YARIİLETKENLER

DİYOTLAR
2. Hafta
 1.8 DİRENÇ SEVİYELERİ

DC veya Statik Direnç

Yarıiletken diyot içeren bir devreye dc gerilim uygulanırsa, diyodun

karaktersitik eğrisindeki çalışma noktası zamanla değişmeyecektir.
Diyodun çalışma noktasındaki direnci, şekilde gösterilen VD ve ID
değerlerinin bulunmasıyla ve aşağıdaki eşitliğin uygulanmasıyla
kolaylıkla bulunabilir.

Belirli bir çalışma noktasında diyodun dc direncinin belirlenmesi.

 AC veya Dinamik Direnç

Şekilde gösterildiği gibi Q

noktasından geçen teğet bir doğru
çizilirse, ilgili karakteristik
bölgesinde ac veya dinamik direnç
hesaplanabilir. Gerilim ve akımdaki
değişimler mümkün olduğu kadar
küçük tutulmalı ve Q noktasının her
iki tarafında eşit uzaklıklar
alınmalıdır.

Denklem olarak gösterirsek,

Dinamik veya ac direncin tanımlanması.

Genek olarak, Q çalışma noktası ne kadar düşükse (düşük akım

veya gerilim) ac direnci o kadar yüksek olacaktır.
 Ortalama AC Direnci

Eğer giriş sinyali, şekilde benzeri görülen geniş aralığı oluşturacak

kadar yüksekse, bu bölgedeki cihazla ilgili dirence, ortalama ac direnci
denir. Ortalama ac direnci, tanımı gereği, en yüksek ve en düşük giriş
gerilimlerine karşılık gelen noktalar arasında çizilen doğru ile belirlenir.

Denklem şeklinde verilecek olursa,

Belirlenen sınırlar arasında ortalama ac

direncinin belirlenmesi.
 1.9 DİRENÇ SEVİYELERİ
Bir eşdeğer devre, bir cihaz veya sistemin bir çalışma bölgesindeki
gerçek terminal karakteristiğini en iyi şekilde temsil etmek için uygun
şekilde seçilen elemanların birleşimidir.

Yani, eşdeğer devre tanımlandıktan sonra, cihazın sembolü

şemadan kaldırılabilir ve eşdeğer devre sistemin gerçekteki davranışını
bozmayarak sembolün yerini alabilir.

Parçalı Doğrusal Eşdeğer Devre

Parçalı doğrusal eşdeğer devrenin bileşenleri.

 Diyodun eşdeğer devresini elde etme tekniklerinden biri, şekilde
gösterildiği gibi, karakteristiği düzdün doğru parçaları ile
yaklaştırmaktır. sonuçta elde edilen devreye parçalı doğrusal eşdevre
denir.

Düzgün doğru parçalarıyla karakteristik eğriye yaklaştırma yapılarak parçalı

doğrusal eşdeğer devrenin tanımlanması.
 Basitleştirilmiş Eşdeğer Devre

Çoğu uygulamada, devredeki diğer elemanlarla karşılaştırıldığında

rort ihmal edilebilecek kadar küçüktür. Eşdeğer devreden rort’ un
kaldırılmasıyla şekildeki karakteristik elde edilir.

Silikon yarıiletken diyodun basitleştirilmiş eşdeğer devresi.

 İdeal Eşdeğer Devre
rort eşdeğer devreden kaldırıldıktan sonra, bir adım daha ileri
gidilip, uygulanan gerilim seviyesine göre düşük olan 0.7 V da ihmal
edilebilir. Bu durumda eşdeğer devre, şekildeki karakteristiği de
gösterilen ideal diyoda indirgenmiş olur.

İdeal diyot ve karakteristiği

1.13 YARIİLETKEN DİYOT GÖSTERİMİ

Yarıiletken diyot gösterimi.

Eklem diyotların bazı tipleri.

 1.14 DİYOTLARIN TEST EDİLMESİ

Bir yarıiletken diyodun durumu;

(1) diyot kontrol fonksiyonu bulunan bir sayısal metre (DDM),

(2) multimetrenin ohmmetre bölümü ile veya

(3) eğri izleyici ile belirlenebilir.

Diyot Kontrol Fonksiyonu

Sayısal metre İleri eğilimleme durumunda diyodun

kontrol edilmesi.
Ohmmetre Testi

Ohmmetre ile diyodun kontrol edilmesi.

 1.15 ZENER DİYOTLAR

VZ ile gösterilen ters eğilimleme potansiyelinde karakteristik

neredeyse dik bir şekilde düşmektedir. Eğrinin yatay eksenden aşağıya
doğru inmesi ve pozitif VD bölgesinden uzaklaşması, Zener bölgesindeki
akımın ileri eğilimleme diyodun akımına ters yönde olduğunu
göstermektedir. Zener bölgesinde eğrinin küçük bir eğime sahip olması,
Zener diyodun iletim modunda bir direnci olduğunu belirtmektedir.

Zener bölgesinin incelenmesi.

 Aşağıda sembolü gösterilen Zener diyodun tasarımından bu
bölgenin özgün karakteristiği kullanılmaktadır. Yarıiletken diyot ve
Zener diyot, iletim yönlerinin anlaşılması açısından uygulanan gerilim
kutupluğuyla birlikte şekilde yanyana verilmiştir. Yarıiletken diyot
“açık” durumda iken semboldeki okun yönünde bir akıma izin verir.
Zener diyodun izin verdiği akım yönü semboldeki okun tersi yöndedir.
Ayrıca VD ve VZ’nin kutuplarının, iki eleman da şekilde gösterilen
dirençle yer değiştirse elde edilecek kutuplukla aynı olduğuna dikkat
edilmelidir.

İletim yönü: (a) Zener diyot; (b) yarıiletken diyot; (c) direnç.
 1.16 IŞIK YAYAN DİYOTLAR
Işık yayan yapılarda sıkça kullanılan iki tip cihaz vardır: Işık yayan
diyot (LED) ve sıvı kristal (LCD).
Işık yayan diyot, enerji verildiğinde, görünür olan veya olmayan ışık
veren diyottur.

İleri eğilimlenirse p-n eklemde, yapının içinde ve çoğunlukla ekleme

yakın noktalarda delikler ve elektronlar birleşmektedir. Bu birleşmede,
bağlı bulunmayan serbest elektronların enerjisi başka bir duruma
aktarılmalıdır.

Bütün yarıiletken p-n eklemlerde bu enerji ya ısı şeklinde ya da foton

olarak dışarı verilir.
 Si ve Ge diyotlarda, eklemdeki birleşim sırasında dönüşen enerjinin
çoğu, bu yapıda ısı şeklinde harcanır ve yayılan ışık önemsizdir.

Bu nedenle, silikon ve germanyum LED cihazların üretiminde

kullanılmaz.

Diğer taraftan,

GaAs’tan üretilmiş diyotlar, p-n eklemdeki birleşim sürecinde

kızılötesi (görünmeyen) bölgede ışık yayar.
 Farklı elementlerin birleşmesiyle ışık elde edilebilir. Tabloda sıkça
kullanılan birleşik yarıiletkenler ve ürettikleri ışıklar verilmiştir. Ek
olarak, tipik ileri eğilimleme gerilim aralıkları verilmiştir.
 Değişik seslerin değişik frekans spektrumu vardır. Tiz seslerin
yüksek frekanslı bileşenleri, bas seslerin düşük frekanslı bileşenleri
vardır. Aynı durum ışık için de geçerlidir:

Kızılötesi ışığın frekans spektrumu 100 THz (T = tera = 10 ) ile 400

THz arasındadır. Görünür ışığın spektrumu ise 400 ile 750 THz
arasındadır.

Kızılötesi ışığın spektrumunun görünür ışığınkinden daha düşük

frekensta olması ilginçtir.

Genel olarak, elektroışıma yapan cihazların frekansından çok

dalgaboyundan söze dilir.

Bu iki nicelik şu denklemle ilişkilendirilir:

(a) LED’de elektroışıma işlemi; (b) grafik sembolü.
İnsan gözünün ışık enerjisine standart tepkisi, yeşilde tepe değerinde, mavi ve
kırmızıda düşüktür.
 Belirli bir renkteki ışığın dalgaboyu ve frekansı, ilgili malzemenin
enerji bandı boşluğuyla doğrudan ilintilidir.

Fizikte, elektronvolt
(eV) değeri yaklaşık
1.6 x 10−19 J olan
enerjiye verilen addır.
Tanım olarak bir
elektronun, boşlukta,
bir voltluk
elektrostatik
potansiyel farkı
katederek kazandığı
kinetik enerji
miktarıdır.
 LED’ler tipik olarak 3 V ile 5 V arasında bulunan ters eğilimleme
kırılma gerilimidir. (nadiren 10 V seviyesine ulaşan cihazlar vardır).

Bu değerler binlerce volta ulaşabilen diyotlara göre çok düşüktür.

Sonuç olarak, tasarım sürecinde bu kısıtlamalara çok dikkat edilmelidir.

Yıllarca kullanılabilen renkler yeşil, sarı, kırmızı ve turuncu

olmuştur.yaklaşık bir çalışma seviyesi için ise VF = 0 V ve IF = 20 mA
ortalama değerleri kullanılmıştır.

Fakat, 1990’ların başında mavi ve sonlarında beyaz diyodun

tanıtılmasıyla parametrenin büyüklükleri değişmiştir. Mavi için
ortalama ileri eğilimleme gerilimi 5 V, beyaz için 4,1 V olabilir.

Fakat her ikisinin tipik olarak çalışma akımı 20 mA veya üssü

olabilir. Genel olarak:

Bu tip LED’lerde devre analizi için 20 mA’ de mavi 5 V, beyaz için 4

V otalama ileri eğilimleme gerilimi kabul edilir.
Beyaz LED uygulamaları: (a) Araba park lambası; (b) küçük el feneri.
 4.7. TÜNEL DİYOT

Saf silisyum ve Germanyum maddelerine daha fazla katkı maddesi katılarak

imal edilmektedir. Tunel diyotlar ters polarma altında çalışır.

Karakteristikten görüldüğü gibi, V1-V2 gerilimi bölgesinde diyot negatif direnç

etkisi gösterir.

Tünel diyot sembolü ile gösterilir.

Negatif direnç etkisi nedeniyle, özellikle rezonans devrelerinde kullanılırlar.

25
 DİYOT
UYGULAMALARI
 2.1 GİRİŞ
Bir cihazın temel davranışı anlaşıldıktan sonra, çok çeşitli sayıda
yapılardaki fonksiyon ve tepkisi kolaylıkla incelenebilir.

Genel olarak:

Elektronik devrelerin analizinde iki yol izlenir:

Gerçek karakteristikler kullanılır veya cihazın yaklaşık modeli

uygulanır.
 2.2 YÜK HATTI ANALİZİ
Şekildeki devre diyot yapılarının en basitidir ve gerçek
karakteristikler kullanılarak yapılan diyot analizinde
kullanılacaktır. Bu devreyi çözmek, diyodun karakteristiğini ve
devre parametrelerini sağlayan akım ve gerilim seviyelerini
bulmak demektir.

Seri devre yapısı: (a) Devre; (b) karaktersitik.

 Şekilde diyot karakteristiği, devre parametrelerince
tanımlandığı şekilde doğru olarak gösterilmiştir. Bu doğruya
yük hattı denmektedir çünkü dikey eksenin kesiştiği
noktaya uygulanan R yükünce tanımlanmaktadır. Bu
nedenle yapılacak bu analize yük analizi denmektedir. İki
eğrinin kesişimi devrenin çözümünü ve devredeki gerilim ve
akımları tanımlamaktadır.

Yük hattının çizilmesi ve çalışma noktasının bulunması.

 Şekildeki yük hattının karakteristikle kesişim noktası saat yönünde
Kirchhoff gerilim yasasının uygulanmasıyla elde edilebilir:

Yük hattının karakteristik üzerinde kesişimi, yatay eksende ID = 0 A

ve dikey eksende VD = 0 V olduğu bilinirse kolaylıkla belirlenebilir.

VD = 0 V alınır ve ID için çözüm yapılırsa, dikey eksendeki ID

değeri elde edilir. Bu nedenle, VD = 0 V olduğu için şu hele dönüşür;
 ID = 0 A alınır ve VD için çözüm yapılırsa, yatay eksendeki VD
değeri elde edilir. Bu nedenle, ID = 0 A olduğu için şu şekle dönüşür:

İki eğrinin kesişmesiyle elde edilen sonuç aşağıda verilen iki

denklemi sağlayan sonuç olacaktır.
 Şekildeki seri diyot yapısında şekildeki diyot karakteristiğini
kullanarak aşağıdaki değerleri belirleyiniz.

(a) Devre; (b) karaktersitik.

Yük hattı ve karakteristik eğri kesişimi Q noktasını belirtmektedir.
 Sorunun çözümü.

Yukarıdaki örnekte belirtildiği gibi, yük hattı devre tarafından

belirlenirken karakteristik ise seçilen cihaz tarafından belirlenir.
Diyodun yaklaşık modelini kullanır ve devreyi değiştirmezsek yük hattı
yukarıdaki örnekte elde edilenin aynısı olacaktır.
 Soru – 1’i silikon yarıiletken yaklaşık eşdeğer devresi kullanarak
tekrarlayınız.

Yük hattı, Soru – 1’de tanımlanan kesişimin aynısıyla birlikte

aşağıdaki şekilde gösterilmiştir. Aynı şekilde, diyodun yaklaşık eşdeğer
devresinin karakteristiği de gösterilmiştir. Q noktası için aşağıdaki sonuç
elde edilir:

Soru – 1 ‘in, yaklaşık diyot modeli kullanılarak elde edilen çözüm.

 İdeal diyot modelini kullanarak Soru – 1’ i tekrarlayınız.

Şekilde gösterildiği gibi, yük hattı aynıdır fakat ideal karakteristik

yük hattını dikey eksende kesmektedir. Dolayısıyla Q noktası şu
değerde bulunur:

Soru – 1’ in, ideal diyot modeli kullanılarak elde edilen çözümü.

2.3 SERİ DİYOT YAPISI

Yaklaşık ve ideal yarıiletken diyot modelleri.

 Her bir yapıda öncelikle her bir diyodun durumu belirlenmelidir.
Hangi diyotlar “açık” hangi diyotlar “kapalı”dır?

Bu belirlendikten sonra, yaklaşık eşdeğer kullanılabilir ve devrenin

diğer parametreleri belirlenebilir.

Genel olarak, kaynağın ürettiği akım

ile diyot sem bolündeki okun yönü aynı
ise ve:

silikon için VD ≥ 0.7 V,

germanyum için VD ≥ 0.3 V ve

galyum arsenit için VD ≥ 1.2 V

Seri diyot yapısı.
ise bir diyot “açık” durumdadır.
(a) Diyodun durumunun belirlenmesi; (b) açık diyodun yerine eşdeğer modelin
yerleştirilmesi.
 Şekil – 2’ de gösterildiği gibi, aklımızdan diyot yerine direnç
koyduğumuzda, akım yönünün diyot sembolündeki okla aynı yönde
olmadığı görülecektir. Diyot “kapalı” durumdadır ve sonuçtaki eşdeğer
devre Şekil – 3’ de gösterilmiştir.

Şekil – 1 Devre. Şekil – 2 Diyodun Şekil – 3 “Kapalı”

durumunun belirlenmesi. diyodun yerine eşdeğer
modelin konması.
 Şekildeki seri diyot yapısı için, VD’ yi, VR’ yi ve ID’ yi belirleyiniz.

Uygulanan gerilimin oluşturduğu akım diyot sembolünün okuyla

aynı yönde olduğu için, diyot “açık” durumdadır.
 Soru – 3 deki devrede bulunan diyodun yönünü ters çevirip tekrar
cevaplandırınız.

Diyot yerinden kaldırıldığında, I akımının yönü diyot

sembolündeki okla zıt yöndedir ve modelden bağımsız olarak diyot
eşdeğeri açık devredir. Sonuçtaki devre aşağıda verilmiştir ve açık
devreden dolayı ID = 0 A’ dir. VR = IR.R olduğu için VR = (0).R = 0 V’ tur.
Kapalı döngüye Kirchhoff gerilim yasası uygulanırsa sonuç şu şekilde
olur;
 Açık devrede terminaller arasında herhangi bir gerilim bulunabilir
fakat akım her zaman 0 A’ dır. Kapalı devrede terminaller arasında 0 V
düşüş vardır, fakat akım devredeki diğer elemanlarla sınırlandırılmıştır.

Kaynağın gösterimi.
 Şekildeki seri diyot yapısı için VD’ yi, VR’ yi ve ID’ yi belirleyiniz.

Seri diyot devresi.

Akımın, ok sembolüyle aynı yönde olmasına rağmen, uygulanan

gerilim silikon diyodu “açık” duruma geçirecek kadar yüksek değildir.
Karakteristik üzerindeki çalışma noktası aşağıdaki şekilde gösterilmiştir.
Yine aşağıdaki şekillerde uygun bir yaklaşım olarak açık devre eşdeğeri
gösterilmiştir. Sonuçtaki gerilim ve akım seviyesi aşağıda verilmiştir:
E = 0.5 V iken çalışma noktası. ID, VR ve VD’ nin belirlenmesi.
Şekildeki seri devre için VO ve ID’ yi belirleyiniz.
Şekildeki devre için ID, VD2 ve VO’ ı belirleyiniz.
Şekildeki seri dc yapı için I, V1, V2 ve V0’ ı belirleyiniz.
 2.4 PARALEL VE SERİ – PARALEL YAPILAR
Bir önceki bölümde uygulanan yöntemler paralel ve seri – paralel
yapıların analizinde kullanılabilir. Her bir uygulama için uygun seri
diyot yapısının kullanılması yeterlidir.

Şekildeki paralel diyot yapısı için V0, I1,ID ve ID2’yi belirleyiniz.

 Şekilde gösterildiği gibi, uygulanan gerilim sonucu oluşan akım,
diyotların oklarıyla aynı yöndedir. Ayrıca uygulanan gerilim 0.7 V’ tan
daha yüksek olduğu için iki diyot da “açık” durumdadır. Paralel
elemanların üstünde gerilim her zaman aynıdır ve aşağıdaki eşitlik
geçerlidir.
 Bu örnekte kutupluk sezici olarak kullanılabilecek iki LED vardır.
Pozitif bir kaynak uygulandığında yeşil ışık, negatifte ise kırmızı ışık
yanmaktadır.
Şekildeki yapı için “açık” diyottan 20 mA geçmesi için gerekli R
direncini bulunuz. İki diyodun da ters kırılma gerilimi 3 V ve ortalama
açılma gerilimi 2 V’ tur.
 Pozitif bir gerilimin uygulanmasıyla yeşil diyodun okuyla aynı
yönde bir akım oluşur ve diyot “açık ” olur. Yeşil diyot üzerindeki
gerilim kırmızı diyot için ters eğilimlemedir.
Şekildeki devre için V0 gerilimini belirleyiniz.
 2.5 VE/VEYA KAPILARI
VE/VEYA kapılarının analizinde ideal yerine yaklaşık eşdeğer devre
kullanılır çünkü silikon diyodun “açık” duruma geçmesi için üzerinde
0.7 V olması şartını koşulabilir.
Genel olarak en iyi yaklaşım, yönlere ve uygulanan gerilimlere
bakarak “içgüdüsel” olarak diyodun durumunu belirlemektir. Daha
sonra analiz başlangıç tahminlerinizi doğrulayacak veya yanlış
olduğunu gösterecektir.

(Bu örnekte incelenecek devre pozitif mantıktaki VEYA kapısıdır)

Şekildeki devrede V0’ yu belirleyiniz.

Pozitif mantıkta VEYA kapısı.

Şekildeki pozitif mantık VE kapısı için çıkışı belirleyiniz.

Pozitif mantık VE kapısı.

 2.6 SİNİZOİDAL GİRİŞLER; YARIM DALGA
DOĞRULTMA
Zamanla değişen sinyalleri incelemek için gerekli en basit devre
aşağıdaki şekilde verilmiştir.

Yarım dalga doğrultucu.

Şekilde T periyodu ile tanımlanan tam bir çevrim üzerinden
ortalama değer (eksenin altındaki ve üstündeki alanların toplamı)
sıfırdır. Şekildeki devreye yarım dalga doğrultucu adı verilir. Ortalama
değeri ac – dc dönüşümünde özel bir kullanıma sahip olan v0 dalga
biçimini üretir.doğrulama işleminde kullanılan diyota doğrultucu denir.
Bilgisayar ve iletişim sistemleri gibi uygulamalarda kullanılan diyotlara
göre bu cihazların güç ve anma değerleri çok daha yüksektir.
 İletim bölgesi (0 – T/2).

İletim olmayan bölge (T/2 – T).

 DC seviyesi elde etmek için
giriş sinyalinin yarısının
kaldırılması işlemine yarım dalga
doğrultma denir.

Yarım dalga doğrultulmuş sinyal.

VK’ nın yarım dalga doğrultulmuş devre üzerindeki etkisi.

 ZTG (TTG)
Zıt tepe gerilimi (ZTG) [veya TTG (ters tepe gerilimi)] doğrultma
sistemlerinin tasarımında çok önemlidir. Bu değer ters eğilimleme
bölgesinde aşılmaması gereken gerilim anma değeridir. Aksi durumda
diyot Zener çığ bölgesine girecektir. Yarım dalga doğrultucunun ZTG
anma değeri aşağıdaki şekilden belirlenebilir.

Yarım dalga doğrultucu için istenen ZTG anma değerinin belirlenmesi.

 2.7 TAM DALGA DOĞRULTMA
Köprü Devresi
Sinüzoidal bir girişten elde edilen dc seviyesi tam dalga doğrultma
denilen işlemle % 100 geliştirilebilir. Bu fonksiyonu yerine getiren en
tanıdık devre dört diyotlu köprü yapısı halinde aşağıdaki şekilde
verilmiştir.

Tam dalga köprü doğrultucu.

 Tam dalga köprü doğrultucunu giriş
gerilimi vi’nin 0 - T/2 aralığındaki
durumu.

D2 ve D3 iletimde iken D1 ve D4
“kapalı” durumdadır.

R üzerindeki akım ve kutupluk ile birlikte aşağıdaki şekilde

gösterilmiştir. Aynı şekil üzerinde diyotlar ideal olduğu için v0 = vi
eşitliği de geçerlidir.
vi’nin pozitif bölgesi için iletim yolu.
 Girişin negatif bölgesinde iletim yapan diyotlar D1 ve D4’tür ve
sonuçtaki yapı aşağıdaki şekilde verilmiştir. Görüldüğü gibi ikinci bir
pozitif dalga oluşmuştur.

vi’nin negatif bölgesinde iletim yolu.

 Tam bir çevrimde giriş ve çıkış gerilimleri aşağıdaki şekilde
verilmiştir.

Eksen üzerindeki alan, yarım dalga sisteminden elde edilenin iki

katı olduğu için dc seviyesi de iki katına çıkar.

Tam dalga doğrultucunun giriş ve çıkış dalga biçimleri.

 Eğer ideal diyot yerine silikon diyot kullanılırsa, iletim yolu
üzerinde Kirchhoff gerilim yasasının uygulanmasıyla şu sonuçlar elde
edilir.

Silikon diyodun köprü yapısında V0max değerinin belirlenmesi.

Çıkış gerilimi vo’nun tepe değeri böylece olur.

durumunda aşağıdaki denklem ortalama değer için yüksek
bir
kesinlikle uygulanabilir.
 ZTG

Giriş sinyalinin pozitif bölgesinin tepe değerinde elde edilen, her bir
diyodun (ideal) istenen ZTG değeri aşağıdaki şekilden belirlenebilir.

Köprü yapısında istenen ZTG’nin belirlenmesi.

İlgili döngüde R üzerindeki maksimum gerilim Vm’dir ve ZTG anma

değeri şu şekilde tanımlanır:
 Ara Uçlu Trafo
İkinci bir bilindik tam dalga doğrultucu şekilde verilmiştir. Bu
yapıda iki diyot ve ikincil kısmında her birinde giriş sinyali bulunan bir
ara uçlu (AV) trafo vardır.

Ara uçlu trafolu tam dalga doğrultucu.

vi’nin pozitif bölgesi için devrenin durumu.

 Girişin negatif olduğu durum şekilde verilmiştir. Diyotların rolleri
değişmiştir ancak yük direnci R’nin üstündeki gerilimin kutupluğu ile
aynıdır.

vi’nin negatif bölgesi için devrenin durumu.

 Şekildeki devre, bu tam dalga doğrultucudaki diyotların ZTG’lerini
belirlemede yardımcı olacaktır. İkincil gerilim olarak maksimum
gerilimin alınmasıyla ve diğer döngüden R üzerinde Vm oluşmasıyla
aşağıdaki sonuçlar elde edilir.

AU trafolu tam dalga doğrultucudaki diyotların

ZTG seviyesinin belirlenmesi.
74
Örnek

75
 2.8 KIRPICILAR
Kırpıcılar, giriş sinyalinin bir kısmını “kırpan” ve geri kalan kısmını
bozmayan diyotlu devrelerdir.

Bir direnç ve bir diyottan oluşan yarım dalga doğrultucu diyot

kırpıcıların en basit örneklerinden biridir. Diyodun yönüne bağlı olarak,
uygulanan sinyalin pozitif veya negatif bölgesi “kırpılmaktadır”.

Genel anlamda iki çeşit kırpıcı vardır: Seri ve paralel. Seri yapı, yüke
paralel diyot içeren yapı olarak tanımlanırken paralel yapıda diyot yüke
paralel daldadır.
 Seri

Şekil -1’de verilen seri yapının dalga biçimlerine olan tepkisi şekil -
2’de gösterilmiştir. Başlangıçta yarım dalga doğrultucu sinüzoidal dalga
biçimine uygulansa da kırpıcıya uygulanabilecek sinyal tiplerini sınırı
yoktur.

Şekil - 1 Şekil - 2
 DC kaynaklı seri kırpıcı.

Şekildeki devreye bir dc kaynağın eklenmesi, seri kırpıcı yapının

analizini belirgin bir şekilde etkileyebilir. Tepki çok açık değildir çünkü
dc kaynak, gerilim kaynağının etkisini azaltabilir veya arttırabilir.

Ayrıca dc kaynak, kaynakla çıkış arasındaki kısımda veya çıkışa

paralel bir dalda bulunabilir.
 Şekilde verilen devreye benzer devrelerin analizi için genel bir
yöntem yoktur fakat analize yön vermek için birkaç şey yapılabilir.

Bunların birincisi ve en önemlisi şudur:

1. Çıkış geriliminin nerede tanımlandığına dikkat ediniz.

Daha sonra;

2. Her bir kaynağın etkisini ve her bir diyottaki alışılagelmiş akım

yönünü belirleyerek tepkiyi genel olarak anlamaya çalışınız.

3. Diyodu “kapalı” durumdan “açık” duruma geçirecek gerilimi (geçiş

gerilimini) belirleyiniz.
 Geçiş gerilimini kullanarak “açık” ve “kapalı”
bölgelerin tanımlanması.

Sinüzoidal kaynak üzerine diyodun açık ve kapalı olduğu bölgeleri

belirten bir doğru çizilebilir. “Açık” bölgede diyot yerine kısa devre
eşdeğeri konulabilir ve çıkış gerilimi aşağıdaki şekilde tanımlanır:

“Açık” durumda bulunan diyot için vo’nun belirlenmesi.

“Kapalı” bölgede diyot açık devredir. ID = 0
mA ve çıkış gerilimi yanda verilmiştir.
4. Yatay ve dikey eksenlerde aynı ölçeği kullanarak , çıkış dalga biçimini
uygulanan gerilimin hemen altına çizmek faydalı olacaktır.

Geçiş seviyesinin altında üstünde belirlenen vo’nun kulanımıyla vo dalga biçiminin

çizilmesi.
 Şekildeki sinüzoidal giriş için çıkış dalga biçimini belirleyiniz.

Seri kırpıcı.

Adım 1: Çıkış doğrudan R direncinin üzerindedir.

Adım 2: vi’nin pozitif bölgesi ve dc kaynak diyodu getirmeye
çalışmaktadır. vi’nin bütün pozitif değerlerinde diyodun “açık”
durumda olduğu rahatlıkla görülebilir. Kaynak negatif olduğunda,
diyodu “kapalı” duruma getirmek için dc kaynak gerilimi 5 V gerilimi
geçmelidir.
 Adım 3: Bir durumdan diğer duruma geçiş aşağıdaki durumda
ortaya çıkacaktır.

Verilen kırpıcının geçiş seviyesinin belirlenmesi.

Adım 4: Şekilde uygulanan gerilimin geçiş seviyesinde bir doğru

çizilmiştir. vo’nun çiziminde gösterildiği gibi, -5 V’tan daha düşük
gerilimlerde diyot açık devredir ve çıkış 0 V’tur.
 Paralel
Aşağıda verilen şekil paralel diyot yapıların en basitidir. Paralel
yapıların analizi seri yapıların analizine çok benzerdir.

Paralel kırpıcının tepkisi.

 Şekildeki devrenin vo değerini belirleyiniz.

Adım 1: Burada R çıkış direnci üzerinde değil, 4 V’luk kaynak ve

diyodun birleşimi üzerinde tanımlanmıştır.
 Adım 2: DC kaynağın kutupluğu ve diyodun yönü, negatif
bölgenin çoğu kısmında diyodun “açık” durumda olacağını akla
getirmektedir. Diyot açıkken çıkışı 4 V olacaktır. Yine diyot açıkken seri
devre üzerindeki akım 0 mA ve direnç üzerindeki akım düşmesi 0 V
olacaktır. Diyot kapalı iken vo= vi olacaktır.

Adım 3: Giriş geriliminin geçiş seviyesi aşağıdaki şekilden

bulunabilir. Geçiş anında kısa devre vardır ve akım 0 mA’dır. vi = 4 V
olduğunda durumda değişiklik olur.
 Adım 4: Şekilde geçiş seviyesi, diyodun açık olduğu vo = 4 V
durumuyla birlikte verilmiştir. vi ≥ 4 V iken vo = vi’dir ve dalga biçimi
çıkış grafiğinde tekrarlanmıştır.
 Bir önceki örneği VK = 0.7 V değeri olan silikon diyot için uygulayın.

vd = VD =0.7 V iken id = 0 A koşulunun uygulanmasıyla belirlenebilir

ve şekildeki devre elde edilir. Çıkış gerilimine Kirchhoff gerilim yasası
saat yönünde uygulanırsa şu sonuçlar elde edilir.

Devrenin geçiş seviyesinin belirlenmesi.

 3.3 V’tan daha yüksek giriş gerilimlerine, diyot açık devre ve vo = vi
olacaktır. Şekil – 2 deki devre elde edilecektir. Burada çıkış gerilimi şöyle
olur:

Açık durumda bulunan diyodun vo değerinin belirlenmesi.

Sonuçtaki dalga biçimi aşağıdaki şekilde verilmiştir. VK’nın tek

etkisi geçiş seviyesini 4 V’tan 3.3 V’a indirmek olacaktır.

vo’nun çizilmesi.
Basit Seri Kırpıcılar (İdeal Diyot)

POZİTİF

NEGATİF
Eğilimlemeli Seri Kırpıcılar (İdeal Diyot)
POZİTİF

NEGATİF
Basit Paralel Kırpıcılar (İdeal Diyot)

POZİTİF

NEGATİF
Eğilimlemeli Paralel Kırpıcılar (İdeal Diyot)
POZİTİF NEGATİF