

‫گذر دهي خال‬

‫گذر دهي ماده پايه‬

‫‪5‬‬
‫‪‬اهرم ها عموماً از مواد نیمه هادی بخصوص ‪ Si‬ساخته می شوند‪ .‬اما اهرم‬
‫های ‪ GaAs‬بسیار نازک نیز با استفاده از تکنولوژی های میکروماشین تولید‬
‫می شوند‪ .‬اهرم های فلزی نیز گاهاً متداول بوده و در بسیاری از حاالت اهرم‬
‫های نیمه هادی با مواد گوناگون پوشیده می شوند تا بتوانند مواد شیمیایی و‬
‫زیستی که خمش اضافی اهرم را تحریک می کنند‪ ،‬جذب نمایند که این امر‬
‫برای کاربردهای حسی ضروری می باشد‪.‬‬

‫‪‬اهرم های میکرونی طولی معادل ده ها میکرو متر و عرض و ضخامتی برابر‬
‫چند میکرون دارند‪ .‬نانو اهرم های بسیار کوچکتر با عرض و ضخامت‬
‫چند ‪ nm‬وطول چند میکرونی یافت می شوند‪.‬‬

‫‪6‬‬
‫خمش اهرم تحت تاثیر یک نیروی اعمالی با رابطه زیر بیان می شود‪.‬‬

‫‪ M ( x ) / EI‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪d y / dx‬‬
‫گشتاور کل‬

‫در رابطه فوق ‪ E‬ضريب كشساني يانگ است‪ .‬و نیز‪:‬‬

‫گشتاور اينرسي‬
‫‪t/2‬‬ ‫‪w/2‬‬

‫‪I ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ dz‬‬ ‫‪ Wt‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪y dy‬‬ ‫‪/ 12‬‬
‫‪t / 2‬‬ ‫‪w /2‬‬

‫‪7‬‬
‫گشتاور کل در موقعیت ‪ x‬به طور کامل توسط نیروی الکتریکی به صورت‬
‫زیر مشخص می شود‪:‬‬

‫‪L‬‬ ‫‪L‬‬

‫) ‪M ( x )  (1 / L‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪F e  s ( y ( x ) ( x  x ) d x    0 W‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪( x  x ) /[ y ( x )  ( t /  )] d x‬‬

‫‪2‬‬

‫‪x  x‬‬ ‫‪x  x‬‬

‫‪2‬‬
‫‪d y / dx‬‬
‫‪2‬‬
‫‪ M ( x ) / EI‬‬ ‫با جایگذاری در معادلۀ‬

‫خمش اهرم با معادله انتگرالی ‪ -‬دیفرانسیلی زیر مشخص می شود ‪:‬‬

‫‪8‬‬
‫اگر ‪ y ( x  )  h‬در نظر گرفته شود‪ ،‬در نبود يک نیروی اعمالي‪ y(x) ،‬بصورت زير‬
‫تقريب زده مي شود كه داللت بر عدم تفاوت قابل مالحظه با مقدار شکاف هوايي‬
‫اولیه ‪ h‬دارد‪.‬‬

‫بیشینه خمش به ازای ‪ x=L‬از رابطه زير بدست مي آيد ‪:‬‬

‫‪9‬‬
 ‫خمش اهرم معموال توسط يک سیستم نوری همانند شکل زير آشکار سازی مي‬
‫شود ‪:‬‬

‫يک پرتو متمركز لیزر بر روی يک اهرم تابیده مي شود‪ ،‬و پرتو منعکس شده كه شامل‬
‫اطالعات خمش میباشد‪ ،‬به وسیله يک آشکارساز نوری دريافت مي گردد‪.‬‬
‫روش ديگر برای محاسبه پارامترهای انحراف اهرم در نظر گرفتن انحراف ايجاد‬
‫مي باشد‪ ،‬كه در يک نقطه‬ ‫)‪F(y(x)) = f(x‬‬ ‫شده بوسیله نیروی‬
‫واحد ‪ x‬متمركز شده و با رابطه ز ير ارائه مي شود ‪:‬‬

‫و خمش كل ايجاد شده توسط نیروی الکترو استاتیکي كه بصورت يکنواخت در‬
‫طول اهرم توزيع شده با در نظر گرفتن رابطه ی باال با معادله زير مشخص مي‬
‫گردد‪:‬‬

‫كه نیروی الکترواستاتیکي در واحد سطح به صورت زير خواهد بود ‪:‬‬

‫‪11‬‬
‫)‪(square-law‬‬
‫)‪y(x)  (x/L‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫توان‬ ‫قانون‬ ‫از‬ ‫استفاده‬ ‫با‬
‫مي توان انحراف حاصل شده از خمش پرتو را با‬ ‫يعني‬
‫رابطه زير محاسبه نمود‪:‬‬

‫‪y (x)  y max / h‬‬

‫مرتبط با‬ ‫شکل زير رابطه ی انحناء نرمالیزه شده‬

‫بخش سمت راست معادله ی‬

‫باال بر حسب ولتاژ را نشان میدهد‪:‬‬

‫‪12‬‬
‫تعادل در شرايطي اتفاق مي افتدكه دو نیروی الکترواستاتیک و‬
‫االستیک با هم برابر شوند‪:‬‬

‫در اين رابطه ‪ K‬ثابت فنر مي باشد‪.‬‬

‫در رابطه فوق برای پرتو اهرم داريم‪:‬‬

‫حالت تعادل تا ‪ 1/3‬ارتفاع بین اهرم و زير اليه ‪ h‬باقي مي ماند و بعد از‬
‫آن تعادل بین نیروی الکترو استاتیک و االستیک برهم مي خورد و‬
‫اهرم روی زير اليه فرو مي افتد‪.‬‬
‫پس از برهم خوردن موازنه نیرو و فرو افتادن اهرم روی الکترود زير‬
‫اليه ‪ ،‬ولتاژ آستانه از رابطه زير بدست مي آيد‪:‬‬

‫يا‬ ‫‪13‬‬
‫اين روابط برای بسیاری از كاربردهای ‪ MEMS‬كه از اهرم ها‬
‫استفاده مي كنند اهمیت دارند ‪ .‬به هرحال روابط باال در صورتي كه‬
‫اهرم ها و همچنین ‪ h‬دارای ابعاد نانومتريک باشند‪ ،‬اعتبار ندارند‪.‬‬

‫از اينرو‪ ،‬بايد فقط نیروهايي را كه بر روی اهرم های نانو سايز‬
‫اعمال مي شوند‪،‬در نظر بگیريم‪.‬‬

‫‪14‬‬
15
 ‫معادله انتگرالي ديفرانسیلي زير ‪:‬‬

‫برای اهرم ‪ ،CNT‬در صورتي كه نیروهای واندروالسي‪ ،‬كه يک نیروی جاذبه‬

‫هستند و تنها در ابعاد نانو عمل ميكنند را در نظر بگیريم‪ ،‬صادق مي باشد‪( .‬‬
‫نیروی واندروالسي از كشش و رانش بین مولکولي بوجود ميآيد‪ ).‬اين نیرو‬
‫مي تواند جاذبه يا دافعه باشد ولي برای اهرمهای نانو سايز تنها مولفه جاذبه‬
‫در نظر گرفته مي شود‪ .‬مولفه دافعه زماني اهمیت پیدا مي كندكه اهرم در‬
‫تماس با الکترود زيراليه باشد‪.‬‬

‫‪16‬‬
 ‫در اين حالت‬

‫(نیروی واندر والز) به صورت زير است ‪:‬‬ ‫‪f vdW‬‬ ‫كه‬

‫نیروی الکترواستاتیکي در واحد طول چنین مي باشد ‪:‬‬

‫شعاع ‪CNT‬‬
‫‪17‬‬
‫اثرات پديده های فیزيکي در ابعاد نانو مانند نیروی‬
‫واندروالس كه در ابعاد بزرگتر قابل اغماض است‪ ،‬داللت‬
‫بر اين دارد كه قطعات نانو مقیاس‪ ،‬صرفاً كوچک شدۀ‬
‫قطعات بزرگتر (يعني ابعاد میکرون) نیستند‪ .‬اين نکته‬
‫ای است كه بايد در تحلیل قطعات و سیستم های نانو‬
‫همیشه مد نظر قرار گیرد‪.‬‬
‫‪18‬‬
 F el  F e  s  F vdw  0

1
 
2
1
 
2
 1 2 y 2 
V th   K  h  y th   C 1  3  1 3   th

y
 th  y  t    y th 
 th  1   WL  0 
   W  

y th  2 / 3 h
‫ثابت‬

19
 ‫‪‬عبارت اول در رابطه فوق شامل اثرات نیروهای االستیک و الکترواستاتیک مي‬
‫باشد‪ ،‬درحالیکه رابطه دوم از نیروهای واندروالسي نشأت گرفته است‪.‬‬

‫‪‬اگراز اثر نیروی واندروالس مانند آنچه برای حالت های مقیاس های بزرگتر است‪،‬‬
‫خواهد بود‪.‬‬ ‫صرفنظر كنیم‪ Vth ،‬مشابه رابطۀ‬

‫‪20‬‬
‫‪‬نیروهای واندروالسی اثر به سزایی بر روی انحراف نانو اهرم ها دارند که شکل‬
‫قبل این اثر را برای یک ‪ CNT‬با طول ‪ 50nm‬و قطر ‪2nm‬در موقعیت ‪4‬‬
‫نانومتری باالی یک الکترود زیر الیه نشان می دهد‪.‬‬

‫‪‬اثر نیروهای واندر والس به شدت به هندسه اهرم بستگی دارد‪.‬برخالف اهرم‬
‫های آزاد(‪ )free standing cantilever‬نشان داده شده در شکل قبل‪،‬‬
‫نیروهای واندر والس هیچ اثر عمده ای زمانیکه ‪ CNT‬دو بستی‬
‫(‪ (double-clamped‬می باشد‪ ،‬ندارند‪.‬‬

‫‪21‬‬
‫يک اهرم ‪ CNT‬دو بستي (مطابق شکل زير )‪ ،‬در صورتیکه‬
‫‪ NEMS‬دارای الکترود زير اليه باشد‪ ،‬میتواند به صورت يک‬
‫كلید عمل كند‪.‬‬

‫‪22‬‬
‫از سوی ديگر ‪،‬در صورتیکه زير اليه بر داشته شود ‪ ،‬مطابق شکل زير‪،‬به عنوان‬
‫تشديدگر مکانیکي عمل مي نمايد‪.‬‬

‫در اين حالت تشديد گر دارای فركانس نوسان )‪ (FOSC‬زير است‬

‫چگالي ماده مي باشد‪.‬‬ ‫‪‬‬ ‫كه در آن‬
‫‪1/ 2‬‬
‫‪  ‬‬ ‫‪ 2R ‬‬
‫‪F osc‬‬ ‫‪ 1 . 03  ‬‬ ‫‪ 2 ‬‬
‫‪  ‬‬ ‫‪ L ‬‬
‫‪23‬‬
‫•حتي ‪NEMS‬هادی دوبستي كه برای آن ها نیروهای واندروالسي اثر‬
‫كمتری دارند ‪ ،‬همانند ابزار مشابه در ابعاد برزگتر نیستند‪.‬‬

‫•دلیل آن اينست كه در اين حالت انحراف نانو ساختار در مرحله های‬

‫ناپیوسته‪ ،‬هر زمان كه يک الکترون از تونل های اتصال باياس به درون‬
‫نانو لوله تزريق میشود ‪،‬تغییر مي كند‪.‬‬

‫•‪ CNT‬بوسیله ولتاژ گیت ‪ Vg‬تحريک مي شود‪ .‬ولي زمانیکه ولتاژ‬

‫باياس افزايش مي يابد‪ ،‬اتصال تونل تعداد گسسته ای از بارهای ‪ ne‬را‬
‫تزريق مي كند كه يک اثر الکترواستاتیکي ديگر بر خمش نانو لوله‬
‫دارد‪.‬‬
‫‪24‬‬
 ‫‪‬‬ ‫‪ h  y  x  dx‬‬
‫‪L‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪T   ER‬‬
‫‪2‬‬

‫‪2L‬‬
‫‪ ،‬بیشینه ی جابجايي ( ‪ ،) y m ax‬هنگامي كه تنش‬
‫‪0‬‬

‫را برآورده كند‪ ،‬به‬ ‫رابطه‬ ‫‪T  EI‬‬ ‫‪2‬‬

‫كلي‬
‫‪L‬‬
‫صورت زير خواهد بود‬
‫‪0 . 013  ne‬‬ ‫‪‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪L‬‬
‫‪y max ‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪ER h‬‬

‫‪T  EI‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪L‬‬

‫باشد ‪ ،‬عبارت است از‪:‬‬ ‫و هنگامي كه‬

‫‪2‬‬
‫‪0 . 24  ne‬‬ ‫‪‬‬
‫‪2‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪L‬‬
‫‪y max ‬‬
‫‪E‬‬ ‫‪‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪5‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪R h‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬

‫‪25‬‬
‫اين نامساوی ها را كه مرتبط با تنش كلي هستند‪ ،‬مي توان به‬

‫عنوان تابع گسسته ‪ n‬به ترتیب با عبارتهای‬

‫‪5‬‬ ‫‪5‬‬
‫‪n  ER h‬‬ ‫و‬ ‫‪n  ER h‬‬
‫‪e‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪L‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬ ‫‪e‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪L‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫بیان نمود‪ ،‬كه ‪ n‬عبارت است از‪:‬‬

‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪VG L‬‬
‫‪n  Int‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ 2 R ln 2 h‬‬
‫‪‬‬ ‫‪R‬‬
‫‪‬‬
‫‪ 1‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪‬‬

‫‪26‬‬
‫رابطه باال يک ويژگي بسیار جالب از اهرم های نانو را نشان مي دهد‪.‬‬
‫ازآنجائیکه انحراف آن به صورت پله ای و گسسته‪ ،‬هنگامیکه يک‬
‫الکترون از محل اتصال تونل‪ ،‬تونل میزند‪ ،‬تغییر مي كند‪ ،‬دارای حركت‬
‫مکانیکي كوانتیزه مي باشد‪ .‬در اين حالت ‪ ،‬وابستگي بیشینه ی‬
‫انحراف نانو اهرم به ولتاژ تحريک‪،‬به گونه ای كه در شکل زير نشان‬
‫داده شده‪ ،‬مي باشد‪.‬‬

‫‪27‬‬
‫به غیر از نیروی واندروالس‪ ،‬ديگر نیروئي كه باعث فعال سازی نانو اهرم میشود‪،‬‬
‫خواص ساختارهای نانو مقیاس است كه در آنها فاصله ی بین عناصر تحريک شده و‬
‫الکترود زير اليه در محدوده ی نانو مقیاس باشد‪.‬‬

‫نمونه ای از نیروی فوق الذكر‪ ،‬نیروی كاسیمیر است كه تنها مي تواند در تئوری‬
‫میدان كوانتوم درک شود‪ .‬بر اساس اين تئوری‪ ،‬خال خالي نیست و با ذرات مجازی‬
‫پر مي شود كه به طور دائم تولید و نابود مي شود‪.‬‬

‫اثر اين نوسان خال بوسیله نیروی كاسیمیر بین دو جسم دلخواه با فاصله كمتر از‬
‫يک نانومترآشکار میشود‪ .‬عجیب ترين جنبه نیروی كاسیمیر وابستگي آن به‬
‫هندسه و شرايط مرزی مي باشد‪.‬‬

‫‪28‬‬
‫برای مثال‪ ،‬نیروی كاسیمیر بین دو صفحه هادی در يک فضای خال‪ ،‬به‬
‫اين دلیل كه صفحات انعکاسي اليه های فلزی‪ ،‬فوتون های مجازی با‬
‫طول موج هايي بزگتر از فاصله بین دو صفحه ی هادی را حذف مي‬
‫كنند‪ ،‬دارای جاذبه است‪.‬‬

‫ازسوی ديگر‪ ،‬اگر صفحات به صورت پوسته های نیم كره ای باشد‪،‬‬
‫نیروی كاسیمیر تبديل به نیروی دافعه مي شود‪.‬‬

‫نیروی كاسیمیر بین دو اليه فلزی با سطوح ‪ S‬كه به فاصله ‪ d‬از هم‬
‫قرار دارند‪ ،‬به صورت زيرمي باشد‪:‬‬
‫‪    cS‬‬
‫‪2‬‬
‫‪F Cas‬‬ ‫‪, plate‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪240 d‬‬
‫‪29‬‬
 ‫نیروی كاسیمیر بین يک كره به شعاع ‪ R‬و يک صفحه به‬
‫صورت زير است‪:‬‬

‫‪    cR‬‬
‫‪3‬‬
‫‪F Cas‬‬ ‫‪, sohere‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪360 d‬‬

‫فاصله بين كره و‬

‫صفحه‬

‫‪‬نیروی كاسیمیر يک نیروی میکروسکوپیک مي باشد‪.‬‬

‫‪30‬‬
‫‪‬نیروی كاسیمیر يک نیروی میکروسکوپي است كه وابسته به فاصله‬
‫بوده و از روی شکل اجسامي كه با هم تقابل دارند قابل محاسبه مي‬
‫باشد‪.‬‬

‫‪‬محاسبه ی كنش نیرو میتواند برای تکمیل نوسان سازهای مکانیکي‬

‫غیر خطي و سوئیچها به كار گرفته شود‪.‬‬

‫‪‬يک قطعه ‪ NEMS‬كاسیمیر‪ ،‬به عنوان مثال‪ ،‬شامل يک صفحه فلزی‬

‫كه قادر است تحت كنش يک نیروی االستیک حركت كند‪ ،‬و نیز يک‬
‫كره كه روی صفحه قرار گرفته است‪ ،‬مي باشد‪.‬‬

‫‪31‬‬
 ‫فاصله ی بین كره و صفحه ‪ 40nm‬انتخاب شده است ‪.‬‬

‫همانطوری كه در شکل ديده میشود‪ NEMS ،‬حول كمینه محلي‬

‫نوسان مي كند و مي تواند بین كمینه و بیشینه خود سوئیچ‬
‫نمايد‪.‬‬

‫‪32‬‬
‫وابستگي غیر خطي انرژی نوسان گر كاسیمیر به موقعیت با رابطه‬
‫زير توصیف مي شود‪:‬‬

‫‪‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬‫‪c‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪720 1  x  x ‬‬
‫‪U  Kx 0  x‬‬ ‫‪‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪0‬‬

‫است كه در آن ‪ x‬مبین وضعیت تعادل‬ ‫‪x  x/ x‬‬ ‫كه‬ ‫‪0‬‬

‫‪0‬‬

‫میباشد كه پیش از اين در شکل بر حسب واحد انرژی‬

‫‪ U  Kx‬نشان داده شده است‪.‬‬ ‫الکترواستاتیک‬
‫‪2‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬

‫‪33‬‬
 ‫‪ – 2.1.2‬تحلیل فرکانسی اهرم هاي میكرو و نانو‬

‫‪ M ( x ) / EI‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪d y / dx‬‬ ‫جهت يک تحلیل كامل از اهرم ‪ ،‬معادله اساسي‬

‫تابعي از‬ ‫) ‪y ( x ,‬‬ ‫را بايد بوسیله معادله كلي زير كه در آن انحراف‬
‫است‪ ،‬جايگزين )‪y(x‬‬ ‫‪‬‬ ‫مشخصات فضايي ‪ X‬و مشخصه زماني‬
‫نمود‪ .‬در نتیجه خواهیم داشت ‪:‬‬

‫‪d y‬‬ ‫‪‬‬

‫‪4‬‬

‫‪EI ‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪‬‬

‫‪  m B d y d‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ 0‬‬
‫‪‬‬ ‫‪dx‬‬ ‫‪‬‬
‫‪m‬‬ ‫‪ A‬‬
‫جرم اهرم در واحد طول‬ ‫‪B‬‬

‫سطح مقطع اهرم و‬ ‫‪A  Wt‬‬

‫‪ ‬چگالی ماده اهرم است‬
‫‪34‬‬
 ‫با فرض اینکه اهرم تنها در یکی از فرکانس های طبیعی خود ‪  n‬ارتعاش می کند و در‬
‫نتیجه رفتار هارمونیک دارد‪ ،‬ر حل ابطه قبل به صورت زیرخواهد بود‪:‬‬

‫‪y  x ,    X ( x ) cos  n  ‬‬ ‫‪‬‬

‫نوتاسیون زير‪:‬‬ ‫با اعمال‬

‫‪ n  Wt‬‬
‫‪2‬‬

‫‪‬‬
‫‪4‬‬
‫‪K‬‬
‫‪EI‬‬

‫‪4‬‬ ‫خواهیم داشت‪:‬‬

‫‪d X‬‬ ‫)‪ K X (x‬‬
‫‪4‬‬
‫‪4‬‬
‫‪dx‬‬
‫‪35‬‬
 ‫در این صورت جواب کلی به شکل زیر خواهد بود‪:‬‬
‫‪X  A cos( kx )  cosh( kx )   B cos( kx )  cosh( kx )   C sin( kx )  sinh( kx )   D sin( kx )  sinh( kx ) ‬‬

‫ثابت هايي هستند كه با اعمال شرايط‬ ‫‪A, B , C , D‬‬ ‫كه در آن‬

‫مرزی مناسب به دست مي آيند‪ .‬فرض براينست كه اين انحراف‬
‫با‬ ‫متناسب‬ ‫كه‬ ‫شیب‬ ‫و‬ ‫‪X‬‬ ‫با‬ ‫متناسب‬ ‫كه‬
‫است‪ ،‬در انتهای اهرم صفر شود‪ .‬همچنین‬ ‫‪X  dX‬‬ ‫ب‬
‫‪dx‬‬
‫با ‪‬‬
‫‪X‬‬ ‫و پیچش(‪ )shear‬كه‬ ‫‪X‬‬ ‫فرض مي كنیم‪ ،‬گشتاور كه با‬
‫متناسب هستند‪ ،‬در انتهای آزاد اهرم صفر باشند‪.‬‬

‫‪36‬‬
 ‫از اينرو شرايط مرزی چنین خواهد بود‪:‬‬

‫‪y  0‬‬ ‫‪ y / x‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ 0‬‬
‫‪at x  0‬‬ ‫‪at x  L‬‬
‫‪y / x  0‬‬ ‫‪ y / x‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪ 0‬‬

‫‪ A=C=0‬به دست مي آيد‪.‬‬ ‫كه از آن‬

‫‪37‬‬
 ‫و‬
D 
cos( kL )  cosh( kL ) 
B sin( kL )  sinh( kL ) 
 sin( kL )  sinh( kL )  cos( kL )  cosh( kL ) 

:‫و فركانس های طبیعي اهرم به صورت زير مي باشند‬

cos( k n L ) cosh( k n L )   1

38
 ‫‪k 0 L  1 . 875‬‬

‫‪k 1 L  4 . 694‬‬

‫‪k 2 L  7 . 855‬‬

‫‪k 3 L  10 . 996‬‬

‫به‬ ‫‪ n  Wt‬‬

‫‪2‬‬
‫و اولین فركانس رزونانس از رابطه‬
‫‪‬‬
‫‪4‬‬
‫‪K‬‬ ‫شکل زير به دست مي آيد ‪:‬‬
‫‪EI‬‬

‫‪1‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪ 2  f 0  1 . 015 ( t‬‬ ‫‪)( E‬‬ ‫)‬ ‫‪2‬‬

‫‪L‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪39‬‬
 ‫به طور كلي فركانس های طبیعي اهرم را مي توان به شکل زير نوشت‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫‪cn‬‬
‫( ‪n ‬‬ ‫‪) ( EI‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫)‬
‫‪L‬‬ ‫‪mB‬‬

‫‪ Cn‬ها از ‪ 4‬رابطۀ صفحۀ قبل و نیز از روابط مرتبط صفحات قبل به دست مي‬
‫آيند‪.‬‬

‫رابطۀ باال تنها زماني معتبر است كه اهرم در خال حركت كند‪.‬‬

‫ولي چگونه زمانیکه اهرم بدون اصطکاک در فضای فشرده نشدني مثل هوا ‪ ،‬آب يا‬
‫مايعات مختلف حركت مي كند‪ ،‬فركانس های رزونانس تغییر مي يابند؟ اين وضعیت‬
‫غالباً در ابزار دقیق نانو مقیاس اتفاق مي افتد كه در بخش های بعدی مورد بحث‬
‫قرار مي گیرد‪.‬‬
‫‪40‬‬
 ‫‪d y‬‬ ‫‪‬‬
‫‪4‬‬

‫تنها در اين‬ ‫‪EI ‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪‬‬

‫‪  m B d y d‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ 0‬‬ ‫رابطۀ‬
‫‪‬‬ ‫‪dx‬‬ ‫‪‬‬

‫حالت معتبر است‪،‬ولي جرم واحد طول متفاوت است‪.‬‬

‫عالوه بر جرم در واحد طول اهرم‪ ،‬اين رابطه شامل اثر‬

‫به دلیل‬ ‫‪M‬‬ ‫اضافي ناشي از فضای جابجا شده‬
‫جابجايي اهرم مي باشد‪ ،‬ازاينرو داريم‪:‬‬

‫‪mB  mB  mM‬‬ ‫‪,n‬‬

‫‪ (1   M‬‬ ‫‪,n‬‬
‫‪)m B‬‬

‫‪41‬‬
‫كمیت بدون ديمانسیون‬
‫چگالی محیط‬

‫‪WL  M ‬‬ ‫‪ n  1   1 4 ‬‬ ‫‪M‬‬

‫‪ M ,n ‬‬ ‫‪ (L‬‬ ‫()‬ ‫‪)gn‬‬
‫)‪3 A  ( 2 n  1‬‬
‫‪2‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪‬‬

‫چگالي اهرم‬ ‫مود‪ n‬ا م ویژه‬

‫اين رابطه جرم جابجا شده توسط اهرم تحريک شده با ‪ n‬امین‬
‫فركانس طبیعي را نشان میدهد‪.‬‬

‫‪42‬‬
‫جرم جابجا شده به صورت يک استوانه كه در مركزش يک گره‬
‫ی معین از ارتعاش اهرم وجود دارد‪ ،‬مدل شده است‪.‬‬

‫فركانسهای ارتعاش اهرم از رابطه زير به دست مي آيند‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪n ‬‬
‫‪M‬‬

‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪1  (L ) ( M‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪‬‬
‫‪)gn‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬

‫•فركانس های رزونانسي اهرم به فضايي كه اهرم در آن جا‬

‫استفاده شده است‪ ،‬بستگي دارند‪.‬‬

‫‪43‬‬
 ‫‪d y‬‬ ‫‪‬‬
‫‪4‬‬

‫صرف نظر از سطح مقطع‬ ‫‪EI ‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪‬‬

‫‪  m B d y d‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ 0‬‬ ‫رابطۀ‬
‫‪‬‬ ‫‪dx‬‬ ‫‪‬‬

‫اهرم معتبر مي باشد ‪ .‬اگر اهرم با طول ‪ L‬يک سطح مقطع استوانه ای به‬

‫شعاع ‪ R‬داشته باشد‪ ،‬مومنتوم اينرسي برابر خواهد با‪:‬‬

‫‪I  R‬‬
‫‪4‬‬
‫‪/ 4‬‬
‫سطح مقطع‬
‫‪A  R‬‬
‫‪2‬‬

‫‪3  ER‬‬
‫‪4‬‬
‫ثابت فنر‬
‫‪K ‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪4L‬‬

‫‪44‬‬
‫چون روابط بدست آمده برای اهرم با شرايط مرزی اهرمي با سطح مقطع مستطیلي‬
‫يکسان است‪ ،‬روابط فركانسهای تشديد همانند قبل مي باشد‪ .‬تنها الزم است ممان‬
‫اينرسي و سطح مقطع مناسبي اتخاذ گردد‪.‬فركانسهای تشديد برابر خواهند بود‬
‫با ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫) ‪fn  (k n L ) R ( E / ‬‬ ‫) ‪/( 4  L‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬

‫زمانیکه اهرم استوانه ای شامل يک استوانه خارجي با طول ‪ L‬وشعاع ‪ R‬حول يک‬
‫استوانه داخلي به طول يکسان و شعاع ‪ r‬باشد‪ ،‬فركانسهای طبیعي عبارتند از‪:‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪f n  (  n / 8  L )( 4 R‬‬ ‫) ‪ 4r‬‬ ‫) ‪(E / ‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪ 1  1 . 875‬‬ ‫‪,  2  4 . 694‬‬ ‫‪,...‬‬

‫‪45‬‬
 ‫رابطۀ آخر برای اهرم های ساخته شده از ‪ CNT‬های چند ديواره ای نیز معتبر است‪.‬‬

‫راه حل انحراف اهرم در حضور يک نیروی خارجي )‪ Fappl (y,t‬بسیار پیچیده‬

‫مي باشد‪ .‬به هرحال در اكثر وضعیت های عملي كه اهرم با اولین فركانس مركزی‬
‫نوسان میکند‪ ،‬تقريب حل را بسیارساده مینمايد‪ .‬زيرا‪ ،‬در اين حالت حركت اهرم‬
‫میتواند به صورت يک نوسان كننده ی میرا كه با اولین فركانس اهرم نوسان میکند‪،‬‬
‫مدل شود‪.‬در نتیجه‪:‬‬
‫ثابت خطي فنر‬
‫نیروی اعمال شده بر‬
‫اهرم‬

‫) ‪  dy / dt  Ky  F appl ( y , t‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪m B d y / dt‬‬

‫ضريب میرايي‬

‫جرم واحد طول‬ ‫جابجائی اهرم‬

‫‪46‬‬
‫جدول باال اولین فركانس رزونانسي اهرم با ابعاد مختلف را نشان مي دهد‪ ،‬كه از‬
‫نیمه هادی های ‪ Si ، SiC‬و ‪ GaAs‬ساخته شده باشند‪.‬‬

‫بسته به ابعاد اهرم ها‪ ،‬فركانس های تشديد مي توانند از ‪ kHz‬تا ‪ GHz‬را در بر‬
‫بگیرند‪.‬‬
‫‪47‬‬
‫‪‬اهرم های با ابعاد میکروني درفركانسهای ‪ MHz‬نوسان مي كنند‪،‬‬
‫در حالیکه اهرم های نانو سايز در فركانسهای ‪ GHz‬همانند‬
‫بسیاری از سیستم های نانو مکانیکي نوسان مي كنند‪.‬‬

‫‪‬در مقیاس نانونوسان كننده های نانو مکانیکي‪ ،‬فركانس های‬

‫مکانیکي در محدوده مايکروويو احراز مي كنند كه بسیار جالب‬
‫است‪ ،‬زيرا در ابعاد ماكروسکوپیک فركانسهای پايین را به نوسان‬
‫كننده های مکانیکي اختصاص مي دهیم‪.‬‬

‫‪ ‬اگر ابعاد نوسان كننده های نانو مکانیکي تنها چند ‪ nm‬باشد ‪،‬‬
‫نوسانات مکانیکي در محدوده ‪ THz‬خواهند بود كه مشابه‬
‫ارتعاشات مولکولي يا ارتعاشات كوانتوم مکانیک كريستال ها به‬
‫نام فنون مي باشد‪.‬‬
‫‪48‬‬
‫ضريب كیفیت يک پارامتر فیزيکي است كه هر سیستم تشديدی را صرف نظر از‬
‫منشا فیزيکي آن ( مکانیکي‪ ،‬الکترومغناطیسي الکتريکي‪ ،‬و مغناطیسي )‬
‫توصیف مي كند و درجه تحديد انرژی آزاد سیستم فیزيکي كه بر اثر تشديد به‬
‫وجود آمده رانشان مي دهد( يا به عبارتي ديگر كیفیت تشديد را بیان مي نمايد)‪.‬‬
‫در مورد اهرم ها‪ ،‬ضريب كیفیت به صورت زير تعريف مي شود‪:‬‬

‫‪Q  2 E 0 /  E‬‬
‫کل انرژی از بین رفته‬
‫در هر سیکل از ارتعاش‬

‫انرژی ارتعاش‬
‫ذخیره شده‬

‫‪49‬‬
‫محاسبه ضريب كیفیت با استفاده از تعريف باال نسبتاً پیچیده است‪ .‬از اين رو‬
‫ضريب كیفیت به صورت مجموعي از اثراتي كه مي توانند تلفات نوسان اهرم‬
‫را در تشديد بنیادين (اولین مرحله) شامل شوند‪ ،‬تعريف مي شود‪.‬‬

‫با استفاده از اين روش‪ ،‬ضريب كیفیت اهرم به صورت زيراست‪:‬‬

‫‪1 / Q  1 / Q c  1 / Q th  1 / Q v  1 / Q s‬‬

‫تلفات ترمو االستیک‬

‫) ‪Q c  2 .2 ( L / t‬‬
‫‪3‬‬
‫تلفات محدود کننده‬

‫‪Qv‬و ‪ Qs‬طبق روابطي تعريف خواهد شد‪.‬‬

‫‪50‬‬
‫‪‬تلفات ترمو االستیک برای اهرم های زير میکرون كه در فركانس های ‪ GHz‬يا‬
‫مي كنند ناچیز است اما برای اهرم های ضخیم تر منبع اصلي انرژی‬ ‫‪ KHz‬كار‬
‫اتالفي مي باشد‪.‬‬

‫‪‬تلفات ترمواالستیک از جريان گرمايي طي مدت جابجايي هارمونیک‬

‫اهرم ناشي شده و به دما و ماده ای كه اهرم از آن ساخته شده بستگي‬
‫دارد‪.‬‬
‫‪‬به محظ اينکه يک اهرم خمیده شود يک گراديان دما (جريان گرمايي) درون آن‬
‫ايجاد مي شود‪ .‬قسمت فشرده شدۀ اهرم گرم مي شود‪ ،‬در حالیکه قسمت بسط‬
‫يافتۀ آن سرد مي شود‪ .‬جهت جريان گرمايي به طور برگشت ناپذير از قسمت گرم‬
‫تر به سمت قسمت خنک تر مي باشد‪.‬‬
‫‪51‬‬
 ‫تلفات ترمواالستیک با رابطۀ زير بیان مي شود‪:‬‬

‫) ‪Q th  1 / 2  ( T ) S th ( f‬‬

‫‪ ( T )   TE / 4  C p‬‬
‫‪2‬‬

‫‪ ‬ضریب انبساط حرارتی است‬

‫‪‬‬
‫) ‪S th ( f )  ( 2 f / f th ) / 1  ( f / f th‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬

‫‪f th  ‬‬ ‫‪/ 2 C pt‬‬

‫‪2‬‬
‫‪th‬‬

‫‪52‬‬
‫فركانس ويژه گرمايي برای يک اهرم سیلیسیومي به ضخامت ‪40 GHz ،60nm‬‬
‫است‪ .‬و برای يک اهرم سیلیسیومي به ضخامت‪ 2‬میکرومتر ‪ 390 KHz‬مي‬
‫باشد‪ .‬در اين حالت تلفات ترمواالستیک بسیار حائز اهمیت است‪.‬‬

‫تلفات به دلیل اصطکاک داخلي اهرم(وابسته به حجم) از طريق ضريب يانگ‬

‫مختلط به صورت زير مدل مي شود‪:‬‬
‫‪E‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪E 1  iE‬‬ ‫‪2‬‬

‫كه ‪ E1‬ضريب تطبیقي است و ‪ E2‬ضريب مربوط به تلفات اصطکاک میباشد‪.‬‬

‫‪53‬‬
 ‫به صورت زير تعريف مي شوند‪:‬‬ ‫‪E1, E 2‬‬

‫‪Q v  E1 / E 2‬‬

‫سهم سطح در ضريب كیفیت يعني تلفات يک اليه با ضخامت ‪ ‬كه اختالل‬
‫شبکه اتمي در سطح اهرم يا آلودگي سطحي را مدل مي كند‪ ،‬به صورت زير نشان‬
‫داده مي شود‪:‬‬

‫‪Q s  WtE‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪/ 2  ( 3W  t ) E 2‬‬

‫‪54‬‬
‫پارامتر تلفات عمومي بهتری برای تلفات اهرم كه مستقیماً به مینیمم نیروی قابل‬
‫آشکار سازی) ‪ (Fmin‬وابسته است را مي توان با رابطه زير تعريف نمود‪:‬‬

‫‪  K /  0Q‬‬

‫برای يک اهرم مستطیل شکل اين پارامتر برابرست با رابطه زير‪:‬‬

‫‪  0 . 246 Wt‬‬ ‫) ‪(E‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪1/ 2‬‬
‫‪/ LQ‬‬

‫‪55‬‬
‫‪‬از آنجائیکه اهرم تحت اعمال يک نیروی خارجي خم میشود‪ ،‬ضروری‬
‫است كه يک نیروی كمینۀ قابل مشاهده ‪ Fmin‬كه قادر است اهرم را‬
‫منحرف كند‪ ،‬تعريف شود ‪.‬‬

‫‪ Fmin ‬به نويز ترمومکانیکي وابسته است كه منشا آن غرق شدن‬

‫اهرم در درون حرارت با دمای ‪T‬مي باشد‪.‬‬

‫‪ ‬اين نويز ارتعاشي كه مشابه نويز سفید مکانیکي است‪ ،‬بوسیله يک‬
‫نیروی تولید نويز معادل با طیف توان ثابت تولید مي شود‪ ،‬و درقسمت‬
‫انتهای آزاد اهرم قرار مي گیرد‪ ،‬و مهمترين اثرش تولید يک دامنه‬
‫‪rms‬مي باشد‪.‬‬
‫‪56‬‬
 ‫اين دامنه به صورت زير تعريف مي شود‪:‬‬
‫‪‬‬
‫‪2‬‬
‫‪y rms ‬‬ ‫‪S‬‬ ‫‪F‬‬
‫‪G ( f ) df‬‬
‫‪0‬‬

‫طیف توان مسطح)‪(flat‬‬

‫تابع تبديل وابسته به فركانس اهرم عبارت است از‪:‬‬

‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪G ( f )  ( f0 / K ) / ( f0  f‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪)  i ( ff‬‬ ‫‪0‬‬
‫)‪/Q‬‬ ‫‪‬‬

‫‪57‬‬
 ‫به صورت زير است‪:‬‬ ‫‪Q >> 1‬‬ ‫رابطه ‪ Yrms‬برای‬

‫‪ ( 2 /  Qf‬‬
‫‪1/ 2‬‬ ‫‪1/ 2‬‬
‫‪SF‬‬ ‫‪0‬‬
‫)‬ ‫‪Ky‬‬ ‫‪rms‬‬

‫از طرف ديگر اگر يک تعادل حرارتي برای اهرم در نظر بگیريم‪ ،‬نظريۀ هم‬
‫بخشي )‪ (equipartition‬الزام مي دارد كه ‪:‬‬

‫) ‪y rms  ( k B T / K‬‬
‫‪1/ 2‬‬

‫‪58‬‬
‫كه در آن ‪ KBT‬انرژی گرمايي و ‪ KB‬ثابت بولتزمن مي باشد‪ .‬از دو رابطۀ آخر رابطۀ‬
‫زير بدست مي آيد‪:‬‬
‫‪ ( 2 Kk B T /  Qf‬‬
‫‪1/ 2‬‬ ‫‪1/ 2‬‬
‫‪SF‬‬ ‫‪0‬‬
‫)‬

‫‪ ‬حداقل انرژی قابل تشخیص (نويز سفید) در يک پهنای باند ‪ B‬برای اهرم‬
‫مستطیلي به صورت زير است‪:‬‬

‫داريم‪:‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬يا با استفاده از تعريف تلفات در رابطۀ‬

‫) ‪F min  (  k B TB / 0 . 246‬‬
‫‪1/ 2‬‬

‫‪59‬‬
‫از اينرو كمینه انرژی قابل تشخیص‪ ،‬مستقیماً به تلفات اهرم و دما مرتبط مي‬
‫گردد‪.‬‬

‫رابطه قبل در شکل زير برای دو اهرم متمايز نشان داده شده است‪ .‬اين شکل نشان‬
‫مي دهد كه اهرم های بسیار حساس برای آشکار سازی نیرو بايد طوالني‪ ،‬نازک و‬
‫ظريف باشند‪.‬‬

‫‪60‬‬
 ‫همانگونه كه در شکل زير نشان داده شده است ‪،‬اهرم ها مي توانند از سیلیکون يا‬
‫فلز ساخته شوند‪.‬‬

‫يکي از حساس ترين اهرم های گزارش شده‪ ،‬با طول ‪ 220‬میکرومتر ‪ ،‬عرض ‪5‬‬
‫میکرومتر و ضخامت ‪ ، 60nm‬شکلي مشابه زير دارد كه ضريب كیفیت آن ‪6700‬‬
‫‪ 18‬‬
‫)‬ ‫‪5 . 6  10‬‬ ‫‪N‬‬ ‫(‬ ‫بوده و قادر است نیروهايي درگسترۀ ‪attonewtons‬‬
‫در‪، 5K‬با پهنای باند ‪ 1Hz‬را آشکارسازی كند‪.‬‬

‫‪61‬‬
 ‫‪ 14‬‬
‫و شکلي مشابه با تصوير‬ ‫‪10‬‬ ‫‪Kg‬‬ ‫همچنین يک نانو اهرم تنگستني با جرم‬
‫زير‪ ،‬با قطر ‪ ،D= 50 nm‬برای آشکار سازی مولکول های منفرد استفاده مي‬
‫شود‪.‬‬

‫‪62‬‬
‫‪‬اطالعات جدول زير‪ ،‬با استفاده از يک تحلیل دقیق تر نويز اهرم ها و بر اساس‬
‫مدل توصیفي حركت اهرم به دست آمده است‪.‬‬

‫میشود كه وابسته به مود مي‬ ‫‪K‬‬

‫‪m‬‬
‫‪n‬‬
‫‪ ‬اين روش منجر به محاسبۀ ثابت های فنر‬
‫باشند‪ ،‬كه به نوبۀ خود نیروهای كمینۀ قابل آشکارسازی وابسته به مود را تعريف‬
‫مي نمايند‪.‬‬

‫روابط و مقادير مربوطه در جدول زير به طور خالصه آمده است‪:‬‬

‫‪63‬‬
‫‪‬قابل ذكر است كه هنگامیکه اهرم در حالت های باالتر ‪(higher‬‬
‫)‪ modes‬عمل كند‪ ،‬فاكتور كیفیت كاهش مي يابد‪ .‬باالترين مقدار‬
‫آن برای تعیین حالت های بنیادی نوسان به دست مي آيد‪.‬‬
‫‪‬اگر چه حساسیت اهرم ها در هنگام كار با مودهای باالتر افزايش نمي يابد‪ ،‬مي‬
‫توان فركانس اهرم را روی گسترۀ ‪ %300‬بدون اينکه ضريب كیفیت به صورت جدی‬
‫كاهش يابد‪ ،‬توسط جاروب لبۀ اهرم با نوكي كه با ولتاژ ‪ ac‬تحريک شده‪ ،‬تنظیم‬
‫كرد‪.‬‬

‫‪ ‬اين نوک نوسان را به اهرم منتقل كرده و نقش يک سیستم محرک‬

‫نقطه مانند را ايفا مي كند كه يک نیروی محرک را همانند شکل بعد‬
‫روی اهرم اعمال مي نمايد‪.‬‬
‫‪64‬‬
‫تنظیم فرکانس اهرم‬

‫‪65‬‬
‫‪ ‬كمیت ديگری كه به ضريب كیفیت وابسته است‪ ،‬توان كمینۀ كاری‬
‫است و به صورت زير تعريف مي شود‪:‬‬

‫‪P  k B T / Q‬‬
‫‪0‬‬

‫‪ ‬توان كمینۀ آشکار شده برای اهرم های نانومقیاس با‬

‫فركانس های تشديد باالتر از ‪ 100MHz‬و ضرايب‬
‫در دماهای پايین‪ ،‬حدود ‪ 10‬آتو وات و در‬ ‫‪10‬‬
‫‪4‬‬
‫‪ 10‬‬
‫‪5‬‬ ‫كیفیت‬
‫دمای اتاق حدود ‪ 1‬میکرو وات مي باشد‪.‬‬
‫‪66‬‬
‫اين توان در مقايسه با توان اتالفي كه مشابه آن در ابزار الکتريکي است‪،‬بسیار‬
‫كوچک است‪ .‬يک ضريب ‪ Q‬بزرگ پارامتر كلیدی برای توان های كمینه كوچک مي‬
‫باشد‪.‬‬

‫وابستگي ضريب ‪ Q‬به حجم ‪ V‬از تشديد كننده مکانیکي در شکل‬

‫نشان داده شده است‪.‬‬

‫‪67‬‬
‫‪‬اگرچه حساسیت اهرم توسط نوسانات حرارتي محیط كه‬
‫منشا نويز ترمومکانیکال هستند محدود مي شود‪ ،‬مي توان آن‬
‫را با افزايش ضريب كیفیت افزايش داد‪ .‬به هر حال ‪ Q‬نمي‬
‫تنها با بهینه سازی ابعاد هندسي اهرم افزايش‬ ‫تواند‬
‫چشمگیری داشته باشد‪.‬‬

‫‪ Q (a‬با‬ ‫‪‬افزايش مرتبۀ سۀ دامنۀ‬

‫)‪three order of magnitud‬‬

‫استفاده از فیدبک مثبت سیستم اهرم كه شامل يک تقويت‬

‫كننده و يک جابجا كنندۀ فاز است‪ ،‬حاصل شده است‪.‬‬
‫‪68‬‬
‫‪‬حساسیت اهرم را همچنین مي توان با اتصال آن به يک ترانزيستور‬
‫تک الکترودی افزايش داد‪.‬‬

‫‪ ‬ما تا كنون تنها در مورد تاثیر تلفات داخلي ( ترمواالستیک يا تلفات‬

‫سطحي) بر ضريب كیفیت اهرم ها صحبت كرده ايم‪ .‬هر چند ‪Q‬‬
‫همچنین تحت تاثیر تلفات خارجي از قبیل تلفات شار هوا ‪(air‬‬
‫)‪ flow‬يا تلفات تشعشعات امواج االستیک ايجاد شده در نگهدارنده‬
‫های اهرم قرار مي گیرد‪.‬‬
‫‪ ‬با مدل كردن تعديل هوا )‪ (air damping‬به عنوان يک اثر از برخوردهای‬
‫مستقل مولکولهای بدون واكنش داخلي هوا با سطح اهرم‪ ،‬ضريب كیفیت وابسته به‬
‫فعل و انفعاالت‪69‬هوا‪-‬اهرم به صورت زير است‪:‬‬
Q air  2  f n h  /  gas
P

‫فشار هوا‬
 gas  ( 32 m air / 9  RT )
1/ 2

T=300 K

R  8 . 31  10 J / K
3 ‫ثابت جهانی گاز‬

70
‫در چنین شرايطي تعديل هوا )‪ (air damping‬حائز اهمیت مي شود و بنا بر اين‪،‬‬
‫زمانیکه نسبت سطح به حجم اهرم بزرگ باشد‪ ،‬به ضريب كیفیت لطمه وارد مي‬
‫كند‪.‬‬

‫از آنجايیکه ضريب كیفیت به‬ ‫‪Q air  2  f n h  / ‬‬ ‫‪gas‬‬

‫‪P‬‬ ‫با توجه به رابطۀ‬
‫طور معکوس با فشار هوا متناسب است‪ ،‬يک عملکرد پايدار از نانواهرم ها نیازمند‬
‫قرار دادن آن ها در يک محیط با خال باال مي باشد‪.‬‬

‫تاثیر تشعشعات امواج االستیک ايجاد شده در ساپورت اهرم بر ضريب كیفیت‬
‫تلفات خارجي به صورت زير ارائه مي شود‪:‬‬

‫) ‪ 0 . 34 ( L / h‬‬
‫‪3‬‬
‫‪Q sup‬‬ ‫‪p‬‬

‫‪71‬‬
‫اين تلفات ساپورت برای اهرم های بسیار نازک دارای اهمیت‬
‫مي باشند‪.‬‬

‫جدول باال پارامترهای اصلي مواد ‪ Si‬و اهرم های ‪-CNT‬‬

‫‪ MEMS/NEMS‬را نشان مي دهد و آن هارا با فوالد مقايسه‬
‫مي كند‪.‬‬

‫‪72‬‬
‫‪‬اهرم ها را مي توان از مواد زيادی ساخت‪ .‬اما عموماً از نیمه‬
‫هادی های ‪Si‬و ‪ GaAs‬و فلزات و ‪ CNT‬ها ساخته مي شوند‪.‬‬

‫‪‬جدول قبل نشان مي دهد كه اهرم های ‪ Si‬و‪ CNT‬پامترهايي‬

‫دارند‪ .‬از اينرو اگرچه‬ ‫قابل مقايسه و گاهاً بهتر از‬
‫‪ MEMS/NEMS‬كوچک هستند‪ ،‬اما سخت و قوی مي باشند‪.‬‬
‫‪‬در جدول بعد برخي از پارامترهای حجمي مواد را نشان مي‬
‫دهیم كه مخصوص ‪ MEMS‬و‪ NEMS‬هستند و روش تصحیح‬
‫(تطبیق) آن ها برای مقیاس میکرو و نانو نیز نشان داده شده است‪.‬‬
‫‪73‬‬
‫اين جدول نشان مي دهد كه با وجود اينکه برخي از پارامترها برای‬
‫مواد حجمي و ‪ NEMS/MEMS‬يکسان هستند‪ ،‬برخي ديگر از‬
‫پارامترها مثل ماژول يانگ برای ابعاد نانو‪/‬میکرو حدود‪ 10‬الي ‪%20‬‬
‫نسبت به مواد حجمي تغییر مي كند‪.‬‬

‫‪74‬‬
75
‫مساله اصلي‪ ،‬ساخت مگنت های نانو يا میکرو بر روی سطح اهرم مي‬
‫باشد‪ .‬اما‪ ،‬امکان ايجاد يک آرايه از میکرومگنت های ‪ CoNiMnP‬بر‬
‫روی سطح ‪ Si‬يک اهرم نیز گزارش شده است‪ .‬اهرم دوسويه‬
‫مغناطیسي در شکل زير نشان داده شده است‪:‬‬

‫‪76‬‬
‫‪‬انحراف مغناطیسي چنین اهرمي با طول ‪ L‬را مي توان به‬
‫صورت رابطه زير بیان نمود كه در آن ‪ V‬حجم مگنت‪Mz ،‬‬
‫مگنیتیزاسیون آن‪ ،‬و‪ Bz‬چگالي شار مگنت و ‪ a‬فاصله از‬
‫نقطه ثابت اهرم تا الکترومگنت است‪.‬‬
‫‪y m ax  2 VM‬‬ ‫‪(  B z /  z ) a ( 3 L  a ) / EWt‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪z‬‬

‫‪ ‬تحريک مغناطیسي اهرم در بسیاری از كاربردهای نوری از‬

‫قبیل سويیچ ها و اسکنرها مورد استفاده قرار مي گیرد‪.‬‬

‫‪77‬‬
 ‫در تحريک نوری‪ ،‬يک لیزر اهرم و يا آرايه ای از اهرم ها را‬
‫تحريک مي كند و باعث خمش آنها بر اثر اعمال نیروی نوری‬
‫مي گردد‪.‬‬

‫فشار تولید شده بوسیله يک میدان نوری بر روی اجسام بدون‬

‫جذب به صورت زير است‪:‬‬
‫‪Popt  F opt / A  2 RS / c‬‬
‫‪78‬‬
‫‪‬که در آن ‪ A‬سطحی است که نیروی نوری )‪ (Fopt‬بر روی آن عمل می‬
‫کند‪ S(W/m2)،‬ماژول بردار ‪ Poynting‬است‪ R ،‬ضریب انعکاس و ‪ C‬سرعت‬
‫نور می باشد‪.‬‬

‫‪ Fopt‬برای ایجاد حرکت های قابل مشاهده در اشیاء دارای جرم سنگین‬
‫کافی نیست‪ .‬زیرا مقدار آن برای توان های نوری کمتر از ‪ 1 w‬حتی با ضریب‬
‫انعکاس نزدیک به واحد ‪ ،‬از چند ده نانو نیوتن بیشتر نمی باشد‪ .‬هرچند‪ ،‬اثرات‬
‫‪ 20‬‬
‫به‬ ‫‪10‬‬ ‫‪Kg‬‬ ‫قابل مشاهده ای را برای ‪ MEMS‬با یک جرم نوعیِ‬
‫خصوص برای اهرم های میکرومکانیکی ایجاد می کند‪.‬‬

‫‪79‬‬
‫مزیت های تحریک نوری شامل تحریک از راه دور و استفاده مستقیم‬
‫از توان نوری بدون نیاز به مبدل ها می باشد‪.‬‬

‫يک اهرم تحريک شده توسط نور‬

‫‪80‬‬
‫‪‬انحراف اهرم در اثريک میدان نوری بوسیله رابطه زير بیان‬
‫مي شود‪:‬‬
‫‪y max  2 RP opt L / cWEt‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪3‬‬

‫‪‬كه در آن ‪ Popt = SWL‬توان نوری اعمال شده بر روی‬

‫اهرم مي باشد‪.‬‬
‫‪‬تحريک نوری دارای كاربردهای مهمي در پردازش سیگنال‪،‬‬
‫حافظه های نوری و تکنیک های اندازه گیری نوری ميباشد‪.‬‬

‫‪81‬‬
‫تکنیکهای روبش پروب كه تحت عنوان تکنیک پروب‬
‫جاروبي میکروسکوپي )‪ (SPM‬شناخته ميشوند‪ ،‬ابزار‬
‫پايهای هستند كه قادراند خواص فیزيکي مختلفي‬
‫(مکانیکي‪ ،‬الکترومغناطیسي‪ ،‬گرمايي) را در ابعاد نانو‬
‫آشکاركنند‪.‬‬
‫بعضي از اين ابزارها كه در ادامه شرح داده ميشوند‪،‬‬
‫فوقالعاده ارزشمند برای دستکاری )‪(manipulation‬‬
‫ساختارهای نانو و ساخت افزارههای نانومقیاس هستند‪.‬‬

‫‪82‬‬
‫اصول مشتركي كه در كاركرد همه تکنیکهای ‪ SPM‬وجود دارد‪ ،‬روبش‬
‫سه بعدی پروب نانويي در سرتاسر سطح است كه تصوير ‪ SPM‬سطح‬
‫با وضوح نانو يا حتي وضوح اتمي را برای ما فراهم ميكند‪.‬‬

‫نانو پروبها در فواصل نانومتری باالی پروبها واقع شدهاند‪ .‬امروزه‬

‫‪ SPM‬مختلفي وجود دارد كه از اثرات فیزيکي برای‬ ‫روشهای‬
‫مطالعۀ )‪ (probe‬سطح استفاده ميكنند‪ .‬برای مثال‪ (AFM ) ،‬از يک‬
‫اهرم منتهي شده به يک نوک نانو مقیاس استفاده ميكند كه بوسیله‬
‫نیروی بین نوک و سطح ماده خم شده است‪ .‬اين ماده ميتواند فلز‪،‬‬
‫نیمه هادی يا عايق باشد‪.‬‬
‫‪83‬‬
‫يک نوک كه سطح مورد آزمايش را جاروب مي كند‪ ،‬همچنین در میکروسکوپ تونل‬
‫زني جاروبي )‪ (STM‬استفاده مي شود‪ .‬اما در اينجا جريان تونل زني نوکنمونه‬
‫آشکار ميشود‪.‬‬

‫مشابها در میکروسکوپ جاروبي نوری میدانِ نزديک )‪ ، (SNOM‬يک پروب نوری‬

‫(دارای يک دريچۀ نانو مقیاس) يک شيء كه به آن نور تابیده شده را جاروب مي‬
‫كند و شدت میدان نزديک آن در هنگام روبش كنترل مي شود‪.‬‬

‫درهمۀ حاالت اطالعات جمع آوری شده در نتیجه برهمکنش بین پروبهای‬
‫روبشي و سطح دارای ارزش خاصي در رابطه با ساختار اتمي و خواص گوناگون مواد‬
‫(جامد‪ ،‬مايع‪ ،‬گاز و ‪ )...‬در دماهای پايین‪ ،‬متوسط و باال با تفکیک پذيری بي نظیر‬
‫(در حد كسری از آنگستروم ‪ ) A‬مي باشند‪.‬‬

‫‪84‬‬
‫در جدول زير خواص فیزيکي و تکنیکهای مختلف ‪ SPM‬به طور‬
‫خالصه آورده شده اند‪:‬‬

‫‪85‬‬
‫پیکر بندی پايه ابزار نانوالکترونیک در شکل زير نشان داده‬
‫شدهاند‪:‬‬

‫‪86‬‬
‫همانطوری كه در اين شکل مالحظه مي شود‪ STM ،‬نیازمند‬
‫يک نمونۀ رسانای الکتريکي است‪ ،‬در حالي كه در مورد‬
‫‪ SNOM‬نمونهها بايد از نظر نوری شفاف باشند‪ ،‬كه اين‬
‫محدوديتها در مورد ‪ AFM‬وجود ندارد‪.‬‬

‫به همین دلیل بیشترابزار نانومقیاس با روش ‪ AFM‬توسعه‬

‫پیدا كردهاند‪.‬‬

‫‪87‬‬
 ‫میکروسکوپ نیروی اتمي (‪: )AFM‬‬

‫‪ AFM‬قادر است نیرو های بسیار ضعیف تا حد كسری از ‪(aN) attonewtons‬‬

‫)‪ (1aN=10-18N‬را كه بین نوک و سطح تحت آزمايش اعمال ميشود‪ ،‬اندازه گیری‬
‫كند‪ .‬اين نیروها به روش انحراف يک اهرم كه به نوک بسیار كم وزن منتهي مي‬
‫شود‪ ،‬اندازه گیری مي شوند‪.‬‬

‫خمش اهرم توسط تکنیکهای مختلفي آشکار و اندازهگیری ميشود‪ .‬متداولترين‬

‫روشها استفاده از تداخل سنجي نوری است كه اجازه آشکارسازی جابجاييهای‬
‫انجام گرفته در ابعاد كوچکتر از ‪ 10-4‬آنگستروم را هم به ما ميدهد‪.‬‬
‫‪88‬‬
‫‪ AFM‬ميتواند انواع مختلفي از نیروهايي را كه سبب‬
‫واكنش بین نمونه‪-‬نوک ميشوند‪ ،‬اندازهگیری كند‪ .‬البته اين‬
‫اندازه گیری به فاصلۀ بین نمونه و نوک بستگي دارد ‪.‬‬

‫بنا بر اين در مواردی كه فاصلۀ بین نمونه و نوک كوچک است‪،‬‬

‫نیروهای بین اتمي غالب اند‪.‬‬

‫اين نیروها شامل نیروی دافعۀ بُرن كه در فواصل كمتر‬

‫از‪ 0.1nm‬و همچنین نیرو های واندروالس كه در فواصل ‪ 10‬تا‬
‫‪ 15‬نانو متر‪89‬وجود دارند‪ ،‬مي شوند‪.‬‬
‫كه ثابت ‪ C1‬بعنوان ضريب لندن )‪ (london‬شناخته ميشود و ‪ z‬فاصله بین‬
‫مولکولهاست‪ .‬در فاصلههای كوتاهتر‪ ،‬هنگامیکه تابع موج الکترون های نوک با تابع‬
‫موج الکترون هايي كه در سطح نمونه واقع شده اند‪ ،‬همپوشاني پیدا مي كنند‪،‬‬
‫نیروهای دافعۀ قوی به نام نیروهای بُرن به وجود مي آيند‪ .‬پتانسیل اين نیرو ها با‬
‫رابطۀ زير مدل مي شود‪:‬‬
‫‪ C2 / z‬‬
‫‪12‬‬
‫‪U‬‬ ‫‪Born‬‬

‫كه ‪ C2‬يک ثابت ديگر است‪ .‬بنابراين پتانسیل كل داخلي مولکول بصورت زير‬
‫ميباشد‪.‬‬

‫كه به عنوان پتانسیل لنارد‪-‬جونز شناخته شده است‪.‬‬

‫‪91‬‬
‫نیرويي كه با ‪ AFM‬آشکار مي شود‪ ،‬حاصل جمع همۀ‬
‫نیروهای پتانسیل جاذبه و دافعه كه در طول فرآيند اندر كنش‬
‫بین نوک‪-‬نمونه ايجاد ميشوند مي باشد‪.‬‬

‫نیروی جاذبۀ واندروالس كه بین دو شي ماكروسکپیک مانند‬

‫دو كره به شعاع ‪ R‬اعمال شده با رابطۀ زير داده مي شود‪:‬‬

‫و نیروی واندروالس بصورت زير درميآيد‪:‬‬

‫‪92‬‬
 ‫‪ A‬ثابت هاماكر و‪ ρ1‬و‪ρ2‬چگالي دو شيء)‪ (Body‬است‪.‬‬ ‫‪‬‬ ‫كه‪π2C1ρ1ρ 2‬‬

‫نیروی دافعه بین اجسام ماكروسکوپیک بصورت يک نیروی دندانه ای‬

‫مدل میشود كه همانند يک كره بر روی سطح تخت عمل ميكند‪ .‬اين‬
‫نیرو بعنوان نیروی هرتز شناخته ميشود و از طريق رابطۀ زير بیان مي‬
‫گردد‪.‬‬

‫كه ‪ R‬شعاع كره و ‪hind‬عمق دندانه ها است‪.‬‬

‫‪93‬‬
‫فاصله بین نوک و نمونه و بنابراين نیروهای غالب كه در‬
‫فاصلهای معین بین آنها اتفاق ميافتد‪ ،‬به طور كامل انواع‬
‫‪ AFM‬را تعیین مي نمايد‪ .‬سه حالت‬ ‫مختلف عملکرد‬
‫اصلي ‪ AFM‬شامل مودهای دينامیک‪ ،‬استاتیک و تپینگ‬
‫در شکل زير مشخص شدهاند‪.‬‬

‫‪94‬‬
‫‪‬در حالت دينامیک كه نیروی جاذبه فرضي يا حالت غیرتماسي فرضي نامیده ميشود‪ ،‬نوک اهرم‬
‫مستقیماً در تماس با سطح مورد آزمايش نیست‪ ،‬اما با فاصلۀ قابل مالحظه در باالی آن واقع شده است‪.‬‬
‫اهرم برای ارتعاش مکانیکي در يک فركانس باال ( ‪ ) f‬توسط يک محرک پیزوالکتريک كه روی آن قرار‬
‫گرفته‪ ،‬راه اندازی شده است‪.‬‬

‫‪‬دو نوع مدوالسیون برای كار با ‪ AFM‬در حالت غیرتماسي وجود دارد‪ :‬مدوالسیون فركانس ) ‪ (FM‬و‬
‫مدوالسیون دامنه ) ‪.(AM‬‬

‫‪‬در مدوالسیون ‪ FM‬فركانس تشديد اهرم( ‪ ( f0‬بدلیل نیروهای متقابل بین نوک و نمونه كمي جابجا‬
‫مي شود‪ .‬جابجايي ‪ fΔ‬مستقیما با گراديان نیروهای متقابل بین نوک ونمونه متناسب است‪ .‬اين جابجايي‬
‫فركانس ميتواند اندازهگیری شود و میتوان با استفاده از آن نیروهای واكنشي را با انتگرالگیری مشخص‬
‫كرد ‪.‬‬
‫‪95‬‬
‫اگر اهرم روی كل سطح نمونه را جاروب نمايد‪ ،‬ميتوان توزيع دو بعدی نیروهای‬
‫متقابل را به دست آورد‪.‬‬

‫گراديان نیروی بین نوک و نمونه مستقیما با دامنه اهرم و فاز‬ ‫در حالت ‪AM‬‬
‫سیگنال منحرف شده (كه به كمک يک تقويت كنندۀ مود قفل شده كنترل مي‬
‫شود) متناسب است‪ .‬در هر دو مورد يک فیدبک سیگنالي تولید ميشود تا فركانس‬
‫و يا دامنۀ اهرم نوساني را ثابت نگه دارد‪.‬‬

‫سیگنالهای فیدبک با استفاده از يک ‪ (x,y,z) piezo-translator‬باعث جابجايي‬

‫نوک اهرم بر روی سطح خواهند شد‪ ،‬و بنا بر اين آنچه به واقع اندازهگیری ميشود‪،‬‬
‫پاسخ اهرم(جابجايي فركانس يا فاز) در مختصات )‪ (x,y‬خواهد بود‪ .‬اين مود‬
‫الکتروستاتیک‪ ،‬نیروهای‬ ‫عملکرد برای زمانیکه ميخواهیم تصوير توزيع‬
‫مغناطیسي يا نقشه نگاری نمونه را بدون تماس ترسیم كنیم‪ ،‬مفید است‪.‬‬
‫‪96‬‬
‫در حالت استاتیک كه حالت دافعه يا تماس نامیده ميشود‪ ،‬اهرم با نمونه در تماس‬
‫است‪ .‬يک نیروی ضعیف دافعه روی اتمهای نوک كه در تماس با اتمهای سطح‬
‫هستند‪،‬عمل كرده‪ ،‬تولید يک انحراف )‪ Z(x,y‬برای حالت اهرم ميكند كه بوسیله‬
‫تکنیکهای مختلف آشکارسازی‪ ،‬كنترل و اندازهگیری ميشود‪ .‬اين تکنیکها در‬
‫ادامه توضیح داده خواهند شد‪.‬‬

‫در حالت عملکرد تماسي‪ ،‬يک سیستم فیدبک همیشه تضمین كنندۀ اعمال يک‬
‫نیروی ثابت بر روی سطح تماس است‪ ،‬به نحوی كه انحراف اهرم در يک سطح ثابت‬
‫(كه معموال كمتر از ‪ 0.1nm‬است) باقي مي ماند‪.‬‬
‫اندازه گیری انحراف اهرم به وسیلۀ سیستمهای نوری برای مشخص كردن نقشه‬
‫نگاری )‪ (topography‬سطح )‪ Z(x,y‬استفاده مي شود‪ .‬در اين حالت عملکرد‪،‬‬
‫تفکیک پذيری‪97‬شگفت آور افقي و عمودی در حد ‪ 0.1 nm‬به دست آمده است‪.‬‬
‫‪‬از آنجايیکه حساسیتهای جابجايي‪ ،‬در حد ‪ 0.01 nm‬هستند‪،‬‬
‫اندازه گیری نیروهای در گسترۀ ‪ 10nN-10pN‬میسر مي شود‪ .‬اين‬
‫نیروها در محدودۀ نیروهای پیوند يوني شیمیايي با اندازۀ ‪ 100nN‬و‬
‫پیوند هیدروژني كه در حد ‪ 10 pN‬هستند‪ ،‬قرار دارند‪.‬‬
‫‪‬مختصات سطح كه از طريق حالت تماس به دست مي آيد مبین‬
‫مقیاس اتمي‪ ،‬اتمهای انفرادی‪ ،‬يا خوشه ای كه از چند اتم تشکیل مي‬
‫شود‪ ،‬خواهد بود‪ .‬اين تفکیک پذيری اتمي تنها اگر حالتهای اهرم ‪V‬‬
‫شکل باشد‪( ،‬چنانچه در شکل زير مشخص شده است) كه برای كاهش‬
‫نیروهای افقي و آسیب رسیدن به سطح استفاده ميشود‪ ،‬میسر مي‬
‫‪98‬‬ ‫باشد‪.‬‬
‫اين اهرمها همچنین دارای ثابت فنر كوچک در حدود ‪ 0.04-1N/m‬هستند كه‬
‫از يک ثابت فنر اتمي معادل كمتر است‪ .‬در ادامه اين مقادير ثابت را مشاهده‬
‫خواهید كرد‪ .‬در صورتي كه اتمها به مولکولهايشان يا به كريستالهای جامدی‬
‫كه در آن وجود دارند‪ ،‬مقید باشند‪ ،‬ثابت فنر اتمي معادل ميتواند با رابطۀ‬
‫‪ 10‬بوده و در‬ ‫‪-25k‬‬ ‫‪ ω2m≈ 10N/m‬تخمین زده شود‪ ،‬كه دارای جرم‬
‫فركانس ‪ 10 THz‬ارتعاش مي كنند‪.‬‬

‫‪‬اهرمهايي كه در حالت تماس ‪ AFM‬استفاده شده اند‪ ،‬به نوک هرمي‬

‫تیزی در حدود چند ‪ nm‬منتهي مي شوند‪ .‬اين اهرمها عموما بوسیله زدايش‬
‫‪SI3N4‬بوجود ميآيند‪.‬‬

‫‪99‬‬
‫هر چند حالت تماس ‪ AFM‬كارايي بااليي دارد‪ ،‬چند ايراد نیز بر آن مرتب‬
‫است‪ :‬بربعضي از سطوح ميتوانند به دلیل تماس مستقیم با نوک آسیب بزنند‪.‬‬
‫يک مثال برای اين موضوع سطوح زيستي هستند‪ .‬همچنین افزايش نیروی‬
‫افقي و نرمال بدلیل عمل موئینگي )‪ (capillarity‬كه ناشي از جذب آب در‬
‫نزديک اليه های سطحي در دمای محیط قرار دارند‪ ،‬را مي توان نام برد ‪ .‬اين‬
‫عیوب درمود سوم عملکرد ‪ AFM‬بر طرف شده اند‪.‬‬

‫اهرم‬ ‫حالت تپینگ عملکرد )‪ (tapping mode‬با اين واقعیت كه‬

‫بصورت متناوب با نمونه تماس پیدا مي كند‪ ،‬مشخص مي شود‪ .‬اهرم دوباره‬
‫بوسیله راه انداز)‪ (piezoelevtric crystal‬به حالت نوسان برده مي شود‪ .‬اين‬
‫اتفاق در فركانس مکانیکي رخ مي دهد‪ ،‬و تغییر در دامنه و فاز به سبب اثرات‬
‫متقابل متناوب نوک‪-‬سطح نشان داده ميشود‪.‬‬
‫‪100‬‬
‫این حالت در مقایسه با حالت استاتیک عملکرد در این حالت اهرم سخت تر است(ثابت فند‬
‫در گسترۀ ‪ 20-70 N/m‬بوده و در دامنه های باالتر )‪ (50-120 nm‬نوسان می کند‪.‬‬
‫یکی از پارامترهای فرکانس اهرم مرتعش‪ ،‬فاز یا دامنه میتواند بوسیله یک سیستم فیدبک‬
‫تنظیم که شامل سیستم ‪ AFM‬است‪ ،‬اندازهگیری شود‪ .‬دامنه تپینگ اهرم در طول جاروب‬
‫سطح نیزمانند حالت استاتیک در حالت تپینگ ثبت و ضبط شده است‪.‬‬

‫فیدبک یک انحناء ثابت را برای یک سری از نقاط مطلوب روی سطح بوسیله تنظیم‬
‫فاصله بین اهرم و سطح حفظ میکند‪ .‬سیگنال فیدبک حرکتهای عمودی اهرم در طول‬
‫را ثبت میکند و بنابراین یک تصویر نقشه‬ ‫جاروب در صفحۀ )‪(x,y‬‬
‫برداری )‪ (topography‬سطح برای ما فراهم میآورد‪.‬‬

‫‪101‬‬
‫‪‬بلوك دياگرام ‪ AFM‬براي هر سه حالت عملياتي در شكل زير داده شده است‪.‬‬

‫‪102‬‬
‫جزء كلیدی ‪ AFM‬همان سنسورها (حسگرها) هستند كه قادرند كوچکترين‬
‫انحراف مکانیکي اهرم كه مي توانند كوچکتر از ‪ 0.1nm‬باشند را در حالت‬
‫استاتیک حس كنند‪ .‬در اينجا دو نوع اصلي برای سیستمهای تشخیص را معرفي‬
‫مي كنیم‪ :‬الکترونیکي و نوری‪ .‬بیشتر سیستمهای آشکارساز بر مبنای نور كار‬
‫ميكنند‪.‬‬

‫تداخل سنجي نوری مثل‪ :‬هومودين(‪ ،)Homodyne‬هترودين (‪)Heterodyne‬‬

‫تکنیکهای تداخل سنجي بسیار حساس هستند‪.‬‬

‫‪103‬‬
‫در شکل زیر شماتیک اهرم نوری نشان داده شده است ‪ .‬اهرم نوری بیشترین‬
‫استفاده را در روشهای آشکارسازی دارد‪.‬‬

‫‪104‬‬
‫آشکارساز اهرم نوری‪ ،‬نور منعکس شده توسط ارتعاشات با استفاده از آرايۀ‬
‫آشکارساز نوری شامل دو يا چهار آشکارساز نوری‪ ،‬را اندازه گیری مي كند‪ .‬اختالف‬
‫سیگنال بین آشکارسازهای نوری مختلف‪ ،‬تقويت شده‪ ،‬و به سیستم فیدبک انتقال‬
‫داده مي شود‪.‬‬

‫‪‬بعنوان نمونه برای دو آشکار ساز نوری اختالف بین جريان آن دو توسط رابطه زير‬
‫محاسبه ميشود‪:‬‬

‫‪ΔΔI=I2-I1 α LΔx × N0 α dΔz×N0‬‬

‫كه در آن‪ N0‬تعداد فوتونهای در پرتو لیزر و ‪ L‬طول اهرم است‪.‬‬

‫‪105‬‬
‫چهار جزء آشکارساز نوری برای نشان دادن نیروی عمودی با هدف جلوگیری از‬
‫پیچخوردن اهرم يا به منظور تعیین اصطکاک و اثر چسبندگي استفاده ميشود‪ .‬در‬
‫اين حالت كامپیوتری كه به ‪ AFM‬متسل است سیگنالهای زير را محاسبه مي كند‪:‬‬

‫])‪Δ normal force α [(I1+I2)-(I3+I4‬‬

‫)])‪Δ lateral force α [(I4+I2)-(I3+I1‬‬

‫مقدار بهینه حساسیت برابراست با‪ (mW/rad) λ(2×w×Ilaser)/‬كه ‪w‬عرض اهرم‬

‫‪ Ilaser‬چگالي لیزر و‪ λ‬طول موج است‪.‬‬

‫يک اهرم ديجیتال داخلي(‪ )Interdigital‬يک راهحل آشکارسازی متناسب را‬

‫نمايش ميدهند كه حساسیت باالی آشکارساز تداخل سنج نوری را به دست‬
‫آورده و سادگي طرح نوری را حفظ ميكنند‪.‬‬
‫‪106‬‬
‫تداخلهای نوری بین برآمدگیهای متناوبی اتفاق می افتد که یا منحرف شده اند یا در جای خود‬
‫ثابت میباشند‪ ،‬بنابراین انحراف میتواند توسط ابزار اندازه گیری شدت لیزر اندازه گیری شود‪ .‬در‬
‫روش تشخیص به کمک اهرم نوری نیازمند فقط یک منبع لیزر و یک حسگر نور هستیم‪.‬‬

‫نهایت تفکیک پذیری برای ‪ AFM‬با توجه به هندسه نوک و مشخصههای آن به دست میآید‪.‬‬
‫ساخته‬ ‫‪ ،‬یا بوسیله‬ ‫معموال نوک ‪ AFM‬بوسیله‬
‫میشود‪ ،‬در نتیجه نوکهای هرمی ظاهر نسبی بلندی دارند‪.‬‬

‫آخرین راه برای داشتن ‪ AFM‬خوب ‪ ،‬تیز و شارپ ‪CNT‬هایی با قطری در حد چند نانومتر که روی‬
‫یک اهرم سیلیکون رشد داده شده اند‪ ،‬یا حتی روی نوک هرمی آنها چسبیده اند‪ ،‬می باشد‪.‬‬

‫‪107‬‬
‫تفکیک پذیری ‪ AFM‬همچنین به حالت عملیات نیز بستگی دارد‪ .‬در حالت‬
‫تماس دو ستون بار در فاصله کمینۀ به صورت جدا از هم وجود دارند‬
‫(‪ .(2DΔz‬که ‪ D‬قطر نوک و ‪zΔ‬کمترین تورفتگی قابل تشخیص در ‪AFM‬‬
‫است‪ ،‬که معموال در حد نانومتر ساخته می شوند‪ .‬بنابراین تفکیکپذیری‬
‫حول و حوش ‪ 2-5nm‬است‪.‬‬

‫در حالت غیرتماس تفکیکپذیری ‪ 0.8h‬میباشد که ‪ h‬ارتفاع نوک باالی‬

‫سطح است‪ .‬اگر نوک در خال باال قرار داشته باشد‪ ،‬می توان به تفکیک پذیری‬
‫اتمی دست یافت‪.‬‬

‫‪108‬‬
‫‪‬هنگامي كه نوک در يک دما محدود شده باشد‪ ،‬تفکیکپذيری كاهش مي يابد‪،‬‬
‫زيرا نوک بايد به خوبي باالی سطح قرار بگیرد تا از جذب شدن توسط اليۀ‬
‫سطحي آب كه در هر مادهای وجود دارد جلوگیری شود‪.‬‬

‫سیلیکون‪ ،‬نیتريد سیلیکون و‪ CNT‬تنها موادی نیستند كه برای اهرم ها و نوک‬

‫‪ AFM‬به كار مي روند‪ .‬و اهرم های فیبر نوری تک مود توسط تکنیک‬ ‫های‬
‫های زدايش برای عملیات ‪ AFM‬ساخته مي شوند‪.‬‬

‫‪AlGaAs/GaAs‬اهرم های خود حسگر‪ ،‬نیز تولید شدهاند كه دارای يک ‪FET‬‬

‫مجتمع درون اهرم به منظور حس كردن كشش ناشي از اثر پیزوالکتريک هستند‪.‬‬
‫دست پیدا ميكنیم كه در حدود ‪0.002‬‬ ‫در اين روش‬
‫‪A0/(Hz)1/2‬در ‪ 4.2K‬است‪.‬‬

‫‪109‬‬
‫‪ 100nm‬با استفاده از رشددادن ‪GaAs‬‬ ‫‪‬اهرم های زیر میکروی ‪ GaAs‬با ضخامت‬
‫روی یک الیۀ ‪ AlAs‬که بعنوان یک الیۀ توقف زدایش عمل می کند‪.‬‬

‫این اهرم با طول ‪ 100mµ‬ظاهر نسبی عظیم و بنابراین یک ثابت فنر مکانیکی خیلی‬
‫کوچک در حد ‪ 10-4N/m‬دارد‪ ،‬که اجازۀ آشکارسازی نیروهای به کوچکی ‪ 100 fN‬را‬
‫می دهد‪ .‬اهرم های فلزی میکروماشینی با نوک سیلیکونی نیز برای ‪ AFM‬بسیار حساس‬
‫استفاده میشود‪.‬‬

‫‪110‬‬
‫از آنجا که نقشه نگاری ‪ AFM‬از سطح به دلیل جاروب مکانیکی نوک روی سطح‬
‫کار زمانبری است‪ ،‬در ‪ AFM‬میلیون ها اهرم که بصورت موازی عمل میکنند و‬
‫بخشهای مختلف سطح را جاروب می کنند‪ ،‬قرار داده شده است‪ ،‬که کاربردهای‬
‫چشمگیری دارد‪ ،‬زیرا زمان مورد نیاز برای دست یافتن به تصاویر ‪ AFM‬را بسیار‬
‫کاهش می دهد‪.‬‬

‫‪‬‬

‫چنان نانواهرم هایی با طول چند میکرون و ضخامتی در حد ‪ 100nm‬توسط تکنینک‬

‫های میکرو مکانیکی ساخته شده اند‪ ،‬و به فرکانس رزونانسی در حد ‪100 MHz‬‬
‫دست یافته اند‪.‬‬

‫‪111‬‬
‫هرچند که حالت استاتیک ‪ AFM‬در بعضی موارد تفکیکپذیری اتمی به‬
‫دست می دهد‪ ،‬محدودیتهای شدیدی دارد‪.‬‬

‫برخی از آن ها در باال ذکر شده اند‪ .‬بقیه موارد مرتبط با نویز قدرتمند ‪1/f‬‬
‫هستند‪ ،‬که تنها با کار در دمای کم‪ ،‬و در حضور گسترۀ وسیعی از نیروهای‬
‫جاذبه‪ ،‬که تنها با تحمل محدودیتهای حرکت اهرم از بین می روند‪ ،‬مانند‬
‫غوطهوری در یک مایع یا اعمال یک نیروی الکترومغناطیسی اضافی‪ ،‬کاهش‬
‫می یابد‪.‬‬

‫‪ .‬بنابراین بیشترین حالت عملیاتی ‪ AFM‬حالت غیرتماسی است‪.‬‬

‫‪112‬‬
‫‪‬چند خصوصیت بی نظیر این حالت با توجه به حاالت دیگر ‪ AFM‬به شرح‬
‫زیر است‪:‬‬

‫‪ -1‬غیر مخرب است‪.‬‬

‫‪ -2‬دارای تفکیکپذیری اتمی است‪.‬‬
‫‪ -3‬قادر به اندازهگیری نیروهای اتمی مثل نیروی واندروالس است‪.‬‬
‫‪ -4‬میتواند میدان های الکتریکی‪ ،‬مغناطیسی‪ ،‬الکترومغناطیسی و‬
‫االستیکی را اندازه بگیرد‪.‬‬

‫‪113‬‬
‫‪ AFM‬در حالت غیرتماسی میتواند در حالت های مدوالسیون فرکانسی‬
‫)‪ ،(FM‬یا مدوالسیون دامنه )‪ ،(AM‬انجام گیرد‪.‬‬

‫در حالت ‪ FM‬همانند یک افزارۀ بهرۀ اتوماتیکسیگنالهایی که از انحراف اهرم‬

‫ناشی میشوند به اندازۀ فاز ‪ ΔΦ‬شیفت یافته اند‪ ،‬به عنوان یک سیگنال‬
‫اجرایی برای محرک پیزوالکتریک اهرم استفاده شده است‪.‬‬

‫حرکت مکانیکی اهرم با فرکانس مدوله شده است‪ ،‬سیستم حلقۀ اولیه‬
‫‪ AFM‬در فرکانس ‪ f‬نوسان می کند‪ ،‬که هنگامی که ‪ ΔΦ=Π/2‬فرکانس‬
‫طبیعی نوسان ‪ f0a‬می شود‪.‬‬
‫در این حالت سیستم ‪ AFM‬دامنه ثابت ‪A‬ی اهرم را با استفاده از بهرۀ‬
‫اتوماتیک حفظ می کند‪ ،‬که به صورت همزمان تغییرات فرکانسی ‪ Δf‬و‪/‬یا‬
‫میانگین اتالف نوک‪-‬نمونه را ثبت می کند‪.‬‬

‫‪114‬‬
 ‫‪Δf=f0(-∂Ft-s/∂z(/2K‬‬

‫روش ‪ FM‬در تعداد زیادی از مواد شامل نیمههادیها‪ ،‬عایقها‪ ،‬فیلم های نازک‪،‬‬
‫فیلم های آلی‪ ،‬یا حتی مولکولهای انفرادی بکار برده شده است‪ .‬در تمام این‬
‫موارد تصویر برداری با تفکیکپذیری اتمی سطح به دست آمده است‪.‬‬

‫در حالت ‪ ،AM‬اهرم در فرکانس تشدید طبیعی اش یا در یک فرکانس‬

‫مشخص ‪ ،f‬که نزدیک به ‪ f0‬است‪ ،‬در حالی که یک حلقۀ فیدبک دامنۀ‬
‫تحریک را در یک مقدار ثابت نگه می دارد‪ ،‬تحریک می شود‪.‬‬

‫‪115‬‬
‫سیگنال آشکار شده بدلیل انحراف اهرم‪ ،‬یک تقویت کنندۀ قفل شونده را که سیگنال‬
‫محرک پیزوالکتریک اهرم را به عنوان مرجع استفاده می کند‪ ،‬تحریک می کند‪.‬‬

‫سیگنال دامنۀ خروجی تقویتکننده قفل شونده سیگنال فیدبک برای کنترل فاصلۀ نوک‪-‬‬
‫نمونه است‪ ،‬در حالی که فاز خروجی تقویت کنندۀ قفل شونده پارامتر ثبت شده است‪.‬‬
‫گرادیان نیروی نوک‪-‬نمونه در این موارد بوسیله رابطۀ زیرمحاسبه می شود‪:‬‬

‫)‪∂Ft-s/∂z=K(1-A0/Acosφ‬‬

‫‪ A0‬دامنه نوسان آزاد و ‪ A‬دامنۀ اهرم در فرکانس ‪ f‬است‪.‬‬

‫‪116‬‬
 ‫در حالت غیرتماس‪ ،‬حرکت مکانیکی اهرم با یک نوسانگر هارمونیکی میرا مدل شده است و‬
‫توسط معادلۀ دیفرانسیلی زیر شرح داده میشود‪:‬‬
‫‪Fappl=mBd2z/dτ2+γdz/dτ+Kz‬‬

‫که‪ mB‬جرم اهرم و‪ γ‬ضریب میرایی است‪ .‬اگر نیروی اعمال شده که اهرم را توسط یک جزء‬
‫پیزوالکتریک تحریک می کند‪ ،‬یک وابستگی زمانی هارمونیکی به صورت‬
‫)‪ Fapp=Fexp(iωτ‬باشد‪ ،‬جانشین سازی باید وابستگی موقتی بصورت )‪Z=Aexp(iωτ‬‬
‫داشته باشد‪ ،‬بنابراین پاسخ فرکانسی اهرم توسط رابطۀ زیر شرح داده می شود‪:‬‬

‫)‪A(ω)= F/(ω4+ω2(γ2/m2BA(ω)-2K/mB)+K2/ m2B‬‬ ‫‪1/2‬‬

‫‪117‬‬
‫سپس با استفاده از‪ Fappl=mBd2z/dτ2+γdz/dτ+Kz‬و قراردادن‬
‫‪γ =/Q ωmB‬قدرمطلق و آرگومان دامنه بصورت زیر می باشند‪:‬‬

‫‪A(ω( = ω20/[ ω2 ω2+Q(ω20- ω2)] 1/2‬‬

‫])‪φ(ω(=arctan[ω ω0/Q(ω20- ω2‬‬

‫•اولین فرکانس تشدید طبیعی ‪:‬‬

‫‪ω0=2πf0=(1/2π( (K/ mB)1/2‬‬

‫‪118‬‬
 ‫و كمینۀ پاسخ اهرم در فركانس زير اتفاق ميافتد ‪:‬‬

‫‪ωmin=( ω20-γ2/2m2B) 1/2‬‬

‫اين رابطه نشان ميدهد كه در حالت میرا پاسخ فركانسي اهرم از‬
‫فركانس طبیعي شیفت يافته است‪ ،‬اين شیفت در حالت نامیرا صفر‬
‫ميشود‪ .‬با كاهش ابعاد اهرم تا حد میکرون در مقايسه با اهرم های‬
‫بزرگتر فركانس های تشديد باالتری حاصل مي شوند(در هوا ‪KHz‬‬
‫‪ ،) < 500‬بدون اصالح قابل توجه ثابت فنر (‪.)> 100 mN/m‬‬

‫‪119‬‬
‫رابطۀ حرکت یک نوسانگر هارمونیکی نیز می تواند به فرمی متفاوت با‬
‫رابطۀ ‪ mBd2z/dτ2+γdz/dτ+Kz=Fappl‬باشد‪.‬‬

‫‪d2z/dτ2+Гdz/dτ+ ω20z=0‬‬
‫که‪ mB‬جرم اهرم و‪ γ‬ضریب میرایی است‪ .‬اگر نیروی اعمال شده که اهرم‬
‫را توسط یک جزء پیزوالکتریک تحریک می کند‪ ،‬یک وابستگی زمانی‬
‫هارمونیکی به صورت )‪ Fapp=Fexp(iωτ‬باشد‪ ،‬جانشین سازی‬
‫باید وابستگی موقتی بصورت )‪ Z=Aexp(iωτ‬داشته باشد‪ ،‬بنابراین‬
‫پاسخ فرکانسی اهرم توسط رابطۀ زیر شرح داده می شود‪:‬‬
‫)‪A(ω)=F/(ω4+ω2(γ2/m2B-2K/mB)+K2/ m2B‬‬ ‫½‬

‫‪120‬‬
 ‫که در آن‪:‬‬
‫‪Г=2(∂F/∂z)1/2‬‬
‫فرکانس تشدید هنگامی که هیچ نیروی خارجی اعمال نشده است از مقدار ‪ ω0‬شیفت‬
‫می یابد ‪:‬‬
‫‪ω1‬‬ ‫]‪[(K-∂F/∂z)/mB‬‬ ‫½‬
‫=‬

‫برای )‪(τ>0‬‬ ‫در حالت اعمال یک نیرو‪ ،‬حل رابطۀ ‪d2z/dτ2+Гdz/dτ+ ω20z=0‬‬
‫به صورت زیر خواهد شد ‪:‬‬

‫)‪z(τ(=Ysexp(-τГ/2(sin(ω1t)+Ycexp(-τГ/2)cos(ω1t‬‬

‫‪121‬‬
 ‫به عنوان نمونه‪ ،‬در حالت اعمال یک نیروی خارجی تولید شده توسط‬
‫بایاس اهرم با ولتاژ ‪ ، V‬داریم‪ ، Г=2(C3t-s/mBεA)1/2 :‬که‬
‫‪ Ct-s‬خازن بین نوک و نمونه است‪.‬‬

‫رابطه ‪ d2z/dτ2+Гdz/dτ+ ω20z=0‬همچنین می تواند بصورت یک مجکوعه‬

‫از دو معادلۀ دیفرانسیلی مرتبۀ یک در فضای فازی )‪ (z,dz/dτ‬بیان شود ‪:‬‬

‫‪dz/dτ=p‬‬

‫‪dp/dτ =-Гp-ω0z‬‬

‫‪122‬‬
‫كه از آن میتوان پاسخ اهرم در فصل مشترک زمان‪ -‬فرکانس را به دست‬
‫آورد‪ .‬که یک پله رو به جلو در آنالیز دینامیک های اهرم با در نظرگرفتن‬
‫روش های موقتی یا حوزۀ فرکانس است‪.‬حل دستگاه قبل برای دامنه‬
‫اهرم و مشتق زمانی بوسیله ماتریس زیر انجام می پذیرد‪:‬‬

‫‪123‬‬
‫تا زمانی که هیچ نیروی خارجی وارد نشده باشد پاسخ فرکانسی از مقدار‪ ω0‬شیف یافته است‬
‫لذا خواهیم داشت‪.‬‬

‫]‪ω1=[(K-∂F/∂z)/mB‬‬ ‫‪1/2‬‬

‫در مورد نیروی بکار برده شده حل معادله ‪ d2z/dτ2+Гdz/dτ+ ω20z=0‬برای)‪ (τ>0‬به‬
‫جواب زیر منتهی خواهد شد‪.‬‬

‫)‪z(τ)=Ysexp(-τГ/2)sin(ω1t)+Ycexp(-τГ/2)cos(ω1t‬‬
‫که برای مثال برای نیروی الکترواستاتیکی خارجی بوسیله بایاس خارجی پایه تا ولتاژ‬
‫تا جایی که‪ Ct-s‬ظرفیت خازنی بین‬ ‫‪V‬خواهیم داشت‪Г=2(C3t-s/mBεA)1/2‬‬
‫نوک و نمونه است‪.‬‬
‫‪124‬‬
‫معادله ‪ d2z/dτ2+Гdz/dτ+ ω20z=0‬نیز می تواند بصورت یک مجکوعه از دو معادلۀ‬
‫دیفرانسیلی مرتبۀ یک در فضای فازی )‪ (z,dz/dτ‬بیان شود ‪:‬‬

‫‪dz/dτ=p‬‬
‫‪dp/dτ=-Гp-ω0z‬‬

‫که از آن میتوان پاسخ اهرم در فصل مشترک زمان‪ -‬فرکانس را به دست آورد‪ .‬که یک پله‬
‫رو به جلو در آنالیز دینامیک های اهرم با در نظرگرفتن روش های موقتی یا حوزۀ فرکانس‬
‫است‪ .‬حل دستگاه باال برای دامنه اهرم و مشتق زمانی بوسیله ماتریس زیر انجام می پذیرد‪:‬‬
‫‪:‬‬

‫که مقادیر)‪ z(0‬و‪dτ dz(0)/‬دامنههای پایه و مشتق گرفته شده آن هستند که به‬
‫ازای‪ τ‬بدست میآید‪ .‬معادله ماتریس باال بوسیله معادالت زیر معلوم میشود‪:‬‬

‫‪125‬‬
 ‫]‪A=exp(-τГ/2)[cos(ω1t)+Гsin(ω1t)/2ω1‬‬
‫‪B= exp(-τГ/2 sin(ω1t)/ ω1‬‬
‫)‪C= sin(ω1t) exp(-τГ/2)( ω1+Г2/4 ω1‬‬
‫] )‪D= [cos(ω1t)-Гsin(ω1t)/2ω exp(-τГ/2‬‬
‫ماتریس قبل برای دترمینان)‪ exp(-Гt‬هنگامی که ‪T0‬به مقدار ‪ 1‬میرسد‪ .‬به دلیل‬
‫وجود دترمینان‪ L‬هم فضاهای آزاد این بخش و هم لنزهای زودگذر وجود دارند و برای ما‬
‫این امکان رافراهم می آوردکه پاسخهای فوری آنالوگ از ‪ AFM‬را بیابیم که از حرکت پایه‬
‫تقلید میکنند‪ .‬در انتها هم باید یک ماتریس جدید به منظور تشریح حرکت پایه بوسیله‬
‫تجزیه معادالت ماتریس که فضای آزاد را مشخص کرده داشته باشیم که دارای دترمینان‬
‫واحد باشد لذا رابطه قبل را بصورت زیر بازنویسی میکنیم‪:‬‬

‫‪126‬‬
‫ماتریس جدید بصورت زیر درمیآید‪:‬‬

‫و خواهیم داشت‪:‬‬

‫‪127‬‬
‫اولین و آخرین ماتریس در سمت راست رابطه قبل ماتریسهایی هستند که‬
‫مشخصه با طول کانونی‪ fT=-2ω/T‬و ‪ fT=+2ω/T‬دارند‪ .‬این قابل‬
‫توجه و جالب است که نیروهای خارجی فعال روی اهرم دارای مشخصه در‬
‫حوزه فرکانس و زمان هستند‪ .‬همانند دیورژانس و بقیه چیزها‪ .‬ماتریس دوم‬
‫سمت راست (‪ )2-87‬کاراکتر تبدیل فوریههای به ازای‪ α=ωτ‬است که‬
‫خروجی غیردمپ شده از تحریک اهرم را تشریح میکند‪.‬‬

‫تابع تبدیل وینگنر بصورت زیر تعریف میشود‪:‬‬

‫‪128‬‬
 ‫و برای حل دامنه ارتعاش اهرم خواهیم داشت ‪:‬‬

‫‪0‬‬ ‫<‪τ0‬‬
‫=)‪z(τ‬‬
‫)‪exp(-τГ/2)sin(ω1τ+θ‬‬ ‫‪τ ≥0‬‬

‫شكل ديگر آن بصورت زير است‪:‬‬

‫‪τ0‬‬ ‫<‪0‬‬

‫=‬

‫‪129‬‬
‫‪T=τω0‬‬ ‫شکل های زیرتبدیل وینگر و نمای کرانی آن‪ ،‬به ترتیب در مختصات نرمالیزه‬
‫و ‪ W=ω/ω0‬هستند‪ ،‬وبا دو مقدار ‪ ,V=0.5v ,V=0.1v‬بایاس شدهاند‬

‫‪130‬‬
‫اين شبیه سازی ها براي اين مقاديری از پارامترهای اهرم به صورت ‪:‬‬
‫‪mB=1.16 *10-12, ω0=1.16*10‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪،k=0.05N/m ،A=0. 016µm2‬‬
‫‪ 12kg‬و ‪ Ct-s=1.41*10-7‬انجام شده است‪.‬‬

‫همانطور كه در شکل های قبل مشاهده ميشود‪ ،‬شکل تبديل وينگنر كامال در اين دو‬
‫مورد متفاوت است‪ .‬براي يک باياس کم ‪( V‬و ‪Г‬پايین( طبیعت نوساني )‪ y(τ‬از روي‬
‫منحني های بسته در فضای فازی (‪T‬و‪ (ω‬مشخص می شود‪ .‬هنگامی که باياس‬
‫افزايش مييابد نوسان ها سريع میرا مي شوند‪ ،‬و منجر به يک پاسخ فركانسی خوب‬
‫براي اهرم می شود‪.‬‬

‫‪131‬‬
‫‪ AFM‬غیرتماسی تنها مودی که در آن ‪AFM‬در هنگام اندازه گیری نمونه سطحی از‬
‫طریق توزیع )‪ ،z(x,y‬به تفکیکپذیری اتمی می رسد نیست‪ ،‬ولی تنها مودی است که در‬
‫آن گستره وسیعی از نیروهای الکتریکی و مغناطیسی که روی سطح نمونه توزیع شده اند‬
‫را می توان اندازهگیری کرد‪.‬‬

‫در مورد آخر اصطالحاتی که استفاده شده اند‪ ،‬به ترتیب میکروسکوپ نیروی الکترواستاتیکی‬
‫و میکروسکوپ نیروی مغناطیسی است‪.‬‬

‫درمیکروسکوپ نیروی الکترواستاتیکی‪ ،‬اهرم با هردوی ولتاژهای ‪ ac‬و‪ dc‬بایاس میشود‪.‬‬

‫هدف این روش آن است که میزان توزیع ولتاژهای فرکانس باال و پایین را معین کند‪ ،‬و حتی‬
‫اینکه میزان توزیع نمونههای معین‪ ،‬مانند افزاره های نیمههادی را تعیین کند‪ .‬به دلیل اینکه‬
‫اهرم با ‪ v=vdc+vacsinωt‬بایاس میشود‪ ،‬یک نیروی الکتروستاتیکی بین نوک و‬
‫نمونه بکار برده میشود‪ ،‬و میتوان واکنش نوک‪-‬نمونه ( شکل بعد) را مانند یک خازن‪Ct-s‬‬
‫با یک ناحیه موثر‪ A‬مدل کرد‬

‫‪132‬‬
 ‫اصول میکروسکوپ نیروی الکتروستاتیکی‪:‬‬

‫سپس نیروی الکترواستاتیکی بین نوک و نمونه میتواند بصورت زیر نوشته شود‪:‬‬

‫)‪F=(1/2)(dCt-s/dz‬‬

‫‪133‬‬
‫که ولتاژ کل ‪ Vtot‬جمع بین ‪ v=vdc+vacsinωt‬و ولتاژی که به عنوان‪Vs‬‬
‫اندازهگیری شده‪ ،‬می باشد‪.‬‬

‫یک محاسبه ساده نشان میدهد که نیروی الکتروستاتیکی دارای سه جزء است‪ :‬یک بخش‬
‫‪ dc‬و یک جزئ با فرکانس‪ ω‬و یک جزء با فرکانس ‪ .2ω‬جزء ‪ dc‬که د ائما اهرم را‬
‫خمیده میکند‪ ،‬را نمیتوان به آسانی آشکار کرد‪ .‬جرء نیروی الکتروستاتیکی با فرکانس‪ω‬‬
‫عبارتند از‪:‬‬

‫)‪Fω=(1/2)( dCt-s/dz) vacsinωt (vdc+va‬‬

‫با توزیع ولتاژ روی نمونه متناسب است‪ ،‬و بنابراین این توزیع ولتاژ را میتوان به آسانی با‬
‫وضوح خوبی روی تمام نمونههای (‪ )x,y‬معین کرد‪ .‬وقتی بارهای گسسته جایگزین ولتاژ‬
‫میشوند‪ ،‬توزیع آن ها روی نمونه ‪qs‬و عالمت را می توان با استفاده از نوع اصالح شده‬
‫رابطه (‪ )2-92‬تعیین کرد‪:‬‬
‫‪Fω=(1/2)( dCt-s/dz)[Vdc-qs/(4πεz2)]Vacsinωt‬‬

‫‪134‬‬
 ‫اجزای دارای فرکانس ‪2ω‬ی نیروی الکتروستاتیکی با رابطه زیر محاسبه میشوند‪:‬‬

‫)‪F2ω=-(1/4)( dCt-s/dz) V2accos(2ωt‬‬

‫باشند‪،‬‬ ‫مختلفی‬ ‫فرکانس‬ ‫دارای‬ ‫نمونه‬ ‫و‬ ‫نوک‬ ‫برای‬ ‫‪ac‬‬ ‫سیگنال‬ ‫اگر‬
‫یعنی ‪vac=vpcosωpt-vscosωt‬که ‪ vp,ωp‬دامنه و فرکانس سیگنال ‪ac‬‬
‫هستند که اهرم را پمپ میکند‪ ،‬و ‪ vs‬و ‪ sω‬دامنه و فرکانس سیگنالی است که نمونه را‬
‫تحریک می کند‪ ،‬و اگر ‪ ،[ωp-ωs]<=∆ω=ω0‬منجر می شود به ‪ .F2ωFω‬که در‬
‫این صورت نیروی الکتروستاتیکی بصورت زیر محاسبه میشود‪:‬‬

‫)‪FΔω≈(1/2)( dCt-s/dz) Vs Vpcos(Δωt‬‬

‫‪135‬‬
 ‫رابطه قبل فقط پاسخ های اهرم به تغییرات اجزای سیگنال پمپ اهرم و سیگنال نمونه را‬
‫بیان می کند‪ ،‬هرچند هر دوی اینها میتوانند نسبت به فرکانس تشدید اهرم بزرگتر باشند‪.‬‬
‫در این مورد ‪ AFM‬مانند ضربکننده فرکانس باال که در فرکانس ‪ ωΔ‬کار میکند می باشد‪،‬‬
‫و توزیع پتانسیل )‪ VS(x,y‬را میتوان از رابطه قبل همانطور تعیین کرد‪.‬‬

‫در حوزه زمانی یاحوزه فرکانس سیگنالها میتوانند با ‪ AFM‬در فاصله زمانی ایی که از رنج‬
‫معمولی افزارهها فراتر میرود‪ ،‬اندازهگیری شود‪ .‬در اصل محدودیت باال برای فرکانسهایی‬
‫که با ‪ AFM‬اندازهگیری شده اند‪ ،‬وجود ندارد‪ .‬برای مثال‪ ،‬دامنه و فاز سیگنالهای گذرا ‪1ps‬‬
‫می باشد‪ ،‬یا سیگنالهای مایکرویو در مدارهای مجتمع که از این روش استفاده میکنند‪،‬‬
‫از ‪100Ghz‬تجاوز میکند‪ ،‬به طور خاص برای افزاره های در نانومقیاس‪ .‬این موضوع‬
‫گستره موثر کاربردهای تکنیکهای ‪ AFM‬را نشان میدهد‪.‬‬
‫‪136‬‬
‫یک سیستم ‪ AFM‬برای مشخصههای مدارات فرکانس باال بصورت شماتیکی در شکل زیر‬
‫نشان داده شده است‪ .‬کمترین ولتاژ قابل تشخیص در گستره ‪ 2-20mv‬است که اصوال به‬
‫فاکتور ‪ Q‬اهرم و تیزی نوک بستگی دارد‪.‬‬

‫سیستم ‪ AFM‬برای اندازه گیری های فرکانس باال‬

‫‪137‬‬
‫میدانهای مغناطیسی که روی سطح یک ماده مغناطیسی وجود دارند‪ ،‬دینامیک های حوزه‬
‫مغناطیسی و ساختار آنها را میتوان با استفاده ازمیکروسکوپ نیروی مغناطیسی)‪(MFM‬‬
‫معین و تجسم کرد‪ .‬در حقیقت تکنیک ‪ AFM‬غیر تماسی است که در آن نوک نیز از یک‬
‫ماده فرومغناطیس یا روکش شده توسط یک فیلم مغناطیسی نازک ساخته میشود‪.‬‬

‫در روش ‪ MFM‬نوک مغناطیسی در فاصله ‪ nm 10-20‬روی نمونه جاروب میشود‪،‬‬

‫تغییرات نیرو تشخیص داده شده و ثبت می شود‪ .‬از این اندازهگیریها میتوان اطالعاتی‬
‫پیرامون میدانهای مغناطیسی یا ساختار دیواره های مغناطیسی کسب کرد‪ .‬سیستم‬
‫‪ MFM‬در شکل زیر نمایش داده شده است‪.‬‬

‫بیان شماتیکی روش ‪MFM‬‬

‫‪138‬‬
‫فرض می شودکه نوک با سطح ‪ A‬و طول ‪ Lt‬مغناطیس شده و بصورت عمودی بر نمونه‬
‫قرار گرفته است‪ ،‬در نتیجه ‪ Mz=Mt‬و نمونه مغناطیس شده برابر ‪Mz=Mscoskxx‬‬
‫است‪ .‬تغییر نیرو بین نوک و نمونه از رابطه زیر محاسبه میشود‪:‬‬

‫‪‬رابطه مربوط به هندسه های نوک گوناگون دو نوکه با ‪ Mt=1422kA/m‬و با ابعاد‬

‫هندسی ‪ A=20nm×100n‬و ‪ Lt=1µ‬که در فاصله ‪ 10nm‬باالی نمونه با‬
‫ضخامت‪ 10nm‬واقع شده است‪ ،‬می باشد‪ ،‬و ‪ Ms=295KA/m‬نشان میدهد که شیب‬
‫نوک بهینه بیضی شکل است؛ در این حالت ممکن است تفکیکپذیری در حد‬
‫‪10mN/m‬نیز بدست آید‪.‬‬

‫‪139‬‬
‫ناحیه های مغناطیسی را حتی هنگامی که نمونه خیلی نازک است میتوان مجسم کررده‬
‫و به تصویر کشید‪ ،‬مانند حالت نانوسیمهای کبالرت مغناطیسری‪ .‬بره ویرژه ‪ MFM‬کنتراسرت‬
‫باالیی برای ذرات شکل گرفته با لیتوگرافی نشان میدهد‪.‬‬
‫چنانچه در شکل الف نشان داده شده است دیواره های حوزه تکی را میتوان در مورد ذره‬
‫‪ Ni‬تشخیص دهیم (اندازه ‪ .) 200nm*70nm*15nm‬نقطره سریاه نشراندهنرده نیرروی‬
‫ضربهای بین نوک و نمونه است‪ .‬در مقابل‪ ،‬نقطه سفیدرنگ در شکل الف نشاندهنده طبیعت‬
‫جذب کننده نیروی نوک‪-‬نمونه است‪( .‬ذرات دیسکی یا بیضری شرکل ماننرد یرک دیسرک برا‬
‫قطر‪ 700nm‬در شکل ب نشان داده شده است)‪ ،‬نشاندهنده یک حالرت مغناطیسری حلقره‬
‫است‪.‬‬

‫الف‬ ‫ب‬

‫‪140‬‬
‫‪ MFM ‬همچنین قادر است؛ دوقطبی مغناطیسی چندالیه هرای مغناطیسری رانشران‬
‫دهد‪ .‬این دوقطبی های مغناطیسی میتواند بصورت موازی یا غیرموازی باشرد‪ .‬ترکیبری از‬
‫آنها معموال در موقعیتهای مشترک زیادی بوجود میآید‪ .‬همه اینها در شکل زير نشران‬
‫داده شده است‪.‬‬

‫‪141‬‬
‫اساسا‪ STM ،‬تصاویری از سطوح با تفکیکپذیری اتمی )‪ Z(x,y‬را فراهم میآورد‪،‬‬
‫که دارای تفکیک پذیری اتمی هستند‪ STM .‬براساس نشان دادن جریان تونل زنی‬
‫بین یک نوک فلزی تیز که در فاصله نانومتری باالی سطح نمونه هادی واقع شده‬
‫عمل می کند‪.‬‬
‫وقتی ولتاژد ‪ v‬بین نوک و نمونه بکار برده میشود‪ ،‬الکترونهای دارای انرژی ‪ E‬از‬
‫طریق یک سد خأل با ارتفاع ‪ Φ‬که ‪Φ >E‬مطابق شکل زیر بعد از تونل به نمونه‬
‫تونل میزنند‪.‬‬

‫‪142‬‬
 ‫چگالی جریان تونل زنی در ولتاژهای پایین توسط رابطه زیر مشخص می شود‪:‬‬

‫)‪Vρsurf(EF)exp(-1.025 φ 1/2z‬‬ ‫}‪αi=Vρsurf(EF)exp{[-2m(φ-E)]z/ћ‬‬

‫که در آن )‪ ρsurf(EF‬چگالی حالتهای نمونه در لبه فرمی است‪ z ،‬فاصله بین نوک و‬
‫نمونه است (پهنای سد) و ‪m‬جرم الکترون میباشد‪ .‬برای سد با ارتفاع‪ ،5ev‬هنگامی که‬
‫پهنای سد ‪0.1nm ،z‬میشود جريان با دامنه کاهش می يابد‪.‬‬

‫‪143‬‬
‫جریان تونل زنی معموال دهها یا صدها ‪ pA‬است‪ ،‬یک تقویت کننده نیاز داریم ترا آنررا‬
‫مالک ارزیابی قرار دهریم‪ .‬در شرايط كاری ‪ STM‬تغییرات جريان در حدود ‪ %2‬تاا‬
‫‪ %3‬است‪ ،‬که با استفاده از رابطه قبرل حاصرل مری شرود‪ ،‬کره فاصرله هروایی در حردود‬
‫‪ 0.001nm‬تغییر می کند‪ .‬عمال‪ ،‬در این حالت جریان تونل زنی به سادگی‪ ،‬چگالی حالرت‬
‫ها در سطح است‪ ،‬بنابراین توپوگرافی مستقیم سطح با تفکیک پذیری اتمی قابل دسترس‬
‫خواهد بود‪.‬‬
‫موارد باال فقط در یک بعد قابل درک و معتبرند‪ ،‬در حقیقت نگاشرت (ترسریم) سرطح‬
‫از طریق جریان تونل زنی نوک‪-‬سطح یک مشکل پیچیده تر اسرت‪ ،‬کره بایرد در سره بعرد‬
‫بررسی شود‪.‬‬

‫‪144‬‬
‫تئوری کامل تصویر ‪ STM‬مدل ترساف‪-‬هامان نامیده می شود نتایج اصلی این تئوری‬
‫را میتوان به ترتیب زیر خالصه نمود‪:‬‬

‫چگالی حالتهای محلی نمونه )‪(LODS‬است‬

‫‪i(r)Ψ‬تابع موج سهبعدی با انرژی ‪Ei‬‬

‫‪145‬‬
‫چگالی حالت های محلی نمونره )‪ (LODS‬اسرت‪ ،‬برا )‪ Ψi(r‬ترابع مروج سره بعردی برا‬
‫انرژی ‪ Ei‬است‪ .‬رسانایی نرمالیزه که از منحنی‪ I-V‬مشخص میشود‪(di/dv)/(I/V) ،‬با‬
‫‪ LDOS‬نمونه ها متناسب است‪.‬‬

‫بنرابراين مدل ترساف‪-‬هامان نشان ميدهد كه جريان تونل زني كامال بوسیله‬
‫‪LDOS‬نمونه در لبه فرمي معین خواهد شد‪.‬‬

‫این نتیجه تنها هنگامی که نوک بسیار تیز (شعاعی در خد چند ˚‪ A‬داشرته باشرد)‪ ،‬و در‬
‫چند ‪ nm‬از نمونه قرار گرفته باشد‪ ،‬معتبر خواهد بود‪ ،‬تنها تحت اینچنین شرایطی اسرت‬
‫که جریان تونل زنی به یک رشته نازک بین انتهای نوک و سطح محدود می شود‪.‬‬

‫‪146‬‬
‫دو مود اصلی عملیات ‪ STM‬وجود د ارد‪ ،‬که بصورت شماتیکی در شکل های الف و ب‬
‫شرح داده شده است‪.‬‬

‫الف‬ ‫ب‬

‫‪147‬‬
‫در مود جریان ثابت‪ ،‬جریان تونل زنی هنگامی که نوک نزدیک سطح قرار گرفته و در‬
‫گستره‪ 2-5 v‬بایاس شده است‪ ،‬اندازهگیری شده است‪ .‬نوک روی سطح را جاروب می‬
‫کند و هرگونه تغییری در جریان تونل زنی بوسیله حلقه فیدبک حس می شود‪،‬‬
‫سپس اگر الزم باشد‪ ،‬ارتفاع ‪ z‬در حالی که جریان ثابت باقی می ماند‪ ،‬تغییر می کند‪.‬‬
‫در نهایت یک نگاشت )‪ Z(x,y‬بدست خواهد آمد‪.‬‬

‫‪ ‬در مود ارتفاع ثابت‪ ،‬نوک را در ارتفاع ثابتی جاروب می کند و جریان مستقیما‬
‫اندازهگیری میشود‪ ،‬و در نهایت نگاشت )‪ I(x,y‬حاصل می شود‪.‬‬

‫‪148‬‬
‫بعضی از سیستم های ‪ ،STM‬امروزه با سیستم های پردازش سیگنال بسیار پیچیده‬
‫ای که قادرند ادوات سالم را کالیبره کنند؛ در دمای اتاق و در فشار اتمسفر نرمال کار‬
‫میکنند‪ ،‬و نویز حرارتی و هیسترزیس را حذف کنند ‪.‬‬

‫سیستم های ‪ STM‬دیگر در ‪ :‬دمای کم (‪ (350mK‬یا میدان مغناطیسی باال )‪(11T‬‬

‫)‪(1010pa) (UHV‬کار می کنند‪.‬‬ ‫یا خال خیلی باال‬

‫بخصوص شرایط نهایی دمای بسیار کم و خال باال باعث تفکیرکپرذیری نمرایی براال و‬
‫یک محیط تمیز‪ ،‬برای مطالعه نانومواد و پردازشهای کوانتومی می شوند‬

‫‪149‬‬
 ‫تک مولکولهای روی سطح به ماده جذب شده‪ ،‬کریستال های مایع و ترتیب گرذاری‬
‫‪ ،DNA‬چگالی محلی حالت های فلزات‪ ،‬نیمههادیها‪ ،‬ابررسراناها‪ ،‬و حتری فریلم هرای‬
‫نازک عایق رشد داده شده روی سطح زیرالیه رسانا (به عنوان مثال اکسید فلزات ‪Nio‬‬
‫و ‪Feo‬و‪ Al2o3‬و‪ )...‬که توسط ‪STM‬دردماهای پایین و ‪ UHV‬تصویر میشوند‪.‬‬

‫‪ STM‬همچنین میتواند برای به دست آوردن خواص مغناطیسی مواد با کمک نوک‬
‫های مغناطیسی‪ ،‬مانند نوک های آهنی استفاده شود‪ .‬در این موارد تونل زنی پالریزه‬
‫اسپین در شرایط ‪UHV‬به کارمی رود‪ ،‬جریان تونل زنی نیز به جهت گشتاور‬
‫مغناطیسی نوک بستگی دارد‪.‬‬

‫‪150‬‬
 ‫مانند ‪ ،AFM‬از ‪ STM‬میتوان برای اندازهگیری سیگنال های بسیار سریع الکتریکی‬
‫استفاده شود‪ .‬در این حالت‪ ،‬نوک به یک سوئیچ نوری وصل شده است‪ ،‬که بوسیله پالس‬
‫نوری با نرخ تکرار‪ 1/f‬قادر به خاموش و روشن شدن باشد‪.‬‬
‫اگر افزاره تحت آزمایش بوسیله یک فرکانس اندکی متفاوت‪ ،f+Δf ،‬تحریک شود؛ شکل‬
‫موج جریان تونل زنی همانند پاسخ افزاره تحت آزمایش دارای فرکانس ‪ f‬است‪ ،‬ولی با‬
‫‪ f/Δf‬محور زمان انبساط می یابد‪ .‬اگر ‪ Δf>fb‬باشد‪ ،‬که فرکانس سیستم فیدبک است‪،‬‬
‫کنترل موقعیت نوک با اندازه گیری شکل موج تحت تاثیر قرارنخواهد گرفت‪ .‬پالسهایی با‬
‫طول ‪ ps‬و دامنه دهها میلی ولت میتوانند با تکنیکهایی که شکل شماتیک آنها را در‬
‫شکل زیر میبینید‪ ،‬مشاهده شوند‪.‬‬

‫شماتیک ‪ STM‬برای آشکارسازی سیگنال بسیار سریع‬

‫(فرکانس باال)‬

‫‪151‬‬
‫‪STM‬کاربردهای مهمی نیز در مطالعه الکترودینامیک در مقیاس نانو دارد در این‬
‫رابطه‪ STM ،‬میتواند باعث القا انتشار فوتون از مولکول ها شود و بنابراین میتواند به‬
‫عنوان یک ابزار طیفنگار مورد استفاده قرار بگیرد‪.‬‬
‫فوتونها از مولکول مهمانی که در فاصله هوایی بین نوک و نمونه به صورتی که در‬
‫شکل زیر داده شده است‪ ،‬ساطع شوند‪.‬‬

‫انتشار فوتون القا شده ‪STM‬‬

‫‪152‬‬
‫چندین مکانیسم انتشار فوتون القا شده ‪ STM‬بسته به مشخصات سطح نمونه‬
‫وجود دارد‪:‬‬
‫‪-1‬خروج پالسمهای سطحی متمرکز روی سطوح فلزی به منظور تونلزنی‬
‫غیرارتجاعی‪،‬‬
‫‪ -2‬واپاشی تابش به دلیل تونل زنی غیرارتجاعی به حالتهای سطح روی فلز و‬
‫حالتهای نیمههادی‪،‬‬
‫‪ -3‬لومینسانس به دلیل بازترکیب الکترون‪-‬حفره روی سطوح نیمههادی‪.‬‬

‫یک مدل فیزیکی ساده‪ ،‬که انتشارفوتونها را در طول فرآیند تونل زنی بیان می کند‪،‬‬
‫بر اساس مشاهدات تجربی که هادیها (که با سرعت تونل زنی تک الکترون در سد‬
‫متناسب است)یک جهش را هنگامی که ولتاژ بایاس تغییرکردهاست نشان می دهند‪ ،‬بیان‬
‫شده است‪ .‬با افزایش بایاس جریان به دلیل تونل زنی ارتجاعی افزایش مییابد‪ ،‬تا به مقدار‬
‫آستانه معین به صورت زیر برسد‪.‬‬

‫‪eVth=nћω‬‬ ‫که در آن ‪ n‬یک مقدار صحیح است‪.‬‬

‫‪153‬‬
‫ورای این مقدار آستانه یک کانال جریان جدید گشوده می شود‪ ،‬که بر اسراس تونرل زنری‬
‫غیرارتجاعی از مولکول مهمان که یک نوسان مولکرولی در فرکرانس ‪ ، ω‬برا ایرن نتیجره‬
‫اصلی که یک فوتون با انرژی ‪ ħω‬ساطع میشود‪ ،‬تعیین شده است‪ .‬این فرآیند با منحنری‬
‫‪ dI/dt‬و یک پیک در منحنی ‪d2I/dv2‬رابطه دارد‪.‬‬
‫در این روش‪ ،‬طیف ارتعاشی مولکولها تعیین میشود‪ .‬پرتوافکنی نوری مجدد به دلیل بر‬
‫هم کنش فوتون‪-‬الکترون در اتصال تونل زنی به صورت نوری آشکار شرده‪ ،‬و اطالعرات‬
‫شیمیایی مهم در خصوص مولکول ها‪ ،‬مانند طیف ارتعاشری آن هرا را مری تروان از آن‬
‫گردآوری کرد‪.‬‬
‫نقشه فضایی از سیگنال های نوری جمع آوری شده را می توان به یک نقشه ی شریمیایی‬
‫نمونه تبدیل کرد‪ ،‬که می تواند یک مولکول یا مجموعی از مولکول ها باشند‪ ،‬با این روش‬
‫اطالعات مهمی به تصاویر ‪ STM‬اضافه می شود‪.‬‬
‫‪154‬‬
 ‫‪ 3-2-2‬جاروب نزديک میدان میکروسکوپي نوری‬
‫‪ SNOM‬بر اساس گستره کوچک میدان نزدیک القاشدهی یک نمونه‪ ،‬که بوسیله یک‬
‫منبع الکترومغناطیس که موج الکترومغناطیسی با طول موج ‪ λ‬تابش می کند‪ ،‬یک پروب‬
‫سطح نمونه را جاروب میکند‪ ،‬و بسته به پیکربندی خاص‪ SNOM‬یکی از قانونهای زیر‬
‫حاکم است‪:‬‬

‫‪-1‬تابش میدان الکترومغناطیسي در ناحیه میدان نزديک از نمونه و سپس‬

‫توسط يک آشکارساز نوری در میدان دور آشکار ميشود‪.‬‬

‫‪ -2 -‬آشکارسازی میدان نزديک نمونه هنگامي كه سطح به وسیله يک میدان‬

‫الکترومغناطیسي خارجي در ناحیه دور از نمونه تحريک شده باشد‪.‬‬

‫‪ -3‬انتشار و آشکارسازی موج بازتابیده از يک سطح در ناحیه تشعشعات میدان‬

‫نزديک از نمونه قرارگرفته است‪.‬‬
‫‪155‬‬
‫‪ ‬فاصله بین پروب و نمونه‪ ،‬اندازه پروب و همینطور اجزای فیزیکی سطح‪ ،‬همه باید خیلی‬
‫کوچکتر از طول موج باشند‪.‬‬

‫‪ ‬محدودیت پراش در میدان دور به طول موج بستگی دارد‪ ،‬و برابر با ‪ λ/2‬است‪ .‬هرچنددر‬
‫میدان نزدیک محدودیت پراش به طول موج بستگی ندارد و بنابراین میتوان بر محدودیت‬
‫پراش غلبه کند‪.‬‬

‫‪ ‬تفکیکپذیری ‪ SNOM‬در میدان نزدیک در محدوده مرئی چند ‪ nm‬می باشد‪ .‬در‬
‫حالی که یک میکروسکوپ نرمال‪ ،‬نمیتواند تفکیکپذیری بهتر از ‪ nm 250‬در ناحیه طیف‬
‫مرئی داشته باشد‪.‬‬

‫‪156‬‬
‫اصول فيزيكي ‪ SNOM‬در شكل زير نشان داده شده است‪:‬‬

‫‪157‬‬
 ‫يك مثال فيزيكي ساده ميتواند به درك مفهوم اصول ‪ SNOM‬كمك كند‪:‬‬

‫دو منبع جداگانه در فاصله ‪ d‬از يكديگر را در نظرمي گيريم‪ ،‬كه هردو با فاز و فركانس‬
‫يكسان نوسان ميكنند‪ .‬مسئله تعيين ‪ d‬از اندازهگيري هاي ميدان انتشاريافته توسط منابع در‬
‫فاصله معين ‪ r‬است‪ .‬دامنه در ‪ r‬مجموع دو موج مي باشد‪:‬‬

‫شماره موج تابش انتشاريافته در ميدان دور (‪ )Kr>>Kd‬مي باشد‪.‬‬

‫‪158‬‬
 ‫دامنه بصورت زیر بدست میآید‪:‬‬

‫‪ θ‬زاويه بين ‪ r‬و ‪ d‬است‬

‫‪ ‬همانطور که از رابطه باال مشخص می شود؛ دامنه به شماره موج (‪)k‬و بنابراین به طول‬
‫موج بستگی دارد‪.‬‬

‫‪159‬‬
‫برای تعیین فاصله ‪ A ،d‬باید در دو نقطه که به ترتیب دارای ‪ /2π=θ‬و ‪=0θ‬هستند‪،‬‬
‫اندازهگیری شود‪.‬‬
‫اگر رابطه دامنه را تحلیل کنیم‪ ،‬در گستره میدان نزدیک( ‪ ،) kd<<kr<<1‬خواهیم داشت‪:‬‬

‫اين معادله از طول موج مستقل است‪ .‬فاصله‪ d‬تنها از اندازهگیری های میدان‬
‫نزديک ‪ A‬بدست ميآيد‪ ،‬بهعنوان مثال برای‪ d ، |r=r =0σ‬از رابطه زير به دست مي‬
‫‪0‬‬

‫آيد‪:‬‬
‫‪160‬‬
‫ساخت روزنه های میدان نزدیک با قطر چند ده ‪ ،nm‬همراه با توانایی قرار دادن آن ها‬
‫در ارتفاع ‪ 10-20nm‬باالی نمونه‪ ،‬تنها با توسعه تکنیکهای ‪ AFM‬و ‪ STM‬ممکن‬
‫خواهد بود‪ ،‬و تنها با تکنولوژی ‪ MEMS‬توانایی ایجاد چنان روزنههای کوچکی ممکن می‬
‫شود‪ SNOM .‬از همه تجهیزاتی که شامل یک ‪ AFM‬هستند مثل سیستم فیدبک‪،‬‬
‫جاروب کننده پیزو و غیره بهره می برد‪.‬‬

‫‪‬پروبهای ‪ SNOM‬با تکنیکها و اصول فیزیکی مختلفی ساخته میشوند‪ .‬اکثر‬

‫روزنهها از یک فیبر نوری ساخته می شوند‪ ،‬که توسط زدایش شیمیایی تیز شده‪ ،‬و سپس‬
‫توسط یک فلز کدر پوشیده می شوند‪.‬‬

‫‪161‬‬
‫همانطور که در شکل زیر نشان داده شده است‪ ،‬نوک پروب برای ایجاد روزنه ی نانومقیاس‬
‫برش می خورد‪.‬‬

‫روزنه نانومقیاس ‪SNOM‬ساخته شده از یک فیبر نوری‬

‫‪162‬‬
‫دسته بزرگی از پروب های ‪ SNOM‬با ترکیب روزنه های نانومقیاس با اهرم های ‪AFM‬‬
‫همانند شکل زیر‪ ،‬تحقق می یابند‪ .‬که این موضوع با استفاده از تکنیک های ‪MEMS‬‬
‫امکانپذیر خواهد بود‪.‬‬
‫عالوه بر این لیزرهای ‪ VCSEL‬میتوانند با نانوروزنهها و اهرمها مجتمع شوند‪.‬‬

‫یک اهرم مجتمع شده با یک نوک منتهی به یک روزنه نانومقیاس‬

‫‪163‬‬
 ‫یک پروب ‪SNOM‬با تفکیکپذیری باال مانند شکل زیر تشکیل می شود‪:‬‬

‫یک اهرم مجتمع شده با یک سریال ‪VCSEL‬و یک نوک منتهی شده به یک روزنه نانومقیاس‬

‫‪164‬‬
‫‪ SNOM ‬را همچنین میتوان با پروب های بدون روزنه‪ ،‬قرار گرفته در میدان نزدیک‬
‫نمونه‪ ،‬ایجاد نمود‪ .‬در این حالت‪ ،‬پروب یک نانوذره فلزی چسبیده به اهرم یا یک نوک فلزی‬
‫واقع شده در میدان نزدیک می باشد‪.‬‬

‫‪ ‬میدانهای نوری پروب های بدون روزنه را تحریک می کنند‪ ،‬و سپس میدان پراکنده در‬
‫گستره میدان نزدیک پردازش شده و آشکار می شود‪ .‬تفکیکپذیری در این پروب ها‬
‫میتواند باالتر از حالت روزنههای نوری نانومقیاس باشد‪.‬‬

‫‪ SNOM ‬در بسیاری از کاربردهای مرتبط با مطالعه تک مولکولها و فیلمهای نازک‪ ،‬و‬
‫در حالت کلی در مطالعه نانومواد که خواص آنها با توجه به ساختار و اندازه واحدها مشخص‬
‫میشود‪ ،‬دارای بیشترین اهمیت میباشد‪ .‬سیستمهای بیومولکولی نیز با ‪ SNOM‬تحلیل‬
‫می شوند‪.‬‬
‫‪165‬‬
‫در همین رابطه تک مولکولهای‪ ،DNA‬کروموزومهای انسانی‪ ،‬موتورهای مولکولی‪ ،‬تک‬
‫واکنشهای شیمیایی‪ ،‬و سلولهای دینامیکی با استفاده از ‪ SNOM‬به تصویرکشیده‬
‫می شوند‪.‬‬

‫افزاره های کوانتومی و ساختارهای نانوفوتونیکی نیز میتوانند به کمک ‪SNOM‬‬

‫تصویربرداری شوند‪ .‬اخیرا ‪ SNOM‬برای تشخیص توزیع دامنه و فاز میدانهای نوی‬
‫درون ساختار فوتونیکی(شکاف باند) تشکیل شده از مواد نانومقیاس‪ ،‬استفاده شده است‪.‬‬

‫‪‬قابل ذکر است که روش ‪ SNOM‬نه تنها برای میدانهای نوری ‪ ،‬بلکه برای‬
‫موجهای میکرو و میلیمتری نیز به کار می رود‪ .‬و پیکربندی های زیادی مانند روزنه‬
‫های نوری یا ساختارهای بدون روزنه‪ ،‬طول موج بلند دارند‪.‬‬

‫‪166‬‬